JP6685791B2 - 基板処理方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板を処理する基板処理方法に関する。基板は、半導体ウエハ、フォトマスク用のガラス基板、液晶表示用のガラス基板、光ディスク用の基板などである。

フォトリソグラフィー技術は、レジストパターンを形成する方法に用いられている。レジストパターンを形成する方法は、例えば、基板の表面を疎水化する工程と、基板にレジスト膜を形成する工程と、レジスト膜を露光する工程と、露光されたレジスト膜を現像する工程とを有する。レジスト膜を現像することによってレジストパターンが得られる。

レジストパターンは、レジスト膜が溶解された溶解エリアとレジスト膜が溶解されなかった非溶解エリアを含む。溶解エリアは、例えば、スペース、ホール、ビアホール、スルーホールなどである。非溶解エリアは、例えば、ライン、ドットなどである。

レジストパターンの寸法は、露光に用いられるレチクルによって概ね決まる。さらに、特許文献１は、露光量によってレジストパターンの線幅が変動することを開示する。特許文献１は、露光後の加熱処理における温度によってレジストパターンの線幅が変動することも開示する。

特開２０１４−１５７９８６号公報

しかしながら、従来例は次のような問題がある。レジストパターンの寸法精度を高めることが困難な場合がある。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、寸法精度の良いレジストパターンを得ることができる基板処理方法を提供することを目的とする。

本発明者らは、基板の表面を疎水化するときの処理条件によって、レジストパターンの溶解エリアの寸法が変動することを知見した。

本発明は、このような知見に基づいて鋭意検討することによって得られたものであり、次のような構成をとる。
すなわち、本発明に係る基板処理方法は、レジストパターンの溶解エリア寸法に関する目標に基づいて、基板の表面を疎水化するときの処理条件を決定する決定工程と、基板の表面にレジスト膜を塗布する前に、前記決定工程で決定された前記処理条件で基板の表面を疎水化する処理工程と、を備える基板処理方法である。

本発明に係る基板処理方法は決定工程を備えているので、目標に基づいて処理条件を決定できる。基板処理方法は処理工程を備えているので、決定された処理条件で基板の表面を疎水化できる。その後、基板の表面上にレジストパターンを形成すれば、寸法精度の良いレジストパターンを得ることができる。具体的には、レジストパターンに含まれる溶解エリアの寸法精度を向上できる。ここで、溶解エリアは、レジスト膜が溶解されることによって形成された（抜かれた）エリアである。

上述の基板処理方法において、前記処理条件によって基板の表面における接触角が変わることが好ましい。換言すれば、前記処理条件は、基板の表面における接触角を変える因子であることが好ましい。決定工程で決定される処理条件によって基板の表面における接触角が変動するので、溶解エリアの寸法精度を好適に向上できる。

上述の基板処理方法において、前記目標は、前記溶解エリア寸法の目標値、または、前記溶解エリア寸法の基準値に対する調整量の少なくともいずれかであることが好ましい。目標が溶解エリア寸法の目標値の場合、決定工程は所望の溶解エリア寸法を得るための処理条件を簡易に決定できる。目標が溶解エリア寸法の基準値に対する調整量の場合、決定工程は溶解エリア寸法を調整するための処理条件を簡易に決定できる。

上述の基板処理方法において、前記目標が第１目標であるとき、前記決定工程は第１処理条件に決定し、前記目標が前記第１目標よりも広い溶解エリア寸法を規定する第２の目標であるとき、前記決定工程は、前記第１処理条件よりも基板の表面における接触角を増大させる第２処理条件に決定することが好ましい。目標が規定する溶解エリア寸法が広いほど、基板の表面における接触角を大きくする。これにより、実際に得られる溶解エリアの寸法精度を好適に向上できる。

上述の基板処理方法において、前記処理条件は、前記処理工程に用いる処理ガスのガス濃度を含み、前記目標が第１目標であるとき、前記決定工程は第１ガス濃度に決定し、前記目標が前記第１目標よりも広い溶解エリア寸法を規定する第２目標であるとき、前記決定工程は前記第１ガス濃度よりも高い第２ガス濃度に決定することが好ましい。目標が規定する溶解エリア寸法が広いほど、決定されるガス濃度が高くなる。これにより、目標が規定する溶解エリア寸法が広いほど、基板の表面における接触角を好適に大きくできる。

上述の基板処理方法において、前記処理条件は、基板に対する処理ガスの吹出を行わずに、基板の表面を前記処理ガスで覆った状態を保つ保持時間を含み、前記目標が第１目標であるとき、前記決定工程は第１保持時間に決定し、前記目標が前記第１目標よりも広い溶解エリア寸法を規定する第２目標であるとき、前記決定工程は、前記第１保持時間よりもよりも長い第２保持時間に決定することが好ましい。目標が規定する溶解エリア寸法が広いほど、決定される保持時間が長くなる。これにより、目標が規定する溶解エリア寸法が広いほど、基板の表面における接触角を好適に大きくできる。

上述の基板処理方法において、前記処理条件は、前記処理工程に用いる処理ガスのガス温度を含み、前記目標が第１目標であるとき、前記決定工程は第１ガス温度に決定し、前記目標が前記第１目標よりも広い溶解エリア寸法を規定する第２目標であるとき、前記決定工程は、前記第１ガス温度よりもよりも高い第２ガス温度に決定することが好ましい。目標が規定する溶解エリア寸法が広いほど、決定されるガス温度が高くなる。これにより、目標が規定する溶解エリア寸法が広いほど、基板の表面における接触角を好適に大きくできる。

上述の基板処理方法において、前記処理条件は、前記処理工程に用いる処理ガスのガス濃度（処理ガスにおける疎水化処理剤のガス濃度）、前記処理ガスのガス温度、基板に吹き出す前記処理ガスのガス流量、前記処理ガスを基板に吹き出す吹出時間、基板に対する前記処理ガスの吹出を行わずに、基板の表面を前記処理ガスで覆った状態を保つ保持時間、基板の表面を疎水化する処理時間、および、基板の温度、の少なくともいずれかであることが好ましい。レジストパターンに含まれる溶解エリアの寸法精度を向上できる。

上述の基板処理方法において、前記決定工程は、前記目標に基づいて少なくとも２種類以上の処理条件を決定することが好ましい。換言すれば、前記決定工程は、前記目標に基づいて、第１処理条件と、第１条件と異なる種類の第２処理条件とを決定することが好ましい。決定工程は処理条件をきめ細かく決定できるので、レジストパターンに含まれる溶解エリアの寸法精度を一層向上できる。

上述の基板処理方法において、前記決定工程は、前記溶解エリア寸法と前記処理条件との関係を規定する関連情報を参照することによって、前記処理条件を決定することが好ましい。決定工程は簡易に処理条件を決定できる。

上述の基板処理方法において、前記処理工程は、処理ガスを不活性ガスで希釈することによって処理ガスのガス濃度を調整し、前記ガス濃度が調整された前記処理ガスを基板の表面に吹き出す吹出工程と、基板に対する前記処理ガスの吹出を行わずに、基板の表面を前記処理ガスで覆った状態を保つ保持工程と、を含むことが好ましい。処理工程は吹出工程と保持工程を含むので、基板の表面を好適に疎水化できる。

上述の基板処理方法において、前記吹出工程は、前記処理ガスのガス温度を調整することが好ましい。基板の表面を一層好適に疎水化できる。

上述の基板処理方法において、前記基板処理方法は、さらに、前記処理ガスを基板以外に向けて吹き出して、前記処理ガスを捨てる事前吹出工程を備え、前記処理条件は、前記処理工程に用いる処理ガスに関する処理ガス条件を含み、前記決定工程によって前記処理ガス条件が変わったとき、前記事前吹出工程を行うことが好ましい。基板処理方法は事前吹出工程を備えているので、仮に処理ガスを吹き出すことができる。さらに、決定工程によって決定される処理ガス条件が変わる度に事前吹出工程を行うので、変更後の処理ガス条件で処理ガスを吹き出す準備を整えることができる。処理ガス条件は、例えば、処理ガスの濃度、温度、流量などである。よって、処理ガス条件の変更後に行われる最初の疎水化処理工程であっても、変更後の処理ガス条件に精度良く調整された処理ガスを基板に供給できる。これにより、基板の表面を適切に疎水化でき、レジストパターンの寸法精度が低下することを防ぐことができる。

上述の基板処理方法において、前記レジストパターンが形成されるレジスト膜の膜厚は厚膜であることが好ましい。処理条件を変えることによってレジストパターンに含まれる溶解エリアの寸法を効果的に調整できる。

上述の基板処理方法において、疎水化された基板の表面にレジスト膜を形成する塗布工程と、基板の表面上のレジスト膜に現像液を供給する現像工程と、を備えていることが好ましい。基板処理方法はレジスト膜形成工程を備えているので、基板上にレジスト膜を好適に形成できる。基板処理方法は現像工程を備えているので、基板上のレジスト膜を好適に現像できる。

なお、本明細書は、次のような基板処理方法に係る発明も開示している。

（１）上述した基板処理方法において、前記関連情報は、前記溶解エリア寸法と基板の表面における接触角の関係を規定する第１関連情報と、前記接触角と前記処理条件の関係を規定する第２関連情報を含む基板処理方法。

前記（１）に記載の基板処理方法によれば、第１関連情報および第２関連情報をそれぞれ容易に設定できる。

（２）上述した基板処理方法において、前記処理条件は、第１処理条件と、第２処理条件と、を含み、前記関連情報は、前記溶解エリア寸法と、前記第１処理条件および前記第２処理条件の組み合わせとの関係を規定する基板処理方法。

前記（２）に記載の基板処理方法によれば、決定工程は、複数の処理条件を効率良く決定できる。

（３）上述した基板処理方法において、前記レジストパターンは、スペース、ライン、ホールおよびドットの少なくともいずれかを含む基板処理方法。

前記（３）に記載するとおり、本発明に係る基板処理方法は、種々のレジストパターンに適用できる。例えば、レジストパターンがスペースとラインを含む場合であっても、レジストパターンがホールを含む場合であっても、あるいは、レジストパターンがドットを含む場合であっても、レジストパターンの寸法精度を向上できる。ホールは、スルーホールまたはビアホールとも呼ばれる。

（４）上述した基板処理方法において、前記溶解エリア寸法は、スペースの寸法、ホールの寸法、および、ドットの寸法の少なくともいずれかである基板処理方法。

前記（４）に記載するとおり、本発明に係る基板処理方法は、種々の溶解エリア寸法に適用できる。例えば、レジストパターンがスペースとラインを含み、かつ、溶解エリアがスペースである場合、スペースの寸法の精度を向上できる。スペースの寸法は、例えば、スペース幅である。例えば、レジストパターンがホールを含み、かつ、溶解エリアがホールである場合、ホールの寸法の精度を向上できる。ホールの寸法は、例えば、ホール径である。例えば、レジストパターンがドットを含み、かつ、溶解エリアがドット以外の領域である場合、ドットの寸法の精度を向上できる。ドットの寸法は、例えば、ドット間の距離（すなわち、ドットピッチ）である。

本発明に係る基板処理方法によれば、目標に基づいて処理条件を決定でき、決定された処理条件で基板の表面を疎水化できる。その後、基板の表面上にレジストパターンを形成すれば、寸法精度の良いレジストパターンを得ることができる。

基板処理装置の概要構成を示す平面図である。 基板処理装置の概要構成を示す側面図である。 基板処理方法の手順を示すフローチャートである。 図４（ａ）−４（ｄ）は、基板処理方法の各工程における基板Ｗを模式的に示す断面図である。 疎水化処理ユニットおよびこれに関連する構成を示す図である。 関連情報を模式的に示す図である。 基板処理方法の手順を示すフローチャートである。 図８（ａ）−８（ｃ）は、各ガス濃度におけるスペースを模式的に示す拡大断面図である。 関連情報を模式的に示す図である。 関連情報を模式的に示す図である。 関連情報を模式的に示す図である。 関連情報を模式的に示す図である。 基板処理方法の手順を示すフローチャートである。 疎水化処理ユニットおよびこれに関連する構成を示す図である。 変形実施例に係る疎水化処理ユニットおよびこれに関連する構成を示す図である。 変形実施例に係る疎水化処理ユニットおよびこれに関連する構成を示す図である。

以下、図面を参照して本発明の実施例１を説明する。実施例１に係る基板処理方法は、基板（例えば、半導体ウエハ）にレジストパターンを形成する方法である。

＜基板処理装置の概略構成＞
実施例１に係る方法を行うための基板処理装置を概略構成を説明する。
図１は、基板処理装置の概要構成を示す平面図である。図２は、基板処理装置の概要構成を示す側面図である。

基板処理装置１は、インデクサ部（以下、「ＩＤ部」と記載する）１１と処理部１３とインターフェイス部（以下、「ＩＦ部」と記載する）１７とを備える。処理部１３は、ＩＤ部１１およびＩＦ部１７とそれぞれ接続している。ＩＦ部１７はさらに、基板処理装置１とは別体の露光機ＥＸＰと接している。

ＩＤ部１１は、載置台２１を備える。載置台２１は、複数のキャリア２５を載置する。各キャリア２５は、複数の基板（例えば、半導体ウエハ）Ｗを収容する。

ＩＤ部１１は搬送機構Ｔ１を備える。搬送機構Ｔ１は基板Ｗを搬送する。基板処理装置１は、ＩＤ部１１と処理部１３との間に設けられる基板載置部Ｐ１を備える。基板載置部Ｐ１は基板Ｗを載置する。搬送機構Ｔ１は、載置台２１に載置されたキャリア２５と基板載置部Ｐ１との間で基板Ｗを搬送する。搬送機構Ｔ１は、基板載置部Ｐ１を介して、処理部１３に基板Ｗを渡し、処理部１３から基板Ｗを受ける。

処理部１３は塗布ブロック１４と現像ブロック１５を備えている。

塗布ブロック１４は、疎水化処理ユニット３１と熱処理ユニット３２を有する。疏水化処理ユニット３１は、処理ガスを基板Ｗに供給して、基板Ｗの表面を疎水化する。疎水化処理の目的は、基板Ｗとレジスト膜との密着性を向上させることである。疎水化処理ユニット３１の具体的な構成については、後述する。熱処理ユニット３２は基板Ｗに熱処理を行う。具体的には、熱処理ユニット３２は熱処理プレート３３を備えている。熱処理プレート３３は、熱処理プレート３３上に載置された基板Ｗを加熱または冷却する。

塗布ブロック１４は塗布ユニット３４を有する。塗布ユニット３４は基板Ｗの表面にレジスト膜を形成する。具体的には、塗布ユニット３４は、保持部３５とカップ３６とノズル３７とノズル搬送機構３８を備える。図２では、ノズル３７とノズル搬送機構３８の図示を省略する。保持部３５は基板Ｗを保持する。保持部３５は不図示のモータによって回転する。カップ３６は、保持部３５の周囲に配置され、基板Ｗから飛散する処理液を回収する。ノズル３７はレジスト膜材料を吐出する。ノズル搬送機構３８は、基板Ｗの上方の位置と基板Ｗの上方から外れたノズル待機位置との間にわたってノズル３７を搬送する。保持部３５が基板Ｗを保持しているとき、ノズル３７は基板Ｗの上方の位置でレジスト膜材料を基板Ｗの表面に吐出する。このとき、保持部３５は基板Ｗを適宜に回転してもよい。これにより、塗布ユニット３４は、レジスト膜材料を基板Ｗの表面に塗布する。

塗布ブロック１４は搬送機構Ｔ２を有する。基板処理装置１は、塗布ブロック１４と現像ブロック１５との間に設けられる基板載置部Ｐ２を備える。搬送機構Ｔ２は、ユニット３１、３２、３４と基板載置部Ｐ１、Ｐ２との間で、基板Ｗを搬送する。搬送機構Ｔ１は、基板載置部Ｐ１を介して、ＩＤ部１１に基板Ｗを受け渡す。搬送機構Ｔ１は、基板載置部Ｐ２を介して、現像ブロック１５に基板Ｗを受け渡す。

現像ブロック１５は熱処理ユニット４２を有する。熱処理ユニット４２は基板Ｗに熱処理を行う。具体的には、熱処理ユニット４２は熱処理プレート４３を備えている。熱処理プレート４３は、熱処理プレート４３上に載置された基板Ｗを加熱または冷却する。

現像ブロック１５は現像ユニット４４を有する。現像ユニット４４は基板Ｗ上のレジスト膜を現像する。具体的には、現像ユニット４４は、保持部４５とカップ４６とノズル４７とノズル搬送機構４８を備える。図２は、ノズル４７とノズル搬送機構４８の図示を省略する。保持部４５は基板Ｗを保持する。保持部４５は不図示のモータによって回転する。カップ４６は、保持部４５の周囲に配置され、基板Ｗから飛散する処理液を回収する。ノズル４７は基板Ｗに現像液を吐出する。現像液は、水性であることが好ましい。現像液は、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）である。ノズル搬送機構４８は、基板Ｗの上方の位置と基板Ｗの上方から外れたノズル待機位置との間にわたってノズル４７を搬送する。保持部４５が基板Ｗを保持しているとき、ノズル４７は基板Ｗの上方の位置で現像液を基板Ｗに吐出する。このとき、保持部４５は基板Ｗを適宜に回転してもよい。これにより、現像ユニット４４は、基板Ｗ上のレジスト膜に現像液を供給する。

現像ブロック１５は搬送機構Ｔ３と基板載置部Ｐ３を備える。搬送機構Ｔ３は、ユニット４２、４４と基板載置部Ｐ２、Ｐ３との間で、基板Ｗを搬送する。搬送機構Ｔ３は、基板載置部Ｐ３を介して、ＩＦ部１７と基板Ｗを受け渡す。

ＩＦ部１７は、搬送機構Ｔ４、Ｔ５と基板載置部Ｐ４を備えている。基板載置部Ｐ４は、搬送機構Ｔ４、Ｔ５の間に配置されている。搬送機構Ｔ４は、基板載置部Ｐ３と基板載置部Ｐ４との間で基板Ｗを搬送する。搬送機構Ｔ５は、基板載置部Ｐ４と露光機ＥＸＰとの間で基板Ｗを搬送する。これにより、搬送機構Ｔ４、Ｔ５は、現像ブロック１５と露光機ＥＸＰとの間で基板Ｗを搬送する。搬送機構Ｔ４、Ｔ５同士は、基板載置部Ｐ４を使って、基板Ｗを受け渡す。

露光機ＥＸＰは、基板Ｗに露光処理を行う。露光機ＥＸＰは、ステージ４９と光源５０とレチクル（「フォトマスク」ともいう）５１を備えている。これらの要素４９乃至５１は、図２に示される。ステージ４９は基板Ｗを載置する。光源５０は光を照射する。レチクル５１はステージ４９と光源５０との間に設置されている。レチクル５１を透過した光がレジスト膜Ｒに達することによって、レチクル５１が有するパターンがレジスト膜Ｒに転写される。これにより、レジスト膜の一部が可溶部となり、レジスト膜のその他の部分が不溶部となる。可溶部は現像液に対して可溶である。不溶部は現像液に対して不溶である。

＜基板処理方法の概略＞
実施例１に係る基板処理方法の概略を説明する。図３は、基板処理方法の手順を示すフローチャートである。説明の便宜上、ステップＳ１については後述し、ステップＳ２ーＳ５を説明する。図４（ａ）−４（ｄ）は、基板処理方法の各工程における基板Ｗを模式的に示す断面図である。

搬送機構Ｔ１がキャリア２５から基板Ｗを搬出し、その基板Ｗを基板載置部Ｐ１に載置する。搬送機構Ｔ２が基板載置部Ｐ１から疎水化処理ユニット３１に基板Ｗを搬送する。疎水化処理ユニット３１は基板Ｗの表面を疎水化する（ステップＳ２）。

図４（ａ）は、疎水化された表面Ｗｓを有する基板Ｗを示す。基板Ｗの表面Ｗｓはパターン形成面であってもよい。あるいは、基板Ｗの表面Ｗｓは被エッチング膜であってもよい。被エッチング膜は、例えば酸化膜や窒化膜である。

搬送機構Ｔ２は、疎水化処理ユニット３１から塗布ユニット３４に基板Ｗを搬送する。塗布ユニット３４は基板Ｗの表面にレジスト膜を形成する（ステップＳ３）。

図４（ｂ）は、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜Ｒを示す。レジスト膜Ｒは厚膜である。すなわち、レジスト膜Ｒの厚みは比較的に大きい。レジスト膜Ｒの厚さＲｔは、２［μｍ］以上であることが好ましい。レジスト膜Ｒの厚さＲｔは、６［μｍ］以上であることがさらに好ましい。レジスト膜Ｒの厚さＲｔは、８［μｍ］以上であることがさらに好ましい。

搬送機構Ｔ２ーＴ５は、塗布ユニット３４から露光機ＥＸＰに基板Ｗを搬送する。具体的には、搬送機構Ｔ２は塗布ユニット３４から基板載置部Ｐ２に基板Ｗを搬送する。搬送機構Ｔ３は基板載置部Ｐ２から基板載置部Ｐ３に基板Ｗを搬送する。搬送機構Ｔ４は基板載置部Ｐ３から基板載置部Ｐ４に基板Ｗを搬送する。搬送機構Ｔ５は基板載置部Ｐ４から露光機ＥＸＰに基板Ｗを搬送する。露光機ＥＸＰは基板Ｗ上のレジスト膜を露光する（ステップＳ４）。

図４（ｃ）は、レチクル５１と露光されたレジスト膜Ｒを例示する。図４は、さらに、レチクル５１を通過した光を模式的に示す。レジスト膜Ｒは、可溶部Ｒａと不溶部Ｒｂを含む。

搬送機構Ｔ３−Ｔ５は、露光機ＥＸＰから現像ユニット４４に基板Ｗを搬送する。現像ユニット４４は基板Ｗ上のレジスト膜Ｒを現像する（ステップＳ５）。現像工程によって、可溶部Ｒａが除去される。

図４（ｄ）は、レジスト膜Ｒを現像した後に得られるレジストパターンＲＰを示す。レジストパターンＲＰは、ラインＬとスペースＳを含む。ラインＬは、現像工程において除去されなかったレジスト膜Ｒの部分である。ラインＬは主として不溶部Ｒｂで構成される。スペースＳは、可溶部Ｒａが除去されることによって形成される。換言すれば、スペースＳは、レジスト膜Ｒが溶解されることによって形成された（抜かれた）エリアである。スペースＳは、隣り合う２つのラインＬと基板Ｗの表面とによって区画される空隙（溝）である。スペースＳは、本発明における溶解エリアの例である。

図４（ｃ）に示すように可溶部Ｒａの幅方向の寸法を「可溶部幅Ｃ」と呼び、図４（ｄ）に示すようにスペースＳの幅方向の寸法を「スペース幅Ｄ」と呼ぶ。より厳密に言えば、可溶部幅Ｃは可溶部Ｒａの下部における幅寸法である。スペース幅ＤはスペースＳの下部における幅寸法である。スペース幅Ｄは、可溶部幅Ｃより広くなることはない。すなわち、スペース幅Ｄの上限値は可溶部幅Ｃである。なお、スペース幅Ｄは、ラインＬの幅方向の寸法（ライン幅とも言われる）とは異なる。スペース幅Ｄは、本発明における溶解エリア寸法の例である。

その後、搬送機構Ｔ１−Ｔ３は、現像ユニット４４からキャリア２５に基板Ｗを搬送する。なお、上述した基板処理方法において、塗布ユニット３４に基板Ｗを搬送する前後に基板Ｗを熱処理ユニット３２に搬送して、レジスト膜形成工程の前後に基板Ｗに熱処理を行ってもよい。同様に、現像ユニット４４に基板Ｗを搬送する前後に基板Ｗを熱処理ユニット４２に搬送して、現像工程の前後に基板Ｗに熱処理を行ってもよい。

以下では、スペース幅Ｄの寸法精度を高めることができる構成および方法を詳細に説明する。

＜疎水化処理ユニット３１の詳細構成＞
図５は、疎水化処理ユニットおよびこれに関連する構成を示す図である。疎水化処理ユニット３１は、プレート５３と基板温調部５４とカバー５５と昇降機構５６を備える。プレート５３は基板Ｗを載置する。基板温調部５４はプレート５３に載置された基板Ｗの温度を調節する。基板温調部５４は、例えばプレート５３に取り付けられている。基板温調部５４は例えばヒータである。カバー５５はプレート５３の上方に設けられている。昇降機構５６はカバー５５を下方位置と上方位置との間で昇降させる。図５では、下方位置にあるカバー５５を実線で示し、上方位置にあるカバー５５を点線で示す。昇降機構５６は例えばエアシリンダである。カバー５５が下方位置にあるとき、カバー５５とプレート５３との間の空間（以下、「処理空間という）Ｂを略密閉する。基板Ｗは、処理空間Ｂの内部で、疎水化される。カバー５５が上方位置にあるとき、処理空間Ｂが開放される。処理空間Ｂが開放されているとき、基板Ｗをプレート５３に載置でき、基板Ｗをプレート５３から搬出できる。

疎水化処理ユニット３１は、ノズル５７と排気孔５８とチャンバー５９を備える。ノズル５７はカバー５５に取り付けられている。ノズル５７はカバー５５の下方に処理ガスを吹き出す。カバー５５が下方位置にあるとき、ノズル５７は処理空間Ｂに処理ガスを吹き出す。排気孔５８は、プレート５３に形成されている。排気孔５８は、処理空間Ｂと連通している。処理空間Ｂの気体は、排気孔５８を通じて処理空間Ｂの外部に排出される。チャンバー５９は、要素５３乃至５９を収容する。

基板処理装置１は処理ガス供給部６０を備えている。処理ガス供給部６０は、疎水化処理ユニット３１と接続されている。処理ガス供給部６０は、疎水化処理ユニット３１に処理ガスを供給する。

処理ガス供給部６０は、疎水化処理剤供給源６１と配管６２と開閉弁６３と気化容器６４を備える。疎水化処理剤供給源６１は、疎水化処理剤を供給する。疎水化処理剤は例えばＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）である。配管６２は疎水化処理剤供給源６１と気化容器６４とを接続する。開閉弁６３は配管６２に設けられている。開閉弁６３が開くと、疎水化処理剤供給源６１から気化容器６４に疎水化処理剤が供給される。気化容器６４は、疎水化処理剤を気化させて、疎水化処理剤を含む処理ガスを生成する。処理ガスは、例えば気化したＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）を含む。配管６２は、本発明における処理液管の例である。

処理ガス供給部６０は配管６５を備える。配管６５の一端は疎水化処理ユニット３１に接続される。より具体的には、配管６５の一端は、チャンバー５９内に挿入され、ノズル５７に接続されている。配管６５の他端は気化容器６４に接続されている。このように、気化容器６４と疎水化処理ユニット３１とは、配管６５によって接続される。配管６５は、気化容器６４で生成された処理ガスを疎水化処理ユニット３１に供給する。配管６５は、本発明における処理ガス管の例である。

処理ガス供給部６０は、ガス供給源６６と配管６７と流量調整弁６８を備える。ガス供給源６６は不活性ガスを供給する。不活性ガスは、例えば窒素ガスである。配管６７の一端はガス供給源６６に接続される。配管６７の他端は気化容器６４に接続される。例えば、配管６７は、気化容器６４内の処理液中に不活性ガスを吹き出してもよい。あるいは、配管６７は、気化容器６４内の気体層中に不活性ガスを吹き出してもよい。このように、ガス供給源６６と気化容器６４とは、配管６７によって接続される。流量調整弁６８は配管６７に設けられている。流量調整弁６８が開くと、ガス供給源６６から気化容器６４に不活性ガスが供給される。不活性ガスが気化容器６４に供給されると、気化容器６４は、気化容器６４に供給された不活性ガスと同量の処理ガスを配管６５に出す。流量調整弁６８は、さらに、気化容器６４に供給される不活性ガスの流量を調整する。これにより、流量調整弁６８は、気化容器６４が処理ガスを生成する量を調整する。配管６７は、本発明における不活性ガス管の例である。

処理ガス供給部６０は、配管７１と流量調整弁７２を備える。配管７１の一端はガス供給源６６に接続される。配管７１の他端は配管６５の途中に接続される。流量調整弁７２は配管７１に設けられている。流量調整弁７２が開くと、ガス供給源６６から配管７１に不活性ガスが流れる。これにより、配管７１を流れた不活性ガスは、配管６５に流入し、気化容器６４から出された処理ガスと合流する。これにより、気化容器６４から出された処理ガスは、配管６５内において希釈される。流量調整弁７２は、さらに、気化容器６４から出された処理ガスを希釈する不活性ガスの流量を調整する。これにより、処理ガスのガス濃度が調整される。

例えば、流量調節弁７２が希釈用の不活性ガスの流量を大きくするほど、処理ガスのガス濃度は低くなる。例えば、気化容器６４で生成される処理ガスのガス濃度をｍ［％］とする。気化容器６４に供給する不活性ガスの流量（すなわち、気化容器６４から出る処理ガスの流量）がｑ１であり、希釈する不活性ガスの流量がｑ２であるとき、処理ガスのガス濃度Ｇはｍ＊ｑ１／（ｑ１＋ｑ２）［％］になる。

流量調整弁６８、７２は、例えばニードル弁またはマスフローメータである。マスフローメータは流量を検出する機能をさらに有する。

処理ガス供給部６０は、三方弁７４と配管７５を備える。三方弁７４は、配管６５の途中に設けられている。三方弁７４は、配管６５と配管７１との接続位置よりも疎水化処理ユニット３１に近い位置に配置されることが好ましい。三方弁７４は第１入口ポートと第２入口ポートと出口ポートを有する。第１入口ポートと出口ポートはともに、配管６５に接続されている。第２入口ポートは、配管７５の一端と接続されている。配管７５の他端はガス供給源６６に接続されている。三方弁７４は、出口ポートが第１入口ポートのみに連通接続している状態と、出口ポートが第２入口ポートのみに連通接続している状態との間で切り替える。これにより、疎水化処理ユニット３１に供給する気体が、処理ガスと不活性ガスとの間で切り替わる。

処理ガス供給部６０は、処理ガス温調部７６を備えている。処理ガス温調部７６は処理ガスの温度を調節する。

処理ガス温調部７６は第１外側管７７を備えている。第１外側配管７７は、配管６５の外側に設けられ、配管６５の少なくとも一部を収容する。第１外側管７７に収容される配管６５の部分は、疎水化処理ユニット３１に近い部分であることが好ましい。配管６５と第１外側配管７７とは二重管構造である。第１外側配管７７の内面と配管６５の外面とに間には、環状の空間が形成される。

処理ガス温調部７６は導入管７８を備えている。導入管７８は第１外側配管７７に連通接続されている。導入管７８は、温度が調整された気体を第１外側配管７７と配管６５の間に形成される環状の空間に供給する。導入管７８が導入する気体は、例えば清浄な空気である。以下では、導入管７８が導入する気体を「温調エア」と呼ぶ。

第１外側管７７の内部に導入された温調エアは、配管６５の外面上を流れる。すなわち、配管６５の外面は温調エアに晒される。温調エアは、配管６５自体の温度を調整し、配管６５内を流れる処理ガス／不活性ガスの温度を調整する。

処理ガス温調部７６は空調制御装置７９を備えている。空調制御装置７９は、任意の温度の温調エアを生成し、温調エアを導入管７８に供給する。

基板処理装置１は処理ガス排出部８１を備えている。処理ガス排出部８１は、疎水化処理ユニット３１と接続されている。処理ガス排出部８１は、疎水化処理ユニット３１の処理空間Ｂの気体を排出する。

気体排出部８１は、配管８２と吸引機構８３を備えている。配管８２の一端は、チャンバー５９内に挿入され、排気孔５８に接続されている。配管８２の他端は吸引機構８３に接続されている。吸引機構８３は、例えばポンプやアスピレータである。吸引機構８３が気体を吸引すると、処理空間Ｂの気体が排気孔５８を通じて処理空間Ｂの外部に排出される。

基板処理装置１は制御部８５と記憶部８７と入力部８９を備えている。

制御部８５は、基板温調部５４と昇降機構５６と開閉弁６３と流量調整弁６８、７２と三方弁７４と空調制御装置７９と吸引機構８３を制御する。制御部８５は、各種処理を実行する中央演算処理装置（ＣＰＵ）、演算処理の作業領域となるＲＡＭ（Random-Access Memory）、固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。

記憶部８７は、制御部８５と通信可能に接続されている。記憶部８７は、目標Ｅや関連情報Ｆを記憶している。

目標Ｅはスペース幅Ｄに関する。より厳密に言えば、目標Ｅは、スペース幅Ｄに関する目標を規定する情報である。目標Ｅは、例えばスペース幅Ｄの目標値である。関連情報Ｆは、スペース幅Ｄと処理条件との関係を規定する。具体的には、関連情報Ｆは、各処理条件と、仮にその処理条件で基板の表面を疎水化したならば、得られると推定されるスペース幅Ｄとの関係を規定する。

図６を参照する。関連情報Ｆは、図６に例示する関連情報Ｆ１を含む。関連情報Ｆ１は、処理ガスのガス濃度Ｇとスペース幅Ｄとの関係を規定する。より具体的には、関連情報Ｆ１は、処理ガスのガス濃度Ｇが高くなるにしたがって、スペース幅Ｄが大きくなるような関係を規定している。ガス濃度Ｇは、処理ガスの体積に対する、処理ガスに含まれる気化した疎水化処理剤の体積の割合である。

ガス濃度Ｇは、基板Ｗの表面における接触角に影響を与える処理条件である。より具体的には、基板Ｗの表面を疎水化するときに用いるガス濃度Ｇが高くなるほど、基板Ｗの表面における接触角が大きくなる。接触角は、厳密に言えば、基板Ｗの表面における水の接触角ある。接触角は、基板Ｗの表面の疎水性の度合いを示す指標である。本明細書では、接触角が大きいことは、疎水性が高いことと同義である。ガス濃度Ｇは、本発明の処理条件の例である。

目標Ｅと関連情報Ｆは、実験またはシミュレーションによって設定される。目標Ｅと関連情報Ｆは、本実施例に係る基板処理方法を実行する前に、記憶部８７に記憶される。関連情報Ｆは、スペース幅Ｄと処理条件とが対応付けられている表（テーブル）であってもよい。あるいは、関連情報Ｆは、スペース幅Ｄと処理条件の関数であってもよい。

記憶部８７は、さらに、基板Ｗを処理するための処理レシピ（処理プログラム）など各種情報を記憶している。

入力部８９は制御部８５と通信可能に接続されている。入力部８９はユーザーによって操作される。入力部８９は各種の情報を受け付ける。入力部８９が受け付ける情報は、例えば目標Ｅである。入力部８９が受け付ける情報は、例えば特定の目標Ｅを選択、決定する命令である。

＜基板処理方法の詳細＞
図７は、図３に示すステップＳ１、Ｓ２の手順を詳細に示すフローチャートである。図７に示すステップＳ２ａ−Ｓ２ｇの全体が、図３に示すステップＳ２（疎水化処理工程）に相当する。

＜ステップＳ１＞ 決定工程
制御部８５は、目標Ｅと関連情報Ｆ１とに基づいてガス濃度Ｇを決定する。この際、制御部８５は、記憶部８７から目標Ｅを取得してもよいし、入力部８９から目標Ｅを取得してもよい。あるいは、制御部８５は、記憶部８７に記憶された情報と入力部８９に入力された情報に基づいて目標Ｅを特定してもよい。また、制御部８５は、記憶部８７から関連情報Ｆ１を取得する。

図６を参照する。例えば目標Ｅが値ｄ１である場合、制御部８５はガス濃度Ｇを値ｇ１に決定する。

＜ステップＳ２ａ＞ 基板Ｗを搬入する
カバー５５は上方位置にある。不図示の基板搬送機構がプレート５３上に載置する。制御部８５は、基板温調部５４を制御して基板Ｗを所定の温度に調整する。

＜ステップＳ２ｂ＞ カバーが下方位置に移動する
制御部８５は、昇降機構５６を制御して、カバー５５を下方位置に位置させる。処理空間Ｂが略密閉される。

＜ステップＳ２ｃ＞ 吹出工程
制御部８５は、決定されたガス濃度Ｇに基づいて流量調整弁６８、７２を制御し、処理ガスを生成し、生成された処理ガスを不活性ガスで希釈する。これにより、処理ガスは、決定されたガス濃度Ｇに調整される。

制御部８５は、三方弁７４および吸引機構８３を制御し、処理ガスを疎水化処理ユニット３１に送りながら、疎水化処理ユニット３１（処理空間Ｂ）の気体を排出する。ノズル５７は処理ガスを吹き出す。ノズル５７から吹き出された処理ガスは、処理空間Ｂの全体に飛散する。処理ガス中の疎水化処理剤が基板Ｗの表面全体において液化する。すなわち、疎水化処理剤が基板Ｗの表面全体に塗布される。これにより、基板Ｗの表面が疎水化される。

制御部８５は空調制御装置７９を制御して、疎水化処理ユニット３１に送られる処理ガスの温度を所定の温度に保つ。

＜ステップＳ２ｄ＞ 保持工程
制御部８５は、流量調整弁６８、７２を閉じる。これにより、基板Ｗに対する処理ガスの吹出を止める。この際、制御部８５は、吸引機構８３を停止させる。これにより、処理ガスが処理空間Ｂ内に満たされる。すなわち、基板に対する処理ガスの吹出を行わずに基板の表面を前記処理ガスで覆った状態になる。

＜ステップＳ２ｅ＞ 不活性ガスに置換する
制御部８５は三方弁７４を制御して、不活性ガスを疎水化処理ユニット３１に供給させるとともに、制御部８５は吸引機構８３に吸引動作をさせ、排気孔５８を通じて処理空間Ｂから処理ガスを排出する。処理空間Ｂの気体は、処理ガスから不活性ガスに置換される。

＜ステップＳ２ｆ＞ カバーが上方位置に移動する
制御部８５は、昇降機構５６を制御して、カバー５５を上方位置に位置させる。処理空間Ｂが開放される。

＜ステップＳ２ｇ＞ 基板を搬出する
不図示の搬送機構がプレート５３から基板Ｗを搬出する。

ステップＳ２ａ−Ｓ２ｇによって基板Ｗの表面を疎水化した後、上述したレジスト膜形成工程（ステップＳ３）、露光工程（ステップＳ４）および現像工程（ステップＳ５）を実行する。これにより、レジストパターンＲＰが実際に得られる。レジストパターンＲＰは、ラインＬとスペースＳを有する。スペースＳのスペース幅Ｄは、目標Ｅに規定された目標値に近似するように、あるいは、目標Ｅに規定された目標値と実質的に一致するように、調整されている。

図８（ａ）−８（ｃ）は、各ガス濃度ＧにおけるスペースＳを模式的に示す拡大断面図である。図８（ａ）、８（ｂ）、８（ｃ）はそれぞれ、ガス濃度ｇａ、ｇｂ、ｇｃで基板Ｗの表面を疎水化したときに得られるスペースＳａを示す。ガス濃度ｇａはガス濃度ｇｂよりも高く、ガス濃度ｇｂはガス濃度ｇｃよりも高い。

ガス濃度ｇａ、ｇｂ、ｇｃの処理ガスを用いて基板Ｗの表面を疎水化したときに得られるスペース幅Ｄを、スペース幅Ｄａ、Ｄｂ、Ｄｃと呼ぶ。スペース幅Ｄａはスペース幅Ｄｂよりも広く、スペース幅Ｄｂはスペース幅Ｄｃよりも広い。このように、ガス濃度Ｇを変えることによって、可溶部幅Ｃ以下の範囲でスペース幅Ｄを微調整できる。ガス濃度ｇａ、ｇｂ、ｇｃとスペース幅Ｄａ、Ｄｂ、Ｄｃの関係は、上述した関連情報Ｆ１に規定されている。

発明者らは、ガス濃度Ｇに依存してスペース幅Ｄが変化する主たる原因について、以下のように推察する。例えば、基板Ｗの表面を疎水化するときのガス濃度Ｇが高くなると、基板Ｗの表面における接触角は大きくなる（すなわち、基板Ｗの表面の疎水性が高くなる）。現像工程において、可溶部Ｒａが除去されて基板Ｗの表面が露出すると、基板Ｗの表面が現像液と直接的に接する。基板Ｗの表面における接触角が大きいほど、基板Ｗの表面と接する現像液は動きやすい（換言すれば、基板Ｗの表面における接触角が大きいほど、基板Ｗの表面と接する現像液の移動量が大きい）。基板Ｗの表面と接する現像液が動きやすいほど、現像液が可溶部Ｒａを溶解する反応が促進され、スペース幅Ｄが広くなる。逆に、ガス濃度Ｇが小さくなるほど、基板Ｗの表面の接触角が小さくなり、スペース幅Ｄが狭くなる。このように、スペース幅Ｄが変動した主たる原因は、ガス濃度Ｇによって基板Ｗの表面における接触角が変動し、接触角の変動が現像の進行に影響を与えたことであると、本発明者らは推察する。

このように、実施例１に係る基板処理方法によれば、以下の効果を奏する。
決定工程（ステップＳ１）はスペース幅Ｄに関する目標Ｅに基づいてガス濃度Ｇを決定するので、適切なガス濃度Ｇを決定できる。また、処理工程（ステップＳ２）は決定されたガス濃度Ｇで基板Ｗの表面を疎水化する。疎水化された基板Ｗの表面にレジスト膜Ｒを形成し、レジスト膜Ｒを現像すれば、基板Ｗ上に寸法精度の高いレジストパターンＲＰを形成できる。具体的には、スペースＳの寸法精度を向上できる。すなわち、実際に得られるスペースＳは、目標Ｅに規定された目標値に一層近いスペース幅Ｄを有する。

ガス濃度Ｇは基板Ｗの表面における接触角を変動させる処理条件であるので、スペースＳの寸法精度を好適に向上できる。また、ガス濃度Ｇを変えることによって、スペース幅Ｄを調整できる。

目標Ｅはスペース幅Ｄの目標値であるので、決定工程は処理条件（ガス濃度Ｇ）を簡易に決定できる。また、ユーザーは、目標Ｅを簡易に設定できる。

目標Ｅが規定するスペース幅Ｄが広いほど、決定工程が決定するガス濃度Ｇは高くなる。他方、目標Ｅが規定するスペース幅Ｄが狭いほど、決定工程が決定するガス濃度Ｇは低くなる。これにより、実際に得られるスペースＳの寸法精度を好適に向上できる。

決定工程は関連情報Ｆ１を参照するので、ガス濃度Ｇを容易に決定できる。

吹出工程は処理ガスを不活性ガスで希釈するので、処理ガスのガス濃度Ｇを好適に調整できる。

保持工程は、基板Ｗに対する処理ガスの吹出を行わずに、基板Ｗの表面を処理ガスで覆った状態を保つので、処理ガスの消費量を抑制しつつ、基板Ｗの表面全体を均一に疎水化できる。

基板Ｗ上に形成されるレジスト膜Ｒが厚膜であるので、ガス濃度Ｇを変えることによってスペース幅Ｄを効果的に変えることができる。レジスト膜Ｒの厚さＲｔが２［μｍ］以上であれば、ガス濃度Ｇによってスペース幅Ｄを効果的に変えることができる。レジスト膜Ｒの厚さＲｔが６［μｍ］以上であれば、ガス濃度Ｇによってスペース幅Ｄを一層効果的に変えることができる。レジスト膜Ｒの厚さＲｔが８［μｍ］以上であれば、ガス濃度Ｇによってスペース幅Ｄをより一層効果的に変えることができる。

基板処理方法はレジスト膜形成工程を備えているので、基板Ｗ上にレジスト膜Ｒを好適に形成できる。基板処理方法は現像工程を備えているので、基板Ｗ上のレジスト膜Ｒを好適に現像できる。

吹出工程は処理ガスのガス温度を調整する。これにより、適切な温度の処理ガスを基板Ｗに供給できる。

基板処理装置１は第１外側管７７と導入管７８を備えているので、配管６５の外面に温調エアを好適に供給できる。これにより、配管６５の内部を流れる処理ガスの温度を好適に調整できる。

第１外側管７７と導入管７８は処理ガスの温度を一定に保つので、処理ガスの温度が意図せずにばらつくことを防止できる。このため、処理ガスの温度のばらつきに起因して、基板Ｗの表面における接触角が意図せずに変動するおそれがない。すなわち、処理ガスの温度のばらつきに起因して、スペース幅Ｄが意図せずに変動するおそれがない。よって、スペースＳの寸法精度を一層向上できる。

温調エアを使って処理ガスの温度を調整するので、第１外側配管７７および導入管７８が過度に高温になることがない。よって、処理ガスを安全に取り扱うことができる。

以下、図面を参照して本発明の実施例２を説明する。
実施例２は、基板にレジストパターンを形成する基板処理方法である。実施例２に係る方法についても、実施例１で説明した基板処理装置１で行うことができる。よって、基板処理装置１の構成に関する説明を省略する。

図９を参照する。関連情報Ｆは、図９に例示する関連情報Ｆ２を含む。関連情報Ｆ２は、保持時間Ｊとスペース幅Ｄとの関係を規定する。関連情報Ｆ２は、保持時間Ｊが長くなるにしたがって、スペース幅Ｄが大きくなるような関係を規定している。保持時間Ｊは、基板Ｗに対する処理ガスの吹出を行わずに基板Ｗの表面を処理ガスで覆った状態（以下、「保持状態」と呼ぶ）を保つ時間である。保持時間Ｊは、保持工程（ステップＳ２ｄ）を行う時間に相当する。

保持時間Ｊは、基板Ｗの表面における接触角に影響を与える処理条件である。より具体的には、保持時間Ｊが長くなるほど、基板Ｗの表面における接触角が大きくなる。保持時間Ｊは、本発明の処理条件の例である。

次に、実施例２に係る基板処理方法の手順について説明する。便宜上、実施例１の図３、７を参照する。なお、実施例１と同じ動作については、適宜に説明を簡略化する。

＜ステップＳ１＞ 決定工程
制御部８５は、目標Ｅと関連情報Ｆ２とに基づいて保持時間Ｊを決定する。図９を参照する。例えば目標Ｅが値ｄ２である場合、制御部８５は保持時間Ｊを値ｊ２に決定する。

＜ステップＳ２ａ、２ｂ＞
不図示の基板搬送機構がプレート５３上に載置する（ステップＳ２ａ）。カバー５５が下方位置に移動する（ステップＳ２ｂ）。

＜ステップＳ２ｃ＞ 吹出工程
制御部８５は、流量調整弁６８、三方弁７４および吸引機構８３を制御し、処理ガスを疎水化処理ユニット３１に送る。ノズル５７は、プレート５３上の基板Ｗの表面に処理ガスを吹き出す。この際、制御部８５は、流量調整弁７２と空調制御装置７９を制御して、処理ガスのガス濃度Ｇおよび温度を一定に保つ。

＜ステップＳ２ｄ＞ 保持工程
制御部８５は、流量調整弁６８、７２を閉じ、吸引機構８３を停止させる。これにより、保持状態となる。制御部８５は、保持状態を保持時間Ｊにわたって維持する。

＜ステップＳ２ｅ＞ 不活性ガスに置換する
保持時間Ｊが経過すると、制御部８５は三方弁７４を制御して、不活性ガスを疎水化処理ユニット３１に供給させるとともに、制御部８５は吸引機構８３に吸引動作をさせ、排気孔５８を通じて処理空間Ｂから処理ガスを排出する。処理空間Ｂの気体は、処理ガスから不活性ガスに置換される。すなわち、保持状態が解除される。

＜ステップＳ２ｆ、２ｇ＞
カバー５５が上方位置に移動する（ステップＳ２ｆ）。不図示の搬送機構がプレート５３上の基板Ｗを搬出する（ステップＳ２ｇ）。

その後、図３に示すように、レジスト膜形成工程（ステップＳ３）、露光工程（ステップＳ４）および現像工程（ステップＳ５）を実行する。これにより、レジストパターンＲＰが得られる。実際に得られるスペースＳは、目標Ｅに規定された目標値に近似した、あるいは、目標Ｅに規定された目標値と実質的に同等のスペース幅Ｄを有する。

このように、実施例２に係る基板処理方法によれば、実施例１と同様の効果を奏する。すなわち、決定工程（ステップＳ１）は目標Ｅに基づいて保持時間Ｊを決定するので、適切な保持時間Ｊを好適に決定できる。また、処理工程（ステップＳ２）は決定された保持時間Ｊで基板Ｗの表面を疎水化する。疎水化された基板Ｗの表面にレジスト膜Ｒを形成し、レジスト膜Ｒを現像すれば、基板Ｗ上に寸法精度の高いレジストパターンＲＰを形成できる。具体的には、実際に得られるスペースＳの寸法精度を向上できる。

保持時間Ｊは基板Ｗの表面における接触角を変動させる処理条件であるので、スペース幅Ｄの寸法精度を好適に向上できる。また、保持時間Ｊを変えることによって、スペース幅Ｄを調整できる。

目標Ｅが規定するスペース幅Ｄが広いほど、決定工程が決定する保持時間Ｊは長くなる。これにより、実際に得られるスペースＳの寸法精度を好適に向上できる。

決定工程は関連情報Ｆ２を参照するので、保持時間Ｊを容易に決定できる。

基板Ｗ上に形成されるレジスト膜Ｒが厚膜であれば、保持時間Ｊを変えることによってペース幅Ｄを効果的に変えることができる。レジスト膜Ｒの厚さＲｔが２［μｍ］以上であれば、保持時間Ｊによってスペース幅Ｄを効果的に変えることができる。レジスト膜Ｒの厚さＲｔが６［μｍ］以上であれば、保持時間Ｊによってスペース幅Ｄを一層効果的に変えることができる。レジスト膜Ｒの厚さＲｔが８［μｍ］以上であれば、保持時間Ｊによってスペース幅Ｄをより一層効果的に変えることができる。

以下、図面を参照して本発明の実施例３を説明する。
実施例３は、基板にレジストパターンを形成する基板処理方法である。実施例３に係る方法についても、実施例１で説明した基板処理装置１で行うことができる。よって、基板処理装置１の構成に関する説明を省略する。

関連情報Ｆは関連情報Ｆ３を含む。関連情報Ｆ３はさらに関連情報Ｆ４、Ｆ５を含む。

図１０は関連情報Ｆ４を模式的に示す。関連情報Ｆ４はスペース幅Ｄと基板Ｗの表面における接触角θとの関係を規定する。関連情報Ｆ４は、接触角θが大きくなるにしたがって、スペース幅Ｄが大きくなるような関係を規定している。関連情報Ｆ４は、本発明における第１関連情報の例である。

図１１は関連情報Ｆ５を模式的に示す。関連情報Ｆ５は接触角θと処理ガスのガス温度Ｋとの関係を規定する。関連情報Ｆ５は、ガス温度Ｋが高くなるにしたがって、スペース幅Ｄが大きくなるような関係を規定している。関連情報Ｆ５は、本発明における第２関連情報の例である。

図１１に示すとおり、ガス温度Ｋは、基板Ｗの表面における接触角θに影響を与える処理条件である。より具体的には、ガス温度Ｋが高くなるほど、基板Ｗの表面における接触角θが大きくなる。ガス温度Ｋは、本発明の処理条件の例である。

次に、実施例３に係る基板処理方法の手順について説明する。便宜上、実施例１の図３、７を参照する。なお、実施例１と同じ動作については、適宜に説明を簡略化する。

＜ステップＳ１＞ 決定工程
制御部８５は、目標Ｅと関連情報Ｆ３とに基づいてガス温度Ｋを決定する。図１０、１１を参照する。例えば目標Ｅが値ｄ３である場合、制御部８５は、スペース幅ｄ３に対応する接触角θ３を特定し、接触角θ３に対応するガス温度ｋ３を特定する。そして、制御部８５は、ガス温度ｋ３をガス温度Ｋとして決定する。

＜ステップＳ２ａ、２ｂ＞
不図示の基板搬送機構がプレート５３上に載置する（ステップＳ２ａ）。カバー５５が下方位置に移動する（ステップＳ２ｂ）。

＜ステップＳ２ｃ＞ 吹出工程
制御部８５は、流量調整弁６８、三方弁７４、空調制御装置７９および吸引機構８３を制御し、ガス温度Ｋに調整された処理ガスを疎水化処理ユニット３１に送る。具体的には、制御部８５は、空調制御装置７９を制御して、温調エアの温度および供給量を制御する。空調制御装置７９は、所定温度に調整された温調エアを所定流量で導入管７８に供給する。導入管７８は、温調エアを第１外側配管７７の内部に供給する。供給された温調エアは配管６５の外面上を流れる。すなわち、配管６５の外面が温調エアに晒される。これにより、配管６５の内部を流れる処理ガスを、ガス温度Ｋに調整する。ノズル５７は、ガス温度Ｋに調整された処理ガスを基板Ｗの表面に吹き出す。

この際、制御部８５は、流量調整弁７２を制御して、処理ガスのガス濃度Ｇを一定に保つ。

＜ステップＳ２ｄ＞ 保持工程
制御部８５は、流量調整弁６８、７２を閉じ、吸引機構８３を停止させる。これにより、保持状態となる。

＜ステップＳ２ｅ＞ 不活性ガスに置換する
制御部８５は三方弁７４を制御して、不活性ガスを疎水化処理ユニット３１に供給させるとともに、制御部８５は吸引機構８３に吸引動作をさせ、排気孔５８を通じて処理空間Ｂから処理ガスを排出する。処理空間Ｂの気体は、処理ガスから不活性ガスに置換される。

＜ステップＳ２ｆ、２ｇ＞
カバー５５が上方位置に移動する（ステップＳ２ｆ）。不図示の搬送機構がプレート５３上の基板Ｗを搬出する（ステップＳ２ｇ）。

その後、図３に示すように、レジスト膜形成塗布工程（ステップＳ３）、露光工程（ステップＳ４）および現像工程（ステップＳ５）を実行する。これにより、レジストパターンＲＰが得られる。実際に得られるスペースＳは、目標Ｅに規定された目標値に近似した、あるいは、目標Ｅに規定された目標値と実質的に同等のスペース幅Ｄを有する。

このように、実施例３に係る基板処理方法によれば、実施例１と同様の効果を奏する。すなわち、決定工程（ステップＳ１）は目標Ｅに基づいてガス温度Ｋを決定するので、適切なガス温度Ｋを決定できる。また、処理工程（ステップＳ２）は決定されたガス温度Ｋの処理ガスを用いて基板Ｗの表面を疎水化する。疎水化された基板Ｗの表面にレジスト膜Ｒを形成し、レジスト膜Ｒを現像すれば、基板Ｗ上に寸法精度の高いレジストパターンＲＰを形成できる。具体的には、実際に得られるスペースＳの寸法精度を向上できる。

ガス温度Ｋは、基板Ｗの表面における接触角θを変動させる処理条件であるので、スペース幅Ｄの寸法精度を好適に向上できる。また、ガス温度Ｋを変えることによって、スペース幅Ｄを調整できる。

目標Ｅが規定するスペース幅Ｄが広いほど、決定工程が決定するガス温度Ｋは高い。これにより、実際に得られるスペースＳの寸法精度を好適に向上できる。

決定工程は関連情報Ｆ３（Ｆ４、Ｆ５）を参照するので、ガス温度Ｋを容易に決定できる。

関連情報Ｆ３は関連情報Ｆ４と関連情報Ｆ５を含む。関連情報Ｆ４はスペース幅Ｄと基板Ｗの表面における接触角θとの関係を規定する。関連情報Ｆ４が規定する関係を特定するためには、例えば、ステップＳ３からステップＳ５までの工程を実験またはシミュレーションする。ちなみに、スペース幅Ｄとガス温度Ｋとの関係を特定する作業は、ステップＳ２からステップＳ５までの工程を実験またはシミュレーションすることであり、関連情報Ｆ４の設定よりも複雑である。よって、関連情報Ｆ４を比較的に容易に設定できる。同様に、関連情報Ｆ５は、接触角θとガス温度Ｋとの関係を規定する。ここで、接触角θとガス温度Ｋとの関係は、スペース幅Ｄとガス温度Ｋとの関係よりも容易に特定できる。よって、関連情報Ｆ５を比較的に容易に設定できる。

さらに、処理条件がガス温度Ｋでない場合においても、関連情報Ｆ４を流用できる。例えば、処理条件がガス濃度Ｇである場合、関連情報Ｆ４の他に、接触角θとガス濃度Ｇとの関係を規定する関連情報Ｆ５ｇ（不図示）を準備すれば、関連情報Ｆ３を構成できる。このため、関連情報Ｆ５ｇを設定するだけで関連情報Ｆ３を構成でき、関連情報Ｆ５ｇの設定自体は容易である。このように、処理条件の種類を変更する場合や、複数の種類の処理条件を使う場合、関連情報Ｆ３を効率良く構成できる。

基板Ｗ上に形成されるレジスト膜Ｒが厚膜であれば、ガス温度Ｋを変えることによってスペース幅Ｄを効果的に変えることができる。レジスト膜Ｒの厚さＲｔが２［μｍ］以上であれば、ガス温度Ｋによってスペース幅Ｄを効果的に変えることができる。レジスト膜Ｒの厚さＲｔが６［μｍ］以上であれば、ガス温度Ｋによってスペース幅Ｄを一層効果的に変えることができる。レジスト膜Ｒの厚さＲｔが８［μｍ］以上であれば、ガス温度Ｋによってスペース幅Ｄをより一層効果的に変えることができる。

基板処理装置１は第１外側管７７と導入管７８を備えているので、配管６５の外面に温調エアを好適に供給できる。よって、決定工程で決定されたガス温度Ｋに応じて、配管６５の内部を流れる処理ガスのガス温度Ｋに好適に変えることができる。

以下、図面を参照して本発明の実施例４を説明する。
実施例４は、基板にレジストパターンを形成する基板処理方法である。実施例４に係る方法についても、実施例１で説明した基板処理装置１で行うことができる。よって、基板処理装置１の構成に関する説明を省略する。

図１２を参照する。関連情報Ｆは、図１２に例示する関連情報Ｆ６を含む。関連情報Ｆ６は、ガス濃度Ｇおよび保持時間Ｊの組み合わせと、スペース幅Ｄとの関係を規定する。実線は、ガス濃度Ｇが値ｇｈであるときの保持時間Ｊとスペース幅Ｄの関係を示す。点線は、ガス濃度Ｇが値ｇｌであるときの保持時間Ｊとスペース幅Ｄの関係を示す。ここで、ｇｈ＞ｇｌである。

関連情報Ｆ６は、次のような関係を規定する。
・ガス濃度Ｇが同じである場合、保持時間Ｊが長くなるにしたがって、スペース幅Ｄが大きくなる。
・保持時間Ｊが同じである場合、ガス濃度ｇｈに対応するスペース幅Ｄは、ガス濃度ｇｌに対応するスペース幅Ｄよりも大きい。

ガス濃度Ｇと保持時間Ｊが、本発明の処理条件の例である。

次に、実施例４に係る基板処理方法の手順について説明する。便宜上、実施例１の図３、７を参照する。なお、実施例１と同じ動作については、適宜に説明を簡略化する。

＜ステップＳ１＞ 決定工程
制御部８５は、目標Ｅと関連情報Ｆ６とに基づいてガス濃度Ｇおよび保持時間Ｊを決定する。図１２を参照する。例えば目標Ｅが値ｄｗである場合、制御部８５は、ガス濃度Ｇを値ｇｈに決定し、保持時間Ｊを保持時間ｊ４に決定する。例えば目標Ｅが値ｄｗより小さい値ｄｓである場合、制御部８５は、ガス濃度Ｇを値ｇｌに決定し、保持時間Ｊを保持時間ｊ４に決定する。

＜ステップＳ２ａ、２ｂ＞
不図示の基板搬送機構がプレート５３上に載置する（ステップＳ２ａ）。カバー５５が下方位置に移動する（ステップＳ２ｂ）。

＜ステップＳ２ｃ＞ 吹出工程
制御部８５は、流量調整弁６８、三方弁７４および吸引機構８３を制御し、ガス濃度Ｇに調整された処理ガスを基板Ｗの表面に供給する。

＜ステップＳ２ｄ＞ 保持工程
制御部８５は、流量調整弁６８、７２を閉じ、吸引機構８３を停止させる。これにより、保持状態となる。

＜ステップＳ２ｅ＞ 不活性ガスに置換する
制御部８５は三方弁７４を制御して、不活性ガスを疎水化処理ユニット３１に供給させるとともに、制御部８５は吸引機構８３に吸引動作をさせ、排気孔５８を通じて処理空間Ｂから処理ガスを排出する。処理空間Ｂの気体は、処理ガスから不活性ガスに置換される。

＜ステップＳ２ｆ、２ｇ＞
カバー５５が上方位置に移動する（ステップＳ２ｆ）。不図示の搬送機構が、プレート５３上の基板Ｗを搬出する（ステップＳ２ｇ）。

その後、図３に示すように、レジスト膜形成工程（ステップＳ３）、露光工程（ステップＳ４）および現像工程（ステップＳ５）を実行する。これにより、レジストパターンＲＰが得られる。実際に得られるスペースＳは、目標Ｅに規定された目標値に近似した、あるいは、目標Ｅに規定された目標値と実質的に同等のスペース幅Ｄを有する。

このように、実施例４に係る基板処理方法によれば、実施例１と同様の効果を奏する。すなわち、決定工程（ステップＳ１）は目標Ｅに基づいてガス濃度Ｇと保持時間Ｊを決定するので、適切なガス濃度Ｇおよび保持時間Ｊを決定できる。また、処理工程（ステップＳ２）は、決定されたガス濃度Ｇの処理ガスを用いて吹出工程を行い、決定された保持時間Ｊにわたって保持工程を実行する。疎水化された基板Ｗの表面にレジスト膜Ｒを形成し、レジスト膜Ｒを現像すれば、基板Ｗ上に寸法精度の高いレジストパターンＲＰを形成できる。具体的には、実際に得られるスペースＳの寸法精度を向上できる。

ガス濃度Ｇおよび保持時間Ｊは基板Ｗの表面における接触角を変動させる処理条件であるので、スペース幅Ｄの寸法精度を好適に向上できる。また、ガス濃度Ｇおよび保持時間Ｊを変えることによって、スペース幅Ｄを調整できる。

決定工程が目標Ｅに基づいて複数種類の処理条件（ガス濃度Ｇおよび保持時間Ｊ）を決定するので、処理条件をきめ細かく決定できる。これにより、スペース幅Ｄの寸法精度を一層向上できる。さらに、決定工程が複数種類の処理条件を決定するので、スペース幅Ｄを一層広い範囲にわたって調整できる。

例えば、保持時間Ｊが過度に短い場合、基板Ｗの表面全体を均一に疎水化できない。よって、保持時間Ｊのみを変えても、スペース幅Ｄを調整できる範囲は限られている。しかし、本実施例のように、保持時間Ｊとガス濃度Ｇの両方を変えることによって、保持時間Ｊを過度に短くすることなく、スペース幅Ｄを調整できる範囲を拡大できる。同様に、ガス濃度Ｇのみを変えても、スペース幅Ｄを調整できる範囲は限られている。しかし、本実施例のように、保持時間Ｊとガス濃度Ｇの両方を変えることによって、ガス濃度Ｇを過度に高く／低くすることなく、スペース幅Ｄを調整できる範囲を拡大できる。

決定工程は関連情報Ｆ６を参照するので、ガス濃度Ｇおよび保持時間Ｊを容易に決定できる。

以下、図面を参照して本発明の実施例５を説明する。
実施例５は、基板にレジストパターンを形成する基板処理方法である。実施例５に係る方法についても、実施例１で説明した基板処理装置１で行うことができる。よって、基板処理装置１の構成に関する説明を省略する。

実施例５の基板処理方法は、ガス濃度Ｇを変更する度に、プリディスペンス工程を行う。以下、実施例５に係る基板処理方法の手順について説明する。なお、実施例１と同じ動作については、適宜に説明を簡略化する。

図１３は、実施例５に係る基板処理方法の手順を示すフローチャートである。

＜ステップＳ１＞ 処理条件の決定（決定工程）
制御部８５は、目標Ｅと関連情報Ｆ１に基づいてガス濃度Ｇを決定する。

＜ステップＳ１１＞ 処理ガス条件が変わったか？
制御部８５は、今回、決定された処理条件と、前回、決定された処理条件との間で、処理ガス条件が変わったか否かを判断する。処理ガス条件が変わったと判断された場合、ステップＳ１２に進む。そうでない場合、ステップＳ２に進む。

ここで、「今回、決定された処理条件」は最後に決定された処理条件であり、「前回、決定された処理条件」は最後から２番目に決定された処理条件である。処理ガス条件は、処理条件のうち、特に疎水化処理工程に用いる処理ガスに関する処理条件を言う。ガス濃度Ｇは、処理ガス条件の例である。

＜ステップＳ１２＞ プリディスペンス工程
プレート５３上には基板Ｗが載置されていない。この状態で、カバー５５が下方位置に移動し、処理空間Ｂが略密閉される。制御部８５は、流量調整弁６８、三方弁７４および吸引機構８３を制御し、処理ガスを今回、決定されたガス濃度Ｇに調整して、処理空間Ｂに吹き出す。処理空間Ｂに吹き出された処理ガスは、処理ガス排出部８１によって排出される。プリディスペンス工程が終了すると、ステップＳ２に進む。

ここで、プリディスペンス工程は、今回、決定されたガス濃度Ｇでノズル５７が処理ガスを吹き出すようになるまで、継続されることが好ましい。あるいは、プリディスペンス工程は、ノズル５７から吹き出される処理ガスが決定されたガス濃度Ｇで安定するまで、継続されることが好ましい。

プリディスペンス工程は、本発明における事前吹出工程の例である。

その後、疎水化処理工程（ステップＳ２）、塗布工程（ステップＳ３）、露光工程（ステップＳ４）および現像工程（ステップＳ５）を実行する。

このように、実施例５に係る基板処理方法によれば、実施例１と同様の効果を奏する。

さらに、実施例５に係る基板処理方法はプリディスペンス工程を備えているので、処理ガスを基板Ｗ以外に向けて吹き出して、処理ガスを捨てることができる。これにより、処理ガスの吹出を試すことができる。

決定工程によって決定される処理ガス条件が変わる度に、プリディスペンス工程を行う。換言すれば、時間的に相前後して行われる２つの疎水化処理工程の間で処理ガス条件が異なるときには、前の疎水化処理工程を行った後で、かつ、後の疎水化処理工程を行う前に、プリディスペンス工程を行う。これにより、ノズル５７や配管６５の内部等に残留する変更前のガス濃度Ｇの処理ガスを捨てることができる。よって、処理ガス条件の変更後に行われる最初の疎水化処理工程であっても、変更後のガス濃度Ｇの処理ガスを基板Ｗに供給できる。よって、処理ガス条件の変更後に行われる最初の疎水化処理工程であっても、基板Ｗの表面を疎水化する処理の品質が低下することを防止できる。その結果、レジストパターンＲＰの寸法精度が低下することを抑制できる。

決定工程によって決定される処理ガス条件が変わらない場合には、プリディスペンス工程を行わずに、複数の疎水化処理工程を連続して行う。換言すれば、時間的に相前後して行われる２つの疎水化処理工程の間で処理ガス条件が同じであるときには、前の疎水化処理工程を行った後、プリディスペンス工程を行うことなく、後の疎水化処理工程を行う。これにより、基板Ｗの表面を疎水化する処理にかかる時間を短縮できる。

以下、図面を参照して本発明の実施例６を説明する。
実施例６は処理ガス温調部７６の構成において実施例１と異なる。よって、以下では、処理ガス温調部７６の構成について詳述する。なお、実施例１と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。

図１４は、疎水化処理ユニットおよびこれに関連する構成を示す図である。処理ガス温調部７６は、第１外側配管７７と導入管７８と空調制御装置７９を備えている。第１外側配管７７の一端は、配管６５に沿って、疎水化処理ユニット３１の近傍まで延びている。換言すれば、第１外側配管７７の一端は、疎水化処理ユニット３１と接続される配管６５の一端の近傍まで延びている。

第１外側管７７の一端は開放されている。第１外側管７７の一端は、第１外側配管７７の内部の気体を排出する排出口７７ａである。

導入管７８は第１外側配管７７と直接的に接続する。第１外側管７７は、排出口７７ａよりも第１外側管７７の他端に近い位置で、導入管７８と接続する。排出口７７ａは、本発明における第１排出口の例である。導入管７８は、本発明の導入部の例である。

基板処理装置１は、キャビネット９１を備えている。キャビネット９１は、気化容器６４を収容する。キャビネット９１は、さらに、疎水化処理剤供給源６１と配管６２と開閉弁６３を収容する。配管６５は、キャビネット９１を貫通するように設置されている。キャビネット９１は、配管６５の他端側の一部を収容する。

不活性ガスを供給する配管６７、７１、７５は、キャビネット９１の内部で配管９２に集合されている。配管９２はキャビネット９１を貫通するように設置されている。配管９２は、キャビネット９１の外部において、ガス供給源６６と接続されている。

キャビネット９１は、配管６７、７１、７５の全部と配管９２の一部を収容する。キャビネット９１は、さらに、流量調整弁６８と流量調整弁７２と三方弁７４を収容する。

第１外側配管７７の他端は、キャビネット９１に接続されている。第１外側配管７７の内部とキャビネット９１の内部とは、互いに連通している。

キャビネット９１は、外部に開放されている排出口９１ａを有する。キャビネット９１の内部の気体は、排出口９１ａを通じて排出される。キャビネット９１は、本発明の筐体の例である。排出口９１ａは、本発明における筐体用排出口の例である。

処理ガス温調部７６は、さらに、配管６５の外面に取り付けられる温度検出部９３を備えている。温度検出部９３は、疎水化処理ユニット３１の近くに設置されることが好ましい。より具体的には、疎水化処理ユニット３１と接続する配管６５の一端に近い位置に配置されることが好ましい。温度検出部９３は、配管６５の表面温度を直接的に検出する。これにより、温度検出部９３は、配管６５の内部を流れる処理ガスの温度を間接的に検出する。温度検出部９３は制御部８５と通信可能に接続されている。温度検出部９３の検出結果は、制御部８５に出力される。

基板処理装置１は報知部９５を備えている。報知部９５は、制御部８５と通信可能に接続されている。報知部９５は、警報をユーザーに報知する。警報は、警報音、音声などの聴覚情報でもよいし、警報ランプ、光の点滅、画像などの視覚情報でもよい。

記憶部８７は、基準範囲を記憶している。基準範囲は、温度域に関する情報である。温度域は、例えば、予め設定される処理ガスのガス温度Ｋの±１度の範囲である。温度域は、例えば、決定工程で決定される処理ガスのガス温度Ｋの±１度の範囲である。基準範囲は、少なくとも疎水化処理工程を実行する前に、予め設定されている。

このように構成される処理ガス温調部７６は、次のように動作する。
制御部８５が空調制御装置７９を制御することによって、空調制御装置７９は導入管７８に温調エアを供給する。導入管７８は第１外側配管７７の内部に温調エアを導入する。

図１４は、温調エアの流れを点線で模式的に示す。第１外側配管７７の内部において、温調エアは配管６５の外面上に沿って流れる。これにより、温調エアは、配管６５の内部を流れる処理ガスの温度を調整する。一部の温調エアは、配管６５の一端側に流れ、排出口７７ａを通じて放出される。その他の温調エアは、配管６５の他端側に流れ、キャビネット９１の内部に流入する。

キャビネット９１の内部において、温調エアは、キャビネット９１に収容される要素６１−６５、６７、６８、７１、７２、７４、７５の外面に供給される。換言すれば、キャビネット９１に収容される要素６１−６５、６７、６８、７１、７２、７４、７５の外面は、温調エアに晒される。これにより、温調エアは、各要素６１−６５、６７、６８、７１、７２、７４、７５の内部の処理ガス、不活性ガス、および、疎水化処理剤を温調する。温調エアは、排出口９１ａを通じて、筐体の外部に放出される。

制御部８５は、温度検出部９３の検出結果に基づいて、処理ガスの実際の温度を監視する。具体的には、制御部８５は、温度検出部９３の検出結果が基準範囲内にあるか否かを判断する。制御部８５による監視は、少なくとも疎水化処理ユニット３１に処理ガスを供給しているときに、実行されることが好ましい。あるいは、制御部８５による監視は、少なくとも疎水化処理ユニット３１が基板Ｗを処理しているときに、実行されることが好ましい。

温度検出部９３の検出結果が基準範囲内に無いと判断された場合、制御部８５は、報知部９５に警報を発報させる。加えて、制御部８５は、流量調整弁６８、７２等を制御して、疎水化処理ユニット３１に対する処理ガスの供給を中断させる。制御部８５は、昇降機構５６や吸引機構８３等を制御して、疎水化処理ユニット３１による処理を中断させる。他方、温度検出部９３の検出結果が基準範囲内にあると判断されている場合、制御部８５は、警報を発報しない。さらに、制御部８５は、疎水化処理ユニット３１に対する処理ガスの供給、および、疎水化処理ユニット３１による処理を許容する。

このように、実施例６によれば、以下の効果を奏する。
基板処理装置１は第１外側配管７７と導入管７８を備えているので、配管６５の内部を流れる処理ガスの温度を好適に変更および調整できる。これにより、基板Ｗの表面を精度良く疎水化でき、基板Ｗ上に寸法精度の高いレジストパターンＲＰを形成できる。

さらに、基板処理装置１は第１外側配管７７と導入管７８を備えているので、配管６５の内部を流れる処理ガスの温度を一定に保つことができる。換言すれば、処理ガスの温度が意図せずにばらつくことを防止できる。このため、処理ガスの温度のばらつきに起因して、基板Ｗの表面における接触角が意図せずに変動するおそれがない。すなわち、処理ガスの温度のばらつきに起因して、スペース幅Ｄが意図せずに変動するおそれがない。よって、スペースＳの寸法精度を一層向上できる。

第１外側配管７７の一端は、配管６５に沿って、配管６５の一端の近傍まで延びているので、疎水化処理ユニット３１に近い配管６５の部分に温調エアを供給できる。よって、疎水化処理ユニット３１で使用される処理ガスの温度を好適に管理できる。

第１外側配管７７は排出口７７ａを備えているので、温調エアは第１外側配管７７の内部を円滑に流れることができる。よって、配管６５の内部を流れる処理ガスの温度を効率良く調整できる。

第１外側管７７と導入管７８との接続位置が排出口７７ａよりも第１外側管７７の他端に近いので、一部の温調エアは第１外側配管７７からキャビネット９１に流入する。この一部の温調エアの流れは、キャビネット９１から第１外側配管７７に気体が逆流することを的確に妨げる。このため、仮に万が一、キャビネット９１内で処理ガスが漏洩したとしても、処理ガスが第１外側配管７７に流出するおそれがなく、処理ガスが第１外側配管７７を通じて疎水化処理ユニット３１の近くに及ぶおそれもない。

第１外側配管７７の内部とキャビネット９１の内部とは連通しているので、導入管７８は、第１外側配管７７を介して、キャビネット９１に温調エアを好適に供給できる。これにより、キャビネット９１の内部に設置される各要素の内部の処理ガス、不活性ガス、および、疎水化処理剤を温調できる。

具体的には、気化容器６４はキャビネット９１の内部に設置されているので、処理ガスが生成されるときから処理ガスのガス温度を調整できる。よって、処理ガスのガス温度を確実に管理できる。

疎水化処理剤供給源６１はキャビネット９１の内部に設置されているので、処理ガスの元となる疎水化処理剤の温度を調整できる。よって、処理ガスの温度を一層確実に管理できる。同様に、配管６２はキャビネット９１の内部に設置されているので、処理ガスの元となる疎水化処理剤の温度を調整できる。よって、処理ガスの温度を一層確実に管理できる。

配管６７の一部がキャビネット９１の内部に設置されているので、処理ガスの生成に用いられる不活性ガスの温度を調整できる。よって、処理ガスの温度を一層確実に管理できる。

配管７１の一部がキャビネット９１の内部に設置されているので、処理ガスの希釈に用いられる不活性ガスの温度を調整できる。よって、処理ガスの温度を一層確実に管理できる。

基板処理装置１は温度検出部９３を備えているので、処理ガスの実際の温度を好適に検知できる。

基板処理装置１は制御部８５を備えているので、処理ガスの実際の温度を好適に監視できる。

制御部８５は温度検出部９３の検出結果に基づいて警報を発報するので、処理ガスのガス温度Ｋが基準範囲外であることをユーザーに好適に知らせることができる。

制御部８５は温度検出部９３の検出結果に基づいて疎水化処理ユニット３１に対する処理ガスの供給を中断させるので、不適切な温度の処理ガスが基板Ｗに供給されることを早期に止めることができる。

制御部８５は温度検出部９３の検出結果に基づいて疎水化処理ユニット３１による処理を中断させるので、不適切な温度の処理ガスを使った処理を早期に止めることができる。

本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。

（１）上述した各実施例において、目標Ｅはスペース幅Ｄの目標値であったが、これに限られない。例えば、目標Ｅは、基準値に対する調整量でもよい。基準値は、例えば、スペース幅Ｄの上限値、下限値、許容値のいずれもでもよい。あるいは、基準値は、特定の処理条件で得られるスペース幅Ｄでもよい。調整量は、例えば、基準値から増減する距離でもよい。

（２）上述した各実施例では、処理条件として、ガス濃度Ｇ、保持時間Ｊ、ガス温度Ｋを例示したが、これに限られない。以下に、その他の処理条件を例示する。
・基板Ｗに吹き出す処理ガスのガス流量
・基板Ｗの温度
・処理ガスを基板Ｗに吹き出す吹出時間
・基板Ｗの表面を疎水化する処理時間
ここで、吹出時間は、吹出工程を行う時間に相当する。
処理時間は、保持時間Ｊおよび吹出時間などの含む包括的な概念であり、疎水化処理工程に応じて適宜に定義される。例えば、疎水化処理工程が吹出工程または保持工程を有しない場合であっても、処理時間を適宜に定義できる。

（３）上述した実施例１、２、３では決定工程は１種類の処理条件を決定し、実施例４では決定工程は２種類の処理条件を決定したが、これに限られない。決定工程は３種類以上の処理条件を決定してもよい。

（４）上述した実施例４では、決定工程によって決定される２種類の処理条件はガス濃度Ｇと保持時間Ｊであったが、これに限られない。例えば、２種類の処理条件は、上述したガス濃度Ｇ、保持時間Ｊ、ガス温度Ｋ、ガス流量、基板Ｗの温度、吹出時間、処理時間のいずれか２つであってもよい。

（５）上述した実施例５では、処理ガス条件として、ガス濃度Ｇを例示したが、これに限られない。例えば、処理ガス条件はガス温度Ｋでもよい。あるいは、処理ガス条件はガス流量であってもよい。

（６）上述した実施例５に係る基板処理方法において、プリディスペンス工程は、吹き出される処理ガスの実際の濃度を監視してもよい。本変形実施例によれば、プリディスペンス工程を終了するか否かを適切に判断でき、プリディスペンス工程を好適なタイミングで終了できる。

（７）上述した各実施例では、レジストパターンＲＰは、いわゆるラインアンドスペースであったが、これに限られない。種々のレジストパターンＲＰに、実施例に係る基板処理方法を適用できる。例えば、レジストパターンＲＰは、ホールパターンやドットパターンであってもよい。これらの変形実施例によっても、レジストパターンＲＰの寸法精度を向上できる。また、上述した各実施例では、レジストパターンＲＰは、ラインＬとスペースＳを含んでいたが、これに限られない。例えば、レジストパターンＲＰは、スペース、ライン、ホールおよびドットの少なくともいずれかを含んでもよい。ホールは、例えばスルーホールやビアホールなどである。例えばレジストパターンＲＰがホールを含む場合においても、レジストパターンＲＰの寸法精度を向上できる。例えばレジストパターンＲＰがドットを含む場合においても、レジストパターンＲＰの寸法精度を向上できる。

（８）上述した各実施例では、溶解エリアとしてスペースＳを例示し、溶解エリア寸法としてスペースＳの寸法、すなわち、スペース幅Ｄを例示したが、これに限られない。例えば、溶解エリアがホールであり、溶解エリア寸法がホールの寸法であってもよい。ホールの寸法は、例えば、ホール径である。本変形実施例によれば、ホールの寸法を好適に向上できる。あるいは、溶解エリアがドットの周囲に形成され、ドットの輪郭を画定する領域であり、溶解エリア寸法がドットの寸法であってもよい。ドットの寸法は、例えば、ドット間の距離である。本変形実施例によれば、ドットの寸法を好適に向上できる。

（９）上述した各実施例では、レジスト膜形成工程は基板処理装置１（塗布ユニット３４）において行ったが、これに限られない。すなわち、レジスト膜形成工程を基板処理装置１の外部で行ってもよい。同様に、上述した実施例では、現像工程は基板処理装置１（現像ユニット４４）において行ったが、これに限られない。すなわち、現像工程を基板処理装置１の外部で行ってもよい。

（１０）上述した各実施例に係る基板処理方法は、さらに、基板Ｗの表面に反射防止膜を形成する工程を備えてもよい。基板Ｗの表面に反射防止膜を形成する工程は、疎水化処理工程の後で、レジスト膜形成工程の前に実行されることが好ましい。
上述した実施例に係る基板処理方法において、レジスト膜の表面に保護膜を形成する工程を備えてもよい。レジスト膜の表面に保護膜を形成する工程は、レジスト膜形成工程の後で露光工程程の前に実行されることが好ましい。

（１１）上述した各実施例において、レジスト膜形成工程を基板処理装置１（塗布ユニット３４）において行ったが、これに限られない。すなわち、レジスト膜形成工程を基板処理装置１の外部で行ってもよい。同様に、上述した実施例では、現像工程を基板処理装置１（現像ユニット４４）において行ったが、これに限られない。すなわち、現像工程を基板処理装置１の外部で行ってもよい。

（１２）上述した各実施例では、導入管７８は第１外側配管７７と直接的に接続したが、これに限られない。導入管７８はキャビネット９１と直接的に接続してもよい。これによれば、導入管７８はキャビネット９１の内部に直接的に温調エアを供給できる。あるいは、導入管７８は第１外側配管７７とキャビネット９１の両方と接続してもよい。これによれば、導入管７８第１外側配管７７の内部とキャビネット９１の内部の両方に直接的に温調エアを供給できる。

図１５を参照する。図１５は、変形実施例に係る疎水化処理ユニットおよびこれに関連する構成を示す図である。なお、実施例１と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。

図示するように、処理ガス温調部７６は導入管１０１を備える。導入管１０１は空調制御装置７９と接続されている。導入管１０１はキャビネット９１と直接的に接続されており、キャビネット９１の内部に直接的に温調エアを供給する。キャビネット９１の内部の温調エアの一部は、排出口９１ａから排出される。その他の温調エアは、第１外側配管７７の内部に流入し、排出口７７ａから排出される。本変形実施例によっても、配管６５の内部を流れる処理ガスの温度を好適に変更・調整・維持できる。

（１３）上述した各実施例で説明した基板処理装置１において、さらに、疎水化処理剤の温度を専ら調整する構成を備えてもよい。また、上述した実施例で説明した基板処理装置１において、さらに、不活性ガスの温度を専ら調整する構成を備えてもよい。

図１６を参照する。図１６は、変形実施例に係る疎水化処理ユニットおよびこれに関連する構成を示す図である。なお、実施例１と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。

図示するように、疎水化処理剤供給源６１はキャビネット９１の外部に設置されている。配管６２はキャビネット９１を貫通するように設置されている。配管６２の一部は、キャビネット９１の外部に設置されている。基板処理装置１は第２外側配管１０２と導入管１０３を備えている。第２外側配管１０２は、配管６２の一部の外側に設けられ、配管６２の一部を収容する。導入管１０３は空調制御装置７９に接続されている。導入管１０３は、第２外側配管１０２の一端の近傍に接続され、第２外側配管１０２の内部に温調エアを供給する。第２外側配管１０２の他端は、第２外側配管１０２の内部の気体を排出する排出口１０２ａである。

導入管１０３が第２外側配管１０２の内部に温調エアを導入すると、導入された温調エアは、配管６２の外面上に沿って流れ、排出口１０２ａを通じて第２外側配管１０２の外部に放出される。このように、第２外側配管１０２の内部に供給された温調エアによって、処理ガスの元となる疎水化処理剤の温度を調整できる。

基板処理装置１は、第３外側配管１０７と導入管１０９を備えている。第３外側配管１０７は、配管９２の一部の外側に設けられ、配管９２の一部を収容する。キャビネット９１の外側に設置されている配管９２の部分が、第３外側配管１０７に収容される。導入管１０９は空調制御装置７９に接続されている。導入管１０９は第３外側配管１０７の一端の近傍と接続され、第３外側配管１０７の内部に温調エアを供給する。第３外側配管１０７の他端は、第３外側配管１０７の内部の気体を排出する排出口１０７ａである。配管９２は、本発明における不活性ガス管の例である。

導入管１０９が第３外側配管１０７の内部に温調エアを導入すると、導入された温調エアは、配管９２の外面上に沿って流れ、排出口１０７ａを通じて第３外側配管１０７の外部に放出される。このように、第３外側配管１０７の内部に供給された温調エアによって、処理ガスの生成／希釈に用いられる不活性ガスの温度を調整できる。

第１外側配管７７は排出口７７ａを有しない。すなわち、第１外側配管７７の一端は閉塞されている。導入管７８は、第１外側配管７７の一端の近傍に接続されている。第１外側配管７７の他端はキャビネット９１に接続されている。

導入管７８が第１外側配管７７の内部に温調エアを導入すると、導入された温調エアは、配管６５の外面上に沿って流れ、キャビネット９１に流入する。このように、第１外側配管７７の内部に供給された温調エアによって、処理ガスのガス温度Ｋを調整できる。

導入管１０３、１０９は、本発明の導入部の例である。

（１４）上述した実施例６では、第１外側管７７の一端は排出口７７ａであったが、これに限られない。例えば、第１外側管７７の一端の近傍に排出口を形成してもよい。あるいは、図１６に示す変形実施例のように、第１外側管７７の一端または一端の近傍に排出口を有しなくてもよい。

（１５）上述した実施例１、６では、第１外側管７７は配管６５の一部を収容したが、これに限られない。例えば、第１外側配管７７は配管６５の全部を収容してもよい。

（１６）上述した実施例６では、温度検出部９３の検出結果に基づいて、制御部８５は、警報の発報、疎水化処理ユニット３１に対する処理ガスの供給の中断、および、疎水化処理ユニット３１による処理の中断を行った。しかしながら、これに限られない。例えば、温度検出部９３の検出結果に基づいて、制御部８５は、警報の発報、処理ガスの供給の中断、疎水化処理ユニット３１による処理の中断の少なくともいずれかを行ってもよい。

（１７）上述した実施例６では、警報の発報、処理ガスの供給の中断、および、疎水化処理ユニット３１による処理の中断は、同じ基準を使って実行されたが、これに限られない。例えば、第１の基準範囲と第２の基準範囲と第３の基準範囲の少なくとも２つは、異なる温度域を規定するものとして、これら第１乃至第３の基準範囲を使って、警報の発報、処理ガスの供給の中断、および、疎水化処理ユニット３１による処理の中断が実行されてもよい。例えば、処理ガスの温度が第１の基準範囲内に無いと判断されたとき、制御部８５は警報の発報を実行し、処理ガスの温度が第２の基準範囲内に無いと判断されたとき、制御部８５は処理ガスの供給の中断を実行し、処理ガスの温度が第３の基準範囲内に無いと判断されたとき、制御部８５は疎水化処理ユニット３１による処理の中断を実行してもよい。

（１８）上述した各実施例では、処理ガス温調部７６を、疎水化処理剤を含む処理ガスに適用したが、これに限られない。すなわち、処理ガス温調部７６は種々の処理ガスに適用できる。例えば、処理ガス温調部７６は、疎水化処理剤以外の処理液を気化させることによって生成される処理ガスの温度を調整してもよい。

（１９）上述した各実施例では、疏水化処理剤としてＨＭＤＳを例示したが、これに限られない。例えば、処理液は、Ｎ−トリメチルシリルジメチルアミン（ＴＭＳＤＭＡ）やＮ−トリメチルシリルジエチルアミン（ＴＭＳＤＥＡ）等のシリル化剤であってもよい。処理液は、溶剤であってもよい。

（２０）上述した各実施例および上記（１）から（１９）で説明した各変形実施例については、さらに各構成を他の変形実施例の構成に置換または組み合わせるなどして適宜に変更してもよい。

以下に、前記の実施の形態の特徴を付記する。

（付記１）
基板処理装置であって、
基板を処理する処理ユニットと、
前記処理ユニットに処理ガスを供給する処理ガス管と、
前記処理ガス管の外側に設けられ、前記処理ガス管の少なくとも一部を収容する第１外側管と、
前記第１外側管の内部に温調された気体を供給する導入部と、
を備えている基板処理装置。

（付記２）
付記１に記載の基板処理装置において、
前記処理ガス管の一端は、前記処理ユニットに接続され、
前記第１外側管の一端は、前記処理ガス管に沿って前記処理ガス管の前記一端の近傍まで延びている基板処理装置。

（付記３）
付記２に記載の基板処理装置において、
前記第１外側管は、前記第１外側管の前記一端または前記一端の近傍に形成され、前記第１外側管の内部の気体を排出する第１排出口を有する基板処理装置。

（付記４）
付記３に記載の基板処理装置において、
前記第１外側管は、前記第１排出口よりも前記第１外側管の他端に近い位置で、前記導入部と接続する基板処理装置。

（付記５）
付記１から付記４のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理ガス管と接続され、処理ガスを生成する気化容器と、
前記気化容器を収容する筐体と、
を備え、
前記導入部は、さらに、前記筐体の内部に温調された気体を供給する基板処理装置。

（付記６）
付記５に記載の基板処理装置において、
前記処理ガス管は、前記筐体を貫通するように設置され、
前記第１外側管は、前記筐体に接続されており、
前記第１外側管の内部と前記筐体の内部とは、互いに連通しており、
前記導入管部は、前記第１外側管の内部から前記筐体の内部に温調された気体を流入させる基板処理装置。

（付記７）
基板処理装置であって、
基板を処理する処理ユニットと、
前記処理ユニットに処理ガスを供給する処理ガス管と、
前記処理ガスに連通接続され、処理ガスを生成する気化容器と、
前記気化容器を収容する筐体と、
前記筐体の内部に温調された気体を供給する導入部と、
を備える基板処理装置。

（付記８）
付記５から付記７のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理ガス管の少なくとも一部は、前記筐体の内部に設置されている基板処理装置。

（付記９）
付記５から付記８のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記筐体内に設けられ、前記気化容器に処理液を供給する処理液供給源を備えている基板処理装置。

（付記１０）
付記５から付記９のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記筐体は、前記筐体の内部の気体を排出する筐体用排出口を有する基板処理装置。

（付記１１）
付記５から付記１０のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記気化容器に処理液を供給する処理液管を備え、
前記処理液管の少なくとも一部は、前記筐体の内部に設置されている基板処理装置。

（付記１２）
付記５から付記１１のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記気化容器に不活性ガスを供給する不活性ガス管を備え、
前記不活性ガス管の少なくとも一部は、前記筐体の内部に設置されている基板処理装置。

（付記１３）
付記１から付記１２のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理ガス管と接続され、処理ガスを生成する気化容器と、
前記気化容器に処理液を供給する処理液管と、
前記処理液管の外側に設けられ、前記処理液管の少なくとも一部を収容する第２外側管と、
を備え、
前記導入部は、さらに、前記第２外側管の内部に温調された気体を供給する基板処理装置。

（付記１４）
付記１から付記１３のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理ガス管と接続され、処理ガスを生成する気化容器と、
前記気化容器に不活性ガスを供給する不活性ガス管と、
前記不活性ガス管の外側に設けられ、前記不活性ガス管の少なくとも一部を収容する第３外側管と、
を備え、
前記導入部は、さらに、前記第３外側管の内部に温調された気体を供給する基板処理装置。

（付記１５）
付記１から付記１４のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理ガスの温度を検出する温度検出部と、
前記温度検出部の検出結果に基づいて前記処理ガスの温度を監視する制御部と、
を備える基板処理装置。

（付記１６）
付記１５に記載の基板処理装置において、
前記制御部は、前記温度検出部の検出結果に基づいて警報の発報、前記処理ガスの供給の中断、前記処理ユニットによる処理の中断の少なくともいずれかを行う基板処理装置。

（付記１７）
付記１５または付記１６に記載の基板処理装置において、
前記制御部は、前記温度検出部によって検出された温度が、予め設定されている基準範囲内にあるか否かを判断する基板処理装置。

（付記１８）
付記１から付記１７のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理ユニットは疎水化処理ユニットであり、
前記処理液は疎水化処理剤である基板処理装置。

１ … 基板処理装置
３１ … 疎水化処理ユニット（処理ユニット）
３４ … 塗布ユニット
４４ … 現像ユニット
ＥＸＰ … 露光機
６０ … 処理ガス供給部
６１ … 疎水化処理剤供給源（処理液供給源）
６２ … 配管（処理液管）
６４ … 気化容器
６５ … 配管（処理ガス管）
６７ … 配管（不活性ガス管）
６８ … 流量調整弁
７１ … 配管
７２ … 流量調整弁
７５ … 配管
７６ … 処理ガス温調部
７７ … 第１外側管
７７ａ … 排出口（第１排出口）
７８ … 導入管（導入部）
７９ … 空調制御装置
８５ … 制御部８５
９１ … キャビネット（筐体）
９１ａ … 排出口（筐体用排出口）
９２ … 配管（不活性ガス管）
９３ … 温度検出部
１０１ … 導入管（導入部）
１０２ … 第２外側配管
１０２ａ… 排出口（第２排出口）
１０３ … 導入管（導入部）
１０７ … 第３外側配管
１０７ａ… 排出口（第３排出口）
１０９ … 導入管（導入部）
Ｂ … 処理空間
Ｃ … 可溶部幅
Ｄ … スペース幅（溶解エリア寸法）
Ｅ … 目標
Ｆ、Ｆ１−Ｆ６… 関連情報
Ｆ４ … 関連情報（第１関連情報）
Ｆ５ … 関連情報（第２関連情報）
Ｇ、 … ガス濃度
Ｊ … 保持時間
Ｋ … ガス温度
Ｌ … ライン
Ｒ … レジスト膜
Ｒａ … 可溶部
Ｒｂ … 不溶部
ＲＰ … レジストパターン
Ｓ … スペース（溶解エリア）
Ｗ … 基板
θ … 接触角

Claims (18)

1. レジストパターンの溶解エリア寸法に関する目標に基づいて、基板の表面を疎水化するときの処理条件を決定する決定工程と、
   基板の表面にレジスト膜を形成する前に、前記決定工程で決定された前記処理条件で基板の表面を疎水化する処理工程と、
   を備え、
   前記レジストパターンは、スペース、ライン、ホールおよびドットの少なくともいずれかを含み、
   前記溶解エリア寸法は、スペースの寸法、ホールの寸法、および、ドット間の距離の少なくともいずれかであり、
   前記目標が第１目標であるとき、前記決定工程は第１処理条件に決定し、
   前記目標が前記第１目標よりも広い溶解エリア寸法を規定する第２の目標であるとき、前記決定工程は、前記第１処理条件よりも基板の表面における接触角を増大させる第２処理条件に決定する基板処理方法。
2. 請求項１に記載の基板処理方法において、
   前記処理条件によって基板の表面における接触角が変わる基板処理方法。
3. 請求項１または２に記載の基板処理方法において、
   前記目標は、前記溶解エリア寸法の目標値、または、前記溶解エリア寸法の基準値に対する調整量の少なくともいずれかである基板処理方法。
4. 請求項１から３のいずれかに記載の基板処理方法において、
   前記処理条件は、前記処理工程に用いる処理ガスのガス濃度を含み、
   前記ガス濃度は、処理ガスにおける疎水化処理剤の濃度であり、
   前記目標が第１目標であるとき、前記決定工程は第１ガス濃度に決定し、
   前記目標が前記第１目標よりも広い溶解エリア寸法を規定する第２目標であるとき、前記決定工程は前記第１ガス濃度よりも高い第２ガス濃度に決定する基板処理方法。
5. 請求項１から３のいずれかに記載の基板処理方法において、
   前記処理条件は、基板に対する処理ガスの吹出を行わずに、基板の表面を前記処理ガスで覆った状態を保つ保持時間を含み、
   前記目標が第１目標であるとき、前記決定工程は第１保持時間に決定し、
   前記目標が前記第１目標よりも広い溶解エリア寸法を規定する第２目標であるとき、前記決定工程は、前記第１保持時間よりもよりも長い第２保持時間に決定する基板処理方法。
6. 請求項１から３のいずれかに記載の基板処理方法において、
   前記処理条件は、前記処理工程に用いる処理ガスのガス温度を含み、
   前記目標が第１目標であるとき、前記決定工程は第１ガス温度に決定し、
   前記目標が前記第１目標よりも広い溶解エリア寸法を規定する第２目標であるとき、前記決定工程は、前記第１ガス温度よりもよりも高い第２ガス温度に決定する基板処理方法。
7. 請求項１から６のいずれかに記載の基板処理方法において、
   前記処理条件は、
   前記処理工程に用いる処理ガスのガス濃度、
   前記処理ガスのガス温度、
   基板に吹き出す前記処理ガスのガス流量、
   前記処理ガスを基板に吹き出す吹出時間、
   基板に対する前記処理ガスの吹出を行わずに、基板の表面を前記処理ガスで覆った状態を保つ保持時間、
   基板の表面を疎水化する処理時間、
   および、基板の温度、
   の少なくともいずれかであり、
   前記ガス濃度は、処理ガスにおける疎水化処理剤の濃度である基板処理方法。
8. 請求項１から６のいずれかに記載の基板処理方法において、
   前記決定工程は、前記目標に基づいて少なくとも２種類以上の処理条件を決定する基板処理方法。
9. 請求項１から８のいずれかに記載の基板処理方法において、
   前記決定工程は、前記溶解エリア寸法と前記処理条件との関係を規定する関連情報を参照することによって、前記処理条件を決定する基板処理方法。
10. 請求項１から９のいずれかに記載の基板処理方法において、
    前記処理工程は、
    処理ガスを不活性ガスで希釈することによって処理ガスのガス濃度を調整し、前記ガス濃度が調整された前記処理ガスを基板の表面に吹き出す吹出工程と、
    基板に対する前記処理ガスの吹出を行わずに、基板の表面を前記処理ガスで覆った状態を保つ保持工程と、
    を含み、
    前記ガス濃度は、処理ガスにおける疎水化処理剤の濃度である基板処理方法。
11. 請求項１０に記載の基板処理方法において、
    前記吹出工程は、前記処理ガスのガス温度を調整する基板処理方法。
12. 請求項１から１１のいずれかに記載の基板処理方法において、
    前記基板処理方法は、さらに、処理ガスを基板以外に向けて吹き出して、前記処理ガスを捨てる事前吹出工程を備え、
    前記処理条件は、前記処理工程に用いる処理ガスに関する処理ガス条件を含み、
    前記決定工程によって前記処理ガス条件が変わったとき、前記事前吹出工程を行う基板処理方法。
13. 請求項１から１２のいずれかに記載の基板処理方法において、
    前記レジストパターンが形成されるレジスト膜の膜厚は厚膜である基板処理方法。
14. 請求項１から１３のいずれかに記載の基板処理方法において、
    疎水化された基板の表面にレジスト膜を形成する塗布工程と、
    基板の表面上のレジスト膜に現像液を供給する現像工程と、
    を備えている基板処理方法。
15. 請求項１４に記載の基板処理方法において、
    前記塗布工程の後で前記現像工程の前に行われる露光処理により、前記レジスト膜の一部が可溶部となり、かつ、前記レジスト膜のその他の部分が不溶部となり、
    前記溶解エリア寸法は、前記可溶部の寸法よりも広くならない基板処理方法。
16. 請求項１５に記載の基板処理方法において、
    前記可溶部と前記不溶部の境界は、基板の表面に対して垂直である基板処理方法。
17. 請求項１から１６のいずれかに記載の基板処理方法において、
    前記スペースの寸法は、スペース幅であり、
    前記ホールの寸法は、ホール径である基板処理方法。
18. 請求項１から１７のいずれかに記載の基板処理方法において、
    前記レジストパターンは、前記ラインと前記スペースを含み、
    前記スペースの下部における幅寸法は、前記スペースの上部における幅寸法よりも広くならない基板処理方法。

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