JP2002273314A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理液容器内に貯留されている処理液の残量
にかかわらず、処理部における処理液の使用状態を均一
にすることができる基板処理装置を提供する。 【解決手段】 電空レギュレータ４０が加圧管４５を介
して窒素ガスを供給することにより通い缶３０内を加圧
して供給配管２０に現像液を送給する。この状態にて供
給バルブ２１を開放すると、吐出ノズル１１から基板Ｗ
に現像液が吐出される。通い缶３０内の現像液の液面高
さが低下して供給配管２０内における現像液の送出圧力
が低下すると、その送出圧力低下を圧力計２５が検出し
て加圧制御部５０に伝達し、加圧制御部５０が電空レギ
ュレータ４０をフィードバック制御して窒素ガスによる
通い缶３０内の加圧圧力を増加して送出圧力が元の一定
値に戻るようにしている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板、液晶
表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光
ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）を処
理する基板処理装置であって、特に密閉された処理液容
器に貯留された現像液等の処理液を処理部に導いて使用
する基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体や液晶ディスプレイなどの製品
は、基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エ
ッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理などの一連の諸処
理を施すことにより製造されている。従来よりこれらの
諸処理は、塗布処理ユニットや現像処理ユニット等の複
数の処理ユニットを組み込んだ基板処理装置において行
われる。基板処理装置内の搬送ロボットによって複数の
処理ユニット間で基板を所定の順序に従って搬送し、各
処理ユニットにて基板にそれぞれの処理を行うことによ
り一連の基板処理が進行するのである。

【０００３】基板処理装置に組み込まれた処理ユニット
には処理液を使用するものもある。例えば、現像処理ユ
ニットにおいては露光後の基板を現像するための現像液
を処理液として使用し、塗布処理ユニットにおいては基
板の裏面端部やカップに付着したレジストを除去するた
めの有機溶剤を処理液として使用する。このような処理
液を処理ユニットに供給する方法としてはポンプを使用
するものや窒素ガス等の不活性ガスにて処理液容器内の
内圧を高めて供給する方法が一般的である。

【０００４】窒素ガス等により処理液容器内の内圧を高
める手法は、当該処理液容器が通い缶（キャニスタタン
ク）の場合によく使用される。図５は、従来の通い缶を
用いた処理液供給機構を示す図である。同図は、現像処
理ユニットに現像液を供給する機構を示している。

【０００５】現像処理の対象となる露光後の基板Ｗは現
像処理ユニット１１０内に保持されている。現像処理ユ
ニット１１０には、現像液を吐出する吐出ノズル１１１
が設けられている。現像処理ユニット１１０において使
用される現像液は通い缶１３０に貯留されている。通い
缶１３０は密閉された処理液容器であり、供給配管１２
０を介して吐出ノズル１１１と接続されている。

【０００６】また、通い缶１３０には、加圧管１４５が
接続されている。加圧管１４５は図外の窒素ガス供給源
と通い缶１３０とを接続する配管であって、その経路途
中にはレギュレータ１４０および圧力計１４１が設けら
れている。レギュレータ１４０は、加圧管１４５を介し
て窒化ガスを送ることにより通い缶１３０内を一定の圧
力にて加圧する。通い缶１３０内を加圧する圧力は圧力
計１４１によって検出されることとなり、レギュレータ
１４０はその検出結果に基づいて、通い缶１３０に送る
窒素ガス圧を調整し、通い缶１３０内が一定の圧力とな
るようにする。

【０００７】レギュレータ１４０が加圧管１４５を介し
て窒素ガスを送ることにより、通い缶１３０内が窒素ガ
スにより一定の圧力にて加圧され、その結果供給配管１
２０内における現像液の送出圧力が発生する。この状態
にて供給配管１２０のバルブ１２１を開放すると、上記
送出圧力によって現像液が吐出ノズル１１１に送られ、
吐出ノズル１１１から基板Ｗに現像液が吐出されること
となる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、吐出ノ
ズル１１１からの現像液吐出を繰り返し、現像液を使用
するにつれて通い缶１３０に貯留されている現像液も当
然に減少する。その結果、通い缶１３０内の現像液の液
面高さ位置も低下することとなる。そして、通い缶１３
０内の現像液の高さ位置が低下すると、それに起因して
供給配管１２０内における現像液の送出圧力も低下する
のである。

【０００９】例えば、初期状態における通い缶１３０に
貯留されている現像液の液面高さが高さ位置Ｈ１１であ
ったとして、現像液の使用によりその液面高さが高さ位
置Ｈ１２まで低下したとすると、レギュレータ１４０が
一定の圧力にて通い缶１３０内を加圧したとしたとして
も、その差（Ｈ１１−Ｈ１２）に相当する現像液の液圧
分だけ供給配管１２０内における現像液の送出圧力が低
下する。すなわち、送出圧力は、窒素ガスによる加圧と
供給配管１２０の先端から現像液の液面までの高さに応
じた液圧との合計であり、通い缶１３０内の現像液の液
面高さ位置が低下すると、供給配管１２０内における現
像液の送出圧力も低下するのである。

【００１０】このように供給配管１２０内における現像
液の送出圧力が低下すると、所定時間内に吐出ノズル１
１１から吐出される現像液量が減少するという問題が生
じる。また、特に、図５に示す如く吐出ノズル１１１が
斜めに傾斜して設けられている場合は、供給配管１２０
内の現像液の送出圧力が低下すると、基板Ｗの面上にお
ける現像液の到達位置が変化するという問題も生じる。
これらのことは処理条件が変化していることを意味して
おり、その結果基板Ｗに対する均一な現像処理を行うこ
とができなくなる。

【００１１】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、処理液容器内に貯留されている処理液の残量に
かかわらず、処理部における処理液の使用状態を均一に
することができる基板処理装置を提供することを目的と
する。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の発明は、密閉された処理液容器に貯留さ
れた処理液を処理部に導いて使用する基板処理装置にお
いて、一端部が前記処理液容器内の処理液中に浸漬さ
れ、他端部が前記処理部に接続され、前記処理液を前記
処理部に導く供給配管と、前記処理液容器に気体を供給
して前記処理液容器内を加圧することにより前記処理液
を前記供給配管に送出する加圧手段と、前記供給配管の
経路途中に設けられ、前記供給配管内における前記処理
液の送出圧力を検出する送出圧力検出手段と、前記送出
圧力検出手段による検出結果に基づいて前記処理液容器
内を加圧する圧力を調整するように前記加圧手段を制御
する加圧制御手段と、を備えている。

【００１３】また、請求項２の発明は、請求項１の発明
にかかる基板処理装置において、前記加圧制御手段に、
前記送出圧力検出手段によって検出される前記送出圧力
が一定となるように前記加圧手段を制御させている。

【００１４】また、請求項３の発明は、請求項１の発明
にかかる基板処理装置において、前記加圧制御手段に、
前記送出圧力検出手段によって検出される前記送出圧力
が所定の範囲を逸脱したときに、前記送出圧力が前記所
定の範囲内に回復するように前記加圧手段を制御させて
いる。

【００１５】また、請求項４の発明は、密閉された処理
液容器に貯留された処理液を処理部に導いて使用する基
板処理装置において、一端部が前記処理液容器内の処理
液中に浸漬され、他端部が前記処理部に接続され、前記
処理液を前記処理部に導く供給配管と、前記処理液容器
に気体を供給して前記処理液容器内を加圧することによ
り前記処理液を前記供給配管に送出する加圧手段と、前
記処理液容器に貯留されている前記処理液の液面高さを
検出する液面高さ検出手段と、前記液面高さ検出手段に
よる検出結果に基づいて前記処理液容器内を加圧する圧
力を調整するように前記加圧手段を制御する加圧制御手
段と、を備えている。

【００１６】また、請求項５の発明は、請求項４の発明
にかかる基板処理装置において、前記加圧制御手段に、
前記液面高さ検出手段によって検出される前記液面高さ
が低下するにつれて前記処理液容器内を加圧する圧力が
高くなるように前記加圧手段を制御させている。

【００１７】また、請求項６の発明は、密閉された処理
液容器に貯留された処理液を処理部に導いて使用する基
板処理装置において、一端部が前記処理液容器内の処理
液中に浸漬され、他端部が前記処理部に接続され、前記
処理液を前記処理部に導く供給配管と、前記処理液容器
に気体を供給して前記処理液容器内を加圧することによ
り前記処理液を前記供給配管に送出する加圧手段と、前
記処理液容器に貯留された前記処理液の液面高さの変化
に起因した液圧変動を補償するように前記加圧手段を制
御して前記処理液容器内を加圧する圧力を調整する液圧
変動補償手段と、を備えている。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。

【００１９】＜１．第１実施形態＞図１は、本発明にか
かる基板処理装置の構成を示す図である。この基板処理
装置は、通い缶３０に貯留されている現像液を現像処理
ユニット１０に導いて使用し、基板Ｗの現像処理を行う
装置である。

【００２０】現像処理ユニット１０内においては、現像
処理の対象となる露光後の基板Ｗがチャック部１５によ
って略水平姿勢にて保持されている。チャック部１５の
下面には回転軸１６が垂設されており、回転軸１６は図
示を省略するモータに接続されている。これにより、該
モータの回転は回転軸１６およびチャック部１５を介し
て基板Ｗに伝達され、基板Ｗを水平面内にて回転させる
ことができる。

【００２１】また、現像処理ユニット１０には吐出ノズ
ル１１が設けられている。吐出ノズル１１は、供給配管
２０から送給された現像液をチャック部１５によって保
持された基板Ｗに吐出する。本実施形態においては、吐
出ノズル１１がその吐出方向が斜め下方に向くように設
置されており、現像液は吐出ノズル１１から斜め下方に
向けて吐出され基板Ｗの主面に到達する。

【００２２】現像処理ユニット１０にて使用する現像液
は密閉された処理液容器である通い缶３０に貯留されて
いる。通い缶３０と現像処理ユニット１０とは、供給配
管２０によって接続されている。より具体的には、供給
配管２０の一端部が通い缶３０内の現像液中に浸漬され
るとともに、他端部が現像処理ユニット１０の吐出ノズ
ル１１に接続されている。また、供給配管２０の経路途
中には供給バルブ２１が設けられている。この供給バル
ブ２１を開放した状態にて、通い缶３０に貯留されてい
る現像液を供給配管２０を通過させて現像処理ユニット
１０に導くことができる。

【００２３】また、供給配管２０の経路途中であって、
供給バルブ２１と通い缶３０との間には圧力計２５が設
けられている。圧力計２５は、供給配管２０内における
現像液の送出圧力を検出する。

【００２４】また、通い缶３０には加圧管４５が接続さ
れている。より具体的には、加圧管４５の一端部が通い
缶３０内の気相部分（貯留されている現像液の液面より
も上の領域）に接続されるとともに、その他端部が窒化
ガス供給源４９に接続されている。なお、窒素ガス供給
源４９は、基板処理装置が設置される工場等に設けられ
ているものであり、常時所定圧にて窒素ガス（Ｎ₂）を
供給している。

【００２５】加圧管４５の経路途中には電空レギュレー
タ４０が設けられている。電空レギュレータ４０は例え
ばニードルバルブを備えており、後述する加圧制御部５
０からの制御信号に従って当該ニードルバルブの開閉を
制御し、窒化ガス供給源４９から加圧管４５を経由して
通い缶３０に供給する窒素ガスの圧力（気圧）を調整す
る。電空レギュレータ４０がニードルバルブを開放して
通い缶３０に窒素ガスを供給することにより、通い缶３
０の内部が加圧される。その結果、通い缶３０に貯留さ
れている現像液が供給配管２０に送出され、供給配管２
０内に現像液の送出圧力が発生することとなる。

【００２６】また、加圧管４５の経路途中であって、電
空レギュレータ４０と通い缶３０との間には気圧計４１
が設けられている。気圧計４１は、加圧管４５内におけ
る窒素ガスの圧力、すなわち窒素ガスが通い缶３０内を
加圧する圧力を計測する。電空レギュレータ４０は、気
圧計４１による計測結果に基づいて通い缶３０に供給す
る窒素ガスの圧力を調整することができる。

【００２７】また、本実施形態の基板処理装置には加圧
制御部５０が設けられている。加圧制御部５０は、ＣＰ
Ｕやメモリ等からなるコンピュータを用いて構成されて
おり、圧力計２５、気圧計４１、電空レギュレータ４０
および基板処理装置の操作部５５と電気的に接続されて
いる。加圧制御部５０は、主として圧力計２５による検
出結果に基づいて通い缶３０内を加圧する圧力を調整す
るように電空レギュレータ４０を制御する機能を有す
る。

【００２８】加圧制御部５０による電空レギュレータ４
０の制御態様（制御モード）については、操作部５５を
介してオペレータが入力し、決定する。本実施形態で
は、圧力計２５によって検出される供給配管２０内の現
像液の送出圧力が一定となるように加圧制御部５０が電
空レギュレータ４０をフィードバック制御する。

【００２９】現像処理ユニット１０において基板Ｗの現
像処理を行うときには、供給配管２０内に上記一定の送
出圧力が印加された状態にて供給バルブ２１を所定時間
開放し、吐出ノズル１１から基板Ｗに現像液を吐出す
る。現像液吐出の停止は、供給バルブ２１を閉鎖するこ
とによって行う。

【００３０】既述したように、現像処理を繰り返すにつ
れて通い缶３０内に貯留されている現像液の残量が減少
し、電空レギュレータ４０が一定の気圧にて通い缶３０
内を加圧したとしたとしても、通い缶３０内の現像液の
液面高さが低下するにしたがってそれに相当する液圧分
だけ供給配管２０内における現像液の送出圧力も低下す
る。ここで本実施形態のように、圧力計２５によって検
出される供給配管２０内の現像液の送出圧力が一定とな
るように加圧制御部５０が電空レギュレータ４０をフィ
ードバック制御すれば、通い缶３０内の現像液の液面高
さにかかわらず、供給配管２０内の現像液の送出圧力を
常に一定にすることができる。

【００３１】より具体的には、通い缶３０内の現像液の
液面高さが低下して供給配管２０内における現像液の送
出圧力が低下すると、その送出圧力低下を圧力計２５が
検出して加圧制御部５０に伝達し、加圧制御部５０が電
空レギュレータ４０を制御して窒素ガスによる通い缶３
０内の加圧圧力を増加して送出圧力が元の一定値に戻る
ようにしているのである。

【００３２】このようにすれば、例えば、初期の状態に
おいて通い缶３０に現像液が高さ位置Ｈ１まで貯留され
ていたとし、使用によって現像液の液面高さが高さ位置
Ｈ２まで低下したとしても、その水頭差（Ｈ１−Ｈ２）
に相当する現像液の液圧分だけ窒素ガスによる通い缶３
０内の加圧圧力が増加することとなり、その結果通い缶
３０内に貯留されている現像液の残量にかかわらず、供
給配管２０内の現像液の送出圧力は一定になる。

【００３３】供給配管２０内の現像液の送出圧力が一定
になれば、現像処理ユニット１０における現像液の使用
状態も均一にすることができる。例えば、供給配管２０
内の現像液の送出圧力が一定になれば、所定時間内に吐
出ノズル１１から吐出される現像液量も一定になる。ま
た、本実施形態のように吐出ノズル１１が斜め方向に向
いている場合であっても基板Ｗの面上における現像液の
到達位置は一定になる。そして、その結果、順次に処理
が行われる基板Ｗのそれぞれに均一な現像処理を行うこ
とができるのである。

【００３４】なお、第１実施形態においては、電空レギ
ュレータ４０が加圧手段に、圧力計２５が送出圧力検出
手段に、加圧制御部５０が加圧制御手段に、通い缶３０
が処理液容器にそれぞれ相当する。

【００３５】＜２．第２実施形態＞次に、本発明の第２
実施形態について説明する。図２は、第２実施形態の基
板処理装置の構成を示す図である。第２実施形態の基板
処理装置も通い缶３０に貯留されている現像液を現像処
理ユニット１０に導いて使用し、基板Ｗの現像処理を行
う装置である。図２において、第１実施形態と同一の部
材については同一の符号を付しており、その詳説は省略
する。

【００３６】第２実施形態の基板処理装置が第１実施形
態と異なるのは供給配管２０内における現像液の送出圧
力を検出する圧力計２５を設けていない一方、チューブ
６１および液面センサ６０を設けている点である。チュ
ーブ６１は、中空の透明管であって、通い缶３０内の底
部近傍と上部近傍とを連通している。すなわち、チュー
ブ６１の一端は通い缶３０の底部近傍に挿通されて現像
液中に浸漬され、他端は通い缶３０の上面に挿通されて
現像液の液面よりも上の気相部分に位置している。これ
により、チューブ６１の内部には上記一端側から現像液
が流入し、その液面高さは通い缶３０に貯留されている
現像液の液面高さと一致する。

【００３７】液面センサ６０は、チューブ６１に並設さ
れたセンサであり、チューブ６１内部に流入した現像液
の液面高さを検出する。液面センサ６０としては、例え
ば光学式のセンサを用いれば良いが、これに限定される
ものではなくチューブ６１内の液面高さを検出すること
ができるものであれば種々の公知のセンサを採用するこ
とができる。チューブ６１内部に流入した現像液の液面
高さは通い缶３０に貯留されている現像液の液面高さと
全く同じであるため、結果として液面センサ６０は、通
い缶３０に貯留されている現像液の液面高さを検出する
ことができる。

【００３８】第２実施形態において加圧制御部５０は、
液面センサ６０、気圧計４１、電空レギュレータ４０お
よび基板処理装置の操作部５５と電気的に接続されてい
る。加圧制御部５０は、主として液面センサ６０による
検出結果に基づいて通い缶３０内を加圧する圧力を調整
するように電空レギュレータ４０を制御する機能を有す
る。

【００３９】加圧制御部５０による電空レギュレータ４
０の制御態様（制御モード）については、操作部５５を
介してオペレータが入力し、決定する。本実施形態で
は、基本的には、液面センサ６０によって検出される通
い缶３０内の現像液の液面高さが低下するにつれて通い
缶３０内を加圧する圧力が高くなるように加圧制御部５
０が電空レギュレータ４０をフィードバック制御する。
より具体的には、加圧制御部５０を構成するメモリ等に
予め通い缶３０内の液面高さと加圧圧力との相関関係を
示した図３の如きルックアップテーブルを記憶させてお
く。通い缶３０内の現像液の液面高さが低下すると、そ
の液面低下を液面センサ６０が検出して加圧制御部５０
に伝達し、加圧制御部５０が図３の如きルックアップテ
ーブルを参照しつつ電空レギュレータ４０を制御する。

【００４０】図３は、通い缶３０内の液面高さと加圧圧
力との相関関係を示したルックアップテーブルの一例で
ある。このルックアップテーブルは、予め実験によって
設定するようにしても良いし、現像液の比重から算定す
るようにしても良い。図３のルックアップテーブルに従
って加圧制御部５０が電空レギュレータ４０を制御する
と、液面センサ６０によって検出される通い缶３０内の
現像液の液面高さが低下するにつれて通い缶３０内を加
圧する圧力がリニアに高くなる。

【００４１】このようにすれば、第１実施形態と同じよ
うに、使用によって現像液の液面高さが低下して現像液
の液圧が低下したとしても、それを補償するように窒素
ガスによる通い缶３０内の加圧圧力が増加することとな
り、その結果通い缶３０内に貯留されている現像液の残
量にかかわらず、供給配管２０内の現像液の送出圧力は
一定になる。

【００４２】供給配管２０内の現像液の送出圧力が一定
になれば、現像処理ユニット１０における現像液の使用
状態も均一にすることができる。その結果、第１実施形
態と同様に、順次に処理が行われる基板Ｗのそれぞれに
均一な現像処理を行うことができるのである。

【００４３】なお、第２実施形態においては、電空レギ
ュレータ４０が加圧手段に、液面センサ６０が液面高さ
検出手段に、加圧制御部５０が加圧制御手段に、通い缶
３０が処理液容器にそれぞれ相当する。

【００４４】＜３．変形例＞以上、本発明の実施の形態
について説明したが、この発明は上記の例に限定される
ものではない。例えば、上記第１実施形態においては、
圧力計２５によって検出される供給配管２０内の現像液
の送出圧力が一定となるように加圧制御部５０が電空レ
ギュレータ４０を制御していたが、加圧制御部５０によ
る電空レギュレータ４０の制御態様はこれに限定される
ものではない。例えば、圧力計２５によって検出される
供給配管２０内の現像液の送出圧力が所定の範囲を逸脱
したときに、当該送出圧力が上記所定の範囲内に回復す
るように加圧制御部５０が電空レギュレータ４０をフィ
ードバック制御するようにしても良い。

【００４５】このようにすれば、使用によって現像液の
液面高さが低下して現像液の液圧が大きく低下したとし
ても、それを補償するように窒素ガスによる通い缶３０
内の加圧圧力が増加することとなり、その結果、通い缶
３０内に貯留されている現像液の残量にかかわらず、供
給配管２０内の現像液の送出圧力は常に一定の範囲内に
維持されることとなる。

【００４６】また、第２実施形態においては、加圧制御
部５０が図３のルックアップテーブルを参照しつつ電空
レギュレータ４０を制御するようにしていたが、ルック
アップテーブルはこれに限定されるものではなく、例え
ば図４に示すようなものを用いるようにしても良い。図
４のルックアップテーブルに従って加圧制御部５０が電
空レギュレータ４０を制御すると、液面センサ６０によ
って検出される通い缶３０内の現像液の液面高さが低下
するにつれて通い缶３０内を加圧する圧力が段階的に高
くなる。

【００４７】このようにすれば、使用によって現像液の
液面高さが大きく低下して現像液の液圧が低下したとし
ても、それを補償するように窒素ガスによる通い缶３０
内の加圧圧力が増加することとなり、その結果通い缶３
０内に貯留されている現像液の残量にかかわらず、供給
配管２０内の現像液の送出圧力は常に一定の範囲内に維
持されることとなる。

【００４８】また、上記各実施形態の基板処理装置は、
現像液を使用して基板Ｗの現像処理を行う装置であった
が、本発明にかかる基板処理装置はこれに限定されるも
のではなく、密閉された処理液容器に貯留された処理液
を処理部に導いて使用する基板処理装置であれば良く、
例えば通い缶に貯留された有機溶剤を塗布処理ユニット
に導いてカップ等に付着したフォトレジストを除去する
装置であっても良い。

【００４９】また、上記の各実施形態においては、主と
して現像液の液面が低下して液圧が低下する場合につい
て説明したが、本発明にかかる技術は現像液の液面が上
昇して液圧が高くなる場合にも適用することができる。
この場合は、液圧上昇分を補償するように窒素ガスによ
る通い缶３０内の加圧圧力が減少することとなる。この
ようにしても通い缶３０内に貯留されている現像液の残
量にかかわらず、供給配管２０内の現像液の送出圧力は
常に一定または一定の範囲内に維持されることとなる。

【００５０】換言すれば、密閉された処理液容器に貯留
された処理液の液面高さの変化に起因した液圧変動を補
償するように電空レギュレータ４０を制御して処理液容
器内を加圧する圧力を調整するようにすれば良いのであ
る。

【００５１】

【発明の効果】以上、説明したように、請求項１の発明
によれば、供給配管内における処理液の送出圧力の検出
結果に基づいて処理液容器内を加圧する圧力を調整する
ようにしているため、処理液容器内に貯留されている処
理液の残量にかかわらず、供給配管内の送出圧力が安定
し、処理部における処理液の使用状態を均一にすること
ができる。

【００５２】また、請求項２の発明によれば、送出圧力
検出手段によって検出される送出圧力が一定となるよう
に加圧制御手段が加圧手段を制御するため、処理液容器
内に貯留されている処理液の残量にかかわらず、供給配
管内の送出圧力が一定となり、処理部における処理液の
使用状態を均一にすることができる。

【００５３】また、請求項３の発明によれば、送出圧力
検出手段によって検出される送出圧力が所定の範囲を逸
脱したときに、送出圧力が当該所定の範囲内に回復する
ように加圧制御手段が加圧手段を制御するため、処理液
容器内に貯留されている処理液の残量にかかわらず、供
給配管内の送出圧力が一定の範囲に維持され、処理部に
おける処理液の使用状態を均一にすることができる。

【００５４】また、請求項４の発明によれば、処理液容
器に貯留されている処理液の液面高さの検出結果に基づ
いて処理液容器内を加圧する圧力を調整するようにして
いるため、処理液容器内に貯留されている処理液の残量
にかかわらず、供給配管内の送出圧力が安定し、処理部
における処理液の使用状態を均一にすることができる。

【００５５】また、請求項５の発明によれば、液面高さ
検出手段によって検出される液面高さが低下するにつれ
て処理液容器内を加圧する圧力が高くなるように加圧制
御手段が加圧手段を制御するため、処理液容器内に貯留
されている処理液の残量にかかわらず、供給配管内の送
出圧力が安定し、処理部における処理液の使用状態を均
一にすることができる。

【００５６】また、請求項６の発明によれば、処理液容
器に貯留された処理液の液面高さの変化に起因した液圧
変動を補償するように前記加圧手段を制御して処理液容
器内を加圧する圧力を調整するため、処理液容器内に貯
留されている処理液の残量にかかわらず、供給配管内の
送出圧力が安定し、処理部における処理液の使用状態を
均一にすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかる基板処理装置の構成を示す図で
ある。

【図２】第２実施形態の基板処理装置の構成を示す図で
ある。

【図３】通い缶内の液面高さと加圧圧力との相関関係を
示したルックアップテーブルの一例を示す図である。

【図４】通い缶内の液面高さと加圧圧力との相関関係を
示したルックアップテーブルの他の例を示す図である。

【図５】従来の通い缶を用いた処理液供給機構を示す図
である。

【符号の説明】

１０ 現像処理ユニット １１ 吐出ノズル ２０ 供給配管 ２５ 圧力計 ３０ 通い缶 ４０ 電空レギュレータ ４５ 加圧管 ５０ 加圧制御部 ６０ 液面センサ ６１ チューブ Ｗ 基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H096 AA00 AA24 AA25 AA27 GA29 GA30 4F042 AA07 BA07 BA09 CA09 CB03 CB19 EB05 EB09 EB13 EB17 5F046 LA03 LA14

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 密閉された処理液容器に貯留された処理
   液を処理部に導いて使用する基板処理装置であって、 一端部が前記処理液容器内の処理液中に浸漬され、他端
   部が前記処理部に接続され、前記処理液を前記処理部に
   導く供給配管と、 前記処理液容器に気体を供給して前記処理液容器内を加
   圧することにより前記処理液を前記供給配管に送出する
   加圧手段と、 前記供給配管の経路途中に設けられ、前記供給配管内に
   おける前記処理液の送出圧力を検出する送出圧力検出手
   段と、 前記送出圧力検出手段による検出結果に基づいて前記処
   理液容器内を加圧する圧力を調整するように前記加圧手
   段を制御する加圧制御手段と、を備えることを特徴とす
   る基板処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の基板処理装置において、 前記加圧制御手段は、前記送出圧力検出手段によって検
   出される前記送出圧力が一定となるように前記加圧手段
   を制御することを特徴とする基板処理装置。
3. 【請求項３】 請求項１記載の基板処理装置において、 前記加圧制御手段は、前記送出圧力検出手段によって検
   出される前記送出圧力が所定の範囲を逸脱したときに、
   前記送出圧力が前記所定の範囲内に回復するように前記
   加圧手段を制御することを特徴とする基板処理装置。
4. 【請求項４】 密閉された処理液容器に貯留された処理
   液を処理部に導いて使用する基板処理装置であって、 一端部が前記処理液容器内の処理液中に浸漬され、他端
   部が前記処理部に接続され、前記処理液を前記処理部に
   導く供給配管と、 前記処理液容器に気体を供給して前記処理液容器内を加
   圧することにより前記処理液を前記供給配管に送出する
   加圧手段と、 前記処理液容器に貯留されている前記処理液の液面高さ
   を検出する液面高さ検出手段と、 前記液面高さ検出手段による検出結果に基づいて前記処
   理液容器内を加圧する圧力を調整するように前記加圧手
   段を制御する加圧制御手段と、を備えることを特徴とす
   る基板処理装置。
5. 【請求項５】 請求項４記載の基板処理装置において、 前記加圧制御手段は、前記液面高さ検出手段によって検
   出される前記液面高さが低下するにつれて前記処理液容
   器内を加圧する圧力が高くなるように前記加圧手段を制
   御することを特徴とする基板処理装置。
6. 【請求項６】 密閉された処理液容器に貯留された処理
   液を処理部に導いて使用する基板処理装置であって、 一端部が前記処理液容器内の処理液中に浸漬され、他端
   部が前記処理部に接続され、前記処理液を前記処理部に
   導く供給配管と、 前記処理液容器に気体を供給して前記処理液容器内を加
   圧することにより前記処理液を前記供給配管に送出する
   加圧手段と、 前記処理液容器に貯留された前記処理液の液面高さの変
   化に起因した液圧変動を補償するように前記加圧手段を
   制御して前記処理液容器内を加圧する圧力を調整する液
   圧変動補償手段と、を備えることを特徴とする基板処理
   装置。