WO2024052260A1 - Heizanordnung, sowie optisches system und verfahren zum heizen eines optischen elements - Google Patents

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WO2024052260A1
WO2024052260A1 PCT/EP2023/074140 EP2023074140W WO2024052260A1 WO 2024052260 A1 WO2024052260 A1 WO 2024052260A1 EP 2023074140 W EP2023074140 W EP 2023074140W WO 2024052260 A1 WO2024052260 A1 WO 2024052260A1
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WO
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heating
optical element
optical
intensity distribution
dimensional intensity
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PCT/EP2023/074140
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English (en)
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Inventor
Andreas Hofmaier
Daniel Zemann
Vladimir MITEV
Ingo Gerhold
Original Assignee
Carl Zeiss Smt Gmbh
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Publication date
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G03F7/70891—Temperature

Definitions

  • Heating arrangement as well as optical system
  • the invention relates to a heating arrangement and an optical system and a method for heating an optical element in an optical system, in particular in a microlithographic projection exposure system.
  • Microlithography is used to produce microstructured components, such as integrated circuits or LCDs.
  • the microlithography process is carried out in a so-called projection exposure system, which has an illumination device and a projection lens.
  • a substrate e.g. a silicon wafer
  • a light-sensitive layer photoresist
  • mirrors are used as optical components for the imaging process due to the lack of availability of suitable translucent refractive materials.
  • a problem that occurs in practice is that the EUV mirrors experience heating and associated thermal expansion or deformation as a result of, among other things, absorption of the radiation emitted by the EUV light source, which in turn can result in an impairment of the imaging properties of the optical system .
  • the problem can arise that an EUV mirror is exposed to changing intensities of the incident electromagnetic radiation, even locally, during operation of the microlithographic projection exposure system, for example due to the use of lighting settings with intensity varying over the optical effective surface of the respective EUV mirror.
  • Possible further approaches include direct electrical heating or active direct cooling, although such approaches involve increased design effort due to the necessary supplies (e.g Power supplies or cooling water supplies) and, on the other hand, problems can arise due to the typically limited installation space.
  • Another approach involves the use of a heating arrangement based on infrared radiation. With such a heating arrangement, active mirror heating can take place in phases of comparatively low absorption of useful EUV radiation, with this active mirror heating being reduced accordingly as the absorption of the useful EUV radiation increases.
  • IR infrared
  • a heating arrangement for heating an optical element, in particular in a microlithographic projection exposure system has:
  • the invention is initially based on the approach, known per se, of avoiding or at least reducing thermally induced deformations of an optical element (in particular a mirror) in an optical system by using a radiation-based heating arrangement that is suitable in each case - and in particular if necessary Heating profile is set to match the lighting setting currently used.
  • the invention is based in particular on the concept of first realizing a two-dimensional intensity distribution suitable for the currently desired heating profile with regard to the heating radiation used and then transporting this two-dimensional intensity distribution via an image guide implemented as an optical fiber bundle to an imaging optics, via which the said intensity distribution is then transported is projected onto the optical element.
  • the further advantage is achieved according to the invention that the actual "image formation" can be brought forward to provide the desired heating profile in an area which is comparatively far away from the optical element to be heated and in particular, for example, can also be located outside a housing of the respective optical system (e.g. projection lens), where typically more installation space is available and lower requirements exist with regard to the ambient (e.g. vacuum) conditions.
  • the respective optical system e.g. projection lens
  • a particularly flexible heating profile that can be specifically adapted to the current operating scenario (particularly with regard to the lighting setting used) can be realized with reduced complexity and lower installation space requirements in the area of the optical element to be heated, with the result that the efficiency in avoidance is also increased thermally induced deformations and thus the achievable precision in the lithography process can be increased.
  • the heating arrangement according to the invention can be used to create a heating profile that is complementary to this lighting setting or the temperature distribution thereby generated in the optical element (ie with irradiation, among other things, of the vertically opposite segments).
  • the optical effective surface on the optical element or mirror can be generated in order to achieve a locally as possible to achieve homogeneous temperature distribution in the optical element and accordingly to effectively avoid thermally induced deformations.
  • this different heating profile can then be generated in a flexible manner using the same structural design and without exchanging components by correspondingly generating a different two-dimensional intensity distribution .
  • a further advantage of the flexible adjustment according to the invention of the two-dimensional intensity distribution suitable depending on the desired heating profile before coupling into the image guide according to the invention results from the fact that any installation or adjustment inaccuracies with regard to the fiber bundle output relative to the imaging optics can be accepted, since such inaccuracies recorded by measurement and then compensated by appropriate control of the device for generating the respective two-dimensional intensity distribution of the heating radiation before coupling into the image guide or the optical fiber bundle. This can significantly simplify the assembly or adjustment process.
  • An additional advantage of the invention is that comparatively complex process steps in the production of the optical element, such as the attachment of heating wires that can be supplied with electrical current, are unnecessary.
  • the device is configured for the variably adjustable generation of different two-dimensional intensity distributions.
  • the image guide has a fiber bundle made of a plurality of optical fibers.
  • This fiber bundle can in particular have at least fifty, more particularly at least a hundred optical fibers in a common sheath.
  • the heating arrangement has imaging optics arranged in the optical path between the device for generating a two-dimensional intensity distribution and the image guide.
  • the device for generating a two-dimensional intensity distribution has a mirror arrangement, in particular a MEMS mirror arrangement.
  • the device for generating a two-dimensional intensity distribution has an LCD display.
  • the light source is designed to generate infrared radiation.
  • the invention also relates to an optical system, in particular a microlithographic projection exposure system, with at least one optical element and a heating arrangement for heating this optical element, the heating arrangement being designed in accordance with the features described above.
  • the optical element is a mirror.
  • the optical element is designed for a working wavelength of less than 30 nm, in particular less than 15 nm.
  • the invention further also relates to a method for heating an optical element in an optical system, wherein different heating profiles are set in the optical element using a heating arrangement with the features described above.
  • the optical element is heated in such a way that a heating profile set with the heating arrangement is selected depending on a lighting setting used in the optical system.
  • the optical element is heated in such a way that a local and/or temporal variation of a temperature distribution in the optical element is reduced.
  • Figure 1 shows a schematic representation of the possible structure of a heating arrangement according to the invention for heating an optical element in an optical system according to one embodiment
  • Figure 2 is a schematic representation of the possible structure of a heating arrangement according to the invention for heating an optical element in an optical system according to a further embodiment; and Figure 3 shows a schematic representation of the possible structure of a microlithographic projection exposure system designed for operation in EUV.
  • Fig. 3 first shows schematically in meridional section the possible structure of a microlithographic projection exposure system designed for operation in EUV, in which the invention can be implemented, for example.
  • the projection exposure system 1 has an illumination device 2 and a projection lens 10.
  • One embodiment of the lighting device 2 of the projection exposure system 1 has, in addition to a light or radiation source 3, lighting optics 4 for illuminating an object field 5 in an object plane 6.
  • the light source 3 can also be provided as a module separate from the other lighting device. In this case, the lighting device does not include the light source 3.
  • a reticle 7 arranged in the object field 5 is exposed.
  • the reticle 7 is held by a reticle holder 8.
  • the reticle holder 8 can be displaced in particular in a scanning direction via a reticle displacement drive 9.
  • a Cartesian xyz coordinate system is shown in FIG. 3 for explanation purposes.
  • the x direction runs perpendicular to the drawing plane.
  • the y-direction is horizontal and the z-direction is vertical.
  • the scanning direction runs along the y-direction in FIG. 3.
  • the z direction runs perpendicular to the object plane 6.
  • the projection lens 10 is used to image the object field 5 into an image field 11 in an image plane 12.
  • a structure on the reticle 7 is imaged onto a light-sensitive layer of a wafer 13 arranged in the area of the image field 11 in the image plane 12.
  • the wafer 13 becomes from a wafer holder 14 held.
  • the wafer holder 14 can be displaced in particular along the y direction via a wafer displacement drive 15.
  • the displacement, on the one hand, of the reticle 7 via the reticle displacement drive 9 and, on the other hand, of the wafer 13 via the wafer displacement drive 15 can be carried out synchronously with one another.
  • the radiation source 3 is an EUV radiation source.
  • the radiation source 3 emits in particular EUV radiation, which is also referred to below as useful radiation or illumination radiation.
  • the useful radiation in particular has a wavelength in the range between 5 nm and 30 nm.
  • the radiation source 3 can be, for example, a plasma source, a synchrotron-based radiation source or a free electron laser (“free electron laser”). FEL).
  • the illumination radiation 16, which emanates from the radiation source 3, is bundled by a collector 17 and propagates through an intermediate focus in an intermediate focus plane 18 into the illumination optics 4.
  • the illumination optics 4 has a deflection mirror 19 and, downstream of it in the beam path, a first facet mirror 20 (with schematic indicated facets 21) and a second facet mirror 22 (with schematically indicated facets 23).
  • the projection lens 10 has six mirrors M1 to M6. Alternatives with four, eight, ten, twelve or another number of mirrors Mi are also possible.
  • the penultimate mirror M5 and the last mirror M6 each have a passage opening for the illumination radiation 16.
  • the projection lens 10 is a double obscured optic.
  • the projection lens 10 can - purely by way of example and without the invention being limited to this - have an image-side numerical aperture that is larger than 0.5 and which can also be larger than 0.6 and which can be, for example, 0.7 or 0.75.
  • the electromagnetic radiation striking the optical effective surface of the mirror is partially absorbed and, as explained at the beginning, leads to heating and an associated thermal expansion or deformation, which in turn results in an impairment of the imaging properties of the optical system can.
  • the concept according to the invention can therefore be applied particularly advantageously to any mirror of the microlithographic projection exposure system 1 of FIG. 3.
  • Fig. 1 shows a schematic representation to explain the possible structure of an arrangement according to the invention for heating an optical element in a first embodiment.
  • the light source 101 can be designed, for example, as an infrared laser.
  • the light source 101 can, for example, generate infrared (IR) light with a wavelength of 1070 nm with an output of, for example, 30 watts.
  • IR infrared
  • the light emitted by the light source 101 first strikes a device 110 for generating a two-dimensional intensity distribution, whereby in the specific exemplary embodiment of FIG. 1, this device 110 can be designed, for example, as an LCD display.
  • Another possible embodiment is to design the light source 101 itself to be movable in the lateral direction or within a plane perpendicular to the light propagation direction in order to generate a two-dimensional intensity distribution in this way (so that in this case the device 1 10 can be moved by the corresponding position manipulator the light source 101 is formed).
  • the two-dimensional intensity distribution generated by the device 110 is then imaged via an imaging system 120 onto the input of an image guide 130, this image guide 130 having a fiber bundle made up of a large number of optical fibers, preferably in a common sheath.
  • the optical fibers are each designed as single-mode fibers.
  • the number of optical fibers within the image guide 130 can (without the invention being limited to this) be, for example, at least fifty, in particular at least one hundred. Typical fiber diameters can be on the order of 50 pm (also without the invention being limited to this).
  • the two-dimensional intensity distribution coupled in from the imaging optics 120 is transmitted via the image conductor 130 to a projection optics 140, which transmits the two-dimensional intensity distribution to an optical element 150 to be heated (e.g. a mirror or another optical element such as a lens).
  • an optical element 150 to be heated e.g. a mirror or another optical element such as a lens.
  • Typical lengths of the image conductor 130 can be several meters (in particular more than ten meters), so that the components used to generate and couple in the light serving as heating radiation (light source 101, device 1 10 and imaging system 120) can be arranged at a considerable distance from the optical element 150 to be heated and in particular also outside of a housing accommodating the optical element 150 or the associated optical system, in which case corresponding vacuum feedthroughs may then be provided on the side of the relevant housing for the image conductor 130 are to be provided.
  • the projection of the two-dimensional intensity distribution transmitted by the image conductor 130 onto the optical element 150 to be heated with the projection optics 140 takes place with a magnification that depends on the specific dimensions of the image conductor 130 and the optical element 150 to be heated. Only for example, with an exemplary diameter of the optical element 150 of 0.5 m and a diameter of the image guide 130 of (3-4) mm, the magnification of the projection optics 140 can be in the order of one hundred to one hundred and twenty.
  • the heating profile corresponding to this pattern can be dynamically and in accordance with the invention without replacing the components used in relation to the light path after the device 110 can be adapted flexibly, so that varying operating conditions when using the optical element 150 to be heated (in particular varying lighting settings in the associated optical system) can be taken into account by appropriately adapting the pattern coupled into the image guide 130.
  • This flexible and dynamic adaptation can in turn be carried out in particular in such a way that a local and/or temporal variation of the temperature distribution in the optical element 150 is reduced and ultimately a substantially homogeneous temperature distribution is set.
  • the above-described flexible adjustment of the two-dimensional intensity distribution before coupling into the image guide also enables any installation inaccuracies in the exit-side section of the image guide 130 to be corrected in relation to the projection optics 140, so that complex adjustment steps are unnecessary.
  • the optical fibers themselves are already aligned with one another as a result of their bundling in the image guide 130.
  • Fig. 2 shows a schematic representation to explain a further embodiment, in which, compared to Fig. 1, analog or essentially functionally identical components are designated with reference numbers increased by “100”.
  • the device 210 for generating a two-dimensional intensity distribution can have a (reflective) MEMS mirror arrangement (“micro-electro-mechanical systems”). Via the device 210, i.e. the mirror array or the MEMS mirror arrangement, light emitted by the light source 201 is reflected in accordance with the desired two-dimensional intensity distribution and reaches the imaging system 220 and further to the input of the image guide 230.
  • An advantage of the design of the device 210 Generation of a two-dimensional intensity distribution as a mirror array or MEMS mirror arrangement is that the device in question 210 can be operated at higher powers (e.g. in comparison to an LCD display).

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Heizanordnung sowie ein optisches System und ein Verfahren zum Heizen eines optischen Elements in einem optischen System, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage. Eine erfindungsgemäße Heizanordnung zum Heizen eines optischen Elements weist eine Lichtquelle (101, 201), eine Einrichtung (110, 210) zur Erzeugung einer zweidimensionalen Intensitätsverteilung aus von der Lichtquelle ausgesandtem Licht, eine Projektionsoptik (140, 240) zum Projizieren der zweidimensionalen Intensitätsverteilung auf das zu heizende optische Element (150, 250) und einen im optischen Weg zwischen der Einrichtung (110, 210) zur Erzeugung der zweidimensionalen Intensitätsverteilung und der Projektionsoptik (140, 240) angeordneten Bildleiter (130, 230) zur optischen Übertragung der Intensitätsverteilung auf.

Description

Heizanordnung, sowie optisches System und
Verfahren zum Heizen eines optischen Elements
Die vorliegende Anmeldung beansprucht die Priorität der Deutschen Patentanmeldung DE 10 2022 209 455.7, angemeldet am 9. September 2022. Der Inhalt dieser DE-Anmeldung wird durch Bezugnahme („incorporation by reference“) mit in den vorliegenden Anmeldungstext aufgenommen.
HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Gebiet der Erfindung
Die Erfindung betrifft eine Heizanordnung sowie ein optisches System und ein Verfahren zum Heizen eines optischen Elements in einem optischen System, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage.
Stand der Technik
Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise oder LCD’s, angewendet. Der Mikrolitho- graphieprozess wird in einer sogenannten Projektionsbelichtungsanlage durchgeführt, welche eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv aufweist. Das Bild einer mittels der Beleuchtungseinrichtung beleuchteten Maske (= Retikel) wird hierbei mittels des Projektionsobjektivs auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnetes Substrat (z.B. ein Siliziumwafer) projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen. In für den EUV-Bereich ausgelegten Projektionsobjektiven, d.h. bei Wellenlängen von z.B. etwa 13 nm oder etwa 7 nm, werden mangels Verfügbarkeit geeigneter lichtdurchlässiger refraktiver Materialien Spiegel als optische Komponenten für den Abbildungsprozess verwendet.
Ein in der Praxis auftretendes Problem ist, dass die EUV-Spiegel u.a. infolge Absorption der von der EUV-Lichtquelle emittierten Strahlung eine Erwärmung und eine damit einhergehende thermische Ausdehnung bzw. Deformation erfahren, welche wiederum eine Beeinträchtigung der Abbildungseigenschaften des optischen Systems zur Folge haben kann. Insbesondere kann das Problem auftreten, dass ein EUV-Spiegel im Betrieb der mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage wechselnden Intensitäten der auftreffenden elektromagnetischen Strahlung auch in örtlicher Hinsicht ausgesetzt ist, z.B. aufgrund der Verwendung von Beleuchtungssettings mit über die optische Wirkfläche des jeweiligen EUV-Spiegels variierender Intensität.
Zur Vermeidung von durch Wärmeeinträge in einen EUV-Spiegel verursachten Oberflächendeformationen und damit einhergehenden optischen Aberrationen sind diverse Ansätze bekannt. Unter anderem ist es bekannt, als Spiegelsubstratmaterial ein Material mit ultraniedriger thermischer Expansion („Ultra- Low-Expansion-Material“), z.B. ein unter der Bezeichnung ULE™ von der Firma Corning Inc. vertriebenes Titanium-Silicatglas, zu verwenden und in einem der optischen Wirkfläche nahen Bereich die sogenannte Nulldurchgangstemperatur (= „Zero-Crossing-Temperatur“) einzustellen. Bei dieser Zero-Crossing-Tempe- ratur, welche z.B. für ULE™ bei etwa = 30°C liegt, weist der thermische Ausdehnungskoeffizient in seiner Temperaturabhängigkeit einen Nulldurchgang auf, in dessen Umgebung keine oder nur eine vernachlässigbare thermische Ausdehnung des Spiegelsubstratmaterials erfolgt.
Mögliche weitere Ansätze beinhalten ein unmittelbares elektrisches Heizen oder auch ein aktives direktes Kühlen, wobei solche Ansätze zum einen mit einem erhöhten konstruktiven Aufwand aufgrund erforderlicher Zuführungen (z.B. Stromzuführungen oder Kühlwasserzuführungen) einhergehen und zum anderen auch Probleme aufgrund des typischerweise begrenzten Bauraums auftreten können. Ein weiterer Ansatz beinhaltet den Einsatz einer Heizanordnung auf Basis von Infrarotstrahlung. Mit einer solchen Heizanordnung kann in Phasen vergleichsweise geringer Absorption von EUV-Nutzstrahlung eine aktive Spiegelerwärmung erfolgen, wobei diese aktive Spiegelerwärmung mit steigender Absorption der EUV-Nutzstrahlung entsprechend zurückgefahren wird. Dabei ist es insbesondere bekannt, ein von dem aktuell verwendeten Beleuchtungssetting abhängiges segmentiertes Heizprofil unter Einsatz selektiv ein- und ausschaltbarer Infrarot (IR)-Strahler in Kombination mit z.B. als diffraktive optische Elemente ausgestalteten Strahlformungseinheiten einzustellen.
Mit steigenden Anforderungen an den Lithographieprozess insbesondere hinsichtlich der erzielten Auflösung, des erreichten Kontrast und der hierzu jeweils einzustellenden Beleuchtungssettings stellt die Realisierung der jeweils zur Vermeidung thermisch induzierter Deformationen geeigneten Heizprofile mit vertretbarem konstruktivem Aufwand eine wachsende Herausforderung dar.
Zum Stand der Technik wird lediglich beispielhaft auf DE 10 2012 216 284 A1 und DE 10 2019 219 289 A1 verwiesen.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Heizanordnung sowie ein optisches System und ein Verfahren zum Heizen eines optischen Elements in einem optischen System, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, bereitzustellen, welche eine wirksame Vermeidung von durch Wärmeeinträge in dem optischen Element verursachten Oberflächendeformationen und damit einhergehenden optischen Aberrationen ermöglichen.
Diese Aufgabe wird durch gemäß den Merkmalen der nebengeordneten Patentansprüche gelöst. Eine Heizanordnung zum Heizen eines optischen Elements, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, weist auf:
- eine Lichtquelle;
- eine Einrichtung zur Erzeugung einer zweidimensionalen Intensitätsverteilung aus von der Lichtquelle ausgesandtem Licht; und
- eine Projektionsoptik zum Projizieren der zweidimensionalen Intensitätsverteilung auf das zu heizende optische Element; und
- einen im optischen Weg zwischen der Einrichtung zur Erzeugung der zweidimensionalen Intensitätsverteilung und der Projektionsoptik angeordneten Bildleiter zur optischen Übertragung der Intensitätsverteilung.
Der Erfindung geht zunächst von dem für sich bekannten Ansatz aus, in einem optischen System thermisch induzierte Deformationen eines optischen Elements (insbesondere eines Spiegels) dadurch zu vermeiden oder zumindest zu reduzieren, dass über eine strahlungsbasierte Heizanordnung ein jeweils geeignetes - und insbesondere ggf. auf das aktuell verwendete Beleuchtungssetting abgestimmtes - Heizprofil eingestellt wird.
Dabei liegt nun der Erfindung insbesondere das Konzept zugrunde, zunächst eine entsprechend dem aktuell gewünschten Heizprofil geeignete zweidimensionale Intensitätsverteilung hinsichtlich der verwendeten Heizstrahlung zu realisieren und dann diese zweidimensionale Intensitätsverteilung über einen als optisches Faserbündel realisierten Bildleiter zu einer Abbildungsoptik zu transportieren, über welche die besagte Intensitätsverteilung dann auf das optische Element projiziert wird.
Indem die Bereitstellung der jeweiligen zweidimensionalen Intensitätsverteilung noch vor Einkopplung in den erfindungsgemäßen Bildleiter anhand der erfindungsgemäß verwendeten (und wie im Weiteren beschrieben in unterschiedlicher Weise realisierbaren) Einrichtung zur Erzeugung besagter Intensitätsverteilung erfolgt und diese Intensitätsverteilung dann nur noch über das optische Faserbündel und die Abbildungsoptik zu dem zu heizenden optischen Element transportiert werden muss, wird erfindungsgemäß insofern eine wesentlich höhere Flexibilität geschaffen, als sowohl der Bildleiter bzw. das optische Faserbündel wie auch Abbildungsoptik nicht von vornherein auf ein konkretes Heizprofil festgelegt sind und zugleich auch vergleichsweise einfach ausgestaltet sein können.
Mit der erfindungsgemäßen Erzeugung einer je nach gewünschtem Heizprofil geeigneten zweidimensionalen Intensitätsverteilung der Heizstrahlung noch vor Einkopplung in den als optisches Faserbündel ausgestalteten Bildleiter wird erfindungsgemäß der weitere Vorteil erreicht, dass die eigentliche „Bildformung“ zur Bereitstellung des gewünschten Heizprofils in einen Bereich vorverlegt werden kann, welcher vergleichsweise weit von dem zu heizenden optischen Element entfernt ist und insbesondere z.B. auch außerhalb eines Gehäuses des jeweiligen optischen Systems (z.B. Projektionsobjektiv) liegen kann, wo typischerweise mehr Bauraum zur Verfügung steht und geringere Anforderungen hinsichtlich der Umgebungs- (z.B. Vakuum-)Bedingungen bestehen.
Im Ergebnis kann erfindungsgemäß mit reduzierter Komplexität sowie geringeren Bauraumanforderungen im Bereich des zu heizenden optischen Elements ein besonders flexibles und somit jederzeit gezielt an das aktuelle Betriebsszenario (insbesondere hinsichtlich des verwendeten Beleuchtungssettings) anpassbares Heizprofil realisiert werden mit der Folge, dass auch die Effizienz bei der Vermeidung thermisch induzierter Deformationen und damit die erzielbare Präzision im Lithographieprozess gesteigert werden können.
Handelt es sich bei besagtem Beleuchtungssetting beispielsweise um ein Dipolsetting mit horizontal angeordneten Beleuchtungspolen, so kann über die erfindungsgemäße Heizanordnung ein zu diesem Beleuchtungssetting bzw. der dadurch in dem optischen Element generierten Temperaturverteilung komplementäres Heizprofil (d.h. mit Bestrahlung u.a. auch der vertikal einander gegenüberliegenden Segmente) auf der optischen Wirkfläche auf dem optischen Element bzw. Spiegel erzeugt werden, um im Ergebnis eine örtlich möglichst homogene Temperaturverteilung in dem optischen Element zu erzielen und dementsprechend thermisch induzierte Deformationen wirksam zu vermeiden. Erfolgt dann ein Wechsel auf ein anderes gewünschtes Beleuchtungssetting und erfordert dieses Beleuchtungssetting zur Vermeidung thermisch induzierter Deformationen ein abweichendes Heizprofil, so kann dieses abweichende Heizprofil dann in flexibler Weise unter Verwendung desselben konstruktiven Aufbaus und ohne Austausch von Komponenten durch entsprechende Erzeugung einer anderen zweidimensionalen Intensitätsverteilung erzeugt werden.
Ein weiterer Vorteil der erfindungsgemäßen flexiblen Einstellung der je nach gewünschtem Heizprofil geeigneten zweidimensionalen Intensitätsverteilung noch vor Einkopplung in den erfindungsgemäßen Bildleiter ergibt sich daraus, dass etwaige Einbau- bzw. Justage-Ungenauigkeiten hinsichtlich des Faserbündelausgangs relativ zur Abbildungsoptik in Kauf genommen werden können, da solche Ungenauigkeiten messtechnisch erfasst und dann durch entsprechende Ansteuerung der Einrichtung zur Erzeugung der jeweiligen zweidimensionalen Intensitätsverteilung der Heizstrahlung noch vor Einkopplung in den Bildleiter bzw. das optische Faserbündel ausgeglichen werden können. Hierdurch kann eine signifikante Vereinfachung des Montage bzw. Justageprozesses erreicht werden.
Ein zusätzlich erreichter Vorteil der Erfindung ist, dass vergleichsweise aufwändige Prozessschritte bei der Herstellung des optischen Elements, wie etwa die Anbringung von mit elektrischem Strom beaufschlagbaren Heizdrähten, entbehrlich sind.
Gemäß einer Ausführungsform ist die Einrichtung zur variabel einstellbaren Erzeugung unterschiedlicher zweidimensionaler Intensitätsverteilungen konfiguriert.
Gemäß einer Ausführungsform weist der Bildleiter ein Faserbündel aus einer Vielzahl optischer Fasern auf. Dieses Faserbündel kann insbesondere wenigstens fünfzig, weiter insbesondere wenigstens hundert optische Fasern in gemeinsamer Ummantelung aufweisen.
Gemäß einer Ausführungsform weist die Heizanordnung eine im optischen Weg zwischen der Einrichtung zur Erzeugung einer zweidimensionalen Intensitätsverteilung und dem Bildleiter angeordnete Abbildungsoptik auf.
Gemäß einer Ausführungsform weist die Einrichtung zur Erzeugung einer zweidimensionalen Intensitätsverteilung eine Spiegelanordnung, insbesondere eine MEMS-Spiegelanordnung, auf.
Gemäß einer Ausführungsform weist die Einrichtung zur Erzeugung einer zweidimensionalen Intensitätsverteilung ein LCD-Display auf.
Gemäß einer Ausführungsform ist die Lichtquelle zur Erzeugung von Infrarotstrahlung ausgestaltet.
Die Erfindung betrifft weiter auch ein optisches System, insbesondere einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, mit wenigstens einem optischen Element und einer Heizanordnung zum Heizen dieses optischen Elements, wobei die Heizanordnung gemäß den vorstehend beschriebenen Merkmalen ausgestaltet ist.
Gemäß einer Ausführungsform ist das optische Element ein Spiegel.
Gemäß einer Ausführungsform ist das optische Element für eine Arbeitswellenlänge von weniger als 30 nm, insbesondere weniger als 15 nm, ausgelegt.
Die Erfindung betrifft weiter auch ein Verfahren zum Heizen eines optischen Elements in einem optischen System, wobei unterschiedliche Heizprofile in dem optischen Element unter Verwendung einer Heizanordnung mit den vorstehend beschriebenen Merkmalen eingestellt werden. Gemäß einer Ausführungsform erfolgt das Heizen des optischen Elements derart, dass ein mit der Heizanordnung eingestelltes Heizprofil in Abhängigkeit von einem in dem optischen System verwendeten Beleuchtungssetting gewählt wird.
Gemäß einer Ausführungsform erfolgt das Heizen des optischen Elements derart, dass eine örtliche und/oder zeitliche Variation einer Temperaturverteilung in dem optischen Element reduziert wird.
Zu Vorteilen und weiteren bevorzugten Ausgestaltungen des Verfahrens wird auf die o.g. Ausführungen im Zusammenhang mit der erfindungsgemäßen Heizanordnung Bezug genommen.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind der Beschreibung sowie den Unteransprüchen zu entnehmen.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von in den beigefügten Abbildungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Es zeigen:
Figur 1 eine schematische Darstellung des möglichen Aufbaus einer erfindungsgemäßen Heizanordnung zum Heizen eines optischen Elements in einem optischen System gemäß einer Ausführungsform;
Figur 2 eine schematische Darstellung des möglichen Aufbaus einer erfindungsgemäßen Heizanordnung zum Heizen eines optischen Elements in einem optischen System gemäß einer weiteren Ausführungsform; und Figur 3 eine schematische Darstellung des möglichen Aufbaus einer für den Betrieb im EUV ausgelegten mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSFORMEN
Fig. 3 zeigt zunächst schematisch im Meridionalschnitt den möglichen Aufbau einer für den Betrieb im EUV ausgelegten mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, in der die Erfindung beispielsweise realisierbar ist.
Gemäß Fig. 3 weist die Projektionsbelichtungsanlage 1 eine Beleuchtungseinrichtung 2 und ein Projektionsobjektiv 10 auf. Eine Ausführung der Beleuchtungseinrichtung 2 der Projektionsbelichtungsanlage 1 hat neben einer Licht- bzw. Strahlungsquelle 3 eine Beleuchtungsoptik 4 zur Beleuchtung eines Objektfeldes 5 in einer Objektebene 6. Bei einer alternativen Ausführung kann die Lichtquelle 3 auch als ein zur sonstigen Beleuchtungseinrichtung separates Modul bereitgestellt sein. In diesem Fall umfasst die Beleuchtungseinrichtung die Lichtquelle 3 nicht.
Belichtet wird hierbei ein im Objektfeld 5 angeordnetes Retikel 7. Das Retikel 7 ist von einem Retikelhalter 8 gehalten. Der Retikelhalter 8 ist über einen Retikel- verlagerungsantrieb 9 insbesondere in einer Scanrichtung verlagerbar. In Fig. 3 ist zur Erläuterung ein kartesisches xyz-Koordinatensystem eingezeichnet. Die x-Richtung verläuft senkrecht zur Zeichenebene hinein. Die y-Richtung verläuft horizontal und die z-Richtung verläuft vertikal. Die Scanrichtung verläuft in Fig. 3 längs der y-Richtung. Die z-Richtung verläuft senkrecht zur Objektebene 6.
Das Projektionsobjektiv 10 dient zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 1 1 in einer Bildebene 12. Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 7 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 1 1 in der Bildebene 12 angeordneten Wafers 13. Der Wafer 13 wird von einem Waferhalter 14 gehalten. Der Waferhalter 14 ist über einen Waferverlagerungsantrieb 15 insbesondere längs der y-Richtung verlagerbar. Die Verlagerung einerseits des Retikels 7 über den Retikelverlagerungsantrieb 9 und andererseits des Wafers 13 über den Waferverlagerungsantrieb 15 kann synchronisiert zueinander erfolgen.
Bei der Strahlungsquelle 3 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle. Die Strahlungsquelle 3 emittiert insbesondere EUV-Strahlung, welche im Folgenden auch als Nutzstrahlung oder Beleuchtungsstrahlung bezeichnet wird. Die Nutzstrahlung hat insbesondere eine Wellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Bei der Strahlungsquelle 3 kann es sich zum Beispiel um eine Plasmaquelle, eine synchrotronbasierte Strahlungsquelle oder um einen Freie-Elektronen-La- ser („Free-Electron-Laser“, FEL) handeln. Die Beleuchtungsstrahlung 16, die von der Strahlungsquelle 3 ausgeht, wird von einem Kollektor 17 gebündelt und propagiert durch einen Zwischenfokus in einer Zwischenfokusebene 18 in die Beleuchtungsoptik 4. Die Beleuchtungsoptik 4 weist einen Umlenkspiegel 19 und diesem im Strahlengang nachgeordnet einen ersten Facettenspiegel 20 (mit schematisch angedeuteten Facetten 21 ) und einen zweiten Facettenspiegel 22 (mit schematisch angedeuteten Facetten 23) auf.
Das Projektionsobjektiv 10 weist eine Mehrzahl von Spiegeln Mi (i= 1 , 2, ...) auf, welche gemäß ihrer Anordnung im Strahlengang der Projektionsbelichtungsanlage 1 durchnummeriert sind. Bei dem in der Fig. 3 dargestellten Beispiel weist das Projektionsobjektiv 10 sechs Spiegel M1 bis M6 auf. Alternativen mit vier, acht, zehn, zwölf oder einer anderen Anzahl an Spiegeln Mi sind ebenso möglich. Der vorletzte Spiegel M5 und der letzte Spiegel M6 weisen jeweils eine Durchtrittsöffnung für die Beleuchtungsstrahlung 16 auf. Bei dem Projektionsobjektiv 10 handelt es sich um eine doppelt obskurierte Optik. Das Projektionsobjektiv 10 kann - lediglich beispielhaft und ohne dass die Erfindung hierauf beschränkt wäre - eine bildseitige numerische Apertur aufweisen, die größer ist als 0.5 und die auch größer sein kann als 0.6 und die beispielsweise 0.7 oder 0.75 betragen kann. Im Betrieb der mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage 1 wird die auf die optische Wirkfläche der Spiegel auftreffende elektromagnetische Strahlung zum Teil absorbiert und führt wie eingangs erläutert zu einer Erwärmung und einer damit einhergehenden thermischen Ausdehnung bzw. Deformation, welche wiederum eine Beeinträchtigung der Abbildungseigenschaften des optischen Systems zur Folge haben kann. Das erfindungsgemäße Konzept kann somit insbesondere vorteilhaft auf einen beliebigen Spiegel der mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage 1 von Fig. 3 angewendet werden.
Fig. 1 zeigt eine schematische Darstellung zur Erläuterung des möglichen Aufbaus einer erfindungsgemäßen Anordnung zum Heizen eines optischen Elements in einer ersten Ausführungsform.
Fig. 1 weist zunächst eine Lichtquelle 101 auf, welche z.B. als Infrarot-Laser ausgestaltet sein kann. Die Lichtquelle 101 kann lediglich beispielhaft Infrarot (IR)-Licht einer Wellenlänge von 1070 nm mit einer Leistung von z.B. 30 Watt erzeugen.
Das von der Lichtquelle 101 ausgesandte Licht trifft gemäß Fig. 1 zunächst auf eine Einrichtung 1 10 zur Erzeugung einer zweidimensionalen Intensitätsverteilung, wobei diese Einrichtung 110 im konkreten Ausführungsbeispiel von Fig. 1 z.B. als LCD-Display ausgestaltet sein kann.
Eine weitere mögliche Ausgestaltung ist auch, die Lichtquelle 101 selbst in lateraler Richtung bzw. innerhalb einer zur Lichtausbreitungsrichtung senkrechten Ebene verfahrbar auszugestalten, um auf diese Weise eine zweidimensionale Intensitätsverteilung zu erzeugen (so dass in diesem Falle die Einrichtung 1 10 durch den entsprechenden Positionsmanipulator zur Bewegung der Lichtquelle 101 gebildet wird).
Eine weitere mögliche Ausgestaltung der Einrichtung zur Erzeugung einer zweidimensionalen Intensitätsverteilung wird noch unter Bezugnahme auf Fig. 2 beschrieben. Gemäß Fig. 1 wird die von der Einrichtung 1 10 erzeugte zweidimensionale Intensitätsverteilung dann über ein Abbildungssystem 120 auf den Eingang eines Bildleiters 130 abgebildet, wobei dieser Bildleiter 130 ein Faserbündel aus einer Vielzahl optischer Fasern, vorzugsweise in einer gemeinsamen Ummantelung, aufweist. Die optischen Fasern sind jeweils als Single-Mode-Fasern ausgestaltet. Die Anzahl optischer Fasern innerhalb des Bildleiters 130 kann (ohne dass die Erfindung hierauf beschränkt wäre) z.B. wenigstens fünfzig, insbesondere wenigstens einhundert betragen. Typische Faserdurchmesser können hierbei (ebenfalls ohne dass die Erfindung hierauf beschränkt wäre) größenordnungsmäßig 50 pm betragen.
Über den Bildleiter 130 wird die von der Abbildungsoptik 120 eingekoppelte zweidimensionale Intensitätsverteilung bis hin zu einer Projektionsoptik 140 übertragen, welche die zweidimensionale Intensitätsverteilung auf ein zu heizendes optisches Element 150 (z.B. einen Spiegel oder auch ein anderes optisches Element wie z.B. eine Linse) überträgt.
Typische Längen des (in der vereinfachten schematischen Darstellung von Fig. 1 lediglich angedeuteten) Bildleiters 130 können mehrere Meter (insbesondere auch mehr als zehn Meter) betragen, so dass die zur Erzeugung und Einkopplung des als Heizstrahlung dienenden Lichts verwendeten Komponenten (Lichtquelle 101 , Einrichtung 1 10 und Abbildungssystem 120) in erheblicher Entfernung von dem zu heizenden optischen Element 150 und insbesondere auch außerhalb eines das optische Element 150 bzw. das zugehörige optische System aufnehmenden Gehäuses angeordnet sein können, wobei dann gegebenenfalls entsprechende Vakuumdurchführungen auf Seiten des betreffenden Gehäuses für den Bildleiter 130 vorzusehen sind.
Die Projektion der vom Bildleiter 130 übertragenen zweidimensionalen Intensitätsverteilung auf das zu heizende optische Element 150 mit der Projektionsoptik 140 erfolgt mit einer von den konkreten Abmessungen des Bildleiters 130 sowie des zu heizenden optischen Elements 150 abhängigen Vergrößerung. Lediglich beispielhaft kann bei einem exemplarischen Durchmesser des optischen Elements 150 von 0.5 m und einem Durchmesser des Bildleiters 130 von (3-4) mm die Vergrößerung der Projektionsoptik 140 in der Größenordnung von einhundert bis einhundertzwanzig liegen.
Da erfindungsgemäß über den Bildleiter 130 bereits ein fertiges „Muster“ entsprechend der durch die Einrichtung 1 10 erzeugten zweidimensionalen Intensitätsverteilung der Heizstrahlung transportiert wird, kann das diesem Muster entsprechende Heizprofil erfindungsgemäß ohne Austausch der bezogen auf den Lichtweg nach der Einrichtung 110 verwendeten Komponenten dynamisch und in flexibler Weise angepasst werden, so dass variierenden Betriebsbedingungen beim Einsatz des zu heizenden optischen Elements 150 (insbesondere variierenden Beleuchtungssettings im zugehörigen optischen System) durch entsprechende Anpassung des in den Bildleiter 130 eingekoppelten Musters Rechnung getragen werden kann. Diese flexible und dynamische Anpassung kann wiederum insbesondere so erfolgen, dass eine örtliche und/oder zeitliche Variation der Temperaturverteilung im optischen Element 150 reduziert und letztlich eine im Wesentlichen homogene Temperaturverteilung eingestellt wird.
Die vorstehend beschriebene, flexible Einstellung der zweidimensionalen Intensitätsverteilung vor Einkopplung in den Bildleiter ermöglicht weiter auch eine Korrektur etwaiger Einbau-Ungenauigkeiten des austrittsseitigen Abschnitts des Bildleiters 130 in Bezug auf die Projektionsoptik 140, so dass insoweit aufwändige Justageschritte entbehrlich sind. Zugleich sind die optischen Fasern selbst infolge ihrer Bündelung im Bildleiter 130 bereits zueinander ausgerichtet.
Weitere Vorteile der erfindungsgemäßen Übertragung des fertigen IR-Heizmus- ters über den Bildleiter 130 mit einer Vielzahl optischer Fasern sind zum einen die vergleichsweise geringe, pro einzelne optische Faser übertragene Lichtleistung (bei entsprechend reduzierter Gefahr eines Faserbrands). Des Weiteren kann infolge der vergleichsweise hohen erzielbaren Auflösung des IR-Heizmus- ters ein nahezu kontinuierliches Heizprofil auf dem zu heizenden optischen Element 150 erzeugt werden mit der Folge, dass auch die erfindungsgemäße Vermeidung unerwünschter thermisch induzierter Deformationen und damit einhergehender optischer Aberrationen mit besonders hoher Genauigkeit erfolgen kann.
Fig. 2 zeigt eine schematische Darstellung zur Erläuterung einer weiteren Ausführungsform, wobei im Vergleich zu Fig. 1 analoge bzw. im Wesentlichen funktionsgleiche Komponenten mit um „100“ erhöhten Bezugsziffern bezeichnet sind. Im Unterschied zu Fig. 1 weist gemäß Fig. 2 die (lediglich schematisch angedeutete) Einrichtung 210 zur Erzeugung einer zweidimensionalen Intensitätsverteilung eine Spiegelanordnung bzw. ein Spiegelarray (DMD = „Digital Mirror Device“) aus einer Vielzahl unabhängig voneinander verstellbarer Spiegelelemente (in Fig. 2 nicht im einzelnen dargestellt) auf. Insbesondere kann die Einrichtung 210 zur Erzeugung einer zweidimensionalen Intensitätsverteilung eine (reflektierende) MEMS-Spiegelanordnung („Micro-Electro-Mechanical-Sys- tems“= Mikro-Elektro-Mechanische-Systeme) aufweisen. Über die Einrichtung 210, d.h. das Spiegelarray bzw. die MEMS-Spiegelanordnung, wird von der Lichtquelle 201 ausgesandtes Licht gemäß der gewünschten zweidimensionalen Intensitätsverteilung reflektiert und gelangt zu dem Abbildungssystem 220 und weiter zum Eingang des Bildleiters 230. Ein Vorteil der Ausgestaltung der Einrichtung 210 zur Erzeugung einer zweidimensionalen Intensitätsverteilung als Spiegelarray bzw. MEMS-Spiegelanordnung ist, dass die betreffende Einrichtung 210 bei höheren Leistungen (etwa im Vergleich zu einem LCD-Display) betrieben werden kann.
Wenn die Erfindung auch anhand spezieller Ausführungsformen beschrieben wurde, erschließen sich für den Fachmann zahlreiche Variationen und alternative Ausführungsformen, z.B. durch Kombination und/oder Austausch von Merkmalen einzelner Ausführungsformen. Dementsprechend versteht es sich für den Fachmann, dass derartige Variationen und alternative Ausführungsformen von der vorliegenden Erfindung mit umfasst sind, und die Reichweite der Erfindung nur im Sinne der beigefügten Patentansprüche und deren Äquivalente beschränkt ist.

Claims

Patentansprüche
1 . Heizanordnung zum Heizen eines optischen Elements, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, mit
• einer Lichtquelle (101 , 201 );
• einer Einrichtung (1 10, 210) zur Erzeugung einer zweidimensionalen Intensitätsverteilung aus von der Lichtquelle (101 , 201 ) ausgesandtem Licht;
• einer Projektionsoptik (140, 240) zum Projizieren der zweidimensionalen Intensitätsverteilung auf das zu heizende optische Element (150, 250); und
• einem im optischen Weg zwischen der Einrichtung (1 10, 210) zur Erzeugung der zweidimensionalen Intensitätsverteilung und der Projektionsoptik (140, 240) angeordneten Bildleiter (130, 230) zur optischen Übertragung der Intensitätsverteilung.
2. Heizanordnung nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die Einrichtung (1 10, 210) zur variabel einstellbaren Erzeugung unterschiedlicher zweidimensionaler Intensitätsverteilungen konfiguriert ist.
3. Heizanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Bildleiter (130, 230) wenigstens ein Faserbündel aus einer Vielzahl optischer Fasern aufweist.
4. Heizanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass dieses Faserbündel wenigstens fünfzig, insbesondere wenigstens hundert optische Fasern in gemeinsamer Ummantelung aufweist.
5. Heizanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass diese eine im optischen Weg zwischen der Einrichtung (1 10, 210) zur Erzeugung einer zweidimensionalen Intensitätsverteilung und dem Bildleiter (130, 230) angeordnete Abbildungsoptik (120, 220) aufweist.
6. Heizanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Einrichtung (210) zur Erzeugung einer zweidimensionalen Intensitätsverteilung eine Spiegelanordnung, insbesondere eine MEMS-Spiegelanordnung, aufweist.
7. Heizanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Einrichtung (1 10) zur Erzeugung einer zweidimensionalen Intensitätsverteilung ein LCD-Display aufweist.
8. Heizanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Lichtquelle (101 , 201 ) zur Erzeugung von Infrarotstrahlung ausgestaltet ist.
9. Optisches System, insbesondere einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage,
• mit wenigstens einem optischen Element (150, 250); und
• einer Heizanordnung zum Heizen dieses optischen Elements nach einem der vorhergehenden Ansprüche.
10. Optisches System nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Element (150, 250) ein Spiegel ist.
1 1 . Optisches System nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Element (150, 250) für eine Arbeitswellenlänge von weniger als 30 nm, insbesondere weniger als 15 nm, ausgelegt ist.
12. Verfahren zum Heizen eines optischen Elements in einem optischen System, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, wobei unterschiedliche Heizprofile in dem optischen Element (150, 250) unter Verwendung einer Heizanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 8 eingestellt werden. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass das Heizen des optischen Elements derart erfolgt, dass ein mit der Heizanordnung eingestelltes Heizprofil in Abhängigkeit von einem in dem optischen System verwen- deten Beleuchtungssetting gewählt wird. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, dass das Heizen des optischen Elements (150, 250) derart erfolgt, dass eine örtliche und/oder zeitliche Variation einer Temperaturverteilung in dem optischen Element (150, 250) reduziert wird.
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