WO2022163450A1 - 基板液処理装置及び基板液処理方法 - Google Patents

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WO2022163450A1
WO2022163450A1 PCT/JP2022/001702 JP2022001702W WO2022163450A1 WO 2022163450 A1 WO2022163450 A1 WO 2022163450A1 JP 2022001702 W JP2022001702 W JP 2022001702W WO 2022163450 A1 WO2022163450 A1 WO 2022163450A1
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liquid
substrate
supply path
processing
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PCT/JP2022/001702
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Inventor
聡 金子
Original Assignee
東京エレクトロン株式会社
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Definitions

  • the present disclosure relates to a substrate liquid processing apparatus and a substrate liquid processing method.
  • the liquid processing of the substrate can be promoted.
  • the present disclosure provides an advantageous technique for heating the substrate and the processing liquid with a simple device configuration.
  • One aspect of the present disclosure is a nozzle member having a substrate holding portion that holds a substrate, a first supply path, and an ejection port connected to the first supply path and positioned above the substrate; a lower heater positioned and having a second supply channel through which a processing liquid flows, for heating the peripheral region of the substrate and the processing liquid in the second supply channel, the first supply channel being connected to the second supply channel;
  • the present invention relates to a substrate liquid processing apparatus in which a processing liquid supplied from a second supply path to an ejection port through a first supply path is ejected from the ejection port toward a substrate.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of an example of a processing system.
  • FIG. 2 is a diagram schematically showing an example of a processing unit (substrate liquid processing apparatus) according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing an example of the support contact portion, showing the support contact portion in a wide-area contact support state.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing an example of the support method switching unit, showing the support method switching unit in a wide contact support state.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing an example of a support contact portion, showing the support contact portion in a narrow-range contact support state.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of an example of a processing system.
  • FIG. 2 is a diagram schematically showing an example of a processing unit (substrate liquid processing apparatus) according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing an example of the support contact portion, showing the support contact portion in a
  • FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing an example of the support method switching unit, showing the support method switching unit in the narrow-area contact support state.
  • FIG. 7 is a top view showing an example of the top plate.
  • FIG. 8 is a functional block diagram showing an example of a control configuration of a processing unit;
  • FIG. 9 is an enlarged view of a processing unit for explaining an example of the substrate liquid processing method according to the first embodiment.
  • FIG. 10 is an enlarged view of a processing unit for explaining an example of the substrate liquid processing method according to the first embodiment.
  • FIG. 11 is an enlarged view of a processing unit for explaining an example of the substrate liquid processing method according to the first embodiment.
  • FIG. 12 is an enlarged view of a processing unit for explaining an example of the substrate liquid processing method according to the first embodiment.
  • FIG. 13 is an enlarged view of a processing unit for explaining an example of the substrate liquid processing method according to the first embodiment.
  • FIG. 14 is an enlarged view of a processing unit for explaining an example of the substrate liquid processing method according to the first embodiment.
  • FIG. 15 is an enlarged view of a processing unit for explaining an example of the substrate liquid processing method according to the first embodiment.
  • FIG. 16 is a diagram schematically showing an example of a processing unit (substrate liquid processing apparatus) according to the second embodiment.
  • FIG. 17 is an enlarged view of a processing unit for explaining an example of the substrate liquid processing method according to the second embodiment.
  • FIG. 18 is an enlarged view of a processing unit for explaining an example of the substrate liquid processing method according to the second embodiment.
  • FIG. 19 is an enlarged view of a processing unit for explaining an example of the substrate liquid processing method according to the second embodiment.
  • FIG. 20 is an enlarged view of a processing unit for explaining an example of the substrate liquid processing method according to the second embodiment.
  • FIG. 21 is an enlarged view of a processing unit for explaining an example of a substrate liquid processing method according to the second embodiment.
  • FIG. 22 is an enlarged view of a processing unit for explaining an example of a substrate liquid processing method according to the second embodiment.
  • FIG. 23 is a diagram schematically showing an example of a processing unit (substrate liquid processing apparatus) according to the third embodiment. 24 is a top view of the top plate shown in FIG. 23.
  • FIG. FIG. 25 is a diagram schematically showing an example of a processing unit (substrate liquid processing apparatus) according to the first modified example.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of an example of a processing system 80.
  • the processing system 80 shown in FIG. 1 has a loading/unloading station 91 and a processing station 92 .
  • the loading/unloading station 91 includes a loading section 81 having a plurality of carriers C, and a transport section 82 provided with a first transport mechanism 83 and a delivery section 84 .
  • Each carrier C accommodates a plurality of substrates W in a horizontal state.
  • the processing station 92 is provided with a plurality of processing units 10 installed on both sides of the transport path 86 and a second transport mechanism 85 that reciprocates on the transport path 86 .
  • the substrate W is picked up from the carrier C by the first transport mechanism 83 and placed on the delivery section 84 , and taken out from the delivery section 84 by the second transport mechanism 85 . Then, the substrate W is carried into the corresponding processing unit 10 by the second transport mechanism 85 and subjected to a predetermined liquid treatment (plating treatment in this embodiment) in the corresponding processing unit 10 . After that, the substrate W is taken out from the corresponding processing unit 10 by the second transport mechanism 85 and placed on the transfer section 84 , and then returned to the carrier C of the placing section 81 by the first transport mechanism 83 .
  • the processing system 80 includes a control section 93 .
  • the control unit 93 is configured by a computer, for example, and has an arithmetic processing unit and a storage unit.
  • the storage unit of the control unit 93 stores programs and data for various processes performed by the processing system 80 .
  • the arithmetic processing unit of the control unit 93 appropriately reads and executes programs stored in the storage unit, thereby controlling various devices of the processing system 80 and performing various processes.
  • the programs and data stored in the storage unit of the control unit 93 may have been recorded on a computer-readable storage medium and may have been installed from the storage medium into the storage unit.
  • Examples of computer-readable storage media include hard disks (HD), flexible disks (FD), compact disks (CD), magnet optical disks (MO), and memory cards.
  • FIG. 2 is a diagram schematically showing an example of the processing unit 10 (substrate liquid processing apparatus) according to the first embodiment.
  • the processing chamber 11 is seen through and the apparatus located inside the processing chamber 11 is illustrated, including a substrate holding portion 12 (especially a support contact portion 12b), a top plate 13, a lower heater 14 and a cup structure 15. are shown in cross section.
  • the processing unit 10 of the present embodiment applies a plating solution to the substrate W to perform plating (for example, electroless plating).
  • plating for example, electroless plating
  • some or all of the plurality of processing units 10 (see FIG. 1) included in the processing system 80 may be provided as units that perform other processing.
  • the technology described below can also be applied to substrate liquid processing apparatuses and substrate liquid processing methods that perform liquid processing other than plating processing.
  • the processing unit 10 includes a processing chamber 11 , a substrate holder 12 , a top plate 13 , a lower heater 14 and a cup structure 15 .
  • a substrate holder 12 , a top plate 13 , a lower heater 14 and a cup structure 15 are installed inside the processing chamber 11 .
  • the substrate holding unit 12 rotatably holds the substrate W supplied via the second transport mechanism 85 (see FIG. 1).
  • the substrate holding part 12 supports the disk-shaped substrate W so that the central axis of the disk-shaped substrate W coincides with the rotation axis A. As shown in FIG.
  • the substrate holding section 12 of this embodiment has a support drive section 12a and a support contact section 12b.
  • the support contact portion 12b can contact the substrate W and directly support the substrate W.
  • the support contact portion 12b shown in FIG. 2 supports the central region of the substrate W through which the axis of rotation A passes, but exposes the peripheral region of the substrate W without supporting it.
  • the method of supporting the substrate W by the supporting contact portion 12b is not limited.
  • the support contact portion 12b may employ a vacuum system that supports the substrate W by sucking the substrate W. As shown in FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing an example of the support contact portion 12b, showing the support contact portion 12b in a wide-area contact support state.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing an example of the support method switching unit 45, showing the support method switching unit 45 in a wide contact support state.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing an example of the support contact portion 12b, showing the support contact portion 12b in the narrow contact support state.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing an example of the support method switching unit 45, showing the support method switching unit 45 in the narrow-area contact support state.
  • the support contact portion 12b of the present embodiment can switch the method of supporting the substrate W between a wide-area contact support method and a narrow-area contact support method.
  • the support contact portion 12b has a support method switching portion 45 having an annular planar shape.
  • the support method switching unit 45 can be placed in a protruding state (see FIG. 6) in which it protrudes from the support placement surface 12c and a non-protrusion state (see FIG. 4) in which it does not protrude from the support placement surface 12c. .
  • the switching between the protruding state and the non-protruding state of the support method switching portion 45 can be implemented by any device configuration and any method.
  • the hollow part 45a inside the support method switching unit 45 is connected to the support switching driving unit (see FIG. 8 described later) through the driving fluid path 46.
  • FIG. 8 The state of the support method switching portion 45 is switched between the projecting state and the non-projecting state by the support switching driving portion adjusting the air pressure of the hollow portion 45a.
  • the support method switching portion 45 can be contracted to a non-protruding state (see FIG. 4).
  • a relatively low pressure for example, vacuum pressure
  • the support method switching portion 45 can be contracted to a non-protruding state (see FIG. 4).
  • a relatively high pressure for example, atmospheric pressure (standard pressure)
  • the support method switching portion 45 can be expanded and protruded (see FIG. 6).
  • the support method switching portion 45 is placed in a non-protruding state (see FIGS. 3 and 4). As a result, the substrate W is placed on the support placement surface 12c and is contacted and supported by the support contact portion 12b (especially the support placement surface 12c) over a relatively wide range.
  • the support method switching unit 45 placed in the non-protruding state may or may not contact the substrate W placed on the support placement surface 12c.
  • the support method switching portion 45 is placed in a projecting state (see FIGS. 5 and 6).
  • the substrate W is placed on the support method switching unit 45 while being separated from the support placement surface 12c.
  • the range (area) of the portion of the substrate W that contacts the support method switching unit 45 in the narrow contact support method is smaller than the range (area) of the portion of the substrate W that contacts the support mounting surface 12c in the wide contact support method. . Therefore, in the narrow-area contact support method, the substrate W is supported with a narrower contact area than in the wide-area contact support method, and heat transfer from the substrate W to the substrate holder 12 can be suppressed.
  • the support drive section 12a shown in FIG. 2 applies rotational power to the support contact section 12b to rotate the substrate W supported by the support contact section 12b about the rotation axis A together with the support contact section 12b.
  • the support driving portion 12a of the present embodiment can not only rotate the support contact portion 12b about the rotation axis A, but also move the support contact portion 12b vertically along the rotation axis A. .
  • the support driving part 12a shown in FIG. and a rotary drive main body for causing the rotation.
  • the rotary drive shaft and rotary drive body can have any configuration.
  • a drive for rotating the rotary drive shaft may comprise, for example, a motor, an endless belt and a pulley.
  • a drive for moving the rotary drive shaft in the height direction may comprise, for example, a motor and a ball screw.
  • the top plate 13 is movably provided under the control of the control section 93 and covers the substrate W held by the substrate holding section 12 .
  • the top plate 13 of this embodiment functions as a nozzle member having the first supply passage 21 and the ejection port 22 .
  • the discharge port 22 is connected to the first supply path 21 and positioned above the substrate W, and the processing liquid supplied through the first supply path 21 is applied to the substrate W held by the substrate holding part 12 . Dispense toward the top surface of the.
  • a neutralizer 24 is provided in the first supply path 21 .
  • the treatment liquid is sent to the ejection port 22 after static electricity is removed by the static eliminator 24 in the first supply path 21 .
  • the opening (hereinafter also referred to as “liquid inflow opening”) at the end of the first supply path 21 opposite to the end connected to the discharge port 22 (the right end in FIG. 2) is a seal body. 23. This liquid inflow opening of the first supply path 21 is positioned lower than the discharge port 22 in the height direction.
  • the seal body 23 is typically composed of an O-ring.
  • FIG. 7 is a top view showing an example of the top plate 13.
  • FIG. 7 the ejection port 22 and each seal member 23 provided on the lower surface of the top plate 13 and the first supply path 21 provided inside the top plate 13 are indicated by dotted lines.
  • a plurality of (preferably three or more) sealing bodies 23 are provided on the top plate 13 .
  • One of these seal bodies 23 is the seal body 23 (see FIG. 2) surrounding the liquid inlet opening of the first supply passage 21 .
  • seal bodies 23 (especially the lower surface of the seal bodies 23) are positioned on the same horizontal plane and arranged at equal angular intervals with respect to the rotation axis A, which is the central axis of the top plate 13, or the discharge port 22. Thereby, when the top plate 13 and the lower heater 14 are connected to each other via the seal member 23, the distance between the top plate 13 and the lower heater 14 can be kept constant throughout.
  • the top plate 13 of this embodiment has a heater (not shown in FIG. 2; see “upper heater 16" shown in FIG. 8 described later).
  • the installation form of the upper heater is not limited.
  • the upper heater may be provided above the first supply path 21 shown in FIG. 2 or may be provided below the first supply path 21 .
  • the substrate W and the processing liquid on the substrate W can be actively heated by the heat emitted from the upper heater.
  • the lower heater 14 is positioned below the substrate W held by the substrate holding part 12 and has a second supply path 31 through which the processing liquid flows.
  • the lower heater 14 shown in FIG. 2 has an annular planar shape facing the peripheral region of the substrate W (especially the lower surface of the substrate W), and the second supply path 31 has a spiral planar shape.
  • the lower heater 14 heats the peripheral region of the substrate W and the processing liquid in the second supply path 31 under the control of the controller 93 .
  • a specific heating method of the lower heater 14 is not limited.
  • a heating wire may be embedded in the lower heater 14.
  • the lower heater 14 can heat the peripheral region of the substrate W and the processing liquid in the second supply path 31 by applying an electric current to the heating wire.
  • the lower heater 14 may have a heating medium flow path (not shown).
  • the lower heater 14 heats the peripheral region of the substrate W and the processing liquid in the second supply path 31 by flowing a heating medium (for example, high-temperature DIW (De-Ionized Water)) through the heating medium flow path.
  • a heating medium for example, high-temperature DIW (De-Ionized Water)
  • DIW at a desired temperature is supplied from a hot water supply device (not shown) to the heating medium flow path, the DIW discharged from the heating medium flow path is heated by the hot water supply device, and the heated DIW is again supplied from the hot water supply device.
  • DIW heating medium
  • DIW heating medium
  • the second supply channel 31 has a channel length sufficient for heating the processing liquid in the second supply channel 31 by the lower heater 14 .
  • the second supply channel 31 may have, for example, a meandering shape.
  • the second supply path 31 of the present embodiment has a spirally extending liquid guide path 31a and a liquid retention portion 31b connected to the liquid guide path 31a.
  • the liquid guide path 31a forms one side portion of the second supply path 31 to which the processing liquid supply section 40 is connected, and the liquid retention section 31b forms an opening on the other side of the second supply path 31 (hereinafter referred to as "liquid outflow opening"). ) is formed.
  • the processing liquid supply unit 40 supplies a plurality of types of processing liquids including the plating solution and DIW to the second supply path 31 .
  • a specific connection form between the liquid guide path 31a and the liquid retention portion 31b is not limited.
  • the liquid guide path 31a may be connected to the liquid retention portion 31b only through a through hole (not shown) extending in the horizontal direction. That is, the liquid guide path 31a and the liquid retention portion 31b are connected to each other through the through hole, but the liquid guide path 31a and the liquid retention portion 31b may be isolated from each other at locations other than the through hole.
  • the opening of the liquid guide path 31a on the side connected to the liquid retention portion 31b is isolated from the surroundings by the liquid retained in the liquid retention portion 31b.
  • a sealing liquid supply section 41 is connected to the liquid retention section 31 b via a sealing liquid supply path 32 .
  • the sealing liquid supply section 41 supplies the sealing liquid to the liquid retention section 31 b under the control of the control section 93 .
  • the sealing liquid supply section 41 may continuously supply the sealing liquid to the liquid retention section 31b to cause the sealing liquid to overflow from the liquid retention section 31b.
  • the processing liquid in the liquid guide path 31a is isolated from the surroundings by the sealing liquid stored in the liquid retention portion 31b.
  • the sealing liquid supply section 41 of the present embodiment supplies DIW as the sealing liquid to the liquid retention section 31b.
  • a liquid retention groove 33 , a first gas supply path 34 and a gas discharge path 35 are formed on the upper surface of the lower heater 14 .
  • An inert gas for example, nitrogen
  • the gas exhaust path 35 draws gas (including inert gas) from above the lower heater 14 and guides the gas outward.
  • Each of the first gas supply path 34 and the gas discharge path 35 shown in FIG. 2 has an annular planar shape, faces the peripheral edge of the lower surface of the substrate W held by the substrate holding part 12, and is located in the first direction.
  • the gas discharge path 35 is positioned closer to the rotation axis A than the gas supply path 34 .
  • the positions and installation forms of the first gas supply path 34 and the gas discharge path 35 are not limited.
  • the liquid holding groove 33 is positioned near the peripheral region of the substrate W held by the substrate holding portion 12 . At least part of the processing liquid spilled from the substrate W is retained in the liquid retaining groove 33 .
  • the processing liquid stored in the liquid retaining groove 33 is connected with the processing liquid adhering to the substrate W (particularly, the side end surface and/or the back surface of the substrate W) by its surface tension.
  • the processing liquid protruding from the liquid retaining grooves 33 adheres continuously to the peripheral region and the side end surfaces of the lower surface of the substrate W.
  • the peripheral edge region and the side end surfaces of the lower surface of the substrate W can be continuously treated with the treatment liquid.
  • the behavior of the processing liquid on the peripheral area of the substrate W is unstable.
  • the peripheral edge region and the side edge surfaces of the lower surface of the substrate W are not covered with the processing liquid, it is not easy to stably secure a sufficient film thickness of the processing liquid on the peripheral edge region and the side edge surfaces of the substrate W. do not have.
  • the film thickness of the processing liquid in the peripheral region of the upper surface of the substrate W is prevented from being reduced, and the peripheral region of the substrate W is prevented from being reduced.
  • the entire area can be properly treated with the treatment liquid.
  • liquid retaining groove 33 may not be provided when the peripheral region of the lower surface of the substrate W and the side end surfaces do not need to be processed with the processing liquid.
  • the top plate 13 and the lower heater 14 are arranged at the connection position and the non-connection position.
  • the first supply path 21 and the second supply path 31 are connected to each other.
  • the first supply path 21 is connected to the second supply path 31, and the processing liquid supplied from the second supply path 31 to the ejection port 22 through the first supply path 21 flows from the ejection port 22 toward the substrate W. Dispensed.
  • the processing liquid heated by the lower heater 14 is applied to the substrate W in the second supply path 31 .
  • the first supply path 21 and the second supply path 31 are separated from each other, and the first supply path 21 and the second supply path 31 are separated from each other.
  • the connection with the second supply path 31 is cut off.
  • the cup structure 15 has a ring-shaped planar shape and is provided so as to surround the substrate W held by the substrate holding portion 12 .
  • the cup structure 15 receives the liquid scattered from the substrate W and guides it to a drain duct (not shown), and regulates the gas flow so as to prevent the gas around the substrate W from diffusing.
  • the cup structure 15 may have a cup mainly for guiding the liquid and a cup mainly for adjusting the flow of the gas as separate bodies.
  • the processing unit 10 may further comprise other devices not mentioned above.
  • the processing unit 10 of the present embodiment further includes a rinse liquid discharger (see FIGS. 8 and 15 described later). Under the control of the controller 93, the rinse liquid ejector moves inside the processing chamber 11 and ejects the rinse liquid.
  • the processing unit 10 includes an air supply device for supplying an inert gas into the processing chamber 11 , an exhaust device for discharging gas from the processing chamber 11 , and a liquid dropping (scattering) from the substrate W into the processing chamber 11 .
  • a drainage device may be provided for draining from.
  • FIG. 8 is a functional block diagram showing an example of the control configuration of the processing unit 10. As shown in FIG.
  • the control unit 93 includes the upper heater 16 , the lower heater 14 , the substrate rotation driving unit 51 , the substrate vertical driving unit 52 , the top plate driving unit 53 , the processing liquid supply unit 40 , the sealing liquid supply unit 41 , and the rinse liquid discharge unit 27 . and a support switching drive unit 54 are connected.
  • Upper heater 16 , lower heater 14 , substrate rotation drive unit 51 , substrate vertical drive unit 52 , top plate drive unit 53 , processing liquid supply unit 40 , sealing liquid supply unit 41 , rinse liquid discharge unit 27 , and support switching drive unit 54 are driven under the control of the controller 93 .
  • the upper heater 16 and the lower heater 14 are controlled by the controller 93 to adjust the amount of heat generated.
  • the substrate rotation drive section 51 is controlled by the control section 93 to adjust the rotation state of the rotation drive shaft and the support contact section 12b (and thus the substrate W).
  • the substrate vertical drive unit 52 is controlled by the control unit 93 to adjust the height direction positions of the rotary drive shaft and the support contact portion 12b (and thus the substrate W).
  • the top plate driving section 53 is controlled by the control section 93 to move the top plate 13 and adjust the arrangement of the top plate 13 .
  • the processing liquid supply unit 40 is controlled by the control unit 93 to adjust the type, amount, and supply timing of the processing liquid supplied to the second supply path 31 .
  • the sealing liquid supply section 41 is controlled by the control section 93 to adjust the amount of the sealing liquid to be supplied to the liquid retention section 31b and the supply timing.
  • the rinse liquid discharger 27 is controlled by the controller 93 to adjust the movement of the rinse liquid discharger 27, the amount of the rinse liquid discharged from the rinse liquid discharger 27, and the discharge timing.
  • the support switching drive unit 54 is controlled by the control unit 93 to switch the state of the support method switching unit 45 (that is, the protruding state and the non-protruding state).
  • control unit 93 may control a gas supply unit that supplies inert gas to the first gas supply path 34 or a gas suction unit that sucks gas through the gas discharge path 35 .
  • the substrate liquid processing method described below is carried out by appropriately controlling various devices provided in the processing unit 10 by the control unit 93 .
  • 9 to 15 are enlarged views of the processing unit 10 for explaining an example of the substrate liquid processing method according to the first embodiment. 9-15, top plate 13 and lower heater 14 are shown in cross section.
  • the processing unit 10 is shown in a simplified manner.
  • the spiral liquid guide path 31a is shown in simplified form. 9 to 15, illustration of the first gas supply path 34, the gas discharge path 35, and the neutralizer 24 is omitted.
  • the processing unit 10 is placed in a preparation state as shown in FIG. 9 (preparation step).
  • the top plate 13 is placed at the retracted position and separated upward from the lower heater 14 .
  • the liquid guide path 31 a is filled with the plating liquid L 1 supplied from the processing liquid supply section 40
  • the liquid retention section 31 b is filled with DIWL 3 supplied from the sealing liquid supply section 41 .
  • the plating solution L1 in the solution guide path 31a is heated by the lower heater 14. As shown in FIG.
  • the processing unit 10 is placed in a substrate setting state as shown in FIG. 10 (substrate setting process).
  • the substrate W supplied from the second transport mechanism 85 (see FIG. 1) is placed at the processing position while being held by the substrate holding section 12 .
  • a peripheral area of the substrate W placed in the processing position is located above and near the lower heater 14 and is heated by the lower heater 14 .
  • the plating solution L1 in the solution guide path 31a is also heated by the lower heater .
  • the top plate 13 is moved and placed at the cover position shown in FIG.
  • the first supply path 21 and the second supply path 31 are connected to each other while being sealed by the seal body 23 .
  • inert gas is jetted out from the first gas supply passage 34 (see FIG. 2).
  • the space between the top plate 13 and the lower heater 14 that is, the space in which the substrate W is arranged
  • the jetting of the inert gas from the first gas supply path 34 is continued until the solution treatment using the plating solution L1 (that is, the plating treatment) is completed.
  • the DIWL3 is stored in the liquid retention portion 31b, and the plating solution L1 in the liquid guide path 31a is sealed by the DIWL3 in the liquid retention portion 31b.
  • the sealing liquid supply section 41 may stop supplying the DIWL3 to the liquid retention section 31b, or may supply a small amount of DIWL3 to the liquid retention section 31b.
  • the processing unit 10 is placed in a paddle forming state as shown in FIG. 11 (paddle forming step).
  • DIWL2 is newly supplied from the processing liquid supply unit 40 to the liquid guide path 31a.
  • the plating solution L1 (see FIG. 10) in the solution guide path 31a is pushed out by the newly supplied DIWL2, passes through the second supply path 31 and the first supply path 21, and is discharged from the discharge port 22. , is supplied to the substrate W (particularly the top surface).
  • the plating solution L1 is supplied from the second supply path 31 to the ejection port 22 via the first supply path 21, and is ejected from the ejection port 22 toward the substrate W. A puddle of the plating solution L1 is formed, and plating of the substrate W is started. When the formation of the puddle of the plating solution L1 on the substrate W is completed, the second supply path 31 and the first supply path 21 are filled with DIWL2.
  • the support method switching portion 45 is placed in a protruding state, and the substrate W is supported by the substrate holding portion 12 by the narrow contact support method (see FIGS. 5 and 6).
  • the heat transfer from the substrate W and the plating solution L1 on the substrate W to the substrate holding portion 12 (especially the support contact portion 12b) can be suppressed, and the substrate W and the paddle can be prevented from being lowered in temperature.
  • the support method switching unit 45 should be placed in a projecting state before the plating solution L1 from the discharge port 22 is placed on the substrate W. is preferred.
  • the substrate W is rotated about the rotation axis A by the substrate holding part 12 as necessary.
  • the plating solution L1 dropped from the substrate W is caught in the solution holding grooves 33 of the lower heater 14, and is connected to the plating solution L1 on the substrate W while protruding upward from the solution holding grooves 33 due to surface tension.
  • the plating solution L1 adheres also to the side end surfaces and the lower surface peripheral regions of the substrate W, and the plating process progresses on the side end surfaces and the lower surface peripheral regions of the substrate W as well.
  • the processing unit 10 is placed in a self-weight drain state as shown in FIG. 12 (self-weight drain process).
  • the top plate 13 moves from the cover position to the raised position and is arranged at a position separated from the lower heater 14 upward. Thereby, the first supply channel 21 and the second supply channel 31 are placed in a non-connected state, and the liquid inlet opening of the first supply channel 21 is opened toward the surrounding environment.
  • the DIWL2 (see FIG. 11) in the first supply path 21 is discharged from the first supply path 21 by its own weight under the influence of gravity, and the first supply path 21 can be cleaned by the DIWL2.
  • the DIWL 2 in the first supply path 21 is basically drained from the ejection port 22 by its own weight drain. It is not discharged, but is discharged through the liquid inlet opening.
  • the DIWL 2 discharged from the first supply path 21 in this manner falls toward the liquid retention portion 31b of the lower heater 14. Therefore, the DIWL2 dropped from the first supply path 21 and the DIWL3 supplied from the sealing liquid supply section 41 are stored in a mixed state in the liquid retention section 31b. In this way, the sealing liquid supplied from the sealing liquid supply section 41 to the liquid retention section 31b is mixed with the processing liquid supplied from the processing liquid supply section 40 to the second supply path 31 (in particular, the processing liquid for pushing out the plating liquid L1). ), the treatment liquid and the sealing liquid can be easily handled.
  • the substrate W is also raised by the substrate holding part 12 in the same manner as the top plate 13, and the substrate W and the plating solution L1 on the substrate W are kept close to the top plate 13.
  • the plating solution L1 on the substrate W is covered with the top plate 13 and heated by the upper heater 16 to maintain a high temperature even during the drain process under its own weight.
  • the height-direction distance between the substrate W and the top plate 13 in the self-weight draining process is the same as the distance between the substrate W and the top plate 13 in the paddle forming process described above. It is preferable to make it the same as the spacing in the height direction.
  • the processing unit 10 is placed in the next processing preparation state for the next plating processing (next processing preparation step).
  • the plating solution L1 is newly supplied from the treatment solution supply part 40 to the solution guide path 31a while the top plate 13 is positioned at the raised position.
  • the DIWL2 see FIG. 12
  • the liquid guide path 31a is pushed out by the newly supplied plating solution L1, and the liquid guide path 31a can be filled with the plating solution L1.
  • the plating solution L1 newly supplied to the solution guide path 31a in this way is heated by the lower heater .
  • the DIWL2 pushed out from the liquid guide path 31a flows into the liquid retention portion 31b.
  • the first supply path 21 and the second supply path 31 are in a disconnected state, and the liquid retention portion 31b is open to the surrounding environment. Therefore, DIW overflows from the liquid retention portion 31b, and the DIW overflowing from the liquid retention portion 31b falls from the lower heater 14 to the outside.
  • the DIWL 3 may or may not be supplied from the sealing liquid supply section 41 to the liquid retention section 31b.
  • the sealing liquid supply part 41 By supplying DIWL3 from the sealing liquid supply part 41 to the liquid retention part 31b, fresh DIW is continuously stored in the liquid retention part 31b, and the plating liquid in the liquid guide path 31a is supplied by the fresh DIW. L1 can be sealed.
  • the processing unit 10 is placed in the liquid processing promotion state as shown in FIG. 14 (liquid processing promotion step).
  • the top plate 13 and the substrate W are lowered, the top plate 13 is again placed at the cover position, and the substrate W is again placed at the processing position.
  • the substrate W and the plating solution L1 on the substrate W are heated by the upper heater 16 and the lower heater 14, thereby promoting the plating process.
  • the processing unit 10 is placed in a cleaning processing state as shown in FIG. 15 (cleaning processing step).
  • the top plate 13 is arranged at the retracted position, and the rinse liquid discharger 27 is arranged at the liquid supply position. Then, the rinse liquid L4 is discharged toward the upper surface of the substrate W from the rinse liquid discharger 27 arranged at the liquid supply position. As a result, the plating solution L1 (see FIG. 14) on the substrate W is replaced with the rinse solution L4, and the substrate W is rinsed with the rinse solution L4.
  • the support method switching portion 45 is placed in a non-protruding state, and the substrate W is supported by the substrate holding portion 12 in a wide area contact support state. Accordingly, the holding force of the substrate W by the substrate holding portion 12 is increased, and the substrate W can be stably supported by the substrate holding portion 12 . Therefore, it is possible to rotate the substrate W at high speed in the cleaning process.
  • the jetting of the inert gas from the first gas supply path 34 may be stopped.
  • the processing unit 10 performs post-processing.
  • the post-treatment includes one or more treatments, and includes at least a substrate drying treatment for drying the substrate W in this embodiment.
  • a specific processing content of the substrate drying processing is not limited.
  • the substrate drying process may be performed by spin drying by rotating the substrate W at high speed or by IPA drying using IPA (isopropyl alcohol).
  • processes other than the substrate drying process may be performed.
  • the side end surfaces and the bottom surface of the substrate W may be rinsed intensively by applying a rinse liquid to the side end surfaces and the bottom surface of the substrate W using a rinse processing device (not shown).
  • both the substrate W and the plating liquid L1 are heated by the lower heater 14 .
  • the substrate W and the plating solution L1 can be heated with a simple device configuration.
  • FIG. 16 is a diagram schematically showing an example of the processing unit 10 (substrate liquid processing apparatus) according to the second embodiment.
  • the processing chamber 11 is seen through and the apparatus located inside the processing chamber 11 is illustrated, including the substrate holding portion 12 (especially the support contact portion 12b), the top plate 13, the lower heater 14 and the cup structure 15. are shown in cross section.
  • the top plate 13 of this embodiment has an inert gas supply path 37 and a preclean liquid supply path 38 .
  • One opening of the inert gas supply path 37 is provided at a position adjacent to the discharge port 22 and exposed to the inner space surrounded by the top plate 13 .
  • the other opening of the inert gas supply path 37 is connected to the inert gas supply section 61 .
  • the inert gas supply unit 61 supplies inert gas (for example, nitrogen) to the inert gas supply path 37 under the control of the control unit 93 .
  • the inert gas supplied from the inert gas supply section 61 to the inert gas supply path 37 is jetted from one opening of the inert gas supply path 37 toward the inner space surrounded by the top plate 13 .
  • the specific composition of the inert gas supplied from the inert gas supply section 61 to the inert gas supply passage 37 is not limited.
  • an inert gas having the same composition as the inert gas ejected from the first gas supply passage 34 is supplied from the inert gas supply section 61 to the inert gas supply passage 37 .
  • the inert gas supplied from the inert gas supply section 61 is supplied to the inert gas supply path 37 , and the inert gas is supplied from the inert gas supply path 37 to the top plate 13 and the substrate W. is discharged into the space between
  • One opening of the pre-clean liquid supply path 38 is provided at a position adjacent to one opening of the inert gas supply path 37 and exposed to the inner space surrounded by the top plate 13 .
  • the other opening of the pre-clean liquid supply path 38 is connected to the pre-clean liquid supply section 62 .
  • the pre-clean liquid supply section 62 supplies the pre-clean liquid to the pre-clean liquid supply path 38 under the control of the control section 93 .
  • the pre-clean liquid is a liquid for cleaning the substrate W prior to the plating process of the substrate W, and the specific composition of the pre-clean liquid is not limited.
  • the pre-clean liquid supplied from the pre-clean liquid supply section 62 to the pre-clean liquid supply path 38 is jetted from one opening of the pre-clean liquid supply path 38 toward the inner space surrounded by the top plate 13 .
  • the pre-clean liquid supplied from the pre-clean liquid supply section 62 flows through the pre-clean liquid supply path 38, and the pre-clean liquid is discharged from the pre-clean liquid supply path 38 toward the substrate W. .
  • processing unit 10 of the present embodiment are the same as those of the processing unit 10 of the first embodiment (see FIGS. 2 to 15).
  • the substrate liquid processing method described below is carried out by appropriately controlling various devices provided in the processing unit 10 by the control unit 93 .
  • 17 to 22 are enlarged views of the processing unit 10 for explaining an example of the substrate liquid processing method according to the second embodiment. 17-22, the top plate 13 and the lower heater 14 are shown in cross section, and the processing unit 10 is shown in simplified form.
  • the processing unit 10 After going through the preparation state (see FIG. 9) and the substrate setting state (see FIG. 10) in the same manner as in the first embodiment, the processing unit 10 is placed in the pre-clean liquid application state shown in FIG. liquid application step).
  • the top plate 13 is moved to the first elevated position.
  • the first raised position is higher than the raised position (that is, the second raised position) where the top plate 13 is arranged in the dead weight drain step (see FIG. 20) and the next treatment preparation step (see FIG. 21) which will be described later.
  • the substrate W is arranged at the raised position.
  • the distance in the height direction between the substrate W placed at the raised position and the top plate 13 placed at the first raised position is not limited.
  • the substrate W may be separated from the top plate 13 if there is no need to heat the substrate W and the pre-clean liquid L5 in order to promote the pre-clean processing using the pre-clean liquid L5.
  • the substrate W is preferably arranged near the top plate 13. FIG. In this case, the substrate W and the preclean liquid L5 on the substrate W can be heated by the heat from the upper heater 16 (see FIG. 8) provided on the top plate 13 to accelerate the preclean process.
  • the support method switching unit 45 is placed in a non-protruding state, and the substrate W is supported by the substrate holding unit 12 in a wide area contact support state.
  • the substrate W may be rotated at high speed by the substrate holding section 12, or may be stopped.
  • the inert gas G is discharged from the inert gas supply path 37 and the pre-clean liquid L5 is discharged from the pre-clean liquid supply path 38 .
  • the space between the top plate 13 and the lower heater 14 is adjusted to a low-oxygen atmosphere, and a puddle of the pre-clean liquid L5 is formed on the substrate W.
  • the inert gas G is jetted not only from the first gas supply path 34 located below the substrate W, but also from the inert gas supply path 37 located above the substrate W (FIG. 2). reference).
  • the inert gas G is jetted not only from the first gas supply path 34 located below the substrate W, but also from the inert gas supply path 37 located above the substrate W (FIG. 2). reference).
  • the processing unit 10 is placed in a main processing preparation state as shown in FIG. 18 (main processing preparation step).
  • the top plate 13 and the substrate W are lowered, the top plate 13 is placed at the cover position, and the substrate W is placed at the processing position. Thereby, the first supply path 21 and the second supply path 31 are connected to each other while being sealed by the seal body 23 .
  • the processing unit 10 is sequentially put into a paddle formation state (see FIG. 19), a self-weight drain state (see FIG. 20), a next processing preparation state (see FIG. 21), and a liquid processing acceleration state (see FIG. 22). .
  • the inert gas G is continuously ejected from the first gas supply passage 34 and the inert gas supply passage 37 at least from the pre-clean liquid application step to the liquid processing promotion step, and the substrate is W is placed under a low oxygen atmosphere.
  • a cleaning process (see FIG. 15) and a post-processing process (including a substrate drying process) are performed in the same manner as in the above-described first embodiment.
  • the space between the top plate 13 and the lower heater 14 is made A low-oxygen atmosphere can be adjusted more effectively.
  • the pre-clean liquid can be applied to the substrate W held by the substrate holding section 12 to perform pre-cleaning (that is, pre-clean processing) of the substrate W.
  • FIG. 23 is a diagram schematically showing an example of the processing unit 10 (substrate liquid processing apparatus) according to the third embodiment.
  • the processing chamber 11 is seen through and the apparatus located inside the processing chamber 11 is illustrated, including the substrate holding portion 12 (especially the support contact portion 12b), the top plate 13, the lower heater 14 and the cup structure 15. are shown in cross section.
  • 24 is a top view of the top plate 13 shown in FIG. 23.
  • the processing liquid supply section 40 shown in FIG. 23 has a first processing liquid supply section 65 , a second processing liquid supply section 66 and a third processing liquid supply section 67 .
  • the first processing liquid supply unit 65 and the second processing liquid supply unit 66 supply the processing liquids (that is, the plating liquids L1 and DIWL2) used in the liquid processing of the substrate W described above to the second processing liquid via the processing liquid supply guide path 70.
  • the third processing liquid supply unit 67 supplies the processing liquid (for example, SPM (mixed liquid of sulfuric acid and hydrogen peroxide)) used in the cleaning process of the second supply path 31 to the second processing liquid via the processing liquid supply guide path 70 .
  • Supply to supply path 31 .
  • the processing liquid supply unit 40 switches among the first processing liquid supply unit 65, the second processing liquid supply unit 66, and the third processing liquid supply unit 67 to supply the desired processing liquid to the corresponding processing.
  • the liquid is supplied from the liquid supply unit to the second supply path 31 .
  • the top plate 13 of this embodiment has a processing liquid discharge path 71 .
  • the treatment liquid discharge path 71 is not connected to the first supply path 21 but is connected to a treatment liquid discharge guide path 72 extending outside the top plate 13 .
  • the processing liquid discharge path 71 is connected to the liquid outflow opening of the second supply path 31 (that is, the opening formed by the liquid retention portion 31b) according to the rotation of the top plate 13 about the rotation axis A. , and a position not connected to the liquid outflow opening.
  • the liquid inflow opening of the first supply path 21 and the opening of the processing liquid discharge path 71 are positioned equidistant from the rotation axis A (that is, the center axis of the top plate 13), and are positioned at the same distance from the rotation axis A as the center. arranged in a circle.
  • the amount of angular deviation between the liquid inflow opening of the first supply path 21 and the opening of the processing liquid discharge path 71 about the rotational axis A is not limited, and may be, for example, several degrees to 10 degrees.
  • the top plate 13 is rotated about the rotation axis A by the top plate driving section 53 (see FIG. 8) or by the operator. As a result, the top plate 13 has a position (see FIG. 2) where the second supply path 31 (especially the liquid outflow opening) is connected to the first supply path 21 and a position where the second supply path 31 (especially the liquid outflow opening) is connected to the processing liquid discharge. 23) to connect to the path 71. As shown in FIG. 2,
  • the treatment liquid discharged from the second supply path 31 is guided to the treatment liquid discharge guide path 72 via the treatment liquid discharge path 71 .
  • the processing liquid is applied to the substrate W through the first supply path 21 and the ejection port 22. can be reliably prevented.
  • the top plate 13 is arranged such that the second supply path 31 is the processing liquid discharge path. 71.
  • a processing liquid containing SPM for example, can be considered as a processing liquid that is not preferable to contact the first supply path 21, the ejection port 22, and/or the substrate W.
  • IPA and SPM are mixed. Therefore, when the SPM is used for cleaning the second supply path 31 , the top plate 13 is arranged at a position where the second supply path 31 is connected to the processing liquid discharge path 71 . In this state, SPA is supplied to the second supply path 31 from the treatment liquid supply section 40 (especially the third treatment liquid supply section 67) through the treatment liquid supply guide path 70. As shown in FIG. As a result, the second supply path 31 is cleaned by the SPA, and the SPA used for cleaning is discharged from the second supply path 31 through the processing liquid discharge path 71 to the processing liquid discharge guide path 72 .
  • IPA is applied to the substrate W by any method that does not allow the IPA to pass through the processing liquid supply guide path 70 and the second supply path 31 .
  • IPA may be directly applied to the substrate W from a movable discharge unit (not shown), or an IPA supply channel (not shown) connectable to the first supply channel 21 may be applied to the first supply channel 21 and IPA may be applied to the substrate W through the ejection port 22
  • FIG. 25 is a diagram schematically showing an example of the processing unit 10 (substrate liquid processing apparatus) according to the first modified example.
  • the processing chamber 11 is seen through and the apparatus located inside the processing chamber 11 is illustrated, including the substrate holding portion 12 (especially the support contact portion 12b), the top plate 13, the lower heater 14 and the cup structure 15. are shown in cross section.
  • the top plate 13 of this modified example has fluid flow passages 75 .
  • One end of the fluid flow passage 75 is connected to the first supply passage 21 .
  • the other end of the fluid flow passage 75 is connected to a fluid guide passage 76 extending outside the top plate 13 .
  • Fluid for example, liquid and/or gas
  • Fluid supplied from the fluid guide path 76 to the fluid flow path 75 can flow into the first supply path 21 and be discharged from the discharge port 22 .
  • DIW when DIW is supplied from the fluid supply portion 77 to the fluid flow path 75 , it is possible to discharge the DIW flowing from the fluid flow path 75 into the first supply path 21 from the discharge port 22 .
  • the rinse liquid such as DIW is supplied from the fluid supply portion 77 to the fluid flow path 75, and the rinse liquid flowing from the fluid flow path 75 into the first supply path 21 is removed.
  • Dummy dispensing may be performed by discharging from the discharge port 22 .
  • the first supply path 21 and the ejection port 22 can be washed away with the rinsing liquid.
  • the top plate 13 may not have the upper heater 16 (see FIG. 8).
  • the top plate 13 covering the entire substrate W is used as a nozzle member for applying the processing liquid to the substrate W, but the top plate 13 covering only a part of the substrate W is used as a nozzle member.
  • the top plate 13 has a through hole, and airflow sent from an FFU (fan filter unit) provided above the top plate 13 flows through the through hole below the top plate 13. good too.
  • FFU fan filter unit
  • the relative positions of the top plate 13 and the lower heater 14 are adjusted by moving the top plate 13, but the lower heater 14 is moved instead of or in addition to the top plate 13.
  • the lower heater 14 may be moved by a lower heater driver (not shown) under control of the controller 93 .
  • the nozzle member having the first supply path 21 and the discharge port 22 may have any configuration other than the top plate 13, and may be configured by a hollow tube (not shown), for example.
  • the top plate 13 may include the rinse liquid discharger 27 .
  • the rinse liquid discharger 27 moves according to the movement of the top plate 13 . Therefore, when the rinse liquid is discharged from the rinse liquid discharger 27 onto the upper surface of the substrate W, the top plate 13 is arranged above the substrate W held by the substrate holder 12 .
  • the technical category that embodies the above technical idea is not limited.
  • the substrate liquid processing apparatus described above may be applied to other apparatuses.
  • the above technical idea may be embodied by a computer program for causing a computer to execute one or more procedures (steps) included in the above substrate liquid processing method.
  • the above technical idea may be embodied by a computer-readable non-transitory recording medium in which such a computer program is recorded.

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Abstract

基板液処理装置は、基板を保持する基板保持部と、第１供給路と、第１供給路に接続され且つ基板の上方に位置づけられる吐出口と、を有するノズル部材と、基板の下方に位置づけられ、処理液が流される第２供給路を有し、基板の周縁領域及び第２供給路内の処理液を加熱する下方ヒーターと、を備え、第１供給路が第２供給路に接続されて、第２供給路から第１供給路を介して吐出口に供給される処理液が、吐出口から基板に向けて吐出される。

Description

基板液処理装置及び基板液処理方法
　本開示は、基板液処理装置及び基板液処理方法に関する。
　近年、半導体デバイスの微細化及び３次元化の進行に伴って、半導体デバイスの加工がより一層高精度に行われるようになっている。例えば、無電解めっきを行う場合、基板及びめっき液を加熱することで処理の進行を促し、基板に対してめっき被膜を精度良く付与することができる（特許文献１参照）。
　このように基板及び処理液（例えばめっき液）の各々の温度を加熱調整することによって、基板の液処理を促進することができる。
　一方、基板を加熱するためのヒーターと、処理液を加熱するためのヒーターとを別個に設けると、装置構成が複雑化し、装置サイズも大型化する傾向がある。
　特に、限られたスペースで基板の液処理を行う場合には、基板を加熱するためのヒーター及び処理液を加熱するためのヒーターを、他の装置の邪魔にならないように設置する必要がある。そのため、設置可能なヒーターのサイズ、形状及び位置等が制限される。
特開２００９－２４９６７９号公報
　本開示は、簡素な装置構成で基板及び処理液を加熱するのに有利な技術を提供する。
　本開示の一態様は、基板を保持する基板保持部と、第１供給路と、第１供給路に接続され且つ基板の上方に位置づけられる吐出口と、を有するノズル部材と、基板の下方に位置づけられ、処理液が流される第２供給路を有し、基板の周縁領域及び第２供給路内の処理液を加熱する下方ヒーターと、を備え、第１供給路が第２供給路に接続されて、第２供給路から第１供給路を介して吐出口に供給される処理液が、吐出口から基板に向けて吐出される、基板液処理装置に関する。
　本開示によれば、簡素な装置構成で基板及び処理液を加熱するのに有利である。
図１は、処理システムの一例の概略を示す図である。 図２は、第１実施形態に係る処理ユニット（基板液処理装置）の一例の概略を示す図である。 図３は、支持接触部の一例の概略を示す断面図であり、広域接触支持状態の支持接触部を示す。 図４は、支持方式切換部の一例の概略を示す断面図であり、広域接触支持状態の支持方式切換部を示す。 図５は、支持接触部の一例の概略を示す断面図であり、狭域接触支持状態の支持接触部を示す。 図６は、支持方式切換部の一例の概略を示す断面図であり、狭域接触支持状態の支持方式切換部を示す。 図７は、トッププレートの一例を示す上面図である。 図８は、処理ユニットの制御構成の一例を示す機能ブロック図である。 図９は、第１実施形態に係る基板液処理方法の一例を説明するための処理ユニットの拡大図である。 図１０は、第１実施形態に係る基板液処理方法の一例を説明するための処理ユニットの拡大図である。 図１１は、第１実施形態に係る基板液処理方法の一例を説明するための処理ユニットの拡大図である。 図１２は、第１実施形態に係る基板液処理方法の一例を説明するための処理ユニットの拡大図である。 図１３は、第１実施形態に係る基板液処理方法の一例を説明するための処理ユニットの拡大図である。 図１４は、第１実施形態に係る基板液処理方法の一例を説明するための処理ユニットの拡大図である。 図１５は、第１実施形態に係る基板液処理方法の一例を説明するための処理ユニットの拡大図である。 図１６は、第２実施形態に係る処理ユニット（基板液処理装置）の一例の概略を示す図である。 図１７は、第２実施形態に係る基板液処理方法の一例を説明するための処理ユニットの拡大図である。 図１８は、第２実施形態に係る基板液処理方法の一例を説明するための処理ユニットの拡大図である。 図１９は、第２実施形態に係る基板液処理方法の一例を説明するための処理ユニットの拡大図である。 図２０は、第２実施形態に係る基板液処理方法の一例を説明するための処理ユニットの拡大図である。 図２１は、第２実施形態に係る基板液処理方法の一例を説明するための処理ユニットの拡大図である。 図２２は、第２実施形態に係る基板液処理方法の一例を説明するための処理ユニットの拡大図である。 図２３は、第３実施形態に係る処理ユニット（基板液処理装置）の一例の概略を示す図である。 図２４は、図２３に示すトッププレートの上面図である。 図２５は、第１変形例に係る処理ユニット（基板液処理装置）の一例の概略を示す図である。
　以下、図面を参照して本開示の典型的な実施形態を例示的に説明する。
［第１実施形態］
　図１は、処理システム８０の一例の概略を示す図である。図１に示す処理システム８０は、搬入出ステーション９１及び処理ステーション９２を有する。搬入出ステーション９１は、複数のキャリアＣを具備する載置部８１と、第１搬送機構８３及び受渡部８４が設けられている搬送部８２とを含む。各キャリアＣには、複数の基板Ｗが水平状態で収容されている。処理ステーション９２には、搬送路８６の両側に設置されている複数の処理ユニット１０と、搬送路８６を往復移動する第２搬送機構８５とが設けられている。
　基板Ｗは、第１搬送機構８３によりキャリアＣから取り出されて受渡部８４に載せられ、第２搬送機構８５によって受渡部８４から取り出される。そして基板Ｗは、第２搬送機構８５によって対応の処理ユニット１０に搬入され、対応の処理ユニット１０において所定の液処理（本実施形態ではめっき処理）が施される。その後、基板Ｗは、第２搬送機構８５によって対応の処理ユニット１０から取り出されて受渡部８４に載せられ、その後、第１搬送機構８３によって載置部８１のキャリアＣに戻される。
　処理システム８０は制御部９３を備える。制御部９３は、例えばコンピュータによって構成され、演算処理部及び記憶部を具備する。制御部９３の記憶部には、処理システム８０で行われる各種処理のためのプログラム及びデータが記憶される。制御部９３の演算処理部は、記憶部に記憶されているプログラムを適宜読み出して実行することにより、処理システム８０の各種デバイスを制御して各種処理を行う。
　制御部９３の記憶部に記憶されるプログラム及びデータは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、当該記憶媒体から記憶部にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、例えばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）及びメモリカードなどがある。
　図２は、第１実施形態に係る処理ユニット１０（基板液処理装置）の一例の概略を示す図である。図２では、処理チャンバー１１が透視されて処理チャンバー１１の内側に位置する装置が図示されており、基板保持部１２（特に支持接触部１２ｂ）、トッププレート１３、下方ヒーター１４及びカップ構造体１５については断面が示されている。
　本実施形態の処理ユニット１０は、上述のように、基板Ｗにめっき液を付与してめっき処理（例えば無電解めっき処理）を行う。ただし、処理システム８０が具備する複数の処理ユニット１０（図１参照）の一部又は全部は、他の処理を行うユニットとして設けられてもよい。以下に説明する技術は、めっき処理以外の液処理を行う基板液処理装置及び基板液処理方法に対しても、応用可能である。
　処理ユニット１０は、処理チャンバー１１、基板保持部１２、トッププレート１３、下方ヒーター１４及びカップ構造体１５を備える。基板保持部１２、トッププレート１３、下方ヒーター１４及びカップ構造体１５は、処理チャンバー１１の内側に設置される。
　基板保持部１２は、第２搬送機構８５（図１参照）を介して供給される基板Ｗを、回転可能に保持する。基板保持部１２は、円盤状の基板Ｗの中心軸線が回転軸線Ａに一致するように、基板Ｗを支持する。
　本実施形態の基板保持部１２は、支持駆動部１２ａ及び支持接触部１２ｂを有する。
　支持接触部１２ｂは、基板Ｗに接触して、当該基板Ｗを直接的に支持することができる。図２に示す支持接触部１２ｂは、基板Ｗのうち回転軸線Ａが貫通する中心領域を支持するが、基板Ｗの周縁領域を支持することなく露出させる。
　支持接触部１２ｂによる基板Ｗの支持方式は限定されない。例えば、支持接触部１２ｂは、基板Ｗを吸着することで当該基板Ｗを支持するバキューム方式を採用してもよい。
　図３は、支持接触部１２ｂの一例の概略を示す断面図であり、広域接触支持状態の支持接触部１２ｂを示す。図４は、支持方式切換部４５の一例の概略を示す断面図であり、広域接触支持状態の支持方式切換部４５を示す。図５は、支持接触部１２ｂの一例の概略を示す断面図であり、狭域接触支持状態の支持接触部１２ｂを示す。図６は、支持方式切換部４５の一例の概略を示す断面図であり、狭域接触支持状態の支持方式切換部４５を示す。
　本実施形態の支持接触部１２ｂは、基板Ｗを支持する方式を、広域接触支持方式と狭域接触支持方式との間で切り換えることができる。
　すなわち支持接触部１２ｂは、円環状の平面形状を持つ支持方式切換部４５を有する。支持方式切換部４５は、支持載置面１２ｃから突出する突出状態（図６参照）と、支持載置面１２ｃから突出しない非突出状態（図４参照）と、に置かれることが可能である。
　支持方式切換部４５の突出状態と非突出状態との間の切り換えは、任意の装置構成及び任意の方法によって実施可能である。
　図３～図６に示す例では、支持方式切換部４５の内部の中空部４５ａが、駆動流体路４６を介して支持切換駆動部（後述の図８参照）に接続される。支持切換駆動部が中空部４５ａの気圧を調整することによって、支持方式切換部４５の状態が突出状態と非突出状態との間で切り換えられる。
　すなわち、中空部４５ａの気圧を相対的に小さい圧力（例えば真空圧）に調整することによって、支持方式切換部４５を収縮させて非突出状態にすることができる（図４参照）。一方、中空部４５ａの気圧を相対的に大きい圧力（例えば大気圧（標準気圧））に調整することによって、支持方式切換部４５を膨張させて突出状態にすることができる（図６参照）。
　広域接触支持方式では、支持方式切換部４５は非突出状態に置かれる（図３及び図４参照）。これにより基板Ｗは、支持載置面１２ｃに載せられ、比較的広い範囲にわたって支持接触部１２ｂ（特に支持載置面１２ｃ）により接触支持される。なお、広域接触支持方式において、非突出状態に置かれた支持方式切換部４５は、支持載置面１２ｃに載せられた基板Ｗに接触してもよいし、接触しなくてもよい。
　一方、狭域接触支持方式では、支持方式切換部４５は突出状態に置かれる（図５及び図６参照）。これにより基板Ｗは、支持載置面１２ｃから離れた状態で、支持方式切換部４５に載せられる。
　狭域接触支持方式において支持方式切換部４５と接触する基板Ｗの部分の範囲（面積）は、広域接触支持方式において支持載置面１２ｃと接触する基板Ｗの部分の範囲（面積）よりも小さい。したがって狭域接触支持方式では、広域接触支持方式に比べ、基板Ｗがより狭い接触面積で支持され、基板Ｗから基板保持部１２への熱の移動を抑えることができる。
　図２に示す支持駆動部１２ａは、支持接触部１２ｂに回転動力を与えて、支持接触部１２ｂにより支持されている基板Ｗを、支持接触部１２ｂとともに回転軸線Ａを中心に回転させる。
　本実施形態の支持駆動部１２ａは、回転軸線Ａを中心に支持接触部１２ｂを回転させることができるだけではなく、支持接触部１２ｂを回転軸線Ａに沿って高さ方向に上下動させることもできる。
　図２に示す支持駆動部１２ａは、回転軸線Ａ上に延在し且つ先端部に支持接触部１２ｂが固定的に取り付けられている回転駆動軸と、回転軸線Ａを中心に回転駆動軸を回転させる回転駆動本体部とを具備する。
　回転駆動軸及び回転駆動本体部は、任意の構成を有することができる。図２に示す回転駆動本体部は、回転軸線Ａを中心に回転駆動軸を回転させるための駆動部（図８の「基板回転駆動部５１」参照）と、回転駆動軸を回転軸線Ａに沿って高さ方向に移動させる駆動部（図８の「基板上下駆動部５２」参照）とを含む。回転駆動軸を回転させる駆動部は、例えばモーター、エンドレスベルト及びプーリーを具備してもよい。回転駆動軸を高さ方向に移動させる駆動部は、例えばモーター及びボールねじを具備してもよい。
　トッププレート１３は、制御部９３の制御下で移動可能に設けられており、基板保持部１２により保持される基板Ｗを覆う。
　本実施形態のトッププレート１３は、第１供給路２１及び吐出口２２を有するノズル部材として機能する。
　吐出口２２は、第１供給路２１に接続され且つ基板Ｗの上方に位置づけられており、第１供給路２１を介して供給される処理液を、基板保持部１２により保持されている基板Ｗの上面に向けて吐出する。
　第１供給路２１には除電体２４が設けられている。処理液は、第１供給路２１において除電体２４により静電気が取り除かれた後、吐出口２２に送られる。
　第１供給路２１のうち吐出口２２に接続される側の端部とは逆側の端部（図２の右側の端部）の開口（以下「液流入開口」とも称する）は、シール体２３により囲まれている。第１供給路２１のこの液流入開口は、高さ方向に関し、吐出口２２よりも低く位置づけられている。
　シール体２３は、典型的にはＯリングによって構成される。トッププレート１３の第１供給路２１が下方ヒーター１４の第２供給路３１に接続される場合、トッププレート１３及び下方ヒーター１４はシール体２３を介して接続され、第１供給路２１と第２供給路３１との間がシール体２３によりシールされる。
　図７は、トッププレート１３の一例を示す上面図である。図７において、トッププレート１３の下面に設けられる吐出口２２及び各シール体２３と、トッププレート１３の内部に設けられる第１供給路２１とは、点線で示されている。
　トッププレート１３には複数（好ましくは３以上）のシール体２３が設けられている。これらのシール体２３のうちの１つが、第１供給路２１の液流入開口を囲むシール体２３（図２参照）である。
　これらのシール体２３（特にシール体２３の下面）は、同一水平面上に位置し、トッププレート１３の中心軸線である回転軸線Ａ又は吐出口２２に関して等角度間隔に配置される。これにより、シール体２３を介してトッププレート１３及び下方ヒーター１４を相互に接続する場合、トッププレート１３と下方ヒーター１４との間の間隔を全体にわたって一定に保つことができる。
　本実施形態のトッププレート１３は、ヒーター（図２では図示省略；後述の図８に示す「上方ヒーター１６」参照）を有する。上方ヒーターの設置形態は限定されない。例えば上方ヒーターは、図２に示す第１供給路２１よりも上方に設けられてもよいし、第１供給路２１よりも下方に設けられてもよい。
　トッププレート１３が基板Ｗの近くに配置されることによって、基板Ｗ及び当該基板Ｗ上の処理液を、上方ヒーターから発せられる熱により積極的に加熱することができる。
　下方ヒーター１４は、基板保持部１２により保持されている基板Ｗの下方に位置づけられ、処理液が流される第２供給路３１を有する。
　図２に示す下方ヒーター１４は、基板Ｗ（特に基板Ｗの下面）の周縁領域に対向する円環状の平面形状を有し、第２供給路３１は渦巻き状の平面形状を有する。下方ヒーター１４は、制御部９３の制御下で、基板Ｗの周縁領域及び第２供給路３１内の処理液を加熱する。
　下方ヒーター１４の具体的な加熱方式は限定されない。
　例えば、電熱線（図示省略）が下方ヒーター１４に埋め込まれてもよい。この場合、電熱線に電流が流されることによって、下方ヒーター１４は基板Ｗの周縁領域及び第２供給路３１内の処理液を加熱することができる。
　また下方ヒーター１４は加熱媒体流路（図示省略）を有してもよい。この場合、加熱媒体流路に加熱媒体（例えば高温のＤＩＷ（De-Ionized Water））が流されることによって、下方ヒーター１４は基板Ｗの周縁領域及び第２供給路３１内の処理液を加熱することができる。例えば、所望温度のＤＩＷを温水供給器（図示省略）から加熱媒体流路に供給し、加熱媒体流路から排出されるＤＩＷを温水供給器で加熱し、加熱後のＤＩＷを再び温水供給器から加熱媒体流路に供給することで、ＤＩＷ（加熱媒体）を循環させることができる。
　第２供給路３１の具体的な形態は限定されないが、第２供給路３１は、下方ヒーター１４により第２供給路３１内の処理液を加熱するのに十分な流路長を有する。そのような十分な流路長を確保するために、第２供給路３１は、例えば蛇行形状を有してもよい。
　本実施形態の第２供給路３１は、渦巻き状に延びる液案内路３１ａと、液案内路３１ａに接続される液滞留部３１ｂとを有する。液案内路３１ａによって、処理液供給部４０が接続される第２供給路３１の一方側部分が形成され、液滞留部３１ｂによって、第２供給路３１の他方側の開口（以下「液流出開口」とも称する）が形成される。
　処理液供給部４０は、制御部９３の制御下で、めっき液及びＤＩＷを含む複数種類の処理液を、第２供給路３１に供給する。
　液案内路３１ａと液滞留部３１ｂとの間の具体的な接続形態は限定されない。例えば、水平方向に延びる貫通孔（図示省略）のみを介して液案内路３１ａが液滞留部３１ｂに接続されてもよい。すなわち、液案内路３１ａ及び液滞留部３１ｂは貫通孔を介してお互いに接続されるが、貫通孔以外の箇所では液案内路３１ａ及び液滞留部３１ｂはお互いから隔絶されてもよい。
　液案内路３１ａのうち液滞留部３１ｂに接続される側の開口は、液滞留部３１ｂに貯留される液によって、周囲から隔絶される。
　液滞留部３１ｂには、封止液供給部４１が封止液供給路３２を介して接続されている。封止液供給部４１は、制御部９３の制御下で、液滞留部３１ｂに封止液を供給する。例えば、封止液供給部４１は、液滞留部３１ｂに対して継続的に封止液を供給し、液滞留部３１ｂから封止液をオーバーフローさせてもよい。液案内路３１ａ内の処理液は、液滞留部３１ｂに貯留される封止液によって、周囲から隔絶される。
　封止液の具体的な組成は限定されないが、処理液に対する影響が小さい液を封止液として使用することが好ましい。本実施形態の封止液供給部４１は、ＤＩＷを封止液として液滞留部３１ｂに供給する。
　下方ヒーター１４の上面には、液保持溝３３、第１ガス供給路３４及びガス排出路３５が形成されている。
　第１ガス供給路３４からは、不活性ガス（例えば窒素）が上方に向けて噴出される。ガス排出路３５は、下方ヒーター１４の上方から気体（不活性ガスを含む）を引き込んで、当該気体を外方に案内する。これにより、トッププレート１３と下方ヒーター１４との間の空間への外気（すなわち処理チャンバー１１内の環境空気）の流入を抑制し、トッププレート１３と下方ヒーター１４との間の空間を低酸素雰囲気に調整することができる。
　図２に示す第１ガス供給路３４及びガス排出路３５の各々は、円環状の平面形状を有し、基板保持部１２により保持されている基板Ｗの下面の周縁部に対向し、第１ガス供給路３４よりもガス排出路３５の方が回転軸線Ａの近くに位置する。ただし、第１ガス供給路３４及びガス排出路３５の位置及び設置形態は限定されない。
　液保持溝３３は、基板保持部１２により保持されている基板Ｗの周縁領域の近傍に位置する。基板Ｗからこぼれ落ちた処理液の少なくとも一部が液保持溝３３に貯留される。液保持溝３３に貯留された処理液は、その表面張力によって、基板Ｗ（特に基板Ｗの側端面及び／又は裏面）に付着している処理液とつながる。
　その結果、基板Ｗの下面の周縁領域及び側端面には、液保持溝３３から突出している処理液が継続的に付着する。これにより、基板Ｗの下面の周縁領域及び側端面を、処理液によって継続的に処理することができる。
　一般に、基板Ｗの周縁領域上の処理液の挙動は不安定である。特に、基板Ｗの下面の周縁領域及び側端面が処理液により覆われていない場合、基板Ｗの周縁領域上及び側端面上の処理液の十分な膜厚を安定的に確保することは簡単ではない。
　一方、本実施形態のように、基板Ｗの下面の周縁領域及び側端面を処理液によりくるむことで、基板Ｗの上面の周縁領域における処理液の膜厚の低減を防ぐとともに、基板Ｗの周縁領域全体を処理液によって適切に処理することができる。
　なお、基板Ｗの下面の周縁領域及び側端面を処理液によって処理する必要がない場合には、液保持溝３３は設けられなくてもよい。
　本実施形態ではトッププレート１３が移動することによって、トッププレート１３及び下方ヒーター１４は接続位置及び非接続位置に配置される。
　トッププレート１３及び下方ヒーター１４が接続位置に配置されることによって、第１供給路２１及び第２供給路３１がお互いに接続される。第１供給路２１が第２供給路３１に接続されて、第２供給路３１から第１供給路２１を介して吐出口２２に供給される処理液は、吐出口２２から基板Ｗに向けて吐出される。このようにして、第２供給路３１において下方ヒーター１４により加熱された処理液が、基板Ｗに付与される。
　一方、トッププレート１３が移動して、トッププレート１３及び下方ヒーター１４が非接続位置に配置されることによって、第１供給路２１及び第２供給路３１はお互いから離れ、第１供給路２１と第２供給路３１との間の接続が遮断される。
　カップ構造体１５は、リング状の平面形状を有し、基板保持部１２により保持されている基板Ｗを取り囲むように設けられている。カップ構造体１５は、基板Ｗから飛散した液体を受け止めてドレンダクト（図示省略）に案内したり、基板Ｗの周囲の気体が拡散するのを防ぐように気体の流れを整えたりする。
　カップ構造体１５の具体的な構成は限定されない。例えば、カップ構造体１５は、主として液体を案内するためのカップと、主として気体の流れを整えるためのカップとを、別体として有してもよい。
　処理ユニット１０は、上述されていない他のデバイスを更に具備していてもよい。
　本実施形態の処理ユニット１０は、リンス液吐出部（後述の図８及び図１５参照）を更に備える。リンス液吐出部は、制御部９３の制御下で、処理チャンバー１１の内側で移動し、リンス液を吐出する。
　また処理ユニット１０は、不活性ガスを処理チャンバー１１内に供給する給気デバイス、処理チャンバー１１内から気体を排出するための排気デバイス、及び基板Ｗから落下（飛散）した液体を処理チャンバー１１内から排出するための排液デバイスを備えてもよい。
　図８は、処理ユニット１０の制御構成の一例を示す機能ブロック図である。
　制御部９３には、上方ヒーター１６、下方ヒーター１４、基板回転駆動部５１、基板上下駆動部５２、トッププレート駆動部５３、処理液供給部４０、封止液供給部４１、リンス液吐出部２７及び支持切換駆動部５４が接続されている。上方ヒーター１６、下方ヒーター１４、基板回転駆動部５１、基板上下駆動部５２、トッププレート駆動部５３、処理液供給部４０、封止液供給部４１、リンス液吐出部２７及び支持切換駆動部５４は、制御部９３の制御下で駆動する。
　上方ヒーター１６及び下方ヒーター１４は、制御部９３により制御されて、発熱量を調整する。基板回転駆動部５１は、制御部９３により制御されて、回転駆動軸及び支持接触部１２ｂ（ひいては基板Ｗ）の回転状態を調整する。基板上下駆動部５２は、制御部９３により制御されて、回転駆動軸及び支持接触部１２ｂ（ひいては基板Ｗ）の高さ方向の位置を調整する。トッププレート駆動部５３は、制御部９３により制御されて、トッププレート１３を移動させ、トッププレート１３の配置を調整する。
　処理液供給部４０は、制御部９３により制御されて、第２供給路３１に供給する処理液の種類、量及び供給タイミングを調整する。封止液供給部４１は、制御部９３により制御されて、液滞留部３１ｂに供給する封止液の量及び供給タイミングを調整する。リンス液吐出部２７は、制御部９３により制御されて、リンス液吐出部２７の移動、リンス液吐出部２７から吐出されるリンス液の量及び吐出タイミングを調整する。支持切換駆動部５４は、制御部９３により制御されて、支持方式切換部４５の状態（すなわち突出状態及び非突出状態）の切り換えを行う。
　処理ユニット１０が具備する各種装置のうち図８に示されていない装置が、制御部９３に接続され、制御部９３の制御下で駆動されてもよい。例えば、制御部９３は、第１ガス供給路３４に不活性ガスを供給するガス供給部や、ガス排出路３５を介して気体を吸引するガス吸引部を制御してもよい。
［基板液処理方法］
　次に、上述の処理ユニット１０を用いた基板液処理方法の一例を説明する。
　以下で説明する基板液処理方法は、処理ユニット１０が具備する各種機器が制御部９３により適宜制御されることで、実施される。
　図９～図１５は、第１実施形態に係る基板液処理方法の一例を説明するための処理ユニット１０の拡大図である。図９～図１５において、トッププレート１３及び下方ヒーター１４は断面が示されている。
　図９～図１５において、処理ユニット１０は簡略化して示されている。例えば、図９～図１５では、渦巻き状に設けられる液案内路３１ａが、簡略化された形状で示されている。また図９～図１５では、第１ガス供給路３４、ガス排出路３５及び除電体２４の図示が省略されている。
　まず処理ユニット１０は、図９に示すように準備状態に置かれる（準備工程）。
　準備工程において、トッププレート１３は退避位置に配置されて、下方ヒーター１４から上方に離れされる。液案内路３１ａは処理液供給部４０から供給されるめっき液Ｌ１により満たされ、液滞留部３１ｂは封止液供給部４１から供給されるＤＩＷＬ３により満たされる。液案内路３１ａ内のめっき液Ｌ１は、下方ヒーター１４によって加熱される。
　次に、処理ユニット１０は、図１０に示すように基板セット状態に置かれる（基板セット工程）。
　基板セット工程では、第２搬送機構８５（図１参照）から供給された基板Ｗが、基板保持部１２により保持された状態で、処理位置に配置される。処理位置に配置された基板Ｗの周縁領域は、下方ヒーター１４の上方において下方ヒーター１４の近傍に位置し、下方ヒーター１４によって加熱される。なお、液案内路３１ａ内のめっき液Ｌ１も、下方ヒーター１４によって加熱される。
　また基板セット工程では、トッププレート１３が移動し、図１０に示すカバー位置に配置される。トッププレート１３がカバー位置に配置されることによって、第１供給路２１及び第２供給路３１は、シール体２３によりシールされつつ、相互に接続される。
　また第１ガス供給路３４(図２参照)から不活性ガスが噴出される。これにより、トッププレート１３と下方ヒーター１４との間の空間（すなわち基板Ｗが配置される空間）が低酸素雰囲気にされる。第１ガス供給路３４からの不活性ガスの噴出は、めっき液Ｌ１を使った液処理（すなわちめっき処理）が終わるまで継続される。
　基板セット工程の間、液滞留部３１ｂにはＤＩＷＬ３が貯留され、液案内路３１ａ内のめっき液Ｌ１は液滞留部３１ｂ内のＤＩＷＬ３により封止されている。なお基板セット工程において、封止液供給部４１は、液滞留部３１ｂへのＤＩＷＬ３の供給を停止してもよいし、少量のＤＩＷＬ３を液滞留部３１ｂに供給してもよい。
　次に、処理ユニット１０は、図１１に示すようにパドル形成状態に置かれる（パドル形成工程）。
　パドル形成工程では、処理液供給部４０から液案内路３１ａにＤＩＷＬ２が新たに供給される。これにより、液案内路３１ａ内のめっき液Ｌ１（図１０参照）は、新たに供給されたＤＩＷＬ２により押し出され、第２供給路３１及び第１供給路２１を通って吐出口２２から吐出されて、基板Ｗ（特に上面）に供給される。
　このようにしてめっき液Ｌ１を、第２供給路３１から第１供給路２１を介して吐出口２２に供給し、当該吐出口２２から基板Ｗに向けて吐出することで、基板Ｗ上にはめっき液Ｌ１のパドルが形成され、基板Ｗのめっき処理が開始される。なお、基板Ｗ上におけるめっき液Ｌ１のパドルの形成が完成した時点で、第２供給路３１及び第１供給路２１はＤＩＷＬ２により満たされた状態に置かれる。
　またパドル形成工程では、支持方式切換部４５が突出状態に置かれて、基板Ｗは狭域接触支持方式で基板保持部１２により支持される（図５及び図６参照）。これにより、基板Ｗ及び当該基板Ｗ上のめっき液Ｌ１から基板保持部１２（特に支持接触部１２ｂ）への熱の移動を抑制し、基板Ｗ及びパドルの温度低下を防ぐことができる。なお、基板Ｗ及びパドルの温度低下を効果的に防ぐ観点からは、吐出口２２からのめっき液Ｌ１が基板Ｗ上に載せられるのに先立って、支持方式切換部４５が突出状態に置かれることが好ましい。
　またパドル形成工程では、必要に応じて、基板Ｗが基板保持部１２によって回転軸線Ａを中心に回転させられる。
　基板Ｗから落下しためっき液Ｌ１は、下方ヒーター１４の液保持溝３３において捕捉され、表面張力によって液保持溝３３から上方に突出しつつ基板Ｗ上のめっき液Ｌ１とつながる。これにより、基板Ｗの側端面及び下面周縁領域にもめっき液Ｌ１が付着し、基板Ｗの側端面及び下面周縁領域においてもめっき処理が進行する。
　次に、処理ユニット１０は、図１２に示すように自重ドレーン状態に置かれる（自重ドレーン工程）。
　自重ドレーン工程において、トッププレート１３は、カバー位置から上昇位置に移動し、下方ヒーター１４から上方に離れた位置に配置される。これにより第１供給路２１及び第２供給路３１は非接続状態に置かれ、第１供給路２１の液流入開口は周囲環境に向かって開放される。
　その結果、第１供給路２１内のＤＩＷＬ２（図１１参照）は、重力の影響下で自重により、第１供給路２１から排出され、第１供給路２１をＤＩＷＬ２によって洗浄することができる。この際、第１供給路２１の液流入開口は、吐出口２２よりも低い位置に設けられているため、第１供給路２１内のＤＩＷＬ２は、自重ドレーンによって、基本的に吐出口２２からは排出されず、液流入開口から排出される。
　このようにして第１供給路２１から排出されたＤＩＷＬ２は、下方ヒーター１４の液滞留部３１ｂに向かって落下する。そのため液滞留部３１ｂには、第１供給路２１から落下したＤＩＷＬ２と封止液供給部４１から供給されるＤＩＷＬ３とが、混合した状態で貯留される。このように、封止液供給部４１から液滞留部３１ｂに供給される封止液を、処理液供給部４０から第２供給路３１に供給される処理液（特にめっき液Ｌ１を押し出す処理液）と同じにすることで、処理液及び封止液の取り扱いを容易にすることができる。
　自重ドレーン工程では、基板Ｗも、基板保持部１２によって、トッププレート１３と同様に上昇させられ、基板Ｗ及び当該基板Ｗ上のめっき液Ｌ１がトッププレート１３に近い状態が維持される。
　これにより、自重ドレーン工程の間も、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１はトッププレート１３により覆われ、上方ヒーター１６により加熱されて高温状態を維持する。安定的な加熱及びめっき処理を行う観点からは、自重ドレーン工程における基板Ｗとトッププレート１３との間の高さ方向の間隔は、上述のパドル形成工程における基板Ｗとトッププレート１３との間の高さ方向の間隔と同じにすることが好ましい。
　次に、処理ユニット１０は、図１３に示すように次のめっき処理のために次処理準備状態に置かれる（次処理準備工程）。
　次処理準備工程では、トッププレート１３が上昇位置に配置されている状態で、処理液供給部４０から液案内路３１ａにめっき液Ｌ１が新たに供給される。これにより、液案内路３１ａ内のＤＩＷＬ２（図１２参照）が新たに供給されるめっき液Ｌ１により押し出されて、液案内路３１ａをめっき液Ｌ１により満たすことができる。
　このようにして液案内路３１ａに新たに供給されためっき液Ｌ１は、下方ヒーター１４によって加熱される。
　一方、液案内路３１ａから押し出されたＤＩＷＬ２は、液滞留部３１ｂに流入する。このとき、第１供給路２１及び第２供給路３１は非接続状態に置かれており、液滞留部３１ｂは周囲環境に向けて開放されている。そのため、液滞留部３１ｂからＤＩＷがオーバーフローし、液滞留部３１ｂからオーバーフローしたＤＩＷは下方ヒーター１４から外部に落下する。
　なお、次処理準備工程において、封止液供給部４１から液滞留部３１ｂへのＤＩＷＬ３の供給は行われてもよいし、行われなくてもよい。封止液供給部４１から液滞留部３１ｂへのＤＩＷＬ３の供給を行うことによって、液滞留部３１ｂにはフレッシュなＤＩＷが継続的に貯留され、そのフレッシュなＤＩＷによって液案内路３１ａ内のめっき液Ｌ１を封止することができる。
　次に、処理ユニット１０は、図１４に示すように液処理促進状態に置かれる（液処理促進工程）。
　液処理促進工程では、トッププレート１３及び基板Ｗが降下し、トッププレート１３はカバー位置に再び配置され、基板Ｗは処理位置に再び配置される。これにより、基板Ｗ及び基板Ｗ上のめっき液Ｌ１は、上方ヒーター１６及び下方ヒーター１４により加熱され、めっき処理が促進される。
　液処理促進工程においてめっき処理が十分に進行することで、めっき処理は終了する。
　次に、処理ユニット１０は、図１５に示すように洗浄処理状態に置かれる（洗浄処理工程）。
　洗浄処理工程では、トッププレート１３は退避位置に配置され、リンス液吐出部２７が液供給位置に配置される。そして、液供給位置に配置されたリンス液吐出部２７から基板Ｗの上面に向けてリンス液Ｌ４が吐出される。これにより基板Ｗ上のめっき液Ｌ１（図１４参照）がリンス液Ｌ４に置換され、基板Ｗはリンス液Ｌ４によってリンスされる。
　洗浄処理工程では、支持方式切換部４５が非突出状態に置かれ、基板Ｗは基板保持部１２によって広域接触支持状態で支持される。これにより、基板保持部１２による基板Ｗの保持力が増大し、基板保持部１２によって基板Ｗを安定的に支持することができる。したがって、洗浄処理工程において、基板Ｗを高速で回転させることも可能である。
　なお洗浄処理工程において、基板Ｗの周囲を低酸素雰囲気にする必要がない場合には、第１ガス供給路３４からの不活性ガスの噴出を停止してもよい。
　次に、処理ユニット１０は、後処理が行われる。
　後処理は、１以上の処理を含み、本実施形態では少なくとも基板Ｗを乾燥させる基板乾燥処理を含む。基板乾燥処理の具体的な処理内容は限定されない。例えば、基板Ｗを高速回転させるスピン乾燥やＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を使ったＩＰＡ乾燥によって、基板乾燥処理が行われてもよい。
　基板乾燥処理の前後及び基板乾燥処理と同時的に、基板乾燥処理以外の処理が行われてもよい。例えば、リンス処理装置（図示省略）によって基板Ｗの側端面及び下面にリンス液を付与し、基板Ｗの側端面及び下面のリンス処理を重点的に行ってもよい。
　以上説明したように本実施形態の処理ユニット１０及び基板液処理方法によれば、下方ヒーター１４によって基板Ｗ及びめっき液Ｌ１の両方が加熱される。このように、簡素な装置構成で、基板Ｗ及びめっき液Ｌ１を加熱することができる。
［第２実施形態］
　以下、第２実施形態に係る処理ユニット１０の一例について説明する。本実施形態において、上述の第１実施形態と同一又は対応の要素には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
　図１６は、第２実施形態に係る処理ユニット１０（基板液処理装置）の一例の概略を示す図である。図１６では、処理チャンバー１１が透視されて処理チャンバー１１の内側に位置する装置が図示されており、基板保持部１２（特に支持接触部１２ｂ）、トッププレート１３、下方ヒーター１４及びカップ構造体１５については断面が示されている。
　本実施形態のトッププレート１３は、不活性ガス供給路３７及びプリクリーン液供給路３８を有する。
　不活性ガス供給路３７の一方の開口は、吐出口２２と隣り合う位置に設けられており、トッププレート１３により囲まれる内側空間に露出する。不活性ガス供給路３７の他方の開口は、不活性ガス供給部６１に接続される。
　不活性ガス供給部６１は、制御部９３の制御下で、不活性ガス供給路３７に不活性ガス（例えば窒素）を供給する。不活性ガス供給部６１から不活性ガス供給路３７に供給された不活性ガスは、不活性ガス供給路３７の一方の開口から、トッププレート１３により囲まれる内側空間に向けて噴出される。
　不活性ガス供給部６１から不活性ガス供給路３７に供給される不活性ガスの具体的な組成は限定されない。本実施形態では、第１ガス供給路３４から噴出される不活性ガスと同じ組成の不活性ガスが、不活性ガス供給部６１から不活性ガス供給路３７に供給される。
　このように不活性ガス供給路３７には、不活性ガス供給部６１から供給される不活性ガスが流され、当該不活性ガスは、不活性ガス供給路３７から、トッププレート１３と基板Ｗとの間の空間に向けて吐出される。
　プリクリーン液供給路３８の一方の開口は、不活性ガス供給路３７の一方の開口と隣り合う位置に設けられており、トッププレート１３により囲まれる内側空間に露出する。プリクリーン液供給路３８の他方の開口は、プリクリーン液供給部６２に接続される。
　プリクリーン液供給部６２は、制御部９３の制御下で、プリクリーン液供給路３８にプリクリーン液を供給する。プリクリーン液は、基板Ｗのめっき処理に先立って行われる基板Ｗの洗浄のための液であり、プリクリーン液の具体的な組成は限定されない。
　プリクリーン液供給部６２からプリクリーン液供給路３８に供給されたプリクリーン液は、プリクリーン液供給路３８の一方の開口から、トッププレート１３により囲まれる内側空間に向けて噴出される。
　このように、プリクリーン液供給路３８にはプリクリーン液供給部６２から供給されるプリクリーン液が流され、当該プリクリーン液は、プリクリーン液供給路３８から基板Ｗに向けて吐出される。
　本実施形態の処理ユニット１０の他の構成は、上述の第１実施形態の処理ユニット１０（図２～図１５参照）の構成と同様である。
　次に、上述の処理ユニット１０を用いた基板液処理方法の一例を説明する。
　以下で説明する基板液処理方法は、処理ユニット１０が具備する各種機器が制御部９３により適宜制御されることで、実施される。
　図１７～図２２は、第２実施形態に係る基板液処理方法の一例を説明するための処理ユニット１０の拡大図である。図１７～図２２において、トッププレート１３及び下方ヒーター１４は断面が示されており、処理ユニット１０は簡略化して示されている。
　処理ユニット１０は、上述の第１実施形態と同様にして準備状態（図９参照）及び基板セット状態（図１０参照）を経た後、図１７に示すプリクリーン液付与状態に置かれる（プリクリーン液付与工程）。
　プリクリーン液付与工程において、トッププレート１３は移動して第１上昇位置に配置される。第１上昇位置は、後述の自重ドレーン工程（図２０参照）及び次処理準備工程（図２１参照）においてトッププレート１３が配置される上昇位置（すなわち第２上昇位置）よりも、高い。
　またプリクリーン液付与工程において、基板Ｗは上昇位置に配置される。上昇位置に配置された基板Ｗと、第１上昇位置に配置されたトッププレート１３との間の高さ方向の距離は、限定されない。
　プリクリーン液Ｌ５を使ったプリクリーン処理の促進のために基板Ｗ及びプリクリーン液Ｌ５を加熱する必要がない場合には、基板Ｗはトッププレート１３から離れていてもよい。一方、プリクリーン液Ｌ５を使ったプリクリーン処理の促進のために基板Ｗ及びプリクリーン液Ｌ５を加熱する必要がある場合には、基板Ｗはトッププレート１３の近くに配置されることが好ましい。この場合、基板Ｗ及び当該基板Ｗ上のプリクリーン液Ｌ５を、トッププレート１３に設けられる上方ヒーター１６（図８参照）からの熱によって加熱し、プリクリーン処理を促進することができる。
　プリクリーン液付与工程において、支持方式切換部４５は非突出状態に置かれ、基板Ｗは基板保持部１２によって広域接触支持状態で支持される。
　なおプリクリーン液付与工程において、基板Ｗは基板保持部１２により高速回転させられてもよいし、停止させられてもよい。
　そしてトッププレート１３が第１上昇位置に配置されている状態で、不活性ガス供給路３７から不活性ガスＧが吐出され、プリクリーン液供給路３８からプリクリーン液Ｌ５が吐出される。これにより、トッププレート１３と下方ヒーター１４との間の空間は低酸素雰囲気に調整され、基板Ｗ上にはプリクリーン液Ｌ５のパドルが形成される。
　特に本実施形態では、基板Ｗの下方に位置する第１ガス供給路３４からだけではなく、基板Ｗの上方に位置する不活性ガス供給路３７からも不活性ガスＧが噴出される(図２参照)。これにより、基板Ｗの下方に位置する空間だけではなく、基板Ｗの上方に位置する空間も、酸素量が非常に少ない低酸素雰囲気に調整することができる。
　次に、処理ユニット１０は、図１８に示すようにメイン処理準備状態に置かれる（メイン処理準備工程）。
　メイン処理準備工程では、トッププレート１３及び基板Ｗが降下し、トッププレート１３はカバー位置に配置され、基板Ｗは処理位置に配置される。これにより、第１供給路２１及び第２供給路３１は、シール体２３によりシールされた状態で、お互いに接続される。
　次に、処理ユニット１０は、順次、パドル形成状態（図１９参照）、自重ドレーン状態（図２０参照）、次処理準備状態（図２１参照）及び液処理促進状態（図２２参照）に置かれる。
　本実施形態で行われるこれらのパドル形成工程、自重ドレーン工程、次処理準備工程及び液処理促進工程は、上述の第１実施形態（図１１～図１４参照）と同様に行われる。
　なお本実施形態の処理ユニット１０では、少なくともプリクリーン液付与工程～液処理促進工程にわたって、継続的に、第１ガス供給路３４及び不活性ガス供給路３７から不活性ガスＧが噴出され、基板Ｗは低酸素雰囲気下に置かれる。
　その後、本実施形態では、上述の第１実施形態と同様に、洗浄処理工程（図１５参照）及び後処理工程（基板乾燥処理を含む）が行われる。
　以上説明したように本実施形態の処理ユニット１０及び基板液処理方法によれば、不活性ガス供給路３７から噴出される不活性ガスによって、トッププレート１３と下方ヒーター１４との間の空間を、より一層効果的に低酸素雰囲気に調整することができる。
　また本実施形態の処理ユニット１０によれば、基板保持部１２により保持されている基板Ｗにプリクリーン液を付与して、基板Ｗの前洗浄（すなわちプリクリーン処理）を行うことができる。
［第３実施形態］
　以下、第３実施形態に係る処理ユニット１０の一例について説明する。本実施形態において、上述の第１実施形態と同一又は対応の要素には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
　図２３は、第３実施形態に係る処理ユニット１０（基板液処理装置）の一例の概略を示す図である。図２３では、処理チャンバー１１が透視されて処理チャンバー１１の内側に位置する装置が図示されており、基板保持部１２（特に支持接触部１２ｂ）、トッププレート１３、下方ヒーター１４及びカップ構造体１５については断面が示されている。図２４は、図２３に示すトッププレート１３の上面図である。
　図２３に示す処理液供給部４０は、第１処理液供給部６５、第２処理液供給部６６及び第３処理液供給部６７を有する。
　第１処理液供給部６５及び第２処理液供給部６６は、上述の基板Ｗの液処理で用いられる処理液（すなわちめっき液Ｌ１及びＤＩＷＬ２）を、処理液供給案内路７０を介して第２供給路３１に供給する。第３処理液供給部６７は、第２供給路３１の洗浄処理で用いられる処理液（例えばＳＰＭ（硫酸及び過酸化水素水の混合液））を、処理液供給案内路７０を介して第２供給路３１に供給する。
　処理液供給部４０は、制御部９３の制御下で、第１処理液供給部６５、第２処理液供給部６６及び第３処理液供給部６７を切り換えて、所望の処理液を対応の処理液供給部から第２供給路３１に供給する。
　本実施形態のトッププレート１３は処理液排出路７１を有する。処理液排出路７１は、第１供給路２１には接続されず、トッププレート１３の外部において延びる処理液排出案内路７２に接続される。
　処理液排出路７１は、回転軸線Ａを中心としたトッププレート１３の回転に応じて、第２供給路３１の液流出開口（すなわち液滞留部３１ｂにより形成される開口）に接続される位置と、当該液流出開口に接続されない位置とに配置される。
　すなわち、第１供給路２１の液流入開口及び処理液排出路７１の開口は、回転軸線Ａ（すなわちトッププレート１３の中心軸線）から等距離に位置しており、回転軸線Ａを中心とした同一円上に配置されている。回転軸線Ａを中心とした第１供給路２１の液流入開口と処理液排出路７１の開口との間の角度ずれ量は限定されず、例えば数度～１０度程度であってもよい。
　トッププレート１３は、トッププレート駆動部５３（図８参照）によって又は操作者によって、回転軸線Ａを中心に回転させられる。これによりトッププレート１３は、第２供給路３１（特に液流出開口）が第１供給路２１に接続する位置（図２参照）と、第２供給路３１（特に液流出開口）が処理液排出路７１に接続する位置（図２３参照）とに配置される。
　処理液排出路７１が第２供給路３１に接続されることによって、第２供給路３１から排出される処理液が処理液排出路７１を介して処理液排出案内路７２に案内される。このようにして第２供給路３１から排出される処理液を処理液排出路７１に導くことによって、当該処理液が、第１供給路２１及び吐出口２２を介して基板Ｗに付与されることを確実に防ぐことができる。
　したがって、第１供給路２１、吐出口２２及び／又は基板Ｗに接触することが好ましくない処理液を第２供給路３１に流す場合、トッププレート１３は、第２供給路３１が処理液排出路７１に接続される位置に配置される。
　第１供給路２１、吐出口２２及び／又は基板Ｗに接触することが好ましくない処理液として、例えばＳＰＭを含有する処理液が考えられうる。
　一般に、ＩＰＡ及びＳＰＭが混合されることは好ましくない。そのため、第２供給路３１の洗浄処理のためにＳＰＭが使われる場合、第２供給路３１が処理液排出路７１に接続される位置にトッププレート１３は配置される。この状態で、処理液供給部４０（特に第３処理液供給部６７）から処理液供給案内路７０を介して第２供給路３１にＳＰＡが供給される。これにより第２供給路３１がＳＰＡにより洗浄され、洗浄に使われたＳＰＡは、第２供給路３１から処理液排出路７１を通って処理液排出案内路７２に排出される。
　一方、基板乾燥処理においてＩＰＡが使われる場合、ＩＰＡが処理液供給案内路７０及び第２供給路３１を通らない任意の方法で、基板ＷにＩＰＡが付与される。例えば、移動可能な吐出ユニット（図示省略）から直接的にＩＰＡが基板Ｗに付与されてもよいし、第１供給路２１に接続可能なＩＰＡ供給路（図示省略）から第１供給路２１及び吐出口２２を介して基板ＷにＩＰＡが付与されてもよい
［第１変形例］
　図２５は、第１変形例に係る処理ユニット１０（基板液処理装置）の一例の概略を示す図である。図２５において、処理チャンバー１１が透視されて処理チャンバー１１の内側に位置する装置が図示されており、基板保持部１２（特に支持接触部１２ｂ）、トッププレート１３、下方ヒーター１４及びカップ構造体１５については断面が示されている。
　本変形例のトッププレート１３は流体流通路７５を有する。
　流体流通路７５の一方の端部は第１供給路２１に接続される。流体流通路７５の他方の端部は、トッププレート１３の外部において延びる流体案内路７６に接続される。流体流通路７５には、流体供給部７７から流体案内路７６を介して流体（例えば液体及び／又は気体）が供給される。流体案内路７６から流体流通路７５に供給される流体は、第１供給路２１に流入し、吐出口２２から吐出されうる。
　例えば、流体供給部７７から流体流通路７５にＤＩＷが供給される場合、流体流通路７５から第１供給路２１に流入するＤＩＷを吐出口２２から吐出させることも可能である。
　トッププレート１３が退避位置に配置されている状態で、流体供給部７７から流体流通路７５にＤＩＷ等のリンス液を供給し、流体流通路７５から第１供給路２１に流入する当該リンス液を吐出口２２から吐出させるダミーディスペンスを行ってもよい。この場合、リンス液によって第１供給路２１及び吐出口２２を洗い流すことができる。
［他の変形例］
　トッププレート１３は、上方ヒーター１６（図８参照）を具備していなくてもよい。
　上述の実施形態では、基板Ｗの全体を覆うトッププレート１３が、基板Ｗに処理液を付与するノズル部材として用いられているが、基板Ｗの一部のみを覆うトッププレート１３をノズル部材として用いてもよい。例えば、トッププレート１３が貫通孔を有し、トッププレート１３の上方に設けられるＦＦＵ（ファンフィルタユニット）から送られてくる気流が、当該貫通孔を介して、トッププレート１３の下方に流入してもよい。
　上述の実施形態では、トッププレート１３が移動されることによってトッププレート１３及び下方ヒーター１４の相対位置が調整されるが、トッププレート１３の代わりに又はトッププレート１３に加えて下方ヒーター１４が移動されてもよい。下方ヒーター１４は、制御部９３の制御下で、下方ヒーター駆動部（図示省略）によって移動させられてもよい。
　第１供給路２１及び吐出口２２を有するノズル部材は、トッププレート１３以外の任意の構成を有してもよく、例えば中空管（図示省略）によって構成されてもよい。
　上述の実施形態では、リンス液吐出部２７がトッププレート１３とは別個に設けられているが、トッププレート１３がリンス液吐出部２７を具備していてもよい。この場合、リンス液吐出部２７は、トッププレート１３の移動に応じて移動する。そのため、リンス液吐出部２７から基板Ｗの上面にリンス液を吐出する際には、トッププレート１３は、基板保持部１２により保持されている基板Ｗの上方に配置される。
　本明細書で開示されている実施形態はすべての点で例示に過ぎず限定的には解釈されないことに留意されるべきである。上述の実施形態及び変形例は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態での省略、置換及び変更が可能である。例えば上述の実施形態及び変形例が組み合わされてもよく、また上述以外の実施形態が上述の実施形態又は変形例と組み合わされてもよい。
　また上述の技術的思想を具現化する技術的カテゴリーは限定されない。例えば上述の基板液処理装置が他の装置に応用されてもよい。また上述の基板液処理方法に含まれる１又は複数の手順（ステップ）をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラムによって、上述の技術的思想が具現化されてもよい。またそのようなコンピュータプログラムが記録されたコンピュータが読み取り可能な非一時的（non-transitory）な記録媒体によって、上述の技術的思想が具現化されてもよい。

Claims (11)

  1. 　基板を保持する基板保持部と、
    　第１供給路と、前記第１供給路に接続され且つ前記基板の上方に位置づけられる吐出口と、を有するノズル部材と、
    　前記基板の下方に位置づけられ、処理液が流される第２供給路を有し、前記基板の周縁領域及び前記第２供給路内の前記処理液を加熱する下方ヒーターと、を備え、
    　前記第１供給路が前記第２供給路に接続されて、前記第２供給路から前記第１供給路を介して前記吐出口に供給される前記処理液が、前記吐出口から前記基板に向けて吐出される、
    　基板液処理装置。
  2. 　前記ノズル部材及び前記下方ヒーターのうちの少なくともいずれか一方は移動可能に設けられ、
    　前記ノズル部材及び前記下方ヒーターは、前記第１供給路及び前記第２供給路がお互いに接続される接続位置と、前記第１供給路及び前記第２供給路がお互いから離れる非前記接続位置とに配置される請求項１に記載の基板液処理装置。
  3. 　前記第２供給路に複数種類の処理液を供給する処理液供給部を備える請求項１又は２に記載の基板液処理装置。
  4. 　前記第２供給路は、液案内路と、前記液案内路の一方の開口に接続される液滞留部と、を有し、
    　前記液案内路の前記一方の開口は、前記液滞留部に貯留される液によって、周囲から隔絶される請求項１～３のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
  5. 　前記液滞留部に封止液を供給する封止液供給部を備え、
    　前記液案内路内の前記処理液は、前記液滞留部に貯留される前記封止液によって、周囲から隔絶される請求項４に記載の基板液処理装置。
  6. 　前記下方ヒーターは液保持溝を有し、
    　前記基板の下面の前記周縁領域には、前記液保持溝から突出している前記処理液が付着する請求項１～５のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
  7. 　前記基板保持部は、
    　支持載置面を有する支持接触部と、
    　前記支持載置面から突出する突出状態と、前記支持載置面から突出しない非突出状態と、に置かれることが可能な支持方式切換部と、を有し、
    　前記支持方式切換部が前記非突出状態に置かれる場合、前記基板は、前記支持載置面に載せられ、
    　前記支持方式切換部が前記突出状態に置かれる場合、前記基板は、前記支持載置面から離れて、前記支持方式切換部に載せられる請求項１～６のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
  8. 　前記ノズル部材は、プリクリーン液供給部から供給されるプリクリーン液が流されるプリクリーン液供給路を有し、
    　前記プリクリーン液は、前記プリクリーン液供給路から前記基板に向けて吐出される請求項１～７のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
  9. 　前記ノズル部材は、不活性ガス供給部から供給される不活性ガスが流される不活性ガス供給路を有し、
    　前記不活性ガスは、前記不活性ガス供給路から、前記ノズル部材と前記基板との間の空間に向けて吐出される請求項１～８のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
  10. 　前記ノズル部材は、前記第１供給路には接続されない処理液排出路であって、前記ノズル部材の外部において延びる処理液排出案内路に接続される処理液排出路を有し、
    　前記処理液排出路が前記第２供給路に接続されて、前記第２供給路から排出される前記処理液が前記処理液排出路を介して前記処理液排出案内路に案内される請求項１～９のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
  11. 　基板を保持する基板保持部と、第１供給路と、前記第１供給路に接続され且つ前記基板の上方に位置づけられる吐出口と、を有するノズル部材と、前記基板の下方に位置づけられ、処理液が流される第２供給路を有し、前記基板の周縁領域及び前記第２供給路を流れる前記処理液を加熱する下方ヒーターと、を備える基板液処理装置を用いた基板液処理方法であって、
    　前記第１供給路を、前記第２供給路に接続する工程と、
    　前記処理液を、前記第２供給路から前記第１供給路を介して前記吐出口に供給して、当該吐出口から前記基板に向けて吐出する工程と、
    　を含む基板液処理方法。
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