JP2000124106A - 基板熱処理装置および基板熱処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板の温度均一性を向上させることができる
基板熱処理装置および基板熱処理方法を提供することで
ある。 【解決手段】 筐体１内の加熱プレート５上の球状スペ
ーサ６に基板Ｗが支持される。筐体１内の上部には不活
性ガス供給チャンバ８が配設されている。不活性ガス供
給チャンバ８の上面の中央部には不活性ガス導入口９が
設けられ、下面の中央部には不活性ガス吹き出し口１０
が設けられている。筐体１内の上部の不活性ガス供給チ
ャンバ８の周囲には複数の排気口１２が設けられてい
る。不活性ガス導入口９には給気系１３が接続され、排
気口１２には排気系１８が接続されている。筐体１内の
上部から不活性ガスが供給され、筐体１内の上部から不
活性ガスが排出される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板に所定の熱処
理を行う基板熱処理装置および基板熱処理方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基
板、液晶表示装置用ガラス基板、光ディスク用基板等の
基板の処理工程の１つに、基板上にレジストパターンを
形成するフォトリソグラフィ工程がある。フォトリソグ
ラフィ工程では、基板上にレジスト液が回転塗布された
後、プリベーク処理、露光処理、露光後ベーク処理、現
像処理およびポストベーク処理がそれぞれ行われる。

【０００３】プリベーク処理とは、基板上に塗布された
レジスト液中の余分な溶媒を蒸発させるための処理であ
り、露光後ベーク処理とは、光化学反応によって生じた
生成物をレジスト膜内で均一に拡散させるための処理で
あり、ポストベーク処理とは、耐ドライエッチング性を
向上させるための処理である。以下、プリベーク処理、
露光後ベーク処理およびポストベーク処理を熱処理と総
称する。

【０００４】このような熱処理は、基板加熱装置（ホッ
トプレート）、基板冷却装置（クーリングプレート）等
の基板熱処理装置を用いて行われる。熱処理時には、基
板加熱装置で基板を昇温した後、基板冷却装置で基板を
常温まで降温する。

【０００５】図７は従来の基板熱処理装置の概略構成を
示す模式的断面図である。図７の基板熱処理装置は基板
加熱装置である。

【０００６】図７において、基板熱処理装置は、基板搬
入出口３２を有する筐体３１を備える。筐体３１の基板
搬入出口３２には、シャッタ３３がエアシリンダ等の駆
動装置３４により開閉自在に設けられている。

【０００７】筐体３１内には加熱プレート３５が配置さ
れている。加熱プレート３５の上面には、基板Ｗの裏面
を支持する３つの球状スペーサ３６が三角形状に配置さ
れている。また、加熱プレート３５には、ヒータ、ぺル
チェ素子等からなる熱源（図示せず）が内蔵されてい
る。

【０００８】筐体３１内の上部には、不活性ガス供給チ
ャンバ３８が配設されている。不活性ガス供給チャンバ
３８の上面には不活性ガス導入口３９が設けられ、下面
には複数の不活性ガス吹き出し孔４０が設けられてい
る。

【０００９】不活性ガス供給チャンバ３８の不活性ガス
導入口３９には、窒素ガス等の不活性ガスを導く給気管
路４２が接続されている。給気管路４２は、流量調整弁
４３を介して窒素ガス等の不活性ガスを供給するガス供
給源（図示せず）に接続されている。加熱プレート３５
と不活性ガス供給チャンバ３８との間には処理空間８０
が形成されている。

【００１０】また、加熱プレート３５の周囲には複数の
排気口４１が設けられている。複数の排気口４１は、排
気管路４５を介して工場の排気設備（図示せず）に接続
されている。

【００１１】基板Ｗの搬入または搬出時には、駆動装置
３４によりシャッタ３３が開かれ、基板搬入出口３２が
開放される。そして、開放された基板搬入出口３２を通
して筐体３１内に基板Ｗが搬入または搬出される。

【００１２】例えば、プリベーク処理時には、レジスト
液が塗布された基板Ｗが加熱プレート３５の球状スペー
サ３６上に支持され、加熱プレート３５に内蔵された熱
源により約１００℃に昇温される。それにより、基板Ｗ
上のレジスト液中から余分な溶媒が蒸発して除去され
る。

【００１３】このとき、給気管路４２から不活性ガスが
不活性ガス供給チャンバ３８内に供給され、さらに不活
性ガス吹き出し孔４０を通して処理空間８０内に供給さ
れる。処理空間８０に供給された不活性ガスは、処理空
間８０内で基板Ｗ上のレジスト液中から蒸発した溶媒を
伴って排気口４１から排気管路４５を通して外部に排気
される。

【００１４】プリベーク処理の終了後、基板Ｗは基板冷
却装置に移され、ほぼ常温にまで降温される。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】基板熱処理装置による
基板の熱処理において、基板上のレジスト膜の膜厚の均
一性や現像後のパターン線幅の均一性は、加熱プレート
３５上の球状スペーサ３６に支持された基板Ｗの温度均
一性の程度に影響される。したがって、基板Ｗの温度均
一性を保つために、加熱プレート３５の温度均一性を保
ち、不活性ガスの流量および排気流量を調整している。

【００１６】しかしながら、近年、半導体デバイスの高
集積化に伴って、基板上に形成されるパターンが微細化
している。このため、基板上に塗布されるレジスト膜の
膜厚均一性および現像後のパターン線幅の均一性の許容
誤差が厳しくなっており、基板の温度均一性をさらに向
上させる必要が生じている。その結果、基板熱処理装置
の加熱プレート３５の温度均一性を保ち、不活性ガスの
流量および排気流量を調整するのみでは、要求される基
板の温度均一性を確保することが困難になってきた。

【００１７】本発明の目的は、基板の温度均一性を向上
させることができる基板熱処理装置および基板熱処理方
法を提供することである。

【００１８】

【課題を解決するための手段および発明の効果】第１の
発明に係る基板熱処理装置は、基板に熱処理を行う基板
熱処理装置であって、基板を支持する支持手段と、支持
手段に支持された基板を取り囲む筐体と、筐体内の上部
から筐体内に気体を供給する給気手段と、筐体内の上部
から筐体内の気体を排出する排気手段とを備えたもので
ある。

【００１９】本発明に係る基板熱処理装置においては、
給気手段により筐体内の上部から筐体内に気体が供給さ
れるとともに排気手段により筐体内の上部から筐体内の
気体が排出されつつ、支持手段に支持された基板に熱処
理が行われる。

【００２０】この場合、筐体内の上部から気体が供給さ
れかつ筐体内の上部から気体が排出されるので、気体が
支持手段に支持された基板に影響を与えることが防止さ
れる。それにより、筐体内に支持された基板の温度均一
性が向上するとともに、基板からの蒸発成分の再付着に
よる基板の汚染が防止される。その結果、基板の処理の
均一性を向上させることができる。

【００２１】第２の発明に係る基板熱処理装置は、第１
の発明に係る基板熱処理装置の構成において、給気手段
により筐体内に供給されて排気手段により筐体内から排
出される気体の流れが支持手段に支持された基板に接触
しないように給気手段による給気量および排気手段によ
る排気量の少なくとも一方を制御する制御手段をさらに
備えたものである。

【００２２】この場合、筐体内の気体の流れが支持手段
に支持された基板に接触しないように気体の供給量およ
び気体の排出量の少なくとも一方が制御手段により制御
される。それにより、基板の温度均一性がさらに向上す
るとともに、基板上からの蒸発成分の再付着による基板
の汚染が十分に防止される。

【００２３】第３の発明に係る基板熱処理装置は、第１
または第２の発明に係る基板熱処理装置の構成におい
て、給気手段は、筐体内の上部に給気口を有し、排気手
段は筐体内の上部に排気口を有するものである。

【００２４】この場合、筐体内の上部の給気口から筐体
内に気体が供給され、筐体内の上部の排気口から筐体内
の気体が排出される。それにより、筐体内の上部の給気
口から筐体内の上部の排気口へ向かう気体の流れが形成
される。

【００２５】第４の発明に係る基板熱処理装置は、第３
の発明に係る基板熱処理装置の構成において、給気手段
の給気口は支持手段に支持された基板の上方に設けら
れ、排気手段の排気口は給気口の周囲に設けられたもの
である。

【００２６】この場合、筐体内の基板の上方の給気口か
ら気体が供給され、給気口の周囲の排気口から気体が排
出される。それにより、基板の上方の中央部から外周部
に向かう気体の流れが形成される。その結果、筐体内の
気体の流れが基板に直接接触することが防止される。

【００２７】第５の発明に係る基板熱処理装置は、第３
の発明に係る基板熱処理装置の構成において、排気手段
の排気口は支持手段に支持された基板の上方に設けら
れ、給気手段の給気口は排気口の周囲に設けられたもの
である。

【００２８】この場合、筐体内の基板の上方の周囲の給
気口から気体が供給され、基板の上方の排気口から気体
が排出される。それにより、基板の上方の外周部から中
央部に向かう気体の流れが形成される。その結果、筐体
内の気体の流れが基板に直接接触することが防止され
る。

【００２９】第６の発明に係る基板熱処理装置は、第
３、第４または第５の発明に係る基板熱処理装置の構成
において、給気手段の給気口において排気口側の内壁
は、排気口に向かう方向に傾斜したものである。

【００３０】この場合、給気口から筐体内に供給される
気体が排気口の方向に流れやすくなる。それにより、筐
体内の上部の給気口から筐体内の上部の排気口に向かう
気体の流れが形成されやすくなり、筐体内の気体の流れ
が基板に直接接触することが十分に防止される。

【００３１】第７の発明に係る基板熱処理装置は、第
３、第４または第５の発明に係る基板熱処理装置の構成
において、排気手段の排気口において給気口側の内壁
は、給気口に向かう方向に傾斜したものである。

【００３２】この場合、給気口から筐体内に供給された
気体が排気口に流れ込みやすくなる。それにより、筐体
内の上部の給気口から筐体内の上部の排気口に向かう気
体の流れが形成されやすくなり、筐体内の気体の流れが
基板に直接接触することが十分に防止される。

【００３３】第８の発明に係る基板熱処理装置は、第３
〜７のいずれかの発明に係る基板熱処理装置の構成にお
いて、給気手段の給気口と支持手段に支持された基板と
の間の距離が７ｍｍ以上１５ｍｍ以下であるものであ
る。

【００３４】この場合、筐体内の気体の流れが基板に接
触せず、かつ基板の上方で熱の対流が生じない。それに
より、基板の温度均一性が十分に向上する。

【００３５】第９の発明に係る基板熱処理方法は、筐体
内に支持された基板に熱処理を行う基板熱処理方法であ
って、筐体内の上部から筐体内に気体を供給しつつ、筐
体内の上部から筐体内の気体を排出するものである。

【００３６】本発明に係る基板熱処理方法においては、
筐体内の上部から筐体内に気体が供給されるとともに筐
体内の上部から筐体内の気体が排出されつつ、筐体内に
支持された基板に熱処理が行われる。

【００３７】この場合、筐体内の上部から気体が供給さ
れかつ筐体内の上部から気体が排出されるので、気体が
筐体内に支持された基板に影響を与えることが防止され
る。それにより、筐体内に支持された基板の温度均一性
が向上するとともに、基板上からの蒸発成分の再付着に
よる基板の汚染が防止される。その結果、基板の処理の
均一性を向上させることができる。

【００３８】第１０の発明に係る基板熱処理方法は、第
９の発明に係る基板熱処理方法において、筐体内に供給
されて筐体内から排出される気体の流れが筐体内に支持
された基板に接触しないように筐体内への気体の供給量
および筐体内からの気体の排出量の少なくとも一方を制
御するものである。

【００３９】この場合、筐体内の気体の流れが筐体内に
支持された基板に接触しないように筐体内への気体の供
給量および筐体内からの気体の排出量の少なくとも一方
が制御される。それにより、基板の温度均一性がさらに
向上するとともに、基板上からの蒸発成分の再付着によ
る基板の汚染が十分に防止される。

【００４０】

【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施例における
基板熱処理装置の模式的断面図である。図１の基板熱処
理装置は基板加熱装置である。

【００４１】図１において、基板熱処理装置は、基板搬
入出口２を有する筐体１を備える。筐体１の基板搬入出
口２には、シャッタ３がエアシンダ等の駆動装置４によ
り開閉自在に設けられている。

【００４２】筐体１内には円形の加熱プレート５が配置
されている。加熱プレート５の上面には、基板Ｗの裏面
を支持する３つの球状スペーサ６が三角形状に配置され
ている。また、加熱プレート５には、ヒータ、ペルチェ
素子等からなる熱源（図示せず）が内蔵されている。

【００４３】筐体１内の上部には、不活性ガス供給チャ
ンバ８が配設されている。不活性ガス供給チャンバ８の
下面は、例えばアルミニウム、銅等の熱伝導率の高い材
質で形成されている。それにより、放熱性が良好とな
る。

【００４４】不活性ガス供給チャンバ８の上面の中央部
には不活性ガス導入口９が設けられ、不活性ガス供給チ
ャンバ８の下面の中央部には円形の不活性ガス吹き出し
口１０が設けられている。加熱プレート５と不活性ガス
供給チャンバ８との間には処理空間５０が形成されてい
る。

【００４５】不活性ガス供給チャンバ８の上部には、例
えばステンレスからなるカバー部材１１が設けられてい
る。カバー部材１１と不活性ガス供給チャンバ８との間
に空気断熱層６０が形成されている。

【００４６】不活性ガス供給チャンバ８の不活性ガス導
入口９には、窒素ガス等の不活性ガスを供給するガス供
給系１３が接続されている。ガス供給系１３は、不活性
ガスを不活性ガス供給チャンバ８の不活性ガス導入口９
に導く給気管路１４、給気管路１４内の不活性ガスの流
量を測定する流量計１５、不活性ガスの流量を調整する
流量調整弁１６および不活性ガスを供給するガス供給源
１７を備える。

【００４７】ガス供給源１７から流量調整弁１６、流量
計１５および給気管路１４を通して不活性ガスが不活性
ガス供給チャンバ８内に供給され、さらに不活性ガス吹
き出し口１０を通して処理空間５０内に供給される。

【００４８】筐体１内の上部における不活性ガス供給チ
ャンバ８の周囲には、複数の排気口１２が設けられてい
る。複数の排気口１２には排気系１８が接続されてい
る。排気系１８は、各排気口１２と工場の排気用力設備
２１とを接続する排気管路１９および排気管路１９内の
通気量を調整するダンパ２０を備える。

【００４９】処理空間５０に供給された不活性ガスは、
排気口１２から排気管路１９を通して排気用力設備２１
により外部へ排出される。

【００５０】制御部２５は、ＣＰＵ（中央演算処理装
置）等からなり、流量調整弁１６および各ダンパ２０の
動作を制御する。

【００５１】図２は図１の基板熱処理装置における不活
性ガス吹き出し口および排気口の配置を示す図である。

【００５２】図２に示すように、不活性ガス吹き出し口
１０は、不活性ガス供給チャンバ８の中央部に設けら
れ、複数の排気口１２は、不活性ガス供給チャンバ８の
周囲にほぼ等間隔に配置されている。それにより、矢印
で示すように、不活性ガス供給チャンバ８の中央部から
外周部に向かう不活性ガスの流れが形成される。

【００５３】本実施例では、球状スペーサ６が支持手段
に相当し、ガス供給系１３および不活性ガス供給チャン
バ８が給気手段に相当し、排気系１８が排気手段に相当
する。また、不活性ガス吹き出し口１０が給気口に相当
し、排気口１２が排気口に相当する。さらに、流量調整
弁１６、ダンパ２０および制御部２５が制御手段に相当
する。

【００５４】例えば、プリベーク処理時には、レジスト
液が塗布された基板Ｗが基板搬入出口２から筐体１内に
搬入され、加熱プレート５の球状スペーサ６上に支持さ
れる。シャッタ３を閉じることにより、筐体１内は密閉
空間となる。加熱プレート５の球状スペーサ６上の基板
Ｗは、加熱プレート５に内蔵された熱源により昇温され
る。それにより、基板Ｗ上のレジスト液中から余分な溶
媒が蒸発して除去される。

【００５５】このとき、ガス供給系１３から不活性ガス
導入口９を通して不活性ガス供給チャンバ８内に不活性
ガスが供給され、さらに不活性ガス吹き出し口１０を通
して処理空間５０に供給される。処理空間５０に供給さ
れた不活性ガスは、処理空間５０内で基板Ｗ上のレジス
ト液から蒸発する溶媒を伴って、排気口１２を通して排
気系１８により排出される。通常は、処理空間５０への
不活性ガスの供給量と処理空間５０からの排気量とは等
しく設定される。

【００５６】不活性ガス吹き出し口１０が筐体１内の上
部の中央部に設けられ、かつ複数の排気口１２が筐体１
内の上部の外周部に設けられているので、筐体１内の上
部の中央部から筐体１内の上部の外周部に向かう不活性
ガスの流れが形成される。それにより、処理空間５０で
の不活性ガスの流れが基板Ｗに直接当たらず、基板Ｗが
不活性ガスの影響を受けることが防止される。

【００５７】したがって、基板Ｗの温度均一性が向上
し、かつ基板Ｗ上のレジスト液から蒸発した溶媒により
基板Ｗが汚染されることが防止される。その結果、基板
Ｗ上の塗布膜の均一性が向上する。

【００５８】また、筐体１内の加熱プレート５、シャッ
タ３および筐体１の内壁が溶媒を伴った不活性ガスによ
り汚染されることも防止される。

【００５９】この場合、制御部２５により流量調整弁１
６を制御することにより、給気管路１４内の不活性ガス
の流量を調整することができる。また、制御部２５によ
り各排気管路１９内のダンパ２０の開度を調整すること
により、各排気口１２での排気流量を調整することがで
きる。それにより、筐体１内で不活性ガスの流れを制御
することができる。その結果、基板Ｗの温度均一性をさ
らに向上させるとともに、基板Ｗ上のレジスト液から蒸
発した溶媒による基板Ｗの汚染を十分に防止することが
できる。

【００６０】不活性ガス供給チャンバ８の下面と球状ス
ペーサ６上に支持された基板Ｗの表面との間の距離（以
下、ギャップと呼ぶ）Ｈが所定値よりも小さいと、不活
性ガス供給チャンバ８の不活性ガス吹き出し口１０から
供給された不活性ガスが基板Ｗに影響を与えやすくな
る。一方、ギャップＨが所定値よりも大きいと、不活性
ガス供給チャンバ８の不活性ガス吹き出し口１０から供
給された不活性ガスが処理空間５０内で対流を起こしや
すくなる。

【００６１】ここで、不活性ガス供給チャンバ８の下面
と球状スペーサ６上に支持された基板の表面との間のギ
ャップＨを変えて基板の温度、基板の温度の変動幅およ
び基板の温度のばらつきを示す３σを測定した。その測
定結果を図３および表１に示す。

【００６２】

【表１】

【００６３】この測定では、直径２００ｍｍの基板を用
い、処理空間５０へ供給する不活性ガスの流量を１Ｌ
（リットル）／ｍｉｎとし、処理空間５０からの排気量
を１Ｌ／ｍｉｎとした。また、不活性ガス供給チャンバ
８の下面はアルミニウムにより形成される。

【００６４】図３および表１に示すように、ギャップＨ
が７ｍｍから１５ｍｍの範囲では、基板の温度の変動幅
が０．４以下と小さくなり、ギャップＨが１０ｍｍのと
きに基板の温度の変動幅が最小となっている。したがっ
て、不活性ガス供給チャンバ８の下面と基板の表面との
間のギャップＨは、７ｍｍ以上１５ｍｍ以下の範囲内に
設定することが好ましく、１０ｍｍに設定することがよ
り好ましい。

【００６５】本実施例の基板熱処理装置においては、不
活性ガス供給チャンバ８の上部に空気断熱層６０が設け
られているので、不活性ガス供給チャンバ８が外気の温
度の影響を受けることが防止される。それにより、不活
性ガス供給チャンバ８の表面の温度均一性が高められ、
不活性ガス供給チャンバ８内に導入された不活性ガスが
一定の温度に保たれる。

【００６６】なお、空気断熱層６０を設ける代わりに不
活性ガス供給チャンバ８の上部に断熱材を設けてもよ
い。また、空気断熱層６０と断熱材とを組み合わせて設
けてもよい。

【００６７】図４は本発明の他の実施例における基板熱
処理装置の模式的断面図である。図４の基板熱処理装置
において、筐体１内の加熱プレート５の上方に不活性ガ
ス供給チャンバ８ａが配設されている。不活性ガス供給
チャンバ８ａの上面の中央部に不活性ガス導入口９ａが
設けられている。不活性ガス導入口９ａには、給気管路
１４が接続されている。不活性ガス導入口９ａから下方
に向かって漸次径大となる周壁部１０ｂが延び、不活性
ガス供給チャンバ８ａの下面の中央部に不活性ガス吹き
出し口１０ａが開口している。

【００６８】また、不活性ガス供給チャンバ８ａの上面
の外周部に複数の不活性ガス排出口１２ａが設けられて
いる。各不活性ガス排出口１２ａには、排気管路１９が
接続されている。不活性ガス排出口１２ａから下方に向
かって漸次径大となる周壁部１２ｂが延び、不活性ガス
供給チャンバ８ａの下面に排気口１２ｃが開口してい
る。

【００６９】本実施例の基板熱処理装置の他の部分の構
成は、図１に示した基板熱処理装置の構成と同様であ
る。

【００７０】本実施例の基板熱処理装置においては、不
活性ガス吹き出し口１０ａおよび排気口１２ｃがともに
不活性ガス供給チャンバ８ａに設けられているので、製
造が容易になる。

【００７１】また、給気管路１４に接続される周壁部１
０ｂが下方に向かって漸次径大となり、排気管路１９に
接続される周壁部１２ｂが下方に向かって漸次径大とな
っているので、不活性ガス吹き出し口１０ａから供給さ
れる不活性ガスが排気口１２ｃの方向に流れやすくな
り、かつその不活性ガスが排気口１２ｃ内に流れ込みや
すくなる。それにより、不活性ガス吹き出し口８ａから
排気口１２ｃに向かう不活性ガスの流れが形成されやす
くなる。その結果、基板Ｗの温度均一性がさらに向上す
るとともに、基板Ｗ上から蒸発した溶媒を伴った不活性
ガスによる基板Ｗの汚染が十分に防止される。

【００７２】図５は不活性ガス吹き出し口および排気口
の他の例を示す図である。図５の例では、不活性ガス供
給チャンバ８ｂの下面の全域に複数の不活性ガス吹き出
し口１０ｂが設けられ、不活性ガス供給チャンバ８ｂの
周囲に複数の排気口１２ｂが設けられている。

【００７３】この場合にも、筐体１内の上部の中央部か
ら筐体１内の上部の外周部に向かう不活性ガスの流れが
形成される。

【００７４】図６は不活性ガス吹き出し口および排気口
のさらに他の例を示す図である。図６の例では、不活性
ガス供給チャンバ８ｃの中央部に不活性ガス吹き出し口
１０ｃが設けられ、不活性ガス供給チャンバ８ｃの周囲
に環状の排気口１２ｃが設けられている。

【００７５】この場合にも、筐体１内の上部の中央部か
ら筐体１内の上部の外周部に向かう不活性ガスの流れが
形成される。

【００７６】なお、上記実施例では、不活性ガス吹き出
し口１０，１０ａ，１０ｂ，１０ｃが筐体１内の上部の
中央部に設けられ、排気口１２，１２ａ，１２ｂ，１２
ｃが筐体１内の上部の外周部に設けられているが、不活
性ガス吹き出し口を筐体１内の上部の外周部に設け、排
気口を筐体１内の上部の中央部に設けてもよい。この場
合には、筐体１内の上部の外周部から中央部に向かう不
活性ガスの流れが形成される。

【００７７】上記実施例では、本発明を基板加熱装置に
適用した場合を説明したが、本発明は、基板冷却装置に
も適用することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例における基板熱処理装置の模
式的断面図である。

【図２】図１の基板熱処理装置における不活性ガス吹き
出し口および排気口の配置を示す図である。

【図３】不活性ガス供給チャンバの下面と基板の表面と
の間の距離を変えた場合の基板の温度、基板の温度の変
動幅および基板の温度の３σの測定結果を示す図であ
る。

【図４】本発明の他の実施例における基板熱処理装置の
模式的断面図である。

【図５】不活性ガス吹き出し口および排気口の他の例を
示す図である。

【図６】不活性ガス吹き出し口および排気口のさらに他
の例を示す図である。

【図７】従来の基板熱処理装置の模式的断面図である。

【符号の説明】

１ 筐体 ５ 加熱プレート ６ 球状スペーサ ８，８ａ，８ｂ，８ｃ 不活性ガス供給チャンバ ９，９ａ 不活性ガス導入口 １０，１０ａ 不活性ガス吹き出し口 １２，１２ｃ 排気口 １３ 給気系 １４ 給気管路 １６ 流量調整弁 １７ ガス供給源 １８ 排気系 １９ 排気管路 ２１ 排気用力設備 ２５ 制御部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 辻 雅夫 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内 (72)発明者 茂森 和士 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内 Ｆターム(参考） 2H096 GB03 GB10 5F046 KA04

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板に熱処理を行う基板熱処理装置であ
   って、 基板を支持する支持手段と、 前記支持手段に支持された基板を取り囲む筐体と、 前記筐体内の上部から前記筐体内に気体を供給する給気
   手段と、 前記筐体内の上部から前記筐体内の気体を排出する排気
   手段とを備えたことを特徴とする基板熱処理装置。
2. 【請求項２】 前記給気手段により前記筐体内に供給さ
   れて前記排気手段により前記筐体内から排出される気体
   の流れが前記支持手段に支持された基板に接触しないよ
   うに前記給気手段による気体の供給量および前記排気手
   段による気体の排出量の少なくとも一方を制御する制御
   手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１記載の基
   板熱処理装置。
3. 【請求項３】 前記給気手段は、前記筐体内の上部に給
   気口を有し、前記排気手段は前記筐体内の上部に排気口
   を有することを特徴とする請求項１または２記載の基板
   熱処理装置。
4. 【請求項４】 前記給気手段の前記給気口は前記支持手
   段に支持された基板の上方に設けられ、前記排気手段の
   前記排気口は前記給気口の周囲に設けられたことを特徴
   とする請求項３記載の基板熱処理装置。
5. 【請求項５】 前記排気手段の前記排気口は前記支持手
   段に支持された基板の上方に設けられ、前記給気手段の
   前記給気口は前記排気口の周囲に設けられたことを特徴
   とする請求項３記載の基板熱処理装置。
6. 【請求項６】 前記給気手段の前記給気口において前記
   排気口側の内壁は、前記排気口に向かう方向に傾斜した
   ことを特徴とする請求項３、４または５記載の基板熱処
   理装置。
7. 【請求項７】 前記排気手段の前記排気口において前記
   給気口側の内壁は、前記給気口に向かう方向に傾斜した
   ことを特徴とする請求項３、４または５記載の基板熱処
   理装置。
8. 【請求項８】 前記給気手段の前記給気口と前記支持手
   段に支持された基板との間の距離が７ｍｍ以上１５ｍｍ
   以下であることを特徴とする請求項３〜７のいずれかに
   記載の基板熱処理装置。
9. 【請求項９】 筐体内に支持された基板に熱処理を行う
   基板熱処理方法であって、 前記筐体内の上部から前記筐体内に気体を供給しつつ、
   前記筐体内の上部から前記筐体内の気体を排出すること
   を特徴とする基板熱処理方法。
10. 【請求項１０】 前記筐体内に供給されて前記筐体内か
    ら排出される気体の流れが前記筐体内に支持された基板
    に接触しないように前記筐体内への気体の供給量および
    前記筐体内からの気体の排出量の少なくとも一方を制御
    することを特徴とする請求項９記載の基板熱処理方法。