JP2010102693A - 基板処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】ガス配管内のガスの流れが電磁バルブを実際に開閉する前に表示されることで、誤った操作による電磁バルブの開閉し忘れ、或は誤ったガスの混合による危険を防止し、安全性の向上を図る。
【解決手段】ガス配管路1に設けられたバルブ2,3,36,38の開閉要求状態及び開閉状態を検出する状態検出部44と、前記バルブの開閉要求状態により予測される前記ガス配管路を流れるガスの予測状態と、前記バルブを開いて前記ガス配管路を流れるガスの状態とを状態毎に識別表示する表示部44とを具備する。
【選択図】図2

Description

本発明は、ウェーハ等の基板に酸化処理、拡散処理、薄膜の生成等の処理を行う基板処理装置、特にガス配管中のガスの状態を表示する機能を具備する基板処理装置に関するものである。
基板処理装置は、気密な処理室を具備し、該処理室に各種のガスを供給してウェーハに薄膜を生成し、或はエッチングガスを供給して薄膜をエッチングし、パターンの生成を行う等して半導体を製造するものである。
従って、基板処理装置では1つの処理室に対して複数系統のガス供給ライン、及び排気系等が接続されている。
又、前記基板処理装置には前記ガス供給ライン、排気系のガス供給動作を制御する制御部、処理室でのウェーハ処理状態、或は前記ガス供給ライン、排気系でのガス供給状態を示す表示部付操作部を具備している。
前記制御部から前記表示部に対して、ウェーハ処理の状態、圧力計、流量制御器の流量検出状態、電磁バルブ等の作動状態に関する情報が送られる。
前記処理室には複数のガス供給ラインが接続され、処理内容に応じてガス供給用電磁バルブ、インターロック用電磁バルブの開閉が前記制御部、又は前記表示部から前記制御部を介して行われる。
又、前記表示部にはガス給排状態を示す為のガスモニタ表示部があり、各ガス供給ラインの電磁バルブの開閉状態が示され、どのガス配管からガス処理室に供給されているか分る様になっている。
又、混合により危険を生じるガスの電磁バルブの開閉に関しては、前記制御部内のCPUによりインターロックが施され、混合により危険が生じる前記ガスの電磁バルブの同時開はできない様になっている。
上記の様に、従来の基板処理装置では各ガス供給ラインの電磁バルブの開閉状態、ガス流量制御器からの流量検出状態の結果より、各ガス供給ラインの流れている状態を知る様になっている。
即ち、図8に示す様にガス配管1にガス供給用電磁バルブ2、インターロック用電磁バルブ3が上流側より順次設けられ、区分a迄のガスがレギュレータ4を通り、区分b、区分c迄到達し、前記ガス供給用電磁バルブ2が開かれ、区分d迄到達する。この状態で流量制御器(マスフローコントローラ(MFC))5が流量制御を行った状態であれば区分e迄ガスが到達し、同手順により区分f迄ガスが到達したことが表示される。
上流側から順次若しくは一度に電磁バルブの開閉を行えば、意図した通りに供給ガスがチューブ(図示せず)迄到達するが、電磁バルブの開閉し忘れ、前記流量制御器5の流量制御の実施忘れが起こった際にはチューブ迄ガスが流れていない状態となり、実際に電磁バルブを開閉した状態でしか配管内のガス状態を確認できない。
従って、従来の様に到達しているガス状態が表示されるだけでは、電磁バルブを開ける前に配管内の供給ガスがどの様に流れるかを知ることができない。
又、半導体製造に使用されるガスは、毒性ガスや可燃性ガス等が使用される場合が多く、不用意にガスを流すと人体へ影響を与える危険性が有り、又流しているガスが意図しない経路で流れた場合には基板処理に多大な影響を及ぼすという問題があった。
特開2002−25918号公報
本発明は斯かる実情に鑑み、ガス配管内のガスの流れが電磁バルブを実際に開閉する前に表示されることで、誤った操作による電磁バルブの開閉し忘れ、或は誤ったガスの混合による危険を防止し、安全性の向上を図るものである。
本発明は、ガス配管路に設けられたバルブの開閉要求状態及び開閉状態を検出する状態検出部と、前記バルブの開閉要求状態により予測される前記ガス配管路を流れるガスの予測状態と、前記バルブを開いて前記ガス配管路を流れるガスの状態とを状態毎に識別表示する表示部とを具備する基板処理装置に係るものである。
又本発明は、前記ガス配管路内のガスを検知するガス検知部を更に具備し、前記表示部は前記ガス検知部が検知した前記配管路のガスの流れを表示する基板処理装置に係り、又前記ガス配管路を流れるガスの流量を検出する流量検出部を更に具備し、前記表示部は前記流量検出部が検出したガスの流量に応じた表示をする基板処理装置に係るものである。
本発明によれば、ガス配管路に設けられたバルブの開閉要求状態及び開閉状態を検出する状態検出部と、前記バルブの開閉要求状態により予測される前記ガス配管路を流れるガスの予測状態と、前記バルブを開いて前記ガス配管路を流れるガスの状態とを状態毎に識別表示する表示部とを具備するので、電磁バルブを開ける前に配管内のガスの状態を把握でき、ガスを流す際の安全性の向上、基板を処理する上での信頼性の向上を図ることができる。
又本発明によれば、前記ガス配管路内のガスを検知するガス検知部を更に具備し、前記表示部は前記ガス検知部が検知した前記配管路のガスに応じて表示するので、前記ガス配管路内の予測状態時に、ガスの混合による危険を回避でき、基板処理の安全性、信頼性をより向上させることができる。又、同時に、レシピ作成時の設定ミスを抑えることができる。
更に又本発明によれば、前記ガス配管路を流れるガスの流量を検出する流量検出部を更に具備し、前記表示部は前記流量検出部が検出したガスの流量に応じた表示をするので、細かな流量調整を必要とする処理であっても容易に実施可能となるという優れた効果を発揮する。
本発明に於ける基板処理装置の概略縦断面図である。 本発明の構成を示すブロック図である。 図2の要部拡大図である。 本発明の実施例を示すフローチャートである。 本発明の第1の実施例の表示例を示す説明図である。 本発明の第2の実施例の表示例を示す説明図である。 本発明の第3の実施例の表示例を示す説明図である。 従来の表示例を示す説明図である。 本発明の第4の実施例の表示例を示す説明図である。 本発明の第4の実施例に於いて表示される警告画面の一例である。 本発明の第5の実施例の表示例を示す説明図である。 本発明の第6の実施例を示す説明図である。
以下、図面を参照しつつ本発明の実施例を説明する。
先ず、図1に於いて、本発明が実施される基板処理装置について概略を説明する。
図1中、6は基板処理装置、7は筐体を示している。前記基板処理装置6へのウェーハ8の搬入搬出は、ウェーハ8が基板搬送容器に収納された状態で行われる。基板搬送容器として、例えばポッド9が用いられ、該ポッド9にはウェーハ8が所定枚数、例えば25枚が収納される。前記ポッド9は、開閉可能な蓋を具備する密閉容器であり、該ポッド9へのウェーハ8の装填、払出しは、前記蓋を開いて実行される。
前記基板処理装置6の前面には基板授受装置11が設けられ、前記ポッド9は外部搬送装置(図示せず)により前記基板授受装置11に対して搬入搬出が行われる。
前記筐体7の前記基板授受装置11に対峙する部分にはポッド搬入出口12が設けられ、該ポッド搬入出口12を開閉するフロントシャッタ13が設けられており、前記ポッド9は前記フロントシャッタ13を通して前記筐体7内部に搬入搬出される様になっている。
前記筐体7内の前部には、ポッド搬送装置14が設けられ、該ポッド搬送装置14は前記ポッド9を保持可能なポッド移載アーム15を具備している。又、該ポッド移載アーム15は昇降、横行(紙面に対して垂直な方向)、進退(紙面の左右方向)可能であり、昇降、横行、進退の協働により前記ポッド9を任意な位置に搬送可能となっている。
前記ポッド搬送装置14に対向し、前記筐体7内の上部にはポッド格納部16が設けられている。該ポッド格納部16には間欠回転可能な複数のポッド収納棚17を有し、各ポッド収納棚17毎に複数の前記ポッド9を格納可能となっている。
前記筐体7内の後方下部には、サブ筐体18が設けられ、該サブ筐体18は移載室19を画成する。
前記サブ筐体18の前壁21には上下2段にポッドオープナ22,22が設けられる。該ポッドオープナ22,22はそれぞれ載置台23、蓋着脱機構24を具備し、前記載置台23上に前記ポッド9が載置され、前記前壁21に密着され、前記蓋着脱機構24によって蓋が開閉される様になっている。前記ポッド9の蓋が開放された状態では、該ポッド9の内部と前記移載室19が連通状態となる。
前記筐体7内の後部、前記サブ筐体18の上側には処理炉25が立設される。該処理炉25は処理室を気密に画成する反応管、該反応管の周囲に設けられたヒータを具備し、又、前記反応管にはガス供給ライン、排気ラインが連通されており、処理室を加熱すると共に所定の処理圧に維持して、処理ガスの給排を行う様になっている。
前記処理室は、下端に前記移載室19に連通する炉口部を有し、該炉口部は炉口シャッタ26によって開閉される。
前記移載室19には、前記処理炉25の下方にボートエレベータ27が設けられ、該ボートエレベータ27は前記炉口部を気密に閉塞可能なシールキャップ28を有し、該シールキャップ28にボート29が載置可能であり、前記ボートエレベータ27は前記シールキャップ28を昇降させることで、前記ボート29を前記処理室に装脱可能となっている。又、前記ボート29を前記処理室に装入した状態では、前記シールキャップ28が前記炉口部を気密に閉塞する。
前記移載室19には前記ポッドオープナ22と前記ボートエレベータ27との間に基板移載機31が設けられ、該基板移載機31にはウェーハ8を保持する複数の基板保持プレート(ツイーザ)32を具備している。該ツイーザ32は、例えば上下に等間隔で5枚配置され、上下の間隔(ピッチ)は前記ポッド9のウェーハ収納ピッチ、ボート29のウェーハ保持ピッチと同一となっている。
前記基板移載機31は、前記ツイーザ32を水平方向に進退可能であり、又昇降可能、垂直軸心中心に回転可能とする構成を具備し、進退、回転、昇降の協働によって前記ツイーザ32にウェーハ8を保持し、所定の位置に移載可能となっている。
前記基板処理装置6は後述する流量制御部43、表示部付操作部44を有する制御装置33を具備している。該制御装置33は例えば前記基板処理装置6の前面に配置される。前記制御装置33は前記ポッド搬送装置14、前記ポッド格納部16、前記蓋着脱機構24、前記ボートエレベータ27、前記基板移載機31等の駆動機構を制御し、又前記処理炉25の加熱状態を制御する。
次に、図2〜図5に於いて、本発明に於ける第1の実施例について説明する。尚、図2、図3、図5中、図1、図8中で示したものと同等のものには同符号を付し、その説明を省略する。
基板処理装置6が具備する1つの処理室34に対してN2 ガス及びプロセスガス(薄膜の生成、或はエッチング等の基板処理に使用されるガス)を供給するガス配管路としての複数系統のガス配管1A〜ガス配管1C、及び排気系35が接続され、前記各ガス配管1にはそれぞれ供給ガス遮断用のハンドバルブ36、圧力調整用のレギュレータ4、圧力計(PT)37、ガス供給用電磁バルブ2、置換用電磁バルブ38、流量制御器5、インターロック用電磁バルブ3、逆止弁39、逆止弁41が設けられ、前記排気系35には真空ポンプ42が設けられている。又、プロセスガスを供給する前記ガス配管1B、前記ガス配管1Cは、前記流量制御器5の先で2股に分れ、それぞれにインターロック用電磁バルブ3が設けられ、それぞれ一方は前記処理室34に接続され、もう一方は前記排気系35に接続されている。ここで、ガス配管路は、複数の配管要素から構成される、ガス供給源(ガスボンベ)から処理室34迄流れるガスが通る配管要素の組合せである。
前記流量制御部43はCPU、記憶部を具備し、該記憶部には、制御プログラム、判断プログラム等のプログラムや、各種パラメータ等が格納されている。又、前記流量制御部43は表示部付操作部44と接続されると共に、前記ガス供給用電磁バルブ2、前記インターロック用電磁バルブ3、前記真空ポンプ42等の全ての機器が入出力ポートを介して接続されている。ここで、判断プログラムは、本願発明に於けるシミュレーションを実行する為のプログラムである。
前記流量制御部43から前記表示部付操作部44に対して、ウェーハ処理の状態、前記圧力計37、流量検出部としての前記流量制御器5が検出した流量検出状態に関する情報が送られる。又、前記流量制御部43から前記表示部付操作部44に対して、前記ガス供給用電磁バルブ2、前記インターロック用電磁バルブ3、前記置換用電磁バルブ38等の作動状態に関する情報が信号として送られ、前記表示部付操作部44はバルブの状態検出部として作用する。前記ガス供給用電磁バルブ2、前記インターロック用電磁バルブ3の開閉や前記流量制御器5による流量制御は、前記流量制御部43で行われる。又、前記表示部付操作部44は音声出力部、状態変化部としても作用する。
尚、上記では、各バルブの状態を、前記表示部付操作部44に対してそれぞれのバルブから送られてきた信号によって検出しているが、各バルブにバルブの開閉を検出するセンサを直接取付け、該センサをバルブの状態検出部としてもよい。
流量制御部43は前記ガス配管1と前記排気系35の給排動作を制御し、前記表示部付操作部44は前記処理室34でのウェーハ処理状態や前記ガス配管1と前記排気系35でのガス給排状態を表示する様に構成されている。
又、前記表示部付操作部44はガス給排状態を示す為のガスモニタ表示部を有し、該ガスモニタ表示部は各ガス配管1の電磁バルブ等の開閉状態を示し、どのガス配管1から前記処理室34に供給されているのかが分る様になっている。
次に、各ガス配管1内の状態を表示する場合について説明する。
図3は図2の要部拡大図、図4はガス配管内状態表示プログラムのフローチャートである。
図3に於いて、前記ガス配管1の内、ガス供給用電磁バルブ2A、ガス供給用電磁バルブ2Bよりも上流側を配管要素45、置換用電磁バルブ38Aと逆止弁39Aとの間の区間を配管要素46、流量制御器5Bと前記ガス供給用電磁バルブ2Bと前記置換用電磁バルブ38Aとの間の区間を配管要素47、前記流量制御器5Bとインターロック用電磁バルブ3Bとインターロック用電磁バルブ3Cとの間の区間を配管要素48、前記インターロック用電磁バルブ3Cよりも下流側を配管要素49、前記インターロック用電磁バルブ3Bよりも下流側を配管要素51、前記ガス供給用電磁バルブ2Aと流量制御器5Aと前記逆止弁39Aとの間の区間を配管要素52、インターロック用電磁バルブ3Aと前記流量制御器5Aとの間の区間を配管要素53、前記インターロック用電磁バルブ3Aよりも下流側を配管要素54としている。
又、前記ガス供給用電磁バルブ2、前記インターロック用電磁バルブ3、前記流量制御器5、前記置換用電磁バルブ38には予めバルブ開閉条件が設定される。特に、前記インターロック用電磁バルブ3は、該バルブ開閉条件に違反して操作されるとインターロックがかかるように構成されている。従って、前記インターロック用電磁バルブ3のバルブ開閉条件に基づいて、前後の配管要素のガス種を判断プログラムが検知するので、該判断プログラムがガス検知部として作用する。尚、各配管要素45〜49,51〜54にそれぞれガスを検知するセンサを取付け、該センサをガス検知部としてもよい。
前記制御装置33によって各配管要素を流れるガスの状態がシミュレーションされる。ガスの状態を予測するシミュレーションは、バルブが押下された際の信号、又はバルブ開の指令信号を前記表示部付操作部44が受信することで開始される。先ず、前記表示部付操作部44は、バルブが開要求状態であるかどうかを判断する(STEP:01)。この判断では、前記バルブが押下された際の信号を受信したとき、バルブ開の指令信号が含まれているかどうかがチェックされる。
次に、バルブが開要求状態であれば判断プログラムを実行し、該バルブの前段の配管要素の状態を確認し(STEP:02)、前段の配管要素の中にガスが充填されているかどうかを判断すると共に、後段のバルブの開閉状態や後段の配管要素の状態を確認する(STEP:03)。
バルブの前段の配管要素にガスが充填されていない場合は、バルブを開状態にしてもバルブ後段の配管要素にガスが流込むことがない為、配管要素の中をガスが充填されていないことを示す色(未FLOW色)のまま変更しない(STEP:04)。
バルブ前段の配管要素に充填されていた場合は、バルブを開状態にするとバルブ後段の配管要素にガスが流込む為、バルブ後段の配管要素を、予め設定していた配管要素にガスが流込むという予測を示す色(シミュレーションFLOW色)に変更する(STEP:05)。
次に、他のバルブに対しての操作の有無が判断される(STEP:06)。バルブ操作の有無は他のバルブ操作が行われる迄待機状態となり、操作が行われたら判断プログラムが実行される。又、シミュレーションを止める場合、例えば、キャンセルボタンを操作画面に設け、このキャンセルボタンの押下の有無で判断される。STEP:04に於いて他のバルブの操作が行われないと判断された場合にはそこで処理を終了し、STEP:05に於いて他のバルブの操作が行われないと判断した場合には、次に実際にバルブを開くかどうか、即ちSETボタンの押下の有無を判断する(STEP:07)。STEP:06で他のバルブ操作をせず、STEP:07でSETボタンも押さない場合には、実際にバルブを開くことなくシミュレーションのみが実行され、処理が終了する。又、STEP:06に於いて、他のバルブの操作を行うと判断した場合には、該当するバルブについてSTEP:01〜STEP:03迄の処理が再度行われる。
シミュレーション通りに処理を実行する場合は、STEP:07でSETボタンを押下する。SETボタンが押下されると前記流量制御部43はバルブを開要求状態から開状態に移行させ(STEP:08)、バルブ後段の配管要素を、予め設定していたガスが流込んだ状態を示す色(実FLOW色)に変更する様に前記流量制御部43から前記表示部付操作部44に出力される(STEP:09)。
尚、上記シミュレーションはSTEP:06を省略し、バルブ毎に実行してもよい。
図5(A)、図5(B)は、ガス配管内状態表示プログラムの出力結果の一例である。
図5(B)に於いては、前記ガス供給用電磁バルブ2Aと前記ガス供給用電磁バルブ2B迄ガスが充填されている状態であり、前記ガス供給用電磁バルブ2A、前記ガス供給用電磁バルブ2B、前記インターロック用電磁バルブ3A、前記インターロック用電磁バルブ3B、前記インターロック用電磁バルブ3C及び前記置換用電磁バルブ38Aが閉状態となっている。
上記の状況に於いては、前記配管要素45が実FLOW色(例えば赤色)であり、前記配管要素47、前記配管要素48がシミュレーションFLOW色(例えば黄色)であり、前記配管要素46、前記配管要素49、前記配管要素51、前記配管要素52、前記配管要素53、前記配管要素54が未FLOW色(例えば灰色)というシミュレーション結果が前記表示部付操作部44に出力される。
同様に図5(A)では、前記配管要素52、前記配管要素53がシミュレーションFLOW色であり、前記配管要素45が実FLOW色であり、前記配管要素46、前記配管要素47、前記配管要素48、前記配管要素49、前記配管要素51、前記配管要素54が未FLOW色というシミュレーション結果が前記表示部付操作部44に出力される。
更に、上記実施例に於ける各配管要素の色分け表示に加え、前記流量制御器5が検出した流量情報により、前記ガス配管1を流れるガスの流量状態を表示することも可能である。
例えば、実FLOW時に前記ガス配管1内を流れるガスの流量に応じて、ガスが規定の流量で流れている場合は、流量が規定値であることを示す色(例えば緑色)、ガスが規定の流量よりも多量に流れている場合は、流量が多量であることを示す色(例えば赤色)、ガスが規定の流量よりも少量しか流れていない場合は、流量が少量であることを示す色(例えば青色)で前記流量制御器5を表示する様に、前記流量制御部43から前記表示部付操作部44に出力することで、ガス流量がどの様な状態であるのかが容易に判別することができる。
尚、上記ではガス流量の多少を色分けすることで識別しているが、前記流量制御器5を点滅表示する様に、前記流量制御部43から前記表示部付操作部44に出力し、前記流量制御器5の点滅速度によってガス流量の多少を識別表示してもよい。
次に、図6に於いて本発明の第2の実施例について説明する。尚、図6中、図2と同等のものには同符号を付し、その説明を省略する。
第2の実施例の構成は第1の実施例の構成を簡略化したものである。
先ず、供給ガスを区分aと、前記レギュレータ4を介して区分b、区分cに充填し、区分a、区分b、区分cの表示を例えば赤色に色分けする。
供給ガスを前記処理室34に流す際には、ガス配管1内に設けられたガス供給用電磁バルブ2の開閉要求命令が、前記流量制御部43から前記ガス供給用電磁バルブ2に出される。
前記流量制御部43内に具備されている判断プログラムは、開閉しようとしている電磁バルブの前段にガスが充填されているかを判断し、充填されていれば、区分dの表示は区分a、区分b、区分cとは異なった形状と色、例えば黄色のドットで表示する様前記表示部付操作部44に出力され、充填されていないと判断されると、区分dの表示は、例えば灰色のまま配管色は変化しない。
同時に、前記流量制御器5の前後配管に於いても同様に判断プログラムが実施され、所定の流量になる様に前記制御部43から流量命令が前記流量制御器5に出された際には、該流量制御器5の前後の配管には区分a、区分b、区分cとは異なった形状と色と形状の動作によって区別する様に前記表示部付操作部44に出力される。同判断を前記処理室34(区分f)迄実施し、前記ガス配管1内のガスの流れる予測状態が、例えば黄色のドットの点等により色分け及び形状の変化によってガスが流れているという視覚的状態で表示される。更に、前記流量制御器5の設定に応じて、前記ドットの動きを速くしたり、遅くしたりすると、ガス流量が効果的にわかる。
上記判断は未だガスが流れていない状態である。前記流量制御部43からガスを流す命令が、電磁バルブ又は前記流量制御器5に出た際には、判断プログラムによって色分けされた部分が黄色から赤色へとガスが充填されている配管色に変化する。この変化によって、実際にガスが充填、流れている状態が表現される。
次に図7に於いて本発明の第3の実施例について説明する。尚、図7中、図2と同等のものには同符号を付し、その説明を省略する。
第3の実施例の構成は、第2の実施例と同様である。
先ず、供給ガスを区分aと、前記レギュレータ4を介して区分b、区分cに充填させることで、区分a、区分b、区分cの表示が、例えば赤色に色分けされる。
基板処理に於いては、2種類のガスを混合させて基板処理を実施する場合があり、区分fが他のガス(ガス配管1で処理室34に供給されるガスとは異なるガス)、例えばN2 により充填されていた場合、第1の実施例とは異なった表示、例えば青色に色分けされる。
尚、本実施例では、不活性ガスであって、実プロセスで供給するガスと混合しても構わないガスである為、区分fの表示がされる過程は省略する。又、不活性ガスの為、本実施例の様にシミュレーションさせる必要性はないが、本願発明に於けるシミュレーションを適用するのが好ましい。
供給ガスを前記処理室34に流す際には、ガス配管1内に設けられたガス供給用電磁バルブ2の開閉要求命令が、前記流量制御部43から前記ガス供給用電磁バルブ2に出される。
前記流量制御部43内に具備されている判断プログラムは、開閉しようとしている電磁バルブの前段にガスが充填されているかを判断する。充填されていた場合、区分dの表示は区分a、区分b、区分cとは異なった色、例えば黄色で表示する様に前記流量制御部43からシミュレーション結果として前記表示部付操作部44に出力される。充填されていなかった場合、区分dの表示は、例えば灰色のまま配管色は変化しない。
前記流量制御器5の前後配管に於いても、同様に判断プログラムが実施される。前記ガス配管1内が所定の流量になる様に前記流量制御部43から流量命令が流量制御器5に出された際に、該流量制御器5の前後の配管には区分a、区分b、区分cとは異なった色と形状の動作によって区別する様に前記流量制御部43からシミュレーション結果として前記表示部付操作部44に出力される。
インターロック用電磁バルブ3に開閉要求命令が出されると、判断プログラムは、区分eにガスが充填されているかを判断する。区分eにガスが充填されていた場合、区分fは区分a、区分b、区分c、区分d、区分eとは異なった予測状態の混合されたガスを示す色、例えば緑色で表示される。前記流量制御部43からガスを流す命令が前記インターロック用電磁バルブ3に出た際には、判断プログラムによって色分けされた部分が緑色からガスが混合している状態を示す色、例えば紫色に変化する。この変化によって、単独のガスか混合されたガスであるかが表現される。
尚、判断プログラムは、インターロック用電磁バルブ3に開閉要求命令が出されると、前記インターロック用電磁バルブ3のバルブ開閉条件(信号)から区分fに充填されているガス種を読取ることができるので、前記インターロック用電磁バルブ3を開けて、ガスを混合してもよいか判断することができる。
次に、図9に於いて本発明の第4の実施例について説明する。尚、図9中、図2と同等のものには同符号を付し、その説明を省略する。
第4の実施例の構成は第2の実施例と同様であり、ガス配管1a、ガス配管1bという2本の配管にそれぞれ別のガスA,Bを流す場合を示している。
先ず、供給ガスAを区分aと、レギュレータ4aを介して区分b、区分cに充填させることで、区分a、区分b、区分cの表示が、例えば赤色に色分けされると共に、供給ガスBを区分gと、レギュレータ4bを介して区分h、区分iに充填させることで、区分g、区分h、区分iの表示が、例えば青色に色分けされる。
供給ガスAを処理室34に流す際には、前記ガス配管1a内に設けられたガス供給用電磁バルブ2aの開閉要求命令が、前記流量制御部43から前記ガス供給用電磁バルブ2aに出力される。
前記流量制御部43内に具備されている判断プログラムは、開閉しようとしている電磁バルブの前段にガスが充填されているかを判断し、充填されていれば、区分dの表示は区分a、区分b、区分cとは異なった色、例えば黄色で表示する様前記表示部付操作部44に出力され、充填されていなかった場合、区分dの表示は例えば灰色のまま配管色は変化しない。
同時に、前記流量制御器5aの前後配管に於いても同様に判断プログラムが実施される。前記ガス配管1a内が所定の流量になる様に前記流量制御部43から流量命令が前記流量制御器5aに出された際に、該流量制御器5aの前後の配管には区分a、区分b、区分cとは異なった色によって区別される様に、前記流量制御部43からシミュレーション結果として前記表示部付操作部44に出力される。同判断を前記処理室34(区分f)迄実施し、前記ガス配管1a内のガスの流れる予測状態が、例えば灰色から黄色という配管色の変化によって視覚的に表示される。
次に、上記状態に於いて、前記ガス配管1b内に設けられたガス供給用電磁バルブ2b、前記流量制御器5b及びインターロック用電磁バルブ3bに対しても、前記ガス配管1aと同様に開閉要求命令を行う。
前記インターロック用電磁バルブ3bの開要求命令を行った際にはガスAとガスBが区分fで混合するので、前記インターロック用電磁バルブ3bの開要求命令を出した際には、該インターロック用電磁バルブ3bが開示できない旨を前記表示部付操作部44に表示、例えば図10に示される様な、「本バルブはインターロックがかかっている為開けることは出来ません。同時開禁止バルブが開いていないか確認願います。」というような警告画面44aが表示される。
従って、複数の電磁バルブの開閉要求に対して、同時開閉状態が危険な状態(混色発火、爆発等)である場合は、予測状態時に危険な状態であることを表示することが可能となる。
次に、図11に於いて本発明の第5の実施例について説明する。尚、第5の実施例の構成も、第2の実施例の構成と同様であり、図11中、図2と同等のものには同符号を付し、その説明を省略する。
先ず、供給ガスを区分aと、レギュレータ4を介して区分b、区分cに充填し、区分a、区分b、区分cの配管形状を例えば幅4mmにて表示する。
供給ガスを処理室34に流す際には、ガス配管1内に設けられたガス供給用電磁バルブ2の開閉要求命令が、流量制御部43から前記ガス供給用電磁バルブ2に出力される。
前記流量制御部43内に具備されている判断プログラムは、開閉しようとしている電磁バルブの前段にガスが充填されているかを判断し、充填されていれば、区分dの表示形状は区分a、区分b、区分cとは異なった配管形状、例えば幅2mmで表示する様表示部付操作部44に出力され、充填されていなかった場合、区分dの表示は例えば幅1mmの配管形状のまま変化しない。
同時に、流量制御器5の前後配管に於いても同様に判断プログラムが実施される。前記ガス配管1内が所定の流量になる様に前記流量制御部43から流量命令が前記流量制御器5に出された際に、該流量制御器5の前後の配管には区分a、区分b、区分cとは異なった配管形状によって区別される様に、前記流量制御部43からシミュレーション結果として前記表示部付操作部44に出力される。同判断を前記処理室34(区分f)迄実施し、前記ガス配管1内のガスの流れる予測状態が、例えば幅1mm〜4mm迄変化する配管形状によって視覚的に表示される。
尚、本実施例と他の実施例を併合し、配管内のガスの状態を配管形状の変化に加えて、色分けやドット表示等を使用して表示してもよい。
次に、図12に於いて、第6の実施例について説明する。尚、第6の実施例の構成は第2の実施例と同様であり、図12中、図2と同等のものには同符号を付し、その説明を省略する。
先ず、供給ガスを区分aと、レギュレータ4を介して区分b、区分cに充填し、区分a、区分b、区分cはガスが充填していることを示す電子音等の音声、例えばピーピーピーという第1音声を出すことでガスが充填していることが表現される。
供給ガスを処理室34に流す際には、ガス配管1内に設けられたガス供給用電磁バルブ2の開閉要求命令が、流量制御部43から前記ガス供給用電磁バルブ2に出力される。
前記流量制御部43内に具備されている判断プログラムは、開閉しようとしている電磁バルブの前段にガスが充填されているかを判断し、充填されていれば、区分dの音声出力は区分a、区分b、区分cとは異なった音声、例えばピッピッピッという開閉要求命令が実行された時にガスが充填されることを示す第2音声が出力され、充填されていなかった場合には、区分dの音声出力は、例えばガスが充填されていないことを示す音声無しのまま音声出力は変化しない。
同時に、流量制御器5の前後配管に於いても同様に判断プログラムが実施される。所定の流量となる様に前記流量制御部43からの流量命令が前記流量制御器5に出された際に、該流量制御器5の前後の配管には区分a、区分b、区分cとは異なった音声出力によって区別する様に、前記流量制御部43からシミュレーション結果として前記表示部付操作部44に出力される。同判断を前記処理室34(区分f)迄実施し、前記ガス配管1内のガスの流れる予測状態が、第1音声、第2音声或は音声無しという音声出力の変化により、聴覚的に表現される。
尚、本実施例と他の実施例を併合し、前記ガス配管1内の状態を、音声出力による聴覚的表現に加えて色分け、ドット、表示形状の変化等の視覚的表示方法を用いることで、更に容易に認識できることは言う迄もない。
上述した様に、本発明に於いて、レシピ作成中及びメンテナンス中にガスを流す際に、ガスの微細化によるガスパターンの煩雑化に起因する、目視及び手動でガス流れを確認する困難さを解消できる。
又、レシピを作成する際に、複数のステップのうち1個だけバルブの設定ミスがあると該バルブの探索に時間が掛っていたが、本発明では設定ミスのバルブの探索に時間を必要とせず、各ステップに於いて所望のガスが設定通りに流れるかが目視或は聴覚で確認可能となる。
更に、流れるはずのガスが流れない等の設定ミスによる無駄なレシピを実行することがない等、設定ミスに気付かずにプロセス評価を実施してしまうことによるセットアップ作業の遅延を抑止できる。
尚、本発明では電磁バルブについて記載してきたが、電磁バルブの代りにエアバルブを用いてもよい。エアバルブを用いることで、電磁バルブを直接ガス配管に設けたことによる、電磁バルブの開閉動作の際に処理ガスが発火する可能性を防止できる。又、電磁バルブとエアバルブをIP配管で接続する様に構成してもよい。テフロン(登録商標)系のエアチューブであるIP配管を用いて接続することで、エアバルブが電気的に制御可能となる為、処理の精度を高めることができる。つまり、電磁バルブを電気的に操作(開閉)し、電磁バルブからエアチューブでエアバルブを操作(開閉)して実ガスを制御する為、処理ガスの流れを精度よく制御できる。
尚、本発明に於ける基板処理装置6は、半導体製造装置だけではなく、LCD装置の様なガラス基板を処理する装置でも適用可能であり、又縦型装置だけではなく枚葉式装置や横型装置にも適用できる。更に、露光装置、リソグラフィ装置、塗布装置等他の基板処理装置に関しても同様に適用可能である。又、炉内の処理には何等関係なく、酸化、拡散、アニール等のCVD以外の処理に関しても適用可能であることは言う迄もない。
(付記)
又、本発明は以下の実施の態様を含む。
(付記1)ガス配管路に設けられたバルブの開閉要求状態及び開閉状態を検出する状態検出部と、前記バルブの開閉要求状態により予測される前記ガス配管路を流れるガスの予測状態と、前記バルブを開いて前記ガス配管路を流れるガスの状態とを状態毎に識別表示する表示部とを具備することを特徴とする基板処理装置。
(付記2)前記ガス配管路を流れるガスの流量を検出する流量検出部を更に具備し、前記表示部は前記流量検出部が検出したガスの流量に応じた表示をする付記1の基板処理装置。
(付記3)前記表示部は、前記バルブの開閉要求状態により検出されたガスの流れる配管の予測状態を色分け表示すると共に、前記バルブを開いてガスを前記ガス配管路に流した状態で更に色分け表示する付記1の基板処理装置。
(付記4)前記表示部は、前記ガス配管路の配管状態を不活性ガスと危険性ガスとで色分け表示する付記1の基板処理装置。
(付記5)前記表示部は、前記ガス配管路の配管状態を単独のガスか混合されたガスかで色分け表示する付記1の基板処理装置。
(付記6)前記表示部は、前記バルブの開閉要求状態と、前記流量検出部により検出された前記ガス配管路内のガス流量を、ドットの動きの速さにより表示する付記2の基板処理装置。
(付記7)前記表示部は、複数の前記バルブの開閉要求状態に対して、該バルブの同時開放が危険である場合に警告画面を表示する付記1の基板処理装置。
(付記8)前記表示部は、前記バルブの開閉要求状態により検出されたガスの流れる配管の予測状態を形状の変化で表示すると共に、前記バルブを開いてガスを前記ガス配管路に流した状態で更に形状を変化させて表示する付記1の基板処理装置。
(付記9)前記表示部は、前記バルブの開閉要求状態により検出されたガスの流れる配管の予測状態を音声出力で表現すると共に、前記バルブを開いてガスを前記ガス配管路に流した状態で更に異なった音声出力で表現する付記1の基板処理装置。
1 ガス配管
2 ガス供給用電磁バルブ
3 インターロック用電磁バルブ
4 レギュレータ
5 流量制御器
6 基板処理装置
33 制御装置
34 処理室
35 排気系
36 ハンドバルブ
38 置換用電磁バルブ
43 流量制御部
44 表示部付操作部
45〜49 配管要素
51〜54 配管要素

Claims (3)

  1. ガス配管路に設けられたバルブの開閉要求状態及び開閉状態を検出する状態検出部と、前記バルブの開閉要求状態により予測される前記ガス配管路を流れるガスの予測状態と、前記バルブを開いて前記ガス配管路を流れるガスの状態とを状態毎に識別表示する表示部とを具備することを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記ガス配管路内のガスを検知するガス検知部を更に具備し、前記表示部は前記ガス検知部が検知した前記配管路のガスの流れを表示する請求項1の基板処理装置。
  3. 前記ガス配管路を流れるガスの流量を検出する流量検出部を更に具備し、前記表示部は前記流量検出部が検出したガスの流量に応じた表示をする請求項1の基板処理装置。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013168131A (ja) * 2012-01-16 2013-08-29 Tokyo Electron Ltd 処理装置及びバルブ動作確認方法
KR20140103067A (ko) 2013-02-15 2014-08-25 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 시뮬레이션 장치, 기록매체 및 시뮬레이션 방법
CN108871511A (zh) * 2018-06-29 2018-11-23 南京罕华流体技术有限公司 一种联动型工业流量精确计量方法
WO2019053869A1 (ja) * 2017-09-15 2019-03-21 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置
JPWO2021192207A1 (ja) * 2020-03-27 2021-09-30
WO2024204586A1 (ja) * 2023-03-30 2024-10-03 大阪瓦斯株式会社 設備操作支援システム

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5465954B2 (ja) * 2008-09-29 2014-04-09 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び判断プログラムを格納する記憶媒体及び基板処理装置の表示方法
US10108205B2 (en) 2013-06-28 2018-10-23 Applied Materials, Inc. Method and system for controlling a flow ratio controller using feed-forward adjustment
US10114389B2 (en) 2013-06-28 2018-10-30 Applied Materials, Inc. Method and system for controlling a flow ratio controller using feedback
WO2017058261A1 (en) * 2015-10-02 2017-04-06 Halliburton Energy Services Inc. Setting valve configurations in a manifold system
JP6869765B2 (ja) * 2017-03-23 2021-05-12 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6437690A (en) * 1987-08-04 1989-02-08 Nippon Atomic Ind Group Co Plant monitor
JPH06187581A (ja) * 1992-12-16 1994-07-08 Hitachi Ltd 配管内状態表示方法および装置
JPH08128079A (ja) * 1994-10-31 1996-05-21 Fuji Electric Co Ltd 配水管網における汚染物質拡散状態の推定方法及び推定結果の表示方法
JP2001040481A (ja) * 1999-07-27 2001-02-13 Tokyo Electron Ltd ガス処理装置
JP2002025918A (ja) * 2000-07-12 2002-01-25 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置
JP2002258940A (ja) * 2001-03-05 2002-09-13 Toshiba Corp プロセス監視装置
JP2008065821A (ja) * 2006-09-06 2008-03-21 Fisher Rosemount Syst Inc モニタリングシステムおよびモニタリング方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2566873A (en) * 1944-03-31 1951-09-04 Thompson Prod Inc Fluid control system
US2951638A (en) * 1955-05-31 1960-09-06 Southern Gas Ass Gas pumping system analog
JPS58144918A (ja) * 1982-02-24 1983-08-29 Hitachi Ltd 配水管網の圧力・流量制御方式
JP2002066364A (ja) 2000-09-04 2002-03-05 Sumitomo Chem Co Ltd 無機酸化物粉末の製造方法
JP3814492B2 (ja) * 2001-04-12 2006-08-30 松下電器産業株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP4261797B2 (ja) 2001-10-01 2009-04-30 矢崎総業株式会社 ガス流量計
KR200266364Y1 (ko) * 2001-11-15 2002-03-02 동부전자 주식회사 가스 공급 시스템의 실시간 가스 모니터링 장치
US6778873B1 (en) * 2002-07-31 2004-08-17 Advanced Micro Devices, Inc. Identifying a cause of a fault based on a process controller output
KR100517405B1 (ko) * 2003-06-27 2005-09-27 삼성전자주식회사 질량 유량 제어기 및 이를 갖는 가스 공급 장치
US8014991B2 (en) * 2003-09-30 2011-09-06 Tokyo Electron Limited System and method for using first-principles simulation to characterize a semiconductor manufacturing process
US8296687B2 (en) * 2003-09-30 2012-10-23 Tokyo Electron Limited System and method for using first-principles simulation to analyze a process performed by a semiconductor processing tool
US8032348B2 (en) * 2003-09-30 2011-10-04 Tokyo Electron Limited System and method for using first-principles simulation to facilitate a semiconductor manufacturing process
US8036869B2 (en) * 2003-09-30 2011-10-11 Tokyo Electron Limited System and method for using first-principles simulation to control a semiconductor manufacturing process via a simulation result or a derived empirical model
US8073667B2 (en) * 2003-09-30 2011-12-06 Tokyo Electron Limited System and method for using first-principles simulation to control a semiconductor manufacturing process
JP4382569B2 (ja) * 2004-05-07 2009-12-16 株式会社東芝 塗膜形成装置、塗膜形成方法および製造管理装置
JP4290204B2 (ja) * 2007-02-13 2009-07-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の設定操作支援装置,設定操作支援方法,プログラムを記憶する記憶媒体
US20090214777A1 (en) * 2008-02-22 2009-08-27 Demetrius Sarigiannis Multiple ampoule delivery systems
JP5465954B2 (ja) * 2008-09-29 2014-04-09 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び判断プログラムを格納する記憶媒体及び基板処理装置の表示方法
JP5514129B2 (ja) * 2010-02-15 2014-06-04 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置、および成膜装置の使用方法
US8880227B2 (en) * 2010-05-27 2014-11-04 Applied Materials, Inc. Component temperature control by coolant flow control and heater duty cycle control

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6437690A (en) * 1987-08-04 1989-02-08 Nippon Atomic Ind Group Co Plant monitor
JPH06187581A (ja) * 1992-12-16 1994-07-08 Hitachi Ltd 配管内状態表示方法および装置
JPH08128079A (ja) * 1994-10-31 1996-05-21 Fuji Electric Co Ltd 配水管網における汚染物質拡散状態の推定方法及び推定結果の表示方法
JP2001040481A (ja) * 1999-07-27 2001-02-13 Tokyo Electron Ltd ガス処理装置
JP2002025918A (ja) * 2000-07-12 2002-01-25 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置
JP2002258940A (ja) * 2001-03-05 2002-09-13 Toshiba Corp プロセス監視装置
JP2008065821A (ja) * 2006-09-06 2008-03-21 Fisher Rosemount Syst Inc モニタリングシステムおよびモニタリング方法

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013168131A (ja) * 2012-01-16 2013-08-29 Tokyo Electron Ltd 処理装置及びバルブ動作確認方法
KR20140103067A (ko) 2013-02-15 2014-08-25 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 시뮬레이션 장치, 기록매체 및 시뮬레이션 방법
JP2014157458A (ja) * 2013-02-15 2014-08-28 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、シミュレーション装置、プログラムおよびシミュレーション方法
US9558304B2 (en) 2013-02-15 2017-01-31 Toyko Electron Limited Substrate processing apparatus, simulation apparatus, storage medium and simulation method
US11289351B2 (en) 2017-09-15 2022-03-29 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium
WO2019053869A1 (ja) * 2017-09-15 2019-03-21 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置
CN108871511A (zh) * 2018-06-29 2018-11-23 南京罕华流体技术有限公司 一种联动型工业流量精确计量方法
JPWO2021192207A1 (ja) * 2020-03-27 2021-09-30
WO2021192207A1 (ja) * 2020-03-27 2021-09-30 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム
KR20220144852A (ko) 2020-03-27 2022-10-27 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램
TWI798638B (zh) * 2020-03-27 2023-04-11 日商國際電氣股份有限公司 半導體裝置的製造方法、基板處理裝置及程式
JP7288551B2 (ja) 2020-03-27 2023-06-07 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム
WO2024204586A1 (ja) * 2023-03-30 2024-10-03 大阪瓦斯株式会社 設備操作支援システム

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