JP2010144239A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010144239A JP2010144239A JP2008325199A JP2008325199A JP2010144239A JP 2010144239 A JP2010144239 A JP 2010144239A JP 2008325199 A JP2008325199 A JP 2008325199A JP 2008325199 A JP2008325199 A JP 2008325199A JP 2010144239 A JP2010144239 A JP 2010144239A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pure water
- substrate
- storage tank
- temperature
- liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
【解決手段】密閉された下部タンク20内からエッチング液供給配管24を通して処理チャンバ10a、10b内部のノズル12、14へ過酸化水素水を含むエッチング液を供給し、処理チャンバの内底部に溜まるエッチング液を下部タンク内に回収する装置であって、下部タンク内のエッチング液22の温度を測定する温度センサ64と、下部タンク内へ純水を供給するための純水供給配管50と、温度センサによって測定されたエッチング液の温度が設定温度を超えたときに下部タンク内へ純水を供給するように制御する制御回路と、下部タンクの内部空間と処理チャンバの内部空間とを連通させる通気配管62とを備えた。
【選択図】図1
Description
Cu+H2O2→CuO+H2O
といった化学反応により銅を含む金属層がエッチングされる(例えば、特許文献1参照。)。
2H2O2→2H2O+O2
といった化学反応により異常分解(自己分解)を起こす可能性のあることが分かった。エッチング液中で過酸化水素の異常分解が起こり始めると、分解反応熱により下部タンク内のエッチング液の温度が急激に上昇して高温になる。エッチング液が高温になると、通常ポリ塩化ビニル(PVC)で形成されている処理チャンバや下部タンク、配管などが熱変形を起こし、エッチング液の漏洩や飛散が起こって、装置が破損する、といった恐れがある。また、下部タンク内部や配管内部で過酸化水素の分解によって酸素が発生し、下部タンク内部や配管内部の圧力が上昇して下部タンクや配管が破裂し、エッチング液の漏洩や飛散が起こって、装置が破損する、といった恐れがある。
したがって、請求項1に係る発明の基板処理装置を使用すると、エッチング液中の過酸化水素の異常分解が原因となってエッチング液の漏洩や飛散が起こり装置が破損する、といったことを防止することができる。
図1は、この発明の実施形態の1例を示し、基板処理装置の概略構成を模式的に配管系と共に示す側面図である。
エッチング液中の過酸化水素が異常分解を起こして、温度センサ64による検知温度が設定温度である40℃を超えた時に、制御回路からの制御信号により、ドレン配管40に介挿された開閉制御弁42が開かれ、下部タンク20内からドレン配管40を通してエッチング液22の排出が開始され、また、純水供給配管50に介挿された開閉制御弁52が開かれ、純水供給源から純水供給配管50を通して純水が下部タンク20内へ供給される。この際、下部タンク20内への純水の供給流量は、下部タンク20内からの排液流量よりも多くされ、例えば700L/minの流量の純水が下部タンク20内へ供給される。そして、制御回路において液面センサ66a、66bからの検知信号に基づいて開閉制御弁52の開・閉動作を制御することにより、下部タンク20内の液面が上位液面に達すると下部タンク20内への純水の供給を止め、下部タンク20内からの排液によって下部タンク20内の液面が下位液面まで低下すると下部タンク20内への純水の供給を再開するようにし、この純水供給・停止の動作が繰り返される。また、純水供給分岐配管58に介挿された開閉制御弁60が開かれ、純水供給源から純水供給分岐配管58を通して純水がエッチング液供給配管24内の途中に供給される。これにより、エッチング液供給配管24内のエッチング液も冷却され、エッチング液の温度が低下する。そして、下部タンク20内のエッチング液と純水の混合液の温度が、適正な温度、例えば30℃以下になったことが温度センサ64によって検知されると、下部タンク20内への純水の供給が最終的に停止され、併せて、エッチング液供給配管24内への純水の供給も停止される。
オペレータによって非常停止スイッチが押されると、上記と同様に、ドレン配管40に介挿された開閉制御弁42が開かれ、下部タンク20内からドレン配管40を通してエッチング液22の排出が開始される。また、純水供給配管50に介挿された開閉制御弁52が開かれ、純水供給源から純水供給配管50を通して純水が下部タンク20内へ供給される。そして、液面センサ66a、66bからの検知信号に基づいて開閉制御弁52の開・閉動作が制御され、下部タンク20内の液面が上位液面に達すると下部タンク20内への純水の供給が止まり、下部タンク20内からの排液によって下部タンク20内の液面が下位液面まで低下すると下部タンク20内への純水の供給が再開されて、この純水供給・停止の動作が繰り返される。また、純水供給分岐配管58に介挿された開閉制御弁60が開かれ、純水供給源から純水供給分岐配管58を通して純水がエッチング液供給配管24内の途中に供給される。そして、下部タンク20内のエッチング液と純水の混合液の温度が、30℃以下になったことが温度センサ64によって検知されると、下部タンク20内への純水の供給が最終的に停止され、併せて、エッチング液供給配管24内への純水の供給も停止される。また、各開閉制御弁26、34、38がそれぞれ開かれることにより、エッチング液供給配管24およびエッチング液供給分岐配管36に閉塞部分が無くなるようにされる。
12 スプレーノズル
14 スリットノズル
16 排気用配管
20 下部タンク(貯液タンク)
22 過酸化水素水を含むエッチング液
24 エッチング液供給配管
26、34、38、42、52、60 開閉制御弁
28 送液ポンプ
36 エッチング液供給分岐配管
40 ドレン配管
44 液循環用配管
48 エッチング液回収配管
50 純水供給配管
54 圧力計
58 純水供給分岐配管
62 通気配管
64 温度センサ
66a 上位液面センサ
66b 下位液面センサ
68 下限液面センサ
Claims (6)
- 基板を搬入および搬出するための基板搬入口および基板搬出口を有し、基板に対しエッチング液を吐出する吐出ノズル、および、基板を支持して搬送する基板搬送手段が内部に配設され、過酸化水素水を含むエッチング液を基板の主面へ供給して、基板の主面上に形成された銅を含む金属層のエッチングが行われる処理チャンバと、
密閉され、過酸化水素水を含むエッチング液を貯留する貯液タンクと、
この貯液タンク内から前記吐出ノズルへエッチング液を供給するためのエッチング液供給配管と、
前記貯液タンク内から前記エッチング液供給配管を通して前記吐出ノズルへエッチング液を送給する送液手段と、
前記処理チャンバの内底部に溜まるエッチング液を前記貯液タンク内に回収するためのエッチング液回収配管と、
を備えた基板処理装置において、
前記貯液タンク内に貯留されたエッチング液の温度を測定する温度測定手段と、
純水供給源に流路接続され前記貯液タンクに連通接続されて開閉制御弁が介挿された純水供給配管と、
前記温度測定手段によって測定されたエッチング液の温度が予め設定された温度を超えたときに、前記開閉制御弁を開いて、純水供給源から前記純水供給配管を通して前記貯液タンク内へ純水を供給するように制御する制御手段と、
前記貯液タンクの内部空間に連通し貯液タンク内部の急激な圧力上昇を防止するための通気配管と、
をさらに備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記処理チャンバに排気手段が設けられ、前記通気配管が、前記貯液タンクの内部空間と前記処理チャンバの内部空間とを連通させるように配設されたことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1または請求項2に記載の基板処理装置において、
前記純水供給配管から分岐し前記エッチング液供給配管に連通接続されて開閉制御弁が介挿された純水供給分岐配管をさらに備え、前記制御手段は、前記温度測定手段によって測定されたエッチング液の温度が予め設定された温度を超えたときに、前記純水供給分岐配管に介挿された開閉制御弁を開いて、純水供給源から純水供給分岐配管を通して前記エッチング液供給配管内へ純水を供給するように制御することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記貯液タンクの底部に、開閉制御弁が介挿されたドレン配管が設けられ、前記制御手段は、前記温度測定手段によって測定されたエッチング液の温度が予め設定された温度を超えたときに、前記ドレン配管に介挿された開閉制御弁を開いて、前記貯液タンク内からドレン配管を通してエッチング液を排出するように制御することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項4に記載の基板処理装置において、
前記貯液タンク内に貯留されているエッチング液の上位液面および下位液面をそれぞれ検知する上・下液面センサをさらに備え、前記制御手段は、前記温度測定手段によって測定されたエッチング液の温度が予め設定された温度を超えた後において、前記上・下液面センサからの検知信号に基づいて前記純水供給配管に介挿された開閉制御弁を、前記貯液タンク内のエッチング液の液面が上位液面に達した時に閉じ下位液面に達したときに開くように制御することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理チャンバの基板搬入口および基板搬出口にそれぞれ開閉シャッタが設けられ、前記制御手段は、前記温度測定手段によって測定されたエッチング液の温度が予め設定された温度を超えたときに、前記各開閉シャッタによって前記基板搬入口および基板搬出口をそれぞれ閉塞するように制御することを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008325199A JP5394722B2 (ja) | 2008-12-22 | 2008-12-22 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008325199A JP5394722B2 (ja) | 2008-12-22 | 2008-12-22 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010144239A true JP2010144239A (ja) | 2010-07-01 |
JP5394722B2 JP5394722B2 (ja) | 2014-01-22 |
Family
ID=42564955
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008325199A Expired - Fee Related JP5394722B2 (ja) | 2008-12-22 | 2008-12-22 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5394722B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20130091979A (ko) * | 2012-02-09 | 2013-08-20 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
KR101301001B1 (ko) | 2012-06-14 | 2013-08-28 | 에스엔유 프리시젼 주식회사 | 파손방지 기능을 구비한 기판처리 시스템 |
KR20150113535A (ko) * | 2014-03-31 | 2015-10-08 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105977186B (zh) * | 2016-05-10 | 2019-11-05 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 湿法刻蚀装置及其防爆方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6381932A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-12 | Hitachi Ltd | エツチング装置 |
JPS63128186A (ja) * | 1986-11-17 | 1988-05-31 | Hitachi Ltd | 湿式エツチング装置 |
JPH06146022A (ja) * | 1992-11-02 | 1994-05-27 | Tsurumi Soda Co Ltd | エッチング処理装置 |
JPH1034057A (ja) * | 1996-07-25 | 1998-02-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JPH116081A (ja) * | 1997-06-16 | 1999-01-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 金属薄板のエッチング装置 |
JP2000096264A (ja) * | 1998-09-21 | 2000-04-04 | Hitachi Ltd | エッチング装置および方法 |
JP2006057154A (ja) * | 2004-08-23 | 2006-03-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コンデンサ用電極箔の製造装置 |
JP2008187013A (ja) * | 2007-01-30 | 2008-08-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
-
2008
- 2008-12-22 JP JP2008325199A patent/JP5394722B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6381932A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-12 | Hitachi Ltd | エツチング装置 |
JPS63128186A (ja) * | 1986-11-17 | 1988-05-31 | Hitachi Ltd | 湿式エツチング装置 |
JPH06146022A (ja) * | 1992-11-02 | 1994-05-27 | Tsurumi Soda Co Ltd | エッチング処理装置 |
JPH1034057A (ja) * | 1996-07-25 | 1998-02-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JPH116081A (ja) * | 1997-06-16 | 1999-01-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 金属薄板のエッチング装置 |
JP2000096264A (ja) * | 1998-09-21 | 2000-04-04 | Hitachi Ltd | エッチング装置および方法 |
JP2006057154A (ja) * | 2004-08-23 | 2006-03-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コンデンサ用電極箔の製造装置 |
JP2008187013A (ja) * | 2007-01-30 | 2008-08-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20130091979A (ko) * | 2012-02-09 | 2013-08-20 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
KR101931181B1 (ko) * | 2012-02-09 | 2019-03-13 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
KR101301001B1 (ko) | 2012-06-14 | 2013-08-28 | 에스엔유 프리시젼 주식회사 | 파손방지 기능을 구비한 기판처리 시스템 |
WO2013187547A1 (ko) * | 2012-06-14 | 2013-12-19 | 에스엔유 프리시젼 주식회사 | 파손방지 기능을 구비한 기판처리 시스템 |
KR20150113535A (ko) * | 2014-03-31 | 2015-10-08 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR101598140B1 (ko) * | 2014-03-31 | 2016-02-26 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5394722B2 (ja) | 2014-01-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5394722B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR102104165B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
WO2007091784A1 (en) | Methods and apparatuses for high pressure gas annealing | |
JP2002184741A (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP2002184741A5 (ja) | ||
US6667244B1 (en) | Method for etching sidewall polymer and other residues from the surface of semiconductor devices | |
JP4934117B2 (ja) | ガス処理装置、ガス処理方法、および記憶媒体 | |
TWI702383B (zh) | 容器載置裝置、半導體製造裝置以及容器內環境氣體之控制方法 | |
US20120031266A1 (en) | Exhausting method and gas processing apparatus | |
JP3545672B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
US7592267B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor silicon substrate and apparatus for manufacturing the same | |
US10217627B2 (en) | Methods of non-destructive post tungsten etch residue removal | |
CN215815802U (zh) | 湿法刻蚀设备 | |
JP5303350B2 (ja) | ドライエッチング装置 | |
JP2005203408A (ja) | エッチング方法 | |
KR100944491B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP2007208266A (ja) | 基板湿式処理装置及び基板処理用ケミカルの加熱方法 | |
KR20070029455A (ko) | 반도체 플라즈마 처리설비용 건식세정장치 | |
KR20130091979A (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
KR20060112282A (ko) | 식각챔버의 수증기 공급 시스템 및 식각가스제거 방법 | |
JP5167837B2 (ja) | 貯蔵タンク及びその制御方法 | |
JP4014573B2 (ja) | 洗浄処理装置 | |
JP2012204746A (ja) | 基板処理装置 | |
TW201830553A (zh) | 基板處理方法 | |
KR20230020905A (ko) | 기판 수증기 처리 방법 및 기판 수증기 처리 시스템 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110606 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130912 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130919 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131017 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |