JP2006261394A - 基板処理装置及び基板処理方法及び基板処理プログラム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 浮上力を安定化させるために用いられるバキューム機構の真空圧力に変動が生じると、ノズル高さ位置補正部の制御回路が圧力センサを通じてその真空圧力の変動を検出し、そのような真空圧力の変動に対して一定の応答特性を有する制御信号を生成して圧電アクチエータを駆動制御し、圧電アクチエータより発生される変位によってレジストノズルの高さ位置を可変制御する。これにより、たとえば、バキューム機構の真空圧力の変動に応じて基板Gが設定浮上高度Hbよりも上方へ変位するときは、その基板Gの変位と同じタイミングでレジストノズル78も上方へほぼ同じ変位量だけ変位し、結果的にレジストノズル78と基板GとのギャップSが設定値に保たれる。
【選択図】 図18
Description
75 ノズル昇降機構
76 ステージ
77 ノズル高さ位置補正部
78 レジストノズル
84 基板搬送部
85 搬入用リフトピン昇降部
86 搬入用リフトピン
88 噴出口
90 吸引口
91 搬出用リフトピン昇降部
92 搬出用リフトピン
93 レジスト液供給源
100 搬送駆動部
102 保持部
104 吸着パッド
134 圧縮空気供給機構
136 バキューム機構
138 ステージ基板浮上部
144 ジョイント部
154 圧電アクチエータ
166 圧力センサ
170 制御回路
172 駆動回路
180 コントローラ
M1 搬入領域
M3 塗布領域
M5 搬出領域
Claims (22)
- 気体を噴出する多数の噴出口と気体を吸い込む多数の吸引口とが混在して設けられた第1の浮上領域を有するステージと、
被処理基板を前記ステージ上で浮かせた状態で所定の搬送方向に前記第1の浮上領域を通過させる基板搬送部と、
前記第1の浮上領域の上方に配置されるノズルを有し、前記基板上に処理液を供給するために前記ノズルより前記処理液を吐出させる処理液供給部と、
前記ノズルと前記基板との間のギャップを所望の値に設定するためのギャップ設定部と、
前記噴出口に正圧の気体を供給する正圧気体供給機構と、
前記吸引口に真空の圧力を供給するバキューム機構と、
前記バキューム機構内の真空圧力を検出する圧力検出部と、
前記第1の浮上領域で前記ギャップが前記設定値に保たれるように、前記圧力検出部によって検出される真空圧力の変動に応じて前記ノズルの高さ位置を可変制御するノズル高さ位置補正部と
を有する基板処理装置。 - 前記ノズル高さ位置補正部が、
前記ノズルを鉛直方向で可動に支持するノズル支持部と、
前記ノズルを鉛直方向に所定の範囲内で所望の変位量だけ変位させるために前記ノズル支持部に組み込まれた圧電アクチエータと、
前記圧力検出部より出力される圧力検出信号に応じた制御信号で前記圧電アクチエータを駆動するノズル変位制御部と
を有する請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記ノズル変位制御部が、前記制御信号を生成するために、前記圧力検出信号から交流成分を抽出する第1のフィルタを有する請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記ノズル変位制御部が、前記制御信号を生成するために、前記圧力検出信号の交流成分から所定周波数以上の高周波成分を除去する第2のフィルタを有する請求項2または請求項3に記載の基板処理装置。
- 前記ノズル変位制御部が、前記制御信号を生成するために、前記圧力検出信号の交流成分を所定の時間または位相だけ遅延させるディレイ回路を有する請求項2〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記ノズル変位制御部が、前記制御信号を生成するために、前記圧力検出信号の交流成分を所定の利得で増幅する増幅回路を有する請求項2〜5のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記ノズルが、前記搬送方向と交差する水平方向に延びる微細径の吐出口を有する請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記ギャップ設定部が、前記ノズルを昇降移動させるノズル昇降部を有する請求項1〜7のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記第1の浮上領域を通過する前記基板に対して前記噴出口より加えられる垂直上向きの圧力と前記吸引口より加えられる垂直下向きの圧力とのバランスを制御する浮揚制御部を有する請求項1〜8のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記ステージが、前記搬送方向において前記第1の浮上領域の上流側に前記基板を浮かせる第2の浮上領域を有する請求項1〜9のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記第2の浮上領域内に、前記基板を搬入するための搬入部が設けられる請求項10に記載の基板処理装置。
- 前記搬入部が、
前記ステージ上の搬入位置で前記基板をピン先端で支持するための複数本の第1のリフトピンと、
前記第1のリフトピンを前記ステージ下方の原位置と前記ステージ上方の往動位置との間で昇降移動させる第1のリフトピン昇降部と
を有する請求項11に記載の基板処理装置。 - 前記ステージが、前記搬送方向において前記第1の浮上領域の下流側に前記基板を浮かせる第3の浮上領域を有する請求項1〜12のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記第3の浮上領域内に、前記基板を搬出するための搬出部が設けられる請求項13に記載の基板処理装置。
- 前記搬出部が、
前記ステージ上の搬入位置で前記基板をピン先端で支持するための複数本の第2のリフトピンと、
前記第2のリフトピンを前記ステージ下方の原位置と前記ステージ上方の往動位置との間で昇降移動させる第2のリフトピン昇降部と
を有する請求項14に記載の基板処理装置。 - 前記ステージが、前記2の領域と前記第1の領域との間に前記基板を浮かせる第4の浮上領域を有し、前記第4の浮上領域内に気体を吸い込む吸引口を前記搬送方向に向かって次第に増大する密度で多数配置している請求項10〜15のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記ステージが、前記1の領域と前記第3の領域との間に前記基板を浮かせる第5の浮上領域を有し、前記第5の浮上領域内に気体を吸い込む吸引口を前記搬送方向に向かって次第に減少する密度で多数配置している請求項13〜16のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記基板搬送部が、
前記基板の移動する方向と平行に延びるように前記ステージの片側または両側に配置されるガイドレールと、
前記ガイドレールに沿って移動可能なスライダと、
前記スライダを前記ガイドレールに沿って移動するように駆動する搬送駆動部と、
前記スライダから前記ステージの中心部に向かって延在し、前記基板の側縁部を着脱可能に保持する保持部と
を有する請求項1〜17のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - ステージ上に搬送方向に沿って、被処理基板よりもサイズの大きい搬入領域と、前記基板よりもサイズの小さい塗布領域と、前記基板よりもサイズの大きい搬出領域とをこの順に一列に設定し、
前記ステージの上面に設けた多数の噴出口より噴出する気体の圧力で前記基板を浮かせて、少なくとも前記塗布領域では前記ステージの上面に前記噴出口と混在する多数の吸引口を設けて前記塗布領域を通過する前記基板に対して前記噴出口より加えられる垂直上向きの圧力と前記吸引口より加えられる垂直下向きの圧力とのバランスを制御して前記基板にほぼ均一な浮上力を与え、
前記基板を前記搬入領域から前記搬出領域まで搬送する途中、前記塗布領域内で上方に配置したノズルより処理液を吐出させて前記基板上に前記処理液を塗布し、
塗布処理中に、前記吸引口に供給される真空の圧力を検出し、前記ノズルと前記基板との間のギャップを設定値に保つように前記真空圧力の変動に応じて前記ノズルの高さ位置を可変制御する基板処理方法。 - 前記ノズルに機械的に結合された圧電体に前記真空圧力の変動に応じた駆動信号を与え、前記圧電体の逆圧電効果を利用して前記ノズルの高さ位置を可変制御する請求項19に記載の基板処理方法。
- 前記真空圧力の変動に対して前記駆動信号に一定の時間遅れをもたせる請求項20に記載の基板処理方法。
- 上面に多数の噴出口と多数の吸引口とを混在させて設けたステージ上で、被処理基板を所望の高さに浮かせた状態で所定の方向に搬送するステップと、
搬送中の前記基板に向けて上方のノズルより処理液を吐出させて前記基板上に処理液を塗布するステップと、
前記吸引口に供給される真空の圧力を検出し、前記ノズルと前記基板との間のギャップを設定値に保つように前記真空圧力の変動に応じて前記ノズルの高さ位置を可変制御するステップと
を実行する基板処理プログラム。
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