JP5465954B2 - 基板処理装置及び判断プログラムを格納する記憶媒体及び基板処理装置の表示方法 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 104
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 14
- 238000004088 simulation Methods 0.000 claims description 27
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 26
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 14
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 9
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 247
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 22
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000004397 blinking Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000002341 toxic gas Substances 0.000 description 1
- 238000010977 unit operation Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
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- Y10T137/206—Flow affected by fluid contact, energy field or coanda effect [e.g., pure fluid device or system]
- Y10T137/218—Means to regulate or vary operation of device
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T137/00—Fluid handling
- Y10T137/206—Flow affected by fluid contact, energy field or coanda effect [e.g., pure fluid device or system]
- Y10T137/218—Means to regulate or vary operation of device
- Y10T137/2202—By movable element
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- Y10T137/00—Fluid handling
- Y10T137/206—Flow affected by fluid contact, energy field or coanda effect [e.g., pure fluid device or system]
- Y10T137/218—Means to regulate or vary operation of device
- Y10T137/2202—By movable element
- Y10T137/2213—Electrically-actuated element [e.g., electro-mechanical transducer]
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T137/00—Fluid handling
- Y10T137/8593—Systems
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Description
又、本発明は以下の実施の態様を含む。
2 ガス供給用電磁バルブ
3 インターロック用電磁バルブ
4 レギュレータ
5 流量制御器
6 基板処理装置
33 制御装置
34 処理室
35 排気系
36 ハンドバルブ
38 置換用電磁バルブ
43 流量制御部
44 表示部付操作部
45〜49 配管要素
51〜54 配管要素
Claims (18)
- ガス配管に設けられた各バルブの開閉要求状態及び開閉状態を検出し、前記バルブの開閉要求状態により、前記ガス配管を流れるガスの予測状態をシミュレーションし、前記開閉要求状態から開状態への移行を検出すると、前記バルブを開放して前記ガス配管を流れるガスの状態と前記シミュレーションで表示されるガスの予測状態を識別可能に表示する制御部を具備する基板処理装置。
- 前記制御部は、表示部付操作部を更に具備し、
前記表示部付操作部は、前記バルブの開閉要求状態によりシミュレーションされたガス配管の予測状態を予め設定していた色で表示し、前記開閉要求状態から開状態へ移行すると、前記バルブを開いてガスを前記ガス配管に流した状態で予め設定していた色に変更して表示する請求項1の基板処理装置。 - 前記制御部は、流量制御部を更に具備し、
更に、前記流量制御部は、シミュレーションを実行する為のプログラムである判断プログラムを格納する記憶部を有し、
前記表示部付操作部は、前記判断プログラムを実行することにより、バルブ開閉条件に基づいて、前記バルブの前後の前記ガス配管内のガス種を検知する請求項2の基板処理装置。 - 前記ガス配管を流れるガスの流量を検出する流量検出部を更に具備し、前記流量制御部は、前記流量検出部が検出した流量検出状態に関する情報を前記表示部付操作部に送信する請求項2又は請求項3の基板処理装置。
- 前記ガス配管は、更に、複数の配管要素で少なくとも構成され、該配管要素は、少なくとも前記バルブと前記流量検出部との間の区間を構成する請求項4の基板処理装置。
- 前記表示部付操作部は、前記バルブの開閉要求状態と前記流量検出部により検出された前記ガス配管内のガス流量を、ドットの動きの速さにより表示する請求項4の基板処理装置。
- 前記表示部付操作部は、前記ガス配管の配管状態を単独のガスと混合ガスとで色分け表示する請求項2の基板処理装置。
- 前記表示部付操作部は、前記バルブの開閉要求状態に対して、前記バルブの同時開放が危険な場合、警告画面を表示する請求項2の基板処理装置。
- 前記ガス配管は、更に、複数の配管要素で少なくとも構成され、
該配管要素は、少なくとも前記バルブと前記流量検出部との間の区間を構成し、
前記表示部付操作部は、前記バルブが押下された際にバルブ開の指令信号を検知すると、前記シミュレーションを開始し、
前記バルブが開要求状態であるか判断し、
前記バルブが開要求状態であれば、前記判断プログラムを実行し、
前記バルブの前段の前記配管要素の状態を確認し、前段の前記配管要素の中にガスが充填されているかどうかを判断すると共に、後段のバルブの開閉状態及び後段の前記配管要素の状態を確認する請求項4の基板処理装置。 - 前記表示部付操作部は、前記判断プログラムを実行して、前段の前記配管要素の中にガスが充填されているかどうかを判断した結果、
前記バルブの前段の前記配管要素の中にガスが充填されていない場合、前記配管要素の中を充填されていないことを示す色のまま変更しないで、他のバルブの操作が行われるまで待機状態となり、
前記バルブの前段の前記配管要素の中にガスが充填されている場合、前記バルブの後段の前記配管要素を、予め設定していた配管要素にガスが流込むという予測を示す色に変更する請求項9の基板処理装置。 - 前記表示部付操作部は、他のバルブの操作の有無を判断し、
操作が行われたら前記判断プログラムをそのまま実行し、
前記他のバルブの操作が行われないと判断した場合、シミュレーションを止める請求項10の基板処理装置。 - 前記表示部付操作部は、更に、キャンセルボタンを設けた操作画面を備え、
前記他のバルブの操作が行われるまでの待機状態時に、前記キャンセルボタンが押下されると、前記シミュレーションが終了する請求項11の基板処理装置。 - 前記操作画面は、更にSETボタンを有し、
前記表示部付操作部は、実際にバルブを開くかどうかを前記SETボタンの押下の有無で判断する請求項12の基板処理装置。 - 前記SETボタンが押下されると、前記流量制御部は、前記バルブを開要求状態から開状態に移行させ、前記バルブの後段の前記配管要素を、予め設定していたガスが流込んだ状態を示す色に変更するように前記表示部付操作部に出力する請求項13の基板処理装置。
- 前記シミュレーションは、バルブ毎に実行される請求項9の基板処理装置。
- シミュレーションを実行する為のプログラムである判断プログラムを格納する記憶部を有する流量制御部と、前記判断プログラムを実行する表示部付操作部と、を含む制御装置を備えた基板処理装置で実行される判断プログラムを格納する記憶媒体であって、
バルブの前段の配管要素の状態を確認するステップと、
前記バルブの前段の前記配管要素の中にガスが充填されているかどうかを判断すると共に、後段のバルブの開閉状態及び後段の前記配管要素の状態を確認するステップと、
前段の前記配管要素の中にガスが充填されているかどうかを判断した結果、
前記バルブの前段の前記配管要素の中にガスが充填されていない場合、前記配管要素の中を充填されていないことを示す色のまま変更しないステップと、
前記バルブの前段の前記配管要素の中にガスが充填されている場合、前記バルブの後段の前記配管要素を、予め設定していた配管要素にガスが流込むという予測を示す色に変更するステップと、
前記バルブが開状態へ移行すると、前記バルブの後段の前記配管要素を、予め設定していたガスが流込んだ状態を示す色に変更するステップと、
を少なくとも有する判断プログラムを格納する記憶媒体。 - シミュレーションを実行する為のプログラムである判断プログラムを格納する記憶部を有する流量制御部と、前記判断プログラムを実行する表示部付操作部と、を含む制御装置を備えた基板処理装置であって、
ガス配管に設けられた各バルブの開閉要求状態及び開閉状態を検出し、
前記バルブの開閉要求状態により、前記ガス配管を流れるガスの予測状態をシミュレーションし、
前記開閉要求状態から開状態への移行を検出すると、前記バルブを開放して前記ガス配管を流れるガスの状態と前記シミュレーションで表示されるガスの予測状態を識別可能に表示する基板処理装置。 - ガス配管に設けられた各バルブの開閉要求状態及び開閉状態を検出し、
前記バルブの開閉要求状態により、前記ガス配管を流れるガスの予測状態をシミュレーションし、
前記開閉要求状態から開状態への移行を検出すると、前記バルブを開放して前記ガス配管を流れるガスの状態と前記シミュレーションで表示されるガスの予測状態を識別可能に表示する制御部を具備する基板処理装置の表示方法であって、
前記バルブの開閉要求状態によりシミュレーションされた前記ガス配管の予測状態を予め設定していた色で表示し、前記開閉要求状態から開状態へ移行すると、前記バルブを開いてガスを前記ガス配管に流した状態で予め設定していた色に変更して表示する基板処理装置の表示方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009197151A JP5465954B2 (ja) | 2008-09-29 | 2009-08-27 | 基板処理装置及び判断プログラムを格納する記憶媒体及び基板処理装置の表示方法 |
KR1020090091814A KR20100036204A (ko) | 2008-09-29 | 2009-09-28 | 기판 처리 장치 |
US12/568,175 US8459202B2 (en) | 2008-09-29 | 2009-09-28 | Substrate processing apparatus |
KR1020120063032A KR101407931B1 (ko) | 2008-09-29 | 2012-06-13 | 기판 처리 장치 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008250863 | 2008-09-29 | ||
JP2008250863 | 2008-09-29 | ||
JP2009197151A JP5465954B2 (ja) | 2008-09-29 | 2009-08-27 | 基板処理装置及び判断プログラムを格納する記憶媒体及び基板処理装置の表示方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010102693A JP2010102693A (ja) | 2010-05-06 |
JP2010102693A5 JP2010102693A5 (ja) | 2012-09-27 |
JP5465954B2 true JP5465954B2 (ja) | 2014-04-09 |
Family
ID=42056122
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009197151A Active JP5465954B2 (ja) | 2008-09-29 | 2009-08-27 | 基板処理装置及び判断プログラムを格納する記憶媒体及び基板処理装置の表示方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8459202B2 (ja) |
JP (1) | JP5465954B2 (ja) |
KR (2) | KR20100036204A (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2009
- 2009-08-27 JP JP2009197151A patent/JP5465954B2/ja active Active
- 2009-09-28 US US12/568,175 patent/US8459202B2/en active Active
- 2009-09-28 KR KR1020090091814A patent/KR20100036204A/ko active Application Filing
-
2012
- 2012-06-13 KR KR1020120063032A patent/KR101407931B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100078128A1 (en) | 2010-04-01 |
KR20120083256A (ko) | 2012-07-25 |
JP2010102693A (ja) | 2010-05-06 |
US8459202B2 (en) | 2013-06-11 |
KR101407931B1 (ko) | 2014-06-17 |
KR20100036204A (ko) | 2010-04-07 |
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