JP4869965B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、ＬＣＤ、ＰＤＰ用ガラス基板および半導体基板等の基板に温調された処理液を供給して各種処理を施す基板処理方法および同基板処理装置に関するものである。

従来から、ヒータや冷却パイプ等の温調設備が組込み込まれたタンクに処理液を貯溜して所定温度に温調しつつ、この温調された処理液を当該タンクと処理部との間で循環させながら基板に供給する基板処理装置が知られている（例えば特許文献１）。

この種の装置では、例えば２つのタンクを設置して処理液を貯留し、タンクを交互に切り替えながら一方側のタンクの処理液で処理を進め、その間に他方側のタンクで処理液の入れ替え、温調を行うことにより連続的、かつ効率的に処理を進めることが行われている。

また、共通の処理を複数段階に分けて行うべく当該複数の処理部を基板搬送方向に一列に並設するとともに処理部毎にタンクを設け、これら複数のタンクをカスケード接続し、最下流側の処理部のタンクに新たな処理液を供給しながら順次隣接するタンクに処理液を送液しつつ最上流側の処理部のタンクから劣化した処理を廃液することも行われている。
特開２００５−３１０９４０号公報

上記のような基板処理装置では、定期的に処理液の給排設備をメンテナンスする必要がある。すなわち、各タンクの処理液を全て廃棄してメンテナンス作業を行った後、タンクに新たな処理液を貯溜して処理液の温調を行うが、従来は、各タンクがそれぞれ満タン（定量）になるまで処理液を貯溜し、その後、温調設備を作動させて処理液を温調するようにしており、メンテナンス後、処理を開始するまで（立ち上がり時間）に時間を要していた。特に、複数のタンクをカスケード接続した装置では、全てのタンクが満タンになった後に温調を開始するので立ち上がり時間が長期化し易く、この点に改善の余地がある。

なお、ヒータ等を増設する等して温調時間を短縮することも考えられるが、この場合には、設備費用やランニングコストが増大するため必ずしも得策とは言えない。

本発明は、タンクに処理液を貯溜して所定温度に温調し、この温調された処理液を基板に供給して処理を施す基板処理装置に関し、メンテナンス等の後の立ち上がり時間を短縮することを目的とするものである。

上記課題を解決するために、本発明の基板処理方法は、温調設備をそれぞれ持つ第１、第２のタンクの一方側に温調した所定量の処理液を貯溜し、この処理液を基板の処理部に供給して基板を処理する方法であって、第１および第２のタンクにそれぞれ前記所定量よりも少ない処理液を溜めて温調する温調工程と、前記第１のタンクの処理液を前記第２のタンクに送液することにより当該第２のタンクに前記所定量の温調された処理液を溜める送液工程と、前記第２のタンクに貯留された処理液を前記処理部に供給して基板を処理する基板処理工程と、を有するものである（請求項１）。

このように前記所定量よりも少ない液量の処理液をそれぞれ第１、第２のタンクに溜めて温調する方法によれば、つまり各タンクでそれぞれ処理液を分担して温調する方法によれば、単位温調設備当たりの処理液の量が少なくなり、その分、前記所定量の処理液を短時間で温調することが可能となる。そのため、一旦１つのタンクに前記所定量の処理液を貯留して当該タンクの温調設備のみで温調を行う場合に比べると、トータル的な温調時間を短縮することが可能となる。換言すれば、基板の処理に必要な温調された前記所定量の処理液をより速やかに準備することができる。

この場合、前記温調工程において、第１および第２のタンクにそれぞれ前記所定量よりも少なく、かつ当該所定量の半分以上の処理液を溜めてそれぞれ処理液を温調するようにすれば（請求項２）、第１のタンクから第２のタンクに処理液を一度移すだけで、第２のタンクに温調された前記所定量の処理液を溜めることが可能となる。

一方、本発明の別の基板処理方法は、温調設備をそれぞれ持つ第１，第２のタンクにそれぞれ温調された所定量の処理液を貯溜し、前記処理液をそれぞれ基板の処理部に供給して基板を処理する方法であって、前記第１のタンクに処理液を溜めて前記所定量よりも少ない処理液を温調する温調工程と、この温調工程で温調された処理液を前記第２のタンクへ送液することにより当該第２のタンクに前記所定量の処理液を溜める送液工程と、前記第２のタンクに貯留された処理液を前記処理部に供給して基板を処理する基板処理工程と、を有するものである（請求項３）。

このように第１のタンクで処理液を予め温調して第２のタンクに送液するようにすれば、当該第２のタンクにより早く温調された所定量の処理液を溜めることが可能となる。しかも、温調時には、前記所定量よりも少ない液量の処理液を温調するため、単位温度設備当たりの処理液の量が少なくて済み、その分、短時間で薬液を温調することが可能となる。そのため、各タンクに所定量の処理液を貯留した後に温調を開始する場合に比べると温調時間を短縮することが可能となる。換言すれば、基板の処理に必要な温調された前記所定量の処理液をより速やかに準備することが可能となる。

この場合、前記温調工程では目標温度に満たない所定温度に処理液を温調し、前記送液工程により送液される処理液をさらに前記第２のタンクで温調するようにしてもよい（請求項４）。

この方法によれば、温調工程での温調負担を軽減しつつ効率良く処理液を温調することが可能となる。

一方、本発明に係る基板処理装置は、温調手段をそれぞれ持つ第１，第２のタンクを有し、これらタンクのうち一方側のタンクに温調した所定量の処理液を貯溜し、この処理液を基板の処理部に供給して基板を処理する基板処理装置において、前記各タンクに処理液を導入可能な導入手段と、前記第１のタンクから第２のタンクに処理液を送液可能な送液手段と、前記温調手段、送液手段および導入手段を制御する制御手段と、を有し、この制御手段が、前記両タンクに処理液が貯溜されていない初期状態から基板の処理を開始する際には、前記第１および第２のタンクにそれぞれ前記所定量よりも少ない処理液を溜めて温調するとともに、この温調された処理液を前記第１のタンクから前記第２のタンクに送液することにより当該第２のタンクに前記所定量の温調された処理液を溜め、当該第２のタンクに貯留された処理液を前記処理部に供給すべく前記各手段を制御するものである（請求項５）。

この基板処理装置によると、制御手段による導入手段、送液手段および温調手段の制御に基づき請求項１に係る方法に基づき基板の処理を行うことが可能となる。

この構成において、特に前記制御手段が、前記第１および第２のタンクにそれぞれ前記所定量の半分の処理液を溜めて温調すべく前記導入手段を制御するものによれば（請求項６）、請求項２に係る方法に基づき基板の処理を行うことが可能となる。

また、本発明に係る別の基板処理装置は、温調手段をそれぞれ持つ第１，第２のタンクを有し、これらタンクにそれぞれ温調された所定量の処理液を貯溜し、前記処理液を基板の処理部に供給して基板を処理する基板処理装置において、前記第１のタンクに処理液を導入する導入手段と、前記第１のタンクから第２のタンクに処理液を送液可能な送液手段と、前記温調手段、送液手段および導入手段を制御する制御手段と、を有し、この制御手段が、前記両タンクに処理液が貯溜されていない初期状態から基板の処理を開始する際には、前記第１のタンクに処理液を溜めて前記所定量よりも少ない処理液を温調するとともに、この温調された処理液を前記第２のタンクへ送液することにより当該第２のタンクに前記所定量の処理液を溜め、当該第２のタンクに貯留された処理液を前記処理部に供給すべく前記各手段を制御するものである（請求項７）。

この基板処理装置によると、制御手段による導入手段、送液手段および温調手段の制御に基づき請求項３に係る方法に基づき基板の処理を行うことが可能となる。

この構成において、特に前記制御手段が、前記第１のタンクでは目標温度に満たない所定温度に処理液を温調し、前記第２のタンクへ送液された処理液をさらに当該第２のタンクにおいて温調すべく前記温調手段を制御するものによれば（請求項８）、請求項４に係る方法に基づき基板の処理を行うことが可能となる。

請求項１、２に係る基板処理方法および請求項５、６に係る基板処理装置によれば、第１、第２のタンクでそれぞれ分担して前記所定量よりも少ない処理液を温調するため、単位温調設備当たりの処理液の量が低減され、その分、前記所定量の処理液を短時間で温調することが可能となる。そのため、メンテナンス等の後の基板処理装置の立ち上がり時間を短縮して基板の処理をより速やかに開始することが可能となる。

また、請求項３，４に係る基板処理方法および請求項７、８に係る基板処理装置によれば、処理液の温調を早期に開始することができるとともに、温調時の単位温度設備当たりの処理液の量が低減され、これにより前記所定量の処理液をより短時間で温調することが可能となる。そのため、メンテナンス等の後の基板処理装置の立ち上がり時間を短縮して基板の処理をより速やかに開始することが可能となる。

本発明の好ましい実施の形態について図面を用いて説明する。
＜ 第１の実施形態 ＞
図１は本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置（本発明に係る基板処理方法が適用される基板処理装置）を模式的に示している。同図に示す基板処理装置１０は、例えば現像処理後の基板Ｓにエッチング処理を施すものである。

同図に示すように、この基板処理装置１０は隔壁により区画された２つの処理室１２ａ，１２ｂ（第１処理室１２ａ，第２処理室１２ｂという）をもつ処理部１２を有している。

各処理室１２ａ，１２ｂには、複数の搬送ローラ１４が所定間隔で配備されており、基板Ｓがこれら搬送ローラ１４により水平姿勢で搬送されるようになっている。図示の例では、左側から右側に向かって基板Ｓが搬送される。

各処理室１２ａ，１２ｂ内の搬送ローラ１４の上方には、基板Ｓに対して薬液（エッチング液）を供給するためのシャワーノズル１８ａ，１８ｂが配備され、上流側の第１処理室１２ａ内には、さらに基板搬入口の直ぐ上方に、基板Ｓの幅方向（搬送方向と直交する方向）に細長の吐出口をもつスリットノズル１６が配備されている。つまり、この基板処理装置１０では、搬送ローラ１４により基板Ｓを搬送しながらその上面に各ノズル１６，１８ａ，１８ｂにより薬液を吹き付けながらエッチング処理を施す構成となっている。

前記処理部１２に対する薬液の給排系統等は次のような構成となっている。

まず、この基板処理装置１０は、前記薬液を貯溜するための一対のタンク２０Ａ，２０Ｂ（第１タンク２０Ａ，第２タンク２０Ｂという）を有している。これらタンク２０Ａ，２０Ｂには、ヒータおよび冷却用熱交換器等の温度調節設備２２（以下、温調設備２２という；温調手段）、温度センサ（図示省略）および液位（液量）を検出するセンサ等が装備されており、薬液を所定温度に温度調節して処理部１２に供給する構成となっている。

液位を検出する前記センサとしては、下限センサＬ１，半量センサＬ２および定量センサＬ３が装備されている。定量センサＬ３は、基板Ｓの処理に必要な液位（定量という）を検知するもので、半量センサＬ２は、定量の半分の液位を検知するもので、下限センサＬ１は、温調設備２２による温調可能な最低液位、つまり空焚き等を誘発することなく安全に薬液を加熱できる液位を検知するもので、図中概略的に示しているが、何れのセンサＬ１〜Ｌ３も、例えばフロートセンサ等から構成されている。但し、センサの種類はこれに限定されるものではない。

各タンク２０Ａ，２０Ｂから各処理室１２ａ，１２ｂに薬液を供給する供給用配管３０は、前記タンク２０Ａ，２０Ｂから択一的に薬液を導出するためのバルブ３３ａ，３３ｂを具備した供給幹管３１と、この幹管３１により導出された薬液をそれぞれ処理室１２ａ，１２ｂに給送するポンプ３４ａ，３４ｂを備えた分岐管３２ａ，３２ｂとから構成される。

一方、使用後の薬液を処理部１２から回収する回収用配管３５は、各処理室１２ａ，１２ｂから薬液を導出しつつ合流させる回収幹管３６と、この回収幹管３６から分岐してそれぞれタンク２０Ａ，２０Ｂに至る分岐管３７ａ，３７ｂとから構成される。これらの分岐管３７ａ，３７ｂには、それぞれバルブ３８ａ，３８ｂが介設されている。

すなわち、上記基板処理装置１０では、タンク２０Ａ，２０Ｂから供給用配管３０を通じて処理部１２に薬液を供給しつつ、基板Ｓの処理に使用された薬液を、回収用配管３５を通じてタンク２０Ａ，２０Ｂに戻すことによりタンク２０Ａ，２０Ｂと処理部１２との間で薬液を循環させるように構成されている。そしてその際、供給用配管３０の前記バルブ３３ａ，３３ｂ、および回収用配管３６の前記バルブ３８ａ，３８ｂを開閉制御することにより、前記タンク２０Ａ，２０Ｂを切り替える構成となっている。つまり、第１タンク２０Ａ，２０Ｂを交互に切り替えながら第１タンク２０Ａ（又は第２タンク２０Ｂ）の薬液を処理部１２に供給してエッチング処理を進めつつ、その間に、他方側の第２タンク２０Ｂ（又は第１タンク２０Ａ）の薬液の入れ替え、および温調を行うことにより連続的、かつ効率的にエッチング処理を進めることができる構成となっている。

前記タンク２０Ａ，２０Ｂには、さらに新規薬液を供給するための新液供給管４２，４３がそれぞれ接続されており、これらの供給管４２，４３に介設されるバルブ４２ａ，４３ａの開閉制御に応じて、薬液供給源４０から各タンク２０Ａ，２０Ｂに新規薬液が導入される構成となっている。当実施形態では、これら新液供給管４２，４３等が本発明の導入手段に相当する。

また、前記第１タンク２０Ａ（第２タンク２０Ｂ）には、導出した薬液をそのまま当該タンク２０Ａ（タンク２０Ｂ）に戻すことにより薬液を循環させる循環用配管４４（４５）が接続されている。循環用配管４４（４５）には、ポンプ４４ａ（４５ａ）およびバルブ４４ｂ（４５ｂ）が介設されているとともに、その途中部分には、循環用配管４４（４５）から分岐して他方側のタンク２０Ｂ（タンク２０Ａ）に至る、バルブ４８ａ（４９ａ）を具備した送液管４８（送液管４９）が設けられている。これら循環用配管４４，４５は、主に薬液の温調を行う際に用いられるものであり、この点については後に詳述することとする。

なお、図中、符号４６，４７は、それぞれバルブ４６ａ，４７ａを備えた薬液の廃液管であり、前記バルブ４６ａ，４７ａが開閉制御されることによりタンク２０Ａ，２０Ｂ内の薬液を図外の廃液タンクに導出するように構成されている。

上記基板処理装置１０は、図示を省略するが、一連の基板処理動作を制御するコントローラ１（制御手段）を有している。このコントローラ１は、論理演算を実行するＣＰＵ等から構成されており、各タンク２０Ａ，２０Ｂの温調設備２２や薬液の給排系統に含まれる前記ポンプ３４ａ，３４ｂ等およびバルブ３３ａ，３３ｂ等は、全てこのコントローラ１に電気的に接続され、当該コントローラ１により統括的に制御されるようになっている。

特に、この装置１０では、薬液を所定温度に温調した状態で使用するが、初期稼働時やメンテナンス後等には、基板処理装置１０を速やかに立ち上げ得るように、つまり空状態の第１タンク２０Ａ（又は第２タンク２０Ｂ）への薬液の貯溜および温調（以下、初期温調動作という）が速やかに行われるように、タンク２０Ａ，２０Ｂに対する新規薬液の導入および温調設備２２による温調等が上記コントローラ１により制御されるようになっている。

以下、前記コントローラ１による初期温調動作の制御について図３を参照しつつ図２のフローチャートに従って説明する。

図２は、コントローラ１による初期温調動作制御の一例をフローチャートで示している。

メンテナンス等の終了後、まず、コントローラ１は、廃液管４６，４７のバルブ４６ａ，４７ａを開放から閉止に切り替え、また、新液供給管４２，４３の各バルブ４２ａ，４３ａを閉止から開放に切り替える。これにより新液供給管４２，４３を通じて両タンク２０Ａ，２０Ｂに対して同時に新規薬液の導入を開始する（ステップＳ１；図３（ａ））。なお、この時点では、上記バルブ４２ａ，４３ａ以外のバルブは閉止され、また、各ポンプ３４ａ，３４ｂ等や温調設備２２は停止しているものとする。

また、新規薬液の導入後、コントローラ１は、所定のタイミングでポンプ４４ａ，４５ａを駆動するとともにバルブ４４ｂ，４５ｂを閉止から開放に切り替え、これにより各タンク２０Ａ，２０Ｂにおいてそれぞれ薬液の循環を開始させる。そして、タンク２０Ａ，２０Ｂの下限センサＬ１がＯＮするのを待って、ＯＮすると温調設備２２を作動させる。これにより薬液の温調を開始する（ステップＳ３，Ｓ５）。当例では薬液の加熱を開始する。この際、各タンク２０Ａ，２０Ｂにおける温調は、それぞれの下限センサＬ１がＯＮした時点で個別に開始する。なお、コントローラ１は、薬液の循環中、下限センサＬ１がＯＮしている状態でのみ各温調設備２２を作動させ、下限センサＬ１がＯＦＦの状態では温調設備２２を必ず停止させる。

コントローラ１は、さらに半量センサＬ２がＯＮするのを待って、ＯＮすると前記バルブ４２ａ，４３ａを閉止し、これにより新規薬液の供給を停止する（ステップＳ７，Ｓ９；図３（ｂ））。この際、各タンク２０Ａ，２０Ｂへの薬液供給は、それぞれの半量センサＬ２がＯＮした時点で個別に停止する。

次いで、コントローラ１は、各タンク２０Ａ，２０Ｂの薬液が目標温度（当例ではエッチング処理に使用可能な温度）に達したか否かを判断し（ステップＳ１１）、達したと判断すると、一方側のタンク（ここでは第２タンク２０Ｂ）の温調設備２２を停止させるとともに、循環用配管４５のバルブ４５ｂを開放から閉止に、送液管４９のバルブ４９ａを閉止から開放に切り替え、これにより第２タンク２０Ｂから第１タンク２０Ａへ送液を開始する（ステップＳ１３；図３（ｃ））。そして、第１タンク２０Ａの定量センサＬ３がＯＮすると（ステップＳ１５でＹＥ）、コントローラ１は、前記ポンプ４５ａを停止させるとともに、送液管４９のバルブ４９ａを開放から閉止に切り替える。これにより目標温度に温調された定量の薬液が第１タンク２０Ａに貯溜され、コントローラ１による初期温調動作の制御が終了する。

なお、初期温調動作が完了すると、コントローラ１は、基板Ｓを処理部１２に搬入するとともに前記第１タンク２０Ａから処理部１２への薬液の供給を開始し、これにより第１タンク２０Ａと処理部１２との間で薬液を循環させながら基板Ｓのエッチング処理を開始するとともに、第２タンク２０Ｂに、温調された薬液を貯溜すべく、当該第２タンク２０Ｂへの新規薬液の供給および温調設備２２による温調を開始する（図３（ｄ））。

以上のように、この基板処理装置１０では、初期温調に際して、各タンク２０Ａ，２０Ｂにそれぞれ半分（定量の半分）の薬液を貯溜し、それぞれ温調を行った後、第２タンク２０Ｂの薬液を第１タンク２０Ａの薬液に送液して定量の薬液を得るようにしているので、従来のこの種の基板処理装置（基板処理方法）、すなわち、タンクに定量の薬液を貯溜してから温調を行うものと比べると、単位温調設備２２当たりの液量が少なくなり、その分、初期温調に要する時間を短縮することができる。当実施形態では、略１／２程度に短縮することができる。そのため、初期稼働時やメンテナンス後の立ち上げ時間を短縮して、基板Ｓの処理をより速やかに開始することができるようになる。

特に、上記基板処理装置１０では、各タンク２０Ａ，２０Ｂの下限センサＬ１がＯＮした時点、つまり温調設備２２による加熱を安全に行うことが可能な液量が溜まった時点かから加熱を開始するので、薬液の加熱を可及的速やかに開始することができ、その分、より早期に薬液を目標温度に温調することが可能となる。そのため、この点でも薬液の初期温調を速やかに行うことができるという利点がある。

しかも、この基板処理装置１０では、設備費用やランニングコストの増大を抑えながら上記のような温調時間の短縮効果を得ることができるという効果もある。つまり、既存の２つの温調設備２２を用いて薬液を温調するため、温調設備を増設することなく温調時間の短縮効果を得ることができる。また、この種の基板処理装置では、通常、タンクに対して処理液を循環させながら温調を行うように構成されており、上記実施形態の基板処理機装置１０でも同様の構成を採用しているが、当該基板処理機装置１０では、上記の通りタンク２０Ａ，２０Ｂに対して薬液を循環させる循環設備（循環用配管４４，４５）に送液管４８，４９を設け、これによりタンク２０Ａ，２０Ｂ間で送液を行うためのポンプとして循環設備（循環用配管４４，４５）のポンプ４４ａ，４５ａを共用する構成となっているため、設備費用の増大を抑えつつ温調時間の短縮効果を得ることができる。

なお、この実施形態では、両タンク２０Ａ，２０Ｂにそれぞれ定量の略半分の薬液を溜めて温調し、第１タンク２０Ａから第２タンク２０Ｂに薬液を送液することにより、一度の送液で第１タンク２０Ａに定量の薬液を溜めるようにしているが、例えば、第２タンク２０Ｂに、定量の半分よりも少量の薬液を溜めて温調し、これを第１タンク２０Ａに送液するという処理を複数回繰り返すようにする、あるいは、第２タンク２０Ｂに新規薬液を継続的に導入しつつ前記少量の薬液を溜めて温調する一方で、導入量と等しい量の薬液を第２タンク２０Ｂから第１タンク２０Ａに送液することによって連続的に温調された薬液を第１タンク２０Ａに送液するようにしてもよい。

また、この実施形態では、半量センサＬ２がＯＮして新規薬液の導入を停止した後、薬液の温度が目標温度（エッチング処理に使用可能な温度）に到達した段階（図２のステップＳ１１でＹＥＳ）で第２タンク２０Ｂから第１タンク２０Ａへの送液を開始しているが、目標温度か否かに拘わらず一定時間が経過した後に送液を開始するようにしてもよい。この場合には、最終的な目標温度への温調を第１タンク２０Ａ側で行うようにすればよい。

また、この実施形態では、両タンク２０Ａ，２０Ｂに対して薬液を循環させながら温調設備２２により薬液の温調を行う構成となっているが、勿論、タンク２０Ａ，２０Ｂに対して薬液を循環させることなく薬液の温調を行う構成であってもよい。

＜ 第２の実施形態 ＞
図４は本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置（本発明に係る基板処理方法が適用される基板処理装置）を模式的に示している。同図に示す基板処理装置１０′は、例えばエッチング処理後の基板Ｓにレジスト剥離処理を施すものである。

同図に示すように、この基板処理装置１０′は、第１〜第３の３つの連続する処理部５１〜５３（第１処理部５１、第２処理部５２、第３処理部５３）を有している。各処理部５１〜５３には、それぞれ複数の搬送ローラ５４が所定間隔で配備されており、基板Ｓがこれら搬送ローラ５４により水平姿勢で搬送されるようになっている。図示の例では、左側から右側に向かって基板Ｓが搬送される。

また、各処理部５１〜５３には、基板Ｓに対して薬液（剥離液）を供給するためのシャワーノズル５６が搬送ローラ５４の上方に配備されており、最下流側の第３処理部５３には、さらに搬送ローラ５４の下方に、基板Ｓに対してその下面側から薬液を供給するためのシャワーノズル５７が配備されている。つまり、この基板処理装置１０′では、基板Ｓを搬送しながら第１〜第３の各処理部５１〜５３において各ノズル５６，５７からそれぞれ基板Ｓに薬液を供給することにより段階的に剥離処理を進める構成となっている。

各処理部５１〜５３に対する薬液の給排系統等は次のような構成となっている。

まず、この基板処理装置１０′は、処理部５１〜５３毎に、前記薬液を貯溜するためのタンク６１〜６３（第１タンク６１、第２タンク６２、第３タンク６３という）を有している。各タンク６１〜６３には、ヒータおよび冷却用熱交換器等の温度調節設備６１ａ〜６３ａ（温調設備６１ａ〜６３ａという；温調手段）、温度センサ（図示省略）および液位（液量）を検出するセンサ等が装備されており、タンク６１〜６３毎に、温調された薬液を貯溜して対応する処理部５１〜５３に供給する構成となっている。

液位を検出する前記センサとして、第１タンク６１には、下限センサＬ１と定量センサＬ４が装備されている。また、第２タンク６２および第３タンク６３には、下限センサＬ１、送液停止センサＬ２、送液開始センサＬ３および定量センサＬ４が装備されている。

定量センサＬ４は、基板Ｓの処理に必要な液位（定量という）を検知するもので、下限センサＬ１は、温調設備２２による温調可能な最低液位（空焚き等を誘発することなく安全に薬液を加熱できる液位）を検知するものである。また、送液開始センサＬ３は、後述する初期温調動作の際に、上流側タンク６１，６２への送液を開始可能な液位を検知するもので、送液停止センサＬ２は、上流側タンク６１，６２への送液が可能な限界液位を検知するものである。なお、これらのセンサＬ１〜Ｌ３は、第１実施形態と同様に例えばフロートセンサ等から構成されている。但し、センサの種類はこれに限定されるものではない。

各タンク６１〜６３には、対応する処理部５１〜５３に薬液を供給するためのポンプ６６を備えた供給用配管６７と、処理部５１〜５３から対応するタンク６１〜６３に使用後の薬液を回収する回収用配管６８とがそれぞれ接続されている。この構成により、基板処理装置１０′では、各処理部５１〜５３とそれぞれ対応するタンク６１〜６３との間で薬液を循環させながら基板Ｓの処理を進めるようになっている。

第３タンク６３には、さらに新液供給管７１が接続されており、当該新液供給管７１に介設されるバルブ７１ａの開閉制御に応じて薬液供給源７０から第３タンク６３に新規薬液が導入される構成となっている。なお、当実施形態では、これら新液供給管７１等が本発明に係る導入手段に相当する。

また、タンク６１〜６３には、下流側タンクから上流側タンクに順次薬液を送液する配管、すなわちタンク６１〜６３をカスケード接続するための配管（本発明に係る送液手段）が設けられている。具体的には、第３タンク６３と第２タンク６２との間に、第３タンク６３の薬液を第２タンク６２に送液するためのポンプ７２ａを備えた第１送液管７２が設けられ、第２タンク６２と第１タンク６１との間に、第２タンク６２の薬液を第１タンク６１に送液するためのポンプ７４ａを備えた第２送液管７４が設けられている。

すなわち、この基板処理装置１０′は、薬液供給源７０から第３タンク６３に新規薬液を導入しつつ、この薬液をさらに前記送液管７２，７４を介して上流側に位置する処理部５１，５２のタンク６１，６２に送液し、これによって各タンク６１〜６３にそれぞれ基板Ｓの処理に必要な定量の薬液を貯溜し、上記のように各処理部５１〜５３とそれぞれ対応するタンク６１〜６３との間で前記配管６７，配管６８を介して薬液を循環させつつ基板Ｓの剥離処理を進めるように構成されている。そして、最上流側に位置する第１処理部５１の第１タンク６１の薬液がある程度劣化すると、第１タンク６１の廃液管６９を通じて薬液を少しずつ廃液する一方で、下流側の処理部５２，５３のタンク６２，６３から前記送液管７２，７４を通じて順次上流側に薬液を送液し、これによって、汚れの少ない下流側の処理部５２，５３のタンク６２，６３から順次上流側に薬液を送液しつつ処理に用いるようになっている。なお、以下の説明においてタンク６１〜６３について「上流側」「下流側」というときには基板Ｓの搬送方向に対応しているものとする。

なお、各タンク６１〜６３には、それぞれバルブ６９ａを備えた薬液の廃液管６９が設けられ、必要に応じて前記バルブ６９ａが開閉制御されることにより、各タンク６１〜６３内の薬液を図外の廃液タンクに導出するように構成されている。

なお、この基板処理装置１０′はＣＰＵ等から構成されるコントローラ１′（制御手段）を有しており、各タンク６１〜６３の温調設備２２や、薬液の給排系統を構成する各ポンプ６６，７２ａ，７４ａ等の駆動およびバルブ６９ａ，７１ａ等の開閉制御は全てこのコントローラ１′により統括的に制御されるようになっている。

この基板処理装置１０′も、図示を省略するが、一連の基板処理動作を制御するコントローラ１′を有している。そして、初期稼働時やメンテナンス後等には、基板処理装置１０′を速やかに立ち上げ得るように、つまり空状態の各タンク６１〜６３への薬液の貯溜および温調（初期温調動作）が速やかに行われるように、タンク２０Ａ，２０Ｂに対する新規薬液の導入および温調設備２２による温調等がこのコントローラ１′により制御されるようになっている。

以下、コントローラ１′による初期温度動作の制御について図５〜図７のフローチャートに従って説明する。

図５〜図７は、それぞれコントローラ１′による各タンク６１〜６３の初期温調動作の制御を示している。まず、図５に基づき、第３タンク６３に関する初期温調動作の制御について説明する。

メンテナンス等の終了後、まず、コントローラ１′は、廃液管６９の廃液管６９ａを開放から閉止に切り替え、その後、新液供給管７１のバルブ７１ａを閉止から開放に切り替える。これにより新液供給管７１を通じて第３タンク６３への新規薬液の導入を開始する（ステップＳ２１）。この時点では、上記バルブ７１ａ以外の全てのバルブは閉止され、また、各ポンプ６６等や温調設備２２は停止しているものとする。

また、新規薬液の導入後、コントローラ１′は、所定のタイミングでポンプ６６を駆動することにより第３タンク６３に対して薬液の循環を開始させる。具体的には、ポンプ６６の作動により第３タンク６３から第３の処理部５３の各ノズル５６，５７に薬液を送液し、各ノズル５６，５７から吐出された薬液を、回収用配管６８を通じて第３タンク６３に戻すことにより、当該第３タンク６３に対して薬液を循環させる。

次いでコントローラ１′は、第３タンク６３の下限センサＬ１がＯＮするのを待って、ＯＮすると温調設備６３ａを作動させる。これにより薬液の温調を開始する（ステップＳ２３，Ｓ２５）。当例では薬液の加熱を開始する。なお、コントローラ１′は、薬液の循環中、下限センサＬ１がＯＮしている状態でのみ温調設備６３ａを作動させ、下限センサＬ１がＯＦＦの状態では温調設備６３ａを必ず停止させる。この点は、後述する第１，第２のタンク６１，６２に関する初期温調動作についても同様である。

次いでコントローラ１′は、送液開始センサＬ３がＯＮか否かを判断し（ステップＳ２７）、ＯＮしていると判断した場合には、さらに第２タンク６２からの送液要求がＯＮか否かを判断し（ステップＳ２９）、ＯＮと判断した場合には、第１送液管７２の前記ポンプ７２ａを開放し、これにより第３タンク６３から第２タンク６２への薬液の送液を開始する（ステップＳ３１）。なお、第２タンク６２からの送液要求は、第２タンク６２の定量センサＬ４の出力に応じて切り換えられ、通常は、第２タンク６２の定量センサＬ４がＯＦＦのとき、つまり第２タンク６２の液位が定量に達していないときは、常に第２タンク６２からの送液要求がＯＮされる。

コントローラ１′は、ステップＳ２９でＮＯと判断した場合には、第３タンク６３の定量センサＬ４がＯＮか否かを判断し（ステップＳ４７）、ここでＮＯと判断した場合には、そのままステップＳ２９に移行し、ＹＥＳと判断した場合には、バルブ７１ａを閉止して新規薬液の導入を停止した後、ステップＳ２９にリターンする（ステップＳ４９）
ステップＳ３１で第２タンク６２への送液が開始されると、コントローラ１′は、送液停止センサＬ２がＯＮしたか否かを判断する（ステップＳ３３）。なお、ここでの「ＯＮ」とは、送液停止センサＬ２がＯＦＦの状態を意味するものとする。つまり、一旦溜まった薬液の液位が第２タンク６２への送液により下がって送液停止センサＬ２がＯＮからＯＦＦに切り替わった状態を意味する。

そして、ステップＳ３３でＮＯと判断した場合には、コントローラ１′は、第２タンク６２の送液要求がＯＮからＯＦＦに切り替わったかをさらに判断し（ステップＳ３５）、ここでＹＥＳと判断した場合には、第２タンク６２への送液を停止した後、第３タンク６３の定量センサＬ４がＯＮするのを待ち、ＯＮすると第２タンク６２への新規薬液の導入を停止する（ステップＳ３７〜Ｓ４１）。

これに対してステップＳ３３でＹＥＳと判断した場合には、コントローラ１′は、第２タンク６２への送液を停止し、現在、新規薬液を第３タンク６３に導入中か否かを判断する（ステップＳ５１，Ｓ５３）。そして、ここでＹＥＳと判断した場合には、そのままステップＳ２７に移行し、ＮＯと判断した場合には、バルブ７１ａを切り替えて第３タンク６３への新規薬液の導入を開始した後（ステップＳ５５）、ステップＳ２７に移行する。

ステップＳ４１で新規薬液の導入を停止した後、コントローラ１′は、第１タンク６１および第２タンク６２の各定量センサＬ４がＯＮか否かを判断し（ステップＳ４３）、ここでＮＯと判断した場合にはステップＳ２９にリターンし、ＹＥＳと判断した場合には、第３タンク６３の薬液が目標温度になるのを待ち、目標温度に達すると初期温調動作を終了する。

次に、図６に基づき、第２タンク６２に関する初期温調動作の制御について説明する。

第２タンク６２の動作制御は、第３タンク６３に関する制御と基本的に共通であり、以下の点を除き、図５のステップＳ２１〜Ｓ５５の各処理を、それぞれステップＳ６１〜Ｓ９５の処理としたものである。そのため、ここでは詳細説明を省略することとする。

第３タンク６３に関する制御との相違点は、ステップＳ６１、Ｓ８１、Ｓ８９、Ｓ９５の各処理で、第３タンクへの移送要求をＯＮ（又はＯＦＦ）する点、ステップＳ６９、Ｓ７５、Ｓ７７、Ｓ９１の各処理の判断等の対象が第１タンク６１である点、ステップＳ８３の処理での判断の対象が第１タンク６１の定量センサＬ４である点である。

なお、第３タンクへの移送要求をＯＮして送液が開始されると（ステップＳ６１）、コントローラ１′は、所定のタイミングでポンプ６６を駆動することにより第２タンク６２に対して薬液の循環を開始させる。具体的には、ポンプ６６の作動により第２タンク６２から第２の処理部５２の各ノズル５６に薬液を送液し、各ノズル５６から吐出された薬液を、回収用配管６８を通じて第２タンク６２に戻すことにより、当該第２タンク６２に対して薬液を循環させ、この循環状態で下限センサＬ１がＯＮすると、温調設備６２ａを作動させて薬液の温調を開始する（ステップＳ６３，６５）。

次に、図７に基づき、第１タンク６１に関する初期温調動作の制御について説明する。

まず、コントローラ１′は、第２タンク６２への液移送要求をＯＮする（ステップＳ１０１）。これにより第２タンク６２から第１タンク６１への送液が開始される。

送液の開始後、コントローラ１′は、所定のタイミングでポンプ６６を駆動することにより第１タンク６１に対して薬液の循環を開始させる。具体的には、ポンプ６６の作動により第１タンク６１から第１の処理部５３の各ノズル５６に薬液を送液し、各ノズル５６から吐出された薬液を、回収用配管６８を通じて第１タンク６１に戻すことにより、当該第１タンク６１に対して薬液を循環させる。

次いで、コントローラ１′は、第３タンク６３の下限センサＬ１がＯＮするのを待って（ステップＳ１０３）、ＯＮすると温調設備６３ａを作動させて薬液の温調を開始する（ステップＳ１０５）。当例では薬液の加熱を開始する。

そして、定量センサＬ４がＯＮするのを待って（ステップＳ１０７）、ＯＮすると第２タンク６２への液移送要求をＯＦＦし（ステップＳ１０９）、その後、第１タンク６１の薬液が目標温度になるのを待って（ステップＳ１１１）、目標温度に達すると初期温調動作を終了する。

以上のような制御の概略を簡単に説明すると、例えば図８に示すようになる。まず、図８（ａ）に示すように、第３タンク６３に新規薬液が導入され、下限センサＬ１がＯＮする液位まで薬液が溜まると、温調設備６１ａによる薬液の温調が開始される。そして、送液開始センサＬ３がＯＮする液位まで第３タンク６３に薬液が溜まると、第３タンク６３から第２タンク６２への送液が開始され（図８（ｂ））、このように第３タンク６３から第２タンク６２に送液される薬液を新規薬液として、第２タンク６２において上記第３タンク６３と同様の温調および送液の制御が行われる（図８（ｃ））。

そして、薬液が温調されつつ第３タンク６３から順次上流側に送液され、第１タンク６１に定量の薬液が溜まると、第２タンク６２から第１タンク６１への送液が停止され（図８（ｄ））、さらに第２タンク６２に定量の薬液が溜まると、第１タンク６１から第２タンク６２への送液が停止される（図８（ｅ））。

こうして、最終的に第３タンク６３に定量の薬液が溜まると、薬液供給源７０から第３タンク６３への新規薬液の導入が停止され（図８（ｆ））、各タンク６１〜６３の薬液の温度が目標温度に達するまで温調された後、基板Ｓのレジスト剥離処理が開始される。

以上のように、第２の実施形態の基板処理装置１０′（基板処理方法）では、第１〜第３のタンク６１〜６３がカスケード接続され、初期温調時には、最下流側の第３タンク６３に新規薬液を導入しつつこれを上流側のタンクに送液することにより各タンク６１〜６３に定量の薬液を貯溜するが、この基板処理装置１０′では、上述の通り、第３タンク６３に定量よりも少ない薬液が溜まった時点で温調（加熱）を開始し、このように予熱された状態の薬液を上流側の各タンク６１〜６３に順次送液し、さらに上流側のタンク６１，６２で薬液を温調しつつ各タンク６１〜６３に温調された定量の薬液を溜めるように構成されているので、従来のこの種の装置（方法）、すなわち、カスケード接続された複数のタンクにそれぞれ定量の処理液を貯溜し、その後、各タンクの温調を開始するものに比べると、初期温調に要する時間を短縮することができる。従って、この第２の実施形態の基板処理装置１０′においても、第１実施形態の基板処理装置１０と同様に、初期稼働時やメンテナンス後、基板Ｓの処理をより速やかに開始することができるようになる。

また、各タンク６１〜６３では、それぞれ下限センサＬ１がＯＮした時点、つまり温調設備６１ａ〜６３ａによる加熱を安全に行うことが可能な液量が溜まった時点から加熱を開始するので、薬液の加熱を可及的速やかに開始することができ、その分、より早期に薬液を目標温度に温調することが可能となる。そのため、この点でも薬液の初期温調を速やかに行うことができるという利点がある。

なお、この実施形態の基板処理装置１０′では、薬液の初期温調動作の際に、各処理部５１〜５３とそれぞれ対応するタンク６１〜６３との間で薬液を循環させながら薬液を温調する構成となっているが、第１の実施形態の基板処理装置１０と同様に、タンクから導出した薬液をそのままタンクに戻すポンプを備えた循環用配管をタンク６１〜６３毎に設けて薬液を循環させるように構成してもよい。

ところで、以上説明した第１，第２の実施形態の基板処理装置１０，１０′は、本発明に係る基板処理装置（本発明に係る基板処理方法が実施される基板処理装置）の好ましい実施形態の例示であって、その具体的な構成は本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、上記第１の実施形態では、基板Ｓにエッチング処理を行う基板処理装置１０に、第２の実施形態では、基板Ｓにレジスト剥離処理を行う基板処理装置１０′に本発明を適用しているが、勿論、本発明は温調される処理液を用いて基板Ｓを処理する装置であれば、エッチング処理やレジスト剥離処理以外の装置についても適用可能である。

本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置（本発明に係る基板処理方法が実施される基板処理装置）を示す模式図である。 コントローラによる初期温調動作制御の一例を示すフローチャートである。 初期温調動作に係る各タンクの状態を示す模式図である。 本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置（本発明に係る基板処理方法が実施される基板処理装置）を示す模式図である。 コントローラによる初期温調動作制御（第３タンクの制御）の一例を示すフローチャートである。 コントローラによる初期温調動作制御（第２タンクの制御）の一例を示すフローチャートである。 コントローラによる初期温調動作制御（第１タンクの制御）の一例を示すフローチャートである。 初期温調動作に係る各タンクの状態を示す模式図である。

符号の説明

１０，１０′ 基板処理装置
１２ 処理部
１２ａ，１２ｂ 処理室
２０Ａ 第１タンク
２０Ｂ 第２タンク
２２ 温調設備
３０ 供給用配管
３５ 回収用配管
４４，４５ 循環用配管
４８，４９ 送液管

Claims (8)

1. 温調設備をそれぞれ持つ第１、第２のタンクの一方側に温調した所定量の処理液を貯溜し、この処理液を基板の処理部に供給して基板を処理する方法であって、
   第１および第２のタンクにそれぞれ前記所定量よりも少ない処理液を溜めて温調する温調工程と、
   前記第１のタンクの処理液を前記第２のタンクに送液することにより当該第２のタンクに前記所定量の温調された処理液を溜める送液工程と、
   前記第２のタンクに貯留された処理液を前記処理部に供給して基板を処理する基板処理工程と、を有することを特徴とする基板処理方法。
2. 請求項１に記載の基板処理方法において、
   前記温調工程では、第１および第２のタンクにそれぞれ前記所定量よりも少なく、かつ当該所定量の半分以上の処理液を溜めてそれぞれ処理液を温調することを特徴とする基板処理方法。
3. 温調設備をそれぞれ持つ第１，第２のタンクにそれぞれ温調された所定量の処理液を貯溜し、前記処理液をそれぞれ基板の処理部に供給して基板を処理する方法であって、
   前記第１のタンクに処理液を溜めて前記所定量よりも少ない処理液を温調する温調工程と、
   この温調工程で温調された処理液を前記第２のタンクへ送液することにより当該第２のタンクに前記所定量の処理液を溜める送液工程と、
   前記第２のタンクに貯留された処理液を前記処理部に供給して基板を処理する基板処理工程と、を有することを特徴とする基板処理方法。
4. 請求項３に記載の基板処理方法において、
   前記温調工程では目標温度に満たない所定温度に処理液を温調し、前記送液工程により送液される処理液をさらに前記第２のタンクで温調することを特徴とする基板処理方法。
5. 温調手段をそれぞれ持つ第１，第２のタンクを有し、これらタンクのうち一方側のタンクに温調した所定量の処理液を貯溜し、この処理液を基板の処理部に供給して基板を処理する基板処理装置において、
   前記各タンクに処理液を導入可能な導入手段と、
   前記第１のタンクから第２のタンクに処理液を送液可能な送液手段と、
   前記温調手段、送液手段および導入手段を制御する制御手段と、を有し、
   この制御手段は、前記両タンクに処理液が貯溜されていない初期状態から基板の処理を開始する際には、前記第１および第２のタンクにそれぞれ前記所定量よりも少ない処理液を溜めて温調するとともに、この温調された処理液を前記第１のタンクから前記第２のタンクに送液することにより当該第２のタンクに前記所定量の温調された処理液を溜め、当該第２のタンクに貯留された処理液を前記処理部に供給すべく前記各手段を制御する
   ことを特徴とする基板処理装置。
6. 請求項６に記載の基板処理装置において、
   前記制御手段は、前記第１および第２のタンクにそれぞれ前記所定量の半分の処理液を溜めて温調すべく前記導入手段を制御することを特徴とする基板処理装置。
7. 温調手段をそれぞれ持つ第１，第２のタンクを有し、これらタンクにそれぞれ温調された所定量の処理液を貯溜し、前記処理液を基板の処理部に供給して基板を処理する基板処
   理装置において、
   前記第１のタンクに処理液を導入する導入手段と、
   前記第１のタンクから第２のタンクに処理液を送液可能な送液手段と、
   前記温調手段、送液手段および導入手段を制御する制御手段と、を有し、
   この制御手段は、前記両タンクに処理液が貯溜されていない初期状態から基板の処理を開始する際には、前記第１のタンクに処理液を溜めて前記所定量よりも少ない処理液を温調するとともに、この温調された処理液を前記第２のタンクへ送液することにより当該第２のタンクに前記所定量の処理液を溜め、当該第２のタンクに貯留された処理液を前記処理部に供給すべく前記各手段を制御する
   ことを特徴とする基板処理装置。
8. 請求項７に記載の基板処理装置において、
   前記制御手段は、前記第１のタンクでは目標温度に満たない所定温度に処理液を温調し、前記第２のタンクへ送液された処理液をさらに当該第２のタンクにおいて温調すべく前記温調手段を制御する
   ことを特徴とする基板処理装置。
   

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