JP2002075946A

JP2002075946A - 基板処理装置

Info

Publication number: JP2002075946A
Application number: JP2000260601A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Araki; 浩之荒木
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2000-08-30
Filing date: 2000-08-30
Publication date: 2002-03-15

Abstract

(57)【要約】【課題】基板が処理槽などの基板処理部へ搬入された際
に、処理液の温度低下を抑制させて、基板に対する洗浄
効果やエッチングレート等の処理効果を向上させる。【解決手段】処理液によりウエハＷに対して所定の処理
を行う処理槽１ａと、処理槽１ａから排出された処理液
を再び処理槽１ａへ供給する第１循環路２と、処理槽１
ａから排出された処理液を再び処理槽１ａへ供給する第
２循環路３と、第１循環路２内の処理液を循環させる第
１処理液循環ポンプ２２と、第２循環路３内の処理液を
循環させる第２処理液循環ポンプ３２と、第１循環路２
から処理槽１ａへの処理液の供給と第２循環路３から処
理槽１ａへの処理液の供給とを切り換える第１供給調整
弁２５及び第２供給調整弁３５と、を備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、液
晶用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、
光ディスク用の基板等の基板に対して、処理液により洗
浄処理、エッチング処理等の所定の処理を行う基板処理
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、基板の一種であるウエハを処
理槽内の処理液に浸漬させて、ウエハの表面処理（洗浄
処理）を行う基板処理装置がある。この従来の基板処理
装置では、処理液を貯溜する処理槽の外側に、処理槽か
ら溢れ出た処理液を受け止める外槽を備えている。そし
て、外槽にある処理液が、外槽から排出されると循環路
を介して再度処理槽へ供給される。

【０００３】この循環路には、処理液を循環させるため
の循環ポンプと、循環路を流れる処理液の温度を調整す
るための熱交換器（ヒータ）と、循環路を流れる処理液
のパーティクルを除去するためのフィルタとが、それぞ
れ設けられている。そして、処理液の貯溜された処理槽
に、ウエハ搬送機構によりウエハを浸漬させて、ウエハ
に対する洗浄処理、エッチング処理等の基板の処理を行
っている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
基板処理装置では、ウエハＷが処理槽内の処理液に浸漬
されると、ウエハの影響で処理槽内の処理液の温度が一
般的には低下する。循環路に設けられた熱交換器で処理
液の温度を調整することは可能であるが、処理液が設定
された温度（例えば、リン酸なら１６０℃）になるまで
には、所定の時間を要してしまう。このため、処理液の
温度低下による洗浄効果やエッチングレートが低下して
しまうという問題がある。

【０００５】本発明は、かかる課題を鑑みてなされたも
のであって、基板が処理槽などの基板処理部へ搬入され
た際に、処理液の温度低下を抑制させて、基板に対する
洗浄効果やエッチングレート等の処理効果を向上させる
基板処理装置を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、請求項１に記載の基板処理装置は、処理液によ
り基板に対して所定の処理を行う基板処理部と、前記基
板処理部から排出された処理液を再び前記基板処理部へ
供給する第１循環路と、前記基板処理部から排出された
処理液を再び前記基板処理部へ供給する第２循環路と、
前記第１循環路内の処理液を循環させる第１処理液循環
手段と、前記第２循環路内の処理液を循環させる第２処
理液循環手段と、前記第１循環路から前記基板処理部へ
の処理液の供給と前記第２循環路から前記基板処理部へ
の処理液の供給とを切り換える切換手段と、を備えたこ
とを特徴とするものである。

【０００７】また、請求項２に記載の基板処理装置は、
請求項１に記載の基板処理装置において、前記第１循環
路内の処理液の温度を調整する第１温度調整手段と、前
記第２循環路内の処理液の温度を調整する第２温度調整
手段と、をさらに備えたことを特徴とするものである。

【０００８】また、請求項３に記載の基板処理装置は、
請求項２に記載の基板処理装置において、前記基板処理
部が、処理液を貯溜するとともに、基板を処理液に浸漬
するための処理槽を備え、前記切換手段により前記第１
循環路から前記基板処理部へ処理液が供給される状態に
して、前記第１処理液循環手段により前記第１循環路内
に処理液を循環させて、前記第１温度調整手段で温調さ
れた処理液を前記第１循環路から前記処理槽へ供給さ
せ、さらに前記切換手段により前記第２循環路から前記
基板処理部へ処理液が供給される状態にして、前記第２
処理液循環手段により前記第２循環路内に処理液を循環
させて、前記第２温度調整手段で温調された処理液を前
記第２循環路から前記処理槽へ供給させることを特徴と
するものである。

【０００９】また、請求項４に記載の基板処理装置は、
請求項１乃至請求項３に記載の基板処理装置において、
前記第１循環路に連通接続され、前記第１循環路に流れ
ている処理液を回収し、回収した処理液に新たな処理液
を補充するための第１処理液補充系と、前記第２循環路
に連通接続され、前記第２循環路に流れている処理液を
回収し、回収した処理液に新たな処理液を補充するため
の第２処理液補充系と、を備えたことを特徴とするもの
である。

【００１０】さらに、請求項５に記載の基板処理装置
は、請求項１乃至請求項４に記載の基板処理装置におい
て、前記切換手段が、前記第１循環路に設けられ、前記
第１循環路から前記基板処理部への処理液の供給・停止
を制御する第１供給調整弁と、前記第２循環路に設けら
れ、前記第２循環路から前記基板処理部への処理液の供
給・停止を制御する第２供給調整弁とを備えたことを特
徴とするものである。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明に係る基板処理装置の実施
の形態について図面に基づいて詳細に説明する。図１
は、基板処理装置の概略構成を示す図である。

【００１２】この基板処理装置は、純水と薬液とを混合
して得られた処理液で基板の一種であるウエハＷに対し
て、エッチング処理等の基板処理を行うものである。こ
の基板処理装置は、大きく分けて処理液を貯溜してウエ
ハＷに対して基板処理を行うための基板処理部１と、こ
の基板処理部１から一旦処理液を排出し、排出された処
理液を再び基板処理部１へ供給する循環系と、循環系内
における処理液の循環等を制御する制御系とを備えてい
る。

【００１３】基板処理部１は、処理槽１ａと外槽１ｂと
処理液供給部１ｃとをそれぞれ備えており、処理槽１ａ
は、槽の底部から処理液の供給をうけ、外槽１ｂは、処
理槽１ａから溢れ出た余剰の処理液を貯溜して排出する
ようになっている。処理液供給部１ｃは、処理槽１ａの
内側底部に２本設けられており、処理液を処理槽１ａ内
へ供給するためのものである。この処理液供給部１ｃ
は、長手方向に相互に平行に設けられており、処理槽１
ａの中心部へ処理液を供給するための複数の供給孔（図
示省略）が形成されている。

【００１４】なお、一般的には、この種の基板処理装置
は、複数個の基板処理部１を備え、各基板処理部１には
個別の循環系によって、基板処理部１から一旦処理液を
排出し、排出された処理液を再び基板処理部１へ供給す
るように構成されている。但し、本明細書では説明を簡
単にするために単一の基板処理部１を備えた基板処理装
置を例にとって説明するが、本発明は複数個の基板処理
部１を備えた基板処理装置にも適用することが可能であ
る。また、本発明は、複数枚のウエハＷを処理槽１ａに
浸漬させて処理を行う処理槽１ａを用いるものではな
く、ウエハＷを１枚ずつ処理する処理部を備えた基板処
理装置であっても適用可能である。

【００１５】循環系は、第１循環系と第２循環系とを有
しており、第１循環系は、処理槽１ａの外槽１ｂと、処
理液供給部１ｃとにそれぞれ連通接続された第１循環路
２を備えており、第２循環系は、処理槽１ａの外槽１ｂ
と、処理液供給部１ｃとにそれぞれに連通接続された第
２循環路３を備えている。

【００１６】この第１循環路２には、上流側から下流側
へわたって、外槽１ｂから第１循環路２への処理液の供
給・停止を調整する第１循環調整弁２１と、外槽１ｂか
ら溢れ出た処理液を第１循環路２へ送り込んで再び処理
槽１ａへ供給するように循環させるための第１処理液循
環ポンプ２２と、第１循環路２２を流れる処理液を温度
を調整する第１温調機構（第１ヒータ）２３と、第１循
環路２２を流れる処理液のパーティクルを除去するため
の第１フィルタ２４と、第１循環路２から処理液供給部
１ｃへの処理液の供給・停止を調整する第１供給調整弁
２５とが設けれている。

【００１７】なお、第１処理液循環ポンプ２２は、本発
明の第１処理液循環手段に相当し、第１温調機構２３
は、本発明の第１温度調整手段に相当し、第１供給調整
弁２５は、本発明の切換手段に相当する。

【００１８】また、この第２循環路３には、上流側から
下流側へわたって、外槽１ｂから第２循環路３への処理
液の供給・停止を調整する第２循環調整弁３１と、外槽
１ｂから溢れ出た処理液を第２循環路３へ送り込んで再
び処理槽１ａへ供給するように循環させるための第２処
理液循環ポンプ３２と、第２循環路３を流れる処理液を
温度を調整する第２温調機構（第２ヒータ）３３と、第
２循環路２２を流れる処理液のパーティクルを除去する
ための第２フィルタ３４と、第２循環路３から処理液供
給部１ｃへの処理液の供給・停止を調整する第２供給調
整弁３５とが設けれている。

【００１９】なお、第２処理液循環ポンプ３２は、本発
明の第２処理液循環手段に相当し、第２温調機構３３
は、本発明の第２温度調整手段に相当し、第２供給調整
弁３５は、本発明の切換手段に相当する。

【００２０】なお、図１に示すように、外槽１ｂ近傍、
及び処理液供給部１ｃの近傍の第１循環路２と第２循環
路３とについては、一部重複している。

【００２１】循環路２の途中には、第１処理液補充系４
０が設けられている。この第１処理液補充系４０には、
一旦処理液を貯溜するための第１予備槽４１が設けられ
ており、この第１予備槽４１は、第１循環調整弁２１と
第１循環ポンプ２２との間の第１循環路２に、第１配管
４２を介して連通接続されているとともに、第１フィル
タ２４と第１供給調整弁２５との間の第１循環路２に、
第２配管４３を介して連通接続されている。

【００２２】第１配管４２は、第１予備槽４１に貯溜さ
れている処理液を第１予備槽４１から第１循環路２へ供
給するためのものであり、この第１配管４２の途中に
は、第１予備槽４１から第１循環路２へ流れる処理液を
制御するための第１開閉弁４４が設けれている。また、
第２配管４３は、第１循環路２を流れている処理液を第
１循環路２から第１予備槽４１へ供給するためのもので
あり、この第２配管４３の途中には、第２循環路２から
第１予備槽４１へ流れる処理液を制御するための第２開
閉弁４５が設けれている。

【００２３】また、第１予備槽４１へ処理液を補充する
ための第１処理液補充管４６が、第１予備槽４１の上方
に設けられている。この第１処理液補充管４６には、第
３開閉弁４７が設けられており、この第３開閉弁４７の
開閉制御により第１予備槽４１へ補充される処理液の供
給・停止の制御が行われる。

【００２４】循環路３の途中には、第２処理液補充系５
０が設けられている。この第２処理液補充系５０には、
一旦処理液を貯溜するための第２予備槽５１が設けられ
ており、この第２予備槽５１は、第２循環調整弁３１と
第２循環ポンプ３２との間の第２循環路３に、第３配管
５２を介して連通接続されているとともに、第２フィル
タ３４と第２供給調整弁３５との間の第２循環路３に、
第４配管５３を介して連通接続されている。

【００２５】第３配管５２は、第２予備槽５１に貯溜さ
れている処理液を第２予備槽５１から第２循環路３へ供
給するためのものであり、この第３配管５２の途中に
は、第２予備槽５１から第２循環路３へ流れる処理液を
制御するための第４開閉弁５４が設けれている。また、
第４配管５３は、第２循環路３を流れている処理液を第
３循環路３から第２予備槽５１へ供給するためのもので
あり、この第４配管５３の途中には、第２循環路３から
第２予備槽５１へ流れる処理液を制御するための第５開
閉弁５５が設けれている。

【００２６】また、第２予備槽５１へ処理液を補充する
ための第２処理液補充管５６が、第２予備槽５１の上方
に設けられている。この第２処理液補充管５６には、第
６開閉弁５７が設けられており、この第６開閉弁５７の
開閉制御により第２予備槽５１へ補充される処理液の供
給・停止の制御が行われる。

【００２７】次に、図２に基づいて、本発明に係る基板
処理装置の電気的制御系について説明する。図２は、本
発明に係る基板処理装置の電気的制御系のブロック図で
ある。

【００２８】制御部６０は、大きく分けて第１循環系と
第２循環系とに接続されている。第１循環系には、第１
循環調整弁２１、第１処理液循環ポンプ２２、第１温調
機構２３、第１供給調整弁２５、及び第１処理液補充系
４０が含まれている。さらに、第１処理液補充系４０に
は、第１開閉弁４４、第２開閉弁４５、及び第３開閉弁
４７が含まれている。

【００２９】また、第２循環系には、第２循環調整弁３
１、第２処理液循環ポンプ３２、第２温調機構３３、第
２供給調整弁３５、及び第２処理液補充系５０が含まれ
ている。さらに、第２処理液補充系５０には、第４開閉
弁５４、第５開閉弁５５、及び第６開閉弁５７が含まれ
ている。

【００３０】制御部６０は、第１循環系の第１循環調整
弁２１、第１供給調整弁２５、第１開閉弁４４、第２開
閉弁４５、及び第３開閉弁４７というそれぞれの弁の
「開」「閉」の制御を行う。また、制御部６０は、第１
温調機構２３を温度を制御するとともに、第１処理液循
環ポンプ２２の「ＯＮ」「ＯＦＦ」動作の制御を行う。

【００３１】また、制御部６０は、第２循環系の第２循
環調整弁３１、第２供給調整弁３５、第４開閉弁５４、
第５開閉弁５５、及び第６開閉弁５７というそれぞれの
弁の「開」「閉」の制御を行う。また、制御部６０は、
第２温調機構３３を温度を制御するとともに、第２処理
液循環ポンプ３２の「ＯＮ」「ＯＦＦ」動作の制御を行
う。

【００３２】次に、図３及び図４に基づいて、本発明に
係る基板処理装置の処理動作について説明する。図３
は、本発明に係る基板処理装置の処理動作を示すフロー
チャートであり、図４は、本発明に係る基板処理装置の
処理動作における各弁の開閉状態を示す図である。

【００３３】まず、初期段階として、制御部６０からの
指令に基づき、第１循環調整弁２１を「開」、第２循環
調整弁３１を「閉」、第１開閉弁４４を「閉」、第４開
閉弁５４を「開」、第２開閉弁４５を「閉」、第５開閉
弁５５を「開」、第１供給調整弁２５を「開」、第２供
給調整弁３５を「閉」にする（ステップＳ１）。これに
より、処理槽１ａと第１循環路２との間で処理液が循環
される。また、第２循環調整弁３１が「閉」の状態、第
２供給調整弁３５が「閉」の状態なので、処理液は、配
管５３、予備槽５１、配管５２及び第２循環路３との間
で循環する。

【００３４】次に、ウエハ搬送機構（図示省略）によ
り、ウエハＷを処理槽１ａへ搬入し、ウエハＷを処理液
に浸漬させる（ステップＳ２）。これにより、ウエハＷ
のエッチング処理が開始される。

【００３５】ステップＳ２において、ウエハＷが処理液
に浸漬されることにより、第１循環路２から処理槽１ａ
へ供給されていた処理槽１ａ内の処理液の温度が下がろ
うとしてくる。そこで、第１段階として、第１循環調整
弁２１を「開」の状態、第２循環調整弁３１を「閉」の
状態、第１開閉弁４４を「閉」の状態、第４開閉弁５４
を「開」の状態にしたまま、制御部６０からの指令に基
づき、第２開閉弁４５を「開」、第５開閉弁５５を
「閉」、第１供給調整弁２５を「閉」、第２供給調整弁
３５を「開」に切り換える（ステップＳ３）。

【００３６】これにより、配管５３、予備槽５１、配管
５２及び第２循環路３との間で循環して、第２温調機構
（第２ヒータ）３３により温調されていた処理液が、処
理液供給部１ｃを介して、第２循環路３から処理槽１ａ
へ供給される。したがって、処理槽１ａ内の処理液は、
第１循環路２から供給された処理液から、第２循環路３
から供給される処理液に置換される。

【００３７】また、処理槽１ａから溢れた処理液は、外
槽１ｂから第１循環路２、配管４３を介して第１予備槽
４１へ回収される。この第１予備槽４１に対しては、制
御部６０からの指令により第３開閉弁４７を「開」にし
て、新しい処理液が第１処理液補充管４６を介して第１
予備槽４１へ補充される。

【００３８】第１段階を所定の時間行うと、ウエハＷの
温度が処理槽１ａの処理液に影響を及ぼすようなことが
なくなってくる。

【００３９】次に、第２段階として、第２開閉弁４５を
「開」の状態、第５開閉弁５５を「閉」の状態、第１供
給調整弁２５を「閉」の状態、第２供給調整弁３５を
「開」の状態にしたまま、制御部６０からの指令に基づ
き、第１循環調整弁２１を「閉」、第２循環調整弁３１
を「開」、第１開閉弁４４を「開」、第４開閉弁５４を
「閉」に切り換える（ステップＳ４）。

【００４０】これにより、処理槽１ａから溢れた処理液
は、外槽１ｂから第２循環路３を循環し、処理液供給部
１ｃから処理槽１ａ内へ再度供給される。また、第１循
環調整弁２１が「閉」の状態、第１供給調整弁２５が
「閉」の状態なので、処理液は、配管４３、予備槽４
１、配管４２及び第１循環路２との間で循環する。

【００４１】第２段階を所定の時間行うと、ウエハ搬送
機構（図示省略）により、ウエハＷを処理槽１ａから搬
出し、ウエハＷを処理液から引き上げる（ステップＳ
５）。これにより、ウエハＷのエッチング処理が終了す
る。

【００４２】次に、最終段階として、制御部６０からの
指令に基づき、第１循環調整弁２１を「開」、第２循環
調整弁３１を「閉」、第１開閉弁４４を「閉」、第４開
閉弁５４を「開」、第２開閉弁４５を「閉」、第５開閉
弁５５を「開」、第１供給調整弁２５を「開」、第２供
給調整弁３５を「閉」にする（ステップＳ６）。これに
より、処理槽１ａと第１循環路２との間で処理液が循環
される。また、第２循環調整弁３１が「閉」の状態、第
２供給調整弁３５が「閉」の状態なので、処理液は、第
４配管５３、予備槽５１、第３配管５２及び第２循環路
３との間で循環する。このステップＳ６の最終段階は、
ステップＳ１の初期段階と略同じ状態となる。

【００４３】最後に、次のウエハＷの処理を行うか否か
を判断する（ステップＳ７）。さらにウエハＷの処理を
行う場合、上述したステップＳ１からステップＳ６の工
程を再度行う。一方、ウエハＷの処理を行わない場合、
本発明に係る基板処理装置の一連の処理動作が終了す
る。

【００４４】なお、本実施の形態では、ステップＳ２に
おいてウエハＷを処理層１ａへ搬入してウエハＷを処理
液に浸漬させた後、ステップＳ３において、第２開閉弁
４５を「開」、第５開閉弁５５を「閉」、第１供給調整
弁２５を「閉」、第２供給調整弁３５を「開」に切り換
えているのて、第４配管５３、予備槽５１、第３配管５
２及び第２循環路３との間で循環して、第２温調機構
（第２ヒータ）３３により温調されていた処理液が、処
理液供給部１ｃを介して、第２循環路３から処理槽１ａ
へ供給される。その結果、第１循環路２から供給された
処理液から、第２循環路３から供給された処理液に容易
に置換することができるので、処理層１ａ内の処理液の
温度が下らず、ウエハＷに対する洗浄効果やエッチング
レート等の処理効果を向上させることができる。

【００４５】また、本実施の形態では、第１処理補充系
４０が設けられいるので、第１循環路２を流れている処
理液に新たな処理液を補充することができ、第２処理補
充系５０が設けられているので、第２循環路３を流れて
いる処理液に新たな処理液を補充することができる。

【００４６】さらに、本実施の形態では、切換手段とし
て、第１循環路２の途中に第１供給調整弁２５を設けて
いるとともに、第２循環路３の途中に第２供給調整弁３
５を設けているので、簡単な機構により、第１循環路２
から処理層１ａへの処理液の供給、及び第２循環路３か
ら処理層１ａへの処理液の供給に切り換えることができ
る。

【００４７】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
係る基板処理装置によれば、第１循環路から基板処理部
への処理液の供給と第２循環路から基板処理部への処理
液の供給とを切換手段により切り換えることが可能であ
るので、処理液の温度低下を抑制させて、基板に対する
洗浄効果やエッチングレート等の処理効果を向上でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】基板処理装置の概略構成を示す図である。

【図２】本発明に係る基板処理装置の電気的制御系のブ
ロック図である。

【図３】本発明に係る基板処理装置の処理動作を示すフ
ローチャートである。

【図４】本発明に係る基板処理装置の処理動作における
各弁の開閉状態を示す図である。

【符号の説明】

１基板処理部１ａ処理槽１ｂ外槽１ｃ処理液供給部２第１循環路３第２循環路２２第１処理液循環ポンプ２３第１温調機構（第２ヒータ）２５第１供給調整弁３２第２処理液循環ポンプ３３第２温調機構（第２ヒータ）３５第２供給調整弁４０第１処理液補充系４１第１予備槽４２第１配管４３第２配管５０第２処理液補充系５１第２予備槽５２第３配管５３第４配管６０制御部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｃ２３Ｆ 1/08 １０１Ｃ２３Ｆ 1/08 １０１５Ｆ０４３Ｇ０２Ｆ 1/13 １０１Ｇ０２Ｆ 1/13 １０１ 1/1333 ５００ 1/1333 ５００Ｇ１１Ｂ 7/26 Ｇ１１Ｂ 7/26 Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｈ０１Ｌ 21/306 ＪＦターム(参考） 2H088 EA68 FA18 FA21 FA30 HA01 MA20 2H090 HC18 JB02 JB04 JC19 3B201 AA03 AB53 BB04 BB82 BB92 BC01 CB01 CD22 4K057 WA10 WG02 WM03 WM17 WM20 WN01 5D121 AA02 GG11 GG18 GG28 5F043 EE21 EE22 EE24 EE25 EE28 EE30 EE33 GG10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】処理液により基板に対して所定の処理を行
う基板処理部と、前記基板処理部から排出された処理液を再び前記基板処
理部へ供給する第１循環路と、前記基板処理部から排出された処理液を再び前記基板処
理部へ供給する第２循環路と、前記第１循環路内の処理液を循環させる第１処理液循環
手段と、前記第２循環路内の処理液を循環させる第２処理液循環
手段と、前記第１循環路から前記基板処理部への処理液の供給と
前記第２循環路から前記基板処理部への処理液の供給と
を切り換える切換手段と、を備えたことを特徴とする基
板処理装置。
【請求項２】請求項１に記載の基板処理装置において、前記第１循環路内の処理液の温度を調整する第１温度調
整手段と、前記第２循環路内の処理液の温度を調整する第２温度調
整手段と、をさらに備えたことを特徴とする基板処理装
置。
【請求項３】請求項２に記載の基板処理装置において、前記基板処理部は、処理液を貯溜するとともに、基板を
処理液に浸漬するための処理槽を備え、前記切換手段により前記第１循環路から前記基板処理部
へ処理液が供給される状態にして、前記第１処理液循環
手段により前記第１循環路内に処理液を循環させて、前
記第１温度調整手段で温調された処理液を前記第１循環
路から前記処理槽へ供給させ、さらに前記切換手段によ
り前記第２循環路から前記基板処理部へ処理液が供給さ
れる状態にして、前記第２処理液循環手段により前記第
２循環路内に処理液を循環させて、前記第２温度調整手
段で温調された処理液を前記第２循環路から前記処理槽
へ供給させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】請求項１乃至請求項３に記載の基板処理装
置において、前記第１循環路に連通接続され、前記第１循環路に流れ
ている処理液を回収し、回収した処理液に新たな処理液
を補充するための第１処理液補充系と、前記第２循環路に連通接続され、前記第２循環路に流れ
ている処理液を回収し、回収した処理液に新たな処理液
を補充するための第２処理液補充系と、を備えたことを
特徴とする基板処理装置。
【請求項５】請求項１乃至請求項４に記載の基板処理装
置において、前記切換手段は、前記第１循環路に設けられ、前記第１
循環路から前記基板処理部への処理液の供給・停止を制
御する第１供給調整弁と、前記第２循環路に設けられ、
前記第２循環路から前記基板処理部への処理液の供給・
停止を制御する第２供給調整弁とを備えたことを特徴と
する基板処理装置。