JP2003185053A - ダイヤフラムバルブ、基板処理ユニットおよび基板処理装置 - Google Patents
ダイヤフラムバルブ、基板処理ユニットおよび基板処理装置Info
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- F16K31/1221—Actuating devices; Operating means; Releasing devices actuated by fluid the fluid acting on a piston one side of the piston being spring-loaded
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- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
- F16K7/00—Diaphragm valves or cut-off apparatus, e.g. with a member deformed, but not moved bodily, to close the passage ; Pinch valves
- F16K7/12—Diaphragm valves or cut-off apparatus, e.g. with a member deformed, but not moved bodily, to close the passage ; Pinch valves with flat, dished, or bowl-shaped diaphragm
- F16K7/14—Diaphragm valves or cut-off apparatus, e.g. with a member deformed, but not moved bodily, to close the passage ; Pinch valves with flat, dished, or bowl-shaped diaphragm arranged to be deformed against a flat seat
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- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D16/00—Control of fluid pressure
- G05D16/04—Control of fluid pressure without auxiliary power
- G05D16/06—Control of fluid pressure without auxiliary power the sensing element being a flexible membrane, yielding to pressure, e.g. diaphragm, bellows, capsule
- G05D16/063—Control of fluid pressure without auxiliary power the sensing element being a flexible membrane, yielding to pressure, e.g. diaphragm, bellows, capsule the sensing element being a membrane
- G05D16/0644—Control of fluid pressure without auxiliary power the sensing element being a flexible membrane, yielding to pressure, e.g. diaphragm, bellows, capsule the sensing element being a membrane the membrane acting directly on the obturator
- G05D16/0672—Control of fluid pressure without auxiliary power the sensing element being a flexible membrane, yielding to pressure, e.g. diaphragm, bellows, capsule the sensing element being a membrane the membrane acting directly on the obturator using several spring-loaded membranes
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- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 バルブ開閉時にも安定した液供給を行うこと
ができるダイヤフラムバルブを提供する。 【解決手段】 ダイヤフラム１５を弁座１６に密着させ
ることによって流路２５が閉鎖され、ダイヤフラム１５
を弁座１６から離間させることによって流路２５が開放
される。開閉用のダイヤフラム１５と同一形状のダイヤ
フラム２２はリンク棒２３によってダイヤフラム１５と
連結されている。従って、ダイヤフラム２２はダイヤフ
ラム１５と機械的に連動され、ダイヤフラム１５が作動
したときに下流側流路２５ｂに生じる容積変化を補償す
るようにダイヤフラム２２は作動する。その結果、ダイ
ヤフラム１５を急速に作動させたとしても、それにとも
なう容積変化はダイヤフラム２２によって直ちに補償さ
れ、下流側流路２５ｂにレジストの引き戻しや押し出し
が生じることはない。
ができるダイヤフラムバルブを提供する。 【解決手段】 ダイヤフラム１５を弁座１６に密着させ
ることによって流路２５が閉鎖され、ダイヤフラム１５
を弁座１６から離間させることによって流路２５が開放
される。開閉用のダイヤフラム１５と同一形状のダイヤ
フラム２２はリンク棒２３によってダイヤフラム１５と
連結されている。従って、ダイヤフラム２２はダイヤフ
ラム１５と機械的に連動され、ダイヤフラム１５が作動
したときに下流側流路２５ｂに生じる容積変化を補償す
るようにダイヤフラム２２は作動する。その結果、ダイ
ヤフラム１５を急速に作動させたとしても、それにとも
なう容積変化はダイヤフラム２２によって直ちに補償さ
れ、下流側流路２５ｂにレジストの引き戻しや押し出し
が生じることはない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液体が流入する１
つの流入口と該液体が流出する１つの流出口とを有する
ダイヤフラムバルブ、そのダイヤフラムバルブを用いて
半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク
用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基
板」と称する）にフォトレジスト（以下、単に「レジス
ト」と称する）等の処理液を供給してレジスト塗布処理
等を行う基板処理ユニットおよびその基板処理ユニット
を組み込んで基板にフォトリソグラフィー等の一連の処
理を行う基板処理装置に関する。
つの流入口と該液体が流出する１つの流出口とを有する
ダイヤフラムバルブ、そのダイヤフラムバルブを用いて
半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク
用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基
板」と称する）にフォトレジスト（以下、単に「レジス
ト」と称する）等の処理液を供給してレジスト塗布処理
等を行う基板処理ユニットおよびその基板処理ユニット
を組み込んで基板にフォトリソグラフィー等の一連の処
理を行う基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体や液晶ディスプレイなどの製品
は、基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エ
ッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理などの一連の諸処
理を施すことにより製造されている。従来よりこれらの
諸処理は、塗布処理ユニットや熱処理ユニット等の複数
の処理ユニットを組み込んだ基板処理装置において行わ
れる。基板処理装置内の搬送ロボットによって複数の処
理ユニット間で基板を所定の順序に従って搬送し、各処
理ユニットにて基板にそれぞれ処理を行うことにより一
連の基板処理が進行するのである。
は、基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エ
ッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理などの一連の諸処
理を施すことにより製造されている。従来よりこれらの
諸処理は、塗布処理ユニットや熱処理ユニット等の複数
の処理ユニットを組み込んだ基板処理装置において行わ
れる。基板処理装置内の搬送ロボットによって複数の処
理ユニット間で基板を所定の順序に従って搬送し、各処
理ユニットにて基板にそれぞれ処理を行うことにより一
連の基板処理が進行するのである。
【０００３】処理ユニットのうち基板に処理液を供給す
るユニット、例えば基板にレジストを吐出する塗布処理
ユニットにおいては、レジストの吐出を開始および停止
するためのバルブとして一般にテフロン（登録商標）の
ダイヤフラムバルブを使用している。これはダイヤフラ
ムバルブであれば他のバルブを使用するよりも摺動によ
る発塵が生じにくく、基板に供給する処理液を扱うのに
適しているからである。
るユニット、例えば基板にレジストを吐出する塗布処理
ユニットにおいては、レジストの吐出を開始および停止
するためのバルブとして一般にテフロン（登録商標）の
ダイヤフラムバルブを使用している。これはダイヤフラ
ムバルブであれば他のバルブを使用するよりも摺動によ
る発塵が生じにくく、基板に供給する処理液を扱うのに
適しているからである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来よ
り吐出バルブとしてダイヤフラムバルブを使用した場合
は以下のような問題が生じており、これについて図１
４，１５を使用しつつ説明する。図１４および図１５は
従来のダイヤフラムバルブの構成を示す図である。図１
４は流路が開放されている状態であり、図１５は流路が
閉鎖されている状態である。
り吐出バルブとしてダイヤフラムバルブを使用した場合
は以下のような問題が生じており、これについて図１
４，１５を使用しつつ説明する。図１４および図１５は
従来のダイヤフラムバルブの構成を示す図である。図１
４は流路が開放されている状態であり、図１５は流路が
閉鎖されている状態である。
【０００５】ダイヤフラムバルブ１００は、レジストを
送給するための配管１１０の経路途中に設けられてい
る。配管１１０のうち上流側配管１１０ａは図外のレジ
スト供給源と連通接続され、下流側配管１１０ｂは図外
のレジスト吐出ノズルと連通接続されている。レジスト
供給源からは所定の圧力にてレジストが送り出されてお
り、図１４の状態では、上流側配管１１０ａの上流側流
路１１１から下流側配管１１０ｂの下流側流路１１２へ
とレジストが流れ、さらにレジスト吐出ノズルからのレ
ジスト吐出が行われる。すなわち、ダイヤフラムバルブ
１００は、液体が流入する１つの流入口１１３と該液体
が流出する１つの流出口１１４とを有している。
送給するための配管１１０の経路途中に設けられてい
る。配管１１０のうち上流側配管１１０ａは図外のレジ
スト供給源と連通接続され、下流側配管１１０ｂは図外
のレジスト吐出ノズルと連通接続されている。レジスト
供給源からは所定の圧力にてレジストが送り出されてお
り、図１４の状態では、上流側配管１１０ａの上流側流
路１１１から下流側配管１１０ｂの下流側流路１１２へ
とレジストが流れ、さらにレジスト吐出ノズルからのレ
ジスト吐出が行われる。すなわち、ダイヤフラムバルブ
１００は、液体が流入する１つの流入口１１３と該液体
が流出する１つの流出口１１４とを有している。
【０００６】図１４の状態において、図外のリークバル
ブを開放してエア配管１０４から空気が抜けるようにす
ると、収縮していたバネ１０３が伸張してピストン１０
２が下降する。ピストン１０２の下端部はダイヤフラム
１０１に固定接続されており、ピストン１０２が下降す
ることによってダイヤフラム１０１が弁座１０５に押し
つけられ、図１５に示す状態に移行する。図１５に示す
状態では上流側流路１１１と下流側流路１１２とが遮断
されており、レジストは下流側流路１１２へと流れず、
レジスト吐出ノズルからのレジスト吐出も停止される。
ブを開放してエア配管１０４から空気が抜けるようにす
ると、収縮していたバネ１０３が伸張してピストン１０
２が下降する。ピストン１０２の下端部はダイヤフラム
１０１に固定接続されており、ピストン１０２が下降す
ることによってダイヤフラム１０１が弁座１０５に押し
つけられ、図１５に示す状態に移行する。図１５に示す
状態では上流側流路１１１と下流側流路１１２とが遮断
されており、レジストは下流側流路１１２へと流れず、
レジスト吐出ノズルからのレジスト吐出も停止される。
【０００７】図１５の状態において、エア配管１０４か
らダイヤフラムバルブ１００に空気を送り込むようにす
ると、ピストン１０２がバネ１０３の力に抗して上昇す
る。ピストン１０２が上昇することによってダイヤフラ
ム１０１が弁座１０５から離間し、上流側流路１１１と
下流側流路１１２とが連通した状態（図１４）へと移行
し、レジスト吐出ノズルからのレジスト吐出が開始され
る。以上のようにしてダイヤフラムバルブ１００は、レ
ジストの吐出開始および停止を行う。
らダイヤフラムバルブ１００に空気を送り込むようにす
ると、ピストン１０２がバネ１０３の力に抗して上昇す
る。ピストン１０２が上昇することによってダイヤフラ
ム１０１が弁座１０５から離間し、上流側流路１１１と
下流側流路１１２とが連通した状態（図１４）へと移行
し、レジスト吐出ノズルからのレジスト吐出が開始され
る。以上のようにしてダイヤフラムバルブ１００は、レ
ジストの吐出開始および停止を行う。
【０００８】ここで、ダイヤフラムバルブ１００が急速
に開く、すなわちダイヤフラム１０１が弁座１０５から
急速に離間するとダイヤフラムバルブ１００内の流路の
容積が急速に増加する一方で、その瞬間には上流側流路
１１１からレジストが流れ出さないため、瞬間的に下流
側流路１１２において逆流が生じ、レジスト吐出ノズル
からダイヤフラムバルブ１００にレジストが引き戻され
る現象が起こる。
に開く、すなわちダイヤフラム１０１が弁座１０５から
急速に離間するとダイヤフラムバルブ１００内の流路の
容積が急速に増加する一方で、その瞬間には上流側流路
１１１からレジストが流れ出さないため、瞬間的に下流
側流路１１２において逆流が生じ、レジスト吐出ノズル
からダイヤフラムバルブ１００にレジストが引き戻され
る現象が起こる。
【０００９】また、ダイヤフラムバルブ１００が低速で
開くと、ダイヤフラムバルブ１００内の流路の容積変化
による影響が出るよりも先に上流側流路１１１からレジ
ストが流れ出すため、レジスト吐出ノズルからレジスト
が引き戻されることはないが、ダイヤフラム１０１が弁
座１０５から十分に離間していない間は、弁座１０５近
傍の流路が狭く、レジスト吐出のための十分な流量が得
られず、レジスト吐出ノズルの先端からレジストが途切
れ途切れにでるという問題が生じる（いわゆるぼた落
ち）。
開くと、ダイヤフラムバルブ１００内の流路の容積変化
による影響が出るよりも先に上流側流路１１１からレジ
ストが流れ出すため、レジスト吐出ノズルからレジスト
が引き戻されることはないが、ダイヤフラム１０１が弁
座１０５から十分に離間していない間は、弁座１０５近
傍の流路が狭く、レジスト吐出のための十分な流量が得
られず、レジスト吐出ノズルの先端からレジストが途切
れ途切れにでるという問題が生じる（いわゆるぼた落
ち）。
【００１０】逆に、ダイヤフラムバルブ１００が急速に
閉じる、すなわちダイヤフラム１０１が弁座１０５に急
速に密着すると、ダイヤフラムバルブ１００内の流路の
容積が急速に減少し、下流側流路１１２にあるレジスト
が押し出され、バルブ閉鎖の瞬間にレジスト吐出ノズル
からレジストが噴出することとなる。また、ダイヤフラ
ムバルブ１００が低速で閉じると、上述した開く場合と
同様に、弁座１０５近傍の流路が狭くなっている間はレ
ジスト吐出のための十分な流量が得られず、レジスト吐
出ノズルからのぼた落ちの問題が生じる。
閉じる、すなわちダイヤフラム１０１が弁座１０５に急
速に密着すると、ダイヤフラムバルブ１００内の流路の
容積が急速に減少し、下流側流路１１２にあるレジスト
が押し出され、バルブ閉鎖の瞬間にレジスト吐出ノズル
からレジストが噴出することとなる。また、ダイヤフラ
ムバルブ１００が低速で閉じると、上述した開く場合と
同様に、弁座１０５近傍の流路が狭くなっている間はレ
ジスト吐出のための十分な流量が得られず、レジスト吐
出ノズルからのぼた落ちの問題が生じる。
【００１１】上記のような現象はいずれも安定したレジ
スト供給の妨げとなり、塗布欠陥の原因となりうるもの
である。従って、上記の諸現象を極力防止する必要があ
り、そのためにはダイヤフラムバルブ１００の開閉速度
を速すぎず、遅すぎない速度に設定しなければならなか
った。このような最適速度のための条件設定は極めて微
妙なものであり、しかもレジストの粘度や配管の状況に
よって様々に異なるものであるため、バルブ開閉速度の
調整作業は非常に困難なものとなっていたのである。
スト供給の妨げとなり、塗布欠陥の原因となりうるもの
である。従って、上記の諸現象を極力防止する必要があ
り、そのためにはダイヤフラムバルブ１００の開閉速度
を速すぎず、遅すぎない速度に設定しなければならなか
った。このような最適速度のための条件設定は極めて微
妙なものであり、しかもレジストの粘度や配管の状況に
よって様々に異なるものであるため、バルブ開閉速度の
調整作業は非常に困難なものとなっていたのである。
【００１２】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、バルブ開閉時にも安定した液供給を行うことが
できるダイヤフラムバルブ並びにそれを組み込んだ基板
処理ユニットおよび基板処理装置を提供することを目的
とする。
であり、バルブ開閉時にも安定した液供給を行うことが
できるダイヤフラムバルブ並びにそれを組み込んだ基板
処理ユニットおよび基板処理装置を提供することを目的
とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の発明は、液体が流入する１つの流入口と
該液体が流出する１つの流出口とを有するダイヤフラム
バルブにおいて、前記流入口から前記流出口に至る流路
に設けられた弁座に密着することによって前記流路を閉
鎖することとと前記弁座から離間することによって前記
流路を開放することとが可能な開閉用ダイヤフラムと、
前記流路を閉鎖する閉状態と前記流路を開放する開状態
との間で前記開閉用ダイヤフラムを作動させる作動手段
と、前記開閉用ダイヤフラムよりも前記流路の前記流出
口側に設けられ、前記開閉用ダイヤフラムが作動したと
きに前記流路のうち前記開閉用ダイヤフラムよりも前記
流出口側の二次側流路に生じる容積変化を補償する容積
変化補償手段と、を備えている。
め、請求項１の発明は、液体が流入する１つの流入口と
該液体が流出する１つの流出口とを有するダイヤフラム
バルブにおいて、前記流入口から前記流出口に至る流路
に設けられた弁座に密着することによって前記流路を閉
鎖することとと前記弁座から離間することによって前記
流路を開放することとが可能な開閉用ダイヤフラムと、
前記流路を閉鎖する閉状態と前記流路を開放する開状態
との間で前記開閉用ダイヤフラムを作動させる作動手段
と、前記開閉用ダイヤフラムよりも前記流路の前記流出
口側に設けられ、前記開閉用ダイヤフラムが作動したと
きに前記流路のうち前記開閉用ダイヤフラムよりも前記
流出口側の二次側流路に生じる容積変化を補償する容積
変化補償手段と、を備えている。
【００１４】また、請求項２の発明は、請求項１の発明
に係るダイヤフラムバルブにおいて、前記容積変化補償
手段に、前記開閉用ダイヤフラムと機械的に連動され、
前記開閉用ダイヤフラムが前記流路を閉鎖するときに前
記二次側流路の容積を増加し、前記開閉用ダイヤフラム
が前記流路を開放するときに前記二次側流路の容積を減
少するように作動する補償用ダイヤフラムを含ませてい
る。
に係るダイヤフラムバルブにおいて、前記容積変化補償
手段に、前記開閉用ダイヤフラムと機械的に連動され、
前記開閉用ダイヤフラムが前記流路を閉鎖するときに前
記二次側流路の容積を増加し、前記開閉用ダイヤフラム
が前記流路を開放するときに前記二次側流路の容積を減
少するように作動する補償用ダイヤフラムを含ませてい
る。
【００１５】また、請求項３の発明は、請求項２の発明
に係るダイヤフラムバルブにおいて、前記開閉用ダイヤ
フラムと前記補償用ダイヤフラムとを略同一形状とし、
前記容積変化補償手段に、前記開閉用ダイヤフラムと前
記補償用ダイヤフラムとを連結するリンク棒を含ませて
いる。
に係るダイヤフラムバルブにおいて、前記開閉用ダイヤ
フラムと前記補償用ダイヤフラムとを略同一形状とし、
前記容積変化補償手段に、前記開閉用ダイヤフラムと前
記補償用ダイヤフラムとを連結するリンク棒を含ませて
いる。
【００１６】また、請求項４の発明は、請求項３の発明
に係るダイヤフラムバルブにおいて、前記補償用ダイヤ
フラムを、前記開閉用ダイヤフラムが作動する弁軸上に
設け、前記リンク棒を前記弁軸に沿って配置している。
に係るダイヤフラムバルブにおいて、前記補償用ダイヤ
フラムを、前記開閉用ダイヤフラムが作動する弁軸上に
設け、前記リンク棒を前記弁軸に沿って配置している。
【００１７】また、請求項５の発明は、請求項２の発明
に係るダイヤフラムバルブにおいて、前記容積変化補償
手段に、前記作動手段が前記開閉用ダイヤフラムを作動
させる作動圧によっては実質的に変形しない部材にて形
成され、前記開閉用ダイヤフラムの内側および前記補償
用ダイヤフラムの内側を相互に連通しつつシールするこ
とによって１つの密閉空間を形成する密閉空間形成部材
と、前記密閉空間に満たされた非圧縮性流体と、を含ま
せている。
に係るダイヤフラムバルブにおいて、前記容積変化補償
手段に、前記作動手段が前記開閉用ダイヤフラムを作動
させる作動圧によっては実質的に変形しない部材にて形
成され、前記開閉用ダイヤフラムの内側および前記補償
用ダイヤフラムの内側を相互に連通しつつシールするこ
とによって１つの密閉空間を形成する密閉空間形成部材
と、前記密閉空間に満たされた非圧縮性流体と、を含ま
せている。
【００１８】また、請求項６の発明は、液体が流入する
１つの流入口と該液体が流出する１つの流出口とを有す
るダイヤフラムバルブにおいて、弾性部材にて形成さ
れ、前記流入口から前記流出口に至る流路に設けられた
弁座に密着することによって前記流路を閉鎖することと
と前記弁座から離間することによって前記流路を開放す
ることとが可能な開閉用ダイヤフラムと、前記流路を閉
鎖する閉状態と前記流路を開放する開状態との間で前記
開閉用ダイヤフラムを作動させる作動手段と、前記作動
手段が前記開閉用ダイヤフラムを作動させる作動圧によ
っては実質的に変形しない部材にて形成され、前記開閉
用ダイヤフラムの内側をシールすることによって密閉空
間を形成する密閉空間形成部材と、前記密閉空間に満た
された非圧縮性流体と、を備えている。
１つの流入口と該液体が流出する１つの流出口とを有す
るダイヤフラムバルブにおいて、弾性部材にて形成さ
れ、前記流入口から前記流出口に至る流路に設けられた
弁座に密着することによって前記流路を閉鎖することと
と前記弁座から離間することによって前記流路を開放す
ることとが可能な開閉用ダイヤフラムと、前記流路を閉
鎖する閉状態と前記流路を開放する開状態との間で前記
開閉用ダイヤフラムを作動させる作動手段と、前記作動
手段が前記開閉用ダイヤフラムを作動させる作動圧によ
っては実質的に変形しない部材にて形成され、前記開閉
用ダイヤフラムの内側をシールすることによって密閉空
間を形成する密閉空間形成部材と、前記密閉空間に満た
された非圧縮性流体と、を備えている。
【００１９】また、請求項７の発明は、基板に処理液を
供給して所定の処理を行う基板処理ユニットにおいて、
基板を保持する保持部と、前記保持部に保持された基板
に処理液を吐出する吐出ノズルと、前記吐出ノズルに処
理液を送給する送給源と、前記送給源と前記吐出ノズル
とを連通して前記送給源からの処理液を前記吐出ノズル
に導く配管と、前記配管の経路途中に設けられた請求項
１から請求項６のいずれかに記載のダイヤフラムバルブ
と、を備えている。
供給して所定の処理を行う基板処理ユニットにおいて、
基板を保持する保持部と、前記保持部に保持された基板
に処理液を吐出する吐出ノズルと、前記吐出ノズルに処
理液を送給する送給源と、前記送給源と前記吐出ノズル
とを連通して前記送給源からの処理液を前記吐出ノズル
に導く配管と、前記配管の経路途中に設けられた請求項
１から請求項６のいずれかに記載のダイヤフラムバルブ
と、を備えている。
【００２０】また、請求項８の発明は、請求項７の発明
に係る基板処理ユニットにおいて、前記送給源から前記
吐出ノズルに送給する処理液の流量を制御する流量制御
手段と、前記吐出ノズルからの処理液吐出を停止する際
に、前記送給源から前記吐出ノズルに送給する処理液の
流量が所定値に到達した時点で前記開閉用ダイヤフラム
が前記閉状態となるように前記作動手段を制御する開閉
制御手段と、をさらに備えている。
に係る基板処理ユニットにおいて、前記送給源から前記
吐出ノズルに送給する処理液の流量を制御する流量制御
手段と、前記吐出ノズルからの処理液吐出を停止する際
に、前記送給源から前記吐出ノズルに送給する処理液の
流量が所定値に到達した時点で前記開閉用ダイヤフラム
が前記閉状態となるように前記作動手段を制御する開閉
制御手段と、をさらに備えている。
【００２１】また、請求項９の発明は、請求項７または
請求項８の発明に係る基板処理ユニットにおいて、前記
処理液をフォトレジストとしている。
請求項８の発明に係る基板処理ユニットにおいて、前記
処理液をフォトレジストとしている。
【００２２】また、請求項１０の発明は、基板に複数工
程からなる一連の処理を行う基板処理装置において、請
求項９記載の基板処理ユニットと、基板に現像処理を行
う現像処理ユニットと、基板に熱処理を行う熱処理ユニ
ットと、前記各装置間にて基板を搬送する搬送手段と、
を備えている。
程からなる一連の処理を行う基板処理装置において、請
求項９記載の基板処理ユニットと、基板に現像処理を行
う現像処理ユニットと、基板に熱処理を行う熱処理ユニ
ットと、前記各装置間にて基板を搬送する搬送手段と、
を備えている。
【００２３】また、請求項１１の発明は、請求項１０の
発明に係る基板処理装置において、前記搬送手段に未処
理基板を渡すとともに前記搬送手段から処理済基板を受
け取るインデクサと、装置外部の露光ユニットと前記搬
送手段との間で基板の受け渡しを行うインターフェイス
と、をさらに備えている。
発明に係る基板処理装置において、前記搬送手段に未処
理基板を渡すとともに前記搬送手段から処理済基板を受
け取るインデクサと、装置外部の露光ユニットと前記搬
送手段との間で基板の受け渡しを行うインターフェイス
と、をさらに備えている。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。
実施の形態について詳細に説明する。
【００２５】＜１．第１実施形態＞図１は、本発明に係
る基板処理装置１の全体構成を示す平面図である。な
お、図１および以降の各図にはそれらの方向関係を明確
にするため必要に応じてＺ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ
平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系を付している。
る基板処理装置１の全体構成を示す平面図である。な
お、図１および以降の各図にはそれらの方向関係を明確
にするため必要に応じてＺ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ
平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系を付している。
【００２６】この基板処理装置１は、基板にレジスト塗
布処理や現像処理を行う装置であって、基板の搬出入を
行うインデクサＩＤと、基板に処理を行う複数の処理ユ
ニットからなる第１処理部群ＰＧ１，第２処理部群ＰＧ
２と、図示を省略する露光装置（ステッパ）との基板の
受け渡しを行うインターフェイスＩＦと、搬送ロボット
ＴＲとを備えている。
布処理や現像処理を行う装置であって、基板の搬出入を
行うインデクサＩＤと、基板に処理を行う複数の処理ユ
ニットからなる第１処理部群ＰＧ１，第２処理部群ＰＧ
２と、図示を省略する露光装置（ステッパ）との基板の
受け渡しを行うインターフェイスＩＦと、搬送ロボット
ＴＲとを備えている。
【００２７】インデクサＩＤは、複数枚の基板を収納可
能なキャリア（図示省略）を載置するとともに移載ロボ
ットを備え、未処理基板を当該キャリアから搬送ロボッ
トＴＲに払い出すとともに処理済基板を搬送ロボットＴ
Ｒから受け取ってキャリアに格納する。なお、キャリア
の形態としては、収納基板を外気に曝すＯＣ(open case
tte)であっても良いし、基板を密閉空間に収納するＦＯ
ＵＰ(front opening unified pod)や、ＳＭＩＦ(Standa
rd Mechanical Inter Face)ポッドであっても良い。本
実施形態では、キャリアに２５枚の基板を収納している
ものとする。
能なキャリア（図示省略）を載置するとともに移載ロボ
ットを備え、未処理基板を当該キャリアから搬送ロボッ
トＴＲに払い出すとともに処理済基板を搬送ロボットＴ
Ｒから受け取ってキャリアに格納する。なお、キャリア
の形態としては、収納基板を外気に曝すＯＣ(open case
tte)であっても良いし、基板を密閉空間に収納するＦＯ
ＵＰ(front opening unified pod)や、ＳＭＩＦ(Standa
rd Mechanical Inter Face)ポッドであっても良い。本
実施形態では、キャリアに２５枚の基板を収納している
ものとする。
【００２８】インターフェイスＩＦは、搬送ロボットＴ
Ｒからレジスト塗布処理済の基板を受け取って図外の露
光装置に渡すとともに、該露光装置から露光済の基板を
受け取って搬送ロボットＴＲに渡す機能を有する。ま
た、インターフェイスＩＦは、露光装置との受け渡しタ
イミングの調整を行うべく、露光前後の基板を一時的に
ストックするバッファ機能を有し、図示を省略している
が、搬送ロボットＴＲとの間で基板を受け渡すロボット
と、基板を載置するバッファカセットとを備えている。
Ｒからレジスト塗布処理済の基板を受け取って図外の露
光装置に渡すとともに、該露光装置から露光済の基板を
受け取って搬送ロボットＴＲに渡す機能を有する。ま
た、インターフェイスＩＦは、露光装置との受け渡しタ
イミングの調整を行うべく、露光前後の基板を一時的に
ストックするバッファ機能を有し、図示を省略している
が、搬送ロボットＴＲとの間で基板を受け渡すロボット
と、基板を載置するバッファカセットとを備えている。
【００２９】基板処理装置１は、基板に処理を行うため
の複数の処理ユニット（処理部）を備えており、そのう
ちの一部が第１処理部群ＰＧ１を構成し、残部が第２処
理部群ＰＧ２を構成する。図２は、第１処理部群ＰＧ１
および第２処理部群ＰＧ２の構成を示す図である。第１
処理部群ＰＧ１は、液処理ユニットたる塗布処理ユニッ
トＳＣ１，ＳＣ２（レジスト塗布処理部）の上方に複数
の熱処理ユニットを配置して構成されている。なお、図
２においては、図示の便宜上処理ユニットを平面的に配
置しているが、実際にはこれらは高さ方向（Ｚ軸方向）
に積層されているものである。
の複数の処理ユニット（処理部）を備えており、そのう
ちの一部が第１処理部群ＰＧ１を構成し、残部が第２処
理部群ＰＧ２を構成する。図２は、第１処理部群ＰＧ１
および第２処理部群ＰＧ２の構成を示す図である。第１
処理部群ＰＧ１は、液処理ユニットたる塗布処理ユニッ
トＳＣ１，ＳＣ２（レジスト塗布処理部）の上方に複数
の熱処理ユニットを配置して構成されている。なお、図
２においては、図示の便宜上処理ユニットを平面的に配
置しているが、実際にはこれらは高さ方向（Ｚ軸方向）
に積層されているものである。
【００３０】塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２は、基板
主面にフォトレジストを供給し、基板を回転させること
によって均一なレジスト塗布を行う、いわゆるスピンコ
ータである。塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２には、本
発明に係るダイヤフラムバルブが組み込まれているので
あるが、これについては後に詳述する。
主面にフォトレジストを供給し、基板を回転させること
によって均一なレジスト塗布を行う、いわゆるスピンコ
ータである。塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２には、本
発明に係るダイヤフラムバルブが組み込まれているので
あるが、これについては後に詳述する。
【００３１】塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２の上方に
は３段に積層された熱処理ユニットが３列設けられてい
る。すなわち、下から順に冷却ユニットＣＰ１、密着強
化ユニットＡＨ（密着強化処理部）、加熱ユニットＨＰ
１が積層された列と、冷却ユニットＣＰ２、加熱ユニッ
トＨＰ２、加熱ユニットＨＰ３が積層された列と、冷却
ユニットＣＰ３、加熱ユニットＨＰ４、加熱ユニットＨ
Ｐ５が積層された列とが設けられている。
は３段に積層された熱処理ユニットが３列設けられてい
る。すなわち、下から順に冷却ユニットＣＰ１、密着強
化ユニットＡＨ（密着強化処理部）、加熱ユニットＨＰ
１が積層された列と、冷却ユニットＣＰ２、加熱ユニッ
トＨＰ２、加熱ユニットＨＰ３が積層された列と、冷却
ユニットＣＰ３、加熱ユニットＨＰ４、加熱ユニットＨ
Ｐ５が積層された列とが設けられている。
【００３２】同様に、第２処理部群ＰＧ２は、液処理ユ
ニットたる現像処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の上方に複
数の熱処理ユニットを配置して構成されている。現像処
理ユニットＳＤ１，ＳＤ２は、露光後の基板上に現像液
を供給することによって現像処理を行う、いわゆるスピ
ンデベロッパである。現像処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２
の上方には３段に積層された熱処理ユニットが３列設け
られている。すなわち、下から順に冷却ユニットＣＰ
４、露光後ベークユニットＰＥＢ、加熱ユニットＨＰ６
が積層された列と、冷却ユニットＣＰ５、加熱ユニット
ＨＰ７、加熱ユニットＨＰ８が積層された列と、冷却ユ
ニットＣＰ６、加熱ユニットＨＰ９、加熱ユニットＨＰ
１０が積層された列とが設けられている。
ニットたる現像処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の上方に複
数の熱処理ユニットを配置して構成されている。現像処
理ユニットＳＤ１，ＳＤ２は、露光後の基板上に現像液
を供給することによって現像処理を行う、いわゆるスピ
ンデベロッパである。現像処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２
の上方には３段に積層された熱処理ユニットが３列設け
られている。すなわち、下から順に冷却ユニットＣＰ
４、露光後ベークユニットＰＥＢ、加熱ユニットＨＰ６
が積層された列と、冷却ユニットＣＰ５、加熱ユニット
ＨＰ７、加熱ユニットＨＰ８が積層された列と、冷却ユ
ニットＣＰ６、加熱ユニットＨＰ９、加熱ユニットＨＰ
１０が積層された列とが設けられている。
【００３３】加熱ユニットＨＰ１〜ＨＰ１０は、基板を
加熱して所定の温度にまで昇温する、いわゆるホットプ
レートである。また、密着強化ユニットＡＨおよび露光
後ベークユニットＰＥＢもそれぞれレジスト塗布処理前
および露光直後に基板を加熱する加熱ユニットである。
冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ６は、基板を冷却して所定の
温度にまで降温するとともに、基板を当該所定の温度に
維持する、いわゆるクールプレートである。
加熱して所定の温度にまで昇温する、いわゆるホットプ
レートである。また、密着強化ユニットＡＨおよび露光
後ベークユニットＰＥＢもそれぞれレジスト塗布処理前
および露光直後に基板を加熱する加熱ユニットである。
冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ６は、基板を冷却して所定の
温度にまで降温するとともに、基板を当該所定の温度に
維持する、いわゆるクールプレートである。
【００３４】本明細書においては、これら基板の温度調
整を行う処理ユニット（加熱ユニットおよび冷却ユニッ
ト）を熱処理ユニットと称する。また、塗布処理ユニッ
トＳＣ１，ＳＣ２および現像処理ユニットＳＤ１，ＳＤ
２の如き基板に処理液を供給して所定の処理を行う処理
ユニットを液処理ユニットと称する。そして、液処理ユ
ニットおよび熱処理ユニットを総称して処理ユニットと
する。
整を行う処理ユニット（加熱ユニットおよび冷却ユニッ
ト）を熱処理ユニットと称する。また、塗布処理ユニッ
トＳＣ１，ＳＣ２および現像処理ユニットＳＤ１，ＳＤ
２の如き基板に処理液を供給して所定の処理を行う処理
ユニットを液処理ユニットと称する。そして、液処理ユ
ニットおよび熱処理ユニットを総称して処理ユニットと
する。
【００３５】なお、熱処理ユニットの直下には、液処理
ユニット側に温湿度の管理されたクリーンエアーのダウ
ンフローを形成するフィルタファンユニットＦＦＵが設
けられている。また、図示を省略しているが、搬送ロボ
ットＴＲが配置された上方の位置にも、搬送空間に向け
てクリーンエアーのダウンフローを形成するフィルタフ
ァンユニットが設けられている。
ユニット側に温湿度の管理されたクリーンエアーのダウ
ンフローを形成するフィルタファンユニットＦＦＵが設
けられている。また、図示を省略しているが、搬送ロボ
ットＴＲが配置された上方の位置にも、搬送空間に向け
てクリーンエアーのダウンフローを形成するフィルタフ
ァンユニットが設けられている。
【００３６】また、基板処理装置１の内部にはコントロ
ーラＣＲが設けられている。コントローラＣＲは、メモ
リやＣＰＵ等からなるコンピュータを用いて構成されて
いる。コントローラＣＲは、所定の処理プログラムにし
たがって搬送ロボットＴＲの搬送動作を制御するととも
に、各処理ユニットに指示を与えて処理条件を設定す
る。
ーラＣＲが設けられている。コントローラＣＲは、メモ
リやＣＰＵ等からなるコンピュータを用いて構成されて
いる。コントローラＣＲは、所定の処理プログラムにし
たがって搬送ロボットＴＲの搬送動作を制御するととも
に、各処理ユニットに指示を与えて処理条件を設定す
る。
【００３７】図３は、搬送ロボットＴＲの外観斜視図で
ある。搬送ロボットＴＲは、伸縮体４０の上部に搬送ア
ーム３１ａ，３１ｂを備えたアームステージ３５を設け
るとともに、伸縮体４０によってテレスコピック型の多
段入れ子構造を実現している。
ある。搬送ロボットＴＲは、伸縮体４０の上部に搬送ア
ーム３１ａ，３１ｂを備えたアームステージ３５を設け
るとともに、伸縮体４０によってテレスコピック型の多
段入れ子構造を実現している。
【００３８】伸縮体４０は、上から順に４つの分割体４
０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄによって構成されてい
る。分割体４０ａは分割体４０ｂに収容可能であり、分
割体４０ｂは分割体４０ｃに収容可能であり、分割体４
０ｃは分割体４０ｄに収容可能である。そして、分割体
４０ａ〜４０ｄを順次に収納していくことによって伸縮
体４０は収縮し、逆に分割体４０ａ〜４０ｄを順次に引
き出していくことによって伸縮体４０は伸張する。すな
わち、伸縮体４０の収縮時においては、分割体４０ａが
分割体４０ｂに収容され、分割体４０ｂが分割体４０ｃ
に収容され、分割体４０ｃが分割体４０ｄに収容され
る。一方、伸縮体４０の伸張時においては、分割体４０
ａが分割体４０ｂから引き出され、分割体４０ｂが分割
体４０ｃから引き出され、分割体４０ｃが分割体４０ｄ
から引き出される。
０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄによって構成されてい
る。分割体４０ａは分割体４０ｂに収容可能であり、分
割体４０ｂは分割体４０ｃに収容可能であり、分割体４
０ｃは分割体４０ｄに収容可能である。そして、分割体
４０ａ〜４０ｄを順次に収納していくことによって伸縮
体４０は収縮し、逆に分割体４０ａ〜４０ｄを順次に引
き出していくことによって伸縮体４０は伸張する。すな
わち、伸縮体４０の収縮時においては、分割体４０ａが
分割体４０ｂに収容され、分割体４０ｂが分割体４０ｃ
に収容され、分割体４０ｃが分割体４０ｄに収容され
る。一方、伸縮体４０の伸張時においては、分割体４０
ａが分割体４０ｂから引き出され、分割体４０ｂが分割
体４０ｃから引き出され、分割体４０ｃが分割体４０ｄ
から引き出される。
【００３９】伸縮体４０の伸縮動作は、その内部に設け
られた伸縮昇降機構によって実現される。伸縮昇降機構
としては、例えば、ベルトとローラとを複数組み合わせ
たものをモータによって駆動する機構を採用することが
できる。搬送ロボットＴＲは、このような伸縮昇降機構
によって搬送アーム３１ａ，３１ｂの昇降動作を行うこ
とができる。
られた伸縮昇降機構によって実現される。伸縮昇降機構
としては、例えば、ベルトとローラとを複数組み合わせ
たものをモータによって駆動する機構を採用することが
できる。搬送ロボットＴＲは、このような伸縮昇降機構
によって搬送アーム３１ａ，３１ｂの昇降動作を行うこ
とができる。
【００４０】また、搬送ロボットＴＲは、搬送アーム３
１ａ，３１ｂの水平進退移動および回転動作を行うこと
もできる。具体的には、分割体４０ａの上部にアームス
テージ３５が設けられており、そのアームステージ３５
によって搬送アーム３１ａ，３１ｂの水平進退移動およ
び回転動作を行う。すなわち、アームステージ３５が搬
送アーム３１ａ，３１ｂのそれぞれのアームセグメント
を屈伸させることにより搬送アーム３１ａ，３１ｂが水
平進退移動を行い、アームステージ３５自体が伸縮体４
０に対して回転動作を行うことにより搬送アーム３１
ａ，３１ｂが回転動作を行う。
１ａ，３１ｂの水平進退移動および回転動作を行うこと
もできる。具体的には、分割体４０ａの上部にアームス
テージ３５が設けられており、そのアームステージ３５
によって搬送アーム３１ａ，３１ｂの水平進退移動およ
び回転動作を行う。すなわち、アームステージ３５が搬
送アーム３１ａ，３１ｂのそれぞれのアームセグメント
を屈伸させることにより搬送アーム３１ａ，３１ｂが水
平進退移動を行い、アームステージ３５自体が伸縮体４
０に対して回転動作を行うことにより搬送アーム３１
ａ，３１ｂが回転動作を行う。
【００４１】従って、搬送ロボットＴＲは、搬送アーム
３１ａ，３１ｂを高さ方向に昇降動作させること、回転
動作させることおよび水平方向に進退移動させることが
できる。つまり、搬送ロボットＴＲは、搬送アーム３１
ａ，３１ｂを３次元的に移動させることができる。そし
て、基板Ｗを保持した搬送アーム３１ａ，３１ｂが３次
元的に移動して複数の処理ユニットとの間で基板Ｗの受
け渡しを行うことによりそれら複数の処理ユニットに対
して基板Ｗを搬送して当該基板Ｗに種々の処理を行わせ
ることができる。
３１ａ，３１ｂを高さ方向に昇降動作させること、回転
動作させることおよび水平方向に進退移動させることが
できる。つまり、搬送ロボットＴＲは、搬送アーム３１
ａ，３１ｂを３次元的に移動させることができる。そし
て、基板Ｗを保持した搬送アーム３１ａ，３１ｂが３次
元的に移動して複数の処理ユニットとの間で基板Ｗの受
け渡しを行うことによりそれら複数の処理ユニットに対
して基板Ｗを搬送して当該基板Ｗに種々の処理を行わせ
ることができる。
【００４２】次に、上記の基板処理装置１における基板
処理の手順について簡単に説明する。図４は、基板処理
装置１における基板処理の手順の一例を示す図である。
まず、インデクサＩＤから搬送ロボットＴＲに払い出さ
れた未処理の基板Ｗは、密着強化ユニットＡＨに搬入さ
れる。密着強化ユニットＡＨは、基板Ｗに加熱処理を行
って基板Ｗとレジストとの密着性を向上させる密着強化
処理部であり、より正確には加熱した状態の基板Ｗにベ
ーパ状にしたＨＭＤＳ（Hexa Methyl Di Silazan）を吹
き付けることによって密着性を強化する。次に、搬送ロ
ボットＴＲは、密着強化処理の終了した基板Ｗを密着強
化ユニットＡＨから冷却ユニットＣＰ１に搬送する。冷
却ユニットＣＰ１は、密着強化ユニットＡＨにて加熱処
理が行われた基板Ｗの冷却処理を行うクールプレートで
ある。
処理の手順について簡単に説明する。図４は、基板処理
装置１における基板処理の手順の一例を示す図である。
まず、インデクサＩＤから搬送ロボットＴＲに払い出さ
れた未処理の基板Ｗは、密着強化ユニットＡＨに搬入さ
れる。密着強化ユニットＡＨは、基板Ｗに加熱処理を行
って基板Ｗとレジストとの密着性を向上させる密着強化
処理部であり、より正確には加熱した状態の基板Ｗにベ
ーパ状にしたＨＭＤＳ（Hexa Methyl Di Silazan）を吹
き付けることによって密着性を強化する。次に、搬送ロ
ボットＴＲは、密着強化処理の終了した基板Ｗを密着強
化ユニットＡＨから冷却ユニットＣＰ１に搬送する。冷
却ユニットＣＰ１は、密着強化ユニットＡＨにて加熱処
理が行われた基板Ｗの冷却処理を行うクールプレートで
ある。
【００４３】冷却処理の終了した基板Ｗは、搬送ロボッ
トＴＲによって冷却ユニットＣＰ１から塗布処理ユニッ
トＳＣ１へと搬送される。塗布処理ユニットＳＣ１は、
基板Ｗの主面にレジストを供給し、基板を回転させてレ
ジスト塗布処理を行う。供給されたレジストは遠心力に
よって基板Ｗの主面全体に拡がり、レジスト膜を形成す
る。
トＴＲによって冷却ユニットＣＰ１から塗布処理ユニッ
トＳＣ１へと搬送される。塗布処理ユニットＳＣ１は、
基板Ｗの主面にレジストを供給し、基板を回転させてレ
ジスト塗布処理を行う。供給されたレジストは遠心力に
よって基板Ｗの主面全体に拡がり、レジスト膜を形成す
る。
【００４４】次に、レジスト塗布処理の終了した基板Ｗ
は、搬送ロボットＴＲによって塗布処理ユニットＳＣ１
から加熱ユニットＨＰ１へと搬送される。加熱ユニット
ＨＰ１は、塗布処理ユニットＳＣ１にてレジスト塗布が
行われた基板Ｗの加熱処理を行うホットプレートであ
る。この加熱処理は「プリベーク」と称される熱処理で
あり、基板Ｗに塗布されたレジスト中の余分な溶媒成分
を蒸発させ、レジストと基板Ｗとの密着性を強固にして
安定した感度のレジスト膜を形成する処理である。
は、搬送ロボットＴＲによって塗布処理ユニットＳＣ１
から加熱ユニットＨＰ１へと搬送される。加熱ユニット
ＨＰ１は、塗布処理ユニットＳＣ１にてレジスト塗布が
行われた基板Ｗの加熱処理を行うホットプレートであ
る。この加熱処理は「プリベーク」と称される熱処理で
あり、基板Ｗに塗布されたレジスト中の余分な溶媒成分
を蒸発させ、レジストと基板Ｗとの密着性を強固にして
安定した感度のレジスト膜を形成する処理である。
【００４５】プリベークの終了した基板Ｗは、搬送ロボ
ットＴＲによって加熱ユニットＨＰ１から冷却ユニット
ＣＰ２へと搬送される。冷却ユニットＣＰ２は、プリベ
ーク後の基板Ｗの冷却処理を行う。
ットＴＲによって加熱ユニットＨＰ１から冷却ユニット
ＣＰ２へと搬送される。冷却ユニットＣＰ２は、プリベ
ーク後の基板Ｗの冷却処理を行う。
【００４６】冷却処理終了後、搬送ロボットＴＲは、冷
却ユニットＣＰ２からインターフェイスＩＦに基板Ｗを
搬送する。インターフェイスＩＦは、搬送ロボットＴＲ
から受け取ったレジスト膜が形成された基板Ｗを露光装
置（ステッパ）に渡す。露光装置はその基板Ｗに露光処
理を行う。露光処理後の基板Ｗは露光装置から再びイン
ターフェイスＩＦに戻される。
却ユニットＣＰ２からインターフェイスＩＦに基板Ｗを
搬送する。インターフェイスＩＦは、搬送ロボットＴＲ
から受け取ったレジスト膜が形成された基板Ｗを露光装
置（ステッパ）に渡す。露光装置はその基板Ｗに露光処
理を行う。露光処理後の基板Ｗは露光装置から再びイン
ターフェイスＩＦに戻される。
【００４７】インターフェイスＩＦに戻された基板Ｗ
は、搬送ロボットＴＲによって露光後ベークユニットＰ
ＥＢに搬送される。露光後ベークユニットＰＥＢは、光
化学反応によって生じた生成物をレジスト膜内で均一に
拡散させる熱処理（露光後ベーク）を行う。この熱処理
によって露光部と未露光部との境界におけるレジストの
波打ちが解消され、良好なパターンが形成される。
は、搬送ロボットＴＲによって露光後ベークユニットＰ
ＥＢに搬送される。露光後ベークユニットＰＥＢは、光
化学反応によって生じた生成物をレジスト膜内で均一に
拡散させる熱処理（露光後ベーク）を行う。この熱処理
によって露光部と未露光部との境界におけるレジストの
波打ちが解消され、良好なパターンが形成される。
【００４８】露光後ベークの終了した基板Ｗは、搬送ロ
ボットＴＲによって露光後ベークユニットＰＥＢから冷
却ユニットＣＰ３へと搬送される。冷却ユニットＣＰ３
は、露光後ベーク後の基板Ｗの冷却処理を行う。その
後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲによって冷却ユニットＣ
Ｐ３から現像処理ユニットＳＤ１へと搬送される。現像
処理ユニットＳＤ１は、露光後の基板Ｗの現像処理を行
う。
ボットＴＲによって露光後ベークユニットＰＥＢから冷
却ユニットＣＰ３へと搬送される。冷却ユニットＣＰ３
は、露光後ベーク後の基板Ｗの冷却処理を行う。その
後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲによって冷却ユニットＣ
Ｐ３から現像処理ユニットＳＤ１へと搬送される。現像
処理ユニットＳＤ１は、露光後の基板Ｗの現像処理を行
う。
【００４９】現像後の基板Ｗは、搬送ロボットＴＲによ
って現像処理ユニットＳＤ１から加熱ユニットＨＰ２へ
と搬送される。加熱ユニットＨＰ２は、現像後の基板Ｗ
の加熱を行う。さらにその後、基板Ｗは搬送ロボットＴ
Ｒによって加熱ユニットＨＰ２から冷却ユニットＣＰ４
へと搬送され、冷却される。
って現像処理ユニットＳＤ１から加熱ユニットＨＰ２へ
と搬送される。加熱ユニットＨＰ２は、現像後の基板Ｗ
の加熱を行う。さらにその後、基板Ｗは搬送ロボットＴ
Ｒによって加熱ユニットＨＰ２から冷却ユニットＣＰ４
へと搬送され、冷却される。
【００５０】冷却ユニットＣＰ４にて冷却された基板Ｗ
は、搬送ロボットＴＲによってインデクサＩＤに戻さ
れ、キャリアに収納される。
は、搬送ロボットＴＲによってインデクサＩＤに戻さ
れ、キャリアに収納される。
【００５１】以上のように、図４に示した手順にしたが
って搬送ロボットＴＲが基板Ｗを搬送することにより、
レジスト塗布処理、現像処理およびそれらに付随する熱
処理からなる一連の処理が基板Ｗに行われる。なお、図
４において塗布処理ユニットＳＣ１の代わりに、それと
同等の機能を有する塗布処理ユニットＳＣ２を使用する
ようにしても良いし、塗布処理ユニットＳＣ１または塗
布処理ユニットＳＣ２のいずれか空いている方に基板Ｗ
を搬入するといういわゆる並列処理を行うようにしても
良い。このことは、現像処理ユニットＳＤ１、加熱ユニ
ットＨＰ１、冷却ユニットＣＰ１等の同等の機能を有す
る他の処理ユニットが存在するものについて同様であ
る。
って搬送ロボットＴＲが基板Ｗを搬送することにより、
レジスト塗布処理、現像処理およびそれらに付随する熱
処理からなる一連の処理が基板Ｗに行われる。なお、図
４において塗布処理ユニットＳＣ１の代わりに、それと
同等の機能を有する塗布処理ユニットＳＣ２を使用する
ようにしても良いし、塗布処理ユニットＳＣ１または塗
布処理ユニットＳＣ２のいずれか空いている方に基板Ｗ
を搬入するといういわゆる並列処理を行うようにしても
良い。このことは、現像処理ユニットＳＤ１、加熱ユニ
ットＨＰ１、冷却ユニットＣＰ１等の同等の機能を有す
る他の処理ユニットが存在するものについて同様であ
る。
【００５２】以上、基板処理装置１の全体構成および基
板処理装置１における処理手順の概略について説明した
が、次に基板処理装置１に備えられた塗布処理ユニット
ＳＣ１についてさらに説明を続ける。なお、以下は塗布
処理ユニットＳＣ１についての説明であるが、塗布処理
ユニットＳＣ２についても同様である。
板処理装置１における処理手順の概略について説明した
が、次に基板処理装置１に備えられた塗布処理ユニット
ＳＣ１についてさらに説明を続ける。なお、以下は塗布
処理ユニットＳＣ１についての説明であるが、塗布処理
ユニットＳＣ２についても同様である。
【００５３】図５は、塗布処理ユニットＳＣ１の要部構
成を示す図である。基板Ｗはスピンチャック４１によっ
て略水平姿勢に保持されている。スピンチャック４１
は、基板Ｗの裏面を真空吸着することによって基板Ｗを
保持するいわゆるバキュームチャックである。なお、ス
ピンチャック４１には、基板Ｗの端縁部を機械的に把持
するいわゆるメカチャックを採用するようにしても良
い。
成を示す図である。基板Ｗはスピンチャック４１によっ
て略水平姿勢に保持されている。スピンチャック４１
は、基板Ｗの裏面を真空吸着することによって基板Ｗを
保持するいわゆるバキュームチャックである。なお、ス
ピンチャック４１には、基板Ｗの端縁部を機械的に把持
するいわゆるメカチャックを採用するようにしても良
い。
【００５４】スピンチャック４１の下面側中央部には図
示を省略するモータのモータ軸４２が垂設されている。
当該モータが駆動してモータ軸４２を正または逆方向に
回転させることにより、スピンチャック４１およびそれ
に保持された基板Ｗも水平面内にて回転する。
示を省略するモータのモータ軸４２が垂設されている。
当該モータが駆動してモータ軸４２を正または逆方向に
回転させることにより、スピンチャック４１およびそれ
に保持された基板Ｗも水平面内にて回転する。
【００５５】塗布処理ユニットＳＣ１にはレジスト塗布
処理時に回転する基板Ｗから飛散するレジストを受け止
めて回収するカップ４３が設けられている。カップ４３
はスピンチャック４１に対して相対的に昇降自在とされ
ており、基板Ｗにレジスト塗布処理を行うときには図５
に示す如くスピンチャック４１に保持された基板Ｗの周
囲にカップ４３が位置する。この状態においては、回転
する基板Ｗから飛散するレジストがカップ４３の内壁面
によって受け止められ、下方の排出口（図示省略）へと
導かれる。また、搬送ロボットＴＲが塗布処理ユニット
ＳＣ１に対して基板Ｗの搬出入を行うときには、カップ
４３の上端よりもスピンチャック４１が突き出た状態と
なる。
処理時に回転する基板Ｗから飛散するレジストを受け止
めて回収するカップ４３が設けられている。カップ４３
はスピンチャック４１に対して相対的に昇降自在とされ
ており、基板Ｗにレジスト塗布処理を行うときには図５
に示す如くスピンチャック４１に保持された基板Ｗの周
囲にカップ４３が位置する。この状態においては、回転
する基板Ｗから飛散するレジストがカップ４３の内壁面
によって受け止められ、下方の排出口（図示省略）へと
導かれる。また、搬送ロボットＴＲが塗布処理ユニット
ＳＣ１に対して基板Ｗの搬出入を行うときには、カップ
４３の上端よりもスピンチャック４１が突き出た状態と
なる。
【００５６】レジスト塗布処理時には、スピンチャック
４１に保持した基板Ｗを回転させつつ吐出ノズル４５か
ら基板Ｗにレジストを吐出する。吐出ノズル４５は、レ
ジスト配管２０を介してレジスト供給源たるレジストポ
ンプ３０と連通接続されている。レジストポンプ３０と
吐出ノズル４５とを連通するレジスト配管２０には、フ
ィルター３７および本発明に係るダイヤフラムバルブ１
０が設けられている。レジストポンプ３０は、レジスト
瓶３６に貯留されているレジストを吸い上げてレジスト
配管２０に送り出す。レジスト配管２０に送り出された
レジストはフィルター３７を通過して浄化される。ダイ
ヤフラムバルブ１０が開放されているときには、浄化さ
れたレジストがさらにダイヤフラムバルブ１０を通過し
て吐出ノズル４５に導かれ、吐出ノズル４５から回転す
る基板Ｗに向けて吐出される。
４１に保持した基板Ｗを回転させつつ吐出ノズル４５か
ら基板Ｗにレジストを吐出する。吐出ノズル４５は、レ
ジスト配管２０を介してレジスト供給源たるレジストポ
ンプ３０と連通接続されている。レジストポンプ３０と
吐出ノズル４５とを連通するレジスト配管２０には、フ
ィルター３７および本発明に係るダイヤフラムバルブ１
０が設けられている。レジストポンプ３０は、レジスト
瓶３６に貯留されているレジストを吸い上げてレジスト
配管２０に送り出す。レジスト配管２０に送り出された
レジストはフィルター３７を通過して浄化される。ダイ
ヤフラムバルブ１０が開放されているときには、浄化さ
れたレジストがさらにダイヤフラムバルブ１０を通過し
て吐出ノズル４５に導かれ、吐出ノズル４５から回転す
る基板Ｗに向けて吐出される。
【００５７】また、ダイヤフラムバルブ１０にはエア配
管４７が連通接続されている。エア配管４７は、供給管
４７ａとリーク管４７ｂとの２つに分岐されている。リ
ーク管４７ｂにはリークバルブ４９が設けられている。
一方、供給管４７ａには電磁弁４８およびエアポンプ４
６が設けられている。ダイヤフラムバルブ１０の構成に
ついては後述するが、リークバルブ４９を閉鎖して電磁
弁４８を開放することによりエア配管４７からダイヤフ
ラムバルブ１０にエアを供給してダイヤフラムバルブ１
０を開放することができる。逆に、リークバルブ４９を
開放して電磁弁４８を閉鎖することによりエア配管４７
を介してダイヤフラムバルブ１０から空気をリークして
ダイヤフラムバルブ１０を閉鎖することができる。
管４７が連通接続されている。エア配管４７は、供給管
４７ａとリーク管４７ｂとの２つに分岐されている。リ
ーク管４７ｂにはリークバルブ４９が設けられている。
一方、供給管４７ａには電磁弁４８およびエアポンプ４
６が設けられている。ダイヤフラムバルブ１０の構成に
ついては後述するが、リークバルブ４９を閉鎖して電磁
弁４８を開放することによりエア配管４７からダイヤフ
ラムバルブ１０にエアを供給してダイヤフラムバルブ１
０を開放することができる。逆に、リークバルブ４９を
開放して電磁弁４８を閉鎖することによりエア配管４７
を介してダイヤフラムバルブ１０から空気をリークして
ダイヤフラムバルブ１０を閉鎖することができる。
【００５８】また、既述したコントローラＣＲには流量
制御部３８および開閉制御部３９が設けられている。流
量制御部３８および開閉制御部３９はいずれもコントロ
ーラＣＲのＣＰＵが所定の処理プログラムを実行するこ
とによって実現される処理部である。レジストポンプ３
０はレジスト配管２０に送り出すレジストの流量を調整
する機能を有しており、流量制御部３８はレジスト配管
２０に送り出されるレジストの流量が所定量となるよう
にレジストポンプ３０を制御する。一方、開閉制御部３
９は電磁弁４８およびリークバルブ４９を制御してダイ
ヤフラムバルブ１０にエアを供給することとダイヤフラ
ムバルブ１０からエアをリークすることとを切り替え、
ダイヤフラムバルブ１０の開閉を制御する。
制御部３８および開閉制御部３９が設けられている。流
量制御部３８および開閉制御部３９はいずれもコントロ
ーラＣＲのＣＰＵが所定の処理プログラムを実行するこ
とによって実現される処理部である。レジストポンプ３
０はレジスト配管２０に送り出すレジストの流量を調整
する機能を有しており、流量制御部３８はレジスト配管
２０に送り出されるレジストの流量が所定量となるよう
にレジストポンプ３０を制御する。一方、開閉制御部３
９は電磁弁４８およびリークバルブ４９を制御してダイ
ヤフラムバルブ１０にエアを供給することとダイヤフラ
ムバルブ１０からエアをリークすることとを切り替え、
ダイヤフラムバルブ１０の開閉を制御する。
【００５９】図６および図７は、本発明に係るダイヤフ
ラムバルブ１０の構造および動作を示す図である。ダイ
ヤフラムバルブ１０は、レジスト配管２０の経路途中に
設けられており、上流側配管２０ａ、開閉室１１、連結
配管２０ｃ、補助室２１および下流側配管２０ｂを直列
に連結して構成されている。従って、ダイヤフラムバル
ブ１０は、レジストが流入する１つの流入口２６と該レ
ジストが流出する１つの流出口２７とを有する。なお、
上流側配管２０ａおよび下流側配管２０ｂは、そのまま
レジスト配管２０の一部をも構成している。
ラムバルブ１０の構造および動作を示す図である。ダイ
ヤフラムバルブ１０は、レジスト配管２０の経路途中に
設けられており、上流側配管２０ａ、開閉室１１、連結
配管２０ｃ、補助室２１および下流側配管２０ｂを直列
に連結して構成されている。従って、ダイヤフラムバル
ブ１０は、レジストが流入する１つの流入口２６と該レ
ジストが流出する１つの流出口２７とを有する。なお、
上流側配管２０ａおよび下流側配管２０ｂは、そのまま
レジスト配管２０の一部をも構成している。
【００６０】上流側配管２０ａの端部は開閉室１１の底
部に連通接続されている。なお、上流側配管２０ａの他
端部はレジストポンプ３０に（厳密にはフィルター３７
に）接続されている。よって、レジストポンプ３０から
送り出されたレジストは上流側配管２０ａ内の上流側流
路２５ａを通過して開閉室１１に流れ込む。
部に連通接続されている。なお、上流側配管２０ａの他
端部はレジストポンプ３０に（厳密にはフィルター３７
に）接続されている。よって、レジストポンプ３０から
送り出されたレジストは上流側配管２０ａ内の上流側流
路２５ａを通過して開閉室１１に流れ込む。
【００６１】開閉室１１は中空の箱状部材であり、その
内部にはピストン１２と、バネ１３と、隔壁１４と、ダ
イヤフラム１５とが設けられている。ピストン１２は、
開閉室１１の内部にて図面の縦方向に沿って摺動自在に
構成されている。バネ１３は、ピストン１２の上面と開
閉室１１の上部内壁面との間に配置されている。
内部にはピストン１２と、バネ１３と、隔壁１４と、ダ
イヤフラム１５とが設けられている。ピストン１２は、
開閉室１１の内部にて図面の縦方向に沿って摺動自在に
構成されている。バネ１３は、ピストン１２の上面と開
閉室１１の上部内壁面との間に配置されている。
【００６２】隔壁１４は開閉室１１の内部を上下に仕切
る平板状の部材であって、その中央部にはピストン１２
が貫通している。ピストン１２は隔壁１４に対して摺動
自在ではあるものの、ピストン１２と隔壁１４との接触
部分は完全にシールされており、エア配管４７から開閉
室１１に空気が送り込まれたときにその空気が隔壁１４
よりも下側（ダイヤフラム１５側）に漏れることはな
い。
る平板状の部材であって、その中央部にはピストン１２
が貫通している。ピストン１２は隔壁１４に対して摺動
自在ではあるものの、ピストン１２と隔壁１４との接触
部分は完全にシールされており、エア配管４７から開閉
室１１に空気が送り込まれたときにその空気が隔壁１４
よりも下側（ダイヤフラム１５側）に漏れることはな
い。
【００６３】ダイヤフラム１５の周縁部は開閉室１１の
内壁面に固設されている。ダイヤフラム１５は、レジス
トに直接接触するためフッ化樹脂（例えばテフロン（登
録商標））を用いて形成するのが好ましい。ダイヤフラ
ム１５の中央部はピストン１２の下端部と固設されてい
る。また、ダイヤフラム１５の中央部はリンク棒２３の
一端部とも固設されている。
内壁面に固設されている。ダイヤフラム１５は、レジス
トに直接接触するためフッ化樹脂（例えばテフロン（登
録商標））を用いて形成するのが好ましい。ダイヤフラ
ム１５の中央部はピストン１２の下端部と固設されてい
る。また、ダイヤフラム１５の中央部はリンク棒２３の
一端部とも固設されている。
【００６４】開閉室１１の底部中央には弁座１６が設け
られている。連結配管２０ｃは、開閉室１１の弁座１６
と補助室２１とを連通接続する。また、連結配管２０ｃ
の内側にはリンク棒２３が遊挿されている。リンク棒２
３は、弁体であるダイヤフラム１５が作動する方向の中
心軸である弁軸Ｑに沿って配置されている。
られている。連結配管２０ｃは、開閉室１１の弁座１６
と補助室２１とを連通接続する。また、連結配管２０ｃ
の内側にはリンク棒２３が遊挿されている。リンク棒２
３は、弁体であるダイヤフラム１５が作動する方向の中
心軸である弁軸Ｑに沿って配置されている。
【００６５】補助室２１の内部にはダイヤフラム２２が
配置されている。ダイヤフラム２２の周縁部は補助室２
１の内壁面に固設されている。ダイヤフラム２２は、ダ
イヤフラム１５と同一のものであり、同じ部材を用いた
同一形状のものとされている。そして、ダイヤフラム２
２の中央部にはリンク棒２３の他端部が固設されてい
る。よって、図示の如くダイヤフラム２２は上記の弁軸
Ｑ上に設けられていることとなる。
配置されている。ダイヤフラム２２の周縁部は補助室２
１の内壁面に固設されている。ダイヤフラム２２は、ダ
イヤフラム１５と同一のものであり、同じ部材を用いた
同一形状のものとされている。そして、ダイヤフラム２
２の中央部にはリンク棒２３の他端部が固設されてい
る。よって、図示の如くダイヤフラム２２は上記の弁軸
Ｑ上に設けられていることとなる。
【００６６】下流側配管２０ｂの端部は補助室２１であ
ってダイヤフラム２２よりも上側部分、つまりレジスト
が流れ込む領域に連通接続されている。下流側配管２０
ｂもレジスト配管２０の一部であり、その他端部はその
まま吐出ノズル４５に連通接続されている。
ってダイヤフラム２２よりも上側部分、つまりレジスト
が流れ込む領域に連通接続されている。下流側配管２０
ｂもレジスト配管２０の一部であり、その他端部はその
まま吐出ノズル４５に連通接続されている。
【００６７】以上のようなダイヤフラムバルブ１０の構
成において、リークバルブ４９を閉鎖しつつ電磁弁４８
を開放すると、図６中矢印ＡＲ６にて示すようにエア配
管４７から開閉室１１内部にエアが供給され、ピストン
１２がバネ１３の弾性力に抗して押し上げられた状態
（図６の状態）となる。ピストン１２が押し上げられる
と、それに固設されたダイヤフラム１５が変形されて弁
座１６から離間する。また、ダイヤフラム１５とダイヤ
フラム２２とは同一形状のものであってかつ両者はリン
ク棒２３にて連結されているため、ピストン１２が押し
上げられると、ダイヤフラム２２もダイヤフラム１５と
全く同じ変形挙動を示す。
成において、リークバルブ４９を閉鎖しつつ電磁弁４８
を開放すると、図６中矢印ＡＲ６にて示すようにエア配
管４７から開閉室１１内部にエアが供給され、ピストン
１２がバネ１３の弾性力に抗して押し上げられた状態
（図６の状態）となる。ピストン１２が押し上げられる
と、それに固設されたダイヤフラム１５が変形されて弁
座１６から離間する。また、ダイヤフラム１５とダイヤ
フラム２２とは同一形状のものであってかつ両者はリン
ク棒２３にて連結されているため、ピストン１２が押し
上げられると、ダイヤフラム２２もダイヤフラム１５と
全く同じ変形挙動を示す。
【００６８】図６に示すように、弁体であるダイヤフラ
ム１５が弁座１６から離間すると、上流側流路２５ａと
下流側流路２５ｂとが連通状態となり、レジストポンプ
３０から送り出されたレジストは上流側流路２５ａから
下流側流路２５ｂを経て吐出ノズル４５に到達し、吐出
ノズル４５から基板Ｗに向けて吐出されることとなる。
すなわち、図６に示す状態が流入口２６から流出口２７
に至る流路２５が開放された開状態である。なお、本実
施形態では、流入口２６から流出口２７に至る流路２５
に開閉用のダイヤフラム１５が設けられており、流路２
５のうちダイヤフラム１５よりも上流側を上流側流路２
５ａとし、下流側を下流側流路２５ｂとしている。
ム１５が弁座１６から離間すると、上流側流路２５ａと
下流側流路２５ｂとが連通状態となり、レジストポンプ
３０から送り出されたレジストは上流側流路２５ａから
下流側流路２５ｂを経て吐出ノズル４５に到達し、吐出
ノズル４５から基板Ｗに向けて吐出されることとなる。
すなわち、図６に示す状態が流入口２６から流出口２７
に至る流路２５が開放された開状態である。なお、本実
施形態では、流入口２６から流出口２７に至る流路２５
に開閉用のダイヤフラム１５が設けられており、流路２
５のうちダイヤフラム１５よりも上流側を上流側流路２
５ａとし、下流側を下流側流路２５ｂとしている。
【００６９】逆に、電磁弁４８を閉鎖してリークバルブ
４９を開放すると、バネ１３の復元力に抗してピストン
１２を押し上げる圧力が存在しなくなる。このため、バ
ネ１３の復元力によってピストン１２が押し下げられ、
開閉室１１内部のエアは図７中矢印ＡＲ７にて示すよう
にエア配管４７から押し出される。ピストン１２が押し
下げられると、それに固設されたダイヤフラム１５が変
形されて弁座１６に密着する。また、上記と同様に、ピ
ストン１２が押し下げられると、ダイヤフラム２２もダ
イヤフラム１５と全く同じ変形挙動を示す。
４９を開放すると、バネ１３の復元力に抗してピストン
１２を押し上げる圧力が存在しなくなる。このため、バ
ネ１３の復元力によってピストン１２が押し下げられ、
開閉室１１内部のエアは図７中矢印ＡＲ７にて示すよう
にエア配管４７から押し出される。ピストン１２が押し
下げられると、それに固設されたダイヤフラム１５が変
形されて弁座１６に密着する。また、上記と同様に、ピ
ストン１２が押し下げられると、ダイヤフラム２２もダ
イヤフラム１５と全く同じ変形挙動を示す。
【００７０】図７に示すように、弁体であるダイヤフラ
ム１５が弁座１６に密着すると、上流側流路２５ａと下
流側流路２５ｂとが遮断された状態となり、レジストポ
ンプ３０から送り出されたレジストは下流側流路２５ｂ
へと流れることができず、吐出ノズル４５に到達するこ
ともない。従って、吐出ノズル４５からのレジスト吐出
は停止される。すなわち、図７に示す状態が流入口２６
から流出口２７に至る流路２５が閉鎖された閉状態であ
る。
ム１５が弁座１６に密着すると、上流側流路２５ａと下
流側流路２５ｂとが遮断された状態となり、レジストポ
ンプ３０から送り出されたレジストは下流側流路２５ｂ
へと流れることができず、吐出ノズル４５に到達するこ
ともない。従って、吐出ノズル４５からのレジスト吐出
は停止される。すなわち、図７に示す状態が流入口２６
から流出口２７に至る流路２５が閉鎖された閉状態であ
る。
【００７１】このように、吐出ノズル４５からのレジス
ト吐出の開始および停止は、ダイヤフラム１５（開閉用
ダイヤフラム）が弁座１６から離間および弁座１６に密
着することによって流入口２６から流出口２７に至る流
路２５を開閉することにより実現される。そして、電磁
弁４８、リークバルブ４９、ピストン１２およびバネ１
３等がダイヤフラム１５を作動させる作動手段として機
能するものである。レジスト塗布処理を行うときには、
開閉制御部３９がリークバルブ４９を閉鎖して電磁弁４
８を開放することによりダイヤフラム１５を弁座１６か
ら離間させて上記流路２５を開放し、逆にレジスト塗布
処理を行わないときには、開閉制御部３９がリークバル
ブ４９を開放して電磁弁４８を閉鎖することによりダイ
ヤフラム１５を弁座１６に密着させて流路２５を閉鎖す
る。
ト吐出の開始および停止は、ダイヤフラム１５（開閉用
ダイヤフラム）が弁座１６から離間および弁座１６に密
着することによって流入口２６から流出口２７に至る流
路２５を開閉することにより実現される。そして、電磁
弁４８、リークバルブ４９、ピストン１２およびバネ１
３等がダイヤフラム１５を作動させる作動手段として機
能するものである。レジスト塗布処理を行うときには、
開閉制御部３９がリークバルブ４９を閉鎖して電磁弁４
８を開放することによりダイヤフラム１５を弁座１６か
ら離間させて上記流路２５を開放し、逆にレジスト塗布
処理を行わないときには、開閉制御部３９がリークバル
ブ４９を開放して電磁弁４８を閉鎖することによりダイ
ヤフラム１５を弁座１６に密着させて流路２５を閉鎖す
る。
【００７２】ところで、既述したように、ダイヤフラム
１５の作動に伴って流入口２６から流出口２７に至る流
路２５に容積変化が生じる。流路２５のうち上流側流路
２５ａの端部はレジストポンプ３０によって閉じられて
いるのに対し、下流側流路２５ｂの端部は吐出ノズル４
５として開放されているため、ダイヤフラム１５の作動
にともなう容積変化の影響は専ら下流側流路２５ｂに生
じる。すなわち、ダイヤフラム１５が弁座１６から離間
するときには下流側流路２５ｂにレジストの引き戻しが
生じ、ダイヤフラム１５が弁座１６に密着するときには
下流側流路２５ｂにレジストの押し出しが生じる。特
に、本実施形態のように、電磁弁４８およびリークバル
ブ４９の開閉のみによってダイヤフラム１５を急速に作
動させるときにはレジストを引き戻すまたは押し出す圧
力が強く作用することとなる。
１５の作動に伴って流入口２６から流出口２７に至る流
路２５に容積変化が生じる。流路２５のうち上流側流路
２５ａの端部はレジストポンプ３０によって閉じられて
いるのに対し、下流側流路２５ｂの端部は吐出ノズル４
５として開放されているため、ダイヤフラム１５の作動
にともなう容積変化の影響は専ら下流側流路２５ｂに生
じる。すなわち、ダイヤフラム１５が弁座１６から離間
するときには下流側流路２５ｂにレジストの引き戻しが
生じ、ダイヤフラム１５が弁座１６に密着するときには
下流側流路２５ｂにレジストの押し出しが生じる。特
に、本実施形態のように、電磁弁４８およびリークバル
ブ４９の開閉のみによってダイヤフラム１５を急速に作
動させるときにはレジストを引き戻すまたは押し出す圧
力が強く作用することとなる。
【００７３】そこで、本実施形態においては、開閉用の
ダイヤフラムであるダイヤフラム１５よりも流路２５の
流出口２７側にダイヤフラム２２を設けている。ダイヤ
フラム２２はダイヤフラム１５と同一形状であって、し
かもダイヤフラム２２とダイヤフラム１５とはリンク棒
２３によって連結されている。
ダイヤフラムであるダイヤフラム１５よりも流路２５の
流出口２７側にダイヤフラム２２を設けている。ダイヤ
フラム２２はダイヤフラム１５と同一形状であって、し
かもダイヤフラム２２とダイヤフラム１５とはリンク棒
２３によって連結されている。
【００７４】従って、ダイヤフラム２２はダイヤフラム
１５と機械的に連動され、ダイヤフラム１５が流路２５
を閉鎖するとき（ダイヤフラム１５が弁座１６に密着す
るとき）には、下流側流路２５ｂ（二次側流路）の容積
を増加するようにダイヤフラム２２が作動する。逆に、
ダイヤフラム１５が流路２５を開放するとき（ダイヤフ
ラム１５が弁座１６から離間するとき）には、下流側流
路２５ｂの容積を減少するようにダイヤフラム２２が作
動する。しかも、ダイヤフラム２２とダイヤフラム１５
とは同一形状であるため、ダイヤフラム１５の作動にと
もなう容積変化と全く等量であって逆向きの容積増減が
ダイヤフラム２２の作動によって達成されるのである。
１５と機械的に連動され、ダイヤフラム１５が流路２５
を閉鎖するとき（ダイヤフラム１５が弁座１６に密着す
るとき）には、下流側流路２５ｂ（二次側流路）の容積
を増加するようにダイヤフラム２２が作動する。逆に、
ダイヤフラム１５が流路２５を開放するとき（ダイヤフ
ラム１５が弁座１６から離間するとき）には、下流側流
路２５ｂの容積を減少するようにダイヤフラム２２が作
動する。しかも、ダイヤフラム２２とダイヤフラム１５
とは同一形状であるため、ダイヤフラム１５の作動にと
もなう容積変化と全く等量であって逆向きの容積増減が
ダイヤフラム２２の作動によって達成されるのである。
【００７５】換言すれば、ダイヤフラム１５が作動した
ときに流路２５のうちダイヤフラム１５よりも流出口２
７側の二次側流路である下流側流路２５ｂに生じる容積
変化を補償するようにダイヤフラム２２は作動する。
ときに流路２５のうちダイヤフラム１５よりも流出口２
７側の二次側流路である下流側流路２５ｂに生じる容積
変化を補償するようにダイヤフラム２２は作動する。
【００７６】従って、電磁弁４８およびリークバルブ４
９の開閉のみによってダイヤフラム１５を急速に作動さ
せたとしても、それにともなう容積変化はダイヤフラム
１５に連動するダイヤフラム２２によって直ちに補償さ
れ、下流側流路２５ｂにレジストの引き戻しや押し出し
が生じることはない。その結果、ダイヤフラムバルブ１
０の開閉時にも安定したレジスト供給を行うことがで
き、不安定なレジスト供給に起因した塗布欠陥を抑制す
ることができる。また、エア配管４７における空気の流
速を調整する機構が不要になるとともに、ダイヤフラム
バルブ１０の開閉速度を調整するという困難な作業も不
要となる。
９の開閉のみによってダイヤフラム１５を急速に作動さ
せたとしても、それにともなう容積変化はダイヤフラム
１５に連動するダイヤフラム２２によって直ちに補償さ
れ、下流側流路２５ｂにレジストの引き戻しや押し出し
が生じることはない。その結果、ダイヤフラムバルブ１
０の開閉時にも安定したレジスト供給を行うことがで
き、不安定なレジスト供給に起因した塗布欠陥を抑制す
ることができる。また、エア配管４７における空気の流
速を調整する機構が不要になるとともに、ダイヤフラム
バルブ１０の開閉速度を調整するという困難な作業も不
要となる。
【００７７】特に、第１実施形態においては、ダイヤフ
ラム１５が作動する方向の中心軸である弁軸Ｑ上に容積
補償のためのダイヤフラム２２が設けられ、その弁軸Ｑ
に沿ってリンク棒２３が配置されている。従って、ダイ
ヤフラム１５の作動による圧力波が生じる方向（弁軸Ｑ
に沿った方向）にダイヤフラム２２が設けられ、しかも
その圧力波が生じる方向に沿ってダイヤフラム２２も作
動する。よって、ダイヤフラム１５の作動による容積変
化がより効果的にダイヤフラム２２によって吸収される
こととなる。
ラム１５が作動する方向の中心軸である弁軸Ｑ上に容積
補償のためのダイヤフラム２２が設けられ、その弁軸Ｑ
に沿ってリンク棒２３が配置されている。従って、ダイ
ヤフラム１５の作動による圧力波が生じる方向（弁軸Ｑ
に沿った方向）にダイヤフラム２２が設けられ、しかも
その圧力波が生じる方向に沿ってダイヤフラム２２も作
動する。よって、ダイヤフラム１５の作動による容積変
化がより効果的にダイヤフラム２２によって吸収される
こととなる。
【００７８】また、上述したように、流量制御部３８は
レジストポンプ３０から吐出ノズル４５に送給するレジ
スト流量を制御し、開閉制御部３９は電磁弁４８および
リークバルブ４９を制御してダイヤフラムバルブ１０の
開閉を切り替える。図８は、レジストポンプ３０から吐
出ノズル４５に送給するレジスト流量の変化の一例を示
す図である。流量制御部３８は図８の如きルックアップ
テーブルを保有し、それに従ってレジストポンプ３０を
制御し、レジストポンプ３０から吐出ノズル４５に送給
するレジスト流量を調整する。そして、開閉制御部３９
は、吐出ノズル４５からのレジスト吐出を停止する際
に、レジストポンプ３０から吐出ノズル４５に送給され
るレジスト流量が所定値に到達した時点でダイヤフラム
１５が流路２５を閉鎖するように電磁弁４８およびリー
クバルブ４９を制御する。
レジストポンプ３０から吐出ノズル４５に送給するレジ
スト流量を制御し、開閉制御部３９は電磁弁４８および
リークバルブ４９を制御してダイヤフラムバルブ１０の
開閉を切り替える。図８は、レジストポンプ３０から吐
出ノズル４５に送給するレジスト流量の変化の一例を示
す図である。流量制御部３８は図８の如きルックアップ
テーブルを保有し、それに従ってレジストポンプ３０を
制御し、レジストポンプ３０から吐出ノズル４５に送給
するレジスト流量を調整する。そして、開閉制御部３９
は、吐出ノズル４５からのレジスト吐出を停止する際
に、レジストポンプ３０から吐出ノズル４５に送給され
るレジスト流量が所定値に到達した時点でダイヤフラム
１５が流路２５を閉鎖するように電磁弁４８およびリー
クバルブ４９を制御する。
【００７９】具体的には、流量制御部３８がレジストポ
ンプ３０を制御することによってレジスト流量が図８に
示すような変化を示すときに、そのレジスト流量が例え
ばＱ１の時点（例えば時刻ｔ１）にてダイヤフラム１５
が流路２５を閉鎖するように開閉制御部３９が電磁弁４
８およびリークバルブ４９を制御する。
ンプ３０を制御することによってレジスト流量が図８に
示すような変化を示すときに、そのレジスト流量が例え
ばＱ１の時点（例えば時刻ｔ１）にてダイヤフラム１５
が流路２５を閉鎖するように開閉制御部３９が電磁弁４
８およびリークバルブ４９を制御する。
【００８０】従来であれば、レジスト配管２０内をレジ
ストが流れているときにダイヤフラム１５が流路２５を
急速に閉鎖するといわゆるウォーターハンマー（水撃作
用）によって騒音、振動、あるいはレジスト配管２０自
体の破損等を招くおそれがあった。しかし、本実施形態
のように、ダイヤフラム１５の作動による容積変化をダ
イヤフラム２２によって吸収するようにすれば、ダイヤ
フラム１５が流路２５を急速に閉鎖することに起因した
圧力波がダイヤフラム２２による容積変化によって緩和
され、ウォーターハンマーを防止することができる。
ストが流れているときにダイヤフラム１５が流路２５を
急速に閉鎖するといわゆるウォーターハンマー（水撃作
用）によって騒音、振動、あるいはレジスト配管２０自
体の破損等を招くおそれがあった。しかし、本実施形態
のように、ダイヤフラム１５の作動による容積変化をダ
イヤフラム２２によって吸収するようにすれば、ダイヤ
フラム１５が流路２５を急速に閉鎖することに起因した
圧力波がダイヤフラム２２による容積変化によって緩和
され、ウォーターハンマーを防止することができる。
【００８１】しかも、レジストポンプ３０から吐出ノズ
ル４５に送給されるレジスト流量が所定値に到達した時
点でダイヤフラム１５が流路２５を閉鎖すれば、従来の
サックバックを不要にすることができる。すなわち、従
来のレジスト吐出機構においては、吐出ノズル先端から
の液だれを防ぐために、レジストの吐出停止後にレジス
ト配管を吸引して吐出ノズル先端近傍の液を若干引き戻
すサックバックを行っており、そのための特別な機構も
設けていた。
ル４５に送給されるレジスト流量が所定値に到達した時
点でダイヤフラム１５が流路２５を閉鎖すれば、従来の
サックバックを不要にすることができる。すなわち、従
来のレジスト吐出機構においては、吐出ノズル先端から
の液だれを防ぐために、レジストの吐出停止後にレジス
ト配管を吸引して吐出ノズル先端近傍の液を若干引き戻
すサックバックを行っており、そのための特別な機構も
設けていた。
【００８２】ここで、本実施形態のように、ダイヤフラ
ム１５の作動による容積変化をダイヤフラム２２によっ
て吸収するようにすれば、吐出ノズル４５からのレジス
ト吐出を安定して停止することができるとともに、吐出
停止時点のレジスト流量にほぼ比例した量の液が流れの
エネルギーによって吐出ノズル４５の先端から抜け出る
こととなるため、サックバックと同様のことを行うこと
ができるとともに、しかもレジスト吐出停止時のレジス
ト先端位置をコントロールすることができる。
ム１５の作動による容積変化をダイヤフラム２２によっ
て吸収するようにすれば、吐出ノズル４５からのレジス
ト吐出を安定して停止することができるとともに、吐出
停止時点のレジスト流量にほぼ比例した量の液が流れの
エネルギーによって吐出ノズル４５の先端から抜け出る
こととなるため、サックバックと同様のことを行うこと
ができるとともに、しかもレジスト吐出停止時のレジス
ト先端位置をコントロールすることができる。
【００８３】図９は、吐出ノズル４５におけるレジスト
停止位置を示す図である。レジストポンプ３０から吐出
ノズル４５に送給されるレジスト流量がＱ１の時点（例
えば時刻ｔ１）にてダイヤフラム１５が流路２５を閉鎖
すれば、レジスト吐出停止時のレジスト先端位置はＬ１
となる。また、レジスト流量がＱ２の時点（時刻ｔ２）
にてダイヤフラム１５が流路２５を閉鎖すれば、レジス
ト吐出停止時のレジスト先端位置はＬ２となる。同様
に、レジスト流量がＱ３の時点（時刻ｔ３）にてダイヤ
フラム１５が流路２５を閉鎖すれば、レジスト吐出停止
時のレジスト先端位置はＬ３となる。このように、ダイ
ヤフラム１５が流路２５を閉鎖する時点におけるレジス
トポンプ３０から吐出ノズル４５に送給されるレジスト
流量に応じて吐出停止時のレジスト先端位置が規定さ
れ、レジスト流量が所定値に到達した時点でダイヤフラ
ム１５が流路２５を閉鎖するように開閉制御部３９が電
磁弁４８およびリークバルブ４９を制御することによ
り、サックバックが不要になるとともに吐出停止時のレ
ジスト先端位置を調整することができる。
停止位置を示す図である。レジストポンプ３０から吐出
ノズル４５に送給されるレジスト流量がＱ１の時点（例
えば時刻ｔ１）にてダイヤフラム１５が流路２５を閉鎖
すれば、レジスト吐出停止時のレジスト先端位置はＬ１
となる。また、レジスト流量がＱ２の時点（時刻ｔ２）
にてダイヤフラム１５が流路２５を閉鎖すれば、レジス
ト吐出停止時のレジスト先端位置はＬ２となる。同様
に、レジスト流量がＱ３の時点（時刻ｔ３）にてダイヤ
フラム１５が流路２５を閉鎖すれば、レジスト吐出停止
時のレジスト先端位置はＬ３となる。このように、ダイ
ヤフラム１５が流路２５を閉鎖する時点におけるレジス
トポンプ３０から吐出ノズル４５に送給されるレジスト
流量に応じて吐出停止時のレジスト先端位置が規定さ
れ、レジスト流量が所定値に到達した時点でダイヤフラ
ム１５が流路２５を閉鎖するように開閉制御部３９が電
磁弁４８およびリークバルブ４９を制御することによ
り、サックバックが不要になるとともに吐出停止時のレ
ジスト先端位置を調整することができる。
【００８４】＜２．第２実施形態＞次に、本発明の第２
実施形態について説明する。第２実施形態が第１実施形
態と異なるのは、ダイヤフラムバルブの構成であり、残
余の部分（例えば基板処理装置の全体構成および処理手
順）は第１実施形態と同じであるためその説明は省略す
る。
実施形態について説明する。第２実施形態が第１実施形
態と異なるのは、ダイヤフラムバルブの構成であり、残
余の部分（例えば基板処理装置の全体構成および処理手
順）は第１実施形態と同じであるためその説明は省略す
る。
【００８５】図１０および図１１は、第２実施形態のダ
イヤフラムバルブ６０の構造および動作を示す図であ
る。なお、第１実施形態と同一の部材については同一の
符号を付している。
イヤフラムバルブ６０の構造および動作を示す図であ
る。なお、第１実施形態と同一の部材については同一の
符号を付している。
【００８６】ダイヤフラムバルブ６０は、レジスト配管
２０の経路途中に設けられており、上流側配管２０ａ、
開閉室６１および下流側配管２０ｂを直列に連結して構
成されている。従って、ダイヤフラムバルブ６０は、レ
ジストが流入する１つの流入口２６と該レジストが流出
する１つの流出口２７とを有する。
２０の経路途中に設けられており、上流側配管２０ａ、
開閉室６１および下流側配管２０ｂを直列に連結して構
成されている。従って、ダイヤフラムバルブ６０は、レ
ジストが流入する１つの流入口２６と該レジストが流出
する１つの流出口２７とを有する。
【００８７】上流側配管２０ａの端部は開閉室６１の底
部に連通接続されている。そして、開閉室６１内の上流
側配管２０ａが連通接続される部分に弁座１６が形成さ
れている。なお、上流側配管２０ａの他端部はレジスト
ポンプ３０に接続されている。よって、レジストポンプ
３０から送り出されたレジストは上流側配管２０ａ内の
上流側流路２５ａを通過して開閉室６１に流れ込む。
部に連通接続されている。そして、開閉室６１内の上流
側配管２０ａが連通接続される部分に弁座１６が形成さ
れている。なお、上流側配管２０ａの他端部はレジスト
ポンプ３０に接続されている。よって、レジストポンプ
３０から送り出されたレジストは上流側配管２０ａ内の
上流側流路２５ａを通過して開閉室６１に流れ込む。
【００８８】開閉室６１の内部にはピストン１２と、バ
ネ１３と、隔壁６４と、ダイヤフラム１５と、ダイヤフ
ラム６２とが設けられている。ピストン１２およびバネ
１３の機能は第１実施形態と同じであり、電磁弁４８お
よびリークバルブ４９の開閉状態によってピストン１２
がエアにより押し上げられまたはバネ１３により押し下
げられた状態となる。ダイヤフラム１５も第１実施形態
と同じであり、ピストン１２が押し上げられるとダイヤ
フラム１５が弁座１６から離間し（図１０）、ピストン
１２が押し下げられるとダイヤフラム１５が弁座１６に
密着する（図１１）。
ネ１３と、隔壁６４と、ダイヤフラム１５と、ダイヤフ
ラム６２とが設けられている。ピストン１２およびバネ
１３の機能は第１実施形態と同じであり、電磁弁４８お
よびリークバルブ４９の開閉状態によってピストン１２
がエアにより押し上げられまたはバネ１３により押し下
げられた状態となる。ダイヤフラム１５も第１実施形態
と同じであり、ピストン１２が押し上げられるとダイヤ
フラム１５が弁座１６から離間し（図１０）、ピストン
１２が押し下げられるとダイヤフラム１５が弁座１６に
密着する（図１１）。
【００８９】隔壁６４は開閉室６１の内部を上下に仕切
る平板状の部材であって、その一部にはピストン１２が
貫通している。ピストン１２は隔壁６４に対して摺動自
在ではあるものの、ピストン１２と隔壁６４との接触部
分は完全にシールされており、エア配管４７から開閉室
６１に空気が送り込まれたときにその空気が隔壁６４よ
りも下側（ダイヤフラム１５側）に漏れることはなく、
また逆に隔壁６４とダイヤフラム１５との間に満たされ
た油が隔壁６４よりも上側に漏れ出ることはない。
る平板状の部材であって、その一部にはピストン１２が
貫通している。ピストン１２は隔壁６４に対して摺動自
在ではあるものの、ピストン１２と隔壁６４との接触部
分は完全にシールされており、エア配管４７から開閉室
６１に空気が送り込まれたときにその空気が隔壁６４よ
りも下側（ダイヤフラム１５側）に漏れることはなく、
また逆に隔壁６４とダイヤフラム１５との間に満たされ
た油が隔壁６４よりも上側に漏れ出ることはない。
【００９０】ここで第２実施形態の隔壁６４は、金属等
の高い剛性を有する材料にて構成されており、ダイヤフ
ラム１５を弁座１６から離間させるときにエア配管４７
から開閉室６１に送り込まれる空気の空気圧によっては
実質的に変形しない。
の高い剛性を有する材料にて構成されており、ダイヤフ
ラム１５を弁座１６から離間させるときにエア配管４７
から開閉室６１に送り込まれる空気の空気圧によっては
実質的に変形しない。
【００９１】ダイヤフラム６２は、開閉室６１内であっ
てダイヤフラム１５よりも流路２５の流出口２７側に設
けられている。第２実施形態のダイヤフラム６２はダイ
ヤフラム１５と同一形状でなくても良い。ここで、ダイ
ヤフラム１５の内側およびダイヤフラム６２の内側は相
互に連通されつつ隔壁６４によってシールされた１つの
密閉空間６５とされている。そして、密閉空間６５には
非圧縮性流体である油によって満たされている。この油
が流路２５に漏れ出ないように、ダイヤフラム１５およ
びダイヤフラム６２が開閉室６１と隙間なく接続されて
いることは勿論である。
てダイヤフラム１５よりも流路２５の流出口２７側に設
けられている。第２実施形態のダイヤフラム６２はダイ
ヤフラム１５と同一形状でなくても良い。ここで、ダイ
ヤフラム１５の内側およびダイヤフラム６２の内側は相
互に連通されつつ隔壁６４によってシールされた１つの
密閉空間６５とされている。そして、密閉空間６５には
非圧縮性流体である油によって満たされている。この油
が流路２５に漏れ出ないように、ダイヤフラム１５およ
びダイヤフラム６２が開閉室６１と隙間なく接続されて
いることは勿論である。
【００９２】第２実施形態のようなダイヤフラムバルブ
６０の構成において、リークバルブ４９を閉鎖しつつ電
磁弁４８を開放すると、図１０中矢印ＡＲ１０にて示す
ようにエア配管４７から開閉室６１内部にエアが供給さ
れ、ピストン１２がバネ１３の弾性力に抗して押し上げ
られた状態（図１０の状態）となる。ピストン１２が押
し上げられると、それに固設されたダイヤフラム１５が
変形されて弁座１６から離間する。このときに、密閉空
間６５内部は完全にシールされてかつ非圧縮性流体であ
る油によって満たされているため、密閉空間６５内の容
積はそのまま維持されることとなる。密閉空間６５内の
容積が維持されつつダイヤフラム１５が内側に変形され
ると、ダイヤフラム６２が油圧によって外側（流路２５
側）に変形される。しかも、ダイヤフラム１５による容
積変化量とダイヤフラム６２による容積変化量は等し
く、ダイヤフラム１５によって流路２５の容積が増えた
分だけダイヤフラム６２によって流路２５の容積が減る
こととなる。
６０の構成において、リークバルブ４９を閉鎖しつつ電
磁弁４８を開放すると、図１０中矢印ＡＲ１０にて示す
ようにエア配管４７から開閉室６１内部にエアが供給さ
れ、ピストン１２がバネ１３の弾性力に抗して押し上げ
られた状態（図１０の状態）となる。ピストン１２が押
し上げられると、それに固設されたダイヤフラム１５が
変形されて弁座１６から離間する。このときに、密閉空
間６５内部は完全にシールされてかつ非圧縮性流体であ
る油によって満たされているため、密閉空間６５内の容
積はそのまま維持されることとなる。密閉空間６５内の
容積が維持されつつダイヤフラム１５が内側に変形され
ると、ダイヤフラム６２が油圧によって外側（流路２５
側）に変形される。しかも、ダイヤフラム１５による容
積変化量とダイヤフラム６２による容積変化量は等し
く、ダイヤフラム１５によって流路２５の容積が増えた
分だけダイヤフラム６２によって流路２５の容積が減る
こととなる。
【００９３】図１０に示すように、弁体であるダイヤフ
ラム１５が弁座１６から離間すると、上流側流路２５ａ
と下流側流路２５ｂとが連通状態となり、レジストポン
プ３０から送り出されたレジストは上流側流路２５ａか
ら下流側流路２５ｂを経て吐出ノズル４５に到達し、吐
出ノズル４５から基板Ｗに向けて吐出されることとな
る。すなわち、図１０に示す状態が流入口２６から流出
口２７に至る流路２５が開放された開状態である。な
お、第２実施形態でも、流入口２６から流出口２７に至
る流路２５に開閉用のダイヤフラム１５が設けられてお
り、流路２５のうちダイヤフラム１５よりも上流側を上
流側流路２５ａとし、下流側を下流側流路２５ｂとして
いる。
ラム１５が弁座１６から離間すると、上流側流路２５ａ
と下流側流路２５ｂとが連通状態となり、レジストポン
プ３０から送り出されたレジストは上流側流路２５ａか
ら下流側流路２５ｂを経て吐出ノズル４５に到達し、吐
出ノズル４５から基板Ｗに向けて吐出されることとな
る。すなわち、図１０に示す状態が流入口２６から流出
口２７に至る流路２５が開放された開状態である。な
お、第２実施形態でも、流入口２６から流出口２７に至
る流路２５に開閉用のダイヤフラム１５が設けられてお
り、流路２５のうちダイヤフラム１５よりも上流側を上
流側流路２５ａとし、下流側を下流側流路２５ｂとして
いる。
【００９４】逆に、電磁弁４８を閉鎖してリークバルブ
４９を開放すると、バネ１３の復元力に抗してピストン
１２を押し上げる圧力が存在しなくなる。このため、バ
ネ１３の復元力によってピストン１２が押し下げられ、
開閉室６１内部のエアは図１１中矢印ＡＲ１１にて示す
ようにエア配管４７から押し出される。ピストン１２が
押し下げられると、それに固設されたダイヤフラム１５
が変形されて弁座１６に密着する。このときに、上記と
同様に、密閉空間６５内の容積が維持されつつダイヤフ
ラム１５が外側に変形されると、ダイヤフラム６２が油
圧によって内側（密閉空間６５側）に変形される。しか
も、ダイヤフラム１５による容積変化量とダイヤフラム
６２による容積変化量は等しく、ダイヤフラム１５によ
って流路２５の容積が減った分だけダイヤフラム６２に
よって流路２５の容積が増えることとなる。
４９を開放すると、バネ１３の復元力に抗してピストン
１２を押し上げる圧力が存在しなくなる。このため、バ
ネ１３の復元力によってピストン１２が押し下げられ、
開閉室６１内部のエアは図１１中矢印ＡＲ１１にて示す
ようにエア配管４７から押し出される。ピストン１２が
押し下げられると、それに固設されたダイヤフラム１５
が変形されて弁座１６に密着する。このときに、上記と
同様に、密閉空間６５内の容積が維持されつつダイヤフ
ラム１５が外側に変形されると、ダイヤフラム６２が油
圧によって内側（密閉空間６５側）に変形される。しか
も、ダイヤフラム１５による容積変化量とダイヤフラム
６２による容積変化量は等しく、ダイヤフラム１５によ
って流路２５の容積が減った分だけダイヤフラム６２に
よって流路２５の容積が増えることとなる。
【００９５】図１１に示すように、弁体であるダイヤフ
ラム１５が弁座１６に密着すると、上流側流路２５ａと
下流側流路２５ｂとが遮断された状態となり、レジスト
ポンプ３０から送り出されたレジストは下流側流路２５
ｂへと流れることができず、吐出ノズル４５に到達する
こともない。従って、吐出ノズル４５からのレジスト吐
出は停止される。すなわち、図１１に示す状態が流入口
２６から流出口２７に至る流路２５が閉鎖された閉状態
である。
ラム１５が弁座１６に密着すると、上流側流路２５ａと
下流側流路２５ｂとが遮断された状態となり、レジスト
ポンプ３０から送り出されたレジストは下流側流路２５
ｂへと流れることができず、吐出ノズル４５に到達する
こともない。従って、吐出ノズル４５からのレジスト吐
出は停止される。すなわち、図１１に示す状態が流入口
２６から流出口２７に至る流路２５が閉鎖された閉状態
である。
【００９６】このように、第２実施形態でも吐出ノズル
４５からのレジスト吐出の開始および停止は、ダイヤフ
ラム１５（開閉用ダイヤフラム）が弁座１６から離間お
よび弁座１６に密着することによって流入口２６から流
出口２７に至る流路２５を開閉することにより実現され
る。そして、電磁弁４８、リークバルブ４９、ピストン
１２およびバネ１３等がダイヤフラム１５を作動させる
作動手段として機能するものである。レジスト塗布処理
を行うときには、開閉制御部３９がリークバルブ４９を
閉鎖して電磁弁４８を開放することによりダイヤフラム
１５を弁座１６から離間させて上記流路２５を開放し、
逆にレジスト塗布処理を行わないときには、開閉制御部
３９がリークバルブ４９を開放して電磁弁４８を閉鎖す
ることによりダイヤフラム１５を弁座１６に密着させて
流路２５を閉鎖する。
４５からのレジスト吐出の開始および停止は、ダイヤフ
ラム１５（開閉用ダイヤフラム）が弁座１６から離間お
よび弁座１６に密着することによって流入口２６から流
出口２７に至る流路２５を開閉することにより実現され
る。そして、電磁弁４８、リークバルブ４９、ピストン
１２およびバネ１３等がダイヤフラム１５を作動させる
作動手段として機能するものである。レジスト塗布処理
を行うときには、開閉制御部３９がリークバルブ４９を
閉鎖して電磁弁４８を開放することによりダイヤフラム
１５を弁座１６から離間させて上記流路２５を開放し、
逆にレジスト塗布処理を行わないときには、開閉制御部
３９がリークバルブ４９を開放して電磁弁４８を閉鎖す
ることによりダイヤフラム１５を弁座１６に密着させて
流路２５を閉鎖する。
【００９７】ここで第２実施形態においても第１実施形
態と同様に、ダイヤフラム１５の作動に伴って流入口２
６から流出口２７に至る流路２５に容積変化が生じる。
流路２５のうち上流側流路２５ａの端部はレジストポン
プ３０によって閉じられているのに対し、下流側流路２
５ｂの端部は吐出ノズル４５として開放されているた
め、ダイヤフラム１５の作動にともなう容積変化の影響
は専ら下流側流路２５ｂに生じる。すなわち、ダイヤフ
ラム１５が弁座１６から離間するときには下流側流路２
５ｂにレジストの引き戻しが生じ、ダイヤフラム１５が
弁座１６に密着するときには下流側流路２５ｂにレジス
トの押し出しが生じる。
態と同様に、ダイヤフラム１５の作動に伴って流入口２
６から流出口２７に至る流路２５に容積変化が生じる。
流路２５のうち上流側流路２５ａの端部はレジストポン
プ３０によって閉じられているのに対し、下流側流路２
５ｂの端部は吐出ノズル４５として開放されているた
め、ダイヤフラム１５の作動にともなう容積変化の影響
は専ら下流側流路２５ｂに生じる。すなわち、ダイヤフ
ラム１５が弁座１６から離間するときには下流側流路２
５ｂにレジストの引き戻しが生じ、ダイヤフラム１５が
弁座１６に密着するときには下流側流路２５ｂにレジス
トの押し出しが生じる。
【００９８】第２実施形態においては、開閉用のダイヤ
フラムであるダイヤフラム１５よりも流路２５の流出口
２７側にダイヤフラム６２を設けている。そして、上述
の如く、ダイヤフラム１５の内側およびダイヤフラム６
２の内側は相互に連通されつつ隔壁６４によってシール
された１つの密閉空間６５とされ、密閉空間６５には非
圧縮性流体である油によって満たされている。
フラムであるダイヤフラム１５よりも流路２５の流出口
２７側にダイヤフラム６２を設けている。そして、上述
の如く、ダイヤフラム１５の内側およびダイヤフラム６
２の内側は相互に連通されつつ隔壁６４によってシール
された１つの密閉空間６５とされ、密閉空間６５には非
圧縮性流体である油によって満たされている。
【００９９】従って、ダイヤフラム６２はダイヤフラム
１５と機械的に連動され、ダイヤフラム１５が流路２５
を閉鎖するとき（ダイヤフラム１５が弁座１６に密着す
るとき）には、下流側流路２５ｂ（二次側流路）の容積
を増加するようにダイヤフラム６２が作動する。逆に、
ダイヤフラム１５が流路２５を開放するとき（ダイヤフ
ラム１５が弁座１６から離間するとき）には、下流側流
路２５ｂの容積を減少するようにダイヤフラム６２が作
動する。しかも、密閉空間６５には非圧縮性流体である
油によって満たされているためダイヤフラム１５による
容積変化量とダイヤフラム６２による容積変化量は等し
く、ダイヤフラム１５の作動にともなう容積変化と全く
等量であって逆向きの容積増減がダイヤフラム６２の作
動によって達成されるのである。
１５と機械的に連動され、ダイヤフラム１５が流路２５
を閉鎖するとき（ダイヤフラム１５が弁座１６に密着す
るとき）には、下流側流路２５ｂ（二次側流路）の容積
を増加するようにダイヤフラム６２が作動する。逆に、
ダイヤフラム１５が流路２５を開放するとき（ダイヤフ
ラム１５が弁座１６から離間するとき）には、下流側流
路２５ｂの容積を減少するようにダイヤフラム６２が作
動する。しかも、密閉空間６５には非圧縮性流体である
油によって満たされているためダイヤフラム１５による
容積変化量とダイヤフラム６２による容積変化量は等し
く、ダイヤフラム１５の作動にともなう容積変化と全く
等量であって逆向きの容積増減がダイヤフラム６２の作
動によって達成されるのである。
【０１００】換言すれば、ダイヤフラム１５が作動した
ときに流路２５のうちダイヤフラム１５よりも流出口２
７側の二次側流路である下流側流路２５ｂに生じる容積
変化を補償するようにダイヤフラム６２は作動する。
ときに流路２５のうちダイヤフラム１５よりも流出口２
７側の二次側流路である下流側流路２５ｂに生じる容積
変化を補償するようにダイヤフラム６２は作動する。
【０１０１】従って、電磁弁４８およびリークバルブ４
９の開閉のみによってダイヤフラム１５を急速に作動さ
せたとしても、それにともなう容積変化はダイヤフラム
１５に連動するダイヤフラム６２によって直ちに補償さ
れ、下流側流路２５ｂにレジストの引き戻しや押し出し
が生じることはない。その結果、ダイヤフラムバルブ６
０の開閉時にも安定したレジスト供給を行うことがで
き、不安定なレジスト供給に起因した塗布欠陥を抑制す
ることができる。また、エア配管４７における空気の流
速を調整する機構が不要になるとともに、ダイヤフラム
バルブ６０の開閉速度を調整するという困難な作業も不
要となる。
９の開閉のみによってダイヤフラム１５を急速に作動さ
せたとしても、それにともなう容積変化はダイヤフラム
１５に連動するダイヤフラム６２によって直ちに補償さ
れ、下流側流路２５ｂにレジストの引き戻しや押し出し
が生じることはない。その結果、ダイヤフラムバルブ６
０の開閉時にも安定したレジスト供給を行うことがで
き、不安定なレジスト供給に起因した塗布欠陥を抑制す
ることができる。また、エア配管４７における空気の流
速を調整する機構が不要になるとともに、ダイヤフラム
バルブ６０の開閉速度を調整するという困難な作業も不
要となる。
【０１０２】特に、第２実施形態においては、密閉空間
６５に満たされた非圧縮性流体である油を媒介にしてダ
イヤフラム１５とダイヤフラム６２とを連動させてお
り、油の容積は常に一定であるため、ダイヤフラム６２
の材質や形状がダイヤフラム１５と異なったとしてもダ
イヤフラム１５の作動による容積変化をダイヤフラム６
２によって確実に補償することができる。よって、ダイ
ヤフラムバルブ６０の設計の自由度が高まることとな
る。
６５に満たされた非圧縮性流体である油を媒介にしてダ
イヤフラム１５とダイヤフラム６２とを連動させてお
り、油の容積は常に一定であるため、ダイヤフラム６２
の材質や形状がダイヤフラム１５と異なったとしてもダ
イヤフラム１５の作動による容積変化をダイヤフラム６
２によって確実に補償することができる。よって、ダイ
ヤフラムバルブ６０の設計の自由度が高まることとな
る。
【０１０３】さらに、第２実施形態のダイヤフラムバル
ブ６０は密閉空間６５にエアが溜まるおそれがないた
め、確実な容積変化補償動作を行うことができる。
ブ６０は密閉空間６５にエアが溜まるおそれがないた
め、確実な容積変化補償動作を行うことができる。
【０１０４】＜３．第３実施形態＞次に、本発明の第３
実施形態について説明する。第３実施形態が第１実施形
態と異なるのは、ダイヤフラムバルブの構成であり、残
余の部分（例えば基板処理装置の全体構成および処理手
順）は第１実施形態と同じであるためその説明は省略す
る。
実施形態について説明する。第３実施形態が第１実施形
態と異なるのは、ダイヤフラムバルブの構成であり、残
余の部分（例えば基板処理装置の全体構成および処理手
順）は第１実施形態と同じであるためその説明は省略す
る。
【０１０５】図１２および図１３は、第３実施形態のダ
イヤフラムバルブ７０の構造および動作を示す図であ
る。なお、第１実施形態と同一の部材については同一の
符号を付している。
イヤフラムバルブ７０の構造および動作を示す図であ
る。なお、第１実施形態と同一の部材については同一の
符号を付している。
【０１０６】ダイヤフラムバルブ７０は、レジスト配管
２０の経路途中に設けられており、上流側配管２０ａ、
開閉室７１および下流側配管２０ｂを直列に連結して構
成されている。従って、ダイヤフラムバルブ６０は、レ
ジストが流入する１つの流入口２６と該レジストが流出
する１つの流出口２７とを有する。
２０の経路途中に設けられており、上流側配管２０ａ、
開閉室７１および下流側配管２０ｂを直列に連結して構
成されている。従って、ダイヤフラムバルブ６０は、レ
ジストが流入する１つの流入口２６と該レジストが流出
する１つの流出口２７とを有する。
【０１０７】上流側配管２０ａの端部は開閉室７１の底
部に連通接続されている。そして、開閉室７１内の上流
側配管２０ａが連通接続される部分に弁座１６が形成さ
れている。なお、上流側配管２０ａの他端部はレジスト
ポンプ３０に接続されている。よって、レジストポンプ
３０から送り出されたレジストは上流側配管２０ａ内の
上流側流路２５ａを通過して開閉室７１に流れ込む。
部に連通接続されている。そして、開閉室７１内の上流
側配管２０ａが連通接続される部分に弁座１６が形成さ
れている。なお、上流側配管２０ａの他端部はレジスト
ポンプ３０に接続されている。よって、レジストポンプ
３０から送り出されたレジストは上流側配管２０ａ内の
上流側流路２５ａを通過して開閉室７１に流れ込む。
【０１０８】開閉室７１の内部にはピストン１２と、バ
ネ１３と、隔壁７４と、ダイヤフラム７５とが設けられ
ている。ピストン１２およびバネ１３の機能は第１実施
形態と同じであり、電磁弁４８およびリークバルブ４９
の開閉状態によってピストン１２がエアにより押し上げ
られまたはバネ１３により押し下げられた状態となる。
ネ１３と、隔壁７４と、ダイヤフラム７５とが設けられ
ている。ピストン１２およびバネ１３の機能は第１実施
形態と同じであり、電磁弁４８およびリークバルブ４９
の開閉状態によってピストン１２がエアにより押し上げ
られまたはバネ１３により押し下げられた状態となる。
【０１０９】隔壁７４は開閉室７１の内部を上下に仕切
る平板状の部材であって、その中央部にはピストン１２
が貫通している。ピストン１２は隔壁７４に対して摺動
自在ではあるものの、ピストン１２と隔壁７４との接触
部分は完全にシールされており、エア配管４７から開閉
室７１に空気が送り込まれたときにその空気が隔壁７４
よりも下側（ダイヤフラム７５側）に漏れることはな
く、また逆に隔壁７４とダイヤフラム７５との間に満た
された油が隔壁７４よりも上側に漏れ出ることはない。
る平板状の部材であって、その中央部にはピストン１２
が貫通している。ピストン１２は隔壁７４に対して摺動
自在ではあるものの、ピストン１２と隔壁７４との接触
部分は完全にシールされており、エア配管４７から開閉
室７１に空気が送り込まれたときにその空気が隔壁７４
よりも下側（ダイヤフラム７５側）に漏れることはな
く、また逆に隔壁７４とダイヤフラム７５との間に満た
された油が隔壁７４よりも上側に漏れ出ることはない。
【０１１０】ここで第３実施形態の隔壁７４は、金属等
の高い剛性を有する材料にて構成されており、ダイヤフ
ラム７５を弁座１６から離間させるときにエア配管４７
から開閉室７１に送り込まれる空気の空気圧によっては
実質的に変形しない。
の高い剛性を有する材料にて構成されており、ダイヤフ
ラム７５を弁座１６から離間させるときにエア配管４７
から開閉室７１に送り込まれる空気の空気圧によっては
実質的に変形しない。
【０１１１】ダイヤフラム７５の周縁部は隔壁７４の下
面に固設されている。また、ダイヤフラム１５の中央部
はピストン１２の下端部と固設されている。このため、
ピストン１２が押し上げられるとダイヤフラム１５が弁
座１６から離間し（図１０）、ピストン１２が押し下げ
られるとダイヤフラム１５が弁座１６に密着する（図１
１）。
面に固設されている。また、ダイヤフラム１５の中央部
はピストン１２の下端部と固設されている。このため、
ピストン１２が押し上げられるとダイヤフラム１５が弁
座１６から離間し（図１０）、ピストン１２が押し下げ
られるとダイヤフラム１５が弁座１６に密着する（図１
１）。
【０１１２】ダイヤフラム７５は、ゴム等の弾性部材の
表面側（流路２５側）をフッ化樹脂等にてコーティング
したものにて構成するのが好ましい。そして、ダイヤフ
ラム７５の内側は隔壁７４によってシールされた１つの
密閉空間７６とされている。密閉空間７６には非圧縮性
流体である油によって満たされている。なお、この油が
流路２５に漏れ出ないように、ダイヤフラム７５が隔壁
７４と隙間なく接続されていることは勿論である。
表面側（流路２５側）をフッ化樹脂等にてコーティング
したものにて構成するのが好ましい。そして、ダイヤフ
ラム７５の内側は隔壁７４によってシールされた１つの
密閉空間７６とされている。密閉空間７６には非圧縮性
流体である油によって満たされている。なお、この油が
流路２５に漏れ出ないように、ダイヤフラム７５が隔壁
７４と隙間なく接続されていることは勿論である。
【０１１３】第３実施形態のようなダイヤフラムバルブ
７０の構成において、リークバルブ４９を閉鎖しつつ電
磁弁４８を開放すると、図１２中矢印ＡＲ１２にて示す
ようにエア配管４７から開閉室７１内部にエアが供給さ
れ、ピストン１２がバネ１３の弾性力に抗して押し上げ
られた状態（図１２の状態）となる。ピストン１２が押
し上げられると、それに固設されたダイヤフラム７５が
変形されて弁座１６から離間する。このときに、密閉空
間７６内部は完全にシールされてかつ非圧縮性流体であ
る油によって満たされているため、密閉空間７６内の容
積はそのまま維持されることとなる。密閉空間７６内の
容積が維持されつつピストン１２が押し上げられると、
弾性部材で構成されたダイヤフラム７５の一部（ピスト
ン１２と固設されていない部分）が油圧によって外側
（流路２５側）に膨張する。しかも、ピストン１２が押
し上げられたことによるダイヤフラム７５の容積変化量
と油圧により膨張したダイヤフラム７５の容積変化量は
相殺され、ダイヤフラム７５が弁座１６から離間しても
流路２５に容積変化は生じないこととなる。
７０の構成において、リークバルブ４９を閉鎖しつつ電
磁弁４８を開放すると、図１２中矢印ＡＲ１２にて示す
ようにエア配管４７から開閉室７１内部にエアが供給さ
れ、ピストン１２がバネ１３の弾性力に抗して押し上げ
られた状態（図１２の状態）となる。ピストン１２が押
し上げられると、それに固設されたダイヤフラム７５が
変形されて弁座１６から離間する。このときに、密閉空
間７６内部は完全にシールされてかつ非圧縮性流体であ
る油によって満たされているため、密閉空間７６内の容
積はそのまま維持されることとなる。密閉空間７６内の
容積が維持されつつピストン１２が押し上げられると、
弾性部材で構成されたダイヤフラム７５の一部（ピスト
ン１２と固設されていない部分）が油圧によって外側
（流路２５側）に膨張する。しかも、ピストン１２が押
し上げられたことによるダイヤフラム７５の容積変化量
と油圧により膨張したダイヤフラム７５の容積変化量は
相殺され、ダイヤフラム７５が弁座１６から離間しても
流路２５に容積変化は生じないこととなる。
【０１１４】図１２に示すように、弁体であるダイヤフ
ラム７５が弁座１６から離間すると、上流側流路２５ａ
と下流側流路２５ｂとが連通状態となり、レジストポン
プ３０から送り出されたレジストは上流側流路２５ａか
ら下流側流路２５ｂを経て吐出ノズル４５に到達し、吐
出ノズル４５から基板Ｗに向けて吐出されることとな
る。すなわち、図１２に示す状態が流入口２６から流出
口２７に至る流路２５が開放された開状態である。な
お、第３実施形態でも、流入口２６から流出口２７に至
る流路２５に開閉用のダイヤフラム７５が設けられてお
り、流路２５のうちダイヤフラム７５よりも上流側を上
流側流路２５ａとし、下流側を下流側流路２５ｂとして
いる。
ラム７５が弁座１６から離間すると、上流側流路２５ａ
と下流側流路２５ｂとが連通状態となり、レジストポン
プ３０から送り出されたレジストは上流側流路２５ａか
ら下流側流路２５ｂを経て吐出ノズル４５に到達し、吐
出ノズル４５から基板Ｗに向けて吐出されることとな
る。すなわち、図１２に示す状態が流入口２６から流出
口２７に至る流路２５が開放された開状態である。な
お、第３実施形態でも、流入口２６から流出口２７に至
る流路２５に開閉用のダイヤフラム７５が設けられてお
り、流路２５のうちダイヤフラム７５よりも上流側を上
流側流路２５ａとし、下流側を下流側流路２５ｂとして
いる。
【０１１５】逆に、電磁弁４８を閉鎖してリークバルブ
４９を開放すると、バネ１３の復元力に抗してピストン
１２を押し上げる圧力が存在しなくなる。このため、バ
ネ１３の復元力によってピストン１２が押し下げられ、
開閉室７１内部のエアは図１３中矢印ＡＲ１３にて示す
ようにエア配管４７から押し出される。ピストン１２が
押し下げられると、それに固設されたダイヤフラム７５
が変形されて弁座１６に密着する。このときに、上記と
同様に、密閉空間７６内の容積が維持されつつピストン
１２が押し下げられると、弾性部材で構成されたダイヤ
フラム７５の一部（ピストン１２と固設されていない部
分）が油圧によって内側（隔壁７４側）にくぼむ。しか
も、ピストン１２が押し下げられたことによるダイヤフ
ラム７５の容積変化量と油圧によりくぼんだダイヤフラ
ム７５の容積変化量は相殺され、ダイヤフラム７５が弁
座１６から離間しても流路２５に容積変化は生じないこ
ととなる。
４９を開放すると、バネ１３の復元力に抗してピストン
１２を押し上げる圧力が存在しなくなる。このため、バ
ネ１３の復元力によってピストン１２が押し下げられ、
開閉室７１内部のエアは図１３中矢印ＡＲ１３にて示す
ようにエア配管４７から押し出される。ピストン１２が
押し下げられると、それに固設されたダイヤフラム７５
が変形されて弁座１６に密着する。このときに、上記と
同様に、密閉空間７６内の容積が維持されつつピストン
１２が押し下げられると、弾性部材で構成されたダイヤ
フラム７５の一部（ピストン１２と固設されていない部
分）が油圧によって内側（隔壁７４側）にくぼむ。しか
も、ピストン１２が押し下げられたことによるダイヤフ
ラム７５の容積変化量と油圧によりくぼんだダイヤフラ
ム７５の容積変化量は相殺され、ダイヤフラム７５が弁
座１６から離間しても流路２５に容積変化は生じないこ
ととなる。
【０１１６】図１３に示すように、弁体であるダイヤフ
ラム７５が弁座１６に密着すると、上流側流路２５ａと
下流側流路２５ｂとが遮断された状態となり、レジスト
ポンプ３０から送り出されたレジストは下流側流路２５
ｂへと流れることができず、吐出ノズル４５に到達する
こともない。従って、吐出ノズル４５からのレジスト吐
出は停止される。すなわち、図１３に示す状態が流入口
２６から流出口２７に至る流路２５が閉鎖された閉状態
である。
ラム７５が弁座１６に密着すると、上流側流路２５ａと
下流側流路２５ｂとが遮断された状態となり、レジスト
ポンプ３０から送り出されたレジストは下流側流路２５
ｂへと流れることができず、吐出ノズル４５に到達する
こともない。従って、吐出ノズル４５からのレジスト吐
出は停止される。すなわち、図１３に示す状態が流入口
２６から流出口２７に至る流路２５が閉鎖された閉状態
である。
【０１１７】このように、第３実施形態でも吐出ノズル
４５からのレジスト吐出の開始および停止は、ダイヤフ
ラム７５（開閉用ダイヤフラム）が弁座１６から離間お
よび弁座１６に密着することによって流入口２６から流
出口２７に至る流路２５を開閉することにより実現され
る。そして、電磁弁４８、リークバルブ４９、ピストン
１２およびバネ１３等がダイヤフラム７５を作動させる
作動手段として機能するものである。レジスト塗布処理
を行うときには、開閉制御部３９がリークバルブ４９を
閉鎖して電磁弁４８を開放することによりダイヤフラム
７５を弁座１６から離間させて上記流路２５を開放し、
逆にレジスト塗布処理を行わないときには、開閉制御部
３９がリークバルブ４９を開放して電磁弁４８を閉鎖す
ることによりダイヤフラム７５を弁座１６に密着させて
流路２５を閉鎖する。
４５からのレジスト吐出の開始および停止は、ダイヤフ
ラム７５（開閉用ダイヤフラム）が弁座１６から離間お
よび弁座１６に密着することによって流入口２６から流
出口２７に至る流路２５を開閉することにより実現され
る。そして、電磁弁４８、リークバルブ４９、ピストン
１２およびバネ１３等がダイヤフラム７５を作動させる
作動手段として機能するものである。レジスト塗布処理
を行うときには、開閉制御部３９がリークバルブ４９を
閉鎖して電磁弁４８を開放することによりダイヤフラム
７５を弁座１６から離間させて上記流路２５を開放し、
逆にレジスト塗布処理を行わないときには、開閉制御部
３９がリークバルブ４９を開放して電磁弁４８を閉鎖す
ることによりダイヤフラム７５を弁座１６に密着させて
流路２５を閉鎖する。
【０１１８】ここで、上述したように、第３実施形態に
おいては、ダイヤフラム７５の作動によっては流路２５
に容積変化が生じない。すなわち、ダイヤフラム７５の
内側は隔壁７４によってシールされた１つの密閉空間７
６とされ、密閉空間７６には非圧縮性流体である油によ
って満たされている。よって、密閉空間７６の容積は常
に一定であり、ダイヤフラム７５がどのように作動して
も流路２５に容積変化が生じないのである。
おいては、ダイヤフラム７５の作動によっては流路２５
に容積変化が生じない。すなわち、ダイヤフラム７５の
内側は隔壁７４によってシールされた１つの密閉空間７
６とされ、密閉空間７６には非圧縮性流体である油によ
って満たされている。よって、密閉空間７６の容積は常
に一定であり、ダイヤフラム７５がどのように作動して
も流路２５に容積変化が生じないのである。
【０１１９】従って、電磁弁４８およびリークバルブ４
９の開閉のみによってダイヤフラム７５を急速に作動さ
せたとしても、それにともなう流路２５での容積変化は
なく、下流側流路２５ｂにレジストの引き戻しや押し出
しが生じることはない。その結果、ダイヤフラムバルブ
６０の開閉時にも安定したレジスト供給を行うことがで
き、不安定なレジスト供給に起因した塗布欠陥を抑制す
ることができる。また、エア配管４７における空気の流
速を調整する機構が不要になるとともに、ダイヤフラム
バルブ７０の開閉速度を調整するという困難な作業も不
要となる。
９の開閉のみによってダイヤフラム７５を急速に作動さ
せたとしても、それにともなう流路２５での容積変化は
なく、下流側流路２５ｂにレジストの引き戻しや押し出
しが生じることはない。その結果、ダイヤフラムバルブ
６０の開閉時にも安定したレジスト供給を行うことがで
き、不安定なレジスト供給に起因した塗布欠陥を抑制す
ることができる。また、エア配管４７における空気の流
速を調整する機構が不要になるとともに、ダイヤフラム
バルブ７０の開閉速度を調整するという困難な作業も不
要となる。
【０１２０】特に、第３実施形態においては、密閉空間
７６に非圧縮性流体である油を満たすことによって１つ
のダイヤフラム７５にて第１実施形態および第２実施形
態と同等の機能を実現している。よって、ダイヤフラム
バルブ７０の構造をより簡易なものとすることができ
る。
７６に非圧縮性流体である油を満たすことによって１つ
のダイヤフラム７５にて第１実施形態および第２実施形
態と同等の機能を実現している。よって、ダイヤフラム
バルブ７０の構造をより簡易なものとすることができ
る。
【０１２１】さらに、第３実施形態のダイヤフラムバル
ブ７０は密閉空間７６にエアが溜まるおそれがないた
め、確実な容積変化補償動作を行うことができる。
ブ７０は密閉空間７６にエアが溜まるおそれがないた
め、確実な容積変化補償動作を行うことができる。
【０１２２】＜４．変形例＞以上、本発明の実施の形態
について説明したが、この発明は上記の例に限定される
ものではない。例えば、上記の各実施形態においては、
開閉用のダイヤフラム１５（７５）を作動させるのにエ
アおよびピストン１２、バネ１３等を使用していたが、
これに限定されるものではなく、例えばアクチュエータ
等を使用して開閉用のダイヤフラム１５（７５）を作動
させても良い。但し、ダイヤフラム１５（７５）を作動
させる速度が遅いと瞬間的に弁座１６近傍の流路が狭く
なって十分なレジスト流量が得られず、既述したような
吐出ノズル４５からのぼた落ちの問題が生じるため、あ
る程度の作動速度の得られるものが好ましい。
について説明したが、この発明は上記の例に限定される
ものではない。例えば、上記の各実施形態においては、
開閉用のダイヤフラム１５（７５）を作動させるのにエ
アおよびピストン１２、バネ１３等を使用していたが、
これに限定されるものではなく、例えばアクチュエータ
等を使用して開閉用のダイヤフラム１５（７５）を作動
させても良い。但し、ダイヤフラム１５（７５）を作動
させる速度が遅いと瞬間的に弁座１６近傍の流路が狭く
なって十分なレジスト流量が得られず、既述したような
吐出ノズル４５からのぼた落ちの問題が生じるため、あ
る程度の作動速度の得られるものが好ましい。
【０１２３】また、第１実施形態においては、レジスト
ポンプ３０自体がレジスト配管２０に送り出すレジスト
の流量を調整する機能を有していたが、レジストポンプ
３０とは別にレジスト流量を調整するマスフロコントロ
ーラを設け、流量制御部３８が該マスフロコントローラ
を制御するようにしても良い。
ポンプ３０自体がレジスト配管２０に送り出すレジスト
の流量を調整する機能を有していたが、レジストポンプ
３０とは別にレジスト流量を調整するマスフロコントロ
ーラを設け、流量制御部３８が該マスフロコントローラ
を制御するようにしても良い。
【０１２４】また、上記の第２、第３実施形態において
は、非圧縮性流体として油を用いていたが、これに限定
されるものではなく、他の非圧縮性流体、例えば水を使
用するようにしても良い。
は、非圧縮性流体として油を用いていたが、これに限定
されるものではなく、他の非圧縮性流体、例えば水を使
用するようにしても良い。
【０１２５】また、上記の第１実施形態においてはリン
ク棒２３によって、第２実施形態においては油によって
２つのダイヤフラムを機械的に連動させていたが、これ
らに限定されるものではなく、開閉用のダイヤフラムが
作動したときに下流側流路２５ｂに生じる容積変化を補
償することができるようなリンク機構であれば種々の機
構を採用することができる。
ク棒２３によって、第２実施形態においては油によって
２つのダイヤフラムを機械的に連動させていたが、これ
らに限定されるものではなく、開閉用のダイヤフラムが
作動したときに下流側流路２５ｂに生じる容積変化を補
償することができるようなリンク機構であれば種々の機
構を採用することができる。
【０１２６】また、第３実施形態においては、ダイヤフ
ラム７５の内側を隔壁７４によってシールされた１つの
密閉空間７６とし、密閉空間７６を非圧縮性流体である
油で満たすようにしていたが、これに代えて、非圧縮性
と変形能を有する物体、例えばゲル状物質をフッ化樹脂
膜にて包み込んだものをダイヤフラムとし、それを隔壁
７４に貼り付けるようにしても良い。このようにしても
ダイヤフラムの作動によっては流路２５に容積変化が生
じないため、第３実施形態と同様の効果を得ることがで
きる。
ラム７５の内側を隔壁７４によってシールされた１つの
密閉空間７６とし、密閉空間７６を非圧縮性流体である
油で満たすようにしていたが、これに代えて、非圧縮性
と変形能を有する物体、例えばゲル状物質をフッ化樹脂
膜にて包み込んだものをダイヤフラムとし、それを隔壁
７４に貼り付けるようにしても良い。このようにしても
ダイヤフラムの作動によっては流路２５に容積変化が生
じないため、第３実施形態と同様の効果を得ることがで
きる。
【０１２７】また、上記各実施形態においては、本発明
に係るダイヤフラムバルブを塗布処理ユニットのレジス
ト吐出機構に組み込むようにしていたが、これに限定さ
れるものではなく、本発明に係るダイヤフラムバルブは
他の処理液（例えば、ポリイミド、現像液、リンス用の
純水等）を基板に吐出する基板処理ユニットに組み込む
ようにしても良い。特に、基板に純水を吐出して該基板
の洗浄処理を行う洗浄処理ユニットの純水吐出機構に本
発明に係るダイヤフラムバルブを組み込んだ場合は以下
のような効果が得られる。
に係るダイヤフラムバルブを塗布処理ユニットのレジス
ト吐出機構に組み込むようにしていたが、これに限定さ
れるものではなく、本発明に係るダイヤフラムバルブは
他の処理液（例えば、ポリイミド、現像液、リンス用の
純水等）を基板に吐出する基板処理ユニットに組み込む
ようにしても良い。特に、基板に純水を吐出して該基板
の洗浄処理を行う洗浄処理ユニットの純水吐出機構に本
発明に係るダイヤフラムバルブを組み込んだ場合は以下
のような効果が得られる。
【０１２８】すなわち、従来の洗浄処理ユニットでは、
洗浄処理終了時にバルブを徐々に閉めて純水吐出ノズル
からの純水吐出を徐々に弱めていたために、吐出された
純水の軌跡は必ず基板の端縁を通過していた。このた
め、端縁部を通過するときに生じた純水のミストが基板
の裏面側に回り込み、これが新たな汚染源となっていた
のである。これを防止すべく、バルブを急激に閉じると
ウォーターハンマーが生じるおそれがあった。
洗浄処理終了時にバルブを徐々に閉めて純水吐出ノズル
からの純水吐出を徐々に弱めていたために、吐出された
純水の軌跡は必ず基板の端縁を通過していた。このた
め、端縁部を通過するときに生じた純水のミストが基板
の裏面側に回り込み、これが新たな汚染源となっていた
のである。これを防止すべく、バルブを急激に閉じると
ウォーターハンマーが生じるおそれがあった。
【０１２９】これに対して、洗浄処理ユニットの純水吐
出機構に本発明に係るダイヤフラムバルブを組み込んだ
場合は、該ダイヤフラムバルブを急激に閉鎖したとして
も上述した如くウォーターハンマーを抑制することがで
きる。従って、所定以上の流量にて吐出ノズルから純水
を吐出しつつダイヤフラムバルブを急激に閉鎖すれば、
ウォーターハンマーを抑制しつつも吐出された純水の軌
跡が基板の端縁を通過することを防止でき、純水のミス
トが基板の裏面側に回り込むことを防止することができ
る。
出機構に本発明に係るダイヤフラムバルブを組み込んだ
場合は、該ダイヤフラムバルブを急激に閉鎖したとして
も上述した如くウォーターハンマーを抑制することがで
きる。従って、所定以上の流量にて吐出ノズルから純水
を吐出しつつダイヤフラムバルブを急激に閉鎖すれば、
ウォーターハンマーを抑制しつつも吐出された純水の軌
跡が基板の端縁を通過することを防止でき、純水のミス
トが基板の裏面側に回り込むことを防止することができ
る。
【０１３０】
【発明の効果】以上、説明したように、請求項１の発明
によれば、開閉用ダイヤフラムよりも流路の流出口側に
設けられ、開閉用ダイヤフラムが作動したときに流路の
うち開閉用ダイヤフラムよりも流出口側の二次側流路に
生じる容積変化を補償する容積変化補償手段を備えるた
め、開閉用ダイヤフラムを急速に作動させたとしても、
それにともなう容積変化が直ちに補償され、二次側流路
に液体の引き戻しや押し出しが生じることがなくなり、
その結果、バルブ開閉時にも安定した液供給を行うこと
ができる。
によれば、開閉用ダイヤフラムよりも流路の流出口側に
設けられ、開閉用ダイヤフラムが作動したときに流路の
うち開閉用ダイヤフラムよりも流出口側の二次側流路に
生じる容積変化を補償する容積変化補償手段を備えるた
め、開閉用ダイヤフラムを急速に作動させたとしても、
それにともなう容積変化が直ちに補償され、二次側流路
に液体の引き戻しや押し出しが生じることがなくなり、
その結果、バルブ開閉時にも安定した液供給を行うこと
ができる。
【０１３１】また、請求項２の発明によれば、補償用ダ
イヤフラムが開閉用ダイヤフラムと機械的に連動され、
開閉用ダイヤフラムが流路を閉鎖するときに二次側流路
の容積を増加し、開閉用ダイヤフラムが流路を開放する
ときに二次側流路の容積を減少するように作動するた
め、開閉用ダイヤフラムを急速に作動させたとしても、
それにともなう容積変化は開閉用ダイヤフラムに連動す
る補償用ダイヤフラムによって直ちに補償され、二次側
流路に液体の引き戻しや押し出しが生じることがなくな
り、その結果、バルブ開閉時にも安定した液供給を行う
ことができる。
イヤフラムが開閉用ダイヤフラムと機械的に連動され、
開閉用ダイヤフラムが流路を閉鎖するときに二次側流路
の容積を増加し、開閉用ダイヤフラムが流路を開放する
ときに二次側流路の容積を減少するように作動するた
め、開閉用ダイヤフラムを急速に作動させたとしても、
それにともなう容積変化は開閉用ダイヤフラムに連動す
る補償用ダイヤフラムによって直ちに補償され、二次側
流路に液体の引き戻しや押し出しが生じることがなくな
り、その結果、バルブ開閉時にも安定した液供給を行う
ことができる。
【０１３２】また、請求項３の発明によれば、開閉用ダ
イヤフラムと補償用ダイヤフラムとは略同一形状であ
り、開閉用ダイヤフラムと補償用ダイヤフラムとをリン
ク棒により連結するため、補償用ダイヤフラムが開閉用
ダイヤフラムと確実に機械的に連動されることとなり、
しかも開閉用ダイヤフラムの作動による容積変化を補償
用ダイヤフラムによって正確に補償することができる。
イヤフラムと補償用ダイヤフラムとは略同一形状であ
り、開閉用ダイヤフラムと補償用ダイヤフラムとをリン
ク棒により連結するため、補償用ダイヤフラムが開閉用
ダイヤフラムと確実に機械的に連動されることとなり、
しかも開閉用ダイヤフラムの作動による容積変化を補償
用ダイヤフラムによって正確に補償することができる。
【０１３３】また、請求項４の発明によれば、開閉用ダ
イヤフラムが作動する弁軸上に補償用ダイヤフラムが設
けられ、リンク棒が弁軸に沿って配置されているため、
開閉用ダイヤフラムの作動による圧力波が生じる方向に
補償用ダイヤフラムが設けられることとなり、しかもそ
の圧力波が生じる方向に沿って補償用ダイヤフラムも作
動する。その結果、ダイヤフラム１５の作動による容積
変化がより効果的にダイヤフラム２２によって吸収され
ることとなる。
イヤフラムが作動する弁軸上に補償用ダイヤフラムが設
けられ、リンク棒が弁軸に沿って配置されているため、
開閉用ダイヤフラムの作動による圧力波が生じる方向に
補償用ダイヤフラムが設けられることとなり、しかもそ
の圧力波が生じる方向に沿って補償用ダイヤフラムも作
動する。その結果、ダイヤフラム１５の作動による容積
変化がより効果的にダイヤフラム２２によって吸収され
ることとなる。
【０１３４】また、請求項５の発明によれば、容積変化
補償手段は、作動手段が開閉用ダイヤフラムを作動させ
る作動圧によっては実質的に変形しない部材にて形成さ
れ、開閉用ダイヤフラムの内側および補償用ダイヤフラ
ムの内側を相互に連通しつつシールすることによって１
つの密閉空間を形成する密閉空間形成部材と、その密閉
空間に満たされた非圧縮性流体と、を含むため、補償用
ダイヤフラムと開閉用ダイヤフラムとが非圧縮性流体に
よって確実に機械的に連動されることとなり、しかも開
閉用ダイヤフラムの作動による容積変化を補償用ダイヤ
フラムによって正確に補償することができる。
補償手段は、作動手段が開閉用ダイヤフラムを作動させ
る作動圧によっては実質的に変形しない部材にて形成さ
れ、開閉用ダイヤフラムの内側および補償用ダイヤフラ
ムの内側を相互に連通しつつシールすることによって１
つの密閉空間を形成する密閉空間形成部材と、その密閉
空間に満たされた非圧縮性流体と、を含むため、補償用
ダイヤフラムと開閉用ダイヤフラムとが非圧縮性流体に
よって確実に機械的に連動されることとなり、しかも開
閉用ダイヤフラムの作動による容積変化を補償用ダイヤ
フラムによって正確に補償することができる。
【０１３５】また、請求項６の発明によれば、弾性部材
にて形成され、流入口から流出口に至る流路に設けられ
た弁座に密着することによって流路を閉鎖することとと
弁座から離間することによって流路を開放することとが
可能な開閉用ダイヤフラムと、流路を閉鎖する閉状態と
流路を開放する開状態との間で開閉用ダイヤフラムを作
動させる作動手段と、作動手段が開閉用ダイヤフラムを
作動させる作動圧によっては実質的に変形しない部材に
て形成され、開閉用ダイヤフラムの内側をシールするこ
とによって密閉空間を形成する密閉空間形成部材と、密
閉空間に満たされた非圧縮性流体と、を備えるため、開
閉用ダイヤフラムを急速に作動させたとしても、それに
ともなう流路での容積変化はなく、液体の引き戻しや押
し出しが生じることがなくなり、その結果、バルブ開閉
時にも安定した液供給を行うことができる。
にて形成され、流入口から流出口に至る流路に設けられ
た弁座に密着することによって流路を閉鎖することとと
弁座から離間することによって流路を開放することとが
可能な開閉用ダイヤフラムと、流路を閉鎖する閉状態と
流路を開放する開状態との間で開閉用ダイヤフラムを作
動させる作動手段と、作動手段が開閉用ダイヤフラムを
作動させる作動圧によっては実質的に変形しない部材に
て形成され、開閉用ダイヤフラムの内側をシールするこ
とによって密閉空間を形成する密閉空間形成部材と、密
閉空間に満たされた非圧縮性流体と、を備えるため、開
閉用ダイヤフラムを急速に作動させたとしても、それに
ともなう流路での容積変化はなく、液体の引き戻しや押
し出しが生じることがなくなり、その結果、バルブ開閉
時にも安定した液供給を行うことができる。
【０１３６】また、請求項７の発明によれば、基板処理
ユニットに基板を保持する保持部と、保持部に保持され
た基板に処理液を吐出する吐出ノズルと、吐出ノズルに
処理液を送給する送給源と、送給源と吐出ノズルとを連
通して送給源からの処理液を吐出ノズルに導く配管と、
配管の経路途中に設けられた請求項１から請求項６のい
ずれかに記載のダイヤフラムバルブと、を備えるため、
基板処理ユニットにおいてバルブ開閉時にも安定した処
理液供給を行うことができる。
ユニットに基板を保持する保持部と、保持部に保持され
た基板に処理液を吐出する吐出ノズルと、吐出ノズルに
処理液を送給する送給源と、送給源と吐出ノズルとを連
通して送給源からの処理液を吐出ノズルに導く配管と、
配管の経路途中に設けられた請求項１から請求項６のい
ずれかに記載のダイヤフラムバルブと、を備えるため、
基板処理ユニットにおいてバルブ開閉時にも安定した処
理液供給を行うことができる。
【０１３７】また、請求項８の発明によれば、送給源か
ら吐出ノズルに送給する処理液の流量を制御する流量制
御手段と、吐出ノズルからの処理液吐出を停止する際
に、送給源から吐出ノズルに送給する処理液の流量が所
定値に到達した時点で開閉用ダイヤフラムが閉状態とな
るように作動手段を制御する開閉制御手段と、をさらに
備えるため、処理液吐出停止時の吐出ノズルにおける処
理液先端位置をコントロールすることができる。
ら吐出ノズルに送給する処理液の流量を制御する流量制
御手段と、吐出ノズルからの処理液吐出を停止する際
に、送給源から吐出ノズルに送給する処理液の流量が所
定値に到達した時点で開閉用ダイヤフラムが閉状態とな
るように作動手段を制御する開閉制御手段と、をさらに
備えるため、処理液吐出停止時の吐出ノズルにおける処
理液先端位置をコントロールすることができる。
【０１３８】また、請求項９の発明によれば、処理液が
フォトレジストであり、バルブ開閉時にも安定したフォ
トレジスト供給を行うことができる。
フォトレジストであり、バルブ開閉時にも安定したフォ
トレジスト供給を行うことができる。
【０１３９】また、請求項１０の発明によれば、基板処
理装置に請求項９記載の基板処理ユニットと、基板に現
像処理を行う現像処理ユニットと、基板に熱処理を行う
熱処理ユニットと、各装置間にて基板を搬送する搬送手
段と、を備えるため、基板処理装置においてバルブ開閉
時にも安定したフォトレジスト供給を行うことができ
る。
理装置に請求項９記載の基板処理ユニットと、基板に現
像処理を行う現像処理ユニットと、基板に熱処理を行う
熱処理ユニットと、各装置間にて基板を搬送する搬送手
段と、を備えるため、基板処理装置においてバルブ開閉
時にも安定したフォトレジスト供給を行うことができ
る。
【０１４０】また、請求項１１の発明によれば、搬送手
段に未処理基板を渡すとともに搬送手段から処理済基板
を受け取るインデクサと、装置外部の露光ユニットと搬
送手段との間で基板の受け渡しを行うインターフェイス
と、をさらに備えるため、基板処理装置においてバルブ
開閉時にも安定したフォトレジスト供給を行うことがで
きる。
段に未処理基板を渡すとともに搬送手段から処理済基板
を受け取るインデクサと、装置外部の露光ユニットと搬
送手段との間で基板の受け渡しを行うインターフェイス
と、をさらに備えるため、基板処理装置においてバルブ
開閉時にも安定したフォトレジスト供給を行うことがで
きる。
【図１】本発明に係る基板処理装置の全体構成を示す平
面図である。
面図である。
【図２】図１の基板処理装置の第１処理部群および第２
処理部群の構成を示す図である。
処理部群の構成を示す図である。
【図３】図１の基板処理装置の搬送ロボットの外観斜視
図である。
図である。
【図４】図１の基板処理装置における基板処理の手順の
一例を示す図である。
一例を示す図である。
【図５】図１の基板処理装置の塗布処理ユニットの要部
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図６】本発明に係るダイヤフラムバルブの構造および
動作の一例を示す図である。
動作の一例を示す図である。
【図７】本発明に係るダイヤフラムバルブの構造および
動作の一例を示す図である。
動作の一例を示す図である。
【図８】レジストポンプから吐出ノズルに送給するレジ
スト流量の変化の一例を示す図である。
スト流量の変化の一例を示す図である。
【図９】吐出ノズルにおけるレジスト停止位置を示す図
である。
である。
【図１０】本発明に係るダイヤフラムバルブの構造およ
び動作の他の例を示す図である。
び動作の他の例を示す図である。
【図１１】本発明に係るダイヤフラムバルブの構造およ
び動作の他の例を示す図である。
び動作の他の例を示す図である。
【図１２】本発明に係るダイヤフラムバルブの構造およ
び動作の他の例を示す図である。
び動作の他の例を示す図である。
【図１３】本発明に係るダイヤフラムバルブの構造およ
び動作の他の例を示す図である。
び動作の他の例を示す図である。
【図１４】従来のダイヤフラムバルブの構成を示す図で
ある。
ある。
【図１５】従来のダイヤフラムバルブの構成を示す図で
ある。
ある。
１ 基板処理装置
１０，６０，７０ ダイヤフラムバルブ
１２ ピストン
１３ バネ
１４，６４，７４ 隔壁
１５，２２，６２，７５ ダイヤフラム
１６ 弁座
２０ レジスト配管
２３ リンク棒
２５ 流路
２５ａ 上流側流路
２５ｂ 下流側流路
２６ 流入口
２７ 流出口
３０ レジストポンプ
３８ 流量制御部
３９ 開閉制御部
４５ 吐出ノズル
４８ 電磁弁
４９ リークバルブ
６５，７６ 密閉空間
ＣＰ１，ＣＰ２ 塗布処理ユニット
ＩＤ インデクサ
ＩＦ インターフェイス
Ｑ 弁軸
ＴＲ 搬送ロボット
Ｗ 基板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 3B201 AA01 AB23 AB33 AB44 AB47
BB09 BB22 BB32 BB82 BB92
CD41
3H056 AA07 BB50 CA07 CB03 CC12
CD04 DD04 EE03 GG04 GG11
4F042 AA06 AA07 BA11 CB08 CB11
CB19 DA01 DF09 DF25 DF32
EB09 EB13 EB17 EB21
5F046 JA02 JA03 JA27
Claims (11)
- 【請求項１】 液体が流入する１つの流入口と該液体が
流出する１つの流出口とを有するダイヤフラムバルブで
あって、 前記流入口から前記流出口に至る流路に設けられた弁座
に密着することによって前記流路を閉鎖することとと前
記弁座から離間することによって前記流路を開放するこ
ととが可能な開閉用ダイヤフラムと、 前記流路を閉鎖する閉状態と前記流路を開放する開状態
との間で前記開閉用ダイヤフラムを作動させる作動手段
と、 前記開閉用ダイヤフラムよりも前記流路の前記流出口側
に設けられ、前記開閉用ダイヤフラムが作動したときに
前記流路のうち前記開閉用ダイヤフラムよりも前記流出
口側の二次側流路に生じる容積変化を補償する容積変化
補償手段と、を備えることを特徴とするダイヤフラムバ
ルブ。 - 【請求項２】 請求項１記載のダイヤフラムバルブにお
いて、 前記容積変化補償手段は、前記開閉用ダイヤフラムと機
械的に連動され、前記開閉用ダイヤフラムが前記流路を
閉鎖するときに前記二次側流路の容積を増加し、前記開
閉用ダイヤフラムが前記流路を開放するときに前記二次
側流路の容積を減少するように作動する補償用ダイヤフ
ラムを含むことを特徴とするダイヤフラムバルブ。 - 【請求項３】 請求項２記載のダイヤフラムバルブにお
いて、 前記開閉用ダイヤフラムと前記補償用ダイヤフラムとは
略同一形状であり、 前記容積変化補償手段は、前記開閉用ダイヤフラムと前
記補償用ダイヤフラムとを連結するリンク棒を含むこと
を特徴とするダイヤフラムバルブ。 - 【請求項４】 請求項３記載のダイヤフラムバルブにお
いて、 前記補償用ダイヤフラムは、前記開閉用ダイヤフラムが
作動する弁軸上に設けられ、 前記リンク棒は前記弁軸に沿って配置されていることを
特徴とするダイヤフラムバルブ。 - 【請求項５】 請求項２記載のダイヤフラムバルブにお
いて、 前記容積変化補償手段は、 前記作動手段が前記開閉用ダイヤフラムを作動させる作
動圧によっては実質的に変形しない部材にて形成され、
前記開閉用ダイヤフラムの内側および前記補償用ダイヤ
フラムの内側を相互に連通しつつシールすることによっ
て１つの密閉空間を形成する密閉空間形成部材と、 前記密閉空間に満たされた非圧縮性流体と、を含むこと
を特徴とするダイヤフラムバルブ。 - 【請求項６】 液体が流入する１つの流入口と該液体が
流出する１つの流出口とを有するダイヤフラムバルブで
あって、 弾性部材にて形成され、前記流入口から前記流出口に至
る流路に設けられた弁座に密着することによって前記流
路を閉鎖することとと前記弁座から離間することによっ
て前記流路を開放することとが可能な開閉用ダイヤフラ
ムと、 前記流路を閉鎖する閉状態と前記流路を開放する開状態
との間で前記開閉用ダイヤフラムを作動させる作動手段
と、 前記作動手段が前記開閉用ダイヤフラムを作動させる作
動圧によっては実質的に変形しない部材にて形成され、
前記開閉用ダイヤフラムの内側をシールすることによっ
て密閉空間を形成する密閉空間形成部材と、 前記密閉空間に満たされた非圧縮性流体と、を備えるこ
とを特徴とするダイヤフラムバルブ。 - 【請求項７】 基板に処理液を供給して所定の処理を行
う基板処理ユニットであって、 基板を保持する保持部と、 前記保持部に保持された基板に処理液を吐出する吐出ノ
ズルと、 前記吐出ノズルに処理液を送給する送給源と、 前記送給源と前記吐出ノズルとを連通して前記送給源か
らの処理液を前記吐出ノズルに導く配管と、 前記配管の経路途中に設けられた請求項１から請求項６
のいずれかに記載のダイヤフラムバルブと、 を備えることを特徴とする基板処理ユニット。 - 【請求項８】 請求項７記載の基板処理ユニットにおい
て、 前記送給源から前記吐出ノズルに送給する処理液の流量
を制御する流量制御手段と、 前記吐出ノズルからの処理液吐出を停止する際に、前記
送給源から前記吐出ノズルに送給する処理液の流量が所
定値に到達した時点で前記開閉用ダイヤフラムが前記閉
状態となるように前記作動手段を制御する開閉制御手段
と、をさらに備えることを特徴とする基板処理ユニッ
ト。 - 【請求項９】 請求項７または請求項８に記載の基板処
理ユニットにおいて、 前記処理液は、フォトレジストであることを特徴とする
基板処理ユニット。 - 【請求項１０】 基板に複数工程からなる一連の処理を
行う基板処理装置であって、 請求項９記載の基板処理ユニットと、 基板に現像処理を行う現像処理ユニットと、 基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、 前記各装置間にて基板を搬送する搬送手段と、を備える
ことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項１１】 請求項１０記載の基板処理装置におい
て、 前記搬送手段に未処理基板を渡すとともに前記搬送手段
から処理済基板を受け取るインデクサと、 装置外部の露光ユニットと前記搬送手段との間で基板の
受け渡しを行うインターフェイスと、をさらに備えるこ
とを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001384614A JP3990567B2 (ja) | 2001-12-18 | 2001-12-18 | ダイヤフラムバルブ、基板処理ユニットおよび基板処理装置 |
| US10/318,627 US20030111178A1 (en) | 2001-12-18 | 2002-12-13 | Diaphragm valve, substrate processing unit and substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001384614A JP3990567B2 (ja) | 2001-12-18 | 2001-12-18 | ダイヤフラムバルブ、基板処理ユニットおよび基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003185053A true JP2003185053A (ja) | 2003-07-03 |
| JP3990567B2 JP3990567B2 (ja) | 2007-10-17 |
Family
ID=19187741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001384614A Expired - Fee Related JP3990567B2 (ja) | 2001-12-18 | 2001-12-18 | ダイヤフラムバルブ、基板処理ユニットおよび基板処理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20030111178A1 (ja) |
| JP (1) | JP3990567B2 (ja) |
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| KR101827579B1 (ko) | 2011-03-14 | 2018-03-22 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 처리액 공급방법 |
| KR20210028787A (ko) * | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 세메스 주식회사 | 액 공급 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 액 공급 방법 |
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