JPH11202496A - パージ装置および露光装置 - Google Patents
パージ装置および露光装置Info
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- JPH11202496A JPH11202496A JP10006118A JP611898A JPH11202496A JP H11202496 A JPH11202496 A JP H11202496A JP 10006118 A JP10006118 A JP 10006118A JP 611898 A JP611898 A JP 611898A JP H11202496 A JPH11202496 A JP H11202496A
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- Japan
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- casing
- gas
- filling gas
- concentration
- filling
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70933—Purge, e.g. exchanging fluid or gas to remove pollutants
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- Health & Medical Sciences (AREA)
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- Atmospheric Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 充填ガスの消費量を必要最小限に抑える。
【解決手段】 所定のユニット１１を収納するケーシン
グ２４内に所定の充填ガスを導入させるものであって、
ケーシング２４内の充填ガスの濃度および該充填ガス以
外のガスの濃度のうち少なくとも一方を検出するガス濃
度センサ４３と、ケーシング２４内に導入させる充填ガ
スの流量を調整可能な調整弁３４と、ガス濃度センサ４
３の検出結果に基づいて、調整弁３４を制御するコント
ローラ４５とを有し、ケーシング２４内の充填ガスの濃
度が所定値以下になると調整弁３４で充填ガスをケーシ
ング２４内へ充填させる一方、ケーシング２４内の充填
ガスの濃度が所定値以上になると調整弁３４で充填ガス
のケーシング２４内への充填を停止させる。
グ２４内に所定の充填ガスを導入させるものであって、
ケーシング２４内の充填ガスの濃度および該充填ガス以
外のガスの濃度のうち少なくとも一方を検出するガス濃
度センサ４３と、ケーシング２４内に導入させる充填ガ
スの流量を調整可能な調整弁３４と、ガス濃度センサ４
３の検出結果に基づいて、調整弁３４を制御するコント
ローラ４５とを有し、ケーシング２４内の充填ガスの濃
度が所定値以下になると調整弁３４で充填ガスをケーシ
ング２４内へ充填させる一方、ケーシング２４内の充填
ガスの濃度が所定値以上になると調整弁３４で充填ガス
のケーシング２４内への充填を停止させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、所定のユニットを
収納するケーシング内に所定の充填ガスを導入させるパ
ージ装置およびこれを用いた露光装置に関する。
収納するケーシング内に所定の充填ガスを導入させるパ
ージ装置およびこれを用いた露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体製造用露光装置あるいは液
晶製造用露光装置等の露光装置の光源（超高圧水銀ラン
プ）としては、ｇ線、ｈ線を射出するものが主に用いら
れてきた。しかし、素子の高精細化に伴って、より波長
の短いｉ線またはエキシマレーザを射出するものが用い
られるようになってきている。ところで、光の波長が短
くなると、その光が持つエネルギーが大きくなる。この
ため、この光によって、周囲の環境の中に存在する例え
ば硫酸アンモニウム等の化学物質が光学系の例えばレン
ズやミラー等の表面に膜を形成してしまうという問題が
生じた。
晶製造用露光装置等の露光装置の光源（超高圧水銀ラン
プ）としては、ｇ線、ｈ線を射出するものが主に用いら
れてきた。しかし、素子の高精細化に伴って、より波長
の短いｉ線またはエキシマレーザを射出するものが用い
られるようになってきている。ところで、光の波長が短
くなると、その光が持つエネルギーが大きくなる。この
ため、この光によって、周囲の環境の中に存在する例え
ば硫酸アンモニウム等の化学物質が光学系の例えばレン
ズやミラー等の表面に膜を形成してしまうという問題が
生じた。
【０００３】また、光源としてＡｒＦエキシマレーザを
射出するものを用いた場合には、該ＡｒＦエキシマレー
ザは、酸素で吸収され効率が低下するとともに、オゾン
を発生させてしまうという問題を生じた。このため、光
の経路に配置されるユニットをケーシングで収納し、こ
のケーシング内に窒素（Ｎ2）あるいはヘリウム（Ｈ
ｅ）等の光に反応しない充填ガスを充填させるパージ装
置を用いることが行われてきている。
射出するものを用いた場合には、該ＡｒＦエキシマレー
ザは、酸素で吸収され効率が低下するとともに、オゾン
を発生させてしまうという問題を生じた。このため、光
の経路に配置されるユニットをケーシングで収納し、こ
のケーシング内に窒素（Ｎ2）あるいはヘリウム（Ｈ
ｅ）等の光に反応しない充填ガスを充填させるパージ装
置を用いることが行われてきている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のパー
ジ装置は、例えば酸素濃度を所定の濃度（例えば５％）
以下とするように、一定流量の充填ガスをケーシング内
に流し続けるようになっている。これにより、ケーシン
グ内の充填ガスの濃度が所定の濃度以上であり、硫酸ア
ンモニウム等の化学物質の濃度が所定の濃度以下の状態
が維持されているものとするのである。
ジ装置は、例えば酸素濃度を所定の濃度（例えば５％）
以下とするように、一定流量の充填ガスをケーシング内
に流し続けるようになっている。これにより、ケーシン
グ内の充填ガスの濃度が所定の濃度以上であり、硫酸ア
ンモニウム等の化学物質の濃度が所定の濃度以下の状態
が維持されているものとするのである。
【０００５】しかしながら、このように一定流量の充填
ガスをケーシングに流し続けるのでは、酸素濃度が基準
値以下となっていても充填ガスを流し続けることにな
り、充填ガスを必要以上に消費してしまうという問題が
あった。したがって、本発明の目的は、充填ガスの消費
量を必要最小限に抑えることができるパージ装置および
これを用いた露光装置を提供することである。
ガスをケーシングに流し続けるのでは、酸素濃度が基準
値以下となっていても充填ガスを流し続けることにな
り、充填ガスを必要以上に消費してしまうという問題が
あった。したがって、本発明の目的は、充填ガスの消費
量を必要最小限に抑えることができるパージ装置および
これを用いた露光装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の請求項１記載のパージ装置は、所定のユニ
ットを収納するケーシングを有し、該ケーシング内に所
定の充填ガスを導入させるものであって、前記ケーシン
グ内の前記充填ガスの濃度および該充填ガス以外のガス
の濃度のうち少なくとも一方を検出するガス濃度センサ
と、前記ケーシング内に導入させる充填ガスの流量を調
整可能な調整弁と、前記ガス濃度センサの検出結果に基
づいて、前記調整弁を制御するコントローラとを有する
ことを特徴としている。
め、本発明の請求項１記載のパージ装置は、所定のユニ
ットを収納するケーシングを有し、該ケーシング内に所
定の充填ガスを導入させるものであって、前記ケーシン
グ内の前記充填ガスの濃度および該充填ガス以外のガス
の濃度のうち少なくとも一方を検出するガス濃度センサ
と、前記ケーシング内に導入させる充填ガスの流量を調
整可能な調整弁と、前記ガス濃度センサの検出結果に基
づいて、前記調整弁を制御するコントローラとを有する
ことを特徴としている。
【０００７】これにより、ガス濃度センサでケーシング
内の充填ガスの濃度および該充填ガス以外のガスの濃度
のうち少なくとも一方を検出し、コントローラが、ガス
濃度センサの検出結果に基づいて調整弁を制御する。例
えば、コントローラが、ケーシング内の充填ガスの濃度
が所定値以下になると調整弁で充填ガスをケーシング内
へ充填させる一方、ケーシング内の充填ガスの濃度が所
定値以上になると調整弁で充填ガスのケーシング内への
充填を停止させる。このような作動により、充填ガスの
ケーシングへの充填量を必要最小限に抑えることができ
る。また、ガス濃度センサの検出結果から割り出される
充填ガスの濃度の低下速度および充填ガス以外のガスの
濃度の上昇速度の少なくとも一方によって、充填ガスの
漏れ出しの異常を検出することもできる。
内の充填ガスの濃度および該充填ガス以外のガスの濃度
のうち少なくとも一方を検出し、コントローラが、ガス
濃度センサの検出結果に基づいて調整弁を制御する。例
えば、コントローラが、ケーシング内の充填ガスの濃度
が所定値以下になると調整弁で充填ガスをケーシング内
へ充填させる一方、ケーシング内の充填ガスの濃度が所
定値以上になると調整弁で充填ガスのケーシング内への
充填を停止させる。このような作動により、充填ガスの
ケーシングへの充填量を必要最小限に抑えることができ
る。また、ガス濃度センサの検出結果から割り出される
充填ガスの濃度の低下速度および充填ガス以外のガスの
濃度の上昇速度の少なくとも一方によって、充填ガスの
漏れ出しの異常を検出することもできる。
【０００８】本発明の請求項２記載のパージ装置は、請
求項１記載のものに関して、前記ケーシングは、前記ユ
ニットを覆う内カバーと、該内カバーを所定の間隔をも
って覆う外カバーとからなることを特徴としている。
求項１記載のものに関して、前記ケーシングは、前記ユ
ニットを覆う内カバーと、該内カバーを所定の間隔をも
って覆う外カバーとからなることを特徴としている。
【０００９】このようにケーシングは、内カバーとこれ
を所定の間隔をもって覆う外カバーとで構成されている
ため、ケーシング内に充填ガスを流し込むために必要と
されるケーシング内部からのガスの漏れ出しが、内カバ
ーと外カバーとの間の隙間に行われることになる。よっ
て、ケーシング内部から漏れ出すガスを内カバーと外カ
バーとの間の隙間を介して集めることができる。
を所定の間隔をもって覆う外カバーとで構成されている
ため、ケーシング内に充填ガスを流し込むために必要と
されるケーシング内部からのガスの漏れ出しが、内カバ
ーと外カバーとの間の隙間に行われることになる。よっ
て、ケーシング内部から漏れ出すガスを内カバーと外カ
バーとの間の隙間を介して集めることができる。
【００１０】本発明の請求項３記載のパージ装置は、請
求項２記載のものに関して、前記内カバーと外カバーと
の隙間が吸引手段に接続されていることを特徴としてい
る。
求項２記載のものに関して、前記内カバーと外カバーと
の隙間が吸引手段に接続されていることを特徴としてい
る。
【００１１】これにより、ケーシング内に充填ガスを流
し込むために内カバーと外カバーとの間の隙間に漏れ出
たガスが、内カバーと外カバーとの間の隙間を介して吸
引手段で吸引されることになる。
し込むために内カバーと外カバーとの間の隙間に漏れ出
たガスが、内カバーと外カバーとの間の隙間を介して吸
引手段で吸引されることになる。
【００１２】本発明の請求項４記載の露光装置は、露光
光によりマスクのパターンの像を基板に投影露光するも
のであって、露光光をマスクに照射する照明光学系ユニ
ット、マスクを設置するマスク設置ユニット、露光光に
よりマスクのパターンの像を基板に投影する投影光学系
ユニットおよび基板を設置する基板設置ユニットの少な
くともいずれか一つを収納するとともに、所定の充填ガ
スが導入されるケーシングと、該ケーシング内の前記充
填ガスの濃度および該充填ガス以外のガスの濃度のうち
少なくとも一方を検出するガス濃度センサと、前記ケー
シング内に導入させる充填ガスの流量を調整可能な調整
弁と、前記ガス濃度センサの検出結果に基づいて、前記
調整弁を制御するコントローラとを有することを特徴と
している。
光によりマスクのパターンの像を基板に投影露光するも
のであって、露光光をマスクに照射する照明光学系ユニ
ット、マスクを設置するマスク設置ユニット、露光光に
よりマスクのパターンの像を基板に投影する投影光学系
ユニットおよび基板を設置する基板設置ユニットの少な
くともいずれか一つを収納するとともに、所定の充填ガ
スが導入されるケーシングと、該ケーシング内の前記充
填ガスの濃度および該充填ガス以外のガスの濃度のうち
少なくとも一方を検出するガス濃度センサと、前記ケー
シング内に導入させる充填ガスの流量を調整可能な調整
弁と、前記ガス濃度センサの検出結果に基づいて、前記
調整弁を制御するコントローラとを有することを特徴と
している。
【００１３】これにより、照明光学系ユニット、マスク
設置ユニット、投影光学系ユニットおよび基板設置ユニ
ットの少なくともいずれか一つを収納するケーシング内
の充填ガスの濃度および該充填ガス以外のガスの濃度の
うち少なくとも一方をガス濃度センサで検出する。そし
て、このガス濃度センサの検出結果に基づいて、コント
ローラが調整弁を制御する。例えば、コントローラが、
ケーシング内の充填ガスの濃度が所定値以下になると調
整弁で充填ガスをケーシング内へ充填させる一方、ケー
シング内の充填ガスの濃度が所定値以上になると調整弁
で充填ガスのケーシング内への充填を停止させる。この
ような作動により、充填ガスのケーシングへの充填量を
必要最小限に抑えることができる。また、ガス濃度セン
サの検出結果から割り出される充填ガスの濃度の低下速
度および充填ガス以外のガスの濃度の上昇速度のいずれ
か一方によって、充填ガスの漏れ出しの異常を検出する
こともできる。
設置ユニット、投影光学系ユニットおよび基板設置ユニ
ットの少なくともいずれか一つを収納するケーシング内
の充填ガスの濃度および該充填ガス以外のガスの濃度の
うち少なくとも一方をガス濃度センサで検出する。そし
て、このガス濃度センサの検出結果に基づいて、コント
ローラが調整弁を制御する。例えば、コントローラが、
ケーシング内の充填ガスの濃度が所定値以下になると調
整弁で充填ガスをケーシング内へ充填させる一方、ケー
シング内の充填ガスの濃度が所定値以上になると調整弁
で充填ガスのケーシング内への充填を停止させる。この
ような作動により、充填ガスのケーシングへの充填量を
必要最小限に抑えることができる。また、ガス濃度セン
サの検出結果から割り出される充填ガスの濃度の低下速
度および充填ガス以外のガスの濃度の上昇速度のいずれ
か一方によって、充填ガスの漏れ出しの異常を検出する
こともできる。
【００１４】本発明の請求項５記載の露光装置は、請求
項４記載の露光装置に関し、前記ケーシングは、前記ユ
ニットを覆う内カバーと、該内カバーを所定の間隔をも
って覆う外カバーとからなることを特徴としている。
項４記載の露光装置に関し、前記ケーシングは、前記ユ
ニットを覆う内カバーと、該内カバーを所定の間隔をも
って覆う外カバーとからなることを特徴としている。
【００１５】このように、照明光学系ユニット、マスク
設置ユニット、投影光学系ユニットおよび基板設置ユニ
ットの少なくともいずれか一つを収納するケーシング
は、内カバーとこれを所定の間隔をもって覆う外カバー
とで構成されているため、このケーシング内に充填ガス
を流し込むために必要とされるケーシング内部からのガ
スの漏れ出しが、内カバーと外カバーとの間の隙間に行
われることになる。よって、ケーシング内部から漏れ出
すガスを内カバーと外カバーとの間の隙間を介して集め
ることができる。
設置ユニット、投影光学系ユニットおよび基板設置ユニ
ットの少なくともいずれか一つを収納するケーシング
は、内カバーとこれを所定の間隔をもって覆う外カバー
とで構成されているため、このケーシング内に充填ガス
を流し込むために必要とされるケーシング内部からのガ
スの漏れ出しが、内カバーと外カバーとの間の隙間に行
われることになる。よって、ケーシング内部から漏れ出
すガスを内カバーと外カバーとの間の隙間を介して集め
ることができる。
【００１６】本発明の請求項６記載の露光装置は、請求
項５記載の露光装置に関し、前記内カバーと外カバーと
の隙間が吸引手段に接続されていることを特徴としてい
る。
項５記載の露光装置に関し、前記内カバーと外カバーと
の隙間が吸引手段に接続されていることを特徴としてい
る。
【００１７】これにより、照明光学系ユニット、マスク
設置ユニット、投影光学系ユニットおよび基板設置ユニ
ットの少なくともいずれか一つを収納するケーシング内
に充填ガスを流し込むために内カバーと外カバーとの間
の隙間に漏れ出たガスが、内カバーと外カバーとの間の
隙間を介して吸引手段で吸引されることになる。
設置ユニット、投影光学系ユニットおよび基板設置ユニ
ットの少なくともいずれか一つを収納するケーシング内
に充填ガスを流し込むために内カバーと外カバーとの間
の隙間に漏れ出たガスが、内カバーと外カバーとの間の
隙間を介して吸引手段で吸引されることになる。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の一の実施の形態を図１〜
図５を参照して以下に説明する。図１〜図３は、露光光
によりマスクのパターンの像を基板に投影露光する露光
装置のうち、露光光をマスクに照射する照明光学系ユニ
ットの周辺を示すものである。
図５を参照して以下に説明する。図１〜図３は、露光光
によりマスクのパターンの像を基板に投影露光する露光
装置のうち、露光光をマスクに照射する照明光学系ユニ
ットの周辺を示すものである。
【００１９】照明光学系ユニット１１は、図１に示すよ
うに、露光光（ＫｒＦ，ＡｒＦ，Ｆ 2）を発生させる図
示せぬ光源をその内部に収納させるランプハウス１２を
有している。また、照明光学系ユニット１１は、このラ
ンプハウス１２の光源から照射される光を案内するミラ
ー等の図示せぬ光学系部材と、該光学系部材で案内され
た光を外部に射出させるレンズ１３とを有している。さ
らに、照明光学系ユニット１１は、これら光学系部材お
よびレンズ１３を支持する鋳物等からなる台部１４を有
している。
うに、露光光（ＫｒＦ，ＡｒＦ，Ｆ 2）を発生させる図
示せぬ光源をその内部に収納させるランプハウス１２を
有している。また、照明光学系ユニット１１は、このラ
ンプハウス１２の光源から照射される光を案内するミラ
ー等の図示せぬ光学系部材と、該光学系部材で案内され
た光を外部に射出させるレンズ１３とを有している。さ
らに、照明光学系ユニット１１は、これら光学系部材お
よびレンズ１３を支持する鋳物等からなる台部１４を有
している。
【００２０】ランプハウス１２は、光源を冷却するエア
等の冷却ガスを吸引する吸引手段１６に接続されてい
る。具体的には、ランプハウス１２は、その台部１４に
対し反対側に、外気を内部に導入可能な図示せぬ開口部
が形成されており、また、台部１４側の側部に、吸引手
段１６に接続させるダクト１７が取り付けられている。
これにより、吸引手段１６で吸引が行われることで、開
口部から冷却ガスが内部に導入され、光源から熱を奪
い、ダクト１７を介して、この露光装置が設置されたク
リーンルームの外へ排出される。
等の冷却ガスを吸引する吸引手段１６に接続されてい
る。具体的には、ランプハウス１２は、その台部１４に
対し反対側に、外気を内部に導入可能な図示せぬ開口部
が形成されており、また、台部１４側の側部に、吸引手
段１６に接続させるダクト１７が取り付けられている。
これにより、吸引手段１６で吸引が行われることで、開
口部から冷却ガスが内部に導入され、光源から熱を奪
い、ダクト１７を介して、この露光装置が設置されたク
リーンルームの外へ排出される。
【００２１】台部１４は、図１および図３に示すよう
に、ランプハウス１２が取り付けられる底板部１９と、
該底板部１９と所定の間隔をあけかつランプハウス１２
に対し反対側に配置される中間板部２０と、周囲板部２
１とを有している。周囲板部２１は、底板部１９および
中間板部２０の全周に形成されて底板部１９および中間
板部２０を連結させるとともに、中間板部２０よりも底
板部１９に対し反対側に延出する形状をなしている。底
板部１９と中間板部２０と周囲板部２１との間には、内
部空間部２２が形成されている。
に、ランプハウス１２が取り付けられる底板部１９と、
該底板部１９と所定の間隔をあけかつランプハウス１２
に対し反対側に配置される中間板部２０と、周囲板部２
１とを有している。周囲板部２１は、底板部１９および
中間板部２０の全周に形成されて底板部１９および中間
板部２０を連結させるとともに、中間板部２０よりも底
板部１９に対し反対側に延出する形状をなしている。底
板部１９と中間板部２０と周囲板部２１との間には、内
部空間部２２が形成されている。
【００２２】そして、台部１４は、その底板部１９に対
し反対側がケーシング２４で覆われており、台部１４と
ケーシング２４との間に、照明光学系ユニット１１の光
学系部材を収納させる収納空間部２５が形成されている
（言い換えれば、照明光学系ユニット１１は、その光学
系部材がケーシング２４に収納されることになる）。
し反対側がケーシング２４で覆われており、台部１４と
ケーシング２４との間に、照明光学系ユニット１１の光
学系部材を収納させる収納空間部２５が形成されている
（言い換えれば、照明光学系ユニット１１は、その光学
系部材がケーシング２４に収納されることになる）。
【００２３】ここで、台部１４の内部空間部２２は、図
示せぬ連通孔で収納空間部２５に連通させられている。
示せぬ連通孔で収納空間部２５に連通させられている。
【００２４】ケーシング２４は、照明光学系ユニット１
１を覆うよう台部１４に取り付けられる内カバー２６
と、該内カバー２６を所定の間隔をもって全体的に覆う
外カバー２７とからなっている。これにより、内カバー
２６と台部１４との間に上記した収納空間部２５が形成
されることになる。
１を覆うよう台部１４に取り付けられる内カバー２６
と、該内カバー２６を所定の間隔をもって全体的に覆う
外カバー２７とからなっている。これにより、内カバー
２６と台部１４との間に上記した収納空間部２５が形成
されることになる。
【００２５】ここで、外カバー２７と内カバー２６との
間の隙間部２８は、台部１４の周囲板部２１に形成され
た複数の連通孔２９でランプハウス１２の内部に連通さ
せられている。これにより、隙間部２８内にあるガス
が、光源を冷却する冷却ガスを吸引する吸引手段１６に
より吸引可能となっている。
間の隙間部２８は、台部１４の周囲板部２１に形成され
た複数の連通孔２９でランプハウス１２の内部に連通さ
せられている。これにより、隙間部２８内にあるガス
が、光源を冷却する冷却ガスを吸引する吸引手段１６に
より吸引可能となっている。
【００２６】そして、台部１４には、内部空間部２２内
に充填ガスを導入させる流路３１が形成されており（図
４参照）、この流路３１は配管３２（図１参照）を介し
て充填ガス供給源３３に接続されている。ここで、充填
ガスとしては、窒素（Ｎ2）あるいはヘリウム（Ｈｅ）
等の露光光に反応しないガスが用いられることになり、
この場合は窒素が用いられている。
に充填ガスを導入させる流路３１が形成されており（図
４参照）、この流路３１は配管３２（図１参照）を介し
て充填ガス供給源３３に接続されている。ここで、充填
ガスとしては、窒素（Ｎ2）あるいはヘリウム（Ｈｅ）
等の露光光に反応しないガスが用いられることになり、
この場合は窒素が用いられている。
【００２７】ここで、流路３１を介して内部空間部２２
内に導入された充填ガスは、図示せぬ連通孔を介して収
納空間部２５に充填されることになる。
内に導入された充填ガスは、図示せぬ連通孔を介して収
納空間部２５に充填されることになる。
【００２８】台部１４の流路３１には、該流路３１を開
閉させることにより、ケーシング２４内の収納空間部２
５に導入させる充填ガスの流量を調整可能な調整弁３４
が設けられている。
閉させることにより、ケーシング２４内の収納空間部２
５に導入させる充填ガスの流量を調整可能な調整弁３４
が設けられている。
【００２９】この調整弁３４は、図４（ａ）および
（ｂ）に示すように、流路３１に直交するよう台部１４
に穿設された穴部３５と、該穴部３５内に摺動自在に嵌
合された弁体３６と、該弁体３６にこれを移動させるよ
う連結されたエアシリンダ３７とを有しており、エアシ
リンダ３７はこれを作動させる圧空元３８に配管３９を
介して連通させられている。この配管３９には、圧空元
３８とエアシリンダ３７との連通・遮断を切り替える駆
動用電磁弁４０が設けられている。
（ｂ）に示すように、流路３１に直交するよう台部１４
に穿設された穴部３５と、該穴部３５内に摺動自在に嵌
合された弁体３６と、該弁体３６にこれを移動させるよ
う連結されたエアシリンダ３７とを有しており、エアシ
リンダ３７はこれを作動させる圧空元３８に配管３９を
介して連通させられている。この配管３９には、圧空元
３８とエアシリンダ３７との連通・遮断を切り替える駆
動用電磁弁４０が設けられている。
【００３０】弁体３６には、流路３１を閉塞させるＯリ
ング４２が取り付けられている。このＯリング４２は、
弁体３６が穴部３５の底面３５ａに当接させられた状態
で、収納空間部２５側の流路３１の穴部３５への開口部
３１ａの周囲の壁面３５ｂに当接して流路３１を閉塞さ
せる。他方、このＯリング４２は、弁体３６が穴部３５
の底面３５ａから所定量離間すると前記流路３１を開放
させる。また、弁体３６の穴部３５と摺動する摺動面に
は、摩擦係数の小さい摺動材３６ａ〜３６ｃが貼付され
ている。
ング４２が取り付けられている。このＯリング４２は、
弁体３６が穴部３５の底面３５ａに当接させられた状態
で、収納空間部２５側の流路３１の穴部３５への開口部
３１ａの周囲の壁面３５ｂに当接して流路３１を閉塞さ
せる。他方、このＯリング４２は、弁体３６が穴部３５
の底面３５ａから所定量離間すると前記流路３１を開放
させる。また、弁体３６の穴部３５と摺動する摺動面に
は、摩擦係数の小さい摺動材３６ａ〜３６ｃが貼付され
ている。
【００３１】そして、駆動用電磁弁４０で圧空元３８と
エアシリンダ３７とを連通させると、エアシリンダ３７
が弁体３６を穴部３５の底面３５ａまで移動させ、該弁
体３６およびＯリング４２により流路３１を閉状態とす
る。他方、駆動用電磁弁４０で圧空元３８とエアシリン
ダ３７との連通を遮断させると、エアシリンダ３７が弁
体３６を穴部３５の底面３５ａから所定量離間させ、流
路３１を開状態とする。
エアシリンダ３７とを連通させると、エアシリンダ３７
が弁体３６を穴部３５の底面３５ａまで移動させ、該弁
体３６およびＯリング４２により流路３１を閉状態とす
る。他方、駆動用電磁弁４０で圧空元３８とエアシリン
ダ３７との連通を遮断させると、エアシリンダ３７が弁
体３６を穴部３５の底面３５ａから所定量離間させ、流
路３１を開状態とする。
【００３２】図１および図２に戻り、内カバー２６に
は、収納空間部２５内に配置された状態で、該収納空間
部２５内の所定のガスの濃度を検出するガス濃度センサ
４３が複数、具体的には２つ取り付けられている。ここ
で、ガス濃度センサ４３としては、充填ガスの濃度およ
び該充填ガス以外のガスの濃度のうち少なくとも一方を
検出するものが用いられることになり、この場合は、充
填ガス以外のガスである酸素を検出する酸素濃度センサ
が用いられている。
は、収納空間部２５内に配置された状態で、該収納空間
部２５内の所定のガスの濃度を検出するガス濃度センサ
４３が複数、具体的には２つ取り付けられている。ここ
で、ガス濃度センサ４３としては、充填ガスの濃度およ
び該充填ガス以外のガスの濃度のうち少なくとも一方を
検出するものが用いられることになり、この場合は、充
填ガス以外のガスである酸素を検出する酸素濃度センサ
が用いられている。
【００３３】ここで、このガス濃度センサ４３は、酸素
濃度から、ケーシング２４内の収納空間部２５の充填ガ
スの濃度および硫酸アンモニウム等の他の化学物質の濃
度を間接的に検出するものであるが、充填ガスの濃度を
直接検出したり、他の化学物質の濃度を直接検出したり
してもよい。
濃度から、ケーシング２４内の収納空間部２５の充填ガ
スの濃度および硫酸アンモニウム等の他の化学物質の濃
度を間接的に検出するものであるが、充填ガスの濃度を
直接検出したり、他の化学物質の濃度を直接検出したり
してもよい。
【００３４】そして、このガス濃度センサ４３は、バル
ブコントローラ（コントローラ）４５に電気的に接続さ
れている。このバルブコントローラ４５は、ガス濃度セ
ンサ４３からの検出結果に応じた出力信号に基づいて、
駆動用電磁弁４０をＯＮ・ＯＦＦさせて調整弁３４を制
御する。
ブコントローラ（コントローラ）４５に電気的に接続さ
れている。このバルブコントローラ４５は、ガス濃度セ
ンサ４３からの検出結果に応じた出力信号に基づいて、
駆動用電磁弁４０をＯＮ・ＯＦＦさせて調整弁３４を制
御する。
【００３５】具体的には、バルブコントローラ４５は、
ガス濃度センサ４３で検出される酸素濃度が、収納空間
部２５内の充填ガスの濃度が十分でなくなったと判定で
きる第１の所定値（例えば４％）以上となると、駆動用
電磁弁４０をＯＦＦする。すると、弁体３６が穴部３５
の底面３５ａから離間して、流路３１を開状態とする。
これにより、充填ガスが、充填ガス供給源３３から配管
３２および流路３１を介して内部空間部２２内に導入さ
れ、図示せぬ連通孔を介してケーシング２４内の収納空
間部２５に充填される。
ガス濃度センサ４３で検出される酸素濃度が、収納空間
部２５内の充填ガスの濃度が十分でなくなったと判定で
きる第１の所定値（例えば４％）以上となると、駆動用
電磁弁４０をＯＦＦする。すると、弁体３６が穴部３５
の底面３５ａから離間して、流路３１を開状態とする。
これにより、充填ガスが、充填ガス供給源３３から配管
３２および流路３１を介して内部空間部２２内に導入さ
れ、図示せぬ連通孔を介してケーシング２４内の収納空
間部２５に充填される。
【００３６】一方、このような充填ガスの充填により、
ガス濃度センサ４３で検出される酸素濃度は低下するこ
とになる。
ガス濃度センサ４３で検出される酸素濃度は低下するこ
とになる。
【００３７】そして、バルブコントローラ４５は、ガス
濃度センサ４３で検出される酸素濃度が、収納空間部２
５内の充填ガスの濃度が十分になったと判定できる第２
の所定値（例えば３％）以下となると、駆動用電磁弁４
０をＯＮする。すると、弁体３６が穴部３５の底面３５
ａに当接して、流路３１を閉状態とする。これにより、
充填ガス供給源３３からケーシング２４内の収納空間部
２５への充填ガスの供給が停止させられる。
濃度センサ４３で検出される酸素濃度が、収納空間部２
５内の充填ガスの濃度が十分になったと判定できる第２
の所定値（例えば３％）以下となると、駆動用電磁弁４
０をＯＮする。すると、弁体３６が穴部３５の底面３５
ａに当接して、流路３１を閉状態とする。これにより、
充填ガス供給源３３からケーシング２４内の収納空間部
２５への充填ガスの供給が停止させられる。
【００３８】バルブコントローラ４５は、以上のような
調整弁３４による流路３１の開閉を繰り返し行うことに
なる。なお、バルブコントローラ４５は、例えば、複数
のガス濃度センサ４３のそれぞれの検出値を平均化して
収納空間部２５内の酸素濃度とする。
調整弁３４による流路３１の開閉を繰り返し行うことに
なる。なお、バルブコントローラ４５は、例えば、複数
のガス濃度センサ４３のそれぞれの検出値を平均化して
収納空間部２５内の酸素濃度とする。
【００３９】一方、上記のように収納空間部２５に対し
充填ガスを導入するために、収納空間部２５を覆う内カ
バー２６には若干ながら隙間が形成されており、該隙間
から内カバ−２６の外側に収納空間部２５のガスが漏れ
出ることになる。この漏れ出たガスは、内カバー２６と
外カバー２７との間の隙間部２８に収容されるととも
に、隙間部２８から台部１４の連通孔２９を介してラン
プハウス１２内への流入が可能となる。その結果、収納
空間部２５から漏れ出たガスは、隙間部２８から連通孔
２９を介して、光源用の冷却ガスを吸引する吸引手段１
６で冷却ガスとともに吸引されダクト１７を介してクリ
ーンルーム外へ排出されることになる。
充填ガスを導入するために、収納空間部２５を覆う内カ
バー２６には若干ながら隙間が形成されており、該隙間
から内カバ−２６の外側に収納空間部２５のガスが漏れ
出ることになる。この漏れ出たガスは、内カバー２６と
外カバー２７との間の隙間部２８に収容されるととも
に、隙間部２８から台部１４の連通孔２９を介してラン
プハウス１２内への流入が可能となる。その結果、収納
空間部２５から漏れ出たガスは、隙間部２８から連通孔
２９を介して、光源用の冷却ガスを吸引する吸引手段１
６で冷却ガスとともに吸引されダクト１７を介してクリ
ーンルーム外へ排出されることになる。
【００４０】ここで、光源を冷却させる冷却ガス用の吸
引手段１６と隙間部２８とを連通させることができれ
ば、必ずしも台部１４に連通孔２９を形成しなくてもよ
く、例えば、隙間部２８からダクト１７もしくは吸引手
段１６に直接接続させるようにしてもよい。
引手段１６と隙間部２８とを連通させることができれ
ば、必ずしも台部１４に連通孔２９を形成しなくてもよ
く、例えば、隙間部２８からダクト１７もしくは吸引手
段１６に直接接続させるようにしてもよい。
【００４１】なお、ランプハウス１２と台部１４との間
は、光は透過させるものの、内部空間部２２とランプハ
ウス１２の内側とを直接連通させることがないようにガ
ラス等で仕切られている。
は、光は透過させるものの、内部空間部２２とランプハ
ウス１２の内側とを直接連通させることがないようにガ
ラス等で仕切られている。
【００４２】以上において、ケーシング２４、調整弁３
４、充填ガス供給源３３、配管３２、流路３１、圧空元
３８、駆動用電磁弁４０、配管３９、ガス濃度センサ４
３およびバルブコントローラ４５がパージ装置４７を構
成している。
４、充填ガス供給源３３、配管３２、流路３１、圧空元
３８、駆動用電磁弁４０、配管３９、ガス濃度センサ４
３およびバルブコントローラ４５がパージ装置４７を構
成している。
【００４３】以上の実施の形態によれば、ガス濃度セン
サ４３でケーシング２４内の収納空間部２５内の酸素濃
度を検出し、このガス濃度センサ４３の検出結果に基づ
いてバルブコントローラ４５が調整弁３４を制御する。
具体的には、バルブコントローラ４５が、収納空間部２
５の酸素濃度が第１の所定値以上になったと判定される
と調整弁３４で充填ガスをケーシング２４内の収納空間
部２５へ充填させる。一方、バルブコントローラ４５
が、収納空間部２５内の酸素濃度が第２の所定値以下に
なったと判定されると調整弁３４で充填ガスのケーシン
グ２４内の収納空間部２５への充填を停止させる。この
ような作動により、充填ガスのケーシング２４内への充
填量を必要最小限に抑えることができる。したがって、
充填ガスの消費量を抑えることができる。
サ４３でケーシング２４内の収納空間部２５内の酸素濃
度を検出し、このガス濃度センサ４３の検出結果に基づ
いてバルブコントローラ４５が調整弁３４を制御する。
具体的には、バルブコントローラ４５が、収納空間部２
５の酸素濃度が第１の所定値以上になったと判定される
と調整弁３４で充填ガスをケーシング２４内の収納空間
部２５へ充填させる。一方、バルブコントローラ４５
が、収納空間部２５内の酸素濃度が第２の所定値以下に
なったと判定されると調整弁３４で充填ガスのケーシン
グ２４内の収納空間部２５への充填を停止させる。この
ような作動により、充填ガスのケーシング２４内への充
填量を必要最小限に抑えることができる。したがって、
充填ガスの消費量を抑えることができる。
【００４４】なお、バルブコントローラ４５は、ガス濃
度センサ４３の検出結果に基づく酸素濃度の上昇速度
（言い換えれば、充填ガスの濃度の低下速度）の異常等
から充填ガスの漏れ出しの異常を検出することもでき、
よって、ケーシング２４の台部１４への接合等の不具合
をも検出することができる。このような不具合を検出し
た場合に、バルブコントローラ４５は、例えばアラーム
を発生させる。
度センサ４３の検出結果に基づく酸素濃度の上昇速度
（言い換えれば、充填ガスの濃度の低下速度）の異常等
から充填ガスの漏れ出しの異常を検出することもでき、
よって、ケーシング２４の台部１４への接合等の不具合
をも検出することができる。このような不具合を検出し
た場合に、バルブコントローラ４５は、例えばアラーム
を発生させる。
【００４５】また、ケーシング２４が、照明光学系ユニ
ット１１を覆う内カバー２６と、該内カバー２６を所定
の間隔をもって覆う外カバー２７とで構成されている。
このため、ケーシング２４内の収納空間部２５に充填ガ
スを流し込むために必要とされるケーシング２４内の収
納空間部２５からのガスの漏れ出しが、内カバー２６と
外カバー２７との間の隙間部２８に行われることにな
る。よって、ケーシング２４内の収納空間部２５から漏
れ出すガスを内カバー２６と外カバー２７との間の隙間
部２８を介して集めることができる。したがって、ケー
シング２４内の収納空間部２５から漏れ出すガスの漏れ
出し後の管理が容易となる。
ット１１を覆う内カバー２６と、該内カバー２６を所定
の間隔をもって覆う外カバー２７とで構成されている。
このため、ケーシング２４内の収納空間部２５に充填ガ
スを流し込むために必要とされるケーシング２４内の収
納空間部２５からのガスの漏れ出しが、内カバー２６と
外カバー２７との間の隙間部２８に行われることにな
る。よって、ケーシング２４内の収納空間部２５から漏
れ出すガスを内カバー２６と外カバー２７との間の隙間
部２８を介して集めることができる。したがって、ケー
シング２４内の収納空間部２５から漏れ出すガスの漏れ
出し後の管理が容易となる。
【００４６】しかも、ケーシング２４内の収納空間部２
５に充填ガスを流し込むために内カバー２６と外カバー
２７との間の隙間に漏れ出たガスが、内カバー２６と外
カバー２７との間の隙間部２８を介して、吸引手段１６
で吸引されることになる。したがって、ケーシング２４
内の収納空間部２５から漏れ出すガスを吸引手段１６で
強制的に排出させることができる。その上、このガスの
流れで、ケーシング２４を冷却させることもできる。
５に充填ガスを流し込むために内カバー２６と外カバー
２７との間の隙間に漏れ出たガスが、内カバー２６と外
カバー２７との間の隙間部２８を介して、吸引手段１６
で吸引されることになる。したがって、ケーシング２４
内の収納空間部２５から漏れ出すガスを吸引手段１６で
強制的に排出させることができる。その上、このガスの
流れで、ケーシング２４を冷却させることもできる。
【００４７】しかも、この吸引手段１６は、光源の冷却
を行う冷却ガスを吸引する吸引手段１６とされているた
め、ケーシング２４内の収納空間部２５から漏れ出すガ
スを強制的に排出させるためだけに吸引手段を設ける必
要がなく、コストを低減できる。
を行う冷却ガスを吸引する吸引手段１６とされているた
め、ケーシング２４内の収納空間部２５から漏れ出すガ
スを強制的に排出させるためだけに吸引手段を設ける必
要がなく、コストを低減できる。
【００４８】以上においては、露光光をマスクに照射す
る照明光学系ユニット１１に対しパージ装置４７を設け
た場合を例にとり説明したが、このパージ装置４７は、
照明光学系ユニット１１以外にも勿論適用可能である。
る照明光学系ユニット１１に対しパージ装置４７を設け
た場合を例にとり説明したが、このパージ装置４７は、
照明光学系ユニット１１以外にも勿論適用可能である。
【００４９】例えば、図５に示すように、露光光をマス
クに照射する照明光学系ユニット１１、マスクを設置す
るとともに設置したマスクを移動させるマスク設置ユニ
ット５０、露光光によりマスクのパターンの像を基板に
投影する投影光学系ユニット５１および基板を設置する
とともに設置した基板を移動させる基板設置ユニット５
２の少なくともいずれか一つに対し適用可能である。
クに照射する照明光学系ユニット１１、マスクを設置す
るとともに設置したマスクを移動させるマスク設置ユニ
ット５０、露光光によりマスクのパターンの像を基板に
投影する投影光学系ユニット５１および基板を設置する
とともに設置した基板を移動させる基板設置ユニット５
２の少なくともいずれか一つに対し適用可能である。
【００５０】なお、上記したケーシング２４内の収納空
間部２５に導入させる充填ガスの流量を調整可能な調整
弁３４に加えて、ケーシング２４内の収納空間部２５か
ら排出させるガスの流量を調整可能な調整弁をも設け
て、ガス濃度センサ４３の検出結果に基づいて、両調整
弁をバルブコントローラ４５で制御することも可能であ
る。これは、特に投影光学系ユニット５１等に用いて好
適な構成となる。
間部２５に導入させる充填ガスの流量を調整可能な調整
弁３４に加えて、ケーシング２４内の収納空間部２５か
ら排出させるガスの流量を調整可能な調整弁をも設け
て、ガス濃度センサ４３の検出結果に基づいて、両調整
弁をバルブコントローラ４５で制御することも可能であ
る。これは、特に投影光学系ユニット５１等に用いて好
適な構成となる。
【００５１】加えて、調整弁３４として、流路３１の開
閉のみを切り替えるのみのものではなく、モータ等で駆
動されて、流路３１の開閉は勿論、開時の流路３１の開
口量をも調整可能なものを用いれば、充填ガスの流量を
より精密に制御でき、ケーシング２４内の収納空間部２
５の充填ガスおよび充填ガス以外のガスの濃度をより精
密に管理することができる。
閉のみを切り替えるのみのものではなく、モータ等で駆
動されて、流路３１の開閉は勿論、開時の流路３１の開
口量をも調整可能なものを用いれば、充填ガスの流量を
より精密に制御でき、ケーシング２４内の収納空間部２
５の充填ガスおよび充填ガス以外のガスの濃度をより精
密に管理することができる。
【００５２】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の請求項１
記載のパージ装置によれば、ガス濃度センサでケーシン
グ内の充填ガスの濃度および該充填ガス以外のガスの濃
度のうち少なくとも一方を検出し、バルブコントローラ
が、ガス濃度センサの検出結果に基づいて調整弁を制御
する。例えば、バルブコントローラが、ケーシング内の
充填ガスの濃度が所定値以下になると調整弁で充填ガス
をケーシング内へ充填させる一方、ケーシング内の充填
ガスの濃度が所定値以上になると調整弁で充填ガスのケ
ーシング内への充填を停止させる。このような作動によ
り、充填ガスのケーシングへの充填量を必要最小限に抑
えることができる。
記載のパージ装置によれば、ガス濃度センサでケーシン
グ内の充填ガスの濃度および該充填ガス以外のガスの濃
度のうち少なくとも一方を検出し、バルブコントローラ
が、ガス濃度センサの検出結果に基づいて調整弁を制御
する。例えば、バルブコントローラが、ケーシング内の
充填ガスの濃度が所定値以下になると調整弁で充填ガス
をケーシング内へ充填させる一方、ケーシング内の充填
ガスの濃度が所定値以上になると調整弁で充填ガスのケ
ーシング内への充填を停止させる。このような作動によ
り、充填ガスのケーシングへの充填量を必要最小限に抑
えることができる。
【００５３】したがって、充填ガスの消費量を必要最小
限に抑えることができる。また、ガス濃度センサの検出
結果から割り出される充填ガスの濃度の低下速度および
充填ガス以外のガスの濃度の上昇速度のいずれか一方に
よって、充填ガスの漏れ出しの異常を検出することもで
き、よって、ケーシングの設置の不具合を検出すること
ができる。
限に抑えることができる。また、ガス濃度センサの検出
結果から割り出される充填ガスの濃度の低下速度および
充填ガス以外のガスの濃度の上昇速度のいずれか一方に
よって、充填ガスの漏れ出しの異常を検出することもで
き、よって、ケーシングの設置の不具合を検出すること
ができる。
【００５４】本発明の請求項２記載のパージ装置は、ケ
ーシングは、内カバーとこれを所定の間隔をもって覆う
外カバーとで構成されているため、ケーシング内に充填
ガスを流し込むために必要とされるケーシング内部から
のガスの漏れ出しが、内カバーと外カバーとの間の隙間
に行われることになる。よって、ケーシング内部から漏
れ出すガスを内カバーと外カバーとの間の隙間を介して
集めることができる。
ーシングは、内カバーとこれを所定の間隔をもって覆う
外カバーとで構成されているため、ケーシング内に充填
ガスを流し込むために必要とされるケーシング内部から
のガスの漏れ出しが、内カバーと外カバーとの間の隙間
に行われることになる。よって、ケーシング内部から漏
れ出すガスを内カバーと外カバーとの間の隙間を介して
集めることができる。
【００５５】したがって、ケーシング内部から漏れ出す
ガスの漏れ出し後の管理が容易となる。
ガスの漏れ出し後の管理が容易となる。
【００５６】本発明の請求項３記載のパージ装置によれ
ば、ケーシング内に充填ガスを流し込むために内カバー
と外カバーとの間の隙間に漏れ出たガスが、内カバーと
外カバーとの間の隙間を介して吸引手段で吸引されるこ
とになる。
ば、ケーシング内に充填ガスを流し込むために内カバー
と外カバーとの間の隙間に漏れ出たガスが、内カバーと
外カバーとの間の隙間を介して吸引手段で吸引されるこ
とになる。
【００５７】したがって、ケーシング内部から漏れ出す
ガスを吸引手段で強制的に排出させることができる。そ
の上、この強制的なガスの流れでケーシングを冷却させ
ることができるため、ケーシングを冷却させるための配
管等が不要になる。
ガスを吸引手段で強制的に排出させることができる。そ
の上、この強制的なガスの流れでケーシングを冷却させ
ることができるため、ケーシングを冷却させるための配
管等が不要になる。
【００５８】本発明の請求項４記載の露光装置によれ
ば、照明光学系ユニット、マスク設置ユニット、投影光
学系ユニットおよび基板設置ユニットの少なくともいず
れか一つを収納するケーシング内の充填ガスの濃度およ
び該充填ガス以外のガスの濃度のうち少なくとも一方を
ガス濃度センサで検出する。そして、このガス濃度セン
サの検出結果に基づいて、バルブコントローラが調整弁
を制御する。例えば、バルブコントローラが、ケーシン
グ内の充填ガスの濃度が所定値以下になると調整弁で充
填ガスをケーシング内へ充填させる一方、ケーシング内
の充填ガスの濃度が所定値以上になると調整弁で充填ガ
スのケーシング内への充填を停止させる。このような作
動により、充填ガスのケーシングへの充填量を必要最小
限に抑えることができる。
ば、照明光学系ユニット、マスク設置ユニット、投影光
学系ユニットおよび基板設置ユニットの少なくともいず
れか一つを収納するケーシング内の充填ガスの濃度およ
び該充填ガス以外のガスの濃度のうち少なくとも一方を
ガス濃度センサで検出する。そして、このガス濃度セン
サの検出結果に基づいて、バルブコントローラが調整弁
を制御する。例えば、バルブコントローラが、ケーシン
グ内の充填ガスの濃度が所定値以下になると調整弁で充
填ガスをケーシング内へ充填させる一方、ケーシング内
の充填ガスの濃度が所定値以上になると調整弁で充填ガ
スのケーシング内への充填を停止させる。このような作
動により、充填ガスのケーシングへの充填量を必要最小
限に抑えることができる。
【００５９】したがって、充填ガスの消費量を必要最小
限に抑えることができる。また、ガス濃度センサの検出
結果から割り出される充填ガスの濃度の低下速度および
充填ガス以外のガスの濃度の上昇速度のいずれか一方に
よって、充填ガスの漏れ出しの異常を検出することもで
き、よって、ケーシングの設置の不具合を検出すること
ができる。
限に抑えることができる。また、ガス濃度センサの検出
結果から割り出される充填ガスの濃度の低下速度および
充填ガス以外のガスの濃度の上昇速度のいずれか一方に
よって、充填ガスの漏れ出しの異常を検出することもで
き、よって、ケーシングの設置の不具合を検出すること
ができる。
【００６０】本発明の請求項５記載の露光装置によれ
ば、照明光学系ユニット、マスク設置ユニット、投影光
学系ユニットおよび基板設置ユニットの少なくともいず
れか一つを収納するケーシングは、内カバーとこれを所
定の間隔をもって覆う外カバーとで構成されているた
め、このケーシング内に充填ガスを流し込むために必要
とされるケーシング内部からのガスの漏れ出しが、内カ
バーと外カバーとの間の隙間に行われることになる。よ
って、ケーシング内部から漏れ出すガスを内カバーと外
カバーとの間の隙間を介して集めることができる。
ば、照明光学系ユニット、マスク設置ユニット、投影光
学系ユニットおよび基板設置ユニットの少なくともいず
れか一つを収納するケーシングは、内カバーとこれを所
定の間隔をもって覆う外カバーとで構成されているた
め、このケーシング内に充填ガスを流し込むために必要
とされるケーシング内部からのガスの漏れ出しが、内カ
バーと外カバーとの間の隙間に行われることになる。よ
って、ケーシング内部から漏れ出すガスを内カバーと外
カバーとの間の隙間を介して集めることができる。
【００６１】したがって、ケーシング内部から漏れ出す
ガスの漏れ出し後の管理が容易となる。
ガスの漏れ出し後の管理が容易となる。
【００６２】本発明の請求項６記載の露光装置によれ
ば、照明光学系ユニット、マスク設置ユニット、投影光
学系ユニットおよび基板設置ユニットの少なくともいず
れか一つを収納するケーシング内に充填ガスを流し込む
ために内カバーと外カバーとの間の隙間に漏れ出たガス
が、内カバーと外カバーとの間の隙間を介して吸引手段
で吸引されることになる。
ば、照明光学系ユニット、マスク設置ユニット、投影光
学系ユニットおよび基板設置ユニットの少なくともいず
れか一つを収納するケーシング内に充填ガスを流し込む
ために内カバーと外カバーとの間の隙間に漏れ出たガス
が、内カバーと外カバーとの間の隙間を介して吸引手段
で吸引されることになる。
【００６３】したがって、ケーシング内部から漏れ出す
ガスを吸引手段で強制的に排出させることができる。そ
の上、この強制的なガスの流れでケーシングを冷却させ
ることができるため、ケーシングを冷却させるための配
管等が不要になる。
ガスを吸引手段で強制的に排出させることができる。そ
の上、この強制的なガスの流れでケーシングを冷却させ
ることができるため、ケーシングを冷却させるための配
管等が不要になる。
【図１】 本発明の一の実施の形態の一部を断面とした
側面図である。
側面図である。
【図２】 本発明の一の実施の形態のＡ−Ａ線に沿う平
断面図である。
断面図である。
【図３】 本発明の一の実施の形態のＢ−Ｂ線に沿う側
断面図である。
断面図である。
【図４】 本発明の一の実施の形態の調整弁を示す断面
図であって（ａ）は（ｂ）を上から見たものである。
図であって（ａ）は（ｂ）を上から見たものである。
【図５】 本発明の一の実施の形態の露光装置の全体構
成を概略的に示す側面図である。
成を概略的に示す側面図である。
１１ 照明光学系ユニット １６ 吸引手段 ２４ ケーシング ２６ 内カバー ２７ 外カバー ３４ 調整弁 ４３ ガス濃度センサ ４５ バルブコントローラ（コントローラ） ４７ パージ装置
Claims (6)
- 【請求項１】 所定のユニットを収納するケーシングを
有し、該ケーシング内に所定の充填ガスを導入させるパ
ージ装置であって、 前記ケーシング内の前記充填ガスの濃度および該充填ガ
ス以外のガスの濃度のうち少なくとも一方を検出するガ
ス濃度センサと、 前記ケーシング内に導入させる充填ガスの流量を調整可
能な調整弁と、 前記ガス濃度センサの検出結果に基づいて、前記調整弁
を制御するコントローラとを有することを特徴とするパ
ージ装置。 - 【請求項２】 前記ケーシングは、前記ユニットを覆う
内カバーと、該内カバーを所定の間隔をもって覆う外カ
バーとからなることを特徴とする請求項１記載のパージ
装置。 - 【請求項３】 前記内カバーと外カバーとの隙間が吸引
手段に接続されていることを特徴とする請求項２記載の
パージ装置。 - 【請求項４】 露光光によりマスクのパターンの像を基
板に投影露光する露光装置において、 露光光をマスクに照射する照明光学系ユニット、マスク
を設置するマスク設置ユニット、露光光によりマスクの
パターンの像を基板に投影する投影光学系ユニットおよ
び基板を設置する基板設置ユニットの少なくともいずれ
か一つを収納するとともに、所定の充填ガスが導入され
るケーシングと、 該ケーシング内の前記充填ガスの濃度および該充填ガス
以外のガスの濃度のうち少なくとも一方を検出するガス
濃度センサと、 前記ケーシング内に導入させる充填ガスの流量を調整可
能な調整弁と、 前記ガス濃度センサの検出結果に基づいて、前記調整弁
を制御するコントローラとを有することを特徴とする露
光装置。 - 【請求項５】 前記ケーシングは、前記ユニットを覆う
内カバーと、該内カバーを所定の間隔をもって覆う外カ
バーとからなることを特徴とする請求項４記載の露光装
置。 - 【請求項６】 前記内カバーと外カバーとの隙間が吸引
手段に接続されていることを特徴とする請求項５記載の
露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10006118A JPH11202496A (ja) | 1998-01-14 | 1998-01-14 | パージ装置および露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10006118A JPH11202496A (ja) | 1998-01-14 | 1998-01-14 | パージ装置および露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11202496A true JPH11202496A (ja) | 1999-07-30 |
Family
ID=11629603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10006118A Withdrawn JPH11202496A (ja) | 1998-01-14 | 1998-01-14 | パージ装置および露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11202496A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1398669A1 (en) * | 2002-09-13 | 2004-03-17 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7148949B2 (en) | 2002-09-13 | 2006-12-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US8094287B2 (en) | 2004-07-22 | 2012-01-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic appararus and method |
| CN105652604A (zh) * | 2016-03-15 | 2016-06-08 | 武汉华星光电技术有限公司 | 曝光机及其操作方法 |
-
1998
- 1998-01-14 JP JP10006118A patent/JPH11202496A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1398669A1 (en) * | 2002-09-13 | 2004-03-17 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7148949B2 (en) | 2002-09-13 | 2006-12-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US8094287B2 (en) | 2004-07-22 | 2012-01-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic appararus and method |
| CN105652604A (zh) * | 2016-03-15 | 2016-06-08 | 武汉华星光电技术有限公司 | 曝光机及其操作方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050405 |