JP2015129612A

JP2015129612A - 熱交換システム及び同熱交換システムを有する基板処理装置

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Publication number: JP2015129612A
Application number: JP2014001608A
Authority: JP
Inventors: 金子　聡; Satoshi Kaneko; 聡金子; 一騎元松; Kazuki Motomatsu
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2014-01-08
Filing date: 2014-01-08
Publication date: 2015-07-16
Anticipated expiration: 2034-01-08
Also published as: JP6190278B2; US10081033B2; KR20150083037A; TWI607806B; TW201538233A; KR102306309B1; US20150190838A1

Abstract

【課題】基板を処理する処理流体を効率良く加熱又は冷却できる熱交換システムを提供すること。【解決手段】本発明では、熱交換システム(62)を有する基板処理装置(1)において、熱交換システム(62)は、内部を通過する流体を加熱又は冷却する熱交換器(69a,69b)と、加熱又は冷却する流体を熱交換器(69a,69b)の下部に供給する流体供給部(81)と、加熱又は冷却した流体を熱交換器(69a,69b)の上部から排出する流体排出部(82)とを有し、流体供給部(81)は、処理流体が流入する流入管(85,86)と、熱交換器(69a,69b)の上端部よりも上方に位置し、流入管(85,86)を接続した第１のマニホールド(87)と、第１のマニホールド(87)に接続され、処理流体に混入した気体を排出する排気管(88)と、第１のマニホールド(87)から熱交換器に処理流体を供給する供給管(89)とを有し、熱交換器(69a,69b)の内部を下方から上方へ向けて通過する流体を加熱又は冷却することにした。【選択図】図４

Description

本発明は、基板を処理する流体その他の流体を加熱又は冷却するための熱交換システム及び同熱交換システムを有する基板処理装置に関するものである。

従来より、半導体部品やフラットパネルディスプレイなどを製造する際に用いられる基板処理装置では、半導体ウエハや液晶用基板などの基板を熱交換器で所定温度に加熱又は冷却した処理液で洗浄やエッチングやめっきなどの各種の処理を施す。

たとえば、基板の表面に形成された回路パターンのめっき処理を行う基板処理装置では、基板を処理する処理液（めっき液）を貯留する貯留タンクと基板を処理する基板処理部との間に、加熱用の熱交換器を設けた往路と、冷却用の熱交換器を設けた復路とを形成している。

そして、従来の基板処理装置は、貯留タンクに貯留された常温の処理液を加熱用の熱交換器で所定温度に加熱してから基板処理部に供給し、基板処理部で基板を処理液でめっき処理する（たとえば、特許文献１参照。）。加熱された処理液は、熱により劣化するために冷却用の熱交換器で常温に冷却してから貯留タンクに回収する。

特開２０１３−１０９９４号公報

上記従来の基板処理装置では、特に基板処理部で使用した後の流体（めっき液）が高温のままだと熱による劣化が生じてしまい、その後の基板処理を良好に行えなくなる。そのため、熱交換器で高温の流体を迅速に冷却する必要がある。

ところが、従来の熱交換器では、流体が熱交換器の内部を上方から下方に通過する際に、流体に気体が混入する所謂「泡噛み」が発生し、混入した気体によって熱伝達が阻害され、熱交換器の効率が低減してしまい、高温の流体を迅速に冷却することができなかった。

そこで、本発明では、熱交換システムにおいて、内部を通過する流体を加熱又は冷却する熱交換器と、加熱又は冷却する流体を熱交換器の下部に供給する流体供給部と、加熱又は冷却した流体を熱交換器の上部から排出する流体排出部とを有し、前記流体供給部は、流体が流入する流入管と、前記熱交換器の上端部よりも上方に位置し、前記流入管を接続した第１のマニホールドと、前記第１のマニホールドに接続され、流体に混入した気体を排出する排気管と、前記第１のマニホールドから熱交換器に流体を供給する供給管とを有し、熱交換器の内部を下方から上方へ向けて通過する流体を加熱又は冷却することにした。

また、前記流体供給部は、流体を自重で熱交換器の下部に供給することにした。

また、前記流体排出部は、流体に気体を供給する給気管を有することにした。

また、前記流体供給部は、流体が流入する複数本の流入管と、複数の流入管を接続した第１のマニホールドと、前記第１のマニホールドから熱交換器に流体を供給する一本の供給管とを有することにした。

また、前記流体供給部は、流体を供給する一本の供給管と、供給管に接続した第２のマニホールドと、前記第２のマニホールドから複数の熱交換器に分岐して流体を供給する複数本の分岐管とを有することにした。

また、前記流体排出部は、複数の熱交換器にそれぞれ接続した分岐管と、複数本の分岐管を接続した第３のマニホールドと、前記第３のマニホールドに接続した一本の排出管とを有することにした。

また、前記流体供給部は、流体を供給する一本の供給管と、供給管に接続した第２のマニホールドと、前記第２のマニホールドから複数の熱交換器に分岐して流体を供給する複数本の分岐管とを有し、前記流体排出部は、複数の熱交換器にそれぞれ接続した分岐管と、複数本の分岐管を接続した第３のマニホールドと、前記第３のマニホールドに接続した一本の排出管とを有し、供給管から排出管に流れる流体の流路長をいずれの熱交換器を通過する場合でも同一とすることにした。

また、本発明では、基板を処理する流体を加熱又は冷却するための熱交換システムを有する基板処理装置において、熱交換システムは、内部を通過する流体を加熱又は冷却する熱交換器と、加熱又は冷却する流体を熱交換器の下部に供給する流体供給部と、加熱又は冷却した流体を熱交換器の上部から排出する流体排出部とを有し、前記流体供給部は、流体が流入する流入管と、前記熱交換器の上端部よりも上方に位置し、前記流入管を接続した第１のマニホールドと、前記第１のマニホールドに接続され、流体に混入した気体を排出する排気管と、前記第１のマニホールドから熱交換器に流体を供給する供給管とを有し、熱交換器の内部を下方から上方へ向けて通過する流体を加熱又は冷却することにした。

また、前記流体供給部は、基板を処理する基板処理部で使用した流体を自重で熱交換器の下部に供給することにした。

本発明では、熱交換器の内部に加熱又は冷却する流体とともに気体が混入するのを抑制することができ、熱交換器によって流体を加熱又は冷却する際の効率を向上させることができる。

基板処理装置を示す平面図。基板処理部を示す側面図。処理流体供給部を示すブロック図。冷却用の熱交換システムの正面図。同左側面図。同右側面図。

以下に、本発明に係る基板処理装置の具体的な構成について図面を参照しながら説明する。

図１に示すように、基板処理装置１は、前端部に搬入出部２を形成する。搬入出部２には、複数枚（たとえば、25枚）の基板３（ここでは、半導体ウエハ）を収容したキャリア４が搬入及び搬出され、左右に並べて載置される。

また、基板処理装置１は、搬入出部２の後部に搬送部５を形成する。搬送部５は、前側に基板搬送装置６を配置するとともに、後側に基板受渡台７を配置する。この搬送部５では、搬入出部２に載置されたいずれかのキャリア４と基板受渡台７との間で基板搬送装置６を用いて基板３を搬送する。

また、基板処理装置１は、搬送部５の後部に処理部８を形成する。処理部８は、中央に前後に伸延する基板搬送装置９を配置するとともに、左右両側に基板３をめっき処理するためのめっき処理装置10を配置する。この処理部８では、基板受渡台７とめっき処理装置10との間で基板搬送装置９を用いて基板３を搬送し、めっき処理装置10を用いて基板３の液処理を行う。

めっき処理装置10は、基板搬送装置９の一方側に第１〜第４の基板処理部11〜14を前後に並べて配置するとともに、基板搬送装置９の他方側に第５〜第８の基板処理部15〜18を前後に並べて配置する。また、めっき処理装置10は、第１〜第４の基板処理部11〜14に第１の処理流体供給部19を接続するとともに、第５〜第８の基板処理部15〜18に第２の処理流体供給部20を接続する。第１〜第４の基板処理部11〜14では、第１の処理流体供給部19から供給される所定温度に加熱された処理流体を用いて基板３を処理する。第５〜第８の基板処理部15〜18では、第２の処理流体供給部20から供給される所定温度に加熱された処理流体を用いて基板３を処理する。第１〜第８の基板処理部11〜18、第１及び第２の処理流体供給部19,20、その他の基板処理装置１の各部は、制御部21で制御される。

なお、第１〜第８の基板処理部11〜18は、同様の構成となっており、第１及び第２の処理流体供給部19,20は、同様の構成となっている。そのため、以下の説明では、第１の基板処理部11と第１の処理流体供給部19の構成について説明する。

第１の基板処理部11は、図２に示すように、基板３を保持しながら回転させるための基板回転部22と、基板３に処理流体（めっき液）を吐出するための処理流体吐出部23とを有する。

基板回転部22は、基板処理室24の内部略中央に上下に伸延させた回転軸25を回転自在に設けている。回転軸25の上端には、円板状のターンテーブル26が水平に取付けられている。ターンテーブル26の外周端縁には、複数個の基板保持体27が円周方向に等間隔をあけて取付けられている。

また、基板回転部22は、回転軸25に基板回転機構28と基板昇降機構29を接続している。これらの基板回転機構28及び基板昇降機構29は、制御部21によって回転制御や昇降制御される。

この基板回転部22は、ターンテーブル26の基板保持体27で基板３を水平に保持する。また、基板回転部22は、基板回転機構28でターンテーブル26に保持した基板３を回転させ、基板昇降機構29でターンテーブル26や基板３を昇降させる。

処理流体吐出部23は、基板処理室24の左側に上下に伸延させた回転軸30を回転自在に設けている。回転軸30の上端には、水平に伸延させたアーム31を設けている。アーム31の先端下部には、ノズル32を鉛直下向きに取付けている。ノズル32には、第１の処理流体供給部19が接続されている。

また、処理流体吐出部23は、回転軸30にノズル移動機構33を接続している。このノズル移動機構33は、制御部21によって制御される。

この処理流体吐出部23は、ノズル移動機構33によってノズル32を基板３の中央部と基板３の左外側方との間で往復移動させることができ、第１の処理流体供給部19から供給される所定温度の処理流体をノズル32から基板３の表面（上面）に向けて吐出させることができる。

なお、基板処理室24には、ターンテーブル26を囲繞する円環状の回収カップ34を配置している。回収カップ34の上端部には、ターンテーブル26よりも一回り大きいサイズの開口を形成している。また、回収カップ34の下端部には、第1の処理流体供給部19を接続している。そして、基板３に供給された処理流体を回収カップ34で回収して、第１の処理流体供給部19に排出する。

第１の処理流体供給部19は、図３に示すように、処理流体を常温で貯留する貯留タンク35に処理流体を加熱せずに循環させる非加熱循環流路36と、処理流体を加熱して循環させる加熱循環流路37と、第１〜第４の基板処理部11〜14から処理流体を回収する回収流路38とを接続している。

非加熱循環流路36は、貯留タンク35に接続した往路側循環流路39と復路側循環流路40との間に循環ポンプ41を設けている。往路側循環流路39には、第１〜第４の基板処理部11〜14のノズル32が分岐管42〜45を介して接続されている。分岐管42〜45の中途部には、流量調整器46〜49が接続されている。循環ポンプ41及び流量調整器46〜49は、制御部21によって制御される。

この非加熱循環流路36は、貯留タンク35に貯留された常温の処理流体を加熱せずに常温のまま循環させ、必要に応じて第１〜第４の基板処理部11〜14に常温の処理流体を供給する。

加熱循環流路37は、非加熱循環流路36の往路側循環流路39から分岐した分岐流路50に加熱用の熱交換システム51を接続し、加熱用の熱交換システム51に供給流路52を接続している。分岐流路50の中途部には、流量調整器53が接続されている。供給流路52には、第１〜第４の基板処理部11〜14のノズル32が分岐管54〜57を介して接続されている。分岐管54〜57の中途部には、流量調整器58〜61が接続されている。加熱用の熱交換システム51及び流量調整器53,58〜61は、制御部21によって制御される。

また、加熱循環流路37は、供給流路52に冷却用の熱交換システム62を流量調整器63を介して接続するとともに、冷却用の熱交換システム62と貯留タンク35とをバッファタンク64と循環ポンプ65を介して接続している。冷却用の熱交換システム62、流量調整器63、及び循環ポンプ65は、制御部21によって制御される。

ここで、加熱用の熱交換システム51は、熱交換器66の内部を流れる処理流体を加熱流体供給源67から供給された加熱流体で加熱する構成となっている。加熱流体供給源67は、制御部21によって制御される。加熱流体供給源67から供給される加熱流体の温度は温度センサ68で検出される。また、冷却用の熱交換システム62は、熱交換器69の内部を流れる処理流体を冷却流体供給源70から供給された冷却流体で冷却する構成となっている。冷却流体供給源70は、制御部21によって制御される。なお、冷却用の熱交換システム62の具体的な構成は後述する。

さらに、加熱循環流路37は、非加熱循環流路36の往路側循環流路39からバイパス流路71を分岐させ、そのバイパス流路71を供給流路52の第１〜第４の基板処理部11〜14よりも上流側に接続している。バイパス流路71の中途部には、流量調整器72が接続されている。流量調整器72は、制御部21によって制御される。供給流路52とバイパス流路71との合流部73よりも下流側であって第１〜第４の基板処理部11〜14よりも上流側の供給流路52には、温度センサ74を設けている。第１〜第４の基板処理部11〜14よりも下流側の供給流路52にも、温度センサ75を設けている。

この加熱循環流路37は、貯留タンク35に貯留された常温の処理流体を所定温度に加熱した後に、処理流体を常温に冷却して循環させ、必要に応じて第１〜第４の基板処理部11〜14に所定温度の処理流体を供給する。

回収流路38は、第１〜第４の基板処理部11〜14の回収カップ34と冷却用の熱交換システム62とを分岐管76〜79を介して接続している。

この回収流路38は、非加熱循環流路36又は加熱循環流路37から第１〜第４の基板処理部11〜14に供給された常温の又は所定温度に加熱された処理流体を冷却用の熱交換システム62で常温に冷却してから貯留タンク35に回収する。

なお、第１の処理流体供給部19から第１〜第４の基板処理部11〜14への処理流体の供給は、第１〜第４の基板処理部11〜14での基板３の処理状況に応じて、いずれか1個の第１〜第４の基板処理部11〜14だけに所定範囲の流量で供給されることもあり、また、複数個の第１〜第４の基板処理部11〜14に同時にそれぞれ同一流量又は異なる流量で供給されることもある。

次に、本発明の要部となる冷却用の熱交換システム62の詳細な構成について説明する。

冷却用の熱交換システム62は、図３に示すように、熱交換器69に冷却流体供給源70を接続している。熱交換器69としては、図４〜図６に示すように、左右一対の２個の熱交換器69a,69bを用いている。この熱交換器69a,69bには、貯留タンク35から冷却する処理流体を供給する流体供給部81と冷却した処理流体を貯留タンク35に排出する流体排出部82とが接続されている。

熱交換器69a,69bは、上下に傾斜状に立てた状態で左右に並べて配置している。このように、熱交換器69a,69bを傾斜状とすることで、上下の間隔の狭いスペースにも熱交換器69a,69bを収容することができる。各熱交換器69a,69bには、背面側上部に冷却流体流入管83a,83bが接続されるとともに、背面側下部に冷却流体流出管84a,84bが接続されている。冷却流体流入管83a,83b及び冷却流体流出管84a,84bには、冷却流体供給源70がそれぞれ接続されている。これにより、冷却流体供給源70から供給された冷却流体が冷却流体流入管83a,83bから熱交換器69a,69bの内部に流入し、熱交換器69a,69bの内部で冷却流体が上方から下方に向けて流れる際に処理流体を冷却し、その後、冷却流体流出管84a,84bから冷却流体供給源70へと流出する。

この熱交換器69a,69bは、下部に流体供給部81が接続され、上部に流体排出部82が接続されている。

これにより、熱交換器69a,69bは、下部の流体供給部81から供給された処理流体が上部の流体排出部82へと流れ、熱交換器69a,69bの内部を下方から上方に向けて流れる間に冷却流体によって冷却される。このように冷却する処理流体を下方から上方に向けて流すことで、熱交換器69a,69bの内部に処理流体とともに気体が混入する所謂「泡噛み」の発生を抑制することができ、熱交換器69a,69bによって処理流体を冷却する際の効率を向上させることができる。

流体供給部81は、上下に鉛直状に伸延させた左右２本の流入管85,86の下端部を左右に水平状に伸延させた第１のマニホールド87の上部に接続している。なお、第１のマニホールド87は、熱交換器69a,69bの上端部より上方の位置に設けられている。左側の流入管85には、第１〜第４の基板処理部11〜14の回収カップ34に連通する回収流路38が接続されており、第１〜第４の基板処理部11〜14で使用された後の処理流体が流れる。また、右側の流入管86には、加熱循環流路37が接続されており、第１〜第４の基板処理部11〜14に供給されなかった余剰の処理流体が流れる。第1のマニホールド87の右端上部には、処理流体の混入した気体を排出するための排気管88が接続されている。また、第１のマニホールド87の左端下部には、上下に傾斜状に伸延させた１本の供給管89の上端部が接続されている。

これにより、流体供給部81は、左右の流入管85,86から流入する処理流体を第１のマニホールド87で合流させて１本の供給管89から熱交換器69a,69bに供給する。その際に、処理流体の内部に気体が混入している場合には、その気体を排気管88から排出して、処理流体が円滑に流れるようにしている。排気管88は、第１のマニホールド87において流入管85,86よりも上流側（右端上部）に設け、第１のマニホールド87を上流側から下流側に向けて下方に傾斜させることで、さらに気体が円滑に排出されるようにしてもよい。

また、流体供給部81は、供給管89の下端部を左右に水平状に伸延させた第２のマニホールド90の左端上部に接続している。第２のマニホールド90の右側上部には、上下に傾斜状に伸延させた左右の２本の分岐管91a,91bの下端部が接続されている。左右の分岐管91a,91bの上端部には、左右の熱交換器69a,69bの下端部を接続している。

これにより、流体供給部81は、供給管89から流入する処理流体を第２のマニホールド90で分流させて２本の分岐管91a,91bを介して左右の熱交換器69a,69bに分岐して供給する。供給された処理流体は左右の熱交換器69a,69bで冷却される。なお、第２のマニホールド90を上流側から下流側に向けて下方に傾斜させてもよい。これにより、処理流体に気体が混入している場合には、上流側の排出管88から気体を排出させやすくなる。

流体排出部82は、左右の熱交換器69a,69bの上端部に上下に傾斜状に伸延させた左右２本の分岐管92a,92bの下端部を接続している。左右２本の分岐管92a,92bの上端部には、左右に水平状に伸延させた第３のマニホールド93の左側下部が接続されている。第３のマニホールド93の右側下部には、上下に傾斜状に伸延させた１本の排出管94の上端部が接続されている。この排出管94には、バッファタンク64と循環ポンプ65を介して貯留タンク35が接続されている。また、第３のマニホールド93の右端上部には、処理流体に気体を供給するための給気管95が接続されている。

これにより、流体排出部82は、左右の熱交換器69a,69bで冷却された処理流体を左右の分岐管92a,92bを介して第３のマニホールド93に流入させ、第３のマニホールド93で合流させた後に排出管94から排出する。その際に、処理流体の流量が少なくなったり、または、処理流体の流れが止まった場合、供給管89から排出管94の間において、サイフォンの原理が働き供給管89内の液面が下がり熱交換器69a,69b内に気体が混入するおそれがあるが、給気管95から気体が供給されることでサイフォンの原理の働きを抑制することができ、熱交換器69a,69b内に気体が混入するのを防止することができる。

なお、上記冷却用の熱交換システム62では、流体供給部81の供給管89と流体排出部82の排出管94との間を流れる処理流体の流路長を、供給管89から左側の熱交換器69aを通って排出管94へと流れる場合と、供給管89から右側の熱交換器69bを通って排出管94へと流れる場合とで同一の流路長となるようにしている。これにより、左右の熱交換器69a,69bに均等に処理流体を流すことができ、処理流体を円滑に流すことができる。

基板処理装置１は、以上に説明したように構成しており、制御部21（コンピュータ）に設けた記録媒体80に記録された各種のプログラムにしたがって制御部21で制御され、基板３の処理を行う。ここで、記録媒体80は、各種の設定データやプログラムを格納しており、ＲＯＭやＲＡＭなどのメモリーや、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭやフレキシブルディスクなどのディスク状記録媒体などの公知のもので構成される。

そして、基板処理装置１は、記録媒体80に記録された基板処理プログラムに従って基板３の処理を行う。

その際に、基板処理装置１は、貯留タンク35に貯留された常温の処理流体を所定温度に加熱して第１〜第４の基板処理部11〜14に供給するとともに、第１〜第４の基板処理部11〜14で使用した処理流体と第１〜第４の基板処理部11〜14に供給されなかった余剰の処理流体とを常温に冷却して貯留タンク35に回収する。このように、処理流体を加熱して使用することで、処理流体の機能を向上させることができ、基板３の処理を良好に行うことができる。そして、加熱した処理流体を冷却して貯留することで、処理流体の熱による劣化を防止することができ、その後の基板３の処理を良好に行うことができる。

具体的には、加熱循環流路37の循環ポンプ65を駆動させることで、処理流体を貯留タンク35の内部から往路側循環流路39、加熱用の熱交換システム51又はバイパス流路71、供給流路52、冷却用の熱交換システム62、バッファタンク64、循環ポンプ65を順に介して貯留タンク35の内部へと連続して循環させる。その際に、加熱用の熱交換システム51を駆動させることで、加熱流体供給源67から加熱流体を熱交換器66に供給し、熱交換器66の内部で処理流体を加熱して供給流路52の合流部73へと供給する。この合流部73へは、加熱用の熱交換システム51で加熱した処理流体だけでなく常温の処理流体もバイパス流路71を介して供給される。これにより、加熱された処理流体と常温の処理流体が合流部73で混合され常温よりも高い温度となって供給流路52を流れる。この処理流体は、冷却用の熱交換システム62で常温に冷却されてから貯留タンク35に戻される。

冷却用の熱交換システム62では、第１〜第４の基板処理部11〜14で使用された後の処理流体が自重によって左側の流入管85から第１のマニホールド87に流入し、第１〜第４の基板処理部11〜14に供給されなかった余剰の処理流体が自重によって右側の流入管86から第１のマニホールド87に流入する。その後、第１のマニホールド87で合流された処理流体が供給管89を介して第２のマニホールド90に流入する。その後、第２のマニホールド90で分流された処理流体が分岐管91a,91bを介して左右の熱交換器69a,69bの下部に供給される。

そして、冷却用の熱交換システム62では、熱交換器69a,69bの下部に供給された処理流体が熱交換器69a,69bの内部において下方から上方に向けて流れ、熱交換器69a,69bの上部から排出される。処理流体は、熱交換器69a,69bの内部を下方から上方に向けて流れる間に冷却流体によって冷却される。

その後、冷却用の熱交換システム62では、熱交換器69a,69bで冷却された処理流体が分岐管92a,92bを介して第３のマニホールド93に流入し、第３のマニホールド93で合流された後に排出管94から排出される。

以上に説明したように、上記基板処理装置１では、基板３を処理する処理流体を冷却するための熱交換システム62を有しており、その熱交換システム62は、内部を通過する流体を冷却する熱交換器69と、冷却する処理流体を熱交換器69の下部に供給する流体供給部81と、冷却した処理流体を熱交換器69の上部から排出する流体排出部82とを有し、流体供給部81は、処理流体が流入する流入管85、86と、熱交換器69a，69bの上端部よりも上方に位置し、流入管85、86を接続した第１のマニホールド87と、第１のマニホールド87に接続され、処理流体に混入した気体を排出する排気管88と、第１のマニホールド87から熱交換器に処理流体を供給する供給管89とを有する構成となっている。そして、上記構成の基板処理装置１では、熱交換システム62によって、熱交換器69の内部を下方から上方へ向けて通過する流体を冷却する。

そのため、上記構成の基板処理装置１では、熱交換器69の内部に冷却する処理流体とともに気体が混入するのを抑制することができ、熱交換器69によって流体を冷却する際の効率を向上させることができる。特に、処理流体の自重によって熱交換器69の下部に処理流体を供給した場合には、ポンプ等を設ける必要がなく、そのためのコスト増やスペース増を招くことなく、処理流体を熱交換器69に迅速に供給することができる。

なお、上記基板処理装置１では、冷却用の熱交換システム62に本発明を適用しているが、これに限られず、加熱用の熱交換システム51に本発明を適用することもできる。また、本発明は、流体としてめっき液を用いる場合に限られず、加熱又は冷却して使用する洗浄液やリンス液やエッチング液などの各種処理流体を用いた基板処理装置に適用することができる。さらに、本発明は、基板処理装置に限られず、流体を加熱又は冷却する熱交換システムにも適用することができる。

62 熱交換システム
69a,69b 熱交換器
81 流体供給部
82 流体排出部
85,86 流入管
87,90,93 マニホールド
88 排気管
89 供給管
91a,91b,92a,92b 分岐管
94 排出管
95 給気管

Claims

内部を通過する流体を加熱又は冷却する熱交換器と、
加熱又は冷却する流体を熱交換器の下部に供給する流体供給部と、
加熱又は冷却した流体を熱交換器の上部から排出する流体排出部と、
を有し、
前記流体供給部は、
流体が流入する流入管と、
前記熱交換器の上端部よりも上方に位置し、前記流入管を接続した第１のマニホールドと、
前記第１のマニホールドに接続され、流体に混入した気体を排出する排気管と、
前記第１のマニホールドから熱交換器に流体を供給する供給管と、
を有し、
熱交換器の内部を下方から上方へ向けて通過する流体を加熱又は冷却することを特徴とする熱交換システム。
前記流体供給部は、流体を自重で熱交換器の下部に供給することを特徴とする請求項１に記載の熱交換システム。
前記流体排出部は、流体に気体を供給する給気管を有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の熱交換システム。
前記流体供給部は、流体が流入する複数本の流入管と、複数の流入管を接続した第１のマニホールドと、前記第１のマニホールドから熱交換器に流体を供給する一本の供給管とを有することを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の熱交換システム。
前記流体供給部は、流体を供給する一本の供給管と、供給管に接続した第２のマニホールドと、前記第２のマニホールドから複数の熱交換器に分岐して流体を供給する複数本の分岐管とを有することを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の熱交換システム。
前記流体排出部は、複数の熱交換器にそれぞれ接続した分岐管と、複数本の分岐管を接続した第３のマニホールドと、前記第３のマニホールドに接続した一本の排出管とを有することを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の熱交換システム。
前記流体供給部は、流体を供給する一本の供給管と、供給管に接続した第２のマニホールドと、前記第２のマニホールドから複数の熱交換器に分岐して流体を供給する複数本の分岐管とを有し、
前記流体排出部は、複数の熱交換器にそれぞれ接続した分岐管と、複数本の分岐管を接続した第３のマニホールドと、前記第３のマニホールドに接続した一本の排出管とを有し、
供給管から排出管に流れる流体の流路長をいずれの熱交換器を通過する場合でも同一としたことを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の熱交換システム。
基板を処理する流体を加熱又は冷却するための熱交換システムを有する基板処理装置において、
熱交換システムは、
内部を通過する流体を加熱又は冷却する熱交換器と、
加熱又は冷却する流体を熱交換器の下部に供給する流体供給部と、
加熱又は冷却した流体を熱交換器の上部から排出する流体排出部と、
を有し、
前記流体供給部は、
流体が流入する流入管と、
前記熱交換器の上端部よりも上方に位置し、前記流入管を接続した第１のマニホールドと、
前記第１のマニホールドに接続され、流体に混入した気体を排出する排気管と、
前記第１のマニホールドから熱交換器に流体を供給する供給管と、
を有し、
熱交換器の内部を下方から上方へ向けて通過する流体を加熱又は冷却することを特徴とする熱交換システムを有する基板処理装置。
前記流体供給部は、基板を処理する基板処理部で使用した流体を自重で熱交換器の下部に供給することを特徴とする請求項８に記載の熱交換システムを有する基板処理装置。