JP2008187013A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板処理装置10は、温調設備22を有する第1、第2のタンク20A,20Bに定量の薬液を溜め、タンクを切り替えながら第1タンク20A(又は第2タンク20B)から処理部12に薬液を供給して基板Sを処理する。メンテナンス後等の初期温調では、両タンク20A,20Bに定量よりも少ない処理液を溜めて目標温度まで当該処理液を温調し、温調された処理液を第2タンク20B(又は第1タンク20A)から第1タンク20A(又は第2タンク20B)に送液することにより当該第1タンク20A(又は第2タンク20B)に前記定量の温調された処理液を溜める。そして、当該タンク20A(又は第2タンク20B)から処理部12に処理液を供給する。
【選択図】図1
Description
< 第1の実施形態 >
図1は本発明の第1の実施形態に係る基板処理装置(本発明に係る基板処理方法が適用される基板処理装置)を模式的に示している。同図に示す基板処理装置10は、例えば現像処理後の基板Sにエッチング処理を施すものである。
図4は本発明の第2の実施形態に係る基板処理装置(本発明に係る基板処理方法が適用される基板処理装置)を模式的に示している。同図に示す基板処理装置10′は、例えばエッチング処理後の基板Sにレジスト剥離処理を施すものである。
ステップS31で第2タンク62への送液が開始されると、コントローラ1′は、送液停止センサL2がONしたか否かを判断する(ステップS33)。なお、ここでの「ON」とは、送液停止センサL2がOFFの状態を意味するものとする。つまり、一旦溜まった薬液の液位が第2タンク62への送液により下がって送液停止センサL2がONからOFFに切り替わった状態を意味する。
12 処理部
12a,12b 処理室
20A 第1タンク
20B 第2タンク
22 温調設備
30 供給用配管
35 回収用配管
44,45 循環用配管
48,49 送液管
Claims (8)
- 温調設備をそれぞれ持つ第1、第2のタンクの一方側に温調した所定量の処理液を貯溜し、この処理液を基板の処理部に供給して基板を処理する方法であって、
第1および第2のタンクにそれぞれ前記所定量よりも少ない処理液を溜めて温調する温調工程と、
前記第1のタンクの処理液を前記第2のタンクに送液することにより当該第2のタンクに前記所定量の温調された処理液を溜める送液工程と、
前記第2のタンクに貯留された処理液を前記処理部に供給して基板を処理する基板処理工程と、を有する
ことを特徴とする基板処理方法。 - 請求項1に記載の基板処理方法において、
前記温調工程では、第1および第2のタンクにそれぞれ前記所定量よりも少なく、かつ当該所定量の半分以上の処理液を溜めてそれぞれ処理液を温調することを特徴とする基板処理方法。 - 温調設備をそれぞれ持つ第1,第2のタンクにそれぞれ温調された所定量の処理液を貯溜し、前記処理液をそれぞれ基板の処理部に供給して基板を処理する方法であって、
前記第1のタンクに処理液を溜めて前記所定量よりも少ない処理液を温調する温調工程と、
この温調工程で温調された処理液を前記第2のタンクへ送液することにより当該第2のタンクに前記所定量の処理液を溜める送液工程と、
前記第1のタンクに貯留された処理液を前記処理部に供給して基板を処理する基板処理工程と、を有する
ことを特徴とする基板処理方法。 - 請求項3に記載の基板処理方法において、
前記温調工程では目標温度に満たない所定温度に処理液を温調し、前記送液工程により送液される処理液をさらに前記第2のタンクで温調することを特徴とする基板処理方法。 - 温調手段をそれぞれ持つ第1,第2のタンクを有し、これらタンクのうち一方側のタンクに温調した所定量の処理液を貯溜し、この処理液を基板の処理部に供給して基板を処理する基板処理装置において、
前記各タンクに処理液を導入可能な導入手段と、
前記第1のタンクから第2のタンクに処理液を送液可能な送液手段と、
前記温調手段、送液手段および導入手段を制御する制御手段と、を有し、
この制御手段は、前記両タンクに処理液が貯溜されていない初期状態から基板の処理を開始する際には、前記第1および第2のタンクにそれぞれ前記所定量よりも少ない処理液を溜めて温調するとともに、この温調された処理液を前記第1のタンクから前記第2のタンクに送液することにより当該第2のタンクに前記所定量の温調された処理液を溜め、当該第2のタンクに貯留された処理液を前記処理部に供給すべく前記各手段を制御する
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項6に記載の基板処理装置において、
前記制御手段は、前記第1および第2のタンクにそれぞれ前記所定量の半分の処理液を溜めて温調すべく前記導入手段を制御することを特徴とする基板処理装置。 - 温調手段をそれぞれ持つ第1,第2のタンクを有し、これらタンクにそれぞれ温調された所定量の処理液を貯溜し、前記処理液を基板の処理部に供給して基板を処理する基板処理装置において、
前記第1のタンクに処理液を導入する導入手段と、
前記第1のタンクから第2のタンクに処理液を送液可能な送液手段と、
前記温調手段、送液手段および導入手段を制御する制御手段と、を有し、
この制御手段は、前記両タンクに処理液が貯溜されていない初期状態から基板の処理を開始する際には、前記第1のタンクに処理液を溜めて前記所定量よりも少ない処理液を温調するとともに、この温調された処理液を前記第2のタンクへ送液することにより当該第2のタンクに前記所定量の処理液を溜め、当該第2のタンクに貯留された処理液を前記処理部に供給すべく前記各手段を制御する
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項7に記載の基板処理装置において、
前記制御手段は、前記第1のタンクでは目標温度に満たない所定温度に処理液を温調し、前記第2のタンクへ送液された処理液をさらに当該第2のタンクにおいて温調すべく前記温調手段を制御する
ことを特徴とする基板処理装置。
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