KR101022779B1 - 약액 공급 유닛, 이를 갖는 기판 처리 장치 및 이를 이용한약액 석-백 방법 - Google Patents
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Abstract
약액 공급 유닛은 약액을 이송하는 공급라인 및 공급라인으로부터 약액을 공급받아 기판에 분사하는 분사 노즐을 구비한다. 공급라인은 석-백 포인트와 공급라인의 출력단 사이에 위치하는 누설 방지부를 구비하고, 누설 방지부는 출력단과 서로 반대 방향의 약액 경로를 갖는다.
이에 따라, 약액 석-백 시 약액이 중력에 의해 분사 노즐로 재유입되는 것을 방지하므로, 기판의 재오염을 방지하고, 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.
Description
본 발명은 반도체 기판을 제조하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 기판 처리용 약액을 공급하는 약액 공급 유닛, 이를 갖는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 약액 석-백 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 기판의 제조 공정은 박막 증착 공정, 식각 공정 및 세정 공정 등을 거쳐 형성된다. 특히, 습식 식각 공정과 세정 공정은 약액을 이용하여 반도체 기판을 처리하는 공정으로서, 다양한 약액을 이용하여 이루어진다.
습식 식각 장치나 세정 장치와 같은 기판 처리 장치에 약액을 공급하는 약액 처리 장치는 약액의 농도 및 온도를 조절하여 해당 장치에 제공한다. 약액 처리 장치는 약액을 저장하는 저장 탱크를 구비하고, 저장 탱크의 수용된 약액의 농도를 조절한 후 기판 처리 장치에 제공한다.
기판 처리 장치는 반도체 기판이 안착되는 스핀 헤드 및 스핀 헤드에 안착된 기판에 약액을 분사하는 노즐을 구비한다. 노즐은 공급라인과 연결되고, 공급라인 은 약액 처리 장치로부터 약액을 공급받아 노즐에 제공한다. 공급라인에는 노즐에 공급되는 약액의 양을 조절하는 조절 밸브, 및 노즐에 잔존하는 약액을 석-백(suck-back)하여 노즐에 잔존하는 약액을 제거하는 석-백 밸브가 설치된다. 조절 밸브가 오프되어 노즐에 공급되는 약액을 차단할 경우, 석-백 밸브는 노즐에 잔존하는 약액을 석-백하여 노즐에 잔존하는 약액이 외부로 유출되는 것을 방지한다.
그러나, 계면활성 성분의 약액의 경우, 표면 장력이 현저하게 감소되므로, 석-백을 하더라도 공급라인 안의 약액이 중력에 의해 노즐측으로 유입되어 외부로 누설되기 쉽다. 외부로 누설된 약액은 처리가 완료된 기판 또는 스핀 헤드에 떨어져 기판 또는 스핀 헤드의 오염을 유발한다.
본 발명의 목적은 기판의 역 오염을 방지할 수 있는 약액 공급 유닛를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 상기한 약액 공급 유닛을 구비하는 기판 처리 장치를 세정하는 방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 상기한 약액 공급 유닛을 이용하여 약액을 석-백하는 방법을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 약액 공급 장치는 공급라인, 분사 노즐 및 석-백 밸브로 이루어진다.
공급라인은 기판을 처리하기 위한 약액이 이동된다. 분사 노즐은 상기 공급라인에 연결되어 상기 공급라인으로부터 상기 약액을 공급받고, 지면에 대해 수직 방향으로 배치되며, 상기 기판에 약액을 분사한다. 석-백 밸브는 상기 공급라인에 설치되고, 상기 분사 노즐에 약액 공급 중단시 상기 분사 노즐의 잔류하는 약액을 석-백한다.
상기 공급 라인은 상기 분사 노즐과 연결되고 상기 지면에 대해 수직 방향으로 연장된 출력단, 및 상기 출력단과 상기 석-백 밸브 사이에 위치하는 누설 방지부를 포함한다. 누설 방지부는 상기 약액 석-백시 상기 공급라인에서 상기 약액이 잔존하는 최종 위치인 석-백 포인트와 인접한 제1 지점 및 상기 출력단에 인접하고 상기 제1 지점보다 높은 제2 지점을 구비하며, 상기 약액 석-백시 상기 공급라인에 잔존하는 약액이 상기 분사 노즐측으로 유입되는 것을 방지한다.
또한, 상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 기판 처리장치는 기판 지지부재 및 약액 공급 유닛을 포함한다.
기판 지지부재에는 기판이 안착된다. 약액 공급 유닛은 상기 기판 지지부재의 상부에 설치되고, 기판을 처리하기 위한 약액을 상기 기판 지지부재에 안착된 기판에 제공한다. 구체적으로, 상기 약액 공급 유닛은 공급라인, 분사 노즐 및 석-백 밸브로 이루어진다. 공급라인은 내부에서 상기 약액이 이동된다. 분사 노즐은 상기 공급라인에 연결되어 상기 공급라인으로부터 상기 약액을 공급받고, 상기 기판 지지부재의 상부에서 지면에 대해 수직 방향으로 설치되며, 상기 기판 지지부재에 안착된 기판에 상기 약액을 분사한다. 석-백 밸브는 상기 공급라인에 설치되고, 상기 분사 노즐에 약액 공급 중단시 상기 분사 노즐의 잔류하는 약액을 석-백한다.
구체적으로, 상기 공급 라인은, 상기 분사 노즐과 연결되고 상기 분사 노즐로부터 위로 연장된 출력단, 및 상기 출력단과 상기 석-백 밸브 사이에 위치하는 누설 방지부를 포함한다. 누설 방지부는 상기 약액 석-백시 상기 공급라인에서 상기 약액이 잔존하는 최종 위치인 석-백 포인트와 인접한 제1 지점 및 상기 출력단에 인접하고 상기 제1 지점보다 높은 제2 지점을 구비하며, 상기 약액 석-백시 상기 공급라인에 잔존하는 약액이 상기 분사 노즐측으로 유입되는 것을 방지한다.
또한, 상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 약액 석-백 방법은 다음과 같다. 먼저, 기판 지지부재의 상부에 설치된 분사 노즐이 상기 기판 지지부재에 안착된 기판에 약액을 분사하여 상기 기판을 처리한다. 상기 분사 노즐에 약액 공급을 중지하고, 상기 분사 노즐에 잔류하는 약액을 석-백한다.
상기 약액 석-백 시, 출력단이 상기 분사 노즐의 입력단에 연결되어 상기 약액을 이송하는 공급라인 안의 약액은 상기 공급라인의 석-백 포인트까지 석-백된다. 상기 공급라인은 상기 석-백 포인트와 상기 공급라인의 출력단 사이에 설치되어 약액이 상기 공급라인의 출력단과 반대 방향으로 흐르는 누설 방지부를 제공하여 상기 약액 석-백 시 상기 분사 노즐로의 상기 약액의 재유입이 차단된다.
상술한 본 발명에 따르면, 공급 라인은 석-백 포인트 이후단에 출력단과 반대 방향으로 약액 경로를 형성하는 누설 방지부를 구비한다. 이에 따라, 약액 석-백 시 약액이 중력에 의해 분사 노즐로 재유입되는 것을 방지하므로, 기판의 재오 염을 방지하고, 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 시스템(300)은 약액을 처리하는 약액 처리장치(100) 및 상기 약액 처리장치(100)로부터 약액을 공급받아 웨이퍼를 처리하는 기판 처리장치(200)를 포함할 수 있다. 상기 약액 처리장치(100)는 약액 소스부(110), 약액 탱크(120), 약액 소스라인(CSL), 가스 공급라인(GSL), 및 제1 및 제2 약액 배출라인(CPL1, CPL2)을 포함한다.
구체적으로, 상기 약액 소스부(110)는 외부로부터 약액(10)을 제공받아 저장하고, 상기 약액(10)을 상기 약액 소스라인(CSL)에 배출한다. 상기 약액 소스라인(CSL)은 상기 약액 탱크(120)에 연결되고, 상기 약액 소스부(110)로부터 배출된 약액(10)을 상기 약액 탱크(120)에 제공한다. 상기 약액 탱크(120)는 상기 약액 소스라인(CSL)을 통해 공급된 약액(10)을 저장한다. 상기 약액 소스라인(CSL)에는 제1 밸브(131)가 설치된다. 상기 제1 밸브(131)의 온/오프에 따라 상기 약액 소스라인(CSL)에 유입된 약액(10)이 상기 약액 탱크(120)로 공급되거나 차단된다.
이 실시예에 있어서, 상기 약액 처리장치(100)는 하나의 약액 소스부(110) 및 하나의 약액 소스라인(CSL)을 구비하나, 상기 약액 소스부(110) 및 상기 약액 소스라인(CSL)의 개수는 웨이퍼의 처리에 요구되는 약액의 종류에 따라 증가할 수도 있다.
한편, 상기 가스 공급라인(GSL)은 상기 약액 탱크(120)에 퍼지 가스(purge gas)를 제공하고, 상기 약액 탱크(120)는 상기 퍼지 가스에 의해 퍼지된다. 즉, 상기 퍼지 가스가 상기 약액 탱크(120)로 주입되면, 상기 약액 탱크(120)에 저장된 약액(10)은 상기 퍼지 가스의 압력에 의해 외부로 배출된다. 상기 퍼지 가스로는 다른 가스와 반응하지 않고 안정된 불활성 가스, 예컨대, 질소 가스가 이용된다.
상기 가스 공급라인(GSL)에는 제2 밸브(132)가 설치된다. 상기 가스 공급라인(GSL)에 주입된 퍼지 가스는 상기 제2 밸브(132)의 온/오프에 따라 상기 약액 탱크(120)로 공급되거나 차단된다.
상기 퍼지 가스를 이용한 약액(10) 배출은 웨이퍼를 처리하는 기판 처리장치(200)에 상기 약액(10)을 제공할 때 주로 사용되며, 펌프를 이용하는 방법보다 제조 원가를 절감할 수 있다. 이때, 상기 약액 탱크(120)에 저장된 약액(10)은 온도 및 농도 조절이 완료된 상태에서 상기 기판 처리장치(200)에 제공된다.
상기 약액 탱크(120)에는 상기 제1 및 제2 약액 배출라인(CPL1, CPL2)이 연결된다. 상기 제1 약액 배출라인(CPL1)은 상기 약액 탱크(120)로부터 배출된 약액(10)을 외부로 배출하여 폐기한다. 상기 제1 약액 배출라인(CPL1)에는 제3 밸브(133)가 설치되고, 상기 제3 밸브(133)의 온/오프에 따라 상기 약액 탱크(120)의 약액(10)이 상기 제1 약액 배출라인(CPL)을 통해 외부로 배출되거나 차단된다.
상기 제2 약액 배출라인(CPL2)은 상기 약액 탱크(120)로부터 배출된 상기 약액(10)을 상기 기판 처리장치(200)에 제공한다. 상기 제2 약액 배출라인(CPL2)에는 제4 밸브(134)가 설치되고, 상기 제4 밸브(134)의 온/오프에 따라 상기 제2 약액 배출라인(CPL2)으로 유입된 약액(10)이 상기 기판 처리장치(200)로 공급되거나 차단된다.
또한, 상기 약액 처리장치(100)는 상기 약액 탱크(120)의 약액(10)을 순환시키는 약액 순환라인(CCL)을 더 포함한다. 상기 약액 순환라인(CCL)은 상기 제2 약액 배출라인(CLP2)에 연결되고, 상기 약액 탱크(120)로부터 상기 제2 약액 배출라인(CLP2)에 배출된 약액(10)을 다시 상기 약액 탱크(120)에 제공하여 상기 약액 탱크(120)에 저장된 약액(10)을 순환시킨다.
구체적으로, 상기 약액 순환라인(CCL)은 상기 제2 약액 배출라인(CPL2)에 설치된 순환 펌프(140)의 구동에 의해 상기 제2 약액 배출라인(CPL2)으로부터 상기 약액(10)을 공급받는다. 상기 약액 순환라인(CCL)으로 상기 약액(10)이 공급될 경우, 상기 기판 처리장치(200)로는 상기 약액(10)이 공급되지 않는다.
상기 약액 순환라인(CCL)은 상기 약액(10)의 온도를 조절하는 약액온도 조절부(150)와 연결된다. 상기 약액온도 조절부(150)는 온도 센서(151), 제어부(152) 및 히터(153)를 구비한다. 상기 온도 센서(151)는 상기 약액 순환라인(CCL)에 설치되어 상기 약액 순환라인(CCL)을 흐르는 약액의 온도를 측정한다.
상기 제어부(152)는 상기 온도 센서(152) 및 상기 히터(153)와 연결되고, 상기 히터(153)의 온도를 조절한다. 즉, 상기 제어부(152)는 상기 온도 센서(152) 로부터 측정된 약액의 온도값을 수신하고, 상기 약액의 온도에 따라 상기 히터(153)의 온도를 조절한다. 상기 히터(153)는 상기 제어부(152)의 제어에 의해 상기 약액 순환라인(CCL)을 흐르는 약액을 가열하여 상기 약액 탱크(120)의 약액(10)을 적정 온도로 유지시킨다.
상기 약액 순환라인(CCL)에는 제5 밸브(135) 및 농도계(160)가 설치된다. 상기 제5 밸브(135)는 상기 약액 순환라인(CCL)으로 유입되는 약액(10)을 차단하거나 공급하고, 상기 농도계(160)는 상기 약액 순환라인(CCL)에 유입된 약액의 농도를 측정한다. 상기 저장 탱크(120)에 저장되는 약액(10)은 상기 농도계(160)에서 측정한 농도값에 근거하여 농도가 조절된다.
이와 같이, 상기 약액 처리장치(100)는 상기 약액 순환라인(CCL)과 상기 약액온도 조절부(150) 및 상기 농도계(160)를 이용하여 상기 약액 탱크(120)에 저장된 약액(10)의 온도 및 농도를 조절하고, 온도 및 농도 보정이 완료된 약액(10)을 상기 기판 처리장치(200)에 제공된다.
이하에서는 상기 약액 처리장치(100)로부터 상기 약액(10)을 공급받아 상기 웨이퍼를 처리하는 기판 처리장치(200)의 구성에 대해 구체적으로 설명한다.
상기 기판 처리장치(200)는 챔버(210), 기판 지지부재(220), 분사 노즐(230), 공급라인(240), 약액 저장부(250), 공급 펌프(260), 공급 밸브(270) 및 석-백(suck-back) 밸브(280)를 포함한다.
구체적으로, 상기 챔버(210)는 상부가 개구되고, 상기 웨이퍼를 처리하는 공 정 공간을 제공한다. 상기 기판 지지부재(220)는 스핀 헤드(221) 및 지지축(222)을 포함할 수 있다. 상기 스핀 헤드(221)는 상기 챔버(210) 내부에 설치되고, 웨이퍼가 안착된다. 지지축(222)은 스핀헤드(221)의 하면에 결합되고, 회전 가능하며, 상기 스핀 헤드(221)를 회전시킨다.
상기 챔버(210)의 상부에는 상기 분사 노즐(230)이 설치된다. 상기 분사 노즐(230)은 상기 공급 라인(240)에 연결되고, 상기 공급 라인(240)으로부터 상기 약액을 공급받아 상기 스핀 헤드(221)에 안착된 웨이퍼에 약액을 분사한다.
상기 공급라인(240)은 상기 약액 저장부(250)에 연결되고, 상기 약액 저장부(250)로부터 상기 약액을 공급받아 이송한다. 상기 약액 저장부(250)는 상기 약액 처리 장치(100)의 제2 약액 배출라인(CPL2)에 연결되고, 상기 약액 처리 장치(100)로부터 상기 약액을 공급받아 저장한다.
상기 약액 저장부(250)는 상기 공급 펌프(260)와 연결되고, 상기 약액 저장부(250)에 저장된 약액이 상기 공급 펌프(260)의 구동에 의해 상기 공급 라인(240)에 배출된다.
한편, 상기 공급 라인(240)에는 상기 공급 밸브(270) 및 상기 석-백 밸브(280)가 설치된다. 상기 공급 밸브(270)는 상기 석-백 밸브(280)와 상기 약액 저장부(250)와의 사이에 위치하고, 상기 공급 밸브(270)의 온/오프에 따라 상기 공급 라인(240)의 약액이 상기 분사 노즐(230)에 제공되거나 차단된다.
상기 석-백 밸브(280)는 상기 공급 밸브(270)와 상기 분사 노즐(230)과의 사이에 설치된다. 상기 석-백 밸브(280)는 상기 분사 노즐(230)에 약액 공급 중단시 상기 분사 노즐(230)의 유입된 약액을 석-백하여 상기 분사 노즐(230)에 약액이 잔류하는 것을 방지한다. 즉, 상기 분사 노즐(230)로의 약액 공급이 상기 공급 밸브(270)의 구동 의해 차단되면, 상기 석-백 밸브(280)는 상기 공급라인(240)에서 상기 분사 노즐(230)과 상기 석-백 밸브(280) 사이에 잔류하는 약액을 일부분 석-백한다. 이에 따라, 상기 분사 노즐(230)에 잔류하던 약액이 상기 공급 라인(240) 측으로 유입되어 상기 분사 노즐(230)로부터 제거되므로, 상기 분사 노즐(230)의 잔류 약액이 처리 완료된 스핀 헤드(221) 상의 웨이퍼 또는 스핀 헤드(221)에 떨어지는 것을 방지한다.
그러나, 상기 석-백 밸브(280)이 상기 분사 노즐(230)의 잔류 약액을 석-백하더라도 상기 분사 노즐(230)과 인접한 상기 공급 라인(240) 안의 약액이 중력에 의해 상기 분사 노즐(230)측으로 누설될 수 있다. 이를 방지하기 위해 상기 공급 라인(240)은 누설 방지부(242)를 구비한다.
도 2는 도 1에 도시된 'A'부분을 확대하여 나타낸 종단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 누설 방지부(242)는 상기 공급 라인(240)에서 상기 분사 노즐(230)과 연결되는 출력단에 인접하게 위치하고, 위로 볼록하게 돌출되어 굴곡진 형상, 예컨대, 역'U'자 형상을 갖는다. 상기 누설 방지부(242)는 상기 공급 라인(240)을 흐르는 약액이 출력단(241)에 유입되기 직전에 상기 출력단(241)과 반대 방향으로 흐르도록 약액의 흐름을 변경시킨다.
구체적으로, 상기 공급 라인(240)의 출력단(241)은 상기 분사 노즐(230)과 마찬가지로 약액이 중력 방향, 즉, 아래로 흐르도록 아래로 수직하게 설치된다. 반 면, 상기 누설 방지부(242)는 역'U'자 형상을 갖고, 상기 누설 방지부(242)의 이전단은 지면에 대해 평행하게 설치된다. 이에 따라, 상기 누설 방지부(242)는 약액이 상기 출력단(241)과 반대 방향, 즉, 위로 흐를 수 있는 패턴을 갖는다.
약액 석-백 시, 상기 분사 노즐(230)에 저장된 약액이 상기 누설 방지부(242)와 상기 누설 방지부(242)의 이전단(243)이 만나는 경계부까지 후퇴한다. 여기서, 상기 누설 방지부(242)의 시작 포인트가 석-백 포인트(SBP)가 된다.
이와 같이, 상기 누설 방지부(242)는 약액의 흐름을 상기 출력단(241)의 약액 흐름과 반대로 변경하는 패턴을 갖고, 상기 석-백 포인트(SBP) 이후단에 위치하므로, 약액 석-백 시 상기 공급 라인(240)에 정체된 약액이 중력에 의해 상기 분사 노즐(230)로 재유입되는 것을 차단한다.
특히, 약액이 계면활성 성분을 갖을 경우, 표면 장력이 현저하게 감소되므로, 석-백을 하더라도 공급라인(230)에 정체된 약액이 중력에 의해 상기 분사 노즐(230)측으로 다시 유입되기 쉽다. 상기 누설 방지부(242)는 상기 석-백 포인트(SBP) 이전단에서 상기 약액의 누설을 차단하므로, 표면 장력이 낮은 약액도 효과적으로 차단할 수 있다. 이에 따라, 상기 공급 라인(240)은 약액의 누설로 인한 스핀 헤드(211) 및 웨이퍼의 오염을 방지하고, 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.
이 실시예에 있어서, 상기 누설 방지부(242)는 위로 볼록하게 돌출된 패턴을 하나 구비하나, 이러한 돌출 패턴을 여러개 구비할 수도 있다. 이러한 경우, 다수의 돌출 패턴은 연접하여 위치한다.
도 3은 도 2에 도시된 공급 라인의 다른 일례를 나타낸 종단면도이다.
도 3을 참조하면, 공급 라인(290)은 분사 노즐(230)과 연결되는 출력단(291) 및 상기 출력단(291)과 인접한 누설 방지부(292)를 포함한다. 상기 공급 라인(290)의 출력단(291)은 약액이 중력 방향으로 흐르도록 아래로 수직하게 설치된다. 상기 누설 방지부(292)는 약액이 상기 출력단(291)에 유입되기 이전에 상기 출력단(291)과 반대 방향으로 흐르도록 약액의 흐름을 변경시킨다.
구체적으로, 상기 누설 방지부(292)는 이전단(293)보다 아래로 볼록하게 돌출된 굴곡진 형상, 예컨대, 'U'자 형상을 갖는다. 이에 따라, 상기 누설 방지부(292)에 유입된 약액은 상기 출력단(291)에 유입되기 직전에 상기 중력 방향과 반대 방향, 즉, 위로 흐른다.
약액 석-백 시, 상기 분사 노즐(230)에 저장된 약액은 상기 누설 방지부(292)와 상기 누설 방지부(292)의 이전단(293)이 만나는 경계부까지 후퇴한다. 여기서, 상기 누설 방지부(292)의 시작 포인트가 석-백 포인트(SBP)가 된다.
이와 같이, 상기 누설 방지부(292)는 약액이 위를 향해 흐르는 패턴을 구비하고 상기 석-백 포인트(SBP)보다 이후단에 설치됨으로써, 약액 석-백 시 상기 공급 라인(290)에 정체된 약액이 상기 분사 노즐(230)에 재유입되는 것을 차단한다. 이에 따라, 상기 공급 라인(290)은 약액의 누설로 인한 스핀 헤드(211)(도 1 참조) 및 웨이퍼의 오염을 방지하고, 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.
이 실시예에 있어서, 상기 누설 방지부(292)는 아래로 볼록하게 돌출된 패턴을 하나 구비하나, 이러한 돌출 패턴을 여러개 구비할 수도 있다. 이러한 경우, 다 수의 돌출 패턴은 연접하여 위치한다.
이하, 도면을 참조하여 도 2에 도시된 누설 방지부(240)가 약액의 누설을 차단하는 과정을 구체적으로 설명한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 과정을 나타낸 흐름도이고, 도 5는 도 1에 도시된 기판 처리 장치에서 웨이퍼에 약액을 분사하는 과정을 나타낸 단면도이며, 도 6은 도 2에 도시된 공급 라인에서 석-백 후 약액의 위치를 나타낸 단면도이다.
도 4 내지 도 5를 참조하면, 먼저, 상기 공급 밸브(270)를 오픈한 상태에서 상기 공급 펌프(260)를 구동하여 상기 약액 저장부(250)에 저장된 약액을 상기 공급 라인(240)에 토출한다(단계 S110).
상기 공급 라인(240)에 유입된 약액은 상기 분사 노즐(230)에 유입되고, 상기 분사 노즐(230)은 스핀 헤드(221)에 안착된 웨이퍼(20)에 상기 약액을 분사하여 상기 웨이퍼(20)를 처리한다(단계 S120). 이때, 상기 웨이퍼(20)는 상기 스핀 헤드(221)에 의해 회전한다.
상기 약액에 의한 웨이퍼(20)의 처리가 완료되면, 상기 공급 펌프(260)의 구동을 멈추고, 상기 공급 밸브(270)를 잠궈 상기 분사 노즐(230)로의 약액 공급을 중단한다(단계 S130).
상기 석-백 밸브(280)를 구동시켜 상기 공급라인(240)에서 상기 분사 노즐(230)과 상기 석-백 밸브(280) 사이에 잔류하는 약액을 일부분 석-백한다(단계 S140).
도 6에 도시된 바와 같이, 상기 분사 노즐(230)에 잔류하던 약액은 석-백 공정에 의해 상기 공급 라인(240)의 석-백 포인트(SBP)까지 이동한다. 이에 따라, 상기 공급 라인(240)의 석-백 포인트(SBP)부터 상기 분사 노즐(230)의 끝단까지 잔류하는 약액이 제거된다. 석-백 포인트(SBP)의 이후단에 위치하는 상기 누설 방지부(242)는 약액을 중력 방향과 반대 방향으로 가이드하는 패턴을 이용하여 약액이 석-백 포인트(SBP)이후단으로 누설되는 것을 방지한다. 이에 따라, 약액 석-백 후 분사 노즐(230)로부터 약액이 누설되는 것을 방지할 수 있으므로, 기판 처리 장치(300)는 웨이퍼(20)의 재 오염 및 스핀헤드(221)의 오염을 방지하고, 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 'A'부분을 확대하여 나타낸 종단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 공급 라인의 다른 일례를 나타낸 종단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 과정을 나타낸 흐름도이다.
도 5는 도 1에 도시된 기판 처리 장치에서 웨이퍼에 약액을 분사하는 과정을 나타낸 단면도이다.
도 6은 도 2에 도시된 공급 라인에서 석-백 후 약액의 위치를 나타낸 단면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *
100 : 약액 처리 장치 200 : 기판 처리 장치
210 : 챔버 220 : 기판 지지부재
230 : 분사 노즐 240, 290 : 공급라인
242, 292 : 누설 방지부 250 : 약액 저장부
260 : 공급 펌프 270 : 공급 밸브
280 : 석-백 밸브 300 :
Claims (10)
- 삭제
- 기판을 처리하기 위한 약액이 이동되는 공급라인;상기 공급라인에 연결되어 상기 공급라인으로부터 상기 약액을 공급받고, 지면에 대해 수직 방향으로 배치되며, 상기 기판에 약액을 분사하는 분사 노즐; 및상기 공급라인에 설치되고, 상기 분사 노즐에 약액 공급 중단시 상기 분사 노즐의 잔류하는 약액을 석-백하는 석-백 밸브를 포함하고,상기 공급 라인은,상기 분사 노즐과 연결되고, 상기 지면에 대해 수직 방향으로 연장된 출력단; 및상기 출력단과 상기 석-백 밸브 사이에 위치하고, 상기 약액 석-백시 상기 공급라인에서 상기 약액이 잔존하는 최종 위치인 석-백 포인트와 인접한 제1 지점 및 상기 출력단에 인접하고 상기 제1 지점보다 높은 제2 지점을 구비하며, 상기 약액 석-백시 상기 공급라인에 잔존하는 약액이 상기 분사 노즐측으로 유입되는 것을 방지하는 누설 방지부를 포함하며,상기 출력단은 상기 분사 노즐로부터 위로 연장된 것을 특징으로 하는 약액 공급 유닛.
- 제2항에 있어서, 상기 누설 방지부는 위로 볼록한 굴곡진 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 약액 공급 유닛.
- 제2항에 있어서, 상기 누설 방지부는 아래로 볼록한 굴곡진 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 약액 공급 유닛.
- 제3항 또는 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 공급라인은 상기 누설 방지부의 바로 이전단이 지면에 대해 평행하게 배치된 것을 특징으로 하는 약액 공급 유닛.
- 기판이 안착되는 기판 지지부재; 및상기 기판 지지부재의 상부에 설치되고, 기판을 처리하기 위한 약액을 상기 기판 지지부재에 안착된 기판에 제공하는 약액 공급 유닛을 포함하고,상기 약액 공급 유닛은,상기 약액이 이동되는 공급라인;상기 공급라인에 연결되어 상기 공급라인으로부터 상기 약액을 공급받고, 상기 기판 지지부재의 상부에서 지면에 대해 수직 방향으로 설치되며, 상기 기판 지지부재에 안착된 기판에 상기 약액을 분사하는 분사 노즐; 및상기 공급라인에 설치되고, 상기 분사 노즐에 약액 공급 중단시 상기 분사 노즐의 잔류하는 약액을 석-백하는 석-백 밸브를 포함하며,상기 공급 라인은,상기 분사 노즐과 연결되고, 상기 분사 노즐로부터 위로 연장된 출력단; 및상기 출력단과 상기 석-백 밸브 사이에 위치하고, 상기 약액 석-백시 상기 공급라인에서 상기 약액이 잔존하는 최종 위치인 석-백 포인트와 인접한 제1 지점 및 상기 출력단에 인접하고 상기 제1 지점보다 높은 제2 지점을 구비하며, 상기 약액 석-백시 상기 공급라인에 잔존하는 약액이 상기 분사 노즐측으로 유입되는 것을 방지하는 누설 방지부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제6항에 있어서, 상기 누설 방지부는 위로 볼록한 굴곡진 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 제6항에 있어서, 상기 누설 방지부는 아래로 볼록한 굴곡진 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 기판 지지부재의 상부에 설치된 분사 노즐이 상기 기판 지지부재에 안착된 기판에 약액을 분사하여 상기 기판을 처리하는 단계;상기 분사 노즐에 약액 공급을 중지하는 단계; 및상기 분사 노즐에 잔류하는 약액을 석-백하는 단계를 포함하고,상기 약액 석-백 시, 출력단이 상기 분사 노즐의 입력단에 연결되어 상기 약액을 이송하는 공급라인 안의 약액은 상기 공급라인의 석-백 포인트까지 석-백되 며,상기 공급라인은 상기 석-백 포인트와 상기 공급라인의 출력단 사이에 설치되어 상기 석-백 포인트와 인접한 제1 지점 및 상기 제1 지점과 인접하고 상기 제1 지점보다 높은 제2 지점을 갖는 누설 방지부를 제공하여 상기 약액 석-백 시 상기 분사 노즐로의 상기 약액의 재유입을 차단하는 것을 특징으로 하는 약액 석-백 방법.
- 제9항에 있어서, 상기 약액 공급 시, 상기 공급라인에 유입된 약액은 상기 공급라인의 출력단과 상기 분사노즐 안에서 아래로 흐르고, 상기 누설 방지부의 입력단에서 위로 흐르는 것을 특징으로 하는 약액 석-백 방법.
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Families Citing this family (5)
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|---|---|---|---|---|
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002316085A (ja) * | 2001-04-23 | 2002-10-29 | Ckd Corp | サックバックバルブ |
| JP2003185053A (ja) * | 2001-12-18 | 2003-07-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | ダイヤフラムバルブ、基板処理ユニットおよび基板処理装置 |
| KR20070066658A (ko) * | 2005-12-22 | 2007-06-27 | 삼성전자주식회사 | 케미컬 공급장치 및 이를 구비한 박막코팅설비 |
-
2008
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002316085A (ja) * | 2001-04-23 | 2002-10-29 | Ckd Corp | サックバックバルブ |
| JP2003185053A (ja) * | 2001-12-18 | 2003-07-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | ダイヤフラムバルブ、基板処理ユニットおよび基板処理装置 |
| KR20070066658A (ko) * | 2005-12-22 | 2007-06-27 | 삼성전자주식회사 | 케미컬 공급장치 및 이를 구비한 박막코팅설비 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10699918B2 (en) | 2016-04-29 | 2020-06-30 | Semes Co., Ltd. | Chemical supply unit and apparatus for treating a substrate |
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| Publication number | Publication date |
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