JP3084332B2 - 露光装置 - Google Patents
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- JP3084332B2 JP3084332B2 JP05023564A JP2356493A JP3084332B2 JP 3084332 B2 JP3084332 B2 JP 3084332B2 JP 05023564 A JP05023564 A JP 05023564A JP 2356493 A JP2356493 A JP 2356493A JP 3084332 B2 JP3084332 B2 JP 3084332B2
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
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- Atmospheric Sciences (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、雰囲気ガスを活性化し
やすい遠紫外線もしくはエキシマレーザ光を露光光とし
て利用して基板を露光する露光装置に関するものであ
る。
やすい遠紫外線もしくはエキシマレーザ光を露光光とし
て利用して基板を露光する露光装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置製造用の露光装置において、
遠紫外線やエキシマレーザ光を露光用の照明光とするも
のは知られている。一般に、強力な遠紫外線やエキシマ
レーザ光は雰囲気ガスを活性化しやすいので、これらの
露光装置では、光源レンズ系や投影レンズ系等の光学系
の周囲の雰囲気ガスの酸素や有機物等が露光光によって
活性化され、その化学反応によって該光学系の光学素子
の表面が汚染されることがある。そこで、このような露
光装置では、光学系を収納する容器の空気を窒素ガス等
の不活性ガスで置換することにより各光学素子の汚染を
防ぐことが、例えば特開平２−２１０８１３号公報で提
案されている。
遠紫外線やエキシマレーザ光を露光用の照明光とするも
のは知られている。一般に、強力な遠紫外線やエキシマ
レーザ光は雰囲気ガスを活性化しやすいので、これらの
露光装置では、光源レンズ系や投影レンズ系等の光学系
の周囲の雰囲気ガスの酸素や有機物等が露光光によって
活性化され、その化学反応によって該光学系の光学素子
の表面が汚染されることがある。そこで、このような露
光装置では、光学系を収納する容器の空気を窒素ガス等
の不活性ガスで置換することにより各光学素子の汚染を
防ぐことが、例えば特開平２−２１０８１３号公報で提
案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来で
は、光学系を収容する容器への不活性ガスの供給につい
ての充分な配慮がなされておらず、露光光が通過しても
問題のない程度まで容器内の酸素や不純物を除去するた
めに不活性ガスを大量に消費していた。
は、光学系を収容する容器への不活性ガスの供給につい
ての充分な配慮がなされておらず、露光光が通過しても
問題のない程度まで容器内の酸素や不純物を除去するた
めに不活性ガスを大量に消費していた。
【０００４】本発明は、このような従来技術の未解決の
課題に鑑みなされたものであり、その目的は、光学素子
の汚染を防止するための不活性ガスを大量に消費するこ
とのない露光装置を提供することにある。
課題に鑑みなされたものであり、その目的は、光学素子
の汚染を防止するための不活性ガスを大量に消費するこ
とのない露光装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の露光装置は、遠紫外線もしくはエキシマ
レーザ光（レーザ光Ｌ1 ，Ｌ2 ）を光源（光源１；２
１）からの露光光として利用して基板（ウエハ４；２
４）を露光する露光装置において、前記光源から前記基
板に至る露光光路中に配置された光学素子（レンズ２
ａ，２ｂ，２ｃ；２２ａ，２２ｂ）の少なくとも一方の
面側を不活性ガス（窒素ガス）雰囲気とするための容器
（容器２ｄ；２２ｄ）と、前記容器に供給される不活性
ガスの供給量を第１供給量にして前記容器の雰囲気ガス
を置換した後、前記第１供給量より少ない第２供給量に
減少させるガス供給量制御手段（窒素ガス供給装置８；
２８）を有することを特徴としている。
めに、本発明の露光装置は、遠紫外線もしくはエキシマ
レーザ光（レーザ光Ｌ1 ，Ｌ2 ）を光源（光源１；２
１）からの露光光として利用して基板（ウエハ４；２
４）を露光する露光装置において、前記光源から前記基
板に至る露光光路中に配置された光学素子（レンズ２
ａ，２ｂ，２ｃ；２２ａ，２２ｂ）の少なくとも一方の
面側を不活性ガス（窒素ガス）雰囲気とするための容器
（容器２ｄ；２２ｄ）と、前記容器に供給される不活性
ガスの供給量を第１供給量にして前記容器の雰囲気ガス
を置換した後、前記第１供給量より少ない第２供給量に
減少させるガス供給量制御手段（窒素ガス供給装置８；
２８）を有することを特徴としている。
【０００６】前記ガス供給量制御手段は、前記光源の立
上げ時に前記容器への不活性ガスの供給を前記第１供給
量にして前記容器の雰囲気ガスを置換すものでもよい
し、これに加えて前記光源の駆動停止時に前記容器への
不活性ガスの供給を前記第２供給量よりさらに減少させ
るものであったり、前記光源の駆動停止時には前記容器
への不活性ガスの供給を停止させるものでもよい。
上げ時に前記容器への不活性ガスの供給を前記第１供給
量にして前記容器の雰囲気ガスを置換すものでもよい
し、これに加えて前記光源の駆動停止時に前記容器への
不活性ガスの供給を前記第２供給量よりさらに減少させ
るものであったり、前記光源の駆動停止時には前記容器
への不活性ガスの供給を停止させるものでもよい。
【０００７】また、前記ガス供給量制御手段は、前記容
器に不活性ガスを供給するためのガス供給ラインを遮断
する遮断弁（電磁弁８ｃ）と、前記遮断弁をバイパスし
て前記ガス供給ラインを連絡するバイパスライン（バイ
パスライン８ｄ）を有するものでもよいし、前記容器に
不活性ガスを供給するためのガス供給ラインに設けられ
た可変弁（可変弁２８ｃ）を有するものでもよい。
器に不活性ガスを供給するためのガス供給ラインを遮断
する遮断弁（電磁弁８ｃ）と、前記遮断弁をバイパスし
て前記ガス供給ラインを連絡するバイパスライン（バイ
パスライン８ｄ）を有するものでもよいし、前記容器に
不活性ガスを供給するためのガス供給ラインに設けられ
た可変弁（可変弁２８ｃ）を有するものでもよい。
【０００８】
【作用】本発明の露光装置では、例えば光源の立上げ時
に容器に供給される不活性ガスの供給量を大流量（第１
供給量）にして前記容器の雰囲気ガスを置換した後、該
容器に供給される不活性ガスの供給量が小流量（第２供
給量）に低減される。あるいは、酸素センサによって容
器内の酸素濃度をモニタし、酸素濃度が所定の値以下に
低減した際に、不活性ガスの供給量が小流量（第２供給
量）に低減される。
に容器に供給される不活性ガスの供給量を大流量（第１
供給量）にして前記容器の雰囲気ガスを置換した後、該
容器に供給される不活性ガスの供給量が小流量（第２供
給量）に低減される。あるいは、酸素センサによって容
器内の酸素濃度をモニタし、酸素濃度が所定の値以下に
低減した際に、不活性ガスの供給量が小流量（第２供給
量）に低減される。
【０００９】例えば、本発明の露光装置によれば、光源
の駆動開始と同時に大流量の不活性ガスを容器に供給
し、容器の雰囲気ガスを迅速に置換させたのち、不活性
ガスの供給量を小流量な定常値へ低減することで不活性
ガスの消費量を低減することができる。
の駆動開始と同時に大流量の不活性ガスを容器に供給
し、容器の雰囲気ガスを迅速に置換させたのち、不活性
ガスの供給量を小流量な定常値へ低減することで不活性
ガスの消費量を低減することができる。
【００１０】
【実施例】本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
【００１１】図１は、第１実施例を説明する説明図であ
って、本実施例の露光装置Ｅ1 は一般にステッパと呼ば
れる縮小投影型の半導体露光装置である。この装置は、
エキシマレーザからなる光源１と、光源１から発せられ
た照明光（露光光）であるレーザ光Ｌ1 を所定の形状の
光束に成形する光学系である光源レンズ系２と、光源レ
ンズ系２によって所定の形状に成形されたレーザ光Ｌ1
で照明されたレチクル３上のパターンを基板であるウエ
ハ４に結像させる投影レンズ系５を有する。光源１はそ
のレーザ出力を制御するレーザ制御装置６を有し、レー
ザ制御装置６は制御手段であるコントローラ７によって
制御される。
って、本実施例の露光装置Ｅ1 は一般にステッパと呼ば
れる縮小投影型の半導体露光装置である。この装置は、
エキシマレーザからなる光源１と、光源１から発せられ
た照明光（露光光）であるレーザ光Ｌ1 を所定の形状の
光束に成形する光学系である光源レンズ系２と、光源レ
ンズ系２によって所定の形状に成形されたレーザ光Ｌ1
で照明されたレチクル３上のパターンを基板であるウエ
ハ４に結像させる投影レンズ系５を有する。光源１はそ
のレーザ出力を制御するレーザ制御装置６を有し、レー
ザ制御装置６は制御手段であるコントローラ７によって
制御される。
【００１２】光源レンズ系２は、レーザ光Ｌ 1 の露光光
路に沿って光源１側から順に並べられ、レーザ光Ｌ1 を
所定の形状の光束に成形するための複数のレンズ２ａ，
２ｂ，２ｃを有し、これらは少なくとも一方のレンズ面
が容器２ｄ内のガス雰囲気側となるように容器２ｄに収
容されている。容器２ｄは、露光光路に沿って光源１に
対向する側の端壁に窓２ｅを有し、容器２ｄ内を２つの
内部空間２ｆ，２ｇに分割するための隔壁２ｉを有す
る。なお、容器２ｄはレチクル３（ウエハ４）に対向す
る側の端壁でレンズ２ｃを保持し、レンズ２ｃはレチク
ル３に向ってレーザ光Ｌ1 を放出する第２の窓を兼ねて
いる。
路に沿って光源１側から順に並べられ、レーザ光Ｌ1 を
所定の形状の光束に成形するための複数のレンズ２ａ，
２ｂ，２ｃを有し、これらは少なくとも一方のレンズ面
が容器２ｄ内のガス雰囲気側となるように容器２ｄに収
容されている。容器２ｄは、露光光路に沿って光源１に
対向する側の端壁に窓２ｅを有し、容器２ｄ内を２つの
内部空間２ｆ，２ｇに分割するための隔壁２ｉを有す
る。なお、容器２ｄはレチクル３（ウエハ４）に対向す
る側の端壁でレンズ２ｃを保持し、レンズ２ｃはレチク
ル３に向ってレーザ光Ｌ1 を放出する第２の窓を兼ねて
いる。
【００１３】容器２ｄの各内部空間２ｆ，２ｇにそれぞ
れ不活性ガスである窒素ガスを供給する窒素ガス供給装
置８は、図示しない窒素ガス供給源に接続された給気ラ
イン８ａと、給気ライン８ａに設けられた開閉弁である
第１の電磁弁８ｂと、その下流側に接続された第２の開
閉弁である第２の電磁弁８ｃと、これを迂回（バイパ
ス）するバイパスライン８ｄと、該バイパスライン８ｄ
に設けられた第１の絞り弁８ｅと、バイパスライン８ｄ
の下流側に設けられた一対の分岐ライン８ｆ，８ｇと、
分岐ライン８ｆ，８ｇにそれぞれ設けられた第２および
第３の絞り弁８ｉ，８ｈを有し、第２および第３の絞り
弁８ｉ，８ｈの吐出側はそれぞれ客器２ｄの内部空間２
ｆ，２ｇに接続されている。
れ不活性ガスである窒素ガスを供給する窒素ガス供給装
置８は、図示しない窒素ガス供給源に接続された給気ラ
イン８ａと、給気ライン８ａに設けられた開閉弁である
第１の電磁弁８ｂと、その下流側に接続された第２の開
閉弁である第２の電磁弁８ｃと、これを迂回（バイパ
ス）するバイパスライン８ｄと、該バイパスライン８ｄ
に設けられた第１の絞り弁８ｅと、バイパスライン８ｄ
の下流側に設けられた一対の分岐ライン８ｆ，８ｇと、
分岐ライン８ｆ，８ｇにそれぞれ設けられた第２および
第３の絞り弁８ｉ，８ｈを有し、第２および第３の絞り
弁８ｉ，８ｈの吐出側はそれぞれ客器２ｄの内部空間２
ｆ，２ｇに接続されている。
【００１４】第１の電磁弁８ｂは、レーザ制御装置６の
出力によって光源１が駆動あるいは停止されると同時に
コントローラ７の出力信号によって開閉されるものであ
り、第２の電磁弁８ｃは、光源１が駆動されると同時に
第１の電磁弁８ｂとともに開かれて、所定の流量の窒素
ガスを分岐ライン８ｆ，８ｇに供給し、コントローラ７
に設定されたプログラムである窒素供給プログラムによ
って所定時間を経た後に閉じられる。
出力によって光源１が駆動あるいは停止されると同時に
コントローラ７の出力信号によって開閉されるものであ
り、第２の電磁弁８ｃは、光源１が駆動されると同時に
第１の電磁弁８ｂとともに開かれて、所定の流量の窒素
ガスを分岐ライン８ｆ，８ｇに供給し、コントローラ７
に設定されたプログラムである窒素供給プログラムによ
って所定時間を経た後に閉じられる。
【００１５】また、容器２ｄの各内部空間２ｆ，２ｇの
酸素濃度を検出するセンサ（酸素センサ）を設け、該セ
ンサの出力に基づいて第２の電磁弁８ｃを閉じるように
してもよい。第１の絞り弁８ｅは、第１の電磁弁８ｂが
開かれた後、常時バイパスライン８ｄを経て所定の流量
の窒素ガスを容器２ｄの内部空問２ｆ，２ｇに供給す
る。第２，第３の絞り弁８ｉ，８ｈは、それぞれ分岐ラ
イン８ｆ，８ｇから容器２ｄの内部空間２ｆ，２ｇに供
給される窒素ガスの流量（の比率）を調節するものであ
る。
酸素濃度を検出するセンサ（酸素センサ）を設け、該セ
ンサの出力に基づいて第２の電磁弁８ｃを閉じるように
してもよい。第１の絞り弁８ｅは、第１の電磁弁８ｂが
開かれた後、常時バイパスライン８ｄを経て所定の流量
の窒素ガスを容器２ｄの内部空問２ｆ，２ｇに供給す
る。第２，第３の絞り弁８ｉ，８ｈは、それぞれ分岐ラ
イン８ｆ，８ｇから容器２ｄの内部空間２ｆ，２ｇに供
給される窒素ガスの流量（の比率）を調節するものであ
る。
【００１６】第２の電磁弁８ｃを閉じるタイミングは、
光源１の駆動後に所定の強度の照明光が得られるまでの
光源１の立上り時間に基づいて設定されるもので、図２
のタイムチャートＡ〜Ｅに示すような窒素供給プログラ
ムによって制御される。露光装置Ｅ1 において露光が終
了し、光源１の駆動が停止されると同時に、第１の電磁
弁８ｂが閉じられて、窒素ガスの供給が停止される。
光源１の駆動後に所定の強度の照明光が得られるまでの
光源１の立上り時間に基づいて設定されるもので、図２
のタイムチャートＡ〜Ｅに示すような窒素供給プログラ
ムによって制御される。露光装置Ｅ1 において露光が終
了し、光源１の駆動が停止されると同時に、第１の電磁
弁８ｂが閉じられて、窒素ガスの供給が停止される。
【００１７】図２のタイムチャートＡに示す窒素供給プ
ログラムは、光源１の駆動開始時刻ｔ0 において第１お
よび第２の電磁弁８ｂ，８ｃを開き、大流量値ｑ1 で示
す供給量の窒素ガスを容器２ｄの各内部空間２ｆ，２ｇ
に供給し、各内部空間２ｆ，２ｇの雰囲気ガスの酸素濃
度を速かに低下させた後、時刻ｔ1 において第２の電磁
弁８ｃを閉じる。光源１がエキシマレーザである場合
は、光源１を駆動したのちに所定の出力のレーザ光が得
られるまでに数分以上の時間を必要とする。前述の時刻
ｔ1 は、このような光源１の立上り時間に合わせて設定
される。
ログラムは、光源１の駆動開始時刻ｔ0 において第１お
よび第２の電磁弁８ｂ，８ｃを開き、大流量値ｑ1 で示
す供給量の窒素ガスを容器２ｄの各内部空間２ｆ，２ｇ
に供給し、各内部空間２ｆ，２ｇの雰囲気ガスの酸素濃
度を速かに低下させた後、時刻ｔ1 において第２の電磁
弁８ｃを閉じる。光源１がエキシマレーザである場合
は、光源１を駆動したのちに所定の出力のレーザ光が得
られるまでに数分以上の時間を必要とする。前述の時刻
ｔ1 は、このような光源１の立上り時間に合わせて設定
される。
【００１８】時刻ｔ1 において第２の電磁弁８ｃが閉じ
られると、窒素ガスはバイパスライン８ｄのみを経て容
器２ｄの各内部空間２ｆ，２ｇに供給されるため、窒素
ガスの供給量は小流量値（定常値）ｑ2 に低下する。時
刻ｔ2 において露光装置の露光が終了し、光源１の駆動
が停止されると、これと同時に第１の電磁弁８ｂが閉じ
られて窒素ガスの供給が停止される。なお、小流量値ｑ
2 は容器２から漏出する窒素ガスを補うのに充分であれ
ばよい。
られると、窒素ガスはバイパスライン８ｄのみを経て容
器２ｄの各内部空間２ｆ，２ｇに供給されるため、窒素
ガスの供給量は小流量値（定常値）ｑ2 に低下する。時
刻ｔ2 において露光装置の露光が終了し、光源１の駆動
が停止されると、これと同時に第１の電磁弁８ｂが閉じ
られて窒素ガスの供給が停止される。なお、小流量値ｑ
2 は容器２から漏出する窒素ガスを補うのに充分であれ
ばよい。
【００１９】タイムチャートＢは、前述のセンサによっ
て検出された酸素濃度が所定の値に減少した時刻ｔ3 に
おいて第２の電磁弁８ｃを閉じるように設定した窒素供
給プログラムを示し、タイムチャートＣは、上記酸素濃
度が所定の値に減少した時刻ｔ3 から所定の時間遅れΔ
ｔを経た時刻ｔ4 において第２の電磁弁８ｃを閉じるよ
うに設定した窒素供給プログラムを示している。タイム
チャートＤは、前述のタイムチャートＡ〜Ｃの時刻ｔ
1 ，ｔ3 またはｔ4 において第２の電磁弁８ｃを閉じた
後、これを間欠的に開くことによって容器２ｄから漏出
する窒素ガスを補充する窒素供給プログラムを示すもの
で、この場合はバイパスライン８ｄを必要としない。
て検出された酸素濃度が所定の値に減少した時刻ｔ3 に
おいて第２の電磁弁８ｃを閉じるように設定した窒素供
給プログラムを示し、タイムチャートＣは、上記酸素濃
度が所定の値に減少した時刻ｔ3 から所定の時間遅れΔ
ｔを経た時刻ｔ4 において第２の電磁弁８ｃを閉じるよ
うに設定した窒素供給プログラムを示している。タイム
チャートＤは、前述のタイムチャートＡ〜Ｃの時刻ｔ
1 ，ｔ3 またはｔ4 において第２の電磁弁８ｃを閉じた
後、これを間欠的に開くことによって容器２ｄから漏出
する窒素ガスを補充する窒素供給プログラムを示すもの
で、この場合はバイパスライン８ｄを必要としない。
【００２０】また、タイムチャートＥは、前述のセンサ
によって検出された酸素濃度が所定の値ｄ1 に減少した
時刻ｔ3 において第２の電磁弁８ｃを閉じたのちも時刻
ｔ5まで前記センサによる測定を継続し、これによって
容器２ｄの酸素濃度を所定の値に維持するのに必要な窒
素ガスの供給量を実測し、これに基づいて窒素ガスの補
充量を設定する窒素供給プログラムを示すものである。
によって検出された酸素濃度が所定の値ｄ1 に減少した
時刻ｔ3 において第２の電磁弁８ｃを閉じたのちも時刻
ｔ5まで前記センサによる測定を継続し、これによって
容器２ｄの酸素濃度を所定の値に維持するのに必要な窒
素ガスの供給量を実測し、これに基づいて窒素ガスの補
充量を設定する窒素供給プログラムを示すものである。
【００２１】本実施例によれば、光源１の駆動開始とと
もに大流量の窒素ガスを光源レンズ系の容器２ｄ内へ供
給し、容器２ｄ内の空気を短時間で窒素ガスによって置
換させると共に、所定時間後あるいは容器内の酸素濃度
が所定の値に低減したのちに窒素ガスの供給量を縮小す
ることで、大量の窒素ガスを消費することなく容器の空
気を迅速に窒素ガスと置換させることができる。
もに大流量の窒素ガスを光源レンズ系の容器２ｄ内へ供
給し、容器２ｄ内の空気を短時間で窒素ガスによって置
換させると共に、所定時間後あるいは容器内の酸素濃度
が所定の値に低減したのちに窒素ガスの供給量を縮小す
ることで、大量の窒素ガスを消費することなく容器の空
気を迅速に窒素ガスと置換させることができる。
【００２２】図３は、第２実施例を説明する図であっ
て、本実施例の露光装置Ｅ2 は、第１実施例と同様に、
エキシマレーザからなる光源２１と、光源２１から発せ
られた照明光であるレーザ光Ｌ2 を所定の光束に成形す
る光学系である光源レンズ系２２と、光源レンズ系２２
によって所定の光束に成形されたレーザ光Ｌ2 で照明さ
れたレチクル２３のパターンをウエハ２４に結像させる
投影レンズ系２５からなる。光源２１はそのレーザ出力
を制御するレーザ制御装置２６を有し、レーザ制御装置
２６は制御手段であるコントローラ２７によって制御さ
れる。
て、本実施例の露光装置Ｅ2 は、第１実施例と同様に、
エキシマレーザからなる光源２１と、光源２１から発せ
られた照明光であるレーザ光Ｌ2 を所定の光束に成形す
る光学系である光源レンズ系２２と、光源レンズ系２２
によって所定の光束に成形されたレーザ光Ｌ2 で照明さ
れたレチクル２３のパターンをウエハ２４に結像させる
投影レンズ系２５からなる。光源２１はそのレーザ出力
を制御するレーザ制御装置２６を有し、レーザ制御装置
２６は制御手段であるコントローラ２７によって制御さ
れる。
【００２３】光源レンズ系２２は、レーザ光Ｌ 2 の露光
光路に沿って光源２１側から順に並べられ、レーザ光Ｌ
2 を所定の光束に成形するためのレンズ２２ａ，２２ｂ
を有し、これらは少なくとも一方のレンズ面が容器２２
ｄ内のガス雰囲気側となるように容器２２ｄに収容さ
れ、容器２２ｄは露光光路に沿って光源２１に対向する
側の端壁に窓２２ｅ有している。また、容器２２ｄはレ
チクル２３（ウエハ２４）に対向する側の端壁でレンズ
２２ｂを保持し、レンズ２２ｂはレチクル２３に向って
レーザ光Ｌ2 を放出する第２の窓を兼ねている。
光路に沿って光源２１側から順に並べられ、レーザ光Ｌ
2 を所定の光束に成形するためのレンズ２２ａ，２２ｂ
を有し、これらは少なくとも一方のレンズ面が容器２２
ｄ内のガス雰囲気側となるように容器２２ｄに収容さ
れ、容器２２ｄは露光光路に沿って光源２１に対向する
側の端壁に窓２２ｅ有している。また、容器２２ｄはレ
チクル２３（ウエハ２４）に対向する側の端壁でレンズ
２２ｂを保持し、レンズ２２ｂはレチクル２３に向って
レーザ光Ｌ2 を放出する第２の窓を兼ねている。
【００２４】容器２２ｄの内部空間２２ｆに不活性ガス
である窒素ガスを供給する窒素ガス供給装置２８は、図
示しない窒素ガス供給源から容器２２ｄの内部空間２２
ｆに窒素ガスを供給する給気ライン２８ａと、該給気ラ
イン２８ａに直列に設けられた開閉弁である第１の電磁
弁２８ｂおよび可変弁２８ｃと、容器２２ｄの内部空間
２２ｆから雰囲気ガスを排出する排気ライン２８ｈと、
これに設けられた第２の電磁弁２８ｇと、容器２２ｄの
内部空問２２ｆの酸素濃度を検出するセンサ２８ｆを有
している。
である窒素ガスを供給する窒素ガス供給装置２８は、図
示しない窒素ガス供給源から容器２２ｄの内部空間２２
ｆに窒素ガスを供給する給気ライン２８ａと、該給気ラ
イン２８ａに直列に設けられた開閉弁である第１の電磁
弁２８ｂおよび可変弁２８ｃと、容器２２ｄの内部空間
２２ｆから雰囲気ガスを排出する排気ライン２８ｈと、
これに設けられた第２の電磁弁２８ｇと、容器２２ｄの
内部空問２２ｆの酸素濃度を検出するセンサ２８ｆを有
している。
【００２５】給気ライン２８ａはレーザ光Ｌ 2 の露光光
路に沿って容器２２ｄの光源側端壁とレンズ２２ａの間
から容器２２ｄ内に窒素ガスを供給し、排気ライン２８
ｈはレーザ光Ｌ 2 の露光光路に沿って容器２２ｄのレチ
クル側端壁とレンズ２２ａの間から容器２２ｄ内の窒素
ガスを排気している。このため、窒素ガスは容器２２ｄ
内をレーザ光Ｌ 2 の露光光路に沿って上流側（光源２１
側）から下流側（レチクル２３側）に流れ、レンズ２２
ａの周囲を充分な窒素雰囲気に維持する。
路に沿って容器２２ｄの光源側端壁とレンズ２２ａの間
から容器２２ｄ内に窒素ガスを供給し、排気ライン２８
ｈはレーザ光Ｌ 2 の露光光路に沿って容器２２ｄのレチ
クル側端壁とレンズ２２ａの間から容器２２ｄ内の窒素
ガスを排気している。このため、窒素ガスは容器２２ｄ
内をレーザ光Ｌ 2 の露光光路に沿って上流側（光源２１
側）から下流側（レチクル２３側）に流れ、レンズ２２
ａの周囲を充分な窒素雰囲気に維持する。
【００２６】この実施例では、図３から明らかなよう
に、容器２２ｄ内に完全に収納されているレンズ（図３
の実施例では、容器２２ｄ内に完全に収納されているレ
ンズはレンズ２２ａのみである）は、容器２２ｄに対す
る給気ライン２８ａの給気口より光源側にはなく、容器
２２ｄに対する排気ライン２８ｈの排気口よりレチクル
側にもない。
に、容器２２ｄ内に完全に収納されているレンズ（図３
の実施例では、容器２２ｄ内に完全に収納されているレ
ンズはレンズ２２ａのみである）は、容器２２ｄに対す
る給気ライン２８ａの給気口より光源側にはなく、容器
２２ｄに対する排気ライン２８ｈの排気口よりレチクル
側にもない。
【００２７】第１の電磁弁２８ｂおよび可変弁２８ｃ
は、光源２１の駆動開始と同時に開かれて容器２２ｄの
内部空間２２ｆに所定の大流量値の窒素ガスを供給し、
センサ２８ｆによって検出される酸素濃度が所定の値に
減少したとき、可変弁２８ｃが切換えられて、窒素ガス
の供給量を所定の小流量値（定常値）に減少させる。な
お、光源２１の駆動開始と同時に、第２の電磁弁２８ｇ
を開き、排気ライン２８ｈから容器２２ｄの内部空間２
２ｆの空気を排出すれば、窒素ガスによる置換をより一
層迅速に行うことができる。
は、光源２１の駆動開始と同時に開かれて容器２２ｄの
内部空間２２ｆに所定の大流量値の窒素ガスを供給し、
センサ２８ｆによって検出される酸素濃度が所定の値に
減少したとき、可変弁２８ｃが切換えられて、窒素ガス
の供給量を所定の小流量値（定常値）に減少させる。な
お、光源２１の駆動開始と同時に、第２の電磁弁２８ｇ
を開き、排気ライン２８ｈから容器２２ｄの内部空間２
２ｆの空気を排出すれば、窒素ガスによる置換をより一
層迅速に行うことができる。
【００２８】本実施例は、バイパスラインを必要とせ
ず、また、容器２２ｄの密封状態に応じて可変弁２８ｃ
を数段階に切換えることによって補充用の窒素ガスの流
量を変化させることができる。
ず、また、容器２２ｄの密封状態に応じて可変弁２８ｃ
を数段階に切換えることによって補充用の窒素ガスの流
量を変化させることができる。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、紫外線もしくはエキシ
マレーザ光を光源からの露光光として利用して基板を露
光する露光装置において、容器内の雰囲気を少量の不活
性ガスによって迅速に置換し維持することができ、光学
素子の汚染を防止するための不活性ガスを大量に消費す
ることのない露光装置を提供できる。
マレーザ光を光源からの露光光として利用して基板を露
光する露光装置において、容器内の雰囲気を少量の不活
性ガスによって迅速に置換し維持することができ、光学
素子の汚染を防止するための不活性ガスを大量に消費す
ることのない露光装置を提供できる。
【図１】第１実施例を説明する説明図である。
【図２】図１の装置を制御するタイムチャートの様々な
例を示す図である。
例を示す図である。
【図３】第２実施例を説明する説明図である。
Ｌ1 ，Ｌ2 レーザ光 １，２１ 光源 ２，２２ 光源レンズ系 ２ｄ，２２ｄ 容器 ３，２３ レチクル ４，２４ ウエハ ５，２５ 投影レンズ系 ６，２６ レーザ制御装置 ７，２７ コントローラ ８，２８ 窒素ガス供給装置 ８ａ，２８ａ 給気ライン ８ｂ，２８ｂ 第１の電磁弁 ８ｃ，２８ｇ 第２の電磁弁 ８ｄ バイパスライン ８ｅ 第１の絞り弁 ８ｉ 第２の絞り弁 ８ｈ 第３の絞り弁 ２８ｃ 可変弁 ２８ｆ センサ ２８ｈ 排気ライン
Claims (6)
- 【請求項１】 遠紫外線もしくはエキシマレーザ光を光
源からの露光光として利用して基板を露光する露光装置
において、前記光源から前記基板に至る露光光路中に配
置された光学素子の少なくとも一方の面側を不活性ガス
雰囲気とするための容器と、前記容器に供給される不活
性ガスの供給量を第１供給量にして前記容器の雰囲気ガ
スを置換した後、前記第１供給量より少ない第２供給量
に減少させるガス供給量制御手段を有することを特徴と
する露光装置。 - 【請求項２】 前記ガス供給量制御手段は、前記光源の
立上げ時に前記容器への不活性ガスの供給を前記第１供
給量にして前記容器の雰囲気ガスを置換することを特徴
とする請求項１記載の露光装置。 - 【請求項３】 前記ガス供給量制御手段は、前記光源の
駆動停止時に前記容器への不活性ガスの供給を前記第２
供給量よりさらに減少させることを特徴とする請求項２
記載の露光装置。 - 【請求項４】 前記ガス供給量制御手段は、前記光源の
駆動停止時には前記容器への不活性ガスの供給を停止さ
せることを特徴とする請求項２記載の露光装置。 - 【請求項５】 前記ガス供給量制御手段は、前記容器に
不活性ガスを供給するためのガス供給ラインを遮断する
遮断弁と、前記遮断弁をバイパスして前記ガス供給ライ
ンを連絡するバイパスラインを有することを特徴とする
請求項１記載の露光装置。 - 【請求項６】 前記ガス供給量制御手段は、前記容器に
不活性ガスを供給するためのガス供給ラインに設けられ
た可変弁を有することを特徴とする請求項１記載の露光
装置。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP05023564A JP3084332B2 (ja) | 1993-01-19 | 1993-01-19 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05023564A JP3084332B2 (ja) | 1993-01-19 | 1993-01-19 | 露光装置 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9273725A Division JP3072277B2 (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | 露光装置 |
| JP9273678A Division JPH1097990A (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | 露光装置 |
| JP09273723A Division JP3126328B2 (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | 露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06216000A JPH06216000A (ja) | 1994-08-05 |
| JP3084332B2 true JP3084332B2 (ja) | 2000-09-04 |
Family
ID=12114028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05023564A Expired - Fee Related JP3084332B2 (ja) | 1993-01-19 | 1993-01-19 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JPH11224839A (ja) | 1998-02-04 | 1999-08-17 | Canon Inc | 露光装置とデバイス製造方法、ならびに該露光装置の光学素子クリーニング方法 |
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| JP3869999B2 (ja) | 2000-03-30 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置および半導体デバイス製造方法 |
| JP4585702B2 (ja) * | 2001-02-14 | 2010-11-24 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
| JP2004186179A (ja) | 2002-11-29 | 2004-07-02 | Canon Inc | 露光装置 |
| US7456932B2 (en) | 2003-07-25 | 2008-11-25 | Asml Netherlands B.V. | Filter window, lithographic projection apparatus, filter window manufacturing method, device manufacturing method and device manufactured thereby |
| EP1503243A1 (en) | 2003-07-31 | 2005-02-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
| JP2005166961A (ja) | 2003-12-03 | 2005-06-23 | Canon Inc | 不活性ガスパージ方法、露光装置、デバイス製造方法、及びデバイス |
| JP5501916B2 (ja) * | 2010-09-27 | 2014-05-28 | 東レエンジニアリング株式会社 | 基板処理システム |
-
1993
- 1993-01-19 JP JP05023564A patent/JP3084332B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06216000A (ja) | 1994-08-05 |
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