JP2009054826A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】低コストで貯留槽内の処理液の温度を調整することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理液タンクＴＢ内の処理液は、ポンプＰ２の動作により配管１８，１９，２３を通して簡易式熱交換器Ｓ２に導かれる。簡易式熱交換器Ｓ２により冷却された処理液は、配管２３，２５を通して処理液タンクＴＢに戻される。処理液の温度が予め定められた規定値Ｎ１以下になると、処理液タンクＴＢ内の処理液は、ポンプＰ２の動作により配管１８，１９，２１を通して処理液タンクＴＢに戻される。配管２１は処理液タンクＴＡ内を通過するので、配管２１を流れる処理液は、処理液タンクＴＡ内の処理液によって温調される。
【選択図】図２

Description

本発明は、基板に処理を行う基板処理装置に関する。

従来より、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、光ディスク用ガラス基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。

処理液を用いて基板の処理を行う基板処理装置がある。その基板処理装置には、処理液を貯留するための貯留槽および処理液の温度を調整する温調機構が設けられる（例えば特許文献１）。基板に処理を行う際には、貯留槽に貯留される処理液が温調機構を通して処理部に導かれ、処理部において基板に処理液が供給される。基板の処理に用いられた処理液は、廃棄または回収される。

貯留槽に貯留される処理液の量が少なくなると、貯留槽に処理液が補充される。その場合、処理液の特性を確実に維持するために、貯留槽に残留する処理液を全て廃棄した後、新たな処理液が貯留槽に供給される。その際に、基板の処理が一時的に中断するダウンタイムが発生する。それにより、スループットが低下する。

このようなダウンタイムの発生を防止するために、貯留槽を２つ設け、処理部への貯留槽の接続を交互に切り替えることが行われる。この場合、一方の貯留槽から処理部へ処理液を供給する期間中に、他方の貯留槽に処理液を補充することにより、スループットの低下を防止することができる。
特開２００２−７５９４６号公報

通常、処理液の温度を基板の処理に適した値に調整するためには、一定の時間を要する。そのため、例えば処理部に接続されていない側の貯留槽内の処理液を温調機構を通して循環させる。この場合、その貯留槽が処理部に接続された際に確実に適正な温度の処理液を基板に供給することができる。

しかしながら、この場合には、一方の貯留槽の温度を維持するための温調機構と、他方の貯留槽の温度を維持するための温調機構とを別個に設ける必要がある。そのため、２つの温調機構を駆動するためのエネルギー（例えば電力）が必要となり、コストが増大する。

本発明の目的は、低コストで貯留槽内の処理液の温度を調整することが可能な基板処理装置を提供することである。

（１）本発明に係る基板処理装置は、所定の温度調整手段によって所定温度に維持されるとともに第１貯留槽に貯留された処理液を用いて基板に処理を行う基板処理装置であって、第１貯留槽とは別に予備の処理液を貯留する第２貯留槽と、第２貯留槽から処理液を導出するための第２貯留槽用導出経路と、第２貯留槽用導出経路の端部に接続され、第２貯留槽用導出経路からの処理液を第２貯留槽に戻す第２貯留槽用冷却経路と、第２貯留槽用冷却経路の途中部に介装され、第２貯留槽用冷却経路を流れる処理液を冷却するための第２貯留槽用冷却手段と、第２貯留槽用導出経路と第２貯留槽用冷却経路との接続部に接続され、第１貯留槽内を通過するように処理液を導くとともに、第１貯留槽内を通過した処理液を第２貯留槽に戻す第２貯留槽用保温経路と、第２貯留槽用導出経路、第２貯留槽用冷却経路、および第２貯留槽用保温経路の接続部に設けられ、第２貯留槽用導出経路を流れる処理液を第２貯留槽用冷却経路および第２貯留槽用保温経路のいずれか一方に選択的に導く第２貯留槽用切替手段とを備えるものである。

その基板処理装置においては、第１貯留槽に貯留された処理液を用いて基板に処理が行われる。第１貯留槽内の処理液は所定の温度調整手段によって基板の処理に適した所定温度に維持される。第２貯留槽には、予備の処理液が貯留される。

第２貯留槽内の処理液の温度が所定温度よりも高い場合、第２貯留槽内の処理液は第２貯留槽用導出経路を通して第２貯留槽用冷却経路に導かれる。第２貯留槽用冷却経路において、第２貯留槽用冷却手段により処理液が冷却される。冷却された処理液は第２貯留槽に戻される。これにより、第２貯留槽内の処理液の温度が徐々に低下する。

第２貯留槽内の処理液の温度が所定温度まで低下すると、第２貯留槽内の処理液が第２貯留槽用導出経路を通して第２貯留槽用保温経路に導かれる。第２貯留槽用保温経路を流れる処理液は、第１貯留槽内を通過することによって所定温度に保温される。保温された状態の処理液が第２貯留槽に戻される。これにより、第２貯留槽内の処理液の温度が所定温度よりも低くなることが防止される。

このように、第２貯留槽内の処理液の冷却および保温を行うことにより、精密な温調機器を用いることなく簡単な構成で第２貯留槽内の処理液の温度を所定温度に調整することができる。したがって、処理液の温度を調整するためのコストを低減することができる。

（２）基板処理装置は、第２貯留槽用導出経路または第２貯留槽用冷却経路の途中部に介装され、第２貯留槽用導出経路または第２貯留槽用冷却経路を流れる処理液の温度を計測する温度計測手段と、温度計測手段により計測された処理液の温度に基づいて第２貯留槽用切替手段を制御する制御部とをさらに備え、制御部は、温度計測手段により計測された処理液の温度が所定温度よりも高い場合に、第２貯留槽用導出経路を流れる処理液を第２貯留槽用冷却経路に導くように第２貯留槽用切替手段を制御し、温度計測手段により計測された処理液の温度が所定温度以下の場合に、第２貯留槽用導出経路を流れる処理液を第２貯留槽用保温経路に導くように第２貯留槽用切替手段を制御してもよい。

この場合、第２貯留槽内の処理液の冷却と保温とが自動的に切り替えられる。また、第２貯留槽内の処理液が第２貯留槽用冷却手段によって所定温度まで冷却された場合に第２貯留槽用保温経路に導かれるため、第２貯留槽用保温経路を流れる処理液から第１貯留槽内の処理液へ熱が与えられることが防止される。その結果、第１貯留槽内の処理液の温度が不安定になることが防止される。

（３）基板処理装置は、第１貯留槽から処理液を導出するための第１貯留槽用導出経路と、第１貯留槽用導出経路の端部に接続され、第１貯留槽用導出経路からの処理液を第１貯留槽に戻す第１貯留槽用冷却経路と、第１貯留槽用冷却経路の途中部に介装され、第１貯留槽用冷却経路を流れる処理液を冷却するための第１貯留槽用冷却手段と、第１貯留槽用導出経路と第１貯留槽用冷却経路との接続部に接続され、第２貯留槽内を通過するように処理液を導くとともに、第２貯留槽内を通過した処理液を第１貯留槽に戻す第１貯留槽用保温経路と、第１貯留槽用導出経路、第１貯留槽用冷却経路、および第１貯留槽用保温経路の接続部に設けられ、第１貯留槽用導出経路を流れる処理液を第１貯留槽用冷却経路および第１貯留槽用保温経路のいずれか一方に選択的に導く第１貯留槽用切替手段と、第１貯留槽に貯留された処理液が温度調整手段によって所定の温度に維持されるとともに基板に処理に用いられる第１の状態と、第２貯留槽に貯留された処理液が温度調整手段によって所定の温度に維持されるとともに基板に処理に用いられる第２の状態とを切り替える制御部とをさらに備えてもよい。

この場合、第１の状態では、第１貯留槽に貯留された処理液が基板の処理に用いられる。第１貯留槽内の処理液は所定の温度調整手段によって基板の処理に適した所定温度に維持される。第２貯留槽内の処理液は、第２貯留槽用冷却経路を通して第２貯留槽用冷却手段により冷却され、第２貯留槽用保温経路を通して保温される。

第２の状態では、第２貯留槽に貯留された処理液が基板の処理に用いられる。第２貯留槽内の処理液は所定の温度調整手段によって基板の処理に適した所定温度に維持される。第１貯留槽内の処理液は、第１貯留槽用冷却経路を通して第１貯留槽用冷却手段により冷却され、第１貯留槽用保温経路を通して保温される。

これにより、第１の状態で第２貯留槽に処理液を補充することができ、第２の状態で第１貯留槽に処理液を補充することができる。それにより、処理液の補充時におけるダウンタイムの発生を防止することができる。また、補充時に処理液の温度が高くなっても、低コストで補充後の処理液の温度を調整することができる。

（４）第２貯留槽用導出経路および第２貯留槽用冷却経路のうち少なくとも第２貯留槽用冷却経路の一部と第１貯留槽用導出経路および第１貯留槽用冷却経路のうち少なくとも第１貯留槽用冷却経路の一部とは共通経路により構成され、第２貯留槽用冷却手段および第１貯留槽用冷却手段は、共通経路の途中部に介装された共通の冷却手段により構成され、基板処理装置は、共通経路の途中部に介装され、共通経路を流れる処理液の温度を計測する温度計測手段をさらに備え、制御部は、第１の状態において、温度計測手段により計測された処理液の温度が所定温度よりも高い場合に、第２貯留槽用導出経路を流れる処理液を第２貯留槽用冷却経路に導くように第２貯留槽用切替手段を制御し、温度計測手段により計測された処理液の温度が所定温度以下の場合に、第２貯留槽用導出経路を流れる処理液を第２貯留槽用保温経路に導くように第２貯留槽用切替手段を制御し、第２の状態において、温度計測手段により計測された処理液の温度が所定温度よりも高い場合に、第１貯留槽用導出経路を流れる処理液を第１貯留槽用冷却経路に導くように第１貯留槽用切替手段を制御し、温度計測手段により計測された処理液の温度が所定温度以下の場合に、第１貯留槽用導出経路を流れる処理液を第１貯留槽用保温経路に導くように第１貯留槽用切替手段を制御してもよい。

この場合、第１貯留槽用冷却経路および第２貯留槽用冷却経路に共通の冷却手段が用いられるとともに、共通の温度計測手段によって第１貯留槽および第２貯留槽から導かれる処理液の温度が計測される。それにより、構成が簡略化されるとともに部品点数が削減される。その結果、コストをさらに低減することができる。

また、第１の状態において、第２貯留槽内の処理液が所定温度まで冷却された場合に第２貯留槽用保温経路に導かれるため、第２貯留槽用保温経路を流れる処理液から第１貯留槽内の処理液へ熱が与えられることが防止される。したがって、第１貯留槽内の処理液の温度が不安定になることが防止される。

同様に、第２の状態において、第１貯留槽内の処理液が所定温度まで冷却された場合に第１貯留槽用保温経路に導かれるため、第１貯留槽用保温経路を流れる処理液から第２貯留槽内の処理液へ熱が与えられることが防止される。したがって、第２貯留槽内の処理液の温度が不安定になることが防止される。

（５）基板処理装置は、第１貯留槽に貯留された処理液を基板に導く第１貯留槽用処理経路と、第１貯留槽に貯留された処理液を第１貯留槽用導出経路および第１貯留槽用処理経路の一方に選択的に導く第１貯留槽用処理切替手段と、第２貯留槽に貯留された処理液を基板に導く第２貯留槽用処理経路と、第２貯留槽に貯留された処理液を第２貯留槽用導出経路および第２貯留槽用処理経路の一方に選択的に導く第２貯留槽用処理切替手段とをさらに備え、制御部は、第１貯留槽用処理切替手段および第２貯留槽用処理切替手段を制御することによって第１の状態と第２の状態とを切り替えてもよい。

この場合、第１貯留槽内の処理液が第１貯留槽用処理経路に導かれるとともに第２貯留槽内の処理液が第２貯留槽用導出経路に導かれることにより基板処理装置が第１の状態となる。また、第２貯留槽内の処理液が第２貯留槽用処理経路に導かれるとともに第１貯留槽内の処理液が第１貯留槽用導出経路に導かれることにより基板処理装置が第２の状態となる。したがって、第１の状態と第２の状態とを確実に切り替えることができる。

（６）基板処理装置は、第１貯留槽における処理液の貯留量が第１の値以下になったことを検出する第１貯留槽用検出手段と、第２貯留槽における処理液の貯留量が第２の値以下になったことを検出する第２貯留槽用検出手段とをさらに備え、制御部は、第１貯留槽用検出手段の検出に応答して第１の状態を第２の状態に切り替え、第２貯留槽用検出手段の検出に応答して第２の状態を第１の状態に切り替えるように、第１貯留槽用処理切替手段および第２貯留槽用処理切替手段を制御してもよい。

この場合、第１貯留槽内の処理液の残量が少なくなったときに自動的に第１貯留槽に代えて第２貯留槽内の処理液を基板に導くことができ、第２貯留槽内の処理液の残量が少なくなったときに自動的に第２貯留槽に代えて第１貯留槽内の処理液を基板に導くことができる。それにより、処理液の補充時におけるダウンタイムの発生を確実に防止することができるとともに、適切なタイミングで第１貯留槽および第２貯留槽に処理液を補充することができる。

（７）基板処理装置は、第１貯留槽用検出手段の検出に応答して第１貯留槽内の処理液を排出する第１貯留槽用排出手段と、第１貯留槽内の処理液の排出後に第１貯留槽に処理液を供給する第１貯留槽用供給手段と、第２貯留量検出手段の検出に応答して第２貯留槽内の処理液を排出する第２貯留槽用排出手段と、第２貯留槽内の処理液の排出後に第２貯留槽に処理液を供給する第２貯留槽用供給手段とをさらに備えてもよい。

この場合、第１貯留槽内の処理液の残量が少なくなったときに、自動的に第１貯留槽内に残留する処理液を一旦排出し、その後、新たに第１貯留槽に処理液を供給することができる。同様に、第２貯留槽内の処理液の残量が少なくなったときに、自動的に第２貯留槽内に残留する処理液を一旦排出し、その後、新たに第２貯留槽に処理液を供給することができる。それにより、処理液の特性を劣化させることなく効率良く処理液を第１貯留槽および第２貯留槽に補充することができる。

本発明によれば、精密な温調機器を用いることなく簡単な構成で貯留槽内の処理液の温度を所定温度に調整することができる。したがって、処理液の温度を調整するためのコストを低減することができる。

以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について図面を参照しながら説明する。

以下の説明において、基板とは、半導体ウェハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等をいう。

（１）基板処理装置の構成
図１は、本実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す平面図である。図１に示すように、基板処理装置１００は、互いに隣接するインデクサＩＤおよび処理部ＰＲを有する。インデクサＩＤにおいては、処理部ＰＲの一端に隣接するように、水平方向の第１の軸Ｓａに沿って延びる基板搬送路１９０が形成されている。基板搬送路１９０の側辺に沿って、キャリア載置部１Ｓが設けられている。キャリア載置部１Ｓには、複数の基板Ｗを収納する４つのキャリア１が載置される。

基板搬送路１９０内には、４つのキャリア１と処理部ＰＲとの間で基板Ｗを搬送するインデクサロボットＩＲが設けられている。インデクサロボットＩＲは、基板搬送路１９０内で第1の軸Ｓａに沿って移動可能に構成されている。

インデクサＩＤの一部には、制御部４が配置されている。制御部４は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）を含むコンピュータ等からなり、基板処理装置１００の各構成要素を制御する。

処理部ＰＲの中央部には、基板搬送ロボットＣＲが設けられている。基板搬送ロボットＣＲを取り囲むように洗浄処理ユニット５ａ〜５ｈおよび受け渡し部３が設けられている。洗浄処理ユニット５ａ〜５ｄは洗浄処理ユニット５ｅ〜５ｈ上に積層されており、洗浄処理ユニット５ａ，５ｂ，５ｅ，５ｆと洗浄処理ユニット５ｄ，５ｃ，５ｈ，５ｇとは基板搬送ロボットＣＲを挟んでそれぞれ対向している。

処理部ＰＲの四隅には、流体ボックス部２ａ〜２ｄが設けられている。流体ボックス部２ａ〜２ｄの各々は、洗浄処理ユニット５ａ〜５ｈへの処理液の供給および洗浄処理ユニット５ａ〜５ｈからの処理液の廃棄等に関する配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調整器等の流体関連機器を収納する。また、処理部ＰＲに隣接するように、タンク収容部ＴＲが設けられている。タンク収容部ＴＲには、処理液を貯留する処理液タンクが収容されている。処理液タンクの詳細については後述する。

洗浄処理ユニット５ａ〜５ｈは、流体ボックス部２ａ〜２ｄから供給される処理液を用いて基板Ｗの処理を行う。本実施の形態では、過酸化水素水、フッ酸、硫酸および純水を混合して生成されるＨＳＭ（フッ酸、過酸化水素、および硫酸の混合水溶液）を処理液として用いる。

受け渡し部３は、上記第１の軸Ｓａに直交する水平方向の第２の軸Ｓｂに沿って延びるように配置されている。受け渡し部３は、搬送レール３ａおよびシャトル搬送機構３ｂを含む。搬送レール３ａは、第２の軸Ｓｂに沿って延びている。シャトル搬送機構３ｂは、基板Ｗを保持しつつ搬送レール３ａ上を往復移動し、インデクサロボットＩＲと基板搬送ロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。

このような構成において、インデクサロボットＩＲは、キャリア１から処理前の基板Ｗを取り出してシャトル搬送機構３ｂに渡す。また、処理後の基板Ｗをシャトル搬送機構３ｂから受け取ってキャリア１に戻す。

シャトル搬送機構３ｂは、インデクサロボットＩＲから受け取った処理前の基板Ｗを基板搬送ロボットＣＲに渡す。また、処理後の基板Ｗを基板搬送ロボットＣＲから受け取ってインデクサロボットＩＲに渡す。

基板搬送ロボットＣＲは、シャトル搬送機構３ｂから受け取った基板Ｗを処理部５ａ〜５ｈの１つに搬入する。また、処理後の基板Ｗを処理部５ａ〜５ｈの１つから搬出してシャトル搬送機構３ｂに渡す。

（２）基板処理装置の配管系統
次に、基板処理装置１００の配管系統について説明する。図２は、基板処理装置１００の配管系統を示す模式図である。

図２に示すように、基板処理装置１００は、処理液タンクＴＡ，ＴＢを備える。処理液タンクＴＡ，ＴＢは、図１のタンク収容部ＴＲに収容されている。

処理液タンクＴＡには、過酸化水素水が供給管５１を通して供給され、フッ酸が供給管５２を通して供給され、硫酸が供給管５３を通して供給され、純水が供給管５４を通して供給される。処理液タンクＴＡ内で過酸化水素水、フッ酸、硫酸および純水が混合され、処理液としてＨＳＭが生成される。生成された処理液は処理液タンクＴＡに貯留される。供給管５１，５２，５３，５４には、バルブＶ３１，Ｖ３２，Ｖ３３，Ｖ３４がそれぞれ介挿されている。

また、処理液タンクＴＡには、貯留量センサＳＥ１ａ，ＳＥ１ｂが設けられている。貯留量センサＳＥ１ａは、処理液タンクＴＡ内の処理液の貯留量が予め定められた上限値以上であることを検出する。貯留量センサＳＥ１ｂは、処理液タンクＴＡ内の処理液の貯留量が予め定められた下限値以下であることを検出する。

処理液タンクＴＢには、過酸化水素水が供給管５５を通して供給され、フッ酸が供給管５６を通して供給され、硫酸が供給管５７を通して供給され、純水が供給管５８を通して供給される。処理液タンクＴＢ内で過酸化水素水、フッ酸、硫酸および純水が混合され、処理液としてＨＳＭが生成される。生成された処理液は処理液タンクＴＢに貯留される。供給管５５，５６，５７，５８には、バルブＶ３５，Ｖ３６，Ｖ３７，Ｖ３８がそれぞれ介挿されている。

また、処理液タンクＴＢには、貯留量センサＳＥ２ａ，ＳＥ２ｂが設けられている。貯留量センサＳＥ２ａは、処理液タンクＴＢ内の処理液の貯留量が上限値以上であることを検出する。貯留量センサＳＥ２ｂは、処理液タンクＴＢ内の処理液の貯留量が下限値以下であることを検出する。以下の説明において、過酸化水素水、フッ酸、硫酸および純水を原液と呼ぶ。

処理液タンクＴＡ内には、配管１１の一端が延びている。処理液タンクＴＢ内には、配管１２の一端が延びている。配管１１，１２の他端は、配管１３の一端に接続されている。配管１１にはバルブＶ１が介挿され、配管１２にはバルブＶ２が介挿されている。

配管１３には、下流に向かって順にポンプＰ１および熱交換器Ｓ１が介挿されている。熱交換器Ｓ１は、例えばペルチェ素子を含み、配管１３を通る処理液の温度を調整する。熱交換器Ｓ１には、配管３１，３２が接続されている。配管３１を通して熱交換器Ｓ１に冷却媒体（例えば純水）が供給されることにより、熱交換器Ｓ１の温度の上昇が抑制される。使用された冷却媒体は、配管３２を通して後述の簡易式熱交換器Ｓ２に導かれる。

配管１３の他端は、配管１４，１５，１６に分岐している。配管１４は洗浄処理ユニット５ａ〜５ｈに延びている。配管１５，１６は、処理液タンクＴＡ，ＴＢにそれぞれ延びている。配管１４にはバルブＶ３が介挿され、配管１５にはバルブＶ４が介挿され、配管１６にはバルブＶ５が介挿されている。

処理液タンクＴＡの底部には、配管１７の一端が接続されている。処理液タンクＴＢの底部には、配管１８の一端が接続されている。配管１７，１８の他端は、配管１９の一端に接続されている。配管１７にはバルブＶ６が介挿され、配管１８にはバルブＶ７が介挿されている。配管１９には、ポンプＰ２が介挿されている。配管１９の他端は、配管２１，２２，２３に分岐している。

配管２１には、バルブＶ８が介挿されている。バルブＶ８の下流における配管２１の部分は、処理液タンクＴＡ内を通過して処理液タンクＴＢに延びている。配管２２には、バルブＶ９が介挿されている。バルブＶ９の下流における配管２２の部分は、処理液タンクＴＢ内を通過して処理液タンクＴＡに延びている。

配管２３には、下流に向かって順にバルブＶ１０および簡易式熱交換器Ｓ２が介挿されている。簡易式熱交換器Ｓ２には、上記の熱交換器Ｓ１から延びる配管３２および配管３３が接続されている。

熱交換器Ｓ１において使用された冷却媒体は、配管３２を通して簡易式熱交換器Ｓ２に導かれる。簡易式熱交換器Ｓ２は、その冷却媒体を用いて配管２３を通る処理液を冷却する。簡易式熱交換器Ｓ２において使用された冷却媒体は、配管３３を通して排出される。簡易式熱交換器Ｓ２の具体例については後述する。

簡易式熱交換器Ｓ２の下流における配管２３の部分には、液温センサＳＥ３が接続されている。液温センサＳＥ３は、簡易式熱交換器Ｓ２によって冷却された処理液の温度を計測する。

配管２３の下流端は、配管２４，２５に分岐している。配管２４は処理液タンクＴＡに延び、配管２５は処理液タンクＴＢに延びている。配管２４にはバルブＶ１１が介挿され、配管２５にはバルブＶ１２が介挿されている。

処理液タンクＴＡの底部には排出管４１が接続され、処理液タンクＴＢの底部には排出管４２が接続されている。排出管４１にはバルブＶ１３が介挿され、排出管４２にはバルブＶ１４が介挿されている。排出管４１，４２を通して、処理液タンクＴＡ，ＴＢ内の処理液がそれぞれ排出される。

（３）簡易式熱交換器の具体例
次に、簡易式熱交換器Ｓ２の具体的な構成について説明する。図３は、簡易式熱交換器Ｓ２の具体的な構成の一例を示す断面図である。

図３に示す簡易式熱交換器Ｓ２は、配管２３の一部分を取り囲むように設けられている。簡易式熱交換器Ｓ２の内部には、配管２３の外周面に沿って冷却媒体流路Ｆ１が形成されている。冷却媒体流路Ｆ１の一端から外部に貫通するように接続孔Ｆ２が形成され、冷却媒体流路Ｆ１の他端から外部に貫通するように接続孔Ｆ３が形成されている。接続孔Ｆ１に配管３２が接続され、接続孔Ｆ２に配管３３が接続される。

上記の熱交換器Ｓ１（図２）で使用された冷却媒体が、配管３２から冷却媒体流路Ｆ１に流入する。その冷却媒体によって配管２３が冷却される。それにより、配管２３内を流れる処理液の温度が低下する。

（４）基板処理装置１００の制御系
図４は、基板処理装置１００の制御系の構成を示すブロック図である。図４に示すように、貯留量センサＳＥ１ａ，ＳＥ１ｂは、処理液タンクＴＡ（図２）内における処理液の貯留量が上限値であることを示す検出信号および下限値であることを示す検出信号を制御部４に与える。同様に、貯留量センサＳＥ２ａ，ＳＥ２ｂは、処理液タンクＴＢ内における処理液の貯留量が上限値であることを示す検出信号および下限値であることを示す検出信号を制御部４に与える。

液温センサＳＥは、簡易式熱交換器Ｓ２（図２）により冷却された処理液の温度の計測値を計測信号として制御部４に与える。これらの検出信号および計測信号に基づいて、制御部４がバルブＶ１〜Ｖ１４，Ｖ３１〜Ｖ３８の開閉を制御する。

（５）バルブの切り替え
次に、制御部４による各バルブの切り替え動作について説明する。図５は、制御部４によるバルブ制御処理のフローチャートである。図６〜図９は、処理液の流れを模式的に示す図である。

本例では、処理液タンクＴＡに処理液が貯留されており、処理液タンクＴＢに処理液が貯留されていない状態を初期状態とする。また、図６〜図９において、供給管ＲＬは供給管５１〜５４（図２）に対応し、供給管ＲＲは供給管５５〜５８（図２）に対応する。また、バルブＶＬはバルブＶ３１〜Ｖ３４（図２）に対応し、バルブＶＲはバルブＶ３５〜Ｖ３８（図２）に対応する。また、黒丸はバルブが閉じた状態を示し、白丸はバルブが開いた状態を示す。

まず、制御部４は、バルブＶ１〜Ｖ１４，ＶＬ，ＶＲを図６（ａ）に示す第１状態に設定する（図５のステップＳ１）。

図６（ａ）に示すように、第１状態では、バルブＶ１，Ｖ４，ＶＲが開かれ、それ以外のバルブが閉じられる。この場合、処理液タンクＴＡ内の処理液が、ポンプＰ１の動作により配管１１，１３を通して熱交換器Ｓ１に導かれる。

熱交換器Ｓ１に導かれた処理液は、基板Ｗの処理に最適な温度Ｔ１に調整される。本実施の形態では、温度Ｔ１が、環境温度よりも高い値（例えば２５〜３０℃）に設定される。熱交換器Ｓ１により温調された処理液は、配管１５を通して処理液タンクＴＡに戻される。これにより、処理液タンクＴＡ内の処理液が、温度Ｔ１に維持される。以下、処理液タンクＴＡおよび配管１３，１４，１５により形成される処理液の循環経路を第１の循環経路と呼ぶ。

一方、処理液タンクＴＢ内に、供給管ＲＲ（配管３５〜３８）を通して原液（過酸化水素水、フッ酸、硫酸および純水）が供給される。これにより、処理液タンクＴＢ内において処理液（ＨＳＭ）が生成される。生成時における処理液の温度は、例えば４０℃〜５０℃である。

続いて、制御部４は、貯留量センサＳＥ２ａ（図２）からの検出信号に基づいて、処理液タンクＴＢ内の処理液の貯留量が上限値以上であるか否かを判定する（図５のステップＳ２）。

処理液タンクＴＢ内の処理液の貯留量が上限値よりも少ない場合、制御部４は、ステップＳ２の処理を繰り返す。処理液タンクＴＢ内の処理液の貯留量が上限値以上である場合、制御部４は、バルブＶ１〜Ｖ１４，ＶＬ，ＶＲを図６（ｂ）に示す第２状態に設定する（図５のステップＳ３）。

図６（ｂ）に示すように、第２状態では、バルブＶ１，Ｖ４，Ｖ７，Ｖ１０，Ｖ１２が開かれ、それ以外のバルブが閉じられる。この場合、処理液タンクＴＡ内の処理液は、上記第１状態と同様に、第１の循環経路を循環する。

処理液タンクＴＢ内の処理液は、ポンプＰ２の動作により配管１８，１９，２３を通して簡易式熱交換器Ｓ２に導かれる。簡易式熱交換器Ｓ２により温調（冷却）された処理液は、配管２３，２５を通して処理液タンクＴＢに戻される。以下、処理液タンクＴＢおよび配管１８，１９，２３，２５により形成される処理液の循環経路を第２の循環経路と呼ぶ。

上記のように、簡易式熱交換器Ｓ２は配管２３を通る処理液の温度を低下させる。そのため、処理液タンクＴＢ内の処理液が第２の循環経路を循環することにより、処理液タンクＴＢ内の処理液の温度が徐々に低下する。

続いて、制御部４は、液温センサＳＥ３（図２）からの制御信号に基づいて、簡易式熱交換器Ｓ２によって冷却された処理液の温度が予め定められた規定値Ｎ１以下であるか否かを判定する（図５のステップＳ４）。規定値Ｎ１は、上記の温度Ｔ１（例えば２５〜３０℃）と同じかまたは温度Ｔ１よりもやや高く設定される。

処理液の温度が規定値Ｎ１より高い場合、制御部４は、ステップＳ３の処理を繰り返す。処理液の温度が規定値Ｎ１以下である場合、制御部４は、バルブＶ１〜Ｖ１４，ＶＬ，ＶＲを図７（ｃ）に示す第３状態に設定する（図５のステップＳ５）。

図７（ｃ）に示すように、第３状態では、バルブＶ１，Ｖ４，Ｖ７，Ｖ８が開かれ、それ以外のバルブが閉じられる。この場合、処理液タンクＴＡ内の処理液は、上記第１状態と同様に、第１の循環経路を循環する。

処理液タンクＴＢ内の処理液は、ポンプＰ２の動作により配管１８，１９，２１を通して処理液タンクＴＢに戻される。配管２１は処理液タンクＴＡ内を通過するので、配管２１を流れる処理液は、処理液タンクＴＡ内の処理液によって温調される。上記のように、処理液タンクＴＡ内の処理液は、温度Ｔ１に維持されている。したがって、配管２１を通して循環される処理液タンクＴＢ内の処理液が、ほぼ温度Ｔ１に維持される。以下、処理液タンクＴＢおよび配管１８，１９，２１により形成される処理液の循環経路を第３の循環経路と呼ぶ。

続いて、制御部４は、貯留量センサＳＥ１ｂからの検出信号に基づいて、処理液タンクＴＡ内の処理液の貯留量が下限値以下であるか否かを判定する（図５のステップＳ６）。

処理液タンクＴＡ内の処理液の貯留量が下限値より多い場合、制御部４は、ステップＳ６の処理を繰り返す。処理液タンクＴＡ内の処理液の貯留量が下限値以下である場合、制御部４は、バルブＶ１〜Ｖ１４，ＶＬ，ＶＲを図７（ｄ）に示す第４状態に設定する（図５のステップＳ７）。

図７（ｄ）に示すように、第４状態では、バルブＶ２，Ｖ５，Ｖ１３が開かれ、それ以外のバルブが閉じられる。この場合、処理液タンクＴＡ内に残留する処理液が排出管４１を通して排出される。

一方、処理液タンクＴＢ内の処理液が、ポンプＰ１の動作により配管１２，１３を通して熱交換器Ｓ１に導かれる。熱交換器Ｓ１に導かれた処理液は、上記の温度Ｔ１に調整される。熱交換器Ｓ１により温調された処理液は、配管１６を通して処理液タンクＴＢに戻される。これにより、処理液タンクＴＢ内の処理液が、温度Ｔ１に維持される。以下、処理液タンクＴＢおよび配管１２，１３，１６により形成される処理液の循環経路を第４の循環経路と呼ぶ。

続いて、制御部４は、バルブＶ１〜Ｖ１４，ＶＬ，ＶＲを図８（ａ）に示す第５状態に設定する（図５のステップＳ８）。

図８（ｅ）に示すように、第５状態では、バルブＶ２，Ｖ５，ＶＬが開かれ、それ以外のバルブが閉じられる。この場合、処理液タンクＴＢ内の処理液は、上記第４状態と同様に、第４の循環経路を循環する。

一方、処理液タンクＴＡ内に、供給管ＲＬ（配管３１〜３４）を通して原液（過酸化水素水、フッ酸、硫酸および純水）が供給される。これにより、処理液タンクＴＡ内において処理液（ＨＳＭ）が生成される。生成時における処理液の温度は、例えば４０℃〜５０℃である。

続いて、制御部４は、貯留量センサＳＥ１ａ（図２）からの検出信号に基づいて、処理液タンクＴＡ内の処理液の貯留量が上限値以上であるか否かを判定する（図５のステップＳ９）。

処理液タンクＴＡ内の処理液の貯留量が上限値よりも少ない場合、制御部４は、ステップＳ９の処理を繰り返す。処理液タンクＴＡ内の処理液の貯留量が上限値以上である場合、制御部４は、バルブＶ１〜Ｖ１４，ＶＬ，ＶＲを図８（ｆ）に示す第６状態に設定する（図５のステップＳ１０）。

図８（ｆ）に示すように、第６状態では、バルブＶ２，Ｖ５，Ｖ６，Ｖ１０，Ｖ１１が開かれ、それ以外のバルブが閉じられる。この場合、処理液タンクＴＢ内の処理液は、上記第４状態と同様に、第４の循環経路を循環する。

処理液タンクＴＡ内の処理液は、ポンプＰ２の動作により配管１７，１９，２３を通して簡易式熱交換器Ｓ２に導かれる。簡易式熱交換器Ｓ２により温調された処理液は、配管２３，２５を通して処理液タンクＴＢに戻される。これにより、処理液タンクＴＡ内の処理液の温度が徐々に低下する。以下、処理液タンクＴＡおよび配管１７，１９，２３，２４により形成される処理液の循環経路を第５の循環経路と呼ぶ。

続いて、制御部４は、液温センサＳＥ３（図２）からの制御信号に基づいて、簡易式熱交換器Ｓ２によって冷却された処理液の温度が上記の規定値Ｎ１以下であるか否かを判定する（図５のステップＳ１１）。

処理液の温度が規定値Ｎ１より高い場合、制御部４は、ステップＳ１１の処理を繰り返す。処理液の温度が規定値Ｎ１以下である場合、制御部４は、バルブＶ１〜Ｖ１４，ＶＬ，ＶＲを図９（ｇ）に示す第７状態に設定する（図５のステップＳ１２）。

図９（ｇ）に示すように、第７状態では、バルブＶ２，Ｖ５，Ｖ６，Ｖ９が開かれ、それ以外のバルブが閉じられる。この場合、処理液タンクＴＢ内の処理液は、上記第４状態と同様に、第４の循環経路を循環する。

処理液タンクＴＡ内の処理液は、ポンプＰ２の動作により配管１７，１９，２２を通して処理液タンクＴＡに戻される。配管２２は処理液タンクＴＢ内を通過するので、配管２２を流れる処理液は、処理液タンクＴＢ内の処理液によって温調される。上記のように、処理液タンクＴＢ内の処理液は、温度Ｔ１に維持されている。したがって、配管２２を通して循環される処理液タンクＴＡ内の処理液が、ほぼ温度Ｔ１に維持される。以下、処理液タンクＴＡおよび配管１７，１９，２２により形成される処理液の循環経路を第６の循環経路と呼ぶ。

続いて、制御部４は、貯留量センサＳＥ２ｂからの検出信号に基づいて、処理液タンクＴＢ内の処理液の貯留量が下限値以下であるか否かを判定する（図５のステップＳ１３）。

処理液タンクＴＢ内の処理液の貯留量が下限値より多い場合、制御部４は、ステップＳ１３の処理を繰り返す。処理液タンクＴＢ内の処理液の貯留量が下限値以下である場合、制御部４は、バルブＶ１〜Ｖ１４，ＶＬ，ＶＲを図９（ｈ）に示す第８状態に設定する（図５のステップＳ１４）。

図９（ｈ）に示すように、第８状態では、バルブＶ１，Ｖ４，Ｖ１４が開かれ、それ以外のバルブが閉じられる。この場合、処理液タンクＴＢ内に残留する処理液が排出管４２を通して排出される。一方、処理液タンクＴＡ内の処理液が、上記の第１の循環経路を循環する。

その後、制御部４は、ステップＳ１〜Ｓ１４までの処理を繰り返す。

なお、図６（ａ）に示した第１状態、図６（ｂ）に示した第２状態、図７（ｃ）に示した第３状態および図９（ｈ）に示した第８状態においては、洗浄処理ユニット５ａ〜５ｈでの基板Ｗの処理状況に応じたタイミングで、バルブＶ３が開かれるとともにバルブＶ４が閉じられる。

この場合、第１の循環経路を循環する処理液が洗浄処理ユニット５ａ〜５ｈに導かれ、基板Ｗに供給される。処理液タンクＴＡおよび配管１１，１３，１４により形成される洗浄処理ユニット５ａ〜５ｈへの処理液の導出経路を第１の導出経路と呼ぶ。処理液タンクＴＡの稼動時には、第１の循環経路および第１の導出経路が形成される。

一方、図７（ｄ）に示した第４状態、図８（ｅ）に示した第５状態、図８（ｆ）に示した第６状態および図９（ｇ）に示した第７状態においては、洗浄処理ユニット５ａ〜５ｈでの基板Ｗの処理状況に応じたタイミングで、バルブＶ３が開かれるとともにバルブＶ５が閉じられる。

この場合、第２の循環経路を循環する処理液が洗浄処理ユニット５ａ〜５ｈに導かれ、基板Ｗに供給される。処理液タンクＴＢおよび配管１２，１３，１４により形成される洗浄処理ユニット５ａ〜５ｈへの処理液の導出経路を第２の導出経路と呼ぶ。処理液タンクＴＢの稼動時には、第４の循環経路および第２の導出経路が形成される。

（６）本実施の形態の効果
本実施の形態では、処理液タンクＴＡの稼動時に処理液タンクＴＢに処理液が補充され、処理液タンクＴＢの稼動時に処理液タンクＴＡに処理液が補充される。それにより、処理液タンクＴＡ，ＴＢ内の処理液の補充時にダウンタイムが発生することが防止される。これにより、スループットの低下が防止される。

また、本実施の形態では、補充直後の温度が上昇した処理液を簡易式熱交換器Ｓ２を通して循環させることによって冷却し、その後、熱交換器Ｓ１により温度Ｔ１に維持された処理液タンクＴＢ，ＴＡ内を通して循環させることによって保温する。このように、精密な温調機器を用いることなく簡単な構成で、稼動していない側の処理液タンク内の処理液の温調を行うことにより、処理液の温調のためのコストを低減することができる。

さらに、簡易式熱交換器Ｓ２は熱交換器Ｓ１で使用された冷却媒体を二次的に用いて処理液を冷却するので、外部からエネルギーを供給することなく、補充直後の処理液を冷却することができる。

また、本実施の形態では、処理液タンクＴＡ内の稼動時および処理液タンクＴＢの稼動時に共通の熱交換器Ｓ１により温調された処理液が基板Ｗに供給される。

この場合、熱交換器の機差（特性のばらつき）による温度差が生じないため、処理液タンクＴＡから基板Ｗに供給される処理液と処理液タンクＴＢから基板Ｗに供給される処理液とを正確に一定の温度に調整することができる。それにより、基板Ｗの処理精度のばらつきを確実に防止することができる。

（７）他の実施の形態
上記実施の形態では、過酸化水素水、フッ酸、硫酸および純水からなるＨＳＭを処理液として用いるが、ＨＳＭに代えて、王水、ＳＰＭ（硫酸過水）、ＳＣー１（アンモニア過水）またはＳＣ−２（塩酸過水）等を処理液として用いてもよい。

また、上記実施の形態では、処理液タンクＴＡ内の処理液および処理液タンクＴＢ内の処理液を交互に用いて基板Ｗの処理を行うが、処理液タンクＴＡ，ＴＢの一方の処理液を用いて基板Ｗの処理を行ってもよい。その場合、一方の処理液タンクには、簡易式熱交換器Ｓ２を通して処理液を循環させるための配管および他方の処理液タンクを通して処理液を循環させるための配管を設けなくてもよい。

また、上記実施の形態では、処理液タンクＴＡ，ＴＢ内の処理液を共通の簡易式熱交換器Ｓ２を用いて冷却するが、処理液タンクＴＡ内の処理液を冷却する簡易式熱交換器Ｓ２と処理液タンクＴＢ内の処理液を冷却する簡易式熱交換器Ｓ２とを別個に設けてもよい。

また、上記実施の形態では、生成直後の処理液を冷却するために、熱交換器Ｓ１で使用された冷却媒体を二次的に用いて処理液の冷却を行う簡易式熱交換器Ｓ２を用いているが、他の冷却手段を用いて生成直後の処理液を冷却してもよい。

（８）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記実施の形態では、熱交換器Ｓ１が温度調整手段の例であり、処理液タンクＴＡが第１貯留槽の例であり、配管１７，１９が第１貯留槽用導出経路の例であり、配管２３，２４が第１貯留槽用冷却経路の例であり、簡易式熱交換器Ｓ２が第１貯留槽用冷却手段および第２貯留槽用冷却手段の例であり、配管２２が第１貯留槽用保温経路の例であり、バルブＶ９，Ｖ１０が第１貯留槽用切替手段の例である。

また、処理液タンクＴＢが第２貯留槽の例であり、配管１８，１９が第２貯留槽用導出経路の例であり、配管２３，２５が第２貯留槽用冷却経路の例であり、配管２１が第２貯留槽用保温経路の例であり、バルブＶ８，Ｖ１０が第２貯留槽用切替手段の例である。

また、液温センサＳＥ３が温度計測手段の例であり、配管１９，２３が共通経路の例であり、配管１１，１３，１４が第１貯留槽用処理経路の例であり、バルブＶ１，Ｖ６が第１貯留槽用処理切替手段の例であり、配管１２，１３，１４が第２貯留槽用処理経路の例であり、バルブＶ２，Ｖ７が第２貯留槽用処理切替手段の例である。

また、貯留量センサＳＥ１ｂが第１貯留槽用検出手段の例であり、排出管４１およびバルブＶ１３が第１貯留槽用排出手段の例であり、供給管５１〜５４およびバルブＶ３１〜Ｖ３４が第１貯留槽用供給手段の例であり、貯留量センサＳＥ２ｂが第２貯留槽用検出手段の例であり、排出管４２およびバルブＶ１４が第２貯留槽用排出手段の例であり、供給管５５〜５８およびバルブＶ３５〜Ｖ３８が第２貯留槽用供給手段の例である。

請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。

本発明は、種々の基板の処理に有効に利用することができる。

基板処理装置の構成を示す平面図である。 基板処理装置の配管系統を示す模式図である。 簡易式熱交換器の具体的な構成の一例を示す断面図である。 基板処理装置の制御系の構成を示すブロック図である。 制御部によるバルブ制御処理のフローチャートである。 処理液の流れを模式的に示す図である。 処理液の流れを模式的に示す図である。 処理液の流れを模式的に示す図である。 処理液の流れを模式的に示す図である。

符号の説明

４ 制御部
５ａ〜５ｈ 洗浄処理ユニット
１１〜１９，２１〜２５ 配管
４１，４２ 排出管
５１〜５８ 供給管
１００ 基板処理装置
Ｓ１ 熱交換器
Ｓ２ 簡易式熱交換器
Ｖ１１〜Ｖ１４，Ｖ３１〜Ｖ３８ バルブ

Claims (7)

1. 所定の温度調整手段によって所定温度に維持されるとともに第１貯留槽に貯留された処理液を用いて基板に処理を行う基板処理装置であって、
   前記第１貯留槽とは別に予備の処理液を貯留する第２貯留槽と、
   前記第２貯留槽から処理液を導出するための第２貯留槽用導出経路と、
   前記第２貯留槽用導出経路の端部に接続され、前記第２貯留槽用導出経路からの処理液を前記第２貯留槽に戻す第２貯留槽用冷却経路と、
   前記第２貯留槽用冷却経路の途中部に介装され、前記第２貯留槽用冷却経路を流れる処理液を冷却するための第２貯留槽用冷却手段と、
   前記第２貯留槽用導出経路と前記第２貯留槽用冷却経路との接続部に接続され、前記第１貯留槽内を通過するように処理液を導くとともに、前記第１貯留槽内を通過した処理液を第２貯留槽に戻す第２貯留槽用保温経路と、
   前記第２貯留槽用導出経路、前記第２貯留槽用冷却経路、および前記第２貯留槽用保温経路の接続部に設けられ、前記第２貯留槽用導出経路を流れる処理液を前記第２貯留槽用冷却経路および前記第２貯留槽用保温経路のいずれか一方に選択的に導く第２貯留槽用切替手段とを備えることを特徴とする基板処理装置。
2. 前記第２貯留槽用導出経路または前記第２貯留槽用冷却経路の途中部に介装され、前記第２貯留槽用導出経路または前記第２貯留槽用冷却経路を流れる処理液の温度を計測する温度計測手段と、
   前記温度計測手段により計測された処理液の温度に基づいて前記第２貯留槽用切替手段を制御する制御部とをさらに備え、
   前記制御部は、前記温度計測手段により計測された処理液の温度が前記所定温度よりも高い場合に、前記第２貯留槽用導出経路を流れる処理液を前記第２貯留槽用冷却経路に導くように前記第２貯留槽用切替手段を制御し、前記温度計測手段により計測された処理液の温度が前記所定温度以下の場合に、前記第２貯留槽用導出経路を流れる処理液を前記第２貯留槽用保温経路に導くように前記第２貯留槽用切替手段を制御することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記第１貯留槽から処理液を導出するための第１貯留槽用導出経路と、
   前記第１貯留槽用導出経路の端部に接続され、前記第１貯留槽用導出経路からの処理液を前記第１貯留槽に戻す第１貯留槽用冷却経路と、
   前記第１貯留槽用冷却経路の途中部に介装され、前記第１貯留槽用冷却経路を流れる処理液を冷却するための第１貯留槽用冷却手段と、
   前記第１貯留槽用導出経路と前記第１貯留槽用冷却経路との接続部に接続され、前記第２貯留槽内を通過するように処理液を導くとともに、前記第２貯留槽内を通過した処理液を前記第１貯留槽に戻す第１貯留槽用保温経路と、
   前記第１貯留槽用導出経路、前記第１貯留槽用冷却経路、および前記第１貯留槽用保温経路の接続部に設けられ、前記第１貯留槽用導出経路を流れる処理液を前記第１貯留槽用冷却経路および前記第１貯留槽用保温経路のいずれか一方に選択的に導く第１貯留槽用切替手段と、
   前記第１貯留槽に貯留された処理液が前記温度調整手段によって所定の温度に維持されるとともに基板に処理に用いられる第１の状態と、前記第２貯留槽に貯留された処理液が前記温度調整手段によって所定の温度に維持されるとともに基板に処理に用いられる第２の状態とを切り替える制御部とをさらに備えることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
4. 前記第２貯留槽用導出経路および前記第２貯留槽用冷却経路のうち少なくとも前記第２貯留槽用冷却経路の一部と前記第１貯留槽用導出経路および前記第１貯留槽用冷却経路のうち少なくとも前記第１貯留槽用冷却経路の一部とは共通経路により構成され、
   前記第２貯留槽用冷却手段および前記第１貯留槽用冷却手段は、前記共通経路の途中部に介装された共通の冷却手段により構成され、
   前記共通経路の途中部に介装され、前記共通経路を流れる処理液の温度を計測する温度計測手段をさらに備え、
   前記制御部は、
   前記第１の状態において、前記温度計測手段により計測された処理液の温度が前記所定温度よりも高い場合に、前記第２貯留槽用導出経路を流れる処理液を前記第２貯留槽用冷却経路に導くように前記第２貯留槽用切替手段を制御し、前記温度計測手段により計測された処理液の温度が前記所定温度以下の場合に、前記第２貯留槽用導出経路を流れる処理液を前記第２貯留槽用保温経路に導くように前記第２貯留槽用切替手段を制御し、
   前記第２の状態において、前記温度計測手段により計測された処理液の温度が前記所定温度よりも高い場合に、前記第１貯留槽用導出経路を流れる処理液を前記第１貯留槽用冷却経路に導くように前記第１貯留槽用切替手段を制御し、前記温度計測手段により計測された処理液の温度が前記所定温度以下の場合に、前記第１貯留槽用導出経路を流れる処理液を前記第１貯留槽用保温経路に導くように前記第１貯留槽用切替手段を制御することを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。
5. 前記第１貯留槽に貯留された処理液を基板に導く第１貯留槽用処理経路と、
   前記第１貯留槽に貯留された処理液を前記第１貯留槽用導出経路および前記第１貯留槽用処理経路の一方に選択的に導く第１貯留槽用処理切替手段と、
   前記第２貯留槽に貯留された処理液を基板に導く第２貯留槽用処理経路と、
   前記第２貯留槽に貯留された処理液を前記第２貯留槽用導出経路および前記第２貯留槽用処理経路の一方に選択的に導く第２貯留槽用処理切替手段とをさらに備え、
   前記制御部は、前記第１貯留槽用処理切替手段および前記第２貯留槽用処理切替手段を制御することによって前記第１の状態と前記第２の状態とを切り替えることを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。
6. 第１貯留槽における処理液の貯留量が第１の値以下になったことを検出する第１貯留槽用検出手段と、
   第２貯留槽における処理液の貯留量が第２の値以下になったことを検出する第２貯留槽用検出手段とをさらに備え、
   前記制御部は、前記第１貯留槽用検出手段の検出に応答して前記第１の状態を前記第２の状態に切り替え、前記第２貯留槽用検出手段の検出に応答して前記第２の状態を前記第１の状態に切り替えるように、前記第１貯留槽用処理切替手段および前記第２貯留槽用処理切替手段を制御することを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
7. 前記第１貯留槽用検出手段の検出に応答して前記第１貯留槽内の処理液を排出する第１貯留槽用排出手段と、
   前記第１貯留槽内の処理液の排出後に前記第１貯留槽に処理液を供給する第１貯留槽用供給手段と、
   前記第２貯留量検出手段の検出に応答して前記第２貯留槽内の処理液を排出する第２貯留槽用排出手段と、
   前記第２貯留槽内の処理液の排出後に前記第２貯留槽に処理液を供給する第２貯留槽用供給手段とをさらに備えたことを特徴する請求項６記載の基板処理装置。

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