TWI621729B - 基板處理方法 - Google Patents

Abstract

本發明之基板處理方法包括：決定步驟，其係基於與抗蝕圖案之溶解區域尺寸有關之目標，而決定使基板之表面疏水化時之處理條件；及處理步驟，其係於在基板之表面形成抗蝕膜之前，以決定步驟中所決定之處理條件使基板之表面疏水化。

Description

基板處理方法

本發明係關於一種對基板進行處理之基板處理方法。基板為半導體晶圓、光罩用玻璃基板、液晶顯示用玻璃基板、及光碟用基板等。

光微影技術被用於形成抗蝕圖案之方法。形成抗蝕圖案之方法例如具有使基板之表面疏水化之步驟、於基板形成抗蝕膜之步驟、曝光抗蝕膜之步驟、及將已曝光之抗蝕膜顯影之步驟。藉由將抗蝕膜顯影而獲得抗蝕圖案。 抗蝕圖案包含抗蝕膜已被溶解之溶解區域及抗蝕膜未被溶解之非溶解區域。溶解區域例如為間隙、孔、導孔及通孔等。非溶解區域例如為線、點等。 抗蝕圖案之尺寸由用於曝光之倍縮光罩(reticle)大致決定。日本專利特開2014-157986號公報中揭示抗蝕圖案之線寬根據曝光量而變動。該公報亦揭示抗蝕圖案之線寬根據曝光後之加熱處理時之溫度而變動。

然而，先前例存在如下問題。即，先前例中，有難以提高抗蝕圖案之尺寸精度之情形。 本發明係鑒於此種情況而完成者，其目的在於提供一種可獲得尺寸精度良好之抗蝕圖案之基板處理方法。 本發明者等人瞭解到抗蝕圖案之溶解區域之尺寸係根據使基板之表面疏水化時之處理條件而變動。 本發明係藉由基於此種見解努力研究而獲得者，且採用如下構成。 即，本發明係一種基板處理方法，其包括：決定步驟，其係基於與抗蝕圖案之溶解區域尺寸有關之目標，而決定使基板之表面疏水化時之處理條件；及處理步驟，其係於在基板之表面塗佈抗蝕膜之前，以上述決定步驟中所決定之上述處理條件使基板之表面疏水化。 本發明之基板處理方法包括決定步驟，故而可基於目標而決定處理條件。由於基板處理方法包括處理步驟，故而能以所決定之處理條件使基板之表面疏水化。其後，若於基板之表面上形成抗蝕圖案，則可獲得尺寸精度良好之抗蝕圖案。具體而言，可提高抗蝕圖案中所包含之溶解區域之尺寸精度。更具體而言，可使實際所獲得之溶解區域之尺寸較佳地近似於目標溶解區域尺寸。此處，溶解區域係藉由使抗蝕膜溶解而形成之區域。換言之，溶解區域係已去除(清除)抗蝕膜之區域。 於上述基板處理方法中，較佳為，基板之表面之接觸角根據上述處理條件而改變。換言之，較佳為，上述處理條件為改變基板之表面之接觸角之因素。基板之表面之接觸角根據決定步驟中所決定之處理條件而變動。因此，決定步驟可較佳地控制或管理經疏水化之基板之表面之接觸角。由此，可較佳地提高溶解區域之尺寸精度。 於上述基板處理方法中，較佳為，上述目標係上述溶解區域尺寸之目標值或相對於上述溶解區域尺寸之基準值之調整量中之至少任一者。於目標為溶解區域尺寸之目標值之情形時，決定步驟可簡單地決定用以獲得所需之溶解區域尺寸之處理條件。於目標為相對於溶解區域尺寸之基準值之調整量之情形時，決定步驟可簡單地決定用以調整溶解區域尺寸之處理條件。 於上述基板處理方法中，較佳為，於上述目標為第1目標時，上述決定步驟決定為第1處理條件，於上述目標為規定較上述第1目標更寬之溶解區域尺寸之第2目標時，上述決定步驟決定為較上述第1處理條件使基板之表面之接觸角增大之第2處理條件。目標規定越寬之溶解區域尺寸，決定步驟決定可獲得越大之接觸角之處理條件。因此，目標所規定之溶解區域尺寸越寬，處理步驟越增大基板之表面之接觸角。藉此，可較佳地提高實際所獲得之溶解區域之尺寸精度。 於上述基板處理方法中，較佳為上述處理條件包含用於上述處理步驟之處理氣體之氣體濃度，於上述目標為第1目標時，上述決定步驟決定為第1氣體濃度，於上述目標為規定較上述第1目標更寬之溶解區域尺寸之第2目標時，上述決定步驟決定為較上述第1氣體濃度高之第2氣體濃度。目標規定越寬之溶解區域尺寸，決定步驟決定越高之氣體濃度作為處理條件。藉此，目標所規定之溶解區域尺寸越寬，處理步驟越可較佳地增大基板之表面之接觸角。 於上述基板處理方法中，較佳為，上述處理條件包含不對基板進行處理氣體之吹送而保持利用上述處理氣體覆蓋基板之表面之狀態之保持時間，於上述目標為第1目標時，上述決定步驟決定為第1保持時間，於上述目標為規定較上述第1目標更寬之溶解區域尺寸之第2目標時，上述決定步驟決定為較上述第1保持時間長之第2保持時間。目標規定越寬之溶解區域尺寸，決定步驟決定越長之保持時間作為處理條件。藉此，目標所規定之溶解區域尺寸越寬，處理步驟越可較佳地增大基板之表面之接觸角。 於上述基板處理方法中，較佳為，上述處理條件包含用於上述處理步驟之處理氣體之氣體溫度，於上述目標為第1目標時，上述決定步驟決定為第1氣體溫度，於上述目標為規定較上述第1目標更寬之溶解區域尺寸之第2目標時，上述決定步驟決定為較上述第1氣體溫度高之第2氣體溫度。目標規定越寬之溶解區域尺寸，決定步驟將越高之氣體溫度決定為處理條件。藉此，目標所規定之溶解區域尺寸越寬，處理步驟越可較佳地增大基板之表面之接觸角。 於上述基板處理方法中，較佳為，上述處理條件為以下之至少任一者：用於上述處理步驟之處理氣體之氣體濃度、上述處理氣體之氣體溫度、對基板吹送之上述處理氣體之氣體流量、對基板吹送上述處理氣體之吹送時間、不對基板進行上述處理氣體之吹送而保持利用上述處理氣體覆蓋基板之表面之狀態之保持時間、使基板之表面疏水化之處理時間、及基板之溫度。可提高抗蝕圖案中所包含之溶解區域之尺寸精度。再者，所謂「處理氣體之氣體濃度」例如為處理氣體中之疏水化處理劑之濃度。 於上述基板處理方法中，較佳為，上述決定步驟係基於上述目標而決定至少2種以上之處理條件。換言之，較佳為，上述決定步驟係基於上述目標，而決定第1處理條件及與第1處理條件不同種類之第2處理條件。決定步驟可細緻地決定處理條件，故而可進一步提高抗蝕圖案中所包含之溶解區域之尺寸精度。 於上述基板處理方法中，較佳為，上述決定步驟係藉由參照規定上述溶解區域尺寸與上述處理條件之關係之相關資訊，而決定上述處理條件。決定步驟可簡單地決定處理條件。 於上述基板處理方法中，較佳為，上述相關資訊包含：第1相關資訊，其規定上述溶解區域尺寸與基板之表面之接觸角之關係；及第2相關資訊，其規定上述接觸角與上述處理條件之關係。據此，可分別容易地設定第1相關資訊及第2相關資訊。 於上述基板處理方法中，較佳為，上述處理條件包含第1處理條件及第2處理條件，上述相關資訊規定上述溶解區域尺寸與上述第1處理條件及上述第2處理條件之組合之關係。決定步驟可高效率地決定複數個處理條件(例如第1處理條件及第2處理條件)。 於上述基板處理方法中，較佳為，上述處理步驟包含：吹送步驟，其係藉由利用惰性氣體稀釋處理氣體而調整處理氣體之氣體濃度，並將上述氣體濃度經調整之上述處理氣體吹送至基板之表面；及保持步驟，其不對基板進行上述處理氣體之吹送而保持利用上述處理氣體覆蓋基板之表面之狀態。處理步驟包含吹送步驟及保持步驟，故而處理步驟可對基板之表面供給氣體濃度經調整之處理氣體。由此，處理步驟可使基板之表面較佳地疏水化。 於上述基板處理方法中，較佳為，上述吹送步驟係調整上述處理氣體之氣體溫度。處理步驟可將氣體溫度經調整之處理氣體供給至基板之表面。由此，處理步驟可使基板之表面進一步較佳地疏水化。 於上述基板處理方法中，較佳為，上述基板處理方法進而包括預吹送步驟，該預吹送步驟係將上述處理氣體向基板以外吹送，將上述處理氣體廢棄，上述處理條件包含與用於上述處理步驟之處理氣體有關之處理氣體條件，於藉由上述決定步驟而上述處理氣體條件發生改變時，進行上述預吹送步驟。基板處理方法包括預吹送步驟，故而可暫時吹送處理氣體。進而，每當藉由決定步驟所決定之處理氣體條件變化時均進行預吹送步驟，故而可做好以變更後之處理氣體條件吹送處理氣體之準備。處理氣體條件例如為處理氣體之濃度、溫度、流量等。由此，即便為於處理氣體條件變更後進行之最初之處理步驟，亦可將精度良好地調整為變更後之處理氣體條件之處理氣體供給至基板。藉此，可使基板之表面適當地疏水化，而可防止抗蝕圖案之尺寸精度降低。 於上述基板處理方法中，較佳為，形成上述抗蝕圖案之抗蝕膜為厚膜。可藉由改變處理條件而有效地調整抗蝕圖案中所包含之溶解區域之尺寸。 於上述基板處理方法中，較佳為，上述基板處理方法包括：抗蝕膜形成步驟，其係於經疏水化之基板之表面形成抗蝕膜；及顯影步驟，其係對基板之表面上之抗蝕膜供給顯影液。基板處理方法包括抗蝕膜形成步驟，故而可較佳地於基板上形成抗蝕膜。基板處理方法包括顯影步驟，故而可將基板上之抗蝕膜較佳地顯影。 於上述基板處理方法中，較佳為，上述抗蝕圖案包含間隙、線、孔及點中之至少任一者。可將本發明之基板處理方法應用於各種抗蝕圖案。例如，不論於抗蝕圖案包含間隙及線之情形時，或於抗蝕圖案包含孔之情形時，亦或於抗蝕圖案包含點之情形時，均可藉由本發明之基板處理方法而較佳地提高抗蝕圖案之尺寸精度。再者，孔亦被稱為通孔或導孔。 於上述基板處理方法中，較佳為，上述溶解區域尺寸為間隙之尺寸、孔之尺寸、及點之尺寸中之至少任一者。可將本發明之基板處理方法應用於各種溶解區域尺寸。例如，於抗蝕圖案包含間隙及線且溶解區域為間隙之情形時，可藉由本發明之基板處理方法而較佳地提高間隙之尺寸之精度。間隙之尺寸例如為間隙寬度。例如，於抗蝕圖案包含孔且溶解區域為孔之情形時，可藉由本發明之基板處理方法而較佳地提高孔之尺寸之精度。孔之尺寸例如為孔徑。例如，於抗蝕圖案包含點且溶解區域為點以外之區域之情形時，可藉由本發明之基板處理方法而較佳地提高點之尺寸之精度。點之尺寸例如為點間之距離(即，點間距)。

實施例1 以下，參照圖式說明本發明之實施例1。實施例1之基板處理方法係於基板(例如半導體晶圓)形成抗蝕圖案之方法。 ＜基板處理裝置之概略構成＞ 對用以進行實施例1之基板處理方法之基板處理裝置之概略構成進行說明。 圖1係表示基板處理裝置之概要構成之俯視圖。圖2係表示基板處理裝置之概要構成之側視圖。 基板處理裝置1包括分度器部(以下記載為「ID部」)11、處理部13及介面部(以下記載為「IF部」)17。處理部13分別與ID部11及IF部17連接。IF部17進而和與基板處理裝置1分開之曝光機EXP相接。 ID部11包括載置台21。載置台21載置複數個載具25。各載具25收容複數個基板(例如半導體晶圓)W。 ID部11包括搬送機構T1。搬送機構T1係搬送基板W。基板處理裝置1包括設置於ID部11與處理部13之間之基板載置部P1。基板載置部P1係載置基板W。搬送機構T1係於載置於載置台21之載具25與基板載置部P1之間搬送基板W。搬送機構T1係經由基板載置部P1而將基板W交付至處理部13，並自處理部13接收基板W。 處理部13包括塗佈區塊14及顯影區塊15。 塗佈區塊14具有疏水化處理單元31及熱處理單元32。疏水化處理單元31係對基板W供給處理氣體，而使基板W之表面疏水化。疏水化處理之目的在於提高基板W與抗蝕膜之密接性。關於疏水化處理單元31之具體構成將於下文進行敍述。熱處理單元32係對基板W進行熱處理。具體而言，熱處理單元32包括熱處理板33。熱處理板33將載置於熱處理板33上之基板W加熱或冷卻。疏水化處理單元31為本發明中之處理單元之例。 塗佈區塊14具有塗佈單元34。塗佈單元34係於基板W之表面形成抗蝕膜。具體而言，塗佈單元34包括保持部35、承杯36、噴嘴37及噴嘴搬送機構38。於圖2中，省略噴嘴37及噴嘴搬送機構38之圖示。保持部35係保持基板W。保持部35係藉由未圖示之馬達而旋轉。承杯36配置於保持部35之周圍，回收自基板W飛散之處理液。噴嘴37噴出抗蝕膜材料。噴嘴搬送機構38係跨及基板W之上方之位置與自基板W之上方偏離之噴嘴待機位置之間搬送噴嘴37。於保持部35保持有基板W時，噴嘴37係於基板W之上方之位置對基板W之表面噴出抗蝕膜材料。此時，保持部35亦可使基板W適當地旋轉。藉此，塗佈單元34將抗蝕膜材料塗佈於基板W之表面。 塗佈區塊14具有搬送機構T2。基板處理裝置1包括設置於塗佈區塊14與顯影區塊15之間之基板載置部P2。搬送機構T2係於單元31、32、34與基板載置部P1、P2之間搬送基板W。搬送機構T2係經由基板載置部P1而與ID部11進行基板W之交接。搬送機構T2係經由基板載置部P2而與顯影區塊15進行基板W之交接。 顯影區塊15具有熱處理單元42。熱處理單元42係對基板W進行熱處理。具體而言，熱處理單元42包括熱處理板43。熱處理板43係將載置於熱處理板43上之基板W加熱或冷卻。 顯影區塊15具有顯影單元44。顯影單元44將基板W上之抗蝕膜顯影。具體而言，顯影單元44包括保持部45、承杯46、噴嘴47及噴嘴搬送機構48。圖2省略噴嘴47與噴嘴搬送機構48之圖示。保持部45保持基板W。保持部45係藉由未圖示之馬達而旋轉。承杯46配置於保持部45之周圍，回收自基板W飛散之處理液。噴嘴47對基板W噴出顯影液。顯影液較佳為水性。顯影液例如為氫氧化鈉、氫氧化鉀、TMAH(Tetramethyl Ammonium Hydroxide，氫氧化四甲基銨)。噴嘴搬送機構48係跨及基板W之上方之位置與自基板W之上方偏離之噴嘴待機位置之間搬送噴嘴47。於保持部45保持有基板W時，噴嘴47係於基板W之上方之位置對基板W噴出顯影液。此時，保持部45亦可使基板W適當地旋轉。藉此，顯影單元44對基板W上之抗蝕膜供給顯影液。 顯影區塊15包括搬送機構T3及基板載置部P3。搬送機構T3係於單元42、44與基板載置部P2、P3之間搬送基板W。搬送機構T3係經由基板載置部P3而與IF部17進行基板W之交接。 IF部17包括搬送機構T4、T5及基板載置部P4。基板載置部P4配置於搬送機構T4、T5之間。搬送機構T4係於基板載置部P3與基板載置部P4之間搬送基板W。搬送機構T5係於基板載置部P4與曝光機EXP之間搬送基板W。藉此，搬送機構T4、T5係於顯影區塊15與曝光機EXP之間搬送基板W。搬送機構T4、T5彼此係使用基板載置部P4而交接基板W。 曝光機EXP係對基板W進行曝光處理。曝光機EXP包括載台49、光源50及倍縮光罩(亦稱為「光罩」)51。該等元件49至51示於圖2。載台49係載置基板W。光源50係照射光。倍縮光罩51係設置於載台49與光源50之間。藉由透過倍縮光罩51之光到達基板W上之抗蝕膜，而將倍縮光罩51所具有之圖案轉印至抗蝕膜。藉此，抗蝕膜之一部分成為可溶部，抗蝕膜之其他部分成為不溶部。可溶部相對於顯影液可溶。不溶部相對於顯影液不溶。 ＜基板處理方法之概略＞ 說明實施例1之基板處理方法之概略。圖3係表示基板處理方法之順序之流程圖。為了方便說明，而對步驟S2-S5進行說明，關於步驟S1將於下文進行敍述。圖4A-4D係模式性地表示基板處理方法之各步驟中之基板之剖視圖。 搬送機構T1自載具25搬出基板W，並將該基板W載置於基板載置部P1。搬送機構T2將基板W自基板載置部P1搬送至疏水化處理單元31。疏水化處理單元31使基板W之表面疏水化(步驟S2)。疏水化處理步驟係本發明中之處理步驟之例。 圖4A表示具有經疏水化之表面Ws之基板W。基板W之表面Ws亦可為圖案形成面。或者，基板W之表面Ws亦可為被蝕刻膜。被蝕刻膜例如為氧化膜或氮化膜。 搬送機構T2係將基板W自疏水化處理單元31搬送至塗佈單元34。塗佈單元34係於基板W之表面形成抗蝕膜(步驟S3)。 圖4B表示形成於基板W上之抗蝕膜R。抗蝕膜R為厚膜。即，抗蝕膜R之厚度相對較大。抗蝕膜R之厚度Rt較佳為2[μm]以上。抗蝕膜R之厚度Rt進而較佳為6[μm]以上。抗蝕膜R之厚度Rt進而較佳為8[μm]以上。 搬送機構T2-T5係將基板W自塗佈單元34搬送至曝光機EXP。具體而言，搬送機構T2係將基板W自塗佈單元34搬送至基板載置部P2。搬送機構T3係將基板W自基板載置部P2搬送至基板載置部P3。搬送機構T4係將基板W自基板載置部P3搬送至基板載置部P4。搬送機構T5係將基板W自基板載置部P4搬送至曝光機EXP。曝光機EXP對基板W上之抗蝕膜進行曝光(步驟S4)。 圖4C例示倍縮光罩51及被曝光之抗蝕膜R。圖4C進而模式性地表示通過倍縮光罩51之光。抗蝕膜R包含可溶部Ra及不溶部Rb。 搬送機構T3-T5係將基板W自曝光機EXP搬送至顯影單元44。顯影單元44將基板W上之抗蝕膜R顯影(步驟S5)。藉由顯影步驟而去除可溶部Ra。 圖4D表示將抗蝕膜R顯影之後所獲得之抗蝕圖案RP。抗蝕圖案RP包含線L及間隙S。線L係於顯影步驟中未被去除之抗蝕膜R之部分。線L主要由不溶部Rb構成。間隙S係藉由去除可溶部Ra而形成。即，間隙S係已去除(清除)抗蝕膜R之區域。換言之，間隙S係藉由使抗蝕膜R溶解而形成之區域。間隙S係由相鄰之2條線L及基板W之表面劃分之空隙(槽)。間隙S為本發明中之溶解區域之例。 如圖4C所示，將可溶部Ra之寬度方向之尺寸稱為「可溶部寬度C」。如圖4D所示，將間隙S之寬度方向之尺寸稱為「間隙寬度D」。更嚴格而言，可溶部寬度C為可溶部Ra之下部之寬度尺寸。間隙寬度D為間隙S之下部之寬度尺寸。間隙寬度D不會寬於可溶部寬度C。即，間隙寬度D之上限值為可溶部寬度C。再者，間隙寬度D與線L之寬度方向之尺寸(亦被稱為線寬)不同。間隙寬度D係本發明中之溶解區域尺寸之例。 其後，搬送機構T1-T3將基板W自顯影單元44搬送至載具25。再者，於上述基板處理方法中，亦可於將基板W搬送至塗佈單元34之前後將基板W搬送至熱處理單元32，而於抗蝕膜形成步驟之前後對基板W進行熱處理。同樣地，亦可於將基板W搬送至顯影單元44之前後將基板W搬送至熱處理單元42，而於顯影步驟之前後對基板W進行熱處理。 以下，詳細地說明可提高間隙寬度D之尺寸精度之構成及方法。 ＜疏水化處理單元31之詳細構成＞ 圖5係表示疏水化處理單元及與此相關之構成之圖。疏水化處理單元31包括平板53、基板調溫部54、罩部55及升降機構56。平板53係載置基板W。基板調溫部54係調節載置於平板53之基板W之溫度。基板調溫部54例如安裝於平板53。基板調溫部54例如為加熱器。罩部55設置於平板53之上方。升降機構56使罩部55於下方位置與上方位置之間升降。於圖5中，以實線表示位於下方位置之罩部55，以虛線表示位於上方位置之罩部55。升降機構56例如為氣缸。於罩部55位於下方位置時，罩部55與平板53之間之空間(以下稱為「處理空間)B被大致密閉。基板W係於處理空間B之內部被疏水化。於罩部55位於上方位置時，處理空間B被打開。於處理空間B被打開時，可將基板W載置於平板53，可將基板W自平板53搬出。 疏水化處理單元31包括噴嘴57、排氣孔58及腔室59。噴嘴57安裝於罩部55。噴嘴57對罩部55之下方吹送處理氣體。於罩部55位於下方位置時，噴嘴57對處理空間B吹送處理氣體。排氣孔58形成於平板53。排氣孔58與處理空間B連通。處理空間B之氣體通過排氣孔58被排出至處理空間B之外部。腔室59收容元件53至58。 基板處理裝置1包括處理氣體供給部60。處理氣體供給部60與疏水化處理單元31連接。處理氣體供給部60對疏水化處理單元31供給處理氣體。 處理氣體供給部60包括疏水化處理劑供給源61、配管62、開閉閥63及氣化容器64。疏水化處理劑供給源61係供給疏水化處理劑。疏水化處理劑例如為HMDS(Hexamethyldisilazane，六甲基二矽氮烷)。配管62將疏水化處理劑供給源61與氣化容器64連接。開閉閥63設置於配管62。當開閉閥63打開時，自疏水化處理劑供給源61對氣化容器64供給疏水化處理劑。氣化容器64係使疏水化處理劑氣化，而產生包含疏水化處理劑之處理氣體。處理氣體例如包含已氣化之HMDS(六甲基二矽氮烷)。疏水化處理劑供給源61為本發明中之處理液供給源之例。配管62為本發明中之處理液管之例。 處理氣體供給部60包括配管65。配管65之一端連接於疏水化處理單元31。更具體而言，配管65之一端插入至腔室59內，且連接於噴嘴57。配管65之另一端連接於氣化容器64。如此，氣化容器64與疏水化處理單元31藉由配管65而連接。配管65將氣化容器64中所產生之處理氣體供給至疏水化處理單元31。配管65為本發明中之處理氣體管之例。 處理氣體供給部60包括氣體供給源66、配管67及流量調整閥68。氣體供給源66供給惰性氣體。惰性氣體例如為氮氣。配管67之一端連接於氣體供給源66。配管67之另一端連接於氣化容器64。例如，配管67亦可對氣化容器64內之處理液(即疏水化處理劑)中吹送惰性氣體。或者，配管67亦可對氣化容器64內之氣體層中吹送惰性氣體。如此，氣體供給源66與氣化容器64藉由配管67而連接。流量調整閥68設置於配管67。當流量調整閥68打開時，自氣體供給源66對氣化容器64供給惰性氣體。當將惰性氣體供給至氣化容器64時，氣化容器64將與被供給至氣化容器64之惰性氣體等量之處理氣體排出至配管65。流量調整閥68進而對要被供給至氣化容器64之惰性氣體之流量進行調整。藉此，流量調整閥68對氣化容器64產生處理氣體之量進行調整。配管67係本發明中之惰性氣體管之例。 處理氣體供給部60包括配管71及流量調整閥72。配管71之一端連接於氣體供給源66。配管71之另一端連接於配管65之中途。流量調整閥72設置於配管71。當流量調整閥72打開時，惰性氣體自氣體供給源66流向配管71。流過配管71之惰性氣體流入至配管65，與自氣化容器64排出之處理氣體匯合。藉此，自氣化容器64排出之處理氣體於配管65內被惰性氣體稀釋。流量調整閥72進而對用以稀釋已自氣化容器64排出之處理氣體之惰性氣體之流量進行調整。藉此，得以調整處理氣體之氣體濃度。 例如，流量調節閥72越增大稀釋用惰性氣體之流量，處理氣體之氣體濃度越低。例如，將氣化容器64中產生之處理氣體之氣體濃度設為m[%]。於供給至氣化容器64之惰性氣體之流量(即，自氣化容器64排出之處理氣體之流量)為q1、進行稀釋之惰性氣體之流量為q2時，處理氣體之氣體濃度G成為m﹡q1/(q1＋q2)[%]。 流量調整閥68、72例如為針閥或質量流量計。質量流量計進而具有檢測流量之功能。 處理氣體供給部60包括三向閥74及配管75。三向閥74設置於配管65之中途。三向閥74較佳為配置於較配管65與配管71之連接位置更靠近疏水化處理單元31之位置。三向閥74具有第1入口埠、第2入口埠及出口埠。第1入口埠與出口埠均連接於配管65。第2入口埠與配管75之一端連接。配管75之另一端連接於氣體供給源66。三向閥74係於出口埠僅與第1入口埠連通連接之狀態和出口埠僅與第2入口埠連通連接之狀態之間切換。藉此，疏水化處理單元31係於與氣化容器64連通連接之狀態和與氣體供給源66連通連接之狀態之間切換。供給至疏水化處理單元31之氣體係於處理氣體與惰性氣體之間切換。 處理氣體供給部60包括處理氣體調溫部76。處理氣體調溫部76係調節處理氣體之溫度。 處理氣體調溫部76包括第1外側管77。第1外側管77設置於配管65之外側，且收容配管65之至少一部分。收容於第1外側管77之配管65之部分較佳為靠近疏水化處理單元31之部分。配管65與第1外側管77為雙管構造。於第1外側管77之內表面與配管65之外表面之間，形成有環狀之空間。 處理氣體調溫部76包括導入管78。導入管78與第1外側管77連通連接。導入管78將經調溫之氣體供給至形成於第1外側管77與配管65之間之環狀之空間。導入管78所導入之氣體例如為潔淨之空氣。以下，將導入管78所導入之氣體稱為「調溫空氣」。 被導入至第1外側管77之內部之調溫空氣於配管65之外表面上流動。即，配管65之外表面暴露於調溫空氣。調溫空氣係調整配管65本身之溫度，而調整流經配管65內之處理氣體/惰性氣體之溫度。 處理氣體調溫部76包括空調控制裝置79。空調控制裝置79產生任意溫度之調溫空氣。空調控制裝置79與導入管78連通連接。空調控制裝置79對導入管78供給調溫空氣。 基板處理裝置1包括處理氣體排出部81。處理氣體排出部81與疏水化處理單元31連接。處理氣體排出部81係將疏水化處理單元31之處理空間B之氣體排出。 處理氣體排出部81包括配管82及抽吸機構83。配管82之一端插入至腔室59內，且連接於排氣孔58。配管82之另一端連接於抽吸機構83。抽吸機構83例如為泵或抽氣器。當抽吸機構83抽吸氣體時，處理空間B之氣體通過排氣孔58而排出至處理空間B之外部。 基板處理裝置1包括控制部85、記憶部87及輸入部89。 控制部85控制基板調溫部54、升降機構56、開閉閥63、流量調整閥68、72、三向閥74、空調控制裝置79及抽吸機構83。控制部85係藉由執行各種處理之中央運算處理裝置(CPU)、成為運算處理之作業區域之RAM (Random-Access Memory，隨機存取記憶體)、固定磁碟等記憶媒體等而實現。 記憶部87與控制部85以能夠進行通信之方式連接。記憶部87記憶有目標E及相關資訊F。 目標E與間隙寬度D有關。更嚴格而言，目標E係規定與間隙寬度D有關之目標之資訊。目標E例如為間隙寬度D之目標值。相關資訊F規定間隙寬度D與處理條件之關係。處理條件係使基板W之表面疏水化時之處理條件。具體而言，相關資訊F規定各處理條件與間隙寬度D之關係，該間隙寬度D係假定若於該處理條件下使基板之表面疏水化便推斷為獲得。 參照圖6。相關資訊F包含圖6所例示之相關資訊F1。相關資訊F1規定處理氣體之氣體濃度G與間隙寬度D之關係。更具體而言，相關資訊F1規定如隨著處理氣體之氣體濃度G變高而間隙寬度D變大之關係。氣體濃度G例如為處理氣體中所包含之已氣化之疏水化處理劑之體積相對於處理氣體之體積之比率。 氣體濃度G係對基板W之表面之接觸角產生影響之處理條件。更具體而言，使基板W之表面疏水化時所使用之氣體濃度G越高，基板W之表面之接觸角越大。接觸角嚴格而言為基板W之表面之水之接觸角。接觸角係表示基板W之表面之疏水性程度之指標。於本說明書中，接觸角較大與疏水性較高含義相同。氣體濃度G係本發明中之處理條件之例。 目標E與相關資訊F係藉由實驗或模擬而設定。於執行本實施例之基板處理方法之前，目標E與相關資訊F被記憶於記憶部87。相關資訊F亦可為將間隙寬度D與處理條件建立對應之表(table)。或者，相關資訊F亦可為間隙寬度D與處理條件之函數。 記憶部87進而記憶用以對基板W進行處理之處理方案(處理程式)等各種資訊。 輸入部89與控制部85以能夠進行通信之方式連接。輸入部89係由使用者操作。輸入部89受理各種資訊。輸入部89所受理之資訊例如為目標E。輸入部89所受理之資訊例如為選擇、決定特定之目標E之命令。 ＜基板處理方法之詳細情況＞ 圖7係詳細地表示圖3所示之步驟S1、S2之順序之流程圖。圖7所示之步驟S2a-S2g之整體相當於圖3所示之步驟S2(疏水化處理步驟)。 ＜步驟S1＞決定步驟 控制部85係基於目標E及相關資訊F1而決定氣體濃度G。此時，控制部85既可自記憶部87獲取目標E，亦可自輸入部89獲取目標E。或者，控制部85亦可基於記憶部87中所記憶之資訊及被輸入至輸入部89之資訊而特定出目標E。進而，控制部85自記憶部87獲取相關資訊F1。 參照圖6。例如於目標E(具體而言為間隙寬度D之目標值)為值d1之情形時，控制部85將氣體濃度G之目標值決定為值g1。 ＜步驟S2a＞搬入基板W 罩部55位於上方位置。未圖示之基板搬送機構將基板W載置於平板53上。控制部85控制基板調溫部54而將基板W調整為特定溫度。 ＜步驟S2b＞罩部移動至下方位置 控制部85控制升降機構56而使罩部55位於下方位置。處理空間B被大致密閉。 ＜步驟S2c＞吹送步驟 控制部85係基於所決定之處理條件(氣體濃度G)而控制流量調整閥68、72。藉此，氣化容器64產生處理氣體，所產生之處理氣體於配管65內被惰性氣體稀釋。處理氣體被調整為所決定之氣體濃度G(例如值g1)。 控制部85控制三向閥74而向疏水化處理單元31輸送處理氣體。此時，控制部85控制空調控制裝置79而調整處理氣體之溫度，將處理氣體之溫度保持為特定溫度。被調整為特定溫度之處理氣體被供給至噴嘴57。噴嘴57吹送處理氣體。自噴嘴57吹送之處理氣體飛散至整個處理空間B。處理氣體中之疏水化處理劑於基板W之整個表面液化。即，疏水化處理劑被塗佈於基板W之整個表面。藉此，使基板W之表面疏水化。進而，控制部85控制抽吸機構83而排出疏水化處理單元31(處理空間B)之氣體。 ＜步驟S2d＞保持步驟 控制部85關閉流量調整閥68、72。藉此，停止氣化容器64中之處理氣體之產生，對基板W之處理氣體之吹送停止。此時，控制部85使抽吸機構83停止。藉此，處理氣體充滿於處理空間B內。即，成為不對基板W進行處理氣體之吹送而利用處理氣體覆蓋基板W之表面之狀態。 ＜步驟S2e＞置換步驟 控制部85控制三向閥74而將惰性氣體供給至疏水化處理單元31，並且控制部85使抽吸機構83進行抽吸動作，而通過排氣孔58自處理空間B排出處理氣體。藉此，處理空間B之氣體被自處理氣體置換為惰性氣體。 ＜步驟S2f＞罩部移動至上方位置 控制部85控制升降機構56而使罩部55位於上方位置。處理空間B被打開。 ＜步驟S2g＞搬出基板 未圖示之搬送機構自平板53搬出基板W。 於藉由步驟S2a-S2g使基板W之表面疏水化之後，執行上述抗蝕膜形成步驟(步驟S3)、曝光步驟(步驟S4)及顯影步驟(步驟S5)。藉此，實際地獲得抗蝕圖案RP。抗蝕圖案RP具有線L及間隙S。間隙S之間隙寬度D被調整為與目標E所規定之間隙寬度D之目標值(例如值d1)近似或與目標E所規定之間隙寬度D之目標值實質上一致。 圖8A-8C係模式性地表示氣體濃度與間隙寬度之關係之基板之放大剖視圖。圖8A、8B、8C分別模式性地表示使用氣體濃度G為值ga、gb、gc之處理氣體使基板W之表面疏水化之情形時所獲得之間隙S。此處，氣體濃度ga高於氣體濃度gb，氣體濃度gb高於氣體濃度gc。 將使用氣體濃度G為值ga、gb、gc之處理氣體使基板W之表面疏水化之情形時所獲得之間隙寬度D分別稱為間隙寬度Da、Db、Dc。間隙寬度Da寬於間隙寬度Db，間隙寬度Db寬於間隙寬度Dc。如此，藉由改變氣體濃度G，可於可溶部寬度C以下之範圍內對間隙寬度D進行微調整。再者，此種氣體濃度G與間隙寬度D(例如，值ga、gb、gc與間隙寬度Da、Db、Dc)之關係被規定為上述相關資訊F1。 發明者等人係以如下方式推測間隙寬度D依存於氣體濃度G而變化之主要原因。例如，當使基板W之表面疏水化時之氣體濃度G變高時，基板W之表面之接觸角變大(即，基板W之表面之疏水性變高)。於顯影步驟中，當去除可溶部Ra而使基板W之表面露出時，基板W之表面直接與顯影液接觸。基板W之表面之接觸角越大，與基板W之表面接觸之顯影液越容易移動(換言之，基板W之表面之接觸角越大，與基板W之表面接觸之顯影液之移動量越大)。與基板W之表面接觸之顯影液越容易移動，越會促進顯影液將可溶部Ra溶解之反應，間隙寬度D越寬。反之，氣體濃度G越小，基板W之表面之接觸角越小，間隙寬度D越窄。如此，本發明者等人推測間隙寬度D變動之主要原因在於，基板W之表面之接觸角根據氣體濃度G而變動，接觸角之變動對顯影之進行產生影響。 如此，根據實施例1之基板處理方法，發揮以下效果。 決定步驟(步驟S1)係基於與間隙寬度D有關之目標E而決定處理條件(氣體濃度G)，故而可決定適當之處理條件(氣體濃度G)。疏水化處理步驟(步驟S2)係以所決定之處理條件使基板W之表面疏水化。具體而言，使用被調整為氣體濃度G之處理氣體使基板W之表面疏水化。只要於經疏水化之基板W之表面形成抗蝕膜R並將抗蝕膜R顯影，則可於基板W上形成尺寸精度較高之抗蝕圖案RP。具體而言，可提高間隙S之尺寸精度。即，可實際地獲得具有進一步接近目標E所規定之目標值之間隙寬度D之間隙S。 氣體濃度G係使基板W之表面之接觸角變動之處理條件，故而可較佳地提高間隙S之尺寸精度。又，藉由改變氣體濃度G，可較佳地調整間隙寬度D。 目標E為間隙寬度D之目標值，故而決定步驟可簡單地決定處理條件(氣體濃度G)。又，使用者可簡單地設定目標E。 目標E所規定之間隙寬度D越寬，決定步驟所決定之氣體濃度G越高。另一方面，目標E所規定之間隙寬度D越窄，決定步驟所決定之氣體濃度G越低。藉此，可較佳地提高實際所獲得之間隙S之尺寸精度。 決定步驟係參照相關資訊F1，故而可容易地決定氣體濃度G。 吹送步驟係利用惰性氣體稀釋處理氣體，故而可較佳地調整處理氣體之氣體濃度G。 保持步驟係不對基板W吹送處理氣體而保持利用處理氣體覆蓋基板W之表面之狀態，故而可抑制處理氣體之消耗量，且可使基板W之整個表面均勻地疏水化。 形成於基板W上之抗蝕膜R為厚膜，故而可藉由改變氣體濃度G而有效地改變間隙寬度D。若抗蝕膜R之厚度Rt為2[μm]以上，則可藉由氣體濃度G而有效地改變間隙寬度D。若抗蝕膜R之厚度Rt為6[μm]以上，則可藉由氣體濃度G而進一步有效地改變間隙寬度D。若抗蝕膜R之厚度Rt為8[μm]以上，則可藉由氣體濃度G而更進一步有效地改變間隙寬度D。 基板處理方法包括抗蝕膜形成步驟，故而可較佳地於基板W上形成抗蝕膜R。基板處理方法包括顯影步驟，故而可將基板W上之抗蝕膜R較佳地顯影。 吹送步驟係調整處理氣體之氣體溫度。藉此，吹送步驟可對基板W供給適當之溫度之處理氣體。 基板處理裝置1包括第1外側管77及導入管78，故而可較佳地對配管65之外表面供給調溫空氣。藉此，可較佳地調整流經配管65之內部之處理氣體之溫度。 第1外側管77與導入管78將處理氣體之溫度保持為固定，故而可防止處理氣體之溫度意外地不均。因此，無因處理氣體之溫度之不均而引起基板W之表面之接觸角意外地變動之虞。即，無因處理氣體之溫度之不均而引起間隙寬度D意外地變動之虞。由此，可進一步提高間隙S之尺寸精度。 由於使用調溫空氣調整處理氣體之溫度，故而第1外側管77及導入管78之溫度不會變得過高。由此，可安全地對處理氣體進行處理。 實施例2 以下，參照圖式說明本發明之實施例2。 實施例2係於基板形成抗蝕圖案之基板處理方法。關於實施例2之基板處理方法，亦可藉由實施例1中所說明之基板處理裝置1而進行。由此，省略與基板處理裝置1之構成有關之說明。 參照圖9。相關資訊F包含圖9所例示之相關資訊F2。相關資訊F2規定保持時間J與間隙寬度D之關係。相關資訊F2規定如隨著保持時間J變長而間隙寬度D變大之關係。保持時間J係不對基板W吹送處理氣體而保持利用處理氣體覆蓋基板W之表面之狀態(以下稱為「保持狀態」)之時間。保持時間J相當於進行保持步驟(步驟S2d)之時間。 保持時間J係對基板W之表面之接觸角產生影響之處理條件。更具體而言，保持時間J越長，基板W之表面之接觸角越大。保持時間J係本發明中之處理條件之例。 其次，對實施例2之基板處理方法之順序進行說明。為方便起見，參照實施例1之圖3、7。再者，對於與實施例1相同之動作，適當地簡化說明。 ＜步驟S1＞決定步驟 控制部85係基於目標E及相關資訊F2而決定保持時間J。參照圖9。例如於目標E(具體而言為間隙寬度D之目標值)為值d2之情形時，控制部85將保持時間J決定為值j2。 ＜步驟S2a、2b＞ 未圖示之基板搬送機構將基板W載置於平板53上(步驟S2a)。罩部55移動至下方位置(步驟S2b)。 ＜步驟S2c＞吹送步驟 控制部85係控制流量調整閥68、三向閥74及抽吸機構83，而將處理氣體輸送至疏水化處理單元31。此時，控制部85係控制流量調整閥72及空調控制裝置79，而將處理氣體之氣體濃度G及溫度保持為固定。噴嘴57係對平板53上之基板W之表面吹送處理氣體。 ＜步驟S2d＞保持步驟 控制部85係關閉流量調整閥68、72，而使抽吸機構83停止。藉此，成為保持狀態。控制部85係持續保持時間J地維持保持狀態。 ＜步驟S2e＞置換步驟 當經過保持時間J時，控制部85控制三向閥74，而對疏水化處理單元31供給惰性氣體，並且控制部85使抽吸機構83進行抽吸動作，而通過排氣孔58自處理空間B排出處理氣體。處理空間B之氣體被自處理氣體置換為惰性氣體。即，保持狀態被解除。 ＜步驟S2f、2g＞ 罩部55移動至上方位置(步驟S2f)。未圖示之搬送機構將平板53上之基板W搬出(步驟S2g)。 其後，如圖3所示，執行抗蝕膜形成步驟(步驟S3)、曝光步驟(步驟S4)及顯影步驟(步驟S5)。藉此，可獲得抗蝕圖案RP。實際所獲得之間隙S具有與目標E所規定之目標值近似或與目標E所規定之目標值實質上同等之間隙寬度D。 如此，根據實施例2之基板處理方法，發揮與實施例1相同之效果。即，決定步驟(步驟S1)係基於目標E而決定保持時間J，故而可較佳地決定適當之保持時間J。疏水化處理步驟(步驟S2)係於所決定之保持時間J內使基板W之表面疏水化。只要於經疏水化之基板W之表面形成抗蝕膜R並將抗蝕膜R顯影，則可於基板W上形成尺寸精度較高之抗蝕圖案RP。具體而言，可提高實際所獲得之間隙S之尺寸精度。 保持時間J係使基板W之表面之接觸角變動之處理條件，故而可較佳地提高間隙寬度D之尺寸精度。又，藉由改變保持時間J，可較佳地調整間隙寬度D。 目標E所規定之間隙寬度D越寬，決定步驟所決定之保持時間J越長。藉此，可較佳地提高實際所獲得之間隙S之尺寸精度。 決定步驟係參照相關資訊F2，故而可容易地決定保持時間J。 只要形成於基板W上之抗蝕膜R為厚膜，則可藉由改變保持時間J而有效地改變間隙寬度D。若抗蝕膜R之厚度Rt為2[μm]以上，則可藉由保持時間J而有效地改變間隙寬度D。若抗蝕膜R之厚度Rt為6[μm]以上，則可藉由保持時間J而進一步有效地改變間隙寬度D。若抗蝕膜R之厚度Rt為8[μm]以上，則可藉由保持時間J而更進一步有效地改變間隙寬度D。 實施例3 以下，參照圖式說明本發明之實施例3。 實施例3係於基板形成抗蝕圖案之基板處理方法。關於實施例3之基板處理方法，亦可藉由實施例1中所說明之基板處理裝置1而進行。由此，省略與基板處理裝置1之構成有關之說明。 相關資訊F包含相關資訊F3。相關資訊F3進而包含相關資訊F4、F5。 圖10模式性地表示相關資訊F4。相關資訊F4規定間隙寬度D與基板W之表面之接觸角θ之關係。相關資訊F4規定如隨著接觸角θ變大而間隙寬度D變大之關係。相關資訊F4係本發明中之第1相關資訊之例。 圖11模式性地表示相關資訊F5。相關資訊F5規定接觸角θ與處理氣體之氣體溫度K之關係。相關資訊F5規定如隨著氣體溫度K變高而間隙寬度D變大之關係。相關資訊F5係本發明中之第2相關資訊之例。 如圖11所示，氣體溫度K係對基板W之表面之接觸角θ產生影響之處理條件。更具體而言，氣體溫度K越高，基板W之表面之接觸角θ越大。氣體溫度K係本發明中之處理條件之例。 其次，對實施例3之基板處理方法之順序進行說明。為方便起見，參照實施例1之圖3、7。再者，關於與實施例1相同之動作，適當地簡化說明。 ＜步驟S1＞決定步驟 控制部85係基於目標E及相關資訊F3而決定氣體溫度K。參照圖10、11。例如於目標E(具體而言為間隙寬度D之目標值)為值d3之情形時，控制部85特定出對應於間隙寬度d3之接觸角θ3，並特定出對應於接觸角θ3之值k3。而且，控制部85係將值k3決定為氣體溫度K。 ＜步驟S2a、2b＞ 未圖示之基板搬送機構將基板W載置於平板53上(步驟S2a)。罩部55移動至下方位置(步驟S2b)。 ＜步驟S2c＞吹送步驟 控制部85係控制流量調整閥68、三向閥74、空調控制裝置79及抽吸機構83，而調整處理氣體之氣體溫度K，並將處理氣體輸送至疏水化處理單元31。具體而言，控制部85係控制空調控制裝置79，而控制調溫空氣之溫度及供給量。空調控制裝置79將被調整為特定溫度之調溫空氣以特定流量供給至導入管78。導入管78將調溫空氣供給至第1外側管77之內部。於第1外側管77之內部，調溫空氣於配管65之外表面上流動。即，配管65之外表面暴露於調溫空氣。藉此，將流經配管65之內部之處理氣體之溫度調整為值k3。被調整為氣體溫度K之處理氣體被供給至噴嘴57。此時，控制部85控制流量調整閥72，而將處理氣體之氣體濃度G保持為固定。噴嘴57係將被調整為氣體溫度K之處理氣體吹送至基板W之表面。 ＜步驟S2d＞保持步驟 控制部85將流量調整閥68、72關閉，而使抽吸機構83停止。藉此，成為保持狀態。 ＜步驟S2e＞置換步驟 控制部85控制三向閥74，而將惰性氣體供給至疏水化處理單元31，並且控制部85使抽吸機構83進行抽吸動作，而通過排氣孔58自處理空間B排出處理氣體。藉此，處理空間B之氣體被自處理氣體置換為惰性氣體。 ＜步驟S2f、2g＞ 罩部55移動至上方位置(步驟S2f)。未圖示之搬送機構將平板53上之基板W搬出(步驟S2g)。 其後，如圖3所示，執行抗蝕膜形成步驟(步驟S3)、曝光步驟(步驟S4)及顯影步驟(步驟S5)。藉此，可獲得抗蝕圖案RP。實際所獲得之間隙S具有與目標E所規定之目標值近似或與目標E所規定之目標值實質上同等之間隙寬度D。 如此，根據實施例3之基板處理方法，發揮與實施例1相同之效果。即，決定步驟(步驟S1)係基於目標E而決定氣體溫度K，故而可決定適當之氣體溫度K。疏水化處理步驟(步驟S2)係使用所決定之氣體溫度K之處理氣體而使基板W之表面疏水化。只要於經疏水化之基板W之表面形成抗蝕膜R並將抗蝕膜R顯影，則可於基板W上形成尺寸精度較高之抗蝕圖案RP。具體而言，可提高實際所獲得之間隙S之尺寸精度。 氣體溫度K係使基板W之表面之接觸角θ變動之處理條件，故而可較佳地提高間隙寬度D之尺寸精度。又，藉由改變氣體溫度K，可較佳地調整間隙寬度D。 目標E所規定之間隙寬度D越寬，決定步驟所決定之氣體溫度K越高。藉此，可較佳地提高實際所獲得之間隙S之尺寸精度。 決定步驟係參照相關資訊F3(F4、F5)，故而可容易地決定氣體溫度K。 相關資訊F3包含相關資訊F4及相關資訊F5。相關資訊F4規定間隙寬度D與基板W之表面之接觸角θ之關係。相關資訊F5規定接觸角θ與氣體溫度K之關係。 此處，相關資訊F4係例如藉由實驗或模擬步驟S3至步驟S5為止之步驟而獲得。與此相對，間隙寬度D與氣體溫度K之關係係藉由實驗或模擬步驟S2至步驟S5為止之步驟而獲得。因此，獲取間隙寬度D與氣體溫度K之關係之作業較獲取相關資訊F4之作業更複雜。因此，可相對容易地設定相關資訊F4。相關資訊F5係例如藉由實驗或模擬步驟S2之步驟而獲得。因此，可較間隙寬度D與氣體溫度K之關係更容易地特定出相關資訊F5。由此，可相對容易地設定相關資訊F5。 進而，於決定步驟決定氣體溫度K以外之處理條件之情形時，亦可沿用相關資訊F4。例如，於決定步驟將氣體濃度G決定為處理條件之情形時，只要除相關資訊F4以外，亦準備規定接觸角θ與氣體濃度G之關係之相關資訊F5g(未圖示)，則可藉由相關資訊F4及相關資訊F5g而構成相關資訊F3。如此，僅設定相關資訊F5g便可構成相關資訊F3。並且，相關資訊F5g之設定本身相對較容易。如此，於變更處理條件之種類之情形時或使用複數種處理條件之情形時，可高效率地構成相關資訊F3。 只要形成於基板W上之抗蝕膜R為厚膜，則可藉由改變氣體溫度K而有效地改變間隙寬度D。若抗蝕膜R之厚度Rt為2[μm]以上，則可藉由氣體溫度K而有效地改變間隙寬度D。若抗蝕膜R之厚度Rt為6[μm]以上，則可藉由氣體溫度K而進一步有效地改變間隙寬度D。若抗蝕膜R之厚度Rt為8[μm]以上，則可藉由氣體溫度K而更進一步有效地改變間隙寬度D。 基板處理裝置1包括第1外側管77及導入管78，故而可較佳地對配管65之外表面供給調溫空氣。由此，可根據決定步驟中所決定之氣體溫度K而較佳地改變流經配管65之內部之處理氣體之溫度。 實施例4 以下，參照圖式說明本發明之實施例4。 實施例4係於基板形成抗蝕圖案之基板處理方法。關於實施例4之基板處理方法，亦可藉由實施例1中所說明之基板處理裝置1而進行。由此，省略與基板處理裝置1之構成有關之說明。 參照圖12。相關資訊F包含圖12所例示之相關資訊F6。相關資訊F6規定氣體濃度G及保持時間J之組合與間隙寬度D之關係。實線係表示氣體濃度G為值gh時之保持時間J與間隙寬度D之關係。虛線係表示氣體濃度G為值gl時之保持時間J與間隙寬度D之關係。此處，gh＞gl。 相關資訊F6係規定如下關係。 ・於氣體濃度G相同之情形時，隨著保持時間J變長而間隙寬度D變大。 ・於保持時間J相同之情形時，對應於氣體濃度gh之間隙寬度D大於對應於氣體濃度gl之間隙寬度D。 氣體濃度G與保持時間J係本發明中之處理條件之例。 其次，對實施例4之基板處理方法之順序進行說明。為方便起見，參照實施例1之圖3、7。再者，關於與實施例1相同之動作，適當地簡化說明。 ＜步驟S1＞決定步驟 控制部85係基於目標E與相關資訊F6而決定氣體濃度G及保持時間J。參照圖12。例如於目標E(具體而言為間隙寬度D之目標值)為值dw之情形時，控制部85將氣體濃度G決定為值gh，並將保持時間J決定為值j4。例如於目標E為較值dw小之值ds之情形時，控制部85將氣體濃度G決定為值gl，並將保持時間J決定為值j4。 ＜步驟S2a、2b＞ 未圖示之基板搬送機構將基板W載置於平板53上(步驟S2a)。罩部55移動至下方位置(步驟S2b)。 ＜步驟S2c＞吹送步驟 控制部85控制流量調整閥68、72、三向閥74及抽吸機構83，而將被調整為氣體濃度G之處理氣體供給至基板W之表面。 ＜步驟S2d＞保持步驟 控制部85將流量調整閥68、72關閉，而使抽吸機構83停止。藉此，成為保持狀態。控制部85持續保持時間J地維持保持狀態。 ＜步驟S2e＞置換步驟 控制部85控制三向閥74，而將惰性氣體供給至疏水化處理單元31，並且控制部85使抽吸機構83進行抽吸動作，而通過排氣孔58自處理空間B排出處理氣體。處理空間B之氣體被自處理氣體置換為惰性氣體。 ＜步驟S2f、2g＞ 罩部55移動至上方位置(步驟S2f)。未圖示之搬送機構將平板53上之基板W搬出(步驟S2g)。 其後，如圖3所示，執行抗蝕膜形成步驟(步驟S3)、曝光步驟(步驟S4)及顯影步驟(步驟S5)。藉此，可獲得抗蝕圖案RP。實際所獲得之間隙S具有與目標E所規定之目標值近似或與目標E所規定之目標值實質上同等之間隙寬度D。 如此，根據實施例4之基板處理方法，發揮與實施例1相同之效果。即，決定步驟(步驟S1)係基於目標E而決定氣體濃度G及保持時間J，故而可決定適當之氣體濃度G及保持時間J。疏水化處理步驟(步驟S2)係使用所決定之氣體濃度G之處理氣體而進行吹送步驟，且持續所決定之保持時間J而執行保持步驟。只要於經疏水化之基板W之表面形成抗蝕膜R並將抗蝕膜R顯影，則可於基板W上形成尺寸精度較高之抗蝕圖案RP。具體而言，可提高實際所獲得之間隙S之尺寸精度。 氣體濃度G及保持時間J係使基板W之表面之接觸角變動之處理條件，故而可較佳地提高間隙寬度D之尺寸精度。又，藉由改變氣體濃度G及保持時間J，可較佳地調整間隙寬度D。 決定步驟係基於目標E而決定複數種處理條件(氣體濃度G及保持時間J)，故而可細緻地決定處理條件。藉此，可進一步提高間隙寬度D之尺寸精度。進而，決定步驟係決定複數種處理條件，故而可遍及更寬之範圍調整間隙寬度D。 例如，於保持時間J過短之情形時，無法使基板W之整個表面均勻地疏水化。由此，即便僅改變保持時間J，可調整間隙寬度D之範圍亦被限制。然而，如本實施例般，藉由改變保持時間J及氣體濃度G之兩者，能夠不使保持時間J過短地擴大可調整間隙寬度D之範圍。同樣地，即便僅改變氣體濃度G，可調整間隙寬度D之範圍亦被限制。然而，如本實施例般，藉由改變保持時間J及氣體濃度G之兩者，能夠不使氣體濃度G過高/過低地擴大可調整間隙寬度D之範圍。 決定步驟係參照相關資訊F6，故而可容易地決定氣體濃度G及保持時間J。 實施例5 以下，參照圖式說明本發明之實施例5。 實施例5係於基板形成抗蝕圖案之基板處理方法。關於實施例5之基板處理方法，亦可藉由實施例1中所說明之基板處理裝置1而進行。由此，省略與基板處理裝置1之構成有關之說明。 實施例5之基板處理方法係每次變更氣體濃度G時，均進行預分配步驟。以下，對實施例5之基板處理方法之順序進行說明。再者，關於與實施例1相同之動作，適當地簡化說明。 圖13係表示實施例5之基板處理方法之順序之流程圖。 ＜步驟S1＞決定步驟 控制部85係基於目標E及相關資訊F1而決定氣體濃度G。 ＜步驟S11＞處理氣體條件已改變？ 控制部85判斷於本次所決定之處理條件與前一次所決定之處理條件之間處理氣體條件是否改變。於判斷為處理氣體條件已改變之情形時，進入步驟S12。於並未改變之情形時，進入步驟S2。 此處，「本次所決定之處理條件」係最後所決定之處理條件，「前一次所決定之處理條件」係倒數第2個被決定之處理條件。處理氣體條件係指處理條件中尤其與用於疏水化處理步驟之處理氣體有關之處理條件。氣體濃度G係處理氣體條件之例。 ＜步驟S12＞預分配步驟 於平板53上並未載置基板W。於該狀態下，罩部55移動至下方位置，處理空間B被大致密閉。控制部85控制流量調整閥68、72、三向閥74及抽吸機構83，而將處理氣體調整為本次所決定之氣體濃度G，並吹送至處理空間B。被吹送至處理空間B之處理氣體係藉由處理氣體排出部81而排出。當預分配步驟結束時，進入步驟S2。 此處，預分配步驟較佳為持續進行至噴嘴57以本次所決定之氣體濃度G吹送處理氣體為止。或者，預分配步驟較佳為持續進行至自噴嘴57吹送之處理氣體穩定為所決定之氣體濃度G為止。 預分配步驟係本發明中之預吹送步驟之例。 其後，執行疏水化處理步驟(步驟S2)、抗蝕膜形成步驟(步驟S3)、曝光步驟(步驟S4)及顯影步驟(步驟S5)。 如此，根據實施例5之基板處理方法，發揮與實施例1相同之效果。 進而，實施例5之基板處理方法包括預分配步驟，故而可將處理氣體向基板W以外吹送，而將處理氣體廢棄。藉此，可試驗處理氣體之吹送。 每當由決定步驟所決定之處理氣體條件發生改變時，均進行預分配步驟。換言之，於在時間上先後進行之2個疏水化處理步驟之間處理氣體條件不同時，於進行前一疏水化處理步驟之後，且於進行後一疏水化處理步驟之前，進行預分配步驟。藉此，可將殘留於噴嘴57或配管65之內部等之變更前之氣體濃度G之處理氣體廢棄。由此，即便為於處理氣體條件變更後進行之最初之疏水化處理步驟，亦可將被精度良好地調整為變更後之氣體濃度G之處理氣體供給至基板W。由此，即便為於處理氣體條件變更後進行之最初之疏水化處理步驟，亦可防止使基板W之表面疏水化之處理之品質降低。其結果，可抑制抗蝕圖案RP之尺寸精度降低。 於藉由決定步驟所決定之處理氣體條件未改變之情形時，不進行預分配步驟，而連續地進行複數個疏水化處理步驟。換言之，於時間上先後進行之2個疏水化處理步驟之間處理氣體條件相同時，於進行前一疏水化處理步驟後，不進行預分配步驟而進行後一疏水化處理步驟。藉此，可縮短使基板W之表面疏水化之處理所花費之時間。 實施例6 以下，參照圖式說明本發明之實施例6。 實施例6與實施例1之不同點在於處理氣體調溫部76之構成。由此，以下，對處理氣體調溫部76之構成進行詳細敍述。再者，藉由對於與實施例1相同之構成附上相同符號，而省略詳細之說明。 圖14係表示疏水化處理單元及與此相關之構成之圖。處理氣體調溫部76包括第1外側管77、導入管78及空調控制裝置79。第1外側管77之一端係沿著配管65延伸至疏水化處理單元31之附近。換言之，第1外側管77之一端延伸至與疏水化處理單元31連接之配管65之一端之附近。 第1外側管77之一端被打開。第1外側管77之一端係排出第1外側管77之內部之氣體之排出口77a。 導入管78係直接與第1外側管77連接。第1外側管77係於較排出口77a更靠近第1外側管77之另一端之位置與導入管78連接。排出口77a係本發明中之第1排出口之例。導入管78係本發明中之導入部之例。 基板處理裝置1包括機櫃91。機櫃91收容氣化容器64。機櫃91進而收容疏水化處理劑供給源61、配管62及開閉閥63。配管65係以貫通機櫃91之方式設置。機櫃91收容配管65之另一端側之一部分。 供給惰性氣體之配管67、71、75於機櫃91之內部彙集於配管92。配管92係以貫通機櫃91之方式設置。配管92於機櫃91之外部與氣體供給源66連接。 機櫃91收容配管67、71、75之全部及配管92之一部分。機櫃91進而收容流量調整閥68、流量調整閥72及三向閥74。 第1外側管77之另一端連接於機櫃91。第1外側管77之內部與機櫃91之內部相互連通。 機櫃91具有朝外部打開之排出口91a。機櫃91之內部之氣體係通過排出口91a而排出。機櫃91係本發明中之殼體之例。排出口91a係本發明中之殼體用排出口之例。 處理氣體調溫部76進而包括安裝於配管65之外表面之溫度檢測部93。溫度檢測部93較佳為設置於疏水化處理單元31之附近。更具體而言，溫度檢測部93較佳為設置於靠近與疏水化處理單元31連接之配管65之一端之位置。溫度檢測部93直接檢測配管65之表面溫度。藉此，溫度檢測部93間接地檢測流經配管65之內部之處理氣體之溫度。溫度檢測部93與控制部85以能夠進行通信之方式連接。溫度檢測部93之檢測結果被輸出至控制部85。 基板處理裝置1包括報告部95。報告部95與控制部85以能夠進行通信之方式連接。報告部95向使用者報告警報。警報既可為警報聲、聲音等聽覺資訊，亦可為警報燈、光閃爍、圖像等視覺資訊。 記憶部87記憶有基準範圍。基準範圍係與溫度區域有關之資訊。溫度區域例如為預先設定之處理氣體之氣體溫度K之±1度之範圍。溫度區域例如為決定步驟中所決定之處理氣體之氣體溫度K之±1度之範圍。基準範圍至少於執行疏水化處理步驟之前被預先設定。 如此構成之處理氣體調溫部76係以如下方式動作。 藉由利用控制部85控制空調控制裝置79，而空調控制裝置79對導入管78供給調溫空氣。導入管78對第1外側管77之內部導入調溫空氣。 圖14係以虛線模式性地表示調溫空氣之流動。於第1外側管77之內部，調溫空氣沿著配管65之外表面上流動。藉此，調溫空氣對流經配管65之內部之處理氣體之溫度進行調整。一部分調溫空氣流向配管65之一端側，且通過排出口77a而釋出。剩餘之調溫空氣流向配管65之另一端側，且流入至機櫃91之內部。 於機櫃91之內部，調溫空氣被供給至收容於機櫃91之元件61-65、67、68、71、72、74、75。換言之，收容於機櫃91之元件61-65、67、68、71、72、74、75之外表面被暴露於調溫空氣。藉此，調溫空氣係對各元件61-65、67、68、71、72、74、75之內部之處理氣體、惰性氣體及疏水化處理劑進行調溫。調溫空氣係通過排出口91a而釋出至機櫃91之外部。 控制部85係基於溫度檢測部93之檢測結果而監視處理氣體之實際溫度。具體而言，控制部85判斷溫度檢測部93之檢測結果是否處於基準範圍內。利用控制部85之監視較佳為至少於對疏水化處理單元31供給處理氣體時執行。或者，利用控制部85之監視較佳為至少於疏水化處理單元31對基板W進行處理時執行。 於判斷為溫度檢測部93之檢測結果不處於基準範圍內之情形時，控制部85使報告部95發出警報。此外，控制部85控制流量調整閥68、72等，而中斷對疏水化處理單元31供給處理氣體。控制部85控制升降機構56或抽吸機構83等，而中斷利用疏水化處理單元31之處理。另一方面，於判斷為溫度檢測部93之檢測結果處於基準範圍內之情形時，控制部85不發出警報。進而，控制部85容許對疏水化處理單元31之處理氣體之供給及利用疏水化處理單元31之處理。 如此，根據實施例6，發揮以下效果。 基板處理裝置1包括第1外側管77及導入管78，故而可較佳地變更及調整流經配管65之內部之處理氣體之溫度。藉此，可使基板W之表面精度良好地疏水化，可於基板W上形成尺寸精度較高之抗蝕圖案RP。 進而，基板處理裝置1包括第1外側管77及導入管78，故而可將流經配管65之內部之處理氣體之溫度保持為固定。換言之，可防止處理氣體之溫度意外地不均。因此，無因處理氣體之溫度之不均而引起基板W之表面之接觸角意外地變動之虞。即，無因處理氣體之溫度之不均而引起間隙寬度D意外地變動之虞。由此，可進一步提高間隙S之尺寸精度。 第1外側管77之一端沿著配管65延伸至配管65之一端之附近為止，故而可對靠近疏水化處理單元31之配管65之部分供給調溫空氣。由此，可較佳地管理疏水化處理單元31中所使用之處理氣體之溫度。 第1外側管77包括排出口77a，故而調溫空氣可順利地於第1外側管77之內部流動。由此，可高效率地調整流經配管65之內部之處理氣體之溫度。 由於第1外側管77與導入管78之連接位置較排出口77a更靠近第1外側管77之另一端，故而一部分調溫空氣流向第1外側管77之另一端側，且自第1外側管77流入至機櫃91。該一部分調溫空氣之流動恰當地阻止了氣體自機櫃91流入(逆流)至第1外側管77。因此，即便假設機櫃91內之處理氣體洩漏，亦無處理氣體自機櫃91流出至第1外側管77之虞，亦無處理氣體通過第1外側管77到達疏水化處理單元31之附近之虞。 第1外側管77之內部與機櫃91之內部連通，故而導入管78可經由第1外側管77而較佳地對機櫃91供給調溫空氣。藉此，可對設置於機櫃91之內部之各元件之內部之處理氣體、惰性氣體及疏水化處理劑進行調溫。 具體而言，由於氣化容器64設置於機櫃91之內部，故而可自產生處理氣體時起對處理氣體之氣體溫度進行調整。由此，可確實地管理處理氣體之氣體溫度。 由於疏水化處理劑供給源61設置於機櫃91之內部，故而可對成為處理氣體之來源之疏水化處理劑之溫度進行調整。由此，可進一步確實地管理處理氣體之溫度。同樣地，配管62由於設置於機櫃91之內部，故而可對成為處理氣體之來源之疏水化處理劑之溫度進行調整。由此，可進一步確實地管理處理氣體之溫度。 由於配管67設置於機櫃91之內部，故而可對用於產生處理氣體之惰性氣體之溫度進行調整。由此，可進一步確實地管理處理氣體之溫度。 由於配管71設置於機櫃91之內部，故而可對用於稀釋處理氣體之惰性氣體之溫度進行調整。由此，可進一步確實地管理處理氣體之溫度。 基板處理裝置1由於包括溫度檢測部93，故而可較佳地偵測處理氣體之實際溫度。 基板處理裝置1由於包括控制部85，故而可較佳地監視處理氣體之實際溫度。 控制部85係基於溫度檢測部93之檢測結果而發出警報，故而可較佳地向使用者通知處理氣體之實際溫度為基準範圍外。 控制部85係基於溫度檢測部93之檢測結果而中斷對疏水化處理單元31供給處理氣體，故而可提前停止對基板W供給溫度不適當之處理氣體。 控制部85係基於溫度檢測部93之檢測結果而使利用疏水化處理單元31之處理中斷，故而可提前停止使用溫度不適當之處理氣體之處理。 本發明並不限定於上述實施形態，亦可以如下方式變化實施。 (1)於上述各實施例中，目標E為間隙寬度D之目標值，但並不限定於此。例如，目標E亦可為相對於基準值之調整量。基準值亦可為例如間隙寬度D之上限值、下限值、容許值中之任一者。或者，基準值亦可為於特定之處理條件下所獲得之間隙寬度D。調整量亦可為例如自基準值增減之距離。 (2)於上述各實施例中，作為處理條件，例示有氣體濃度G、保持時間J及氣體溫度K，但並不限定於此。以下，例示其他處理條件。 ・對基板W吹送之處理氣體之氣體流量 ・基板W之溫度 ・將處理氣體吹送至基板W之吹送時間 ・使基板W之表面疏水化之處理時間 此處，吹送時間相當於進行吹送步驟之時間。 處理時間係包含保持時間J及吹送時間等之總括性之概念，根據疏水化處理步驟而適當定義。例如，即便於疏水化處理步驟不具有吹送步驟或保持步驟之情形時，亦可適當地定義處理時間。 (3)於上述實施例1、2、3中，決定步驟係決定1種處理條件，於實施例4中，決定步驟係決定2種處理條件，但並不限定於此。決定步驟亦可決定3種以上之處理條件。 (4)於上述實施例4中，藉由決定步驟而決定之2種處理條件為氣體濃度G及保持時間J，但並不限定於此。例如，2種處理條件亦可為上述氣體濃度G、保持時間J、氣體溫度K、氣體流量、基板W之溫度、吹送時間、處理時間中之任意兩者。 (5)於上述實施例5中，作為處理氣體條件，例示有氣體濃度G，但並不限定於此。例如，處理氣體條件亦可為氣體溫度K。或者，處理氣體條件亦可為氣體流量。 (6)於上述實施例5之基板處理方法中，預分配步驟亦可監視所吹送之處理氣體之實際濃度。根據本變化實施例，可適當地判斷是否結束預分配步驟，可於較佳之時序結束預分配步驟。 (7)於上述各實施例中，抗蝕圖案RP為所謂之線與間隙，但並不限定於此。可對各種抗蝕圖案RP應用實施例之基板處理方法。例如，抗蝕圖案RP亦可為孔圖案或點圖案。根據該等變化實施例，亦可提高抗蝕圖案RP之尺寸精度。又，於上述各實施例中，抗蝕圖案RP包含線L及間隙S，但並不限定於此。例如，抗蝕圖案RP亦可包含間隙、線、孔及點中之至少任一者。孔例如為通孔或導孔等。例如於抗蝕圖案RP包含孔之情形時，亦可提高抗蝕圖案RP之尺寸精度。例如於抗蝕圖案RP包含點之情形時，亦可提高抗蝕圖案RP之尺寸精度。 (8)於上述各實施例中，例示間隙S作為溶解區域，例示間隙S之尺寸、即間隙寬度D作為溶解區域尺寸，但並不限定於此。例如，亦可為，溶解區域為孔，溶解區域尺寸為孔之尺寸。孔之尺寸例如為孔徑。根據本變化實施例，可較佳地提高孔之尺寸之精度。或者，亦可為，溶解區域為形成於點之周圍且劃定點之輪廓之區域，溶解區域尺寸為點之尺寸。點之尺寸例如為點間之距離。根據本變化實施例，可較佳地提高點之尺寸之精度。 (9)於上述各實施例中，基板處理裝置1(塗佈單元34)進行抗蝕膜形成步驟，但並不限定於此。即，基板處理裝置1亦可不進行抗蝕膜形成步驟。例如，亦可於基板處理裝置1之外部進行抗蝕膜形成步驟。同樣地，於上述實施例中，基板處理裝置1(顯影單元44)進行了顯影步驟，但並不限定於此。即，基板處理裝置1亦可不進行顯影步驟。例如，亦可於基板處理裝置1之外部進行顯影步驟。 (10)上述各實施例之基板處理方法亦可進而包括於基板W之表面形成抗反射膜之步驟。於基板W之表面形成抗反射膜之步驟較佳為於疏水化處理步驟之後且於抗蝕膜形成步驟之前執行。於上述實施例之基板處理方法中，亦可包括於抗蝕膜之表面形成保護膜之步驟。於抗蝕膜之表面形成保護膜之步驟較佳為於抗蝕膜形成步驟之後且於曝光步驟之前執行。 (11)於上述各實施例中，導入管78直接與第1外側管77連接，但並不限定於此。導入管78亦可直接與機櫃91連接。據此，導入管78可直接對機櫃91之內部供給調溫空氣。或者，導入管78亦可將第1外側管77與機櫃91之兩者連接。據此，導入管78可直接對第1外側管77之內部與機櫃91之內部之兩者供給調溫空氣。 參照圖15。圖15係表示變化實施例之疏水化處理單元及與此相關之構成之圖。再者，藉由對於與實施例1相同之構成附上相同符號，而省略詳細之說明。 如圖示般，處理氣體調溫部76包括導入管101。導入管101與空調控制裝置79連接。導入管101直接與機櫃91連接，而直接對機櫃91之內部供給調溫空氣。機櫃91之內部之調溫空氣之一部分係自排出口91a排出。剩餘之調溫空氣係自機櫃91流出至第1外側管77之內部，且自排出口77a排出。根據本變化實施例，亦可較佳地變更、調整、維持流經配管65之內部之處理氣體之溫度。導入管101係本發明中之導入部之例。 (12)於上述各實施例中所說明之基板處理裝置1中，亦可進而包括專門調整疏水化處理劑之溫度之構成。又，於上述各實施例中所說明之基板處理裝置1中，亦可進而包括專門調整惰性氣體之溫度之構成。 參照圖16。圖16係表示變化實施例之疏水化處理單元及與此相關之構成之圖。再者，藉由對於與實施例1相同之構成附上相同符號，而省略詳細之說明。 如圖示般，疏水化處理劑供給源61係設置於機櫃91之外部。配管62係以貫通機櫃91之方式設置。配管62之一部分設置於機櫃91之外部。基板處理裝置1包括第2外側管102及導入管103。第2外側管102設置於配管62之一部分之外側，且收容配管62之一部分。導入管103連接於空調控制裝置79。導入管103連接於第2外側管102之一端之附近，對第2外側管102之內部供給調溫空氣。第2外側管102之另一端為將第2外側管102之內部之氣體排出之排出口102a。再者，第2外側管102之一端被封閉。 當導入管103對第2外側管102之內部導入調溫空氣時，所導入之調溫空氣沿著配管62之外表面上流動，且通過排出口102a而釋出至第2外側管102之外部。如此，可藉由供給至第2外側管102之內部之調溫空氣而調整成為處理氣體之來源之疏水化處理劑的溫度。 基板處理裝置1包括第3外側管107及導入管109。第3外側管107設置於配管92之一部分之外側，且收容配管92之一部分。設置於機櫃91之外側之配管92之部分收容於第3外側管107。導入管109連接於空調控制裝置79。導入管109與第3外側管107之一端之附近連接，對第3外側管107之內部供給調溫空氣。第3外側管107之另一端為將第3外側管107之內部之氣體排出之排出口107a。再者，第3外側管107之一端被封閉。 當導入管109對第3外側管107之內部導入調溫空氣時，所導入之調溫空氣沿著配管92之外表面上流動，且通過排出口107a而釋出至第3外側管107之外部。如此，可藉由供給至第3外側管107之內部之調溫空氣而調整用於處理氣體之產生/稀釋之惰性氣體之溫度。 進而，於本變化實施例中，第1外側管77不具有排出口77a。第1外側管77之一端被封閉。導入管78連接於第1外側管77之一端之附近。第1外側管77之另一端連接於機櫃91。 當導入管78對第1外側管77之內部導入調溫空氣時，所導入之調溫空氣沿著配管65之外表面上流動，且流入至機櫃91。如此，可藉由供給至第1外側管77之內部之調溫空氣而調整處理氣體之氣體溫度。 配管92係本發明中之惰性氣體管之例。排出口102a係本發明中之第2排出口之例。排出口107a係本發明中之第3排出口之例。導入管103、109係本發明中之導入部之例。 (13)於上述實施例6中，第1外側管77之一端為排出口77a，但並不限定於此。例如，亦可於第1外側管77之一端之附近形成排出口。或者，亦可如圖16所示之變化實施例般，於第1外側管77之一端或一端之附近不具有排出口。 (14)於上述實施例1、6中，第1外側管77收容配管65之一部分，但並不限定於此。例如，第1外側管77亦可收容配管65之全部。 (15)於上述實施例6中，控制部85係基於溫度檢測部93之檢測結果，而進行警報之發送、對疏水化處理單元31之處理氣體之供給之中斷、及利用疏水化處理單元31之處理之中斷。然而，並不限定於此。例如，控制部85亦可基於溫度檢測部93之檢測結果，而進行警報之發送、處理氣體之供給之中斷及利用疏水化處理單元31之處理之中斷中之至少任一者。 (16)於上述實施例6中，警報之發送、處理氣體之供給之中斷、及利用疏水化處理單元31之處理之中斷全部藉由相同之條件(具體而言，控制部85判斷為溫度檢測部93之檢測結果並非基準範圍內)而執行，但並不限定於此。即，執行警報之發送之條件、執行處理氣體之供給之中斷之條件、及執行利用疏水化處理單元31之處理之中斷之條件中的至少兩者亦可不同。例如，亦可使用第1基準範圍、第2基準範圍及第3基準範圍，而執行警報之發送、處理氣體之供給之中斷、及利用疏水化處理單元31之處理之中斷。此處，第1-第3基準範圍之至少兩者規定不同之溫度區域。更具體而言，亦可為，於判斷為處理氣體之溫度不處於第1基準範圍內時，控制部85執行警報之發送。亦可為，於判斷為處理氣體之溫度不處於第2基準範圍內時，控制部85執行處理氣體之供給之中斷。亦可為，於判斷為處理氣體之溫度不處於第3基準範圍內時，控制部85執行利用疏水化處理單元31之處理之中斷。 (17)於上述各實施例中，將處理氣體調溫部76應用於包含疏水化處理劑之處理氣體，但並不限定於此。即，處理氣體調溫部76亦可對不包含疏水化處理劑之處理氣體之溫度進行調整。處理氣體調溫部76可應用於各種處理氣體。例如，處理氣體調溫部76亦可對藉由使除疏水化處理劑以外之處理液氣化而產生之處理氣體之溫度進行調整。 (18)於上述各實施例中，例示HMDS作為疏水化處理劑，但並不限定於此。例如，處理液亦可為N-三甲基矽烷基二甲胺(TMSDMA)或N-三甲基矽烷基二乙胺(TMSDEA)等矽烷化劑。處理液亦可為溶劑。 (19)關於上述各實施例及上述(1)至(18)中所說明之各變化實施例，亦可進而將各構成以與其他變化實施例之構成置換或組合等之方式適當地變更。 以下，附記上述實施形態之特徵。 (附記1) 一種基板處理裝置， 其包括： 處理單元，其對基板進行處理； 處理氣體管，其對上述處理單元供給處理氣體； 第1外側管，其設置於上述處理氣體管之外側且收容上述處理氣體管之至少一部分；及 導入部，其對上述第1外側管之內部供給經調溫之氣體。 (附記2) 如附記1之基板處理裝置，其中 上述處理氣體管之一端連接於上述處理單元， 上述第1外側管之一端沿著上述處理氣體管而延伸至上述處理氣體管之上述一端之附近為止。 (附記3) 如附記2之基板處理裝置，其中 上述第1外側管具有第1排出口，該第1排出口係形成於上述第1外側管之上述一端或上述一端之附近，將上述第1外側管之內部之氣體排出。 (附記4) 如附記3之基板處理裝置，其中 上述第1外側管於較上述第1排出口更靠近上述第1外側管之另一端之位置與上述導入部連接。 (附記5) 如附記1至4中任一項之基板處理裝置，其中 上述基板處理裝置包括： 氣化容器，其與上述處理氣體管連接，且產生處理氣體；及 殼體，其收容上述氣化容器；且 上述導入部進而對上述殼體之內部供給經調溫之氣體。 (附記6) 如附記5之基板處理裝置，其中 上述處理氣體管係以貫通上述殼體之方式設置， 上述第1外側管連接於上述殼體， 上述第1外側管之內部與上述殼體之內部相互連通， 上述導入部係使經調溫之氣體自上述第1外側管之內部流入至上述殼體之內部。 (附記7) 一種基板處理裝置， 上述基板處理裝置包括： 處理單元，其對基板進行處理； 處理氣體管，其對上述處理單元供給處理氣體； 氣化容器，其與上述處理氣體連通連接，且產生處理氣體； 殼體，其收容上述氣化容器；及 導入部，其對上述殼體之內部供給經調溫之氣體。 (附記8) 如附記5至7中任一項之基板處理裝置，其中 上述處理氣體管之至少一部分設置於上述殼體之內部。 (附記9) 如附記5至8中任一項之基板處理裝置，其中 上述基板處理裝置包括處理液供給源，該處理液供給源設置於上述殼體內，且對上述氣化容器供給處理液。 (附記10) 如附記5至9中任一項之基板處理裝置，其中 上述殼體具有供排出上述殼體之內部之氣體之殼體用排出口。 (附記11) 如附記5至10中任一項之基板處理裝置，其中 上述基板處理裝置包括對上述氣化容器供給處理液之處理液管， 上述處理液管之至少一部分設置於上述殼體之內部。 (附記12) 如附記5至11中任一項之基板處理裝置，其中 上述基板處理裝置包括對上述氣化容器供給惰性氣體之惰性氣體管， 上述惰性氣體管之至少一部分設置於上述殼體之內部。 (附記13) 如附記1至12中任一項之基板處理裝置，其中 上述基板處理裝置包括： 氣化容器，其與上述處理氣體管連接，且產生處理氣體； 處理液管，其對上述氣化容器供給處理液；及 第2外側管，其設置於上述處理液管之外側，且收容上述處理液管之至少一部分； 上述導入部進而對上述第2外側管之內部供給經調溫之氣體。 (附記14) 如附記1至13中任一項之基板處理裝置，其中 上述基板處理裝置包括： 氣化容器，其與上述處理氣體管連接，且產生處理氣體； 惰性氣體管，其對上述氣化容器供給惰性氣體；及 第3外側管，其設置於上述惰性氣體管之外側，且收容上述惰性氣體管之至少一部分；且 上述導入部進而對上述第3外側管之內部供給經調溫之氣體。 (附記15) 如附記1至14中任一項之基板處理裝置，其中 上述基板處理裝置包括： 溫度檢測部，其檢測上述處理氣體之溫度；及 控制部，其基於上述溫度檢測部之檢測結果而監視上述處理氣體之溫度。 (附記16) 如附記15之基板處理裝置，其中 上述控制部係基於上述溫度檢測部之檢測結果而進行警報之發送、上述處理氣體之供給之中斷、及利用上述處理單元之處理之中斷中之至少任一者。 (附記17) 如附記15或16之基板處理裝置，其中 上述控制部判斷藉由上述溫度檢測部所檢測出之溫度是否處於預先設定之基準範圍內。 (附記18) 如附記1至17中任一項之基板處理裝置，其中 上述處理單元為疏水化處理單元， 上述處理液為疏水化處理劑。

1‧‧‧基板處理裝置

11‧‧‧分度器部(ID部)

13‧‧‧處理部

14‧‧‧塗佈區塊

15‧‧‧顯影區塊

17‧‧‧介面部(IF部)

21‧‧‧載置台

25‧‧‧載具

31‧‧‧疏水化處理單元

32‧‧‧熱處理單元

33‧‧‧熱處理板

34‧‧‧塗佈單元

35‧‧‧保持部

36‧‧‧承杯

37‧‧‧噴嘴

38‧‧‧噴嘴搬送機構

42‧‧‧熱處理單元

43‧‧‧熱處理板

44‧‧‧顯影單元

45‧‧‧保持部

46‧‧‧承杯

47‧‧‧噴嘴

48‧‧‧噴嘴搬送機構

49‧‧‧載台

50‧‧‧光源

51‧‧‧倍縮光罩

53‧‧‧平板

54‧‧‧基板調溫部

55‧‧‧罩部

56‧‧‧升降機構

57‧‧‧噴嘴

58‧‧‧排氣孔

59‧‧‧腔室

60‧‧‧處理氣體供給部

61‧‧‧疏水化處理劑供給源

62‧‧‧配管

63‧‧‧開閉閥

64‧‧‧氣化容器

65‧‧‧配管

66‧‧‧氣體供給源

67‧‧‧配管

68‧‧‧流量調整閥

71‧‧‧配管

72‧‧‧流量調整閥

74‧‧‧三向閥

75‧‧‧配管

76‧‧‧處理氣體調溫部

77‧‧‧第1外側管

77a‧‧‧排出口

78‧‧‧導入管

79‧‧‧空調控制裝置

81‧‧‧處理氣體排出部

82‧‧‧配管

83‧‧‧抽吸機構

85‧‧‧控制部

87‧‧‧記憶部

89‧‧‧輸入部

91‧‧‧機櫃

91a‧‧‧排出口

92‧‧‧配管

93‧‧‧溫度檢測部

95‧‧‧報告部

101‧‧‧導入管

102‧‧‧第2外側管

102a‧‧‧排出口

103‧‧‧導入管

107‧‧‧第3外側管

107a‧‧‧排出口

109‧‧‧導入管

B‧‧‧處理間隙

C‧‧‧可溶部寬度

D‧‧‧間隙寬度

Da、Db、Dc‧‧‧間隙寬度

E‧‧‧目標

EXP‧‧‧曝光機

F‧‧‧相關資訊

F1‧‧‧相關資訊

F2‧‧‧相關資訊

F3‧‧‧相關資訊

F4‧‧‧相關資訊

F5‧‧‧相關資訊

F6‧‧‧相關資訊

G‧‧‧氣體濃度

J‧‧‧保持時間

K‧‧‧氣體溫度

L‧‧‧線

P1‧‧‧基板載置部

P2‧‧‧基板載置部

P3‧‧‧基板載置部

P4‧‧‧基板載置部

R‧‧‧抗蝕膜

Ra‧‧‧可溶部

Rb‧‧‧不溶部

RP‧‧‧抗蝕圖案

Rt‧‧‧抗蝕膜之厚度

S‧‧‧間隙

S1‧‧‧步驟

S2‧‧‧步驟

S2a‧‧‧步驟

S2b‧‧‧步驟

S2c‧‧‧步驟

S2d‧‧‧步驟

S2e‧‧‧步驟

S2f‧‧‧步驟

S2g‧‧‧步驟

S3‧‧‧步驟

S4‧‧‧步驟

S5‧‧‧步驟

S11‧‧‧步驟

S12‧‧‧步驟

T1‧‧‧搬送機構

T2‧‧‧搬送機構

T3‧‧‧搬送機構

T4‧‧‧搬送機構

T5‧‧‧搬送機構

W‧‧‧基板

Ws‧‧‧表面

θ‧‧‧接觸角

為了說明發明而圖示出當前認為較佳之若干形態，但應理解發明並不限定於如圖示之構成及方法。 圖1係表示基板處理裝置之概要構成之俯視圖。 圖2係表示基板處理裝置之概要構成之側視圖。 圖3係表示基板處理方法之順序之流程圖。 圖4A-4D係模式性地表示基板處理方法之各步驟中之基板之剖視圖。 圖5係表示疏水化處理單元及與此相關之構成之圖。 圖6係模式性地表示相關資訊之圖。 圖7係表示基板處理方法之順序之流程圖。 圖8A-8C係模式性地表示各氣體濃度下之間隙之放大剖視圖。 圖9係模式性地表示相關資訊之圖。 圖10係模式性地表示相關資訊之圖。 圖11係模式性地表示相關資訊之圖。 圖12係模式性地表示相關資訊之圖。 圖13係表示基板處理方法之順序之流程圖。 圖14係表示疏水化處理單元及與此相關之構成之圖。 圖15係表示變化實施例之疏水化處理單元及與此相關之構成之圖。 圖16係表示變化實施例之疏水化處理單元及與此相關之構成之圖。

Claims (19)

1. 一種基板處理方法， 上述基板處理方法包括： 決定步驟，其係基於與抗蝕圖案之溶解區域尺寸有關之目標，而決定使基板之表面疏水化時之處理條件；及 處理步驟，其係於在基板之表面形成抗蝕膜之前，以上述決定步驟中所決定之上述處理條件使基板之表面疏水化。
2. 如請求項1之基板處理方法，其中 基板之表面之接觸角係根據上述處理條件而改變。
3. 如請求項1之基板處理方法，其中 上述目標係上述溶解區域尺寸之目標值或相對於上述溶解區域尺寸之基準值之調整量中之至少任一者。
4. 如請求項1之基板處理方法，其中 於上述目標為第1目標時，上述決定步驟決定為第1處理條件， 於上述目標為規定較上述第1目標更寬之溶解區域尺寸之第2目標時，上述決定步驟決定為較上述第1處理條件使基板之表面之接觸角增大之第2處理條件。
5. 如請求項1之基板處理方法，其中 上述處理條件包含用於上述處理步驟之處理氣體之氣體濃度， 於上述目標為第1目標時，上述決定步驟決定為第1氣體濃度， 於上述目標為規定較上述第1目標更寬之溶解區域尺寸之第2目標時，上述決定步驟決定為較上述第1氣體濃度高之第2氣體濃度。
6. 如請求項1之基板處理方法，其中 上述處理條件包含不對基板進行處理氣體之吹送而保持利用上述處理氣體覆蓋基板之表面之狀態之保持時間， 於上述目標為第1目標時，上述決定步驟決定為第1保持時間， 於上述目標為規定較上述第1目標更寬之溶解區域尺寸之第2目標時，上述決定步驟決定為較上述第1保持時間長之第2保持時間。
7. 如請求項1之基板處理方法，其中 上述處理條件包含用於上述處理步驟之處理氣體之氣體溫度， 於上述目標為第1目標時，上述決定步驟決定為第1氣體溫度， 於上述目標為規定較上述第1目標更寬之溶解區域尺寸之第2目標時，上述決定步驟決定為較上述第1氣體溫度高之第2氣體溫度。
8. 如請求項1之基板處理方法，其中 上述處理條件為以下之至少任一者： 用於上述處理步驟之處理氣體之氣體濃度、 上述處理氣體之氣體溫度、 對基板吹送之上述處理氣體之氣體流量、 對基板吹送上述處理氣體之吹送時間、 不對基板進行上述處理氣體之吹送而保持利用上述處理氣體覆蓋基板之表面之狀態之保持時間、 使基板之表面疏水化之處理時間、及 基板之溫度。
9. 如請求項1之基板處理方法，其中 上述決定步驟係基於上述目標而決定至少2種以上之處理條件。
10. 如請求項1之基板處理方法，其中 上述決定步驟係藉由參照規定上述溶解區域尺寸與上述處理條件之關係之相關資訊，而決定上述處理條件。
11. 如請求項10之基板處理方法，其中 上述相關資訊包含： 第1相關資訊，其規定上述溶解區域尺寸與基板之表面之接觸角之關係；及 第2相關資訊，其規定上述接觸角與上述處理條件之關係。
12. 如請求項10之基板處理方法，其中 上述處理條件包含 第1處理條件、及 第2處理條件， 上述相關資訊規定上述溶解區域尺寸與上述第1處理條件及上述第2處理條件之組合之關係。
13. 如請求項1之基板處理方法，其中 上述處理步驟包含： 吹送步驟，其係藉由利用惰性氣體稀釋處理氣體而調整處理氣體之氣體濃度，並將上述氣體濃度經調整之上述處理氣體吹送至基板之表面；及 保持步驟，其不對基板進行上述處理氣體之吹送而保持利用上述處理氣體覆蓋基板之表面之狀態。
14. 如請求項13之基板處理方法，其中 上述吹送步驟係調整上述處理氣體之氣體溫度。
15. 如請求項1之基板處理方法，其中 上述基板處理方法進而包括預吹送步驟，該預吹送步驟係將上述處理氣體向基板以外吹送，而將上述處理氣體廢棄， 上述處理條件包含與用於上述處理步驟之處理氣體有關之處理氣體條件， 於藉由上述決定步驟而改變上述處理氣體條件時，進行上述預吹送步驟。
16. 如請求項1之基板處理方法，其中 供形成上述抗蝕圖案之抗蝕膜為厚膜。
17. 如請求項1之基板處理方法，其中 上述基板處理方法包括： 抗蝕膜形成步驟，其係於經疏水化之基板之表面形成抗蝕膜；及 顯影步驟，其係對基板之表面上之抗蝕膜供給顯影液。
18. 如請求項1之基板處理方法，其中 上述抗蝕圖案包含間隙、線、孔及點中之至少任一者。
19. 如請求項1之基板處理方法，其中 上述溶解區域尺寸為間隙之尺寸、孔之尺寸、及點之尺寸中之至少任一者。