JPH09290201A - 脱気システムおよび処理液供給装置 - Google Patents

脱気システムおよび処理液供給装置

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JPH09290201A
JPH09290201A JP10657096A JP10657096A JPH09290201A JP H09290201 A JPH09290201 A JP H09290201A JP 10657096 A JP10657096 A JP 10657096A JP 10657096 A JP10657096 A JP 10657096A JP H09290201 A JPH09290201 A JP H09290201A
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JP
Japan
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temperature
liquid
treating liquid
tank
processing
Prior art date
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Pending
Application number
JP10657096A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiya Sato
誠也 佐藤
Takanori Kawamoto
隆範 川本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Pending legal-status Critical Current

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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 送液経路を通して吐出部に送られる液体の脱
気を外気温度の影響を受けずに安定に行うことができる
脱気システムおよびそれを備えた処理液供給装置を提供
することである。 【解決手段】 処理液タンク1から処理液供給配管3を
通して温度T1 の処理液がバッファタンク4に供給され
る。バッファタンク4内の処理液は、温調水配管5に温
調水を循環させることにより温度T1 よりも高い温度T
2 に保たれる。バッファタンク4内の処理液は、処理液
供給配管9を介して熱交換タンク13に供給される。そ
の処理液は熱交換タンク13により温度T2 よりも低い
温度T0 に調整され、断熱材15で被覆された処理液供
給配管14を介して吐出ノズル16に供給され、吐出ノ
ズル16の吐出口から基板100の表面に吐出される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、送液経路を通して
送られる液体の脱気を行う脱気システムおよびそれを備
えた処理液供給装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基
板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の
基板に所定の処理を行うために基板処理装置が用いられ
ている。このような基板処理装置では、基板を水平姿勢
で保持して鉛直軸の周りで回転させながらその基板の表
面に現像液、感光液、洗浄液等の処理液を供給する。
【0003】例えば、現像処理では、現像液供給源から
フィルタ等が介装された配管を通して現像液を吐出ノズ
ルへ送り、その吐出ノズルの吐出口から基板の表面へ現
像液を供給する。この場合、現像むらが発生しないよう
に、現像液が基板の表面全体に渡って均一に供給され
る。また、感光液の塗布処理では、感光液供給源から配
管を通してレジスト等の感光液を吐出ノズルへ送り、そ
の吐出ノズルの吐出口から基板の表面へ感光液を供給す
る。
【0004】さらに、エッジリンス処理では、吐出ノズ
ルからシンナー等のリンス液を基板の周縁部に吹き付け
ることにより、基板表面に被着されたフォトレジスト膜
の周縁部端面を直角に裁断する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、処理液
を供給する配管内に空気が進入したり、配管内を流れる
処理液中に気体が溶存することがある。現像処理では、
気体が溶存した現像液をそのまま吐出ノズルから基板の
表面へ供給すると、現像液中の気体が基板のフォトレジ
スト膜上に気泡として付着することになる。それによ
り、気泡の付着部分における現像処理が阻害され、現像
不良を起こすこととなる。
【0006】このような問題は、現像処理に限らず、各
種処理液の供給工程において発生する。例えば、感光液
の塗布処理では、感光液中に気体が溶存していると、塗
布むらの原因となる。また、エッジサイドリンス処理で
は、吐出ノズルから基板の周縁部に吹き付けられるリン
ス液に気泡が混入していると、吐出ノズルの先端からリ
ンス液が塊となって落下し、サイドリンス不良を起こす
こととなる。
【0007】さらに、処理液中への気体の溶存度は処理
液の温度によって変動するので、外気温度の変動が処理
液からの気泡の発生に影響を与えるという問題もある。
本発明の目的は、送液経路を通して吐出部に送られる液
体の脱気を外気温度の影響を受けずに安定に行うことが
できる脱気システムを提供することである。
【0008】本発明の他の目的は、処理液中に溶存する
気体による処理不良を防止することができる処理液供給
装置を提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段および発明の効果】第1の
発明に係る脱気システムは、送液経路を通して吐出部に
送られる液体の脱気を行う脱気システムであって、送液
経路の所定箇所での液体の温度を吐出部での液体の温度
よりも高く保つ温度調整手段を備えたものである。
【0010】第2の発明に係る脱気システムは、第1の
発明に係る脱気システムの構成において、温度調整手段
が、吐出部での液体の温度を所定の第1の温度に調整す
る第1の温度調整手段と、送液経路の所定箇所での液体
の温度を第1の温度よりも高い第2の温度に調整する第
2の温度調整手段とを含むものである。
【0011】液体中への気体の溶存度は、液体の温度が
高いほど低くなる。第1および第2の発明に係る脱気シ
ステムでは、送液経路の所定箇所での液体の温度が吐出
部での液体の温度よりも高く保たれるので、送液経路で
液体中への気体の溶存度が低くなり、液体中の気体が放
出される。その後、吐出部での液体の温度が低く保たれ
るので、液体中への気体の溶存度が高くなる。そのた
め、吐出部では、液体中の気体が気泡となって外部へ放
出されない。
【0012】このように、温度差により液体の脱気が行
われるので、構成が簡素で安価な脱気システムが得られ
る。また、送液経路の所定箇所で液体の温度が高く保た
れるので、外気温度の変動が液体からの気泡の発生に影
響を与えない。
【0013】特に、第2の発明に係る脱気システムにお
いては、第1の温度調整手段により吐出部での液体の温
度が第1の温度に調整され、第2の温度調整手段により
送液経路の所定箇所での液体の温度が第1の温度よりも
高い第2の温度に調整される。それにより、送液経路で
液体中の気体が放出され、吐出部において気泡の発生が
防止される。
【0014】この場合、第1および第2の温度調整手段
により送液経路の所定箇所での液体の温度と吐出部での
液体の温度との差を調整することができるので、脱気の
程度を容易に調整することができる。
【0015】第3の発明に係る処理液供給装置は、送液
経路を通して処理液を吐出部へ送り、吐出部から吐出し
て基板の表面へ供給する処理液供給装置であって、送液
経路の所定箇所での処理液の温度を吐出部での処理液の
温度よりも高く保つ温度調整手段を備えたものである。
【0016】第3の発明に係る処理液供給装置では、送
液経路の所定箇所での処理液の温度が吐出部での処理液
の温度よりも高く保たれるので、送液経路で処理液中へ
の気体の溶存度が低くなり、処理液中の気体が放出され
る。その後、吐出部での処理液の温度が低く保たれるの
で、処理液中への気体の溶存度が高くなる。そのため、
吐出部では、処理液中の気体が気泡となって外部へ放出
されない。
【0017】このように、温度差により処理液の脱気が
行われるので、処理液供給装置の構成が簡素となる。ま
た、送液経路の所定箇所で処理液の温度が高く保たれる
ので、外気温度の変動が処理液からの気泡の発生に影響
を与えない。
【0018】したがって、気泡による処理不良が発生せ
ず、高品質の基板の処理を安定に行うことができる。
【0019】
【発明の実施の形態】図1は本発明の一実施例における
脱気システムを含む処理液供給装置の概略図である。
【0020】図1において、密閉容器からなる処理液タ
ンク1には、現像液、感光液、洗浄液、リンス液等の処
理液が収容されている。この処理液タンク1には窒素供
給配管2および処理液供給配管3が挿入されている。窒
素供給配管2の先端部は処理液の液面上方に保持され、
処理液供給配管3の先端部は処理液中に配置されてい
る。
【0021】密閉容器からなるバッファタンク4には処
理液供給配管3を通して供給された処理液が貯溜され
る。このバッファタンク4には、処理液供給配管3、窒
素供給配管6および処理液供給配管9が挿入されてい
る。処理液供給配管3,9の先端部は処理液中に配置さ
れ、窒素供給配管6の先端部は処理液の液面上方に配置
されている。処理液供給配管3により処理液タンク1か
らバッファタンク4に供給される処理液の温度はT1
ある。
【0022】窒素供給配管6にはリリーフレギュレータ
7および圧力計8が介装されている。また、バッファタ
ンク4内には、温調水配管5が配置されている。この温
調水配管5には、温度T2 に保たれた温調水(恒温水)
が供給される。ここで、T2>T1 である。
【0023】処理液供給配管9には流量調整弁10、フ
ィルタ11および開閉弁12が介装されている。この処
理液供給配管9は熱交換タンク13を介して処理液供給
配管14に接続されている。処理液供給配管9により供
給された処理液は熱交換タンク13により温度T0 に調
整される。ここで、T2 >T0 である。処理液供給配管
14は断熱材15で被覆されている。それにより、処理
液供給配管14内を流れる処理液は温度T0 に保たれ
る。
【0024】処理液供給配管14の先端部には吐出ノズ
ル16が取り付けられている。この吐出ノズル16は、
基板処理装置18における基板保持装置17に保持され
た基板100の上方に配置されている。
【0025】本実施例では、バッファタンク4、温調水
配管5、熱交換タンク13および断熱材15が脱気シス
テムを構成する。特に、熱交換タンク13および断熱材
15が第1の温度調整手段を構成し、バッファタンク4
および温調水配管5が第2の温度調整手段を構成する。
【0026】次に、図1の処理液供給装置の動作を説明
する。窒素供給配管2を通して加圧用の窒素ガス
(N2 )を処理液タンク1に供給すると、処理液タンク
1内の処理液が処理液供給配管3を通してバッファタン
ク4に供給される。このとき、処理液1内の処理液中に
はN2 が溶存している。処理液タンク1から処理液供給
配管3を通してバッファタンク4に供給される処理液の
温度はT1 である。バッファタンク4内の処理液は、温
調水配管5に温調水を循環させることにより温度T2
保たれる。ここで、温度T2 は温度T1 よりも高い。バ
ッファタンク4内の処理液の温度が高く保たれるので、
処理液中の気体の溶存度が低くなり、処理液中のN2
気泡として放出される。
【0027】窒素供給配管6を通して加圧用のN2 をバ
ッファタンク4に供給すると、バッファタンク4内の処
理液が流量調整弁9、フィルタ10および開閉弁12を
通して熱交換タンク13に供給される。このとき、リリ
ーフレギュレータ7は、バッファタンク4内のN2 の圧
力が圧力計8により設定した設定圧力よりも高くなると
バッファタンク4内のN2 を放出する。これにより、バ
ッファタンク4内の圧力が一定に保たれる。
【0028】熱交換タンク13に供給された処理液は温
度T0 に制御される。この処理液は断熱材15により温
度T0 に保たれたまま処理液供給配管14を介して吐出
ノズル16に供給され、吐出ノズル16の吐出口から基
板100の表面へ吐出される。ここで、温度T0 および
温度T2 は次の関係を有する。
【0029】T2 =T0 +ΔT 上式において、ΔTは2〜3度である。温度T0 が例え
ば23℃である場合、温度T2 は例えば25℃である。
ここでは、処理液中への気体の溶存度が低くなるので、
処理液からN2 が気泡として発生することが防止され
る。
【0030】本実施例では、温調水配管5を備えたバッ
ファタンク4および熱交換タンク13により安価な脱気
システムが構成される。この脱気システムでは、温度差
により脱気を行っているので、温度T0 と温度T2 との
差ΔTを調整することにより脱気の程度を容易に調整す
ることができる。
【0031】季節によって処理液タンク1からバッファ
タンク4に供給される処理液の温度T1 が吐出ノズル1
6から吐出される処理液の温度T0 よりも低い場合があ
る。この場合でも、処理液がバッファタンク4において
温度T0 よりも高い温度T2に調整されるので、温度T
1 が変動しても吐出ノズル16から気泡が発生すること
が防止される。
【0032】上記実施例では、バッファタンク4におい
て温調水(恒温水)を用いて温度調整を行っているが、
ヒータ等の発熱体を用いてバッファタンク4内の処理液
の温度を調整してもよい。また、バッファタンク4内の
温度を異なる温度で複数回調整してもよい。
【0033】さらに、バッファタンク4において処理液
の温度をT2 に調整する代わりにフィルタ11等の他の
部分にリリーフ機構を設け、その部分で処理液の温度調
整を行ってもよい。
【0034】また、処理液がプロセス上温度の影響を受
けない薬品である場合には、処理液を吐出ノズル16よ
りも処理液タンク1に近い側で温度T2 に調整した後、
吐出ノズル16の部分で自然冷却させてもよい。すなわ
ち、温度T2 が雰囲気温度よりも高ければ、吐出ノズル
16の部分で処理液の温度をT0 に制御しなくてもよ
い。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例における脱気システムを含む
処理液供給装置の概略図である。
【符号の説明】
1 処理液タンク 2,6 窒素供給配管 3,9,14 処理液供給配管 4 バッファタンク 7 リリーフレギュレータ 13 熱交換タンク 15 断熱材 16 吐出ノズル 18 基板処理装置 100 基板

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 送液経路を通して吐出部に送られる液体
    の脱気を行う脱気システムであって、 前記送液経路の所定箇所での液体の温度を前記吐出部で
    の液体の温度よりも高く保つ温度調整手段を備えたこと
    を特徴とする脱気システム。
  2. 【請求項2】 前記温度調整手段は、 前記吐出部での液体の温度を所定の第1の温度に調整す
    る第1の温度調整手段と、 前記送液経路の前記所定箇所での液体の温度を前記第1
    の温度よりも高い第2の温度に調整する第2の温度調整
    手段とを含むことを特徴とする請求項1記載の脱気シス
    テム。
  3. 【請求項3】 送液経路を通して処理液を吐出部へ送
    り、吐出部から吐出して基板の表面へ供給する処理液供
    給装置であって、 前記送液経路の所定箇所での処理液の温度を前記吐出部
    での処理液の温度よりも高く保つ温度調整手段を備えた
    ことを特徴とする処理液供給装置。
JP10657096A 1996-04-26 1996-04-26 脱気システムおよび処理液供給装置 Pending JPH09290201A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011044521A (ja) * 2009-08-20 2011-03-03 Tokyo Electron Ltd レジスト液供給装置、レジスト液供給方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
KR20210016903A (ko) * 2019-08-06 2021-02-17 세메스 주식회사 약액 공급 장치 및 약액 공급 방법

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