JP3126328B2 - 露光装置 - Google Patents
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- JP3126328B2 JP3126328B2 JP09273723A JP27372397A JP3126328B2 JP 3126328 B2 JP3126328 B2 JP 3126328B2 JP 09273723 A JP09273723 A JP 09273723A JP 27372397 A JP27372397 A JP 27372397A JP 3126328 B2 JP3126328 B2 JP 3126328B2
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70933—Purge, e.g. exchanging fluid or gas to remove pollutants
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- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、雰囲気ガスを活性
化しやすい遠紫外線もしくはエキシマレーザ光を露光光
として利用して基板を露光する露光装置に関するもので
ある。
化しやすい遠紫外線もしくはエキシマレーザ光を露光光
として利用して基板を露光する露光装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置製造用の露光装置において、
遠紫外線やエキシマレーザ光を露光用の照明光とするも
のは知られている。一般に、強力な遠紫外線やエキシマ
レーザ光は雰囲気ガスを活性化しやすいので、これらの
露光装置では、光源レンズ系や投影レンズ系等の光学系
の周囲の雰囲気ガスの酸素や有機物等が露光光によって
活性化され、その化学反応によって該光学系の光学素子
の表面が汚染されることがある。そこで、このような露
光装置では、光学系を収納する容器の空気を窒素ガス等
の不活性ガスで置換することにより各光学素子の汚染を
防ぐことが、例えば特開平２−２１０８１３号公報で提
案されている。
遠紫外線やエキシマレーザ光を露光用の照明光とするも
のは知られている。一般に、強力な遠紫外線やエキシマ
レーザ光は雰囲気ガスを活性化しやすいので、これらの
露光装置では、光源レンズ系や投影レンズ系等の光学系
の周囲の雰囲気ガスの酸素や有機物等が露光光によって
活性化され、その化学反応によって該光学系の光学素子
の表面が汚染されることがある。そこで、このような露
光装置では、光学系を収納する容器の空気を窒素ガス等
の不活性ガスで置換することにより各光学素子の汚染を
防ぐことが、例えば特開平２−２１０８１３号公報で提
案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来で
は、光学系を収容する容器への不活性ガスの供給につい
ての充分な配慮がなされておらず、露光光が通過しても
問題のない程度まで容器内の酸素や不純物を除去するた
めに不活性ガスを大量に消費していた。
は、光学系を収容する容器への不活性ガスの供給につい
ての充分な配慮がなされておらず、露光光が通過しても
問題のない程度まで容器内の酸素や不純物を除去するた
めに不活性ガスを大量に消費していた。
【０００４】本発明は、このような従来技術の未解決の
課題に鑑みなされたものであり、その目的は、光学素子
の汚染を防止するための不活性ガスの供給量を最適化
し、不活性ガスを大量に消費することのない露光装置を
提供することにある。
課題に鑑みなされたものであり、その目的は、光学素子
の汚染を防止するための不活性ガスの供給量を最適化
し、不活性ガスを大量に消費することのない露光装置を
提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、遠紫外線もしくはエキシマレーザ光
（レーザ光Ｌ1 ）を光源（光源１）からの露光光として
利用して基板（ウエハ４）を露光する露光装置におい
て、前記光源から前記基板に至る露光光路中に配置され
る第１光学素子（レンズ２ａ）の少なくとも一方の面側
を不活性ガス（窒素ガス）雰囲気とするための第１部分
容器（内部空間２ｆ）と、前記光源から前記基板に至る
露光光路中に配置される第２光学素子（レンズ２ｂ，２
ｃ）の少なくとも一方の面側を不活性ガス（窒素ガス）
雰囲気とするための第２部分容器（内部空間２ｇ）と、
前記第１部分容器に不活性ガスを給気する第１給気ライ
ン（分岐ライン８ｆ）と、前記第２部分容器に不活性ガ
スを給気する第２給気ライン（分岐ライン８ｇ）と、前
記第１および前記第２部分容器にそれぞれ供給される前
記不活性ガスの流量を調整するため、前記第１および前
記第２給気ラインのそれぞれに設けられた絞り弁（８
ｉ，８ｈ）とを有し、それぞれの部分容器の酸素濃度を
所定の値にするのに必要な不活性ガスの供給量に基づい
て、前記第１および前記第２給気ラインのそれぞれの前
記絞り弁を調整することを特徴としている。
めに、本発明は、遠紫外線もしくはエキシマレーザ光
（レーザ光Ｌ1 ）を光源（光源１）からの露光光として
利用して基板（ウエハ４）を露光する露光装置におい
て、前記光源から前記基板に至る露光光路中に配置され
る第１光学素子（レンズ２ａ）の少なくとも一方の面側
を不活性ガス（窒素ガス）雰囲気とするための第１部分
容器（内部空間２ｆ）と、前記光源から前記基板に至る
露光光路中に配置される第２光学素子（レンズ２ｂ，２
ｃ）の少なくとも一方の面側を不活性ガス（窒素ガス）
雰囲気とするための第２部分容器（内部空間２ｇ）と、
前記第１部分容器に不活性ガスを給気する第１給気ライ
ン（分岐ライン８ｆ）と、前記第２部分容器に不活性ガ
スを給気する第２給気ライン（分岐ライン８ｇ）と、前
記第１および前記第２部分容器にそれぞれ供給される前
記不活性ガスの流量を調整するため、前記第１および前
記第２給気ラインのそれぞれに設けられた絞り弁（８
ｉ，８ｈ）とを有し、それぞれの部分容器の酸素濃度を
所定の値にするのに必要な不活性ガスの供給量に基づい
て、前記第１および前記第２給気ラインのそれぞれの前
記絞り弁を調整することを特徴としている。
【０００６】前記露光光路に沿って前記第１および前記
第２部分容器の間には隔壁（隔壁２ｉ）が設けられ、前
記隔壁は光学素子を保持していたり、前記隔壁に保持さ
れている光学素子が前記露光光に対して作用するレンズ
であるとより好ましい。さらには、前記第１および前記
第２給気ラインはメインの給気ライン（給気ライン８
ａ）を分岐したものであってもよい。
第２部分容器の間には隔壁（隔壁２ｉ）が設けられ、前
記隔壁は光学素子を保持していたり、前記隔壁に保持さ
れている光学素子が前記露光光に対して作用するレンズ
であるとより好ましい。さらには、前記第１および前記
第２給気ラインはメインの給気ライン（給気ライン８
ａ）を分岐したものであってもよい。
【０００７】
【作用】本発明の露光装置では、不活性ガス雰囲気とす
る空間を複数の部分容器によって分割し、各部分容器に
対して個別の絞り弁を有する給気ラインを介して不活性
ガスを給気している。このため、本発明の露光装置によ
れば、各部分容器に供給される不活性ガス量を最適化で
きるので、不活性ガスの消費量を低減することができ
る。
る空間を複数の部分容器によって分割し、各部分容器に
対して個別の絞り弁を有する給気ラインを介して不活性
ガスを給気している。このため、本発明の露光装置によ
れば、各部分容器に供給される不活性ガス量を最適化で
きるので、不活性ガスの消費量を低減することができ
る。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の実施例を図面に基づいて
説明する。
説明する。
【０００９】図１は、一実施例を説明する説明図であっ
て、本実施例の露光装置Ｅ1 は一般にステッパと呼ばれ
る縮小投影型の半導体露光装置である。この装置は、エ
キシマレーザからなる光源１と、光源１から発せられた
照明光（露光光）であるレーザ光Ｌ1 を所定の形状の光
束に成形する光学系である光源レンズ系２と、光源レン
ズ系２によって所定の形状に成形されたレーザ光Ｌ1 で
照明されたレチクル３上のパターンを基板であるウエハ
４に結像させる投影レンズ系５を有する。光源１はその
レーザ出力を制御するレーザ制御装置６を有し、レーザ
制御装置６は制御手段であるコントローラ７によって制
御される。
て、本実施例の露光装置Ｅ1 は一般にステッパと呼ばれ
る縮小投影型の半導体露光装置である。この装置は、エ
キシマレーザからなる光源１と、光源１から発せられた
照明光（露光光）であるレーザ光Ｌ1 を所定の形状の光
束に成形する光学系である光源レンズ系２と、光源レン
ズ系２によって所定の形状に成形されたレーザ光Ｌ1 で
照明されたレチクル３上のパターンを基板であるウエハ
４に結像させる投影レンズ系５を有する。光源１はその
レーザ出力を制御するレーザ制御装置６を有し、レーザ
制御装置６は制御手段であるコントローラ７によって制
御される。
【００１０】光源レンズ系２は、レーザ光Ｌ1 の露光光
路に沿って光源１側から順に並べられ、レーザ光Ｌ1 を
所定の形状の光束に成形するための複数のレンズ２ａ，
２ｂ，２ｃを有し、これらは少なくとも一方のレンズ面
が容器２ｄ内のガス雰囲気側となるように容器２ｄに収
容されている。容器２ｄは、露光光路に沿って光源１に
対向する側の端壁に窓２ｅを有し、容器２ｄ内を第１お
よび第２部分容器となる２つの内部空間２ｆ，２ｇに分
割するための隔壁２ｉを有する。なお、容器２ｄはレチ
クル３（ウエハ４）に対向する側の端壁でレンズ２ｃを
保持し、レンズ２ｃはレチクル３に向つてレーザ光Ｌ1
を放出する第２の窓を兼ねている。
路に沿って光源１側から順に並べられ、レーザ光Ｌ1 を
所定の形状の光束に成形するための複数のレンズ２ａ，
２ｂ，２ｃを有し、これらは少なくとも一方のレンズ面
が容器２ｄ内のガス雰囲気側となるように容器２ｄに収
容されている。容器２ｄは、露光光路に沿って光源１に
対向する側の端壁に窓２ｅを有し、容器２ｄ内を第１お
よび第２部分容器となる２つの内部空間２ｆ，２ｇに分
割するための隔壁２ｉを有する。なお、容器２ｄはレチ
クル３（ウエハ４）に対向する側の端壁でレンズ２ｃを
保持し、レンズ２ｃはレチクル３に向つてレーザ光Ｌ1
を放出する第２の窓を兼ねている。
【００１１】容器２ｄの各内部空間２ｆ，２ｇにそれぞ
れ不活性ガスである窒素ガスを供給する窒素ガス供給装
置８は、図示しない窒素ガス供給源に接続されたメイン
の給気ライン８ａと、メインの給気ライン８ａに設けら
れた開閉弁である第１の電磁弁８ｂと、その下流側に接
続された第２の開閉弁である第２の電磁弁８ｃと、これ
を迂回（バイパス）するバイパスライン８ｄと、該バイ
パスライン８ｄに設けられた第１の絞り弁８ｅと、バイ
パスライン８ｄの下流側に設けられた第１および第２給
気ラインとなる一対の分岐ライン８ｆ，８ｇと、分岐ラ
イン８ｆ，８ｇにそれぞれ設けられた第２および第３の
絞り弁８ｉ，８ｈを有し、第２および第３の絞り弁８
ｉ，８ｈの吐出側はそれぞれ容器２ｄの内部空間２ｆ，
２ｇに接続されている。
れ不活性ガスである窒素ガスを供給する窒素ガス供給装
置８は、図示しない窒素ガス供給源に接続されたメイン
の給気ライン８ａと、メインの給気ライン８ａに設けら
れた開閉弁である第１の電磁弁８ｂと、その下流側に接
続された第２の開閉弁である第２の電磁弁８ｃと、これ
を迂回（バイパス）するバイパスライン８ｄと、該バイ
パスライン８ｄに設けられた第１の絞り弁８ｅと、バイ
パスライン８ｄの下流側に設けられた第１および第２給
気ラインとなる一対の分岐ライン８ｆ，８ｇと、分岐ラ
イン８ｆ，８ｇにそれぞれ設けられた第２および第３の
絞り弁８ｉ，８ｈを有し、第２および第３の絞り弁８
ｉ，８ｈの吐出側はそれぞれ容器２ｄの内部空間２ｆ，
２ｇに接続されている。
【００１２】第１の電磁弁８ｂは、レーザ制御装置６の
出力によって光源１が駆動あるいは停止されると同時に
コントローラ７の出力信号によって開閉されるものであ
り、第２の電磁弁８ｃは、光源１が駆動されると同時に
第１の電磁弁８ｂとともに開かれて、所定の流量の窒素
ガスを分岐ライン８ｆ，８ｇに供給し、コントローラ７
に設定されたプログラムである窒素供給プログラムによ
って所定時間を経た後に閉じられる。
出力によって光源１が駆動あるいは停止されると同時に
コントローラ７の出力信号によって開閉されるものであ
り、第２の電磁弁８ｃは、光源１が駆動されると同時に
第１の電磁弁８ｂとともに開かれて、所定の流量の窒素
ガスを分岐ライン８ｆ，８ｇに供給し、コントローラ７
に設定されたプログラムである窒素供給プログラムによ
って所定時間を経た後に閉じられる。
【００１３】また、容器２ｄの各内部空間２ｆ，２ｇの
酸素濃度を検出するセンサ（酸素センサ）を設け、該セ
ンサの出力に基づいて第２の電磁弁８ｃを閉じるように
してもよい。第１の絞り弁８ｅは、第１の電磁弁８ｂが
開かれた後、常時バイパスライン８ｄを経て所定の流量
の窒素ガスを容器２ｄの内部空問２ｆ，２ｇに供給す
る。第２，第３の絞り弁８ｉ，８ｈは、それぞれ分岐ラ
イン８ｆ，８ｇから容器２ｄの内部空間２ｆ，２ｇに供
給される窒素ガスの流量（の比率）を調節するものであ
り、各内部空間２ｆ，２ｇに対する窒素ガス供給量を最
適化することで、容器２ｄ内を効率よく窒素ガス雰囲気
に置換し、窒素ガスの消費量を低減できる。
酸素濃度を検出するセンサ（酸素センサ）を設け、該セ
ンサの出力に基づいて第２の電磁弁８ｃを閉じるように
してもよい。第１の絞り弁８ｅは、第１の電磁弁８ｂが
開かれた後、常時バイパスライン８ｄを経て所定の流量
の窒素ガスを容器２ｄの内部空問２ｆ，２ｇに供給す
る。第２，第３の絞り弁８ｉ，８ｈは、それぞれ分岐ラ
イン８ｆ，８ｇから容器２ｄの内部空間２ｆ，２ｇに供
給される窒素ガスの流量（の比率）を調節するものであ
り、各内部空間２ｆ，２ｇに対する窒素ガス供給量を最
適化することで、容器２ｄ内を効率よく窒素ガス雰囲気
に置換し、窒素ガスの消費量を低減できる。
【００１４】第２の電磁弁８ｃを閉じるタイミングは、
光源１の駆動後に所定の強度の照明光が得られるまでの
光源１の立上り時間に基づいて設定されるもので、図２
のタイムチャートＡ〜Ｅに示すような窒素供給プログラ
ムによって制御される。露光装置Ｅ1 において露光が終
了し、光源１の駆動が停止されると同時に、第１の電磁
弁８ｂが閉じられて、窒素ガスの供給が停止される。
光源１の駆動後に所定の強度の照明光が得られるまでの
光源１の立上り時間に基づいて設定されるもので、図２
のタイムチャートＡ〜Ｅに示すような窒素供給プログラ
ムによって制御される。露光装置Ｅ1 において露光が終
了し、光源１の駆動が停止されると同時に、第１の電磁
弁８ｂが閉じられて、窒素ガスの供給が停止される。
【００１５】図２のタイムチャートＡに示す窒素供給プ
ログラムは、光源１の駆動開始時刻ｔ0 において第１お
よび第２の電磁弁８ｂ，８ｃを開き、大流量値ｑ1 で示
す供給量の窒素ガスを容器２ｄの各内部空間２ｆ，２ｇ
に供給し、各内部空間２ｆ，２ｇの雰囲気の酸素濃度を
速かに低下させた後、時刻ｔ1 において第２の電磁弁８
ｃを閉じる。光源１がエキシマレーザである場合は、光
源１を駆動したのちに所定の出力のレーザ光が得られる
までに数分以上の時間を必要とする。前述の時刻ｔ1
は、このような光源１の立上り時間に合わせて設定され
る。
ログラムは、光源１の駆動開始時刻ｔ0 において第１お
よび第２の電磁弁８ｂ，８ｃを開き、大流量値ｑ1 で示
す供給量の窒素ガスを容器２ｄの各内部空間２ｆ，２ｇ
に供給し、各内部空間２ｆ，２ｇの雰囲気の酸素濃度を
速かに低下させた後、時刻ｔ1 において第２の電磁弁８
ｃを閉じる。光源１がエキシマレーザである場合は、光
源１を駆動したのちに所定の出力のレーザ光が得られる
までに数分以上の時間を必要とする。前述の時刻ｔ1
は、このような光源１の立上り時間に合わせて設定され
る。
【００１６】時刻ｔ1 において第２の電磁弁８ｃが閉じ
られると、窒素ガスはバイパスライン８ｄのみを経て容
器２ｄの各内部空間２ｆ，２ｇに供給されるため、窒素
ガスの供給量は小流量値（定常値）ｑ2 に低下する。時
刻ｔ2 において露光装置の露光が終了し、光源１の駆動
が停止されると、これと同時に第１の電磁弁８ｂが閉じ
られて窒素ガスの供給が停止される。なお、小流量値ｑ
2 は容器２ｄから漏出する窒素ガスを補うのに充分であ
ればよい。
られると、窒素ガスはバイパスライン８ｄのみを経て容
器２ｄの各内部空間２ｆ，２ｇに供給されるため、窒素
ガスの供給量は小流量値（定常値）ｑ2 に低下する。時
刻ｔ2 において露光装置の露光が終了し、光源１の駆動
が停止されると、これと同時に第１の電磁弁８ｂが閉じ
られて窒素ガスの供給が停止される。なお、小流量値ｑ
2 は容器２ｄから漏出する窒素ガスを補うのに充分であ
ればよい。
【００１７】タイムチャートＢは、前述のセンサによっ
て検出された酸素濃度が所定の値に減少した時刻ｔ3 に
おいて第２の電磁弁８ｃを閉じるように設定した窒素供
給プログラムを示し、タイムチャートＣは、上記酸素濃
度が所定の値に減少した時刻ｔ3 から所定の時間遅れΔ
ｔを経た時刻ｔ4 において第２の電磁弁８ｃを閉じるよ
うに設定した窒素供給プログラムを示している。タイム
チャートＤは、前述のタイムチャートＡ〜Ｃの時刻ｔ
1 ，ｔ3 またはｔ4 において第２の電磁弁８ｃを閉じた
後、これを間欠的に開くことによって容器２ｄから漏出
する窒素ガスを補充する窒素供給プログラムを示すもの
で、この場合はバイパスライン８ｄを必要としない。
て検出された酸素濃度が所定の値に減少した時刻ｔ3 に
おいて第２の電磁弁８ｃを閉じるように設定した窒素供
給プログラムを示し、タイムチャートＣは、上記酸素濃
度が所定の値に減少した時刻ｔ3 から所定の時間遅れΔ
ｔを経た時刻ｔ4 において第２の電磁弁８ｃを閉じるよ
うに設定した窒素供給プログラムを示している。タイム
チャートＤは、前述のタイムチャートＡ〜Ｃの時刻ｔ
1 ，ｔ3 またはｔ4 において第２の電磁弁８ｃを閉じた
後、これを間欠的に開くことによって容器２ｄから漏出
する窒素ガスを補充する窒素供給プログラムを示すもの
で、この場合はバイパスライン８ｄを必要としない。
【００１８】また、タイムチャートＥは、前述のセンサ
によって検出された酸素濃度が所定の値ｄ1 に減少した
時刻ｔ3 において第２の電磁弁８ｃを閉じたのちも時刻
ｔ5まで前記センサによる測定を継続し、これによって
容器２ｄの酸素濃度を所定の値に維持するのに必要な窒
素ガスの供給量を実測し、これに基づいて窒素ガスの補
充量を設定する窒素供給プログラムを示すものである。
によって検出された酸素濃度が所定の値ｄ1 に減少した
時刻ｔ3 において第２の電磁弁８ｃを閉じたのちも時刻
ｔ5まで前記センサによる測定を継続し、これによって
容器２ｄの酸素濃度を所定の値に維持するのに必要な窒
素ガスの供給量を実測し、これに基づいて窒素ガスの補
充量を設定する窒素供給プログラムを示すものである。
【００１９】本実施例によれば、光源１の駆動開始とと
もに大流量の窒素ガスを光源レンズ系の容器２ｄ内へ供
給し、容器２ｄ内の空気を効率よく短時間で窒素ガスに
よって置換させると共に、容器２ｄ内の酸素濃度が所定
の値に低減したのちに窒素ガスの供給量を縮小すること
で、大量の窒素ガスを消費することなく容器の空気を迅
速に窒素ガスと置換し、不活性な雰囲気に維持すること
ができる。
もに大流量の窒素ガスを光源レンズ系の容器２ｄ内へ供
給し、容器２ｄ内の空気を効率よく短時間で窒素ガスに
よって置換させると共に、容器２ｄ内の酸素濃度が所定
の値に低減したのちに窒素ガスの供給量を縮小すること
で、大量の窒素ガスを消費することなく容器の空気を迅
速に窒素ガスと置換し、不活性な雰囲気に維持すること
ができる。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、紫外線もしくはエキシ
マレーザ光を光源からの露光光として利用して基板を露
光する露光装置において、容器内の雰囲気を少量の不活
性ガスによって不活性ガス雰囲気に維持することがで
き、光学素子の汚染を防止するための不活性ガスを大量
に消費することのない露光装置を提供できる。
マレーザ光を光源からの露光光として利用して基板を露
光する露光装置において、容器内の雰囲気を少量の不活
性ガスによって不活性ガス雰囲気に維持することがで
き、光学素子の汚染を防止するための不活性ガスを大量
に消費することのない露光装置を提供できる。
【図１】一実施例を説明する説明図である。
【図２】図１の装置を制御するタイムチャートの様々な
例を示す図である。
例を示す図である。
Ｌ1 レーザ光 １ 光源 ２ 光源レンズ系 ２ｄ 容器 ３ レチクル ４ ウエハ ５ 投影レンズ系 ６ レーザ制御装置 ７ コントローラ ８ 窒素ガス供給装置 ８ａ メインの給気ライン ８ｂ 第１の電磁弁 ８ｃ 第２の電磁弁 ８ｄ バイパスライン ８ｅ 第１の絞り弁 ８ｉ 第２の絞り弁 ８ｈ 第３の絞り弁
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20 521
Claims (4)
- 【請求項１】 遠紫外線もしくはエキシマレーザ光を光
源からの露光光として利用して基板を露光する露光装置
において、 前記光源から前記基板に至る露光光路中に配置される第
１光学素子の少なくとも一方の面側を不活性ガス雰囲気
とするための第１部分容器と、 前記光源から前記基板に至る露光光路中に配置される第
２光学素子の少なくとも一方の面側を不活性ガス雰囲気
とするための第２部分容器と、 前記第１部分容器に不活性ガスを給気する第１給気ライ
ンと、 前記第２部分容器に不活性ガスを給気する第２給気ライ
ンと、 前記第１および前記第２部分容器にそれぞれ供給される
前記不活性ガスの流量を調整するため、前記第１および
前記第２給気ラインのそれぞれに設けられた絞り弁とを
有し、それぞれの部分容器の酸素濃度を所定の値にする
のに必要な不活性ガスの供給量に基づいて、前記第１お
よび前記第２給気ラインのそれぞれの前記絞り弁を調整
することを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】 前記露光光路に沿って前記第１および前
記第２部分容器の間には隔壁が設けられ、前記隔壁は光
学素子を保持していることを特徴とする請求項１記載の
露光装置。 - 【請求項３】 前記隔壁に保持されている光学素子は前
記露光光に対して作用するレンズであることを特徴とす
る請求項２記載の露光装置。 - 【請求項４】 前記第１および前記第２給気ラインはメ
インの給気ラインを分岐したものであることを特徴とす
る請求項１記載の露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09273723A JP3126328B2 (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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1997
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