KR101931181B1 - 기판처리장치 및 기판처리방법 - Google Patents

기판처리장치 및 기판처리방법 Download PDF

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Abstract

본 명세서는, 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것으로, 약액의 온도 상승 시 저장탱크 및 공정챔버를 냉각시키는 기판처리장치 및 기판처리방법을 개시한다.
본 발명에 따른 기판처리방법의 일 양상은, 기판의 증착막을 식각하는 이용되는 약액의 온도를 감지하는 단계; 상기 약액의 온도가 제1온도 이상인 경우에 상기 약액을 분사하는 노즐유닛으로 상기 약액을 공급하는 저장탱크의 내부의 유체를 배출하는 단계; 및 상기 약액의 온도가 상기 제1온도 이상인 경우에 상기 저장탱크 및 상기 노즐유닛으로 냉각액을 공급하는 단계;를 포함한다.

Description

기판처리장치 및 기판처리방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 약액의 온도 상승 시 저장탱크 및 공정챔버를 냉각시키는 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다.
반도체소자는 포토리소그래피공정(photolithography)을 비롯한 다양한 공정을 통해 기판 상에 패턴을 형성하여 제조된다. 이 중 식각공정(etching process)는 약액으로 기판 상의 증착막을 선택적으로 부식시킴으로써, 기판에 패턴을 형성하는 포토리소그래피공정의 핵심공정 중 하나이다.
구리식각공정(Cu etching process)에서는 노광(exposure) 및 현상(develope)을 거친 포토레지스트막(photoresist layer)의 하부의 구리막(Cu layer)를 과수(H2O2)로 부식시켜 패턴을 형성한다. 이 과정에서 부식된 구리와 과수가 반응하면 열이 발생하는데, 이에 따라 과수의 온도가 임계치 이상이 되면 이후 급격히 온도가 상승하고, 과수가 분해되어 산소(O2) 발생을 초래하며, 결과적으로 기판이 오염되고, 식각이 정밀하게 이루어지지 않아 기판의 수율이 저하될 수 있다.
본 발명의 일 과제는 약액의 온도 상승 시 이를 냉각시키는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판처리장치를 제공한다.
본 발명에 따른 기판처리장치의 일 양상은, 기판으로 약액을 분사하는 노즐유닛 및 상기 분사된 약액을 회수하는 회수유닛을 포함하고, 상기 약액을 이용하여 상기 기판 상의 증착막을 식각하는 공정챔버; 상기 약액을 저장하는 저장탱크; 상기 저장탱크로부터 상기 노즐유닛으로 상기 약액을 공급하는 공급라인; 상기 회수유닛으로부터 상기 저장탱크로 상기 약액을 회수하는 회수라인; 상기 저장탱크로 냉각액을 공급하는 제1냉각라인; 상기 공급라인에서 분기되고, 상기 노즐유닛으로 냉각액을 공급하는 제2냉각라인; 상기 저장탱크 내부의 유체를 배출하는 배출라인; 상기 약액의 온도를 감지하는 온도센서; 및 상기 약액의 온도가 제1온도 이상인 경우에 상기 공급라인을 폐쇄하고, 상기 제1냉각라인, 상기 제2냉각라인 및 상기 배출라인을 개방하는 제어기;를 포함한다.
상기 온도센서는, 상기 회수라인을 통과하는 유체의 온도를 감지하는 제1온도센서 및 상기 저장탱크의 서로 상이한 지점의 유체의 온도를 감지하는 복수의 제2온도센서를 포함하고, 상기 제어기는 상기 제1온도센서 및 상기 복수의 제2온도센서 중 어느 하나에서 감지된 온도가 상기 제1온도 이상인 경우에 상기 약액의 온도가 상기 제1온도 이상인 것으로 판단할 수 있다.
상기 배출라인으로부터 분기되어 상기 저장탱크로 연결되는 순환라인; 상기 저장탱크의 제1높이에 설치되는 상부유량센서; 및 상기 저장탱크의 상기 제1높이보다 낮은 제2높이에 설치되는 하부유량센서;를 더 포함하고, 상기 제어기는, 상기 저장탱크 내부의 유량이 상기 제2높이 이하인 경우에 상기 순환라인을 개방하고, 상기 저장탱크 내부의 유량이 상기 제1높이 이상인 경우에 상기 순환라인을 폐쇄할 수 있다.
상기 식각공정은, 구리식각공정(Cu etching process)이고, 상기 증착막은, 구리막이고, 상기 약액은, 과수(H2O2)이고, 상기 제1온도는, 섭씨 35도 내지 섭씨 40도이고, 상기 냉각액은, 상기 제1온도보다 낮은 온도의 순수일 수 있다.
본 발명은 기판처리방법을 제공한다.
본 발명에 따른 기판처리방법의 일 양상은, 기판의 증착막을 식각하는 이용되는 약액의 온도를 감지하는 단계; 상기 약액의 온도가 제1온도 이상인 경우에 상기 약액을 분사하는 노즐유닛으로 상기 약액을 공급하는 저장탱크의 내부의 유체를 배출하는 단계; 및 상기 약액의 온도가 상기 제1온도 이상인 경우에 상기 저장탱크 및 상기 노즐유닛으로 냉각액을 공급하는 단계;를 포함한다.
상기 온도를 감지하는 단계는, 상기 저장탱크로부터 상기 노즐유닛으로 상기 약액을 공급하는 공급라인에 설치된 제1온도센서와 상기 저장탱크의 내부의 서로 상이한 위치에 설치된 복수의 제2온도센서가 상기 약액의 온도를 감지하고, 상기 배출하는 단계 및 상기 공급하는 단계는, 상기 제1온도센서 및 상기 복수의 제2온도센서 중 적어도 하나에서 감지된 온도가 상기 제1온도 이상인 경우에 수행될 수 있다.
상기 저장탱크에서 배출되는 유체를 다시 상기 저장탱크로 공급하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
상기 저장탱크의 내부의 유량을 감지하는 단계;를 더 포함하고, 상기 배출된 유체를 다시 공급하는 단계에서, 상기 저장탱크 내부의 유량이 제1유량 이하인 경우에 상기 저장탱크로 상기 배출된 유체의 공급을 시작하고, 상기 저장탱크 내부의 유량이 상기 제1유량보다 큰 제2유량 이상인 경우에 상기 저장탱크로 상기 배출된 유체의 공급을 중단할 수 있다.
상기 저장탱크의 내부의 유량을 감지하는 단계;를 더 포함하고, 상기 냉각액을 공급하는 단계에서, 상기 저장탱크 내부의 유량이 제1유량 이하인 경우에 상기 저장탱크로 상기 냉각액의 공급을 시작하고, 상기 저장탱크 내부의 유량이 상기 제1유량보다 큰 제2유량 이상인 경우에 상기 저장탱크로 상기 냉각액의 공급을 중단할 수 있다.
상기 감지된 온도가 상기 제1온도보다 낮은 제2온도에 도달하는 경우에 상기 저장탱크 및 상기 노즐유닛으로 상기 냉각액을 공급하는 것을 중단하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
상기 식각공정은, 구리식각공정(Cu etching process)이고, 상기 증착막은, 구리막이고, 상기 약액은, 과수(H2O2)이고, 상기 제1온도는, 섭씨 35도 내지 섭씨 40도이고, 상기 냉각액은, 상기 제1온도보다 낮은 온도의 순수일 수 있다.
본 발명에 의하면, 약액의 온도 상승 시 저장탱크 및 공정챔버를 냉각시킬 수 있다.
본 발명에 의하면, 과수의 온도를 제어하여 과수의 분해에 따른 산소의 이상발생을 방지할 수 잇다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 기판처리장치의 일 실시예에 따른 인덱스모듈 및 공정모듈의 평면도이다.
도 2는 도 1의 공정챔버의 단면도이다.
도 3은 기판처리장치의 일 실시예에 따른 유체공급모듈의 구성도이다.
도 4는 기판처리방법의 일 실시예의 순서도이다.
도 5는 기판처리장법의 다른 실시예의 순서도이다.
도 6은 도 5의 기판처리방법에 따른 냉각프로세스의 순서도이다.
본 명세서에서 사용되는 용어와 첨부된 도면은 본 발명을 용이하게 설명하기 위한 것이므로, 본 발명이 용어와 도면에 의해 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 이용되는 기술 중 본 발명의 사상과 밀접한 관련이 없는 공지의 기술에 관한 자세한 설명은 생략한다.
이하에서는 본 발명에 따른 기판처리장치(100)에 관하여 설명한다.
기판처리장치(100)는 식각공정(etching)을 수행한다. 즉, 기판처리장치(100)는 약액을 이용하여 기판(S) 상의 증착막을 선택적으로 부식시켜 기판(S)에 패턴을 형성할 수 있다.
기판(S)은 반도체소자나 평판디스플레이(FPD: flat panel display) 및 그 밖에 박막에 회로패턴이 형성된 물건의 제조에 이용되는 기판을 모두 포함하는 포괄적인 개념이다. 기판(S)의 예로는, 실리콘웨이퍼(silicon wafer)를 비롯한 다양한 반도체웨이퍼, 유리기판, 유기기판 등이 있다.
증착막으로는 전도성 소재가 이용될 수 있다. 예를 들어, 증착막은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag) 등의 재질로 이루어질 수 있다. 약액의 종류는 증착막에 따라 선택될 수 있다. 약액으로는 알칼리용액이나 산성용액이 이용될 수 있다. 예를 들어, 약액으로는 수산화칼륨용액(KOH), 불산용액(HF), 과산화수소용액(H2O2), 암모니아용액(NH4OH), 염산용액(HCl), 황산용액(H2SO4) 등이 이용될 수 있다.
이하에서는 기판처리장치(100)가 과수를 이용하여 실리콘웨이퍼에 증착된 구리막을 식각하는 식각공정을 수행하는 것으로 기준으로 설명한다. 다만, 이는 설명의 편의를 위한 것에 불과하므로 기판처리장치(100)가 구리식각공정 이외의 다른 식각공정을 수행할 수 있다. 이때에는 기판(S), 약액, 증착막은 적절히 변경될 수 있다.
이하에서는 본 발명에 따른 기판처리장치(100)의 일 실시예에 관하여 설명한다.
일 실시예에 따른 기판처리장치(100)는 매엽식 장치(sheet-fed type apparatus)로 구현된다. 매엽식의 기판처리장치(100)는 인덱스모듈(1000), 공정모듈(2000) 및 유체공급모듈(4000)을 포함한다. 인덱스모듈(1000)은 외부로부터 기판(S)을 반송받아 공정모듈(2000)로 기판(S)을 반송하고, 공정모듈(2000)은 구리식각공정을 한다. 유체공급모듈(4000)은 공정모듈(2000)로 구리식각공정에 이용되는 약액이나 냉각액 등의 유체를 공급한다.
다만, 기판처리장치(100)가 반드시 매엽식 장치로 구현되어야 하는 것은 아니므로, 이외에도 배치식 장치(batch type apparatus)로 구현될 수 있다.
이하에서는 기판처리장치(100)의 일 실시예에 따른 인덱스모듈(1000) 및 공정모듈(2000)에 관하여 설명한다.
도 1은 기판처리장치(100)의 일 실시예에 따른 인덱스모듈(1000) 및 공정모듈(2000)의 평면도이다.
도 1을 참조하면, 기판처리장치(100)에는 인덱스모듈(1000) 및 공정모듈(2000)이 일 방향에 따라 제공된다.
인덱스모듈(1000)은 설비전방단부모듈(EFEM: equipment front end module)로서, 로드포트(1100) 및 인덱스프레임(1200)을 포함한다.
로드포트(1100)에는 기판(S)이 수용되는 용기(C)가 놓인다. 용기(C)로는 전면개방일체형포드(FOUP: front opening unified pod)가 사용될 수 있다. 용기(C)는 오버헤드트랜스퍼(OHT: overhead transfer)나 그 외의 기판(S)운송수단 또는 작업자에 의해 외부로부터 로드포트(1100)로 반입되거나 로드포트(1100)로부터 외부로 반출될 수 있다.
인덱스프레임(1200)은 로드포트(1100)에 놓인 용기(C)와 공정모듈(2000) 간에 기판(S)을 반송한다. 인덱스프레임(1200)은 인덱스로봇(1210) 및 인덱스레일(1220)을 포함한다. 인덱스로봇(1210)은 인덱스레일(1220) 상에서 이동하며 기판(S)을 반송할 수 있다.
공정모듈(2000)에서는 구리식각공정이 수행된다. 공정모듈(2000)은 버퍼챔버(2100), 이송챔버(2200) 및 공정챔버(3000)를 포함한다.
버퍼챔버(2100)는 인덱스모듈(1000)과 공정모듈(2000) 간에 반송되는 기판(S)이 임시로 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼챔버(2100)에는 기판(S)이 놓이는 버퍼슬롯이 제공될 수 있다. 인덱스로봇(1210)은 기판(S)을 용기(C)로부터 인출하여 버퍼슬롯에 놓을 수 있고, 이송챔버(2200)의 이송로봇(2210)은 버퍼슬롯에 놓인 기판(S)을 인출하여 이를 공정챔버(3000)로 반송할 수 있다. 버퍼챔버(2100)에는 상하방향으로 복수의 버퍼슬롯이 제공되어 복수의 기판(S)이 적층되어 놓일 수 있다.
이송챔버(2200)는 그 둘레에 배치된 버퍼챔버(2100) 및 공정챔버(3000) 간에 기판(S)을 반송한다. 이송챔버(2200)는 이송로봇(2210) 및 이송레일(2220)을 포함할 수 있다. 이송로봇(2210)은 이송레일(2220) 상에서 이동하며 기판(S)을 반송할 수 있다.
공정챔버(3000)는 이송챔버(2200)의 둘레에 배치된다. 공정챔버(3000)는 이송챔버(2200)로부터 기판(S)을 반송받아 기판(S)을 처리할 수 있다.
공정모듈(2000)에는 복수의 공정챔버(3000)가 제공될 수 있다. 공정챔버(3000)는 이송챔버(2200)의 일측 또는 타측에 이송챔버(2200)의 길이방향에 따라 일렬로 배치될 수 있다. 또한 공정챔버(3000)는 상하방향으로 적층되어 배치될 수 있다. 물론, 공정챔버(3000)의 배치가 상술한 예로 한정되는 것은 아니며, 공정챔버(3000)는 기판처리장치(100)의 풋프린트(foot print)나 공정효율과 같은 다양한 요인을 고려하여 적절히 배치될 수 있다.
공정챔버(3000)는 구리식각공정을 수행한다.
도 2는 도 1의 공정챔버(3000)의 단면도이다.
도 2를 참조하면, 공정챔버(3000)는 지지유닛(3100), 노즐유닛(3200) 및 회수유닛(3300)을 포함한다.
지지유닛(3100)은 기판(S)을 지지한다. 지지유닛(3100)은 지지플레이트(3110), 지지핀(3111), 처킹핀(3112), 회전축(3120) 및 회전구동기(3130)를 포함할 수 있다.
지지유닛(3100)은 기판(S)을 지지한다. 또, 지지유닛(3100)은 지지된 기판(S)을 회전시킬 수 있다. 지지유닛(3100)은 지지플레이트(3110), 지지핀(3111), 처킹핀(3112), 회전축(3120) 및 회전구동기(3130)를 포함한다.
지지플레이트(3110) 상에는 기판(S)이 안착된다. 지지플레이트(3110)의 상면은 기판(S)과 동일 또는 유사한 형상으로 제공되며, 그 면적은 기판(S)과 동일하거나 더 클 수 있다. 실리콘웨이퍼를 지지하는 지지플레이트(3110)는 그 상면이 원형으로 제공될 수 있다.
지지플레이트(3110)의 상면에는 지지핀(3111)과 처킹핀(3112)이 제공된다. 지지핀(3111)은 기판(S)에 하면에 접촉하여 기판(S)을 지지한다. 처킹핀(3112)은 지지된 기판(S)의 측면에 접촉하여 기판(S)을 고정시킨다.
지지플레이트(3110)의 하부에는 회전축(3120)이 연결되고, 회전축(3120)은 회전구동기(3130)에 연결된다. 회전구동기(3130)는 회전력을 출력하고, 회전축(3120)은 회전구동기(3130)로부터 회전력을 전달받아 지지플레이트(3110)를 회전시킨다. 이에 따라 지지플레이트(3110)에 안착된 기판(S)이 회전할 수 있다. 처킹핀(3112)은 기판(S)이 회전하는 동안 기판(S)이 정위치에서 이탈하는 것을 방지할 수 있다.
노즐유닛(3200)은 기판(S)에 유체를 분사한다. 유체는 구리식각공정에 이용되는 과수와 같은 약액 또는 냉각액일 수 있다. 노즐유닛(3200)은 유체공급모듈(4000)에 연결되고, 유체공급모듈(4000)로부터 유체를 공급받는다. 노즐유닛(3200)은 노즐(3210), 노즐로드(3220), 노즐바(3230) 및 노즐구동기(3240)를 포함한다.
노즐(3210)은 유체를 분사한다. 노즐(3210)은 노즐로드(3220)의 일단 저면에 형성되고, 노즐로드(3220)는 노즐바(3230)의 상단에 결합되고, 노즐바(3230)은 노즐구동기(3240)에 연결된다. 노즐구동기(3240)는 회전력 또는 승강력(乘降力)을 출력하여 노즐바(3230)을 회전 또는 승강시킬 수 있다. 이에 따라 노즐(3210)의 위치가 조절되고, 기판(S)에 유체가 분사되는 위치가 조절될 수 있다. 예를 들어, 노즐(3210)은 지지플레이트(3110)에 안착된 기판(S)의 연직상방으로 이동하여 기판(S)으로 약액을 분사할 수 있다. 노즐유닛(3200)이 기판(S)에 약액을 분사하면, 지지유닛(3100)은 기판(S)을 회전시켜 기판(S)의 전 영역에 약액이 공급되도록 할 수 있다.
회수유닛(3300)은 기판(S)에 노즐유닛(3200)에서 분사된 유체를 회수한다. 회수유닛(3300)은 회수된 유체를 유체공급모듈(4000)로 공급할 수 있다. 식각공정에 사용되는 약액은 가격이 비싸고, 폐기되는 경우에 환경오염을 초래할 수 있으므로, 회수유닛(3300)은 약액을 회수하여 이를 재사용하도록 한다.
회수유닛(3300)은 회수통(3310) 및 회수포트(3320)를 포함한다. 회수통(3310)은 지지플레이트(3110)를 감싸도록 설치된다. 예를 들어, 회수통(3310)은 상부에서 볼 때 지지플레이트(3110)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다.
회수통(3310)의 내벽은 지지플레이트(3110)에서 비교적 가까운 위치에 지지플레이트(3110)보다 낮은 높이로 제공되고, 회수통(3310)의 외벽은 지지플레이트(3110)에서 비교적 먼 위치에 지지플레이트(3110)보다 높은 높이로 제공된다. 이에 따라 회수통(3310)의 내벽과 외벽의 사이에 회수구(3311)가 형성된다.
회수구(3311)로는 기판(S)으로부터 비산하는 유체가 회수된다. 노즐(3210)이 기판(S)에 약액을 분사하는 동안 기판(S)이 회전하면, 그 회전력에 의해 기판(S)에 분사된 약액이 기판(S)으로부터 비산하여 회수구(3311)를 통해 회수통(3310)에 유입될 수 있다.
회수포트(3320)는 유체공급모듈(4000)로 연결되고, 회수된 유체를 유체공급모듈(4000)로 공급한다. 유체공급모듈(4000)로 약액이 회수되면 유체공급모듈(4000)은 이를 다시 노즐유닛(3200)으로 공급하여 약액이 재사용되도록 할 수 있다.
이하에서는 기판처리장치(100)의 일 실시예에 따른 유체공급모듈(4000)에 관하여 설명한다.
도 3은 기판처리장치(100)의 일 실시예에 따른 유체공급모듈(4000)의 구성도이다.
도 3은 참조하면, 유체공급모듈(4000)은 저장탱크(4100), 온도센서(4200), 유량센서(4300), 입력기(4450) 및 제어기(4400)를 포함한다.
저장탱크(4100)는 약액을 저장한다. 저장탱크(4100)와 공정챔버(3000)는 공급라인(4510)과 회수라인(4520)으로 연결된다. 공급라인(4510)은 저장탱크(4100)로부터 노즐유닛(3200)으로 연결되고, 노즐유닛(3200)으로 유체를 공급할 수 있다. 회수라인(4520)은 회수유닛(3300)의 회수포트(3320)로부터 저장탱크(4100)로 연결되고, 회수통(3310)에 회수된 유체를 저장탱크(4100)로 회수할 수 있다.
또, 저장탱크(4100)에는 제1냉각라인(4540a), 배출라인(4530) 및 순환라인(4550)이 연결될 수 있다.
제1냉각라인(4540a)은 외부의 냉각액공급원(F)로부터 저장탱크(4100)로 연결된다. 냉각액공급원(F)은 제1냉각라인(4540a)을 통해 저장탱크(4100)로 냉각액을 공급할 수 있다. 냉각액으로는 순수가 이용될 수 있다.
배출라인(4530)은 저장탱크(4100)로부터 외부로 연결될 수 있다. 배출라인(4530)은 저장탱크(4100)에 저장된 유체를 외부로 배출할 수 있다. 순환라인(4550)은 배출라인(4530)으로부터 분기되어 다시 저장탱크(4100)로 연결될 수 있다. 순환라인(4550)은 배출되는 유체를 다시 저장탱크(4100)로 공급하여 유체를 순환시킬 수 있다.
또, 냉각액공급원(F)과 공정챔버(3000)는 제2냉각라인(4540b)으로 연결될 수 있다. 제2냉각라인(4540b)은 저장탱크(4100)와 공정챔버(3000)를 연결하는 공급라인(4510)으로부터 분기되어 냉각액공급원으로 연결된다. 제2냉각라인(4540b)은 노즐유닛(3200)으로 냉각액을 공급할 수 있다.
상술한 공급라인(4510), 회수라인(4520), 제1냉각라인(4540a), 제2냉각라인(4540b), 배출라인(4530) 및 순환라인(4550)에는 그 전부 또는 일부에 각각 밸브와 펌프가 설치될 수 있다. 밸브와 펌프는 각각 설치된 라인(4510~4550)을 개폐하거나 그 라인(4510~4550)에 흐르는 유체에 압력을 가하여, 그 라인(4510~4550)을 통과하는 유체의 유량(a rate of flow)을 조절할 수 있다.
온도센서(4200)는 유체의 온도를 감지한다. 온도센서(4200)는 복수일 수 있다. 예를 들어, 복수의 온도센서(4200)는 제1온도센서(4200a), 제2온도센서(4200b) 및 제3온도센서(4200c)를 포함할 수 있다.
제1온도센서(4200a)는 저장탱크(4100)와 공정챔버(3000) 간의 회수라인(4520)에 설치되고, 공정챔버(3000)로부터 회수되는 유체의 온도를 감지할 수 있다. 제2온도센서(4200b)와 제3온도센서(4200c)는 각각 저장탱크(4100)의 상이한 위치에 설치되고, 저장탱크(4100) 내부의 유체의 온도를 감지할 수 있다.
저장탱크(4100)는 비교적 크기가 크므로, 저장탱크(4100)의 내부에 저장된 유체의 온도가 그 위치에 따라 상이한 분포를 가질 수 있다. 제2온도센서(4200b)와 제3온도센서(4200c)는 서로 상이한 부위에 설치되어 저장탱크(4100) 내부의 유체의 온도를 상호보완적으로 측정할 수 있다. 또한, 제2온도센서(4200b)와 제3온도센서(4200c)는 어느 하나가 고장이 난 경우 다른 하나가 여전히 온도를 감지할 수 있도록 서로 인터락(interlock) 작용을 한다.
유량센서(4300)는 저장탱크(4100)에 저장된 유체의 유량(a quantity of fluid)을 측정한다. 유량센서(4300)는 복수일 수 있다. 예를 들어, 복수의 유량센서(4300)는 상부유량센서(4300a) 및 하부유량센서(4300b)일 수 있다. 상부유량센서(4300a)는 저장탱크(4100)의 제1높이인 위치에 설치될 수 있다. 상부유량센서(4300a)는 저장탱크(4100) 내부의 유량이 제1높이 이상인지 여부를 감지할 수 있다. 즉, 상부유량센서(4300a)는 저장탱크(4100) 내부의 유량이 제1유량 이상인지를 감지할 수 있다. 하부유량센서(4300b)는 저장탱크(4100)의 제2높이인 위치에 설치될 수 있다. 제2높이는 제1높이보다 낮을 수 있다. 하부유량센서(4300b)는 저장탱크(4100) 내부의 유량이 제2높이 이하인지 여부를 감지할 수 있다. 즉, 하부유량센서(4300b)는 저장탱크(4100) 내부의 유량이 제1유량보다 작은 제2유량 이하인지를 감지할 수 있다.
입력기(4450)는 사용자로부터 입력을 받을 수 있다. 사용자는 입력기(4450)를 조작하여 비상정지신호를 입력할 수 있다.
제어기(4400)는 신호를 입력하거나 송신하고, 정보를 처리할 수 있다. 제어기(4400)는 이를 통해 유체공급모듈(4000)의 구성요소들을 제어할 수 있다. 예를 들어, 제어기(4400)는 온도센서(4200), 유량센서(4300)나 입력기(4450)로부터 입력신호를 입력받아 이에 근거하여 밸브나 펌프로 제어신호를 송신하여 각 라인(4510~4550)의 유량을 제어할 수 있다. 또, 제어기(4400)는 공정챔버(3000)의 노즐유닛(3200)을 제어할 수 있다. 제어기(4400)는 노즐구동기(3240)로 제어신호를 송출하여 노즐유닛(3200)의 동작을 제어해 노즐(3210)의 위치를 조절하거나 노즐(3210)의 유체분사여부를 제어할 수 있다.
제어기(4400)는 하드웨어, 소프트웨어 또는 이들의 조합을 이용하여 컴퓨터 또는 이와 유사한 장치로 구현될 수 있다.
하드웨어적으로 제어기(4400)는 ASICs(application specific integrated circuits), DSPs(digital signal processors), DSPDs(digital signal processing devices), PLDs(programmable logic devices), FPGAs(field programmable gate arrays), 프로세서(processors), 마이크로콘트롤러(micro-controllers), 마이크로프로세서(microprocessors)나 이들과 유사한 제어기능을 수행하는 전기장치로 구현될 수 있다. 또는 제어기(4400)는 인쇄회로기판(PCB:printed circuit board)로 구현되는 것도 가능하다.
또 소프트웨어적으로 제어기(4400)는 하나 이상의 프로그램 언어로 쓰여진 소프트웨어코드 또는 소프트웨어어플리케이션에 의해 구현될 수 있다. 소프트웨어는 하드웨어적으로 구현된 제어부에 의해 실행될 수 있다. 또 소프트웨어는 서버 등의 외부기기로부터 상술한 하드웨어적인 구성으로 송신됨으로써 설치될 수 있다.
이하에서는 본 발명에 따른 기판처리방법에 관하여 상술한 기판처리장치(100)를 이용하여 설명한다. 다만, 이는 설명의 용이를 위한 것에 불과하므로, 기판처리방법은 상술한 기판처리장치(100) 이외에도 이와 동일 또는 유사한 다른 장치를 이용하여 수행될 수 있다.
또한, 이하에서 설명될 기판처리방법은 별도의 언급이 없더라도 제어기(4400)에 의해 수행될 수 있다. 제어기(4400)는 기판처리장치(100)의 각 구성요소를 제어하여 기판처리방법을 수행할 수 있다. 이때, 제어기(4400)는 컴퓨터로 판독이 가능한 기록매체에 저장된 코드나 프로그램에 의거하여 기판처리방법을 수행할 수 있다.
이하에서는 기판처리방법의 일 실시예에 관하여 설명한다. 기판처리방법의 일 실시예는 구리식각공정 전반에 관한 것이다.
도 4는 기판처리방법의 일 실시예의 순서도이다.
도 4를 참조하면, 기판처리방법의 일 실시예는 공정챔버(3000)로 기판(S)을 반입하는 단계(S110), 노즐유닛(3200)으로 약액을 공급하는 단계(S120), 노즐유닛(3200)이 약액을 분사하는 단계(S130), 증착막이 식각되는 단계(S140), 약액을 회수하는 단계(S150) 및 기판(S)을 반출하는 단계(S160)를 포함한다. 상술한 단계들은 반드시 설명된 순서로 실행되어야 하는 것은 아니며, 나중에 설명된 단계가 먼저 설명된 단계에 앞서 수행될 수도 있다. 이는 후술할 기판처리방법의 다른 실시예에서도 마찬가지이다. 이하에서는 각 단계에 관하여 설명한다.
공정챔버(3000)로 기판(S)을 반입한다(S110). 오버헤드트랜스퍼 등의 기판(S)이송장치 등이 기판(S)이 수납된 용기(C)를 로드포트(1100)에 놓는다. 용기(C)가 놓이면 인덱스로봇(1210)이 용기(C)로부터 기판(S)을 인출하여 이를 버퍼슬롯에 적재한다. 버퍼슬롯에 적재된 기판(S)은 이송로봇(2210)에 의해 인출되어 공정챔버(3000)로 반입된다. 지지유닛(3100)은 공정챔버(3000)로 반입된 기판(S)을 지지한다. 기판(S)은 지지핀(3111)에 의해 지지되고, 처킹핀(3112)에 의해 고정되어 지지플레이트(3110) 상에 안착된다.
이때, 공정챔버(3000)로 반입되는 기판(S)은 포토리소그래피공정 중 노광공정과 현상공정을 거친 것으로, 기판(S) 상에는 증착막과 패턴이 형성된 포토레지스트막이 형성되어 있다. 증착막은 구리막일 수 있다.
노즐유닛(3200)으로 약액을 공급한다(S120). 저장탱크(4100)에는 약액이 저장되어 있다. 저장탱크(4100)에는 약액을 일정한 온도범위 내로 저장할 수 있다. 예를 들어, 약액은 약 30 내지 35℃의 온도로 저장될 수 있다. 저장탱크(4100)는 공급라인(4510)을 통해 저장된 약액을 노즐유닛(3200)으로 공급한다. 제어기(4400)는 공급라인(4510) 상의 밸브나 펌프로 제어신호를 송신하여 저장탱크(4100)로부터 노즐유닛(3200)으로 약액이 공급되도록 할 수 있다.
노즐유닛(3200)이 약액을 분사한다(S130). 노즐유닛(3200)에 약액이 공급되면, 노즐유닛(3200)은 지지플레이트(3110)에 안착된 기판(S)으로 약액을 분사한다. 노즐구동기(3240)는 노즐(3210)을 기판(S)의 연직상방으로 이동시켜 노즐(3210)이 기판(S)에 약액을 분사하도록 한다. 이때, 회전구동기(3130)는 기판(S)을 회전시켜 기판(S)의 전체영역에 약액이 고루 제공되도록 할 수 있다. 약액으로는 과수가 이용될 수 있다.
기판(S)에 약액이 제공되면, 증착막이 식각된다(S140). 기판(S) 상의 증착막은 약액에 의해 포토레지스트막의 패턴에 따라 식각된다. 구리막에 과수를 제공하는 경우에는 과수가 포토레지스트막에 반응하지 않고, 구리막에만 반응하므로 포토레지스트막이 없는 영역의 구리막은 식각되고, 포토레지스트막이 있는 영역의 구리막은 식각되지 않아 기판(S) 상에 패턴이 형성될 수 있다. 구리와 과수가 반응하는 과정은 발열과정으로서, 구리막이 식각되는 과정에서 열이 발생할 수 있다. 이에 따라 약액의 온도가 상승하게 될 수 있다.
약액을 회수한다(S150). 기판(S)에 분사된 약액은 증착막을 식각하고 회수통(3310)으로 회수된다. 약액은 기판(S)의 회전력에 의해 기판(S)으로부터 비산하고, 비산된 약액은 회수구(3311)를 통해 회수통(3310)에 유입된다. 회수통(3310) 내부로 회수된 약액은 회수포트(3320)와 회수라인(4520)을 통해 저장탱크(4100)로 회수된다. 저장탱크(4100)는 회수된 약액을 다시 노즐유닛(3200)으로 공급하고, 이로써 약액이 재상용될 수 있다.
회수된 약액은 증착막을 식각하는 과정에서 약액에 녹은 구리와 함께 회수되며, 구리와 반응하여 온도가 상승한 상태로 회수된다.
구리막의 식각에 사용된 과수는 그 온도가 약 40℃까지는 그 온도가 천천히 상승한다. 그러나, 과수의 온도가 이를 넘어서면 구리와 과수의 반응이 활발해져 과수의 온도가 급격하게 상승하게 된다. 구체적으로 약 30℃로 제공된 과수가 40℃까지 상승하기까지는 긴 시간이 소요되지만, 40℃에서부터 그보다 고온, 예를 들어, 약 80℃까지 도달하기까지는 불과 수분의 시간 밖에 소요되지 않는다.
이처럼 고온인 과수는 구리막을 과식각시켜 기판(S) 상에 정확한 패턴을 형성하는 것을 불가능하게 한다. 또 과수의 온도가 급격히 상승하면 과수가 분해되어 산소가 발생하는데, 이러한 산소는 증착막이나 포토레지스트막을 오염시키는 원인으로 작용할 수 있다. 결과적으로 과수의 온도가 고온이 되면 식각공정이 올바로 수행되지 않아 기판(S)의 수율이 저하되는 문제가 발생할 수 있다.
기판(S)을 반출한다(S160). 구리식각공정이 종료되면, 이송로봇(2210)이 공정챔버(3000)로부터 기판(S)을 반출한다. 반출된 기판(S)은 다시 이송챔버(2200), 버퍼챔버(2100)를 거쳐 로드포트(1100) 상의 용기(C)에 수납되어 외부로 이송될 수 있다.
이하에서는 기판처리방법의 다른 실시예에 관하여 설명한다. 기판처리방법의 다른 실시예는 구리식각공정에서 사용되는 약액의 온도를 냉각시키는 방법에 관한 것으로, 상술한 기판처리방법의 일 실시예 수행 중인 경우에 병행하여 수행될 수 있다.
도 5는 기판처리방법의 다른 실시예의 순서도이다.
도 5를 참조하면, 약액의 온도를 감지하는 단계(S210), 약액의 온도가 상한값에 도달하면 냉각프로세스를 수행하는 단계(S220) 및 약액의 온도가 하한값에 도달하면 냉각프로세스를 종료하는 단계(S230)를 포함한다. 이하에서는 각 단계에 관하여 구체적으로 설명한다.
온도센서(4200)는 약액의 온도를 감지할 수 있다(S210). 제1온도센서(4200a)는 회수라인(4520)을 통해 저장탱크(4100)로 회수되는 약액의 온도를 감지할 수 있다. 제2온도센서(4200b) 및 제3온도센서(4200c)는 저장탱크(4100)의 상이한 부위에서 이에 저장된 약액의 온도를 감지할 수 있다. 온도센서들(4200)는 온도에 관한 신호를 제어기(4400)로 송출하고, 제어기(4400)는 송출받는 신호에 근거하여 각 부의 약액의 온도가 상한값에 도달한지 여부를 판단할 수 있다. 과수를 이용하는 구리식각공정에서 상한값은 약 35 내지 40℃로 설정될 수 있다.
약액의 온도가 상한값에 도달하면, 냉각프로세스를 수행한다(S220). 온도센서들(4200) 중 어느 하나라도 상한값 이상의 온도를 감지하면, 냉각프로세스를 수행할 수 있다.
도 6은 도 5의 기판처리방법에 따른 냉각프로세스의 순서도이다. 도 6을 참고하면, 구체적인 냉각프로세스는 다음과 같이 수행될 수 있다.
식각공정을 중단한다(S221). 제어기(4400)는 공정챔버(3000)를 폐쇄하고, 또 구리식각공정에 진행 중이던 기판(S)을 오염된 기판(S)을 폐기할 기판(S)으로 설정할 수 있다. 구리식각공정에서 공정챔버(3000)의 내의 과수의 온도가 상한값에 도달한 경우에는 산소가 발생하여 공정챔버(3000) 내부가 오염될 수 있으므로 공정챔버(3000)를 폐쇄하여 기판(S)의 반입과 출입을 멈춰 더 이상의 오염을 방지한다. 또 저장탱크(4100)로부터 노즐유닛(3200)으로 약액이 공급되는 것을 중단한다. 제어기(4400)는 공급라인(4510)을 폐쇄하여 저장탱크(4100)에서 노즐유닛(3200)으로 약액이 공급되는 것이 중단되도록 한다. 이때, 회수라인(4520)은 여전히 개방한 상태로 유지한다.
저장탱크(4100)에 저장된 유체를 배출한다(S222). 제어기(4400)는 배출라인(4530)을 통해 저장탱크(4100)에 저장된 유체를 배출시킨다. 이때에는 그 온도가 상한값에 도달한 약액이 배출된다.
저장탱크(4100)의 유량을 감지한다(S223). 유량센서(4300)는 저장탱크(4100)의 유량을 감지하고, 그에 따른 신호를 제어기(4400)를 송출한다. 제어기(4400)는 상부유량센서(4300a) 및 하부유량센서(4300b)로부터 송출받은 신호에 근거하여 저장탱크(4100) 내의 유체의 유량이 제1높이 이상인지 또는 제2높이 이하인지 여부를 판단할 수 있다.
냉각액을 공급한다(S224). 제어기(4400)는 냉각라인(4540)을 통해 외부의 냉각액공급원(F)로부터 저장탱크(4100)와 공정챔버(3000)로 냉각액을 공급한다. 이에 따라 저장탱크(4100)와 공정챔버(3000)가 냉각될 수 있다. 이때, 냉각액으로는 순수가 이용될 수 있다. 순수는 그 온도가 20 내지 30℃로 공급될 수 있다.
제1냉각라인(4540a)은 저장탱크(4100)로 냉각액을 공급한다(S224a). 이때, 제어기(4400)는 저장탱크(4100)의 유량에 근거하여 냉각액의 공급여부를 결정할 수 있다. 예를 들어, 저장탱크(4100)의 유량이 제2높이 이하인 경우에 제어기(4400)는 제1냉각라인(4540a)을 개방하고 저장탱크(4100)로 냉각액을 공급한다. 다른 예를 들어, 저장탱크(4100)의 유량이 제1높이 이상인 경우에는 제어기(4400)는 제1냉각라인(4540a)을 폐쇄하고 저장탱크(4100)로 냉각액이 공급되는 것을 중단할 수 있다.
제2냉각라인(4540b)은 노즐유닛(3200)으로 냉각액을 공급한다(S224b). 상술한 바와 같이 제어기(4400)는 공급라인(4510)이 폐쇄된 상태에서 제2냉각라인(4540b)을 통해 노즐유닛(3200)으로 냉각액을 공급한다.
저장탱크(4100)의 유체를 순환시킨다(S225). 제어기(4400)는 순환라인(4550)을 개방하고, 순환라인(4550)의 펌프를 가동하여 배출라인(4530)으로 배출되는 유체를 다시 저장탱크(4100)에 공급할 수 있다. 냉각프로세스의 초기에는 과수가 순환하며 이후에는 냉각액과 과수가 혼합된 상태에서 순환하게 된다. 유체가 순환하면 저장탱크(4100) 내부의 유체가 빠르게 혼합되므로 냉각이 신속하게 이루어질 수 있다. 이때 제어기(4400)는 저장탱크(4100)의 유량에 따라 유체의 순환여부를 결정할 수 있다. 예를 들어, 저장탱크(4100) 내부의 유량이 제2높이 이하인 경우에는 순환라인(4550)을 개방하여 유체를 순환시키고, 저장탱크(4100) 내부의 유량이 제1높이 이상인 경우에는 순환라인(4550)을 폐쇄하여 유체의 순환을 중지시킬 수 있다.
약액의 온도가 하한값에 도달하면 냉각프로세스를 종료한다(S230). 온도센서(4200)에서 감지되는 온도가 하한값에 도달하면 냉각프로세스를 종료할 수 있다. 온도센서(4200)가 복수인 경우에는 각 온도센서들(4200)에서 감지되는 온도가 모두 하한값 이하인 경우에 냉각프로세스를 종료할 수 있다. 과수를 이용하는 구리식각공정에서 하한값은 약 30℃로 설정될 수 있다.
구체적으로 냉각프로세스가 종료하면, 냉각액의 공급과 유체의 순환을 중단한다. 공정챔버(3000) 내의 유체는 모두 회수하고, 회수된 유체 및 저장탱크(4100)의 유체를 모두 배출한다. 공정챔버(3000)를 개방하여 오염된 기판(S)을 인출하여 이를 폐기할 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 입력기(4450)가 사용자로부터 정지신호를 입력받고, 제어기(4400)가 입력기(4450)로부터 정지신호를 받아 냉각프로세스를 진행하는 것도 가능하다.
이상에서 언급된 본 발명의 실시예는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명에 대한 이해를 돕기 위하여 기재된 것이므로, 본 발명이 상술한 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
따라서, 본 발명은 상술한 실시예 및 그 구성요소를 선택적으로 조합하거나 공지의 기술을 더해 구현될 수 있으며, 나아가 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 수정, 치환 및 변경이 가해진 수정예, 변형예를 모두 포함한다.
또한, 본 발명의 보호범위는 아래의 특허청구범위에 의해서 해석되어야 하며, 그와 균등한 범위 내에 있는 발명은 모두 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
100: 기판처리장치
1000: 인덱스모듈 1100: 로드포트 1200: 인덱스프레임
1210: 인덱스로봇 1220: 인덱스레일
2000: 공정모듈 2100: 버퍼챔버 2200: 이송챔버
2210: 이송로봇 2220: 이송레일
3000: 공정챔버 3100: 지지유닛 3110: 지지플레이트
3111: 지지핀 3112: 처킹핀 3120: 회전축
3130: 회전구동기 3200: 노즐유닛 3210: 노즐
3220: 노즐로드 3230: 노즐바 3240: 노즐구동기
3300: 회수유닛 3310: 회수통 3311: 회수구
3320: 회수포트
4000: 유체공급모듈 4100: 저장탱크 4200: 온도센서
4300: 유량센서 4400: 제어기 4450: 입력기
4510: 공급라인 4520: 회수라인 4530: 배출라인
4540: 냉각라인 4550: 순환라인
S: 기판 C: 용기

Claims (11)

  1. 기판으로 약액을 분사하는 노즐유닛 및 상기 분사된 약액을 회수하는 회수유닛을 포함하고, 상기 약액을 이용하여 상기 기판 상의 증착막을 식각하는 공정챔버;
    상기 약액을 저장하는 저장탱크;
    상기 저장탱크로부터 상기 노즐유닛으로 상기 약액을 공급하는 공급라인;
    상기 회수유닛으로부터 상기 저장탱크로 상기 약액을 회수하는 회수라인;
    상기 저장탱크로 냉각액을 공급하는 제1냉각라인;
    상기 공급라인에서 분기되고, 상기 노즐유닛으로 냉각액을 공급하는 제2냉각라인;
    상기 저장탱크 내부의 유체를 배출하는 배출라인;
    상기 약액의 온도를 감지하는 온도센서; 및 상기 약액의 온도가 제1온도 이상인 경우에 상기 공급라인을 폐쇄하고, 상기 제1냉각라인, 상기 제2냉각라인 및 상기 배출라인을 개방하는 제어기;를 포함하며,
    상기 온도센서는, 상기 회수라인을 통과하는 유체의 온도를 감지하는 제1온도센서 및 상기 저장탱크의 서로 상이한 지점의 유체의 온도를 감지하는 복수의 제2온도센서를 포함하고,
    상기 제어기는 상기 제1온도센서 및 상기 복수의 제2온도센서 중 어느 하나에서 감지된 온도가 상기 제1온도 이상인 경우에 상기 약액의 온도가 상기 제1온도 이상인 것으로 판단하는 기판처리장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 장치는,
    상기 배출라인으로부터 분기되어 상기 저장탱크로 연결되는 순환라인;
    상기 저장탱크의 제1높이에 설치되는 상부유량센서; 및
    상기 저장탱크의 상기 제1높이보다 낮은 제2높이에 설치되는 하부유량센서;를 더 포함하고,
    상기 제어기는, 상기 저장탱크 내부의 유량이 상기 제2높이 이하인 경우에 상기 순환라인을 개방하고, 상기 저장탱크 내부의 유량이 상기 제1높이 이상인 경우에 상기 순환라인을 폐쇄하는 기판처리장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 식각공정은 구리식각공정(Cu etching process)이고,
    상기 증착막은 구리막이고,
    상기 약액은 과수(H2O2)이고,
    상기 제1온도는 섭씨 35도 내지 섭씨 40도이고,
    상기 냉각액은 상기 제1온도보다 낮은 온도의 순수인 기판처리장치.
  5. 상기 청구항 1에 기재된 기판처리장치를 통해 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    기판의 증착막을 식각하는데 이용되는 약액의 온도를 감지하는 단계;
    상기 약액의 온도가 제1온도 이상인 경우에 상기 약액을 분사하는 노즐유닛으로 상기 약액을 공급하는 저장탱크의 내부의 유체를 배출하는 단계; 및
    상기 약액의 온도가 상기 제1온도 이상인 경우에 상기 저장탱크 및 상기 노즐유닛으로 냉각액을 공급하는 단계;를 포함하는 기판처리방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 온도를 감지하는 단계는, 상기 저장탱크로부터 상기 노즐유닛으로 상기 약액을 공급하는 공급라인에 설치된 제1온도센서와 상기 저장탱크의 내부의 서로 상이한 위치에 설치된 복수의 제2온도센서가 상기 약액의 온도를 감지하고,
    상기 배출하는 단계 및 상기 공급하는 단계는, 상기 제1온도센서 및 상기 복수의 제2온도센서 중 적어도 하나에서 감지된 온도가 상기 제1온도 이상인 경우에 수행되는 기판처리방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 방법은,
    상기 저장탱크에서 배출되는 유체를 다시 상기 저장탱크로 공급하는 단계;를 더 포함하는 기판처리방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 방법은,
    상기 저장탱크의 내부의 유량을 감지하는 단계;를 더 포함하고,
    상기 배출된 유체를 다시 공급하는 단계에서, 상기 저장탱크 내부의 유량이 제1유량 이하인 경우에 상기 저장탱크로 상기 배출된 유체의 공급을 시작하고, 상기 저장탱크 내부의 유량이 상기 제1유량보다 큰 제2유량 이상인 경우에 상기 저장탱크로 상기 배출된 유체의 공급을 중단하는 기판처리방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 방법은,
    상기 저장탱크의 내부의 유량을 감지하는 단계;를 더 포함하고,
    상기 냉각액을 공급하는 단계에서, 상기 저장탱크 내부의 유량이 제1유량 이하인 경우에 상기 저장탱크로 상기 냉각액의 공급을 시작하고, 상기 저장탱크 내부의 유량이 상기 제1유량보다 큰 제2유량 이상인 경우에 상기 저장탱크로 상기 냉각액의 공급을 중단하는 기판처리방법.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 방법은,
    상기 감지된 온도가 상기 제1온도보다 낮은 제2온도에 도달하는 경우에 상기 저장탱크 및 상기 노즐유닛으로 상기 냉각액을 공급하는 것을 중단하는 단계;를 더 포함하는 기판처리방법.
  11. 제5항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 식각공정은 구리식각공정(Cu etching process)이고,
    상기 증착막은 구리막이고,
    상기 약액은 과수(H2O2)이고,
    상기 제1온도는 섭씨 35도 내지 섭씨 40도이고,
    상기 냉각액은 상기 제1온도보다 낮은 온도의 순수인 기판처리방법.



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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR102075675B1 (ko) * 2018-07-20 2020-03-02 세메스 주식회사 유체 공급 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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KR101022779B1 (ko) * 2008-10-28 2011-03-17 세메스 주식회사 약액 공급 유닛, 이를 갖는 기판 처리 장치 및 이를 이용한약액 석-백 방법
KR20100046815A (ko) * 2008-10-28 2010-05-07 세메스 주식회사 복수 개의 팬 필터 유닛들을 제어하는 제어 시스템

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010144239A (ja) * 2008-12-22 2010-07-01 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

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