CN110114858B - 处理液供给装置、基板处理装置以及处理液供给方法 - Google Patents

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Abstract

处理液供给装置对处理基板的处理单元供给处理液。处理液供给装置包含:贮存槽,贮存处理液;循环流路,使所述贮存槽内的处理液循环;供给流路,自所述循环流路对所述处理单元供给处理液;返回流路,使已供给至所述处理单元的处理液返回至所述循环流路;以及温度调节单元,对在所述循环流路循环的处理液的温度进行调节。

Description

处理液供给装置、基板处理装置以及处理液供给方法
技术领域
本发明涉及一种对处理基板的处理单元供给处理液的处理液供给装置、具备该处理液供给装置的基板处理装置、以及使用该处理液供给装置及该基板处理装置的处理液供给方法。成为处理对象的基板,例如包含半导体晶片、液晶显示设备用基板、有机EL(Electroluminescence;场致发光)显示设备等的FPD(Flat Panel Display;平板显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳电池用基板等基板。
背景技术
在逐片地处理基板的单张式基板处理装置的基板处理中,例如将贮存于槽的药液等处理液供给至处理基板的处理单元。为了减少每个基板的处理的不均,需要对供给至处理单元的处理液的温度进行调节。因此,下述专利文献1中提出如下的基板处理装置,即,具备将自药液槽送出的药液供给至处理单元的药液供给路及安装于药液供给路的加热器。在利用该基板处理装置进行的基板处理中,可将经加热器调节了温度后的处理液供给至基板。而且,该基板处理装置构成为自药液供给路供给至处理单元的药液经由药液回收路而回收至药液槽。
[现有技术文献]
专利文献
专利文献1:日本特开2006-269668号公报
发明内容
发明所要解决的课题
要另外说明的是,基板处理在经过长时间的情况下,有时要将已对处理单元供给了处理液的处理液槽更换为其他处理液槽。此时,处理液对处理单元的供给被中断。
专利文献1的基板处理装置中设置有药液循环路,该药液循环路连接于药液供给路且供药液槽内的药液循环。因此,可在药液槽的更换后且药液对基板的供给的停止中的情况下,使药液供给路、药液循环路及药液槽内的药液循环。通过利用加热器对循环的药液进行加热,而可调节药液供给路、药液循环路及药液槽内的药液的温度。
另一方面,在处理液对处理单元的供给被中断的期间,不对药液回收路供给药液。因此,药液回收路内的药液不会回到药液槽而是积存于药液回收路内。已积存于药液回收路内的处理液在药液回收路内冷却。
当药液对处理单元的供给重新开始时,已在药液回收路内冷却的药液被新进入至药液回收路的药液挤出而回到药液槽。由于药液回收路内温度已降低的药液回到药液槽,故药液槽内的药液会被冷却。因此,供给至处理单元的药液的温度降低。接着,已冷却的药液通过药液供给路被供给至基板。此时,可能发生药液被加热器充分加热前便被供给至基板的情况。
因此,本发明的一个目的在于提供一种即便在处理液对处理单元的供给已中断情形时,亦可抑制处理液对处理单元的供给重新开始时供给至处理单元的处理液的温度的变化的处理液供给装置、基板处理装置以及处理液供给方法。
用以解决课题的手段
本发明的一实施方式提供一种处理液供给装置,对处理基板的处理单元供给处理液,该处理液供给装置包含:贮存槽,贮存处理液;循环流路,使所述贮存槽内的处理液循环;供给流路,自所述循环流路对所述处理单元供给处理液;返回流路,使已供给至所述处理单元的处理液返回至所述循环流路;以及温度调节单元,对在所述循环流路循环的处理液的温度进行调节。
根据该构成,贮存槽内的处理液通过循环流路而循环。在循环流路循环的处理液的温度通过温度调节单元而调节。因此,供给流路可将温度已得到适当调节的处理液供给至处理单元。
已供给至处理单元的处理液经由返回流路而返回至循环流路。循环流路例如包含连接有返回流路的分支部、自循环流路的上游侧连接至分支部的上游流路、及自循环流路的下游侧连接至分支部的下游流路。循环流路的上游侧指处理液流经循环流路的方向的上游侧。循环流路的下游侧指处理液流经循环流路的方向的下游侧。
已供给至处理单元的处理液通过返回流路、分支部及下游流路而返回至贮存槽。因此,与返回流路内的处理液直接返回至贮存槽的构成相比,可将处理液流经返回流路内的距离设定得较短。
因此,在已中断处理液对处理单元的供给的情形时,可减少残存于返回流路内的处理液的量。由此,可抑制因返回流路内已被冷却的处理液在处理液对处理单元的供给重新开始时回到贮存槽而将贮存槽内的处理液冷却。其结果,即便在已中断处理液对处理单元的供给的情形时,亦可抑制在处理液对处理单元的供给重新开始时供给至处理单元的处理液的温度的变化。
本发明的一实施方式中,处理液流经所述返回流路内的距离比处理液流经所述下游流路内的距离短。因此,在已中断处理液对处理单元的供给的情形时,可进一步减少残存于返回流路内的处理液的量。由此,可进一步抑制在处理液对处理单元的供给重新开始时供给至处理单元的处理液的温度的变化。
本发明的一实施方式中,所述循环流路包含设置于所述分支部的循环槽,所述循环槽包含连接有所述上游流路及所述返回流路的顶部、及连接有所述下游流路的底部。
根据该构成,在设置于分支部的循环槽的顶部连接有上游流路及返回流路。因此,自上游流路及返回流路供给至循环槽的处理液容易移动到循环槽内的底部。因此,自上游流路及返回流路供给至循环槽的处理液容易流动到连接于底部的下游流路。由此,循环流路可使处理液顺畅地循环。
在对循环槽内供给处理液时,循环槽内的处理液积存于底部。因此,循环槽内的处理液的液面与顶部之间容易设置有间隔。因此,可防止因循环槽内的处理液到达顶部而循环槽内的处理液向返回流路逆流的情况。
本发明的一实施方式中,所述处理液供给装置还包含:下游阀,用以开闭所述下游流路;以及阀开闭单元,维持关闭所述下游阀的状态直至所述循环槽内的处理液的量达到基准量为止,在所述循环槽内的处理液的量达到基准量时打开所述下游阀。
根据该构成,下游阀维持关闭状态直至循环槽内的处理液的量达到基准量为止。下游阀在循环槽内的处理液的量达到基准量时便被打开。因此,可防止循环槽内的处理液到达循环槽的顶部。因此,可有效地防止循环槽内的处理液向返回流路逆流。
本发明的一实施方式中,设置有多个所述处理单元,已自所述供给流路供给至多个所述处理单元中的各个处理单元的处理液经由所述返回流路而共通地供给至所述循环槽。
根据该构成,已自供给流路供给至多个处理单元中的各个处理单元的处理液经由返回流路而共通地供给至循环槽。详细而言,供给流路对处理单元中的各处理单元供给处理液,返回流路将处理液自各个处理单元向循环槽导引。因此,无须针对每个处理单元设置循环槽。
本发明的一实施方式中,所述分支部比所述处理单元所具有的用以收容所述基板的处理腔室更靠下方。因此,返回流路内的处理液容易朝向循环流路流动。因此,在已中断处理液对处理单元的供给的情形时,可进一步减少残存于返回流路内的处理液的量。由此,可进一步抑制在处理液对处理单元的供给重新开始时供给至处理单元的处理液的温度的变化。
本发明的一实施方式中,所述分支部与所述返回流路一起收容于与所述处理腔室邻接配置的流路盒。因此,可减小处理腔室与循环槽的距离。进而,可将返回流路设定得更短。
本发明的一实施方式中,设置有多个所述贮存槽;上述处理液供给装置还包含:上游切换单元,将对所述分支部或所述处理单元供给处理液的作为供给源的所述贮存槽在所述多个贮存槽中进行切换;以及下游切换单元,以使自所述分支部被供给处理液的作为供给目标的所述贮存槽与作为所述供给源的所述贮存槽为同一槽的方式,将作为所述供给目标的贮存槽在所述多个贮存槽中进行切换。
根据该构成,作为供给目标的贮存槽被在多个贮存槽中进行切换,以使作为供给源的贮存槽与作为供给目标的贮存槽为同一槽。因此,可通过循环流路使各贮存槽内的处理液循环而不会使各贮存槽内的处理液的量发生变化。因此,可在开始利用循环流路进行处理液的循环之前,针对每个贮存槽设定供给至处理单元的处理液的必要量。由此,容易对贮存槽内的处理液的量进行管理。
本发明的另一实施方式中,提供包含所述处理液供给装置及所述处理单元的基板处理装置。根据该构成,可实现与前述相同的效果。
本发明的又一实施方式提供一种处理液供给方法,对利用处理液处理基板的处理单元供给处理液,包含:循环步骤,使贮存处理液的贮存槽内的处理液在循环流路中循环;供给步骤,自所述循环流路对所述处理单元供给处理液;以及返回步骤,使已在所述供给步骤中供给至所述处理单元的处理液返回至所述循环流路。
根据该方法,循环步骤中,贮存槽内的处理液通过循环流路而循环。温度调节步骤中,对在循环流路中循环的处理液的温度进行调节。因此,供给步骤中,可将温度已得到适当调节的处理液自循环流路供给至处理单元。
返回步骤中,已供给至处理单元的处理液返回至循环流路,然后,返回至贮存槽。因此,与已供给至处理单元的处理液直接返回至贮存槽的构成相比,可将处理液流动直至返回至循环流路的距离设定得较短。
因此,在已中断处理液对处理单元的供给的情形时,可减少处理单元与循环流路之间的部分所残存的处理液的量。由此,可抑制因在该部分被冷却的处理液在处理液对处理单元的供给重新开始时回到贮存槽而将贮存槽内的处理液冷却。其结果,即便在已中断处理液对处理单元的供给的情形时,亦可抑制在处理液对处理单元的供给重新开始时供给至处理单元的处理液的温度的变化。
根据本发明的另一实施方式,所述循环步骤中,处理液依次在与用以已供给至所述处理单元的处理液经由返回流路返回的分支部连接的上游流路、所述分支部及自所述循环流路的下游侧连接至所述分支部的下游流路中流动。因此,返回步骤中,已供给至处理单元的处理液通过返回流路、分支部及下游流路而返回至贮存槽。因此,与返回流路内的处理液直接返回至贮存槽的构成相比,可将处理液流经返回流路内的距离设定得较短。
根据本发明的另一实施方式,所述返回步骤中处理液流经所述返回流路内的距离比所述循环步骤中处理液流经所述下游流路内的距离短。因此,在已中断处理液对处理单元的供给的情形时,可进一步减少残存于返回流路内的处理液的量。由此,可进一步抑制在处理液对处理单元的供给重新开始时供给至处理单元的处理液的温度的变化。
根据本发明的另一实施方式,所述循环流路包含设置于所述分支部的循环槽;所述循环槽包含连接有所述上游流路及所述返回流路的顶部、及连接有所述下游流路的底部。
根据该方法,在设置于分支部的循环槽的顶部连接有上游流路及返回流路。因此,自上游流路及返回流路供给至循环槽的处理液容易移动到循环槽内的底部。因此,自上游流路及返回流路供给至循环槽的处理液容易向连接于底部的下游流路流动。由此,循环流路可使处理液顺畅地循环。
根据本发明的另一实施方式,所述基板处理方法还包括阀开闭步骤,在上述阀开闭步骤中,维持用以开闭所述下游流路的下游阀关闭的状态直至所述循环槽内的处理液的量达到基准量为止,在所述循环槽内的处理液的量达到基准量时打开所述下游阀。
根据该方法,下游阀维持关闭状态直至循环槽内的处理液的量达到基准量为止。下游阀在循环槽内的处理液的量达到基准量时便被打开。因此,可防止循环槽内的处理液到达循环槽的顶部。因此,可有效地防止循环槽内的处理液向返回流路逆流。
根据本发明的另一实施方式,所述供给步骤包含自所述循环流路对多个处理单元中的各个处理单元供给处理液的步骤;所述返回步骤包含将已供给至多个处理单元中的各个处理单元的处理液经由所述返回流路而共通地供给至所述循环槽的步骤。
根据该方法,已自循环流路供给至多个处理单元中的各个处理单元的处理液经由返回流路共通地供给至循环槽。详细而言,自循环流路对各个处理单元供给处理液,返回流路则自各个处理单元将处理液导引至循环槽。因此,无须针对每个处理单元设置循环槽。
根据本发明的另一实施方式,所述分支部比所述处理单元所具有的收容所述基板的处理腔室靠下方。因此,返回流路内的处理液容易朝向循环流路流动。因此,在已中断处理液对处理单元的供给的情形时,可进一步减少残存于返回流路内的处理液的量。由此,可进一步抑制在处理液对处理单元的供给重新开始时供给至处理单元的处理液的温度的变化。
根据本发明的另一实施方式,所述分支部与所述返回流路一起收容于与所述处理腔室邻接配置的流路盒。因此,可减小处理腔室与循环槽的距离。进而,可将返回流路设定得更短。
根据本发明的另一实施方式,所述基板处理方法还包括切换步骤,在上述切换步骤中,以使对所述分支部或所述处理单元供给处理液的作为供给源的所述贮存槽与自所述分支部被供给处理液的作为供给目标的所述贮存槽为同一槽的方式,将作为所述供给源的贮存槽与作为供给目标的所述贮存槽在多个贮存槽中进行切换。
根据该方法,将作为供给目标的贮存槽在多个贮存槽中进行切换,以使作为供给源的贮存槽与作为供给目标的贮存槽为同一槽。因此,可通过循环流路使各贮存槽内的处理液循环而不会使各贮存槽内的处理液的量发生变化。因此,可在开始利用循环流路进行处理液的循环之前,针对每个贮存槽设定供给至处理单元的处理液的必要量。由此,容易对贮存槽内的处理液的量进行管理。
本发明中的上述或进而其他的目的、特征及效果将参照随附附图并根据如下叙述的实施方式的说明而可知。
附图说明
图1是表示本发明的第一实施方式的基板处理装置的构成的示意图。
图2是用以说明所述基板处理装置的主要部分的电气结构的框图。
图3A是用以说明通过所述基板处理装置进行的基板处理的一例的示意图。
图3B是用以说明通过所述基板处理装置进行的基板处理的一例的示意图。
图4A是表示基板处理中的循环槽的情况的示意图。
图4B是表示基板处理中的循环槽的情况的示意图。
图4C是表示基板处理中的循环槽的情况的示意图。
图5是表示本发明的第二实施方式的基板处理装置的构成的示意图。
图6是用以说明通过第二实施方式的基板处理装置进行的基板处理的一例的时序图。
图7A是用以说明通过第二实施方式的基板处理装置进行的基板处理的一例的示意图。
图7B是用以说明通过第二实施方式的基板处理装置进行的基板处理的一例的示意图。
图7C是用以说明通过第二实施方式的基板处理装置进行的基板处理的一例的示意图。
图7D是用以说明通过第二实施方式的基板处理装置进行的基板处理的一例的示意图。
图7E是用以说明通过第二实施方式的基板处理装置进行的基板处理的一例的示意图。
图7F是用以说明通过第二实施方式的基板处理装置进行的基板处理的一例的示意图。
图8是表示本发明的第三实施方式的基板处理装置的构成的示意图。
图9是用以说明对第三实施方式的基板处理装置中具备的处理单元的处理液供给的一例的时序图。
图10A是用以说明通过第三实施方式的基板处理装置进行的基板处理的一例的示意图。
图10B是用以说明通过第三实施方式的基板处理装置进行的基板处理的一例的示意图。
图10C是用以说明通过第三实施方式的基板处理装置进行的基板处理的一例的示意图。
图10D是用以说明通过第三实施方式的基板处理装置进行的基板处理的一例的示意图。
图10E是用以说明通过第三实施方式的基板处理装置进行的基板处理的一例的示意图。
具体实施方式
(第一实施方式)
图1是表示本发明的第一实施方式的基板处理装置1的构成的示意图。基板处理装置1包括利用处理液处理基板W的处理单元2、及对处理单元2供给处理液的处理液供给装置3。作为处理液,可列举磷酸水溶液等药液或纯水(DIW:Deionized Water;去离子水)等冲洗液。
作为磷酸水溶液以外的药液,例如可使用缓冲氢氟酸(BHF)、稀氢氟酸(DHF)、氢氟酸(氟化氢水:HF)、盐酸、硫酸、硝酸、醋酸、草酸或氨水等水溶液或者它们的混合溶液。作为混合溶液,例如可使用硫酸与过氧化氢水的混合液(SPM)、氨与过氧化氢水的混合溶液(SC1)或盐酸与过氧化氢水的混合液(SC2)。
作为DIW以外的冲洗液,可使用碳酸水、电解离子水、臭氧水、稀释浓度(例如10ppm至100ppm左右)的盐酸水、还原水(氢水)等。
处理单元2包括使基板W绕通过基板W的中央部的铅垂的旋转轴线A1旋转的旋转卡盘4、对基板W的上表面(上方的主面)供给处理液的处理液喷嘴5、及包围旋转卡盘4的杯部(cup)6。杯部6具有向上打开的环状的槽。
处理单元2还包括收容旋转卡盘4、处理液喷嘴5及杯部6的处理腔室7。处理腔室7中形成有出入口(未图示),该出入口用于将基板W向处理腔室7内搬入或自处理腔室7内搬出。处理腔室7中具备将该出入口开闭的挡门单元(未图标)。基板W经由该出入口收容于处理腔室7内。而且,已收容于处理腔室7内的基板W保持于旋转卡盘4。
旋转卡盘4包含多个卡盘销10、旋转基座11、及基板旋转单元12。旋转基座11具有沿着水平方向的圆盘形状。在旋转基座11的上表面的周缘部,在周向上隔开间隔配置有多个卡盘销10。基板W由多个卡盘销10保持为大致水平。基板旋转单元12包含结合于旋转基座11的下表面中央的旋转轴、及对该旋转轴施加旋转力的电动马达。该旋转轴沿着旋转轴线A1而在铅垂方向上延伸。基板旋转单元12通过使旋转基座11旋转而使基板W绕旋转轴线A1旋转。
处理液供给装置3包含贮存处理液的贮存槽20、使贮存槽20内的处理液循环的循环流路21、自循环流路21对处理单元2供给处理液的供给流路22、及使已供给至处理单元2的处理液返回至循环流路21的返回流路23。
循环流路21包含连接有返回流路23的分支部30、自循环流路21的上游侧连接至分支部30的上游流路40、自循环流路21的下游侧连接至分支部30的下游流路50。循环流路21的上游侧是指处理液流经循环流路21的方向(循环方向A)的上游侧。循环流路21的下游侧是指循环方向A的下游侧。上游流路40及下游流路50分别例如由配管形成。
循环流路21还包含设置于分支部30的循环槽31。循环槽31包含形成循环槽31的上端部的顶部31a、及形成循环槽31的下端部的底部31b。循环槽31可自下方将处理液积存于其内部。循环槽31中设置有对循环槽31内的处理液的液面的高度进行检测的液面传感器32。
上游流路40的上游端部连接于贮存槽20。上游流路40的下游端部连接于循环槽31的顶部31a。下游流路50的上游端部连接于循环槽31的底部31b。下游流路50的下游端部连接于贮存槽20。
处理液供给装置3包含:将上游流路40内的处理液向下游侧送出的上游泵41;对上游流路40内的处理液进行加热的循环加热器42;对上游流路40内的处理液进行过滤的过滤器43;及将上游流路40开闭的上游阀44。上游泵41、循环加热器42、过滤器43及上游阀44自上游侧起依次安装于上游流路40。
处理液供给装置3包含将下游流路50内的处理液向下游侧送出的下游泵51、及将下游流路50开闭的下游阀52。下游泵51及下游阀52自上游侧起依次安装于下游流路50。
供给流路22例如由配管形成。供给流路22的上游端部在过滤器43与上游阀44之间连接于上游流路40。供给流路22的下游端部连接于处理液喷嘴5。处理液供给装置3还包含安装于供给流路22而用以开闭供给流路22的供给阀24。
返回流路23例如由配管形成。返回流路23的上游端部连接于杯部6的底部。返回流路23的下游端部连接于循环槽31的顶部31a。返回流路23的长度较下游流路50的长度短。
处理单元2包含至少收容返回流路23及分支部30(循环槽31)的流路盒8。本实施方式中,流路盒8中,除返回流路23及分支部30(循环槽31)之外,亦收容有供给阀24及下游泵51。而且,流路盒8中收容供给流路22、上游流路40及下游流路50的一部分。流路盒8与处理腔室7邻接配置。分支部30(循环槽31)在流路盒8内比处理腔室7靠下方处。
处理液供给装置3包含贮存在基板处理中未被使用的(尚未使用)处理液的新液槽25、连接于新液槽25与贮存槽20的新液流路26、及安装于新液流路26的新液泵27及新液阀28。
图2是用以说明基板处理装置1的主要部分的电气结构的框图。基板处理装置1包含控制基板处理装置1的控制器14。控制器14具备微型计算机、依据预定的程序对基板处理装置1中具备的控制对象进行控制。更具体而言,控制器14包含处理器(CPU(CentralProcessing Unit;中央处理单元))14A、及储存程序的存储器14B。控制器14构成为通过处理器14A执行程序,而执行用于基板处理的各种控制。控制器14特别是对电动马达13、循环加热器42、泵类27、41、51、阀类24、28、44、52及液面传感器32等的动作进行控制。
图3A及图3B是用以说明由基板处理装置1进行的基板处理的一例的示意图。由基板处理装置1进行的基板处理主要通过控制器14执行程序而实现。在开始进行基板处理之前,阀24、28、44、52全部被关闭。
参照图3A,基板处理中,首先,未处理的基板W保持于旋转卡盘4。然后,执行使贮存槽20内的处理液在循环流路21循环的循环步骤。详细而言,打开上游阀44。另一方面,供给阀24维持关闭状态。然后,上游泵41抽吸贮存槽20内的处理液。由此,自贮存槽20向上游流路40供给处理液。然后,循环加热器42对上游流路40内的处理液进行加热。流经上游流路40内的处理液被过滤器43过滤。由此,自流经上游流路40的处理液中除去析出物等。流经上游流路40的处理液被供给至比上游流路40靠下游侧的循环槽31。
然后,在下游阀52被打开的状态下,下游泵51抽吸循环槽31内的处理液。由此,自循环槽31对下游流路50供给处理液。流经下游流路50的处理液被输送至贮存槽20。如此,已自贮存槽20送出至上游流路40的处理液经由下游流路50回到贮存槽20。即,贮存槽20内的处理液通过循环流路21而循环。将通过循环流路21使贮存槽20内的处理液循环称作液循环。液循环时,利用循环加热器42对上游流路40内的处理液进行加热,由此调整循环流路21内的处理液的温度(温度调节步骤)。循环加热器42作为对循环流路21内的处理液的温度进行调整的温度调节单元发挥功能。
参照图3B,在温度调节步骤开始后,执行自循环流路21对处理单元2供给处理液的供给步骤。详细而言,打开供给阀24。另一方面,关闭上游阀44。由此,流经上游流路40的处理液经由供给流路22供给至处理液喷嘴5。已供给至处理液喷嘴5的处理液朝向保持于旋转卡盘4的基板W的上表面吐出。
在开始向基板W的上表面供给处理液之前,利用旋转卡盘4开始基板W绕旋转轴线A1的旋转。着落于基板W的上表面的处理液因离心力而遍布于基板W的整个上表面。由此,基板W的上表面利用处理液而受到处理。如此,将自贮存槽20对处理单元2供给处理液称作液供给。
基板W的上表面的处理液因离心力而向基板W外飞散。已向基板W外飞散的处理液被杯部6接住。由杯部6接住的处理液流经返回流路23内,并自返回流路23返回至循环槽31。如此,在供给步骤中供给至处理单元2的处理液返回至循环流路21(返回步骤)。
在下游阀52被打开的状态下,下游泵51抽吸循环槽31内的处理液。由此,循环槽31内的处理液经由下游流路50输送至贮存槽20。如此,已供给至处理单元2的处理液回到贮存槽20。将自处理单元2对贮存槽20输送处理液称作液回收。
如所述那样,返回流路23的长度较下游流路50的长度短。因此,处理液流经返回流路23内的距离D1比处理液流经下游流路50内的距离D2小。
亦可与本实施方式不同,在供给步骤及返回步骤中,上游阀44可被打开。该情形时,循环步骤与供给步骤及返回步骤并行地执行。
在此,单张式基板处理装置1中,无法将基板W的处理中使用的处理液全部回收。因此,贮存槽20内的液面高度逐渐降低。若贮存槽20内的处理液的液面低于预定的高度,则新液阀28被打开且新液泵27动作,由此,可经由新液流路26自新液槽25对贮存槽20供给处理液。由此,可将处理液供给装置3内的处理液的量保持为预定量以上。亦可通过利用新液槽25进行的新的处理液的供给,而调整贮存槽20内的处理液的浓度。
图4A至图4C是表示基板处理中的循环槽31的情况的示意图。
基板处理中,下游阀52根据循环槽31内的处理液的量而开闭。本实施方式中,循环槽31内的处理液的量根据循环槽31内的处理液的液面的高度而判断。
具体而言,参照图4A,若液面传感器32(参照图1)检测到循环槽31内的处理液的液面的高度低于预定的第一基准高度L1,则控制器14关闭下游阀52。该状态下,自上游流路40或返回流路23对循环槽31供给处理液,由此,循环槽31内的处理液的液面上升。图4A至图4C中表示自上游流路40对循环槽31供给处理液的示例。
如图4B所示,若液面传感器32(参照图1)检测到循环槽31内的处理液的液面的高度达到第一基准高度L1,则控制器14打开下游阀52。由此,循环槽31内的处理液被输送至下游流路50,循环槽31内的处理液的液面的高度低于第一基准高度L1。
然后,如图4C所示,若液面传感器32检测到循环槽31内的处理液的液面的高度低于第二基准高度L2,则控制器14再次关闭下游阀52。第二基准高度L2设定于比第一基准高度L1低的位置。由此,因处理液积存于循环槽31,而循环槽31内的处理液的液面再次上升。
如此,控制器14作为阀开闭单元发挥功能,该阀开闭单元维持着关闭下游阀52的状态直至循环槽31内的处理液的量达到基准量(第一基准高度L1)为止,在循环槽31内的处理液的量达到基准量(第一基准高度L1)时便打开下游阀52。
根据第一实施方式,循环步骤中,贮存槽20内的处理液通过循环流路21而循环。温度调节步骤中,在循环流路21循环的处理液的温度通过循环加热器42而调节。因此,供给步骤中,供给流路22可将温度已得到适当调节的处理液自循环流路21供给至处理单元2。
返回步骤中,已供给至处理单元2的处理液经由返回流路23返回至循环流路21。循环流路21例如包含连接有返回流路23的分支部30、自循环流路21的上游侧连接至分支部的上游流路40、及自循环流路21的下游侧连接至分支部30的下游流路50。
供给至处理单元2的处理液通过返回流路23、分支部30及下游流路50而返回至贮存槽20。因此,与返回流路23内的处理液直接返回至贮存槽20的构成相比,可将处理液流经返回流路23内的距离D1设定得较短。
因此,在因贮存槽20的更换等而中断处理液对处理单元2的供给的情形时,可减少残存于返回流路23内的处理液的量。由此,可抑制因处理液对处理单元2的供给重新开始时在返回流路23内冷却的处理液回到贮存槽20而导致贮存槽20内的处理液被冷却。其结果,即便在中断处理液对处理单元2的供给的情形时,亦可抑制在处理液对处理单元2的供给的重新开始时供给至处理单元2的处理液的温度的变化。
根据第一实施方式,处理液流经返回流路23内的距离D1比处理液流经下游流路50内的距离D2短。因此,在中断处理液对处理单元2的供给的情形时,可进一步减少残存于返回流路23内的处理液的量。由此,可进一步抑制在处理液对处理单元2的供给的重新开始时供给至处理单元2的处理液的温度的变化。
根据第一实施方式,在设置于分支部30的循环槽31的顶部31a连接有上游流路40及返回流路23。因此,自上游流路40及返回流路23供给至循环槽31的处理液容易移动到循环槽31内的底部31b。因此,自上游流路40及返回流路23供给至循环槽31的处理液容易流动到连接于底部31b的下游流路50。由此,循环流路21可使处理液顺畅地循环。
在对循环槽31内供给处理液时,循环槽31内的处理液的液面自底部31b侧朝向顶部31a侧上升。因此,容易在返回流路23与处理液的液面之间设置间隔。因此,防止因循环槽31内的处理液到达顶部31a而导致循环槽31内的处理液向返回流路23逆流。
根据第一实施方式,下游阀52维持关闭的状态直至循环槽31内的处理液的量达到基准量(第一基准高度L1)。下游阀52在循环槽31内的处理液的量达到基准量(第一基准高度L1)时被打开(阀开闭步骤)。因此,可防止循环槽31内的处理液到达循环槽31的顶部31a。因此,可有效果地防止循环槽31内的处理液向返回流路23逆流。
根据第一实施方式,循环槽31比收容基板W的处理腔室7靠下方。因此,与配置于处理腔室7内的杯部6及循环流路21所包含的循环槽31连接的返回流路23内的处理液容易朝向循环流路21流动。因此,在已中断处理液对处理单元2的供给的情形时,可进一步减少残存于返回流路23内的处理液的量。由此,可进一步抑制在处理液对处理单元2的供给的重新开始时供给至处理单元2的处理液的温度的变化。
根据第一实施方式,返回流路23及循环槽31收容于与处理腔室7邻接配置的流路盒8。因此,可减少处理腔室7与循环槽31的距离。进而,可将返回流路23(处理液流经返回流路23内的距离D1)设定得更短。
图5是表示本发明的第二实施方式的基板处理装置1P的构成的示意图。图5中,对于至此所说明的构件相同的构件附上相同的附图标记,并省略其说明(后述图6及图7A至图7F亦同样)。
基板处理装置1P与第一实施方式的基板处理装置1主要不同点在于,处理液供给装置3P包含多个贮存槽20。多个贮存槽20中包含第一贮存槽20A、第二贮存槽20B及第三贮存槽20C。基板处理装置1P中具备的各构件的构成在以下说明的方面与第一实施方式的基板处理装置1中具备的各构件的构成不同。
第二实施方式的循环流路21可使各贮存槽20A至贮存槽20C内的处理液循环。
第二实施方式的上游流路40包含第一上游流路40A、第二上游流路40B及第三上游流路40C。
第一上游流路40A的上游端部连接于第一贮存槽20A。第一上游流路40A的下游端部连接于循环槽31的顶部31a。
处理液供给装置3P包含:将第一上游流路40A内的处理液向下游侧送出的第一上游泵41A;对第一上游流路40A内的处理液进行加热的第一循环加热器42A,及对第一上游流路40A内的处理液进行过滤的第一过滤器43A。处理液供给装置3P包含:对是否自第一贮存槽20A向循环槽31及处理单元2供给处理液进行切换的第一上游切换阀45A、以及可开闭上游流路40的上游阀44。第一上游泵41A、第一循环加热器42A、第一过滤器43A、第一上游切换阀45A及上游阀44自上游侧起依次排列而安装于第一上游流路40A。
第二上游流路40B的上游端部连接于第二贮存槽20B。第二上游流路40B的下游端部在第一上游切换阀45A与上游阀44之间连接于第一上游流路40A。
处理液供给装置3P还包含:将第二上游流路40B内的处理液向下游侧送出的第二上游泵41B;对第二上游流路40B内的处理液进行加热的第二循环加热器42B;及对第二上游流路40B内的处理液进行过滤的第二过滤器43B。处理液供给装置3P还包含对是否自第二贮存槽20B向循环槽31及处理单元2供给处理液进行切换的第二上游切换阀45B。第二上游泵41B、第二循环加热器42B、第二过滤器43B及第二上游切换阀45B自上游侧起依次排列而安装于第二上游流路40B。
第三上游流路40C的上游端部连接于第三贮存槽20C。第三上游流路40C的下游端部在比第二上游切换阀45B靠下游侧处连接于第二上游流路40B。
处理液供给装置3P包含:将第三上游流路40C内的处理液向下游侧送出的第三上游泵41C;对第三上游流路40C内的处理液进行加热的第三循环加热器42C;及对第三上游流路40C内的处理液进行过滤的第三过滤器43C。处理液供给装置3P包含对是否自第三贮存槽20C向循环槽31及处理单元2供给处理液进行切换的第三上游切换阀45C。第三上游泵41C、第三循环加热器42C、第三过滤器43C及第三上游切换阀45C自上游侧起依次排列而安装于第三上游流路40C。
下游流路50包含第一下游流路50A、第二下游流路50B及第三下游流路50C。
第一下游流路50A的上游端部连接于循环槽31的底部31b。第一下游流路50A的下游端部连接于第一贮存槽20A。处理液供给装置3P包含下游泵51、下游阀52、及对是否向第一贮存槽20A供给处理液进行切换的第一下游切换阀53A。下游泵51及第一下游切换阀53A自上游侧起依次排列而安装于第一下游流路50A。
第二下游流路50B的上游端部在下游阀52与第一下游切换阀53A之间连接于第一下游流路50A。第二下游流路50B的下游端部连接于第二贮存槽20B。处理液供给装置3P包含第二下游切换阀53B,该第二下游切换阀53B安装于第二下游流路50B且对是否向第二贮存槽20B供给处理液进行切换。
第三下游流路50C的上游端部在比第二下游切换阀53B靠上游侧处连接于第二下游流路50B。第三下游流路50C的下游端部连接于第三贮存槽20C。处理液供给装置3P包含第三下游切换阀53C,该第三下游切换阀53C安装于第三下游流路50C且对是否向第三贮存槽20C供给处理液进行切换。
返回流路23的长度比第一下游流路50A的长度短。返回流路23的长度比下述两者之和短:自第一下游流路50A的上游端部至第一下游流路50A及第二下游流路50B的连接部分50a为止的长度;以及第二下游流路50B的长度。返回流路23的长度比下述三者之和短:自第一下游流路50A的上游端部至连接部分50a为止的长度;自第二下游流路50B的上游端部至第二下游流路50B及第三下游流路50C的连接部分50b为止的长度;以及第三下游流路50C的长度。
处理液供给装置3P的供给流路22的上游端部在上游阀44与第一上游流路40A及第二上游流路40B的连接部分之间连接于第一上游流路40A。
处理液供给装置3P的新液流路26包含第一新液流路26A、第二新液流路26B及第三新液流路26C。
第一新液流路26A连接于新液槽25与第一贮存槽20A。第一新液流路26A中安装有对是否自新液槽25向第一贮存槽20A供给处理液进行切换的第一新液切换阀29A、及新液泵27。新液泵27比第一新液切换阀29A靠上游侧。
第二新液流路26B在第一新液切换阀29A与新液泵27之间自第一新液流路26A分支,并连接于第二贮存槽20B。在第二新液流路26B安装有对是否自新液槽25向第二贮存槽20B供给处理液进行切换的第二新液切换阀29B。
第三新液流路26C在第一新液切换阀29A与新液泵27之间自第一新液流路26A分支,并连接于第三贮存槽20C。在第三新液流路26C安装有对是否自新液槽25向第三贮存槽20C供给处理液进行切换的第三新液切换阀29C。
图6是用以说明通过基板处理装置1P进行的基板处理的一例的时序图。图7A至图7F是用以说明通过基板处理装置1P进行的基板处理的一例的示意图。图7A至图7F表示图6的时刻t1至时刻t8中的基板处理装置1P的动作。
通过基板处理装置1P进行的基板处理中,将对循环槽31供给处理液的贮存槽20A至贮存槽20C称作供给源贮存槽。通过基板处理装置1P进行的基板处理中,将被自循环槽31供给处理液的贮存槽20A至贮存槽20C称作供给目标贮存槽。
在开始进行基板处理之前,在各贮存槽20A至贮存槽20C设定第一基准高度H1及第二基准高度H2。第一基准高度H1设定于贮存槽20A至贮存槽20C的顶部附近,第二基准高度H2设定得比第一基准高度H1低且设定于贮存槽20A至贮存槽20C的底部附近。各贮存槽20A至贮存槽20C内的处理液的液面的高度例如由液面传感器(未图示)检测。
在开始进行基板处理之前,第一贮存槽20A及第三贮存槽20C各自的处理液的液面高度维持为第一基准高度H1。第二贮存槽20B的处理液的液面高度维持为第二基准高度H2。在开始进行基板处理之前,图5所示的全部阀24、29A至29C、44、45A至45C、52、53A至53C被关闭着。
参照图7A,首先,未处理的基板W保持于旋转卡盘4。然后,执行使第一贮存槽20A内的处理液在循环流路21循环的第一循环步骤。
详细而言,在图6的时刻t1,上游阀44、第一上游切换阀45A及第一下游切换阀53A被打开。然后,第一上游泵41A开始第一贮存槽20A内的处理液的抽吸。由此,自第一贮存槽20A向第一上游流路40A供给处理液。然后,第一循环加热器42A开始第一上游流路40A内的处理液的加热。流经第一上游流路40A内的处理液通过第一过滤器43A过滤。由此,自流经第一上游流路40A的处理液中除去析出物等。流经第一上游流路40A的处理液被供给至比第一上游流路40A靠循环方向A的下游侧的循环槽31中。
并且,在图6的时刻t1,与第一实施方式中的基板处理同样地,开始与循环槽31内的处理液的量相应的下游阀52的开闭控制(参照图4A至图4C)。图7A中表示下游阀52被打开的状态。通过控制器14进行的下游阀52的开闭控制在时刻t1至时刻t8之间持续进行。
在下游阀52已被打开的状态下,下游泵51抽吸循环槽31内的处理液,由此自循环槽31向第一下游流路50A供给处理液。流经第一下游流路50A的处理液被供给至比第一下游流路50A靠下游侧的第一贮存槽20A。在第一循环步骤中第一下游切换阀53A被打开时处理液流经下游流路50内的距离D21比处理液流经返回流路23内的距离D1大。
如此,已自第一贮存槽20A送出至第一上游流路40A的处理液自第一下游流路50A而回到第一贮存槽20A。亦即,第一贮存槽20A中,通过循环流路21进行液循环。第一循环步骤中,第一贮存槽20A是供给源贮存槽,亦是供给目标贮存槽。
然后,参照图7B,执行使第二贮存槽20B内的处理液在循环流路21循环的第二循环步骤。详细而言,在图6的时刻t2,第二上游切换阀45B及第二下游切换阀53B被打开。另一方面,第一上游切换阀45A及第一下游切换阀53A被关闭。
然后,第二上游泵41B开始第二贮存槽20B内的处理液的抽吸。由此,自第二贮存槽20B向第二上游流路40B供给处理液。然后,第二循环加热器42B开始第二上游流路40B内的处理液的加热。流经第二上游流路40B内的处理液通过第二过滤器43B过滤。由此,自流经第二上游流路40B的处理液中除去析出物等。流经第二上游流路40B的处理液被供给至比第二上游流路40B靠循环方向A的下游侧的循环槽31。
而且,在下游阀52已被打开的状态下,下游泵51抽吸循环槽31内的处理液,由此自循环槽31向下游流路50供给处理液。
详细而言,已自循环槽31供给至下游流路50的处理液,在自循环槽31至连接部分50a之间流经第一下游流路50A内,然后,流经第二下游流路50B内。流经第二下游流路50B内的处理液被供给至第二贮存槽20B。在第二循环步骤中第二下游切换阀53B被打开时处理液流经下游流路50内的距离D22比处理液流经返回流路23的距离D1大。
如此,已自第二贮存槽20B送出至第二上游流路40B的处理液自第二下游流路50B回到第二贮存槽20B。第二贮存槽20B中,通过循环流路21进行液循环。第二循环步骤中,第二贮存槽20B是供给源贮存槽,亦是供给目标贮存槽。
然后,参照图7C,执行使第三贮存槽20C内的处理液在循环流路21循环的第三循环步骤。详细而言,在图6的时刻t3,第三上游切换阀45C及第三下游切换阀53C被打开。另一方面,第二上游切换阀45B及第二下游切换阀53B被关闭。
然后,第三上游泵41C开始第三贮存槽20C内的处理液的抽吸。由此,自第三贮存槽20C向第三上游流路40C供给处理液。然后,第三循环加热器42C开始第三上游流路40C内的处理液的加热。流经第三上游流路40C内的处理液通过第三过滤器43C过滤。由此,自流经第三上游流路40C的处理液中除去析出物等。流经第三上游流路40C的处理液被供给至比第三上游流路40C靠循环方向A的下游侧的循环槽31。
而且,在下游阀52已被打开的状态下,下游泵51抽吸循环槽31内的处理液,由此自循环槽31向下游流路50供给处理液。
详细而言,已自循环槽31供给至下游流路50的处理液在自循环槽31至连接部分50a之间流经第一下游流路50A内,然后,在自连接部分50a至连接部分50b之间流经第二下游流路50B内。流经第二下游流路50B内的处理液经由第三下游流路50C而供给至比第三下游流路靠下游侧的第三贮存槽20C。第三循环步骤中第三下游切换阀53C被打开时处理液流经下游流路50内的距离D23比处理液流经返回流路23的距离D1大。
如此,已自第三贮存槽20C送出至第三上游流路40C的处理液自第三下游流路50C回到第三贮存槽20C。即,第三贮存槽20C中,通过循环流路21进行液循环。第三循环步骤中,第三贮存槽20C是供给源贮存槽,亦是供给目标贮存槽。
如此,第一循环步骤、第二循环步骤及第三循环步骤中,控制器14对上游切换阀45A至上游切换阀45C进行控制,将供给源贮存槽在多个贮存槽20A至贮存槽20C中进行切换。而且,控制器14对下游切换阀53A至下游切换阀53C进行控制,将供给目标贮存槽在多个贮存槽20A至贮存槽20C中进行切换,以使供给目标贮存槽与供给源贮存槽为同一贮存槽20A至贮存槽20C(切换步骤)。上游切换阀45A至上游切换阀45C作为上游切换单元发挥功能,下游切换阀53A至下游切换阀53C作为下游切换单元发挥功能。
通过执行第一循环步骤、第二循环步骤及第三循环步骤,处理液在贮存槽20、上游流路40及下游流路50的整体中循环。此时,利用循环加热器42A至循环加热器42C加热上游流路40内的处理液,由此调节循环流路21内的处理液的温度(温度调节步骤)。循环加热器42A至循环加热器42C作为调节循环流路21内的处理液的温度的温度调节单元发挥功能。
第三循环步骤结束后,进行自贮存槽20向处理单元2的液供给、以及自处理单元2向贮存槽20的液回收。第三循环步骤结束后,多个贮存槽20A至贮存槽20C分别发挥液供给、液回收及待机中的任一者的作用。待机是指在第三循环步骤结束后贮存槽20A至贮存槽20C不再发挥液供给及液回收中的任一者的作用。
详细而言,在图6的时刻t4,第一上游切换阀45A及第二下游切换阀53B被打开,第三上游切换阀45C及第三下游切换阀53C被关闭。第一下游切换阀53A及第二上游切换阀45B维持着关闭的状态。而且,上游阀44被关闭,供给阀24被打开。
因此,在时刻t4至时刻t5,参照图7D,第一贮存槽20A内的处理液经由上游流路40被供给至供给流路22。已供给至供给流路22的处理液被供给至处理单元2的处理液喷嘴5(供给步骤)。已供给至处理液喷嘴5的处理液朝向保持于旋转卡盘4的基板W的上表面吐出。在开始对基板W的上表面供给处理液之前,通过旋转卡盘4开始进行基板W绕旋转轴线A1的旋转。已着落于基板W的上表面的处理液因离心力而遍布于基板W的整个上表面。由此,基板W的上表面利用处理液而受到处理。如此,进行自第一贮存槽20A向处理单元2的液供给。因液供给,第一贮存槽20A内的处理液的量减少,处理液的液面的高度变为第二基准高度H2。
而且,在时刻t4至时刻t5期间,已供给至处理单元2的处理液经由返回流路23而返回至循环槽31(返回步骤)。已返回至循环槽31的处理液经由下游流路50回到第二贮存槽20B。如此,进行自处理单元2向第二贮存槽20B的液回收。因液回收,第二贮存槽20B内的处理液的量增大,液面的高度变得比第二基准高度H2高(例如为第一基准高度H1)。
在通过第一贮存槽20A进行液供给及通过第二贮存槽20B进行液回收的期间,第三贮存槽20C待机。第三贮存槽20C的待机中,可自新液槽25向第三贮存槽20C供给处理液。由此,可将处理液供给装置3P内的处理液的量保持为预定量以上。亦可利用通过新液槽25进行的新的处理液的供给,调整第三贮存槽20C内的处理液的浓度。
而且,在图6的时刻t5,第三上游切换阀45C及第一下游切换阀53A被打开,第一上游切换阀45A及第二下游切换阀53B被关闭。第二上游切换阀45B及第三下游切换阀53C维持着关闭的状态。
因此,在时刻t5至时刻t6,参照图7E,第三贮存槽20C内的处理液经由上游流路40向供给流路22供给。已供给至供给流路22的处理液被供给至处理单元2的处理液喷嘴5(供给步骤)。进行自第三贮存槽20C向处理单元2的液供给。因液供给,第三贮存槽20C内的处理液的量减少,处理液的液面的高度变为第二基准高度H2。
而且,在时刻t5至时刻t6,已供给至处理单元2的处理液经由返回流路23而返回至循环槽31(返回步骤)。已返回至循环槽31的处理液经由下游流路50而回到第一贮存槽20A。如此,进行自处理单元2向第一贮存槽20A的液回收。因液回收,第一贮存槽20A内的处理液的量增大,液面的高度变得比第二基准高度H2高(例如为第一基准高度H1)。
在通过第三贮存槽20C进行液供给及通过第一贮存槽20A进行液回收的期间,第二贮存槽20B待机。第二贮存槽20B的待机中,可自新液槽25向第二贮存槽20B供给处理液。由此,可将处理液供给装置3P内的处理液的量保持为预定量以上。亦可利用通过新液槽25进行的新的处理液的供给,调整第二贮存槽20B内的处理液的浓度。
然后,在图6的时刻t6,第二上游切换阀45B及第三下游切换阀53C被打开,第一下游切换阀53A及第三上游切换阀45C被关闭。第一上游切换阀45A及第二下游切换阀53B维持着关闭的状态。
因此,在时刻t6至时刻t7,参照图7F,第二贮存槽20B内的处理液经由上游流路40而被供给至供给流路22。已供给至供给流路22的处理液被供给至处理液喷嘴5(供给步骤)。进行自第二贮存槽20B向处理单元2的液供给。因液供给,第二贮存槽20B内的处理液的量减少,液面的高度变为第一基准高度H1。
然后,已供给至处理单元2的处理液经由返回流路23而返回至循环槽31(返回步骤)。已返回至循环槽31的处理液经由下游流路50而回到第三贮存槽20C。进行自处理单元2向第三贮存槽20C的液回收。因液回收,第三贮存槽20C内的处理液的量增大,处理液的液面的高度变得较第二基准高度H2高(例如为第一基准高度H1)。
在通过第二贮存槽20B进行液供给及通过第三贮存槽20C进行液回收的期间,第一贮存槽20A待机。第一贮存槽20A的待机中,可自新液槽25向第一贮存槽20A供给处理液。由此,可将处理液供给装置3P内的处理液的量保持为预定量以上。亦可利用通过新液槽25进行的新的处理液的供给,调整第一贮存槽20A内的处理液的浓度。
然后,在时刻t7,与时刻t4同样地控制上游切换阀45A至上游切换阀45C及下游切换阀53A至下游切换阀53C。由此,各贮存槽20A至贮存槽20C的作用被切换,时刻t7至时刻t8执行与时刻t4至时刻t5相同的基板处理。时刻t7以后,重复进行以时刻t4至时刻t7的基板处理为一个单位的基板处理。
根据第二实施方式,实现与第一实施方式相同的效果。
根据第二实施方式,贮存槽20设置有多个(贮存槽20A至贮存槽20C)。在进行液循环的时刻t1至时刻t4期间,将供给目标贮存槽在多个贮存槽20A至贮存槽20C中进行切换,以使供给源贮存槽与供给目标贮存槽为相同贮存槽。因此,可通过循环流路21使各贮存槽20A至贮存槽20C内的处理液循环而不会使各贮存槽20A至贮存槽20C内的处理液的量发生变化。因此,可在开始利用循环流路21进行处理液的循环之前针对每个贮存槽20A至贮存槽20C设定供给至处理单元的处理液的必要量。由此,容易对贮存槽20A至贮存槽20C内的处理液的量进行管理。
图8是表示本发明的第三实施方式的基板处理装置1Q的构成的示意图。图8中,对至此说明的构件相同的构件附上相同的附图标记,并省略其说明(后述图9及图10A至图10E亦相同)。
基板处理装置1Q的构成在以下说明的方面与第一实施方式的基板处理装置1的各构件的构成不同。
基板处理装置1Q的处理液供给装置3Q与第二实施方式的基板处理装置1P的处理液供给装置3P同样地包含多个贮存槽20(第一贮存槽20A、第二贮存槽20B及第三贮存槽20C)。
处理液供给装置3Q的上游流路40的上游端部连接于第一贮存槽20A。处理液供给装置3Q的上游流路40的下游端部连接于循环槽31的顶部31a。处理液供给装置3Q的下游流路50的上游端部连接于循环槽31的底部31b。处理液供给装置3Q的下游流路50的下游端部连接于第一贮存槽20A。
处理液供给装置3Q包含对是否向第一贮存槽20供给处理液进行切换的下游切换阀53。下游切换阀53在比下游阀52靠下游侧处安装于下游流路50。
处理液供给装置3Q包含:自第二贮存槽20B及第三贮存槽20C对第一贮存槽20A补给处理液的补给流路60,及使已供给至处理单元2的处理液回收至第二贮存槽20B及第三贮存槽20C的回收流路70。
补给流路60包含将第二贮存槽20B内的处理液补给至第一贮存槽20A的第一补给流路60A、及将第三贮存槽20C内的处理液补给至第一贮存槽20A的第二补给流路60B。
第一补给流路60A的上游端部连接于第二贮存槽20B。第一补给流路60A的下游端部连接于第一贮存槽20A。
处理液供给装置3Q包含将第一补给流路60A内的处理液向下游侧送出的第一补给泵61A、对第一补给流路60A内的处理液进行加热的第一补给加热器62A、对第一补给流路60A内的处理液进行过滤的第一补给过滤器63A、及将第一补给流路60A开闭的第一补给阀64A。第一补给泵61A、第一补给加热器62A、第一补给过滤器63A及第一补给阀64A自上游侧起依次排列而安装于第一补给流路60A。
第二补给流路60B的上游端部连接于第三贮存槽20C。第二补给流路60B的下游端部在比第一补给阀64A靠下游侧处连接于第一补给流路60A。
处理液供给装置3Q包含将第二补给流路60B内的处理液向下游侧送出的第二补给泵61B、对第二补给流路60B内的处理液进行加热的第二补给加热器62B、对第二补给流路60B内的处理液进行过滤的第二补给过滤器63B、及用以开闭第二补给流路60B的第二补给阀64B。第二补给泵61B、第二补给加热器62B、第二补给过滤器63B及第二补给阀64B自上游侧起依次排列而安装于第二补给流路60B。
回收流路70包含使已供给至处理单元2的处理液回收至第二贮存槽20B的第一回收流路70A、及使已供给至处理单元2的处理液回收至第三贮存槽20C的第二回收流路70B。
第一回收流路70A的上游端部在下游阀52与下游切换阀53之间连接于下游流路50。第一回收流路70A的下游端部连接于第二贮存槽20B。处理液供给装置3Q包含安装于第一回收流路70A而将第一回收流路70A开闭的第一回收阀71A。
第二回收流路70B的上游端部在比第一回收阀71A靠上游侧处连接于第一回收流路70A。第二回收流路70B的下游端部连接于第三贮存槽20C。处理液供给装置3Q包含安装于第二回收流路70B而将第一回收流路70A开闭的第二回收阀71B。
处理液供给装置3Q的新液流路26包含所述第二新液流路26B及第三新液流路26C。第三实施方式的第二新液流路26B与第二实施方式的第二新液流路26B不同,连接于新液槽25与第二贮存槽20B。第三实施方式的第三新液流路26C与第二实施方式的第三新液流路26C不同,自第二新液流路26B分支并连接于第三贮存槽20C。
图9是用以说明通过基板处理装置1Q进行的基板处理的一例的时序图。图10A至图10E是用以说明通过基板处理装置1Q进行的基板处理的一例的示意图。图10A至图10E表示图6的时刻t1至时刻t8中的基板处理装置1Q的动作。
在通过第三实施方式的基板处理装置1Q开始进行基板处理之前,在各贮存槽20A至贮存槽20C设定第一基准高度H1及第二基准高度H2。第一基准高度H1设定于贮存槽20A至贮存槽20C的顶部附近,第二基准高度H2设定得比第一基准高度H1低且设定于贮存槽20A至贮存槽20C的底部附近。
在通过第三实施方式的基板处理装置1Q开始进行基板处理之前,第一贮存槽20A及第三贮存槽20C的处理液的液面高度维持为第一基准高度H1。而且,第二贮存槽20B的处理液的液面高度维持为第二基准高度H2。在开始进行基板处理之前,图8所示的全部的阀24、29B、29C、44、52、53、64A、64B、71A、71B被关闭着。
然后,参照图10A,未处理的基板W保持于旋转卡盘4。执行使第一贮存槽20A内的处理液在循环流路21循环的循环步骤。详细而言,在图9的时刻t1,上游阀44被打开。然后,上游泵41开始第一贮存槽20A内的处理液的抽吸。由此,经由上游流路40而自第一贮存槽20A供给至循环槽31。
而且,在图9的时刻t1,与第一实施方式的下游阀52同样地,开始进行与循环槽31内的处理液的量相应的下游阀52的开闭控制。图10A中表示下游阀52已被打开的状态。通过控制器14进行的下游阀52的开闭控制在时刻t1至时刻t8期间持续进行。
在下游阀52已被打开的状态下,下游泵51抽吸循环槽31内的处理液,由此经由下游流路50而自循环槽31供给至第一贮存槽20A。如此,已自第一贮存槽20A送出至上游流路40的处理液自下游流路50回到第一贮存槽20A。即,第一贮存槽20A中,通过循环流路21进行液循环。
循环步骤结束后,进行自第一贮存槽20A向处理单元2的液供给、以及自处理单元2向第二贮存槽20B或第三贮存槽20C的液回收。循环步骤结束后,第一贮存槽20A发挥液供给的作用。循环步骤结束后,第二贮存槽20B及第三贮存槽20C发挥液回收、待机或液补给中的任一者的作用。
液补给是指自第二贮存槽20B或第三贮存槽20C向第一贮存槽20A补给处理液。待机是指循环步骤结束时,贮存槽20A至贮存槽20C不再发挥液供给、液回收及液补给中的任一者的作用。
详细而言,在图9的时刻t2,第一回收阀71A被打开,下游切换阀53被关闭。而且,上游阀44被关闭,供给阀24被打开。
因此,在时刻t2至时刻t3,参照图10B,第一贮存槽20A内的处理液经由上游流路40而被供给至供给流路22。已供给至供给流路22的处理液被供给至处理单元2的处理液喷嘴5(供给步骤)。已供给至处理液喷嘴5的处理液朝向保持于旋转卡盘4的基板W的上表面吐出。在开始对基板W的上表面供给处理液之前,通过旋转卡盘4开始进行基板W绕旋转轴线A1的旋转。已着落于基板W的上表面的处理液因离心力而遍布于基板W的整个上表面。由此,基板W的上表面利用处理液而受到处理。如此,进行自第一贮存槽20A向处理单元2的液供给。因液供给,第一贮存槽20A内的处理液的量减少,处理液的液面的高度变得比第一基准高度H1低。
而且,在时刻t2至时刻t3,已供给至处理单元2的处理液经由返回流路23而返回至循环槽31(返回步骤)。已返回至循环槽31的处理液通过下游泵51抽吸,并向下游流路50供给。已供给至下游流路50的处理液经由回收流路70回收至第二贮存槽20B。
如此,进行自处理单元2向第二贮存槽20B的液回收。因液回收,第二贮存槽20B内的处理液的量增大,处理液的液面的高度变得比第二基准高度H2高。
在时刻t2至时刻t3通过第一贮存槽20A进行液供给及通过第二贮存槽20B进行液回收的期间,第三贮存槽20C待机。在第三贮存槽20C的待机中,可自新液槽25向第三贮存槽20C供给处理液。由此,可将处理液供给装置3P内的处理液的量保持为预定量以上。亦可利用通过新液槽25进行的新的处理液的供给,调整第三贮存槽20C内的处理液的浓度。
在图9的时刻t3,第二补给阀64B被打开。因此,在时刻t3至时刻t4,如图10C所示,第三贮存槽20C内的处理液经由补给流路60向第一贮存槽20A补给(补给步骤)。如此,进行自第三贮存槽20C向第一贮存槽20A的液补给。另一方面,通过第一贮存槽20A进行的液供给及通过第二贮存槽20B进行的液回收持续进行。因此,第一贮存槽20A内的处理液的量及第二贮存槽20B内的处理液的量增大,第三贮存槽20C内的处理液的量减少。由此,第三贮存槽20C内的处理液的液面的高度变得比第一基准高度H1低。另一方面,第一贮存槽20A内的处理液的液面的高度为第一基准高度H1。
在图9的时刻t4,第二回收阀71B被打开,第一回收阀71A及第二补给阀64B被关闭。
因此,在时刻t4至时刻t5,参照图10D,第一贮存槽20A内的处理液经由上游流路40而被供给至供给流路22。已供给至供给流路22的处理液被供给至处理单元2的处理液喷嘴5(供给步骤)。进行自第一贮存槽20A向处理单元2的液供给。因液供给,第一贮存槽20A内的处理液的量减少,处理液的液面的高度变得比第一基准高度H1低。
而且,在时刻t4至时刻t5,已供给至处理单元2的处理液经由返回流路23而返回至循环槽31(返回步骤)。已返回至循环槽31的处理液通过下游泵51抽吸而向下游流路50供给。已供给至下游流路50的处理液经由回收流路70而回收至第三贮存槽20C。如此,进行自处理单元2向第三贮存槽20C的液回收。因液回收,第三贮存槽20C内的处理液的量增大。
在时刻t4至时刻t5通过第一贮存槽20A进行液供给及通过第三贮存槽20C进行液回收的期间,第二贮存槽20B待机。第二贮存槽20B的待机中,可自新液槽25向第二贮存槽20B供给处理液。由此,可将处理液供给装置3Q内的处理液的量保持为预定量以上。亦可利用通过新液槽25进行的新的处理液的供给,调整第二贮存槽20B内的处理液的浓度。
在图9的时刻t5,第一补给阀64A被打开。因此,在时刻t5至时刻t6,如图10E所示,第二贮存槽20B内的处理液经由补给流路60而向第一贮存槽20A补给(补给步骤)。如此,进行自第二贮存槽20B向第一贮存槽20A的液补给。另一方面,通过第一贮存槽20A进行的液供给及通过第三贮存槽20C进行的液回收持续进行。因此,第一贮存槽20A内的处理液的量及第三贮存槽20C内的处理液的量增大,第二贮存槽20B内的处理液的量减少。由此,第二贮存槽20B内的处理液的液面的高度变得比第一基准高度H1低(例如为第二基准高度H2)。另一方面,第一贮存槽20A内的处理液的液面的高度成为第一基准高度H1。
然后,在时刻t6,与时刻t2同样地切换第二贮存槽20B与第三贮存槽20C的作用。然后,在时刻t6至时刻t8,执行与时刻t2至时刻t4相同的基板处理。在时刻t6以后,重复进行以时刻t2至时刻t6的基板处理为一个单位的基板处理。
根据第三实施方式,实现与第一实施方式相同的效果。
本发明不限定于以上说明的实施方式,可进而以其他形态实施。
例如,如图1、图5及图8中双点划线所示,亦可在基板处理装置1、1P、1Q设置多个处理单元2。例如,设置与上述实施方式中说明的处理单元2相同的构成的处理单元2A。处理单元2A连接有比供给阀24靠上游侧且自供给流路22分支的供给流路22A。在供给流路22A安装有供给阀24。在处理单元2A连接有与返回流路23分开的返回流路23A的上游端部。返回流路23A的下游端部连接于与返回流路23共通的循环槽31的顶部31a。供给步骤中,供给流路22、22A向处理单元2、2A的各者供给处理液。返回步骤中,返回流路23、23A自处理单元2、2A中的各个处理单元将处理液导引至循环槽31。
如此,在自供给流路22供给至多个处理单元2中的各个处理单元的处理液经由返回流路23而共通供给至循环槽31的情形时,无须针对每个处理单元2设置循环槽31。
而且,与上述实施方式不同,亦可设置对贮存槽20内的处理液进行加热的加热器。利用该加热器对贮存槽20内的处理液进行加热,由此循环步骤中循环流路21内的处理液得以加热。即,亦可为对贮存槽20内的处理液进行加热的加热器作为温度调节单元发挥功能的构成。
而且,与上述实施方式不同,处理液供给装置3、3P、3Q亦可包含将在循环流路21循环的处理液冷却的冷却器。亦可构成为:利用该冷却器将在循环流路21循环的处理液冷却,或利用循环加热器42、42A、42B、42C将在循环流路21循环的处理液加热,由此对在循环流路21循环的处理液的温度进行调节。该情形由循环加热器42、42A、42B、42C及冷却器构成温度调节单元。而且,作为温度调节单元,亦可设置具有加热器及冷却器双方的功能的单元。
而且,与上述实施方式不同,处理液供给装置3、3P、3Q亦可以是不包含下游泵51的构成。
已对本发明的实施方式进行了详细说明,这些不过是用于使本发明的技术内容明确的具体例,本发明不应限定于这些具体例而作出解释,本发明的范围仅由随附的权利要求书所限定。
该申请案对应于2017年1月31日向日本特许厅提出的特愿2017-016103号,该申请案的全部内容通过引用而并入本文中。
【附图标记的说明】
1:基板处理装置
1P:基板处理装置
1Q:基板处理装置
2:处理单元
2A:处理单元
3:处理液供给装置
3P:处理液供给装置
3Q:处理液供给装置
7:处理腔室
8:流路盒
14:控制器(阀开闭单元)
20:贮存槽
20A:第一贮存槽
20B:第二贮存槽
20C:第三贮存槽
21:循环流路
22:供给流路
22A:供给流路
23:返回流路
23A:返回流路
30:分支部
31:循环槽
31a:顶部
31b:底部
40:上游流路
42:循环加热器(温度调节单元)
42A:第一循环加热器(温度调节单元)
42B:第二循环加热器(温度调节单元)
42C:第三循环加热器(温度调节单元)
45A:第一上游切换阀(上游切换单元)
45B:第二上游切换阀(上游切换单元)
45C:第三上游切换阀(上游切换单元)
50:下游流路
52:下游阀
53A:第一下游切换阀(下游切换单元)
53B:第二下游切换阀(下游切换单元)
53C:第三下游切换阀(下游切换单元)
D1:距离(处理液流经返回流路内的距离)
D2:距离(处理液流经下游流路内的距离)
D21:距离(处理液流经下游流路内的距离)
D22:距离(处理液流经下游流路内的距离)
D23:距离(处理液流经下游流路内的距离)
L1:第一基准高度(基准量)
W:基板

Claims (17)

1.一种处理液供给装置,对处理基板的处理单元供给处理液,包含:
贮存槽,贮存处理液;
循环流路,使所述贮存槽内的处理液循环;
供给流路,自所述循环流路对所述处理单元供给处理液;
返回流路,使已供给至所述处理单元的处理液返回至所述循环流路;以及
温度调节单元,对在所述循环流路循环的处理液的温度进行调节,
所述循环流路包含连接有所述返回流路的循环槽、自所述循环流路的上游侧连接至所述循环槽的上游流路、及自所述循环流路的下游侧连接至所述循环槽的下游流路。
2.如权利要求1所述的处理液供给装置,其中,
处理液流经所述返回流路内的距离比处理液流经所述下游流路内的距离短。
3.如权利要求1或2所述的处理液供给装置,其中,
所述循环槽包含连接有所述上游流路及所述返回流路的顶部、及连接有所述下游流路的底部。
4.如权利要求3所述的处理液供给装置,其中,还包含:
下游阀,用以开闭所述下游流路;以及
阀开闭单元,用以维持关闭所述下游阀的状态直至所述循环槽内的处理液的量达到基准量为止,在所述循环槽内的处理液的量达到所述基准量时打开所述下游阀。
5.如权利要求3所述的处理液供给装置,其中,
设置有多个所述处理单元;
自所述供给流路供给至多个所述处理单元中的各个处理单元的处理液经由所述返回流路而共通地供给至所述循环槽。
6.如权利要求1或2所述的处理液供给装置,其中,
所述循环槽比所述处理单元所具有的用以收容所述基板的处理腔室靠下方。
7.如权利要求6所述的处理液供给装置,其中,
所述循环槽与所述返回流路一起收容于与所述处理腔室邻接配置的流路盒。
8.如权利要求1或2所述的处理液供给装置,其中,
设置有多个所述贮存槽;
上述处理液供给装置还包含:
上游切换单元,将对所述循环槽或所述处理单元供给处理液的作为供给源的所述贮存槽在所述多个贮存槽中进行切换;以及
下游切换单元,以使自所述循环槽被供给处理液的作为供给目标的所述贮存槽与作为所述供给源的所述贮存槽为同一槽的方式,将作为所述供给目标的所述贮存槽在所述多个贮存槽中进行切换。
9.一种基板处理装置,包含:
权利要求1或2所述的处理液供给装置;以及
所述处理单元。
10.一种处理液供给方法,对利用处理液处理基板的处理单元供给处理液,包含:
循环步骤,使贮存处理液的贮存槽内的处理液在循环流路中循环;
温度调节步骤,对所述循环流路内的处理液的温度进行调节;
供给步骤,在所述温度调节步骤开始后,自所述循环流路对所述处理单元供给处理液;以及
返回步骤,使已在所述供给步骤中供给至所述处理单元的处理液返回至所述循环流路,
所述循环步骤中,处理液依次在与用以已供给至所述处理单元的处理液经由返回流路返回的循环槽连接的上游流路、所述循环槽及自所述循环流路的下游侧连接至所述循环槽的下游流路中流动。
11.如权利要求10所述的处理液供给方法,其中,
所述返回步骤中处理液流经所述返回流路内的距离比所述循环步骤中处理液流经所述下游流路内的距离短。
12.如权利要求10或11所述的处理液供给方法,其中,
所述循环槽包含连接有所述上游流路及所述返回流路的顶部、及连接有所述下游流路的底部。
13.如权利要求12所述的处理液供给方法,其中,
还包括阀开闭步骤,在上述阀开闭步骤中,维持用以开闭所述下游流路的下游阀关闭的状态直至所述循环槽内的处理液的量达到基准量为止,在所述循环槽内的处理液的量达到所述基准量时打开所述下游阀。
14.如权利要求12所述的处理液供给方法,其中,
所述供给步骤包含自所述循环流路对多个处理单元中的各个处理单元供给处理液的步骤;
所述返回步骤包含将已供给至多个处理单元中的各个处理单元的处理液经由所述返回流路而共通地供给至所述循环槽的步骤。
15.如权利要求10或11所述的处理液供给方法,其中,
所述循环槽比所述处理单元所具有的用以收容所述基板的处理腔室靠下方。
16.如权利要求15所述的处理液供给方法,其中,
所述循环槽与所述返回流路一起收容于与所述处理腔室邻接配置的流路盒。
17.如权利要求10或11所述的处理液供给方法,其中,
还包括切换步骤,在上述切换步骤中,以使对所述循环槽或所述处理单元供给处理液的作为供给源的所述贮存槽与被自所述循环槽供给处理液的作为供给目标的所述贮存槽为同一槽的方式,将作为所述供给源的所述贮存槽与作为所述供给目标的所述贮存槽在多个所述贮存槽中进行切换。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020035920A (ja) * 2018-08-30 2020-03-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP7220537B2 (ja) 2018-09-20 2023-02-10 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR102616521B1 (ko) * 2020-10-08 2023-12-27 세메스 주식회사 기판 처리 장치, 처리액 공급 장치 및 처리액 공급 방법
CN115881578A (zh) * 2021-09-29 2023-03-31 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 基板处理装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002075946A (ja) * 2000-08-30 2002-03-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2004179323A (ja) * 2002-11-26 2004-06-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2005103455A (ja) * 2003-09-30 2005-04-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 廃液処理機構およびこれを適用した基板処理装置
JP2009054826A (ja) * 2007-08-28 2009-03-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2013021232A (ja) * 2011-07-13 2013-01-31 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及びその液交換方法
JP2013207076A (ja) * 2012-03-28 2013-10-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理液供給装置および処理液供給方法
JP2015129612A (ja) * 2014-01-08 2015-07-16 東京エレクトロン株式会社 熱交換システム及び同熱交換システムを有する基板処理装置
JP2016032030A (ja) * 2014-07-29 2016-03-07 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4723268B2 (ja) 2005-03-23 2011-07-13 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5714449B2 (ja) * 2011-08-25 2015-05-07 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
JP6385714B2 (ja) * 2014-05-16 2018-09-05 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理装置の洗浄方法及び記憶媒体

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002075946A (ja) * 2000-08-30 2002-03-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2004179323A (ja) * 2002-11-26 2004-06-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2005103455A (ja) * 2003-09-30 2005-04-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 廃液処理機構およびこれを適用した基板処理装置
JP2009054826A (ja) * 2007-08-28 2009-03-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2013021232A (ja) * 2011-07-13 2013-01-31 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及びその液交換方法
JP2013207076A (ja) * 2012-03-28 2013-10-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理液供給装置および処理液供給方法
JP2015129612A (ja) * 2014-01-08 2015-07-16 東京エレクトロン株式会社 熱交換システム及び同熱交換システムを有する基板処理装置
JP2016032030A (ja) * 2014-07-29 2016-03-07 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

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