DE102019215340A1

DE102019215340A1 - Vorrichtung und Verfahren zum Abschirmen von thermisch zu isolierenden Komponenten in mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlagen

Info

Publication number: DE102019215340A1
Application number: DE102019215340.2A
Authority: DE
Inventors: Toralf Gruner; Joachim Hartjes; Alexander Wolf
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2019-10-07
Filing date: 2019-10-07
Publication date: 2021-04-08
Also published as: TW202127145A; WO2021069140A1

Abstract

Die Erfindung betrifft eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, insbesondere für den DUV-Bereich (400) oder für den EUV-Bereich (300), aufweisend eine bewegliche Abschirmung (100) und mindestens eine thermisch zu isolierende Komponente (110, 210). Die bewegliche Abschirmung (100) ist dazu eingerichtet, in einer Betriebspause der mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage (300, 400), zum Beispiel im Wartungsfall, die Zeitdauer zu verlängern, in der sich die Temperatur der thermisch zu isolierenden Komponente (110, 210) der Umgebungstemperatur annähert.Die Erfindung betrifft zudem ein Verfahren zum thermischen Isolieren mindestens einer Komponente (110, 210) einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage (300, 400). Zunächst wird die Lichtquelle (301, 406) in einer Betriebspause der mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage (300, 400) abgeschaltet oder abgeschattet. Anschließend wird die bewegliche Abschirmung (100) aus einer Ruheposition in eine Funktionsposition bewegt, derart, dass in der Funktionsposition die thermisch zu isolierende Komponente (110, 210) zumindest bereichsweise von der beweglichen Abschirmung (100) umschlossen ist.

Description

Hintergrund der Erfindung
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Abschirmung zum thermischen Isolieren von Komponenten in mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlagen. Zudem betrifft die Erfindung ein Verfahren zum thermischen Isolieren von Komponenten in mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlagen.
Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise oder LCDs, angewendet. Der Mikrolithographieprozess wird in einer sogenannten Projektionsbelichtungsanlage durchgeführt, welche eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv aufweist. Das Bild einer mittels der Beleuchtungseinrichtung beleuchteten Maske (= Retikel) wird hierbei mittels des Projektionsobjektivs auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (=Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnetes Substrat (z.B. ein Siliziumwafer) projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.
Die Begriffe mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, Projektionsbelichtungsanlage, (EUV- bzw. DUV-)System und Lithographiescanner werden im Folgenden synonym verwendet.
In für den DUV-Bereich ausgelegten Projektionsobjektiven, d.h. bei Wellenlängen von z.B. 193 nm bzw. 248 nm, werden vorzugsweise Linsen als optische Elemente für den Abbildungsprozess verwendet. Um eine höhere Auflösung von Lithograpieoptiken zu erreichen, werden seit einigen Jahren für den EUV-Bereich ausgelegten Projektionsobjektiven verwendet, die bei Wellenlängen von z.B. etwa 13,5 nm oder 7 nm betrieben werden.
In solchen für den EUV-Bereich ausgelegten Projektionsobjektiven, werden mangels Verfügbarkeit geeigneter lichtdurchlässiger refraktiver Materialien Spiegel als optische Elemente für den Abbildungsprozess verwendet. Diese Spiegel arbeiten entweder im nahezu senkrechten Einfall oder in streifendem Einfall. Spiegel sind aufgrund ihrer reflektierenden Wirkung auf Lichtstrahlen gegenüber Linsen wesentlich positionssensitiver. So übersetzt sich ein Spiegelkipp mit Faktor 2 in eine Strahlrichtungsänderung, während bei einer Linse typischerweise eine erhebliche Kompensation der Änderung im brechenden Strahlrichtungseinfluß zwischen Vorder- und Rückseite auftritt.
Ein wesentlicher Einfluß auf die Spiegelform stammt von der thermischen Ausdehung des Spiegelmaterials. Deshalb werden für EUV-Spiegel Materialien mit niedrigen thermischen Ausdehungskoeffizienten wie Zerodur oder ULE (ultra low expansion) eingesetzt. Solche Materialien reagieren wesentlich schwächer als Gläser oder Quarzglas auf Temperaturänderungen. Dennoch können im Rahmen des verfügbaren Aberrationsbudgets erhebliche Fehlerbeiträge auftreten. Diese Fehlerbeiträge setzen sich aus Effekten einer inhomogenen Temperaturverteilung sowie Inhomogenitäten der so genannten Nulldurchgangstemperatur (zero crossing temperatur: ZCT) im Volumen des Materials zusammen, etwa aufgrund variierender Stöchiometrie zwischen SiO2 und Ti02 im ULE Material. Sowohl lokale als auch globale Temperaturänderungen gegenüber einer vorgesehenen Betriebstemperatur der mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage können Aberrationen hervorrufen, die nur zum Teil durch Manipulatoren korrigiert werden können.
Der Betriebszustand definiert sich häufig durch eine angenommene Maximalleistung des EUV-Systems bei der Betriebswellenlänge, also zum Beispiel bei einer Wellenlänge von 13,5 nm. Wird diese Maximalleistung nicht erreicht, etwa weil ein im Mittel weniger stark reflektierendes Retikel eingesetzt wird, so können zum Beispiel gemäß des Standes der Technik Infrarotheizer „auffüllend“ heizen und dafür sorgen, dass die Spiegel nahe der gemittelten Nulldurchgangstemperatur betrieben werden, wo sie aufgrund der quadratischen Deformationsabhängigkeit vom Temperaturunterschied zu dieser Temperatur besonders unempfindlich sind.
Ein wichtiges Qualitätsmerkmal der Lithographiescanner stellt ihre Aktivzeit dar, in der tatsächlich Halbleiterbauelemente mit hoher Ausbeute gefertigt werden können („uptime“). Aus verschiedenen Gründen werden aber von Zeit zu Zeit Wartungsarbeiten erforderlich sein, bei denen der Lithographiescanner geöffnet wird und z.B. eine Kontrolle, Reinigung oder ein Austausch von Teilen erfolgt. Während im geschlossenen Lithographiescanner im Vakuum eine hohe Temperaturstabilität erreicht wird, haben bei geöffnetem Lithographiescanner Komponenten, wie zum Beispiel die Spiegel, Kontakt zur Reinraumatmosphäre. Die Reinraumatmosphäre kann vergleichsweise hohe Temperaturtoleranzen aufweisen, also deutlich kälter oder wärmer als die Betriebstemperatur von vorzugsweise Beispiel 22°C im Inneren des Lithographiescanner sein.
Im Laufe der Wartungsarbeiten gleicht sich die Temperatur der Komponenten, insbesondere der Spiegel, an die Temperatur der Reinraumatmosphäre an. Je länger der Lithographiescanner geöffnet ist, je größer also die Länge des Wartungsfenster ist, desto stärker gleicht sich die Temperatur der Spiegel an die Temperatur der Reinraumatmosphäre an. Sind die Wartungsarbeiten beendet, kann die Temperatur der Spiegel erheblich von ihrer vorgesehenen Betriebstemperatur abweichen. Entsprechend höher ist jetzt ihre Empfindlichkeit auf lokale Temperaturvariationen, wie sie sich spätestens im Betrieb aufgrund inhomogener Ausleuchtung bei EUV-typischen Absorptionskoeffizienten zwischen 15% bei streifendem Einfall des EUV-Lichtes und 40% bei senkrechtem Einfall des EUV-Lichtes einstellen können. Zugleich werden die lokalen Unterschiede im thermischen Ausdehnungskoeffizienten verstärkt wirksam. Zusammengefasst liegt ein erhöhtes und für eine hohe Gutausbeute inakzeptables Aberrationsniveau vor.
Die Begriffe Temperatur der Reinraumatmosphäre und Umgebungstemperatur werden im Folgenden synonym verwendet.
Nach dem Schließen und der Wiederinbetriebnahme des Lithographiescanner wird sich allmählich, teils unter dem Einfluß der oben erwähnten Spiegelheizer, die Temperatur der Spiegel wieder auf die vorgesehenen Werte einstellen. Da die Spiegel große und voluminöse Optikteile darstellen, weisen sie Zeitkonstanten für das Wiederangleichen ihrer Temperatur von einigen Stunden bis zu einigen Tagen auf. Das hohe Volumen begründet sich aus einem hohen korrigierten Lichtleitwert, dem teilweisen Einsatz von Spiegeln unter streifenden Einfall (der schräge Schnitt durch eine Lichtröhre hat eine höhere Fläche als der senkrechte Schnitt) sowie der Notwendigkeit, zwecks hoher Steifigkeiten eine erhebliche Spiegeldicke zu realisieren. Diese hohe Steifigkeit schützt vor Deformationen beim Einleiten von Kräften und Momenten zur Positionskorrektur und -optimierung der Spiegel im Betrieb. Zusammengefasst bedingen die hohen Zeitkonstanten erhebliche Wartezeiten des Lithographiescanner nach Wartungsfenstern, bevor der Lithographiescanner wieder seine volle Leistungsfähigkeit erreicht. Das Gütekriterium Aktivzeit „leidet“.
Angesichts der oben beschriebenen Probleme stellt sich die Aufgabe, eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Verfügung zu stellen, die die oben genannten Probleme lösen, insbesondere die Wartezeiten des Lithographiescanner nach Wartungsfenstern verkürzen.
Erfindungsgemäß wird die vorgenannte Aufgabe durch eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, insbesondere für den DUV-Bereich oder für den EUV-Bereich, mit mindestens einer beweglichen Abschirmung und mit mindestens einer thermisch zu isolierenden Komponente, gelöst. Die mindestens eine bewegliche Abschirmung ist dazu eingerichtet, in einer Betriebspause der mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, zum Beispiel im Wartungsfall, die Zeitdauer zu verlängern, in der sich die Temperatur der mindestens einen thermisch zu isolierenden Komponente der Umgebungstemperatur annähert. Dies ist besonders vorteilhaft, da sich dadurch nach der Wiederinbetriebnahme der mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage deren Aktivzeit verlängert.
In einer Ausführungsform weist die thermisch zu isolierende Komponente mindestens einen Spiegel auf. Der Spiegel ist ausgelegt zur Reflexion von elektromagnetischer Strahlung aus dem EUV-Bereich. Die Anwendung der Erfindung auf einen Spiegel ist besonders vorteilhaft, da Spiegel wie oben dargestellt besonders „empfindlich“ auf Temperaturänderungen reagieren.
In einer Ausführungsform weist die thermisch zu isolierende Komponente mindestens ein Fassungstechnik-Element auf. Für eine Vielzahl von Anwendungen ist es erforderlich, die, das optische Element umgebende, Fassungstechnik und/oder die an das optische Element kontaktierte Aktuatorik, während des Reparatur- bzw. Tausch(Swap)-Prozesses thermal möglichst stabil zu halten. Die Anwendung der Erfindung auf Fassungstechnik-Elemente ist besonders vorteilhaft. In der vorliegenden Anmeldung umfasst der Begriff Fassungstechnik-Element die Fassungstechnik und/oder die an das optische Element kontaktierte Aktuatorik. Die Fasungstechnik-Elemente können hierbei passiv oder aktuierbar sein.
In einer Ausführungsform weist das Material der beweglichen Abschirmung mindestens einen thermischen Isolator auf. Wegen seiner geringen Wärmeleitfähigkeit eignet sich ein thermischer Isolator besonders gut zur Wärmedämmung. Mit Wärmedämmung ist vorliegend die thermische Abschirmung der Komponente gemeint und zwar sowohl für den Fall, dass beim Öffnen der mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage die Temperatur der Komponente höher ist als die Umgebungstemperatur, als auch für den Fall, dass die Temperatur der Komponente niedriger ist als die Umgebungstemperatur. Die Wahl eines thermischen Isolators ist vorteilhaft, da sich dadurch die Temperatur der abgeschirmten Komponente besonders langsam an die Umgebungstemperatur annähert. Die Abschirmung kann beispielsweise PTFE (Polytetrafluorethylen, Wärmeleitfähigkeit 0,24 W/(m·K)), POM (PolyOxyMethylen, Wärmeleitfähigekeit 0,31W/(mK)) und/oder eine Silikatkeramik (Wärmeleitfähigekeit 2-4 W/mK) aufweisen.
Um die Wärmedämmung weiter zu verbessern, kann die bewegliche Abschirmung auf ihrer der thermisch zu isolierenden Komponente zugewandten Seite mit mindestens einer Beschichtung versehen sein, die für elektromagnetische Strahlung im Infrarot-Bereich zumindest teilweise reflektierend ist. Zusätzlich oder alternativ kann die bewegliche Abschirmung auf ihrer der thermisch zu isolierenden Komponente abgewandten Seite mindestens eine Beschichtung aufweisen, die die von der Umgebung ausgehende elektromagnetischen Strahlung im Infrarot-Bereich zumindest teilweise reflektiert. Dadurch kann vorteilhafterweise die Erwärmung der beweglichen Abschirmung verlangsamt werden. In einer Ausführungsform umschließt die bewegliche Abschirmung in der Betriebspause der mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage die thermisch zu isolierende Komponente zumindest bereichsweise und/oder zumindest zeitweise. Dies ist vorteilhaft, da so nur ein weiter reduzierter Austausch zwischen einem Volumen, gebildet durch den Bereich zwischen Komponente und Abschirmung, und der Reinraumatmosphäre stattfindet.
In einer Ausführungsform ist die bewegliche Abschirmung in der Betriebspause der mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage in einem Abstand zwischen 1mm und 20mm, vorzugsweise in einem Abstand zwischen 2mm und 5mm, von der thermisch zu isolierenden Komponente beabstandet. Der oben genannte Wertebereich ist vorteilhaft, da einerseits die bewegliche Abschirmung in der Betriebspause möglichst nahe an der thermisch zu isolierende Komponente angeordnet sein soll, aber andererseits der Abstand groß genug sein muss, damit die bewegliche Abschirmung beim Einbringen und beim wieder Zurückbewegen nicht mit der thermisch zu isolierenden Komponente kollidiert.
In einer Ausführungsform weist die bewegliche Abschirmung mindestens einen Hohlraum auf, der mit einem Fluid, vorzugsweise einem Gas, insbesondere Luft, gefüllt ist. Dies ist vorteilhaft, da dadurch die Wärmeleitfähigkeit weiter reduziert werden kann. Mit anderen Worten wird die Wärmedämmung gegenüber einer Abschirmung ohne fluidgefüllte Hohlräume weiter verbessert.
Auch die Temperatur der beweglichen Abschirmung selbst nähert sich nach dem Öffnen der mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage durch die Absorption der Infrarot-Strahlung ausgehend von der thermisch zu isolierenden Komponente und/oder durch den Kontakt mit der Reinraumatmosphäre langsam an die Umgebungstemperatur an. Dieses Annähern geschieht umso langsamer, je geringer die Wärmeleitfähigkeit ist. Für die damit verbundene Zeitkonstante gilt die folgende Gleichung: $τ = ({mc}_{p}) / α A_{O}$
Hierbei bedeutet m die Masse der Abschirmung, c_p deren spezifische Wärmekapazität, α deren Wärmeübergangskoeffizient und Ao deren Oberfläche.
In verschiedenen Ausführungsformen wird die bewegliche Abschirmung weitergebildet, um deren Wärmedämmung in vorteilhafter Weise beeinflussen zu können. Hierzu werden Maßnahmen vorgeschlagen, um die bewegliche Abschirmung, insbesondere in ihrer Funktionsposition, also bei geöffnetem Lithographiescanner, zu temperieren. Temperieren bedeutet hier explizit Erwärmen und/oder Kühlen. So können bei mehreren beweglichen Abschirmungen in einem einzigen Lithographiescanner die beweglichen Abschirmungen unterschiedlich temperiert werden.
Konkret kann die Abschirmung durch den Kontakt zu einem Wärmespeicher temperiert werden. Der Wärmespeicher kann einen Stoff, insbesondere ein Wachs, enthalten, der durch die Aufnahme von Schmelzwärme (=Schmelzenthalpie) von einem festen in einen flüssigen Aggregatzustand überführt wird. Für den Stoff wird ein Reservoir vorgehalten. Wenn der gesamte Stoff geschmolzen ist, wird das Reservoir ersetzt.
Alternativ oder zusätzlich kann ein Temperiermittel im Volumen der beweglichen Abschirmung fließen. Hierfür müssen Hohlräume, insbesondere Rohre, im Inneren der beweglichen Abschirmung ausgebildet sein, in denen das Temperiermittel fließt.
Alternativ oder zusätzlich kann eine Verrohrung auf der Oberfläche der beweglichen Abschirmung angeordnet sein. Die Verrohrung kann eine mäanderförmige Struktur aufweisen und aufgelötet sein. Das Temperiermittel wird in den Rohren geführt.
Alternativ oder zusätzlich kann eine elektrische Heizung der beweglichen Abschirmung durch elektrische Widerstandsdrähte in und/oder auf der beweglichen Abschirmung erreicht werden.
In einer Ausführungsform ist die mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage derart ausgebildet, dass in der Betriebspause, insbesondere zu Beginn der Betriebspause, die bewegliche Abschirmung, zum Beispiel durch einen Aktuator, aus einer Ruheposition in Richtung der thermisch zu isolierenden Komponente in eine Funktionsposition schiebbar und/oder klappbar ist. In der Ruheposition der Abschirmung ist die Lichtquelle, insbesondere die EUV-Lichtquelle, angeschaltet und wird von dem Spiegelsystem der mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage zum Wafer weitergeleitet. In der Funktionsposition der Abschirmung ist die Lichtquelle abgeschaltet oder abgeschattet und die mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage zumindest teilweise geöffnet.
In einer Ausführungsform weist die bewegliche Abschirmung mindestens ein Festkörpergelenk, insbesondere ein Drehgelenk, und/oder eine Schenkelfeder auf. Dies ist vorteilhaft, da insbesondere beim Bewegen des Festkörpergelenks kein Abrieb erfolgt und somit keine Verunreinigungen in der mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage enstehen.
In einer Ausführungsform wird die bewegliche Abschirmung entlang einer außerhalb eines optischen Nutzbereiches der mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage angeordneten Führung bewegt. Vorzugsweise erfolgt die Bewegung entlang mindestens einer Führungsschiene. Dies ist vorteilhaft, da der bei der Bewegung eventuell entstehende Abrieb vom optischen Nutzbereich zumindest teilweise ferngehalten wird.
In einer Ausführungsform ist mindestens eine zusätzliche Temperierquelle vorgesehen. Vorzugsweise ist die Temperierquelle ein Infrarot-Strahler. Der Einsatz der zusätzlichen Temperierquelle kann in vorteilhafter Weise mit allen oben genannten Maßnahmen zur Temperierung der beweglichen Abschirmung kombiniert werden.
Die Betriebstemperatur einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage im EUV-Bereich liegt bei etwa 22°C. Die Betriebstemperatur der thermisch zu isolierenden Spiegel, kann jedoch von 22°C abweichen. Als Toleranzbereich für die Spiegeltemperatur werden 15°C bis 29°C angegeben. Die Betriebstemperaturen der verschiedenen Spiegel in ein und derselben mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage können im Rahmen des oben genannten Toleranzbereiches voneinander abweichen.
Erfindungsgemäß wird die oben genannte Aufgabe auch durch ein Verfahren zum thermischen Isolieren mindestens einer Komponente einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage gelöst. Dieses Verfahren kann gemäß zweier alternativer Ausführungsformen durchgeführt werden.:

Zunächst wird die Lichtquelle z.B in einer Betriebspause der mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage abgeschaltet oder abgeschattet.

In einer ersten Ausführungsform wird anschließend die mindestens eine bewegliche Abschirmung vorzugsweise durch das Wirken eines Aktuators aus einer Ruheposition in eine Funktionsposition bewegt und zwar derart, dass in der Funktionsposition die thermisch zu isolierende Komponente zumindest bereichsweise von der beweglichen Abschirmung umschlossen ist.Anschließend kann die mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, insbesondere zu Reparaturzwecken, zumindest bereichsweise geöffnet werden. Nach der Reparatur kann die mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage wieder geschlossen werden. Danach kann die bewegliche Abschirmung vorzugsweise durch den Einsatz eines Aktuators von der Funktionsposition in die Ruheposition zurückbewegt werden.
In einer alternativen zweiten Ausführungsform wird unmittelbar nach dem Abschalten oder Abschatten der Lichtquelle die mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage zumindest bereichsweise geöffnet. Erst nach dem Öffnen wird möglichst zeitnah die mindestens eine bewegliche Abschirmung aus einer Ruheposition in eine Funktionsposition bewegt. Diese Bewegung der Abschirmung kann mittels eines Aktuators oder per Hand erfolgen. Nach der Reparatur kann die bewegliche Abschirmung von der Funktionsposition in die Ruheposition mittels eines Aktuators oder per Hand zurückbewegt werden. Anschließend kann die mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage wieder geschlossen werden.
Bei beiden alternativen Ausführungsformen kann abschließend die Lichtquelle wieder angeschaltet bzw. die Abschattung wieder entfernt werden.
Nach Durchführen der obigen Verfahrensschritte, ist die mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage nach einer Öffnung schneller wieder betriebsbereit als ohne den Einsatz der beweglichen Abschirmungen.
Figurenliste
Verschiedene Ausführungsbeispiele werden im Folgenden anhand der Figuren näher erläutert. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und zum besseren Verständnis übertrieben groß oder verkleinert dargestellt sein.

1a zeigt eine schematische Darstellung eines Ausschnittes einer erfindungsgemäßen mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage mit einer einschiebbaren Abschirmung in Ruheposition.
1b zeigt eine schematische Darstellung eines Ausschnittes einer erfindungsgemäßen mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage mit einer einschiebbaren Abschirmung in Funktionsposition.
2 a zeigt eine schematische Darstellung eines Ausschnittes einer erfindungsgemäßen mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage mit einer einklappbaren Abschirmung in Ruheposi ti on
2 b zeigt eine schematische Darstellung eines Ausschnittes einer erfindungsgemäßen mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage mit einer einklappbaren Abschirmung in Funktionsposition.
3 zeigt eine schematische Darstellung eines Ausschnittes einer erfindungsgemäßen mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage mit einer eingeschobenen Abschirmung und einer zusätzlichen Temperierquelle.
4,5,6,7,8,9 zeigen jeweils schematische Darstellungen eines Ausschnittes einer erfindungsgemäßen mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage mit einer eingeschobenen Abschirmung in Funktionsposition.
10 a zeigt eine schematische Darstellung eines Ausschnittes einer erfindungsgemäßen mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage mit einer eingeklappten Abschirmung in Funktionsposition in Schnittansicht.
10b zeigt eine schematische Darstellung eines Spiegels in Draufsicht mit zugehörigen Fassungstechnik-Elementen ohne einklappbare Abschirmung.
10c zeigt eine schematische Darstellung eines Spiegels in Draufsicht mit zugehörigen Fassungstechnik-Elementen mit einer eingeklappten Abschirmung in Funktionsposition.
11 a zeigt eine schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage für den EUV-Bereich mit einer einklappbaren Abschirmung in Ruheposition.
1 1b zeigt eine schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage für den EUV-Bereich mit einer eingeklappten Abschirmung in Funktionsposition.
12a zeigt eine schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage für den DUV-Bereich mit einer einklappbaren Abschirmung in Ruheposition.
12b zeigt eine schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage für den DUV-Bereich mit einer eingeklappten Abschirmung in Funktionsposition.

Bester Weg zur Ausführung der Erfindung
1a zeigt eine schematische Darstellung eines Ausschnittes einer erfindungsgemäßen mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage für den DUV-Bereich 400 oder für den EUV-Bereich 300 mit einer einschiebbaren beweglichen Abschirmung 100 in Ruheposition. Es sind unter anderem die bewegliche Abschirmung 100 und eine thermisch zu isolierende Komponente 110 dargestellt. Die thermisch zu isolierende Komponente 110 ist vorliegend ein Spiegel, insbesondere ausgelegt zur Reflexion von elektromagnetischer Strahlung aus dem EUV-Bereich. Der Spiegel 110 wird durch Fassungstechnik-Elemente 210, die eine Mechanik und/oder eine Aktorik aufweisen, gehalten und/oder aktuiert. Die Fassungstechnik-Elemente 210 selbst sind an eine Tragstruktur 114 angebunden und werden von dieser getragen. Die mindestens eine bewegliche Abschirmung 100 ist dazu eingerichtet, in einer Betriebspause der mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage 300, 400, zum Beispiel im Wartungsfall, die Zeitdauer zu verlängern, in der sich die Temperatur der thermisch zu isolierenden Komponente 110 der Umgebungstemperatur annähert. Das Material der beweglichen Abschirmung 100 weist mindestens einen thermischen Isolator auf, vorzugsweise PTFE und/oder POM und/oder eine Silikatkeramik. Die bewegliche Abschirmung 100 ist entlang einer Führungsschiene 111, die vorzugsweise außerhalb eines optischen Nutzbereiches angeordnet ist, führbar. Die bewegliche Abschirmung 100 wird vorzugsweise durch einen Aktuator 122 bewegt. Aber auch ein manuelles Bewegen der beweglichen Abschirmung 100 ohne den Einsatz eines Aktuators 122 ist möglich.
1b zeigt eine schematische Darstellung eines Ausschnittes einer erfindungsgemäßen mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage für den DUV-Bereich 400 oder für den EUV-Bereich 300 mit der auf der Schiene 111 einschiebbaren Abschirmung 100 in Funktionsposition. In einer Betriebspause der mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage 400, 300, insbesondere zu Beginn der Betriebspause, wird die bewegliche Abschirmung 100, insbesondere durch den Aktuator 122, aus der Ruheposition in Richtung der thermisch zu isolierenden Komponente 110 in eine Funktionsposition bewegt. Die bewegliche Abschirmung 100 umschließt in der Betriebspause der mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage die zu isolierende Komponente 110 zumindest bereichsweise und/oder zumindest zeitweise. Die bewegliche Abschirmung 100 ist in der Betriebspause der mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage in einem Abstand zwischen 1mm und 20mm, vorzugsweise in einem Abstand zwischen 2mm und 5mm, von der thermisch zu isolierenden Komponente 110 beabstandet.
2 a zeigt eine schematische Darstellung eines Ausschnittes einer erfindungsgemäßen mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage 400, 300 mit einer einklappbaren beweglichen Abschirmung 100 in Ruheposition. Die bewegliche Abschirmung 100 weist ein Festkörpergelenk 102 auf, das beispielsweise als ein Drehgelenk, und/oder eine Schenkelfeder ausgebildet ist. Es ist ein Aktuator 122 vorgesehen, um die beweglichen Abschirmung 100 von der Ruheposition in die Funktionsposition zu klappen.
2 b zeigt eine schematische Darstellung eines Ausschnittes einer erfindungsgemäßen mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage 400, 300 mit einer eingeklappten beweglichen Abschirmung 100 in Funktionsposition. In der Betriebspause der mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, insbesondere zu Beginn der Betriebspause, wird die bewegliche Abschirmung 100, durch einen Aktuator 122 oder alternativ per Hand aus einer Ruheposition in Richtung der thermisch zu isolierenden Komponente 110 in eine Funktionsposition geklappt.
3 zeigt eine schematische Darstellung eines Ausschnittes einer erfindungsgemäßen mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage 400, 300 mit einer eingeschobenen beweglichen Abschirmung 100 und einer zusätzlichen Temperierquelle 104. Die zusätzliche Temperierquelle 104 kann beispielsweise als Infrarot (106)-Strahler ausgebildet sein, der den Bereich zwischen der beweglichen Abschirmung 100 und der zu isolierenden Komponente 110 temperiert.
4 zeigt eine schematische Darstellung eines Ausschnittes einer erfindungsgemäßen mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage 400, 300 mit einer eingeschobenen beweglichen Abschirmung 100, wobei die bewegliche Abschirmung 100 in ihrem Volumen Hohlräume 108 aufweist. Die Hohlräume 108 können mit einem Fluid 109, insbesondere mit Luft, gefüllt sein, um vorteilhafterweise die Wärmeleitfähigkeit der beweglichen Abschirmung 100 weiter zu reduzieren.
5 zeigt eine schematische Darstellung eines Ausschnittes einer erfindungsgemäßen mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage 400, 300 mit einer eingeschobenen beweglichen Abschirmung 100, wobei die Hohläume 108 mit einem Temperiermittel 119, vorzugsweise Wasser oder Luft, durchströmt werden. Mit dem Temperiermittel 119 kann die Temperatur der beweglichen Abschirmung 100 eingestellt werden, also sowohl geheizt als auch gekühlt werden.
6 zeigt eine schematische Darstellung eines Ausschnittes einer erfindungsgemäßen mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage mit einer eingeschobenen beweglichen Abschirmung 100, wobei die bewegliche Abschirmung 100, insbesondere in ihrem Volumen, elektrisch leitende Heizdrähte 107 aufweist. Diese Heizdrähte 107 sind vorzugsweise regelmäßig angeordnet.
7 zeigt eine schematische Darstellung eines Ausschnittes einer erfindungsgemäßen mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage mit einer eingeschobenen beweglichen Abschirmung 100, wobei die bewegliche Abschirmung 100 in Kontakt mit einem Wärmespeicher 105 ist. Durch den Kontakt mit dem Wärmespeicher 105 kann die bewegliche Abschirmung 100 temperiert werden.
8 zeigt eine schematische Darstellung eines Ausschnittes einer erfindungsgemäßen mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage mit einer eingeschobenen beweglichen Abschirmung 100, wobei das Temperiermittel 119, vorzugsweise Luft oder Wasser, in einer auf die bewegliche Abschirmung 100 aufgelöteten Verrohrung 103 fließt.
9 zeigt eine schematische Darstellung eines Ausschnittes einer erfindungsgemäßen mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage mit einer eingeschobenen Abschirmung 100 in Funktionsposition. Die bewegliche Abschirmung 100 weist auf ihrer der thermisch zu isolierenden Komponente 110 zugewandten Seite eine Beschichtung 101 auf, die für die von der thermisch zu isolierenden Komponente 110 ausgehenden elektromagnetischen Strahlung im Infrarot-Bereich zumindest teilweise reflektierend ist. Zusätzlich oder alternativ kann die bewegliche Abschirmung 100 auf ihrer der thermisch zu isolierenden Komponente 110 abgewandten Seite eine Beschichtung 113 aufweisen, die die von der Umgebung ausgehende elektromagnetischen Strahlung im Infrarot-Bereich zumindest teilweise reflektiert.
10a zeigt eine schematische Darstellung eines Ausschnittes einer erfindungsgemäßen mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage mit einer eingeklappten bzw. eingeschwenkten 140 beweglichen Abschirmung 100 in Funktionsposition in Schnittansicht. Nach dem Einklappen kann die beweglichen Abschirmung 100 linear positioniert 130 werden. Durch die lineare Positionierbarkeit 130 kann der Abstand der Abschirmung 100 zu den thermisch zu isolierenden Elementen 210 eingestellt werden. Die thermisch zu isolierenden Komponenten 210 sind vorliegend Fassungstechnik-Elemente. Es ist eine bewegliche Abdeckung 100 gezeigt, welche das optische Element 110 am Umfang umgibt und die Fassungstechnik-Elemente 210 zumindest bereichsweise abdeckt. Unter Fassungstechnik-Element 210 wird im vorliegenden Ausführungsbeispiel eine Mechanik oder eine Aktorik verstanden, welche an das optische Element 110 kontaktiert ist oder an das optische Element angrenzt. In der Figur sind, wie oben schon erwähnt, die (lineare) Positionierrichtung 130 der Abdeckung 100 und die Einschwenkrichtung 140 der Abdeckung 100 gezeigt. Es sind zwei zusätzliche Temerierquellen 104 gezeigt, deren Funktion schon im Ausführungsbeispiel der 3 dargestellt ist. Die Erfindung ist natürlich auch ohne zusätzliche Temperierquellen 104 ausführbar.
10b zeigt eine schematische Darstellung eines Spiegels 110 in Draufsicht mit zugehörigen Fassungstechnik-Elementen 210 ohne einklappbare Abschirmung bzw. mit der (in der 10b nicht gezeigten) einklappbaren Abschirmung 100 in Ruheposition.
10c zeigt eine schematische Darstellung eines Spiegels in Draufsicht mit zugehörigen Fassungstechnik-Elementen 210 mit einer eingeschwenkten Abschirmung 100 in Funktionsposition. Die Fassungstechnik-Elemente 210 sind von der beweglichen Abschirmung 100 nahezu vollständig abgedeckt. Die bewegliche Abschirmung 100 hat eine Ringform und umläuft das optische Element 110 vollständig. Die Fassungstechnik-Elemente 210 werden also nahezu vollständig thermal abgeschirmt.
11a zeigt eine schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage für den EUV-Bereich 300 mit einer einklappbaren beweglichen Abschirmung 100 in Ruheposition. Es ist eine Beleuchtungseinrichtung gezeigt mit einem Feldfacettenspiegel 303 und einem Pupillenfacettenspiegel 304. Auf den Feldfacettenspiegel 303 wird das Licht einer Lichtquelleneinheit, welche eine Plasmalichtquelle 301 und einen Kollektorspiegel 302 umfasst, gelenkt. Im Lichtweg nach dem Pupillenfacettenspiegel 304 sind ein erster Teleskopspiegel 305 und ein zweiter Teleskopspiegel 306 angeordnet. Im Lichtweg nachfolgend ist ein Grazing- incidence Spiegel 307 angeordnet, der die auf ihn treffende Strahlung auf ein Objektfeld in der Objektebene eines sechs Spiegel 351-356 umfassenden Projektionsobjektivs lenkt. Am Ort des Objektfeldes ist eine reflektierende strukturtragende Maske 321 auf einem Maskentisch 320 angeordnet, die mit Hilfe des Projektionsobjektivs in eine Bildebene abgebildet wird, in welcher sich ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes Substrat 361 auf einem Wafertisch 360 befindet. Grob schematisch sind der Kraftrahmen 380, der im Wesentlichen die Spiegel des Projektionsobjektives trägt, und der Sensorrahmen 370, der im Wesentlichen als Referenz für die Position der Spiegel des Projektionsobjektives dient, dargestellt. Exemplarisch ist eine erfindungsgemäße Abschirmung 100 dargestellt, die über ein Festkörpergelenk 102 bewegbar gelagert ist. Schematisch ist zudem ein Aktuator 122 dargestellt, der zum Antrieb der beweglichen Abschirmung 100 von einer Ruheposition in eine Funktionsposition und wieder zurück dient. 10a zeigt demnach die bewegliche Abschirmung 100 in der Ruheposition. Die EUV-Lichtquelle 301 ist angeschaltet. Die mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage 300 ist hier im Betrieb gezeigt.
11b zeigt eine schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage 300 für den EUV-Bereich mit einer eingeklappten beweglichen Abschirmung 100 in Funktionsposition. Die Abschirmung 100 schirmt in 11b rein exemplarisch nur einen Spiegel 355 ab. Es können jedoch auch mehrere oder alle Spiegel 352 bis 355 durch jeweils eine bewegliche Abschirmung 100 abgeschirmt werden. Die EUV-Lichtquelle 301 ist abgeschaltet. Die mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage 300 ist zu Wartungszwecken zumindest teilweise geöffnet (nicht in der 11b dargestellt).
12a zeigt eine schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage für den DUV-Bereich 400 mit einer eingeklappbaren beweglichen Abschirmung 100 in Ruheposition. Die DUV-Projektionsbelichtungsanlage 400 umfasst eine Strahlformungs- und Beleuchtungseinrichtung 402 und ein Projektionsobjektiv 404. Dabei steht DUV für „tiefes Ultraviolett“ (Engl.: deep ultraviolet, DUV) und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 30 und 250 nm.
Die DUV- Projektionsbelichtungsanlage 400 weist eine DUV-Lichtquelle 406 auf. Als DUV-Lichtquelle 406 kann beispielsweise ein ArF-Excimerlaser vorgesehen sein, welcher Strahlung 408 im DUV-Bereich bei beispielsweise 193 nm emittiert.
Die in 12a dargestellte Strahlformungs- und Beleuchtungseinrichtung 402 leitet die DUV-Strahlung 408 auf eine Photomaske 420. Die Photomaske 420 ist als transmissives optisches Element ausgebildet und kann außerhalb der Strahlformungs- und Beleuchtungseinrichtung 402 und des Projektionsobjektivs 404 angeordnet sein. Die Photomaske 420 weist eine Struktur auf, welche mittels des Projektionsobjektives 404 verkleinert auf einen Wafer 424 oder dergleichen abgebildet wird.
Das Projektionsobjektiv 404 weist mehrere Linsen 428, 440 und/oder Spiegel 430 zur Abbildung der Photomaske 420 auf den Wafer 424 auf. Dabei können einzelne Linsen 428,440 und/oder Spiegel 430 des Projektionsobjektivs 404 symmetrisch zur optischen Achse 426 des Projektionsobjektivs 404 angeordnet sein. Es sollte beachtet werden, dass die Anzahl der Linsen und Spiegel der DUV- Projektionsbelichtungsanlage 400 nicht auf die dargestellte Anzahl beschränkt ist. Es können auch mehr oder weniger Linsen und/oder Spiegel vorgesehen sein. Des Weiteren sind die Spiegel in der Regel an ihrer Vorderseite zur Strahlformung gekrümmt.
Ein Luftspalt zwischen der letzten Linse 440 und dem Wafer 424 kann durch ein flüssiges Medium 432 ersetzt sein, welches einen Brechungsindex > 1 aufweist. Das flüssige Medium 432 kann beispielsweise hochreines Wasser sein. Ein solcher Aufbau wird auch als Immersionslithographie bezeichnet und weist eine erhöhte photolithographische Auflösung auf.
In 12b ist die erfindungsgemäße bewegliche Abschirmung 100 in Funktionsposition, also im eingeklappten Zustand, dargestellt und schirmt beispielhaft einen der beiden Spiegel 430 thermisch ab. Auch hier sind schematisch ein Festkörpergelenk 102 und ein Aktuator 122 dargestellt. Die dargestellte mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage für den DUV-Bereich 400 ist im Ruhezustand, also zum Beispiel wenn sie zu Wartungszwecken zumindest teilweise geöffnet ist.
Wenn die Erfindung auch anhand spezieller Ausführungsformen beschrieben wurde, erschließen sich für den Fachmann zahlreiche Variationen und alternative Ausführungsformen, z.B. durch Kombination und/oder Austausch von Merkmalen einzelner Ausführungsformen. Dementsprechend versteht es sich für den Fachmann, dass derartige Variationen und alternative Ausführungsformen von der vorliegenden Erfindung mit umfasst sind, und die Reichweite der Erfindung nur im Sinne der beigefügten Patentansprüche und deren Äquivalente beschränkt ist.
Bezugszeichenliste

100: bewegliche Abschirmung
101: Infrarot-Strahlung reflektierende Schicht
102: Festkörpergelenk
103: Verrohrung auf der Oberfläche der beweglichen Abschirmung
104: zusätzliche Temperierquelle
105: Wärmespeicher
106: Temperierfluid und/oder Infrarot-Strahlung
107: Heizdrähte
108: Öffnungen im Volumen der beweglichen Abschirmung
109: Fluid
110: thermisch zu isolierende Komponente, insbesondere Spiegel
111: Schiene
113: Infrarot-Strahlung reflektierende Schicht
114: Tragstruktur
119: Temperiermittel
122: Aktuator
130: Positionierrichtung der Abdeckung
140: Einschwenkrichtung der Abdeckung
210: thermisch zu isolierende Komponente, insbesondere Fassungstechnik-Element
300: EUV-Projektionsbelichtungsanlage (=EUV-System)
301 bis 360: Teile der EUV-Projektionsbelichtungsanlage
370: Sensorrahmen
380: Kraftrahmen
400: DUV-Projektionsbelichtungsanlage (=DUV-System)
402 bis 440: Teile der DUV-Projektionsbelichtungsanlage

Claims

Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, insbesondere für den DUV-Bereich (400) oder für den EUV-Bereich (300), aufweisend mindestens eine bewegliche Abschirmung (100) und mindestens eine thermisch zu isolierende Komponente (110, 210), wobei die mindestens eine bewegliche Abschirmung (100) dazu eingerichtet ist, in einer Betriebspause der Mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage (300, 400), zum Beispiel im Wartungsfall, die Zeitdauer zu verlängern, in der sich die Temperatur der mindestens einen thermisch zu isolierenden Komponente (110, 210) der Umgebungstemperatur annähert.
Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 1, wobei die thermisch zu isolierende Komponente (110) mindestens einen Spiegel, insbesondere ausgelegt zur Reflexion von elektromagnetischer Strahlung aus dem EUV-Bereich, aufweist.
Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 1 oder 2, wobei die thermisch zu isolierende Komponente (210) mindestens ein Fassungstechnik-Element aufweist.
Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage nach einem der vorigen Ansprüche, wobei das Material der bewegliche Abschirmung (100) mindestens einen thermischen Isolator aufweist, vorzugsweise: -PTFE, -POM, -Silikatkeramik.
Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage nach einem der vorigen Ansprüche, wobei die bewegliche Abschirmung (100) auf ihrer der thermisch zu isolierenden Komponente (110, 210) zugewandten Seite mit mindestens einer Beschichtung (101) versehen ist, die für elektromagnetische Strahlung im Infrarot-Bereich zumindest teilweise reflektierend ist.
Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage nach einem der vorigen Ansprüche, wobei die bewegliche Abschirmung (100) auf ihrer der thermisch zu isolierenden Komponente (110, 210) abgewandten Seite mit mindestens einer Beschichtung (113) versehen ist, die für elektromagnetische Strahlung im Infrarot-Bereich zumindest teilweise reflektierend ist.
Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage nach einem der vorigen Ansprüche, wobei die bewegliche Abschirmung (100) in der Betriebspause der mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage die thermisch zu isolierende Komponente (110, 210) zumindest bereichsweise und/oder zumindest zeitweise umschließt.
Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage nach einem der vorigen Ansprüche, wobei die bewegliche Abschirmung (100) in der Betriebspause der mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage in einem Abstand zwischen 1mm und 20mm, vorzugsweise in einem Abstand zwischen 2mm und 5mm von der thermisch zu isolierenden Komponente (110, 210) beabstandet ist.
Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage nach einem der vorigen Ansprüche, wobei die bewegliche Abschirmung (100) mindestens einen Hohlraum (108) aufweist, der mit einem Fluid (109), vorzugsweise mit Luft, gefüllt ist.
Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage nach einem der vorigen Ansprüche, wobei die bewegliche Abschirmung (100) temperierbar ist, vorzugsweise durch mindestens eine der folgenden Maßnahmen: - Kontakt mit einem Wärmespeicher (105), - Temperiermittel (119)-fluss im Volumen der beweglichen Abschirmung (100), - Temperiermittel (119)-fluss in einer, insbesondere aufgelöteten, Verrohrung (103) auf der Oberfläche der beweglichen Abschirmung (100), - elektrische Heizung durch elektrische Widerstandsdrähte (107) in und/oder auf der beweglichen Abschirmung (100).
Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage nach einem der vorigen Ansprüche, wobei in der Betriebspause der mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, insbesondere zu Beginn der Betriebspause, die bewegliche Abschirmung (100), insbesondere durch mindestens einen Aktuator (122), aus einer Ruheposition in Richtung der thermisch zu isolierenden Komponente (110, 210) in eine Funktionsposition schiebbar und/oder klappbar ist.
Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage nach einem der vorigen Ansprüche, wobei die bewegliche Abschirmung (100) mindestens ein Festkörpergelenk (102), insbesondere ein Drehgelenk, und/oder eine Schenkelfeder aufweist.
Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage nach einem der vorigen Ansprüche, wobei die bewegliche Abschirmung (100) mindestens eine außerhalb eines optischen Nutzbereiches angeordnete Führung aufweist, zum Beispiel in Form von mindestens einer Führungsschiene (111).
Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage nach einem der vorigen Ansprüche, aufweisend mindestens eine Temperierquelle (104), insbesondere mindestens einen Infrarot (106)-Strahler, wobei die Temperierquelle (104) den Bereich zwischen der beweglichen Abschirmung (100) und der zu isolierenden Komponente (110, 210) temperiert.
Verfahren zum thermischen Isolieren mindestens einer Komponente einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, mit mindestens den Schritten: - Abschalten oder Abschatten mindestens einer Lichtquelle (301, 406) in einer Betriebspause der mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, - Bewegen mindestens einer beweglichen Abschirmung (100) aus einer Ruheposition in eine Funktionsposition, derart, dass in der Funktionsposition die thermisch zu isolierende Komponente (110, 210) zumindest bereichsweise von der beweglichen Abschirmung (100) umschlossen ist.