JP3948912B2 - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3948912B2 JP3948912B2 JP2001168392A JP2001168392A JP3948912B2 JP 3948912 B2 JP3948912 B2 JP 3948912B2 JP 2001168392 A JP2001168392 A JP 2001168392A JP 2001168392 A JP2001168392 A JP 2001168392A JP 3948912 B2 JP3948912 B2 JP 3948912B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- tank
- solution
- substrate
- inner tank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板等(以下、単に基板と称する)に処理溶液を供給して洗浄処理を施したり、基板に処理溶液を供給してエッチング処理を施したりする表面処理用の基板処理装置に係り、特に、少なくとも二種類の処理液を混合した処理溶液を用いて処理する技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来のこの種の基板処理装置として、硫酸と過酸化水素水とを混合してなる処理溶液により、基板に被着したフォトレジスト被膜を剥離するものが挙げられる。この装置では、処理槽に処理溶液を貯留し、この中に基板を浸漬することにより洗浄処理を施すようになっている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、硫酸と過酸化水素水とを混合すると発熱するので、生成された処理溶液の温度が処理温度(例えば120℃)よりも高い温度(例えば135℃)にまで上昇してしまう。処理を施す目標温度よりも処理溶液の温度が低い場合には加熱器を使用して昇温すればよいが、目標温度よりも処理溶液の温度が高くなった場合には、処理槽周囲の空気との温度差による空冷となるので、処理溶液の温度が下がるのに非常に時間を要する。したがって、処理溶液を生成してから実際に基板の処理を開始するまでの時間が無駄になり、スループットが低下するという問題がある。
【0004】
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、積極的に処理溶液を冷却することにより、冷却に要する温度調整時間を短縮化してスループットを向上できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項1に記載の発明は、少なくとも二種類の処理液を混合した処理溶液によって基板に表面処理を施す基板処理装置において、処理溶液を貯留して基板を浸漬する内槽と、内槽から溢れた処理溶液を回収する外槽と、前記外槽で回収した処理溶液を前記内槽に戻す循環路とを備えた処理槽と、前記内槽に処理液を供給する供給手段と、前記外槽に配設され、前記供給手段から分岐して前記外槽の処理溶液を冷却し、再び前記供給手段に戻る冷却配管とを備え、前記内槽内の処理溶液の温度が目標温度を超えた場合には、前記冷却配管に処理液を供給させることを特徴とするものである。
【0006】
(削除)
【0007】
(削除)
【0008】
(削除)
【0009】
請求項2に記載の発明は、少なくとも二種類の処理液を混合した処理溶液によって基板に表面処理を施す基板処理装置において、処理溶液を貯留して基板を浸漬する内槽と、内槽から溢れた処理溶液を回収する外槽と、前記外槽で回収した処理溶液を前記内槽に戻す循環路とを備えた処理槽と、前記内槽に処理液を供給する供給手段と、前記循環路に配設され、前記供給手段から分岐して前記循環路内の処理溶液を冷却し、再び前記供給手段に戻る冷却配管とを備え、前記内槽内の処理溶液の温度が目標温度を超えた場合には、前記冷却配管に処理液を供給させることを特徴とするものである。
【0010】
請求項3に記載の発明は、請求項1または2に記載の基板処理装置において、前記処理液は、硫酸と過酸化水素水とを含むものであり、硫酸を前記冷却配管に流通させることを特徴とするものである。
【0011】
【作用】
請求項1に記載の発明の作用は次のとおりである。
すなわち、処理槽のうち内槽の処理溶液が目標温度よりも高い場合には、外槽に設けられた冷却配管に処理液を供給し、外槽の処理溶液を冷却する。冷却配管に供給された処理液は、再び供給手段に戻されて内槽へ供給される。
【0012】
なお、本発明における処理液とは、硫酸や過酸化水素水などの薬液の他に純水も含む。
【0013】
(削除)
【0014】
(削除)
【0015】
(削除)
【0016】
請求項2に記載の発明によれば、処理槽のうち内槽の処理溶液が目標温度よりも高い場合には、循環路に設けられた冷却配管に処理液を供給して積極的に循環路の処理溶液を冷却するので、冷却時間を短縮することができ、スループットを向上することができる。また、冷却配管に供給された処理液は再び供給手段に戻されて内槽へ供給される。
【0017】
請求項3に記載の発明によれば、冷媒として硫酸を用いる。硫酸の沸点は、およそ327℃であるので、水蒸気爆発の危険があって冷却水が使えない温度の処理溶液の冷却にも使用できる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
なお、以下の各実施例では、基板Wの表面に被着されたフォトレジスト被膜を、硫酸・過酸化水素水からなる処理溶液により剥離処理を施す装置を例に採って説明する。しかし、本発明は、この処理溶液に限定されるものではなく、これ以外の各種の処理溶液を用いた基板処理装置であっても適用可能である。
【0019】
<第1実施例>
図1は、この実施例に係る基板処理装置を示す概略構成図である。
この基板処理装置は、複数枚の基板WをカセットCに収納した状態で一括して処理する、いわゆるバッチ式の処理装置である。基板Wは、処理溶液を貯留する処理槽1にカセットCごと浸漬される。
【0020】
処理槽1は、処理液が供給される内槽3と、内槽3から溢れた処理溶液を回収する外槽5とを備えている。外槽5の底部には循環路7が配設されており、この循環路7は内槽3に連通接続されている。循環路7には、外槽5の処理溶液を内槽3に圧送するためのポンプ9と、処理溶液を加熱して目標温度に調節するための加熱器11と、処理溶液中のパーティクルを除去するためのフィルタ13とが配備されている。
【0021】
本発明における混合槽に相当する内槽3には、一例として、過酸化水素水及び硫酸が処理液として供給されるようになっている。これらは、それぞれの供給源21,23から供給されるが、まずはそれらが供給源21,23に連通された配管25,27を通して第1秤量槽29,第2秤量槽31に供給される。それぞれの供給は、配管25,27に取り付けられた開閉弁33,35によって制御される。
【0022】
なお、硫酸供給源23と、配管27と、第2秤量槽31とが本発明における供給手段に相当する。
【0023】
硫酸供給源23に連通した配管27には、二カ所に分岐管37,39が取り付けられている。これらの端部には、管継手41が取り付けられている。配管27の、分岐管37の分岐点J1と分岐管39の分岐点J2との間には、開閉弁43が取り付けられているとともに、分岐管37には開閉弁45が取り付けられている。
【0024】
分岐管37,39に取り付けられている管継手41には、熱交換チューブ47が接続されている。この熱交換チューブ47は、例えば、PFA等のフッ素樹脂チューブで構成され、一部が螺旋状に整形されているとともに、螺旋状の部分が外槽5内に位置するように取り付けられている。この実施例では、図に示すように、外槽5に回収された処理溶液に熱交換チューブ4の螺旋状の部分が浸漬するように取り付けられている。
【0025】
なお、上記の構成に代えて、外槽5の壁面に熱交換チューブ47を埋め込むようにしてもよい。これらの分岐管37,39と熱交換チューブ47とが本発明における冷却配管に相当する。
【0026】
第1秤量槽29と第2秤量槽31には、内槽3内に達する供給管49,51が配備されており、各々に開閉弁53,55が取り付けられている。第1秤量槽29は、処理溶液に応じて秤量した過酸化水素水が供給管49を通して内槽3に供給され、第2秤量槽31は、同様にして秤量された硫酸が供給管51を通して内槽3に供給される。
【0027】
次に、上記のように構成された基板処理装置の動作について図1ないし3を参照して説明する。なお、図2は、通常動作時における硫酸の流れを示す模式図であり、図3は、冷却動作時における硫酸の流れを示す模式図である。
【0028】
まず、開閉弁45、53,55を閉止したまま、開閉弁33,35,43を開放する。これにより過酸化水素水供給源21及び硫酸供給源23から過酸化水素水と硫酸が第1秤量槽29及び第2秤量槽31に供給される。第1秤量槽29及び第2秤量槽31では、処理溶液の生成に必要な過酸化水素水と硫酸の秤量が行なわれるともに、処理溶液をオーバーフローさせながら処理槽1で処理するのに必要なそれぞれの量を貯留する。
【0029】
そして、所要量が貯留できたら、開閉弁53,55を開放して、内槽3に過酸化水素水と硫酸の内槽5への供給を開始する。処理溶液が外槽5に溢れて一定高さまで貯留した時点でポンプ9を作動させ始め、処理溶液を循環させる。そして、過酸化水素水と硫酸について所要量の供給が終わったら、開閉弁53,55を閉止して、それらの供給を停止する。なお、このときの硫酸の供給経路における開閉弁の状態を示したのが図2である。
【0030】
これにより一定量の処理溶液が処理槽1に供給され、ポンプ9によって循環されるが、処理槽1内の処理溶液は過酸化水素水と硫酸の反応によって発熱し、例えば135℃くらいまで昇温する。基板Wを処理する際の目標温度が例えば120℃であるとすると、発熱により昇温している処理溶液の温度を15℃程度は下げてやる必要がある。
【0031】
そこで、開閉弁45を開放するとともに、開閉弁43を閉止する。これにより図3に示すように、硫酸供給源23からの硫酸が分岐管37を通って熱交換チューブ47に流入し、硫酸が外槽5に貯留している処理溶液から吸熱した後、分岐管39を通って配管27に戻り、第2秤量槽31に戻る。
【0032】
このように硫酸によって吸熱を行ない、処理溶液の温度を低下させてゆく。目標温度に達したか否かは、図示しない温度計測部によってモニタしておき、その温度が目標温度に達したら開閉弁43を開放すると共に、開閉弁45を閉止することで、図2に示すような通常時の硫酸の流れに戻す。そして、図示しない搬送機構によってカセットCを内槽3に基板Wごと浸漬することで、基板Wに対してフォトレジスト被膜の剥離処理を施す。
【0033】
このように、処理槽1の処理溶液が目標温度よりも高い場合には、熱交換チューブ47に硫酸を供給して積極的に処理槽の処理溶液を冷却するので、冷却時間を短縮することができ、装置のスループットを向上することができる。
【0034】
また、熱交換チューブ47に供給された硫酸は再び第2秤量槽31に戻されて処理槽1へ供給されるので、余分な排出物がでないだけでなく、万が一、硫酸が処理溶液に混入した場合であっても、処理対象である基板Wの汚染が防止できるという効果をも有する。
【0035】
また、冷却水が使えないほどの温度にまで昇温する処理溶液であっても、冷媒として硫酸を採用することにより、十分に冷却することができる。その上、外槽5に熱交換チューブ7を配備して処理溶液を冷却するという構成であり、比較的簡単に処理溶液を冷却することができる。
【0036】
<第2実施例>
図4は、この実施例に係る基板処理装置を示す概略構成図である。
なお、図中、上記第1実施例と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明については省略する。
【0037】
この基板処理装置は、本発明における冷却配管に相当する熱交換器61を循環路7に備えている点において上記実施例装置と相違している。
具体的には、熱交換器61を、循環路7中の加熱器11とフィルタ13との間に設けてある。これにより循環路7に流通している処理溶液を冷却する。このような構成により、上述した第1実施例よりも効率的に処理溶液の冷却が行えるようになっている。
【0038】
<参考例>
上記の第1実施例装置及び第2実施例装置は、処理槽1の内槽3で処理溶液を生成するように構成されているが、図5に示すように、混合槽65で処理溶液を生成するような装置の場合について説明する。
【0039】
すなわち、第1秤量槽29と第2秤量槽31から所定量の過酸化水素水と硫酸を混合槽65に供給して処理溶液を生成する。このようにして生成した処理溶液を、開閉弁69を開放することにより供給管67を通して、処理槽1の内槽3に供給する。この場合には、混合槽65で処理溶液が昇温するので、この混合槽65に配備してある熱交換チューブ47に硫酸を流通させることにより、処理溶液を冷却する。
【0040】
なお、本発明は、以下のように変形実施が可能である。
【0041】
(1)熱交換チューブ47や熱交換器61を二カ所に備えて両処理液を冷媒として用いるようにしてもよい。
【0042】
(2)バッチ式の基板処理装置だけに限定されるものではなく、枚葉式の基板処理装置であっても適用可能である。
【0043】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、請求項1に記載の発明によれば、処理槽のうち内槽の処理溶液が目標温度よりも高い場合には、外槽に設けられた冷却配管に処理液を供給して積極的に外槽の処理溶液を冷却するので、冷却時間を短縮することができ、スループットを向上することができる。また、冷却配管に供給された処理液は再び供給手段に戻されて内槽へ供給されるので、余分な排出物がでないだけでなく、万が一、冷媒が処理溶液に混入した場合であっても、基板の汚染が防止できる。
【0044】
(削除)
【0045】
(削除)
【0046】
(削除)
【0047】
請求項2に記載の発明によれば、処理槽のうち内槽の処理溶液が目標温度よりも高い場合には、循環路に設けられた冷却配管に処理液を供給して積極的に循環路の処理溶液を冷却するので、冷却時間を短縮することができ、スループットを向上することができる。また、冷却配管に供給された処理液は再び供給手段に戻されて内槽へ供給されるので、余分な排出物がでないだけでなく、万が一、冷媒が処理溶液に混入した場合であっても、基板の汚染が防止できる。さらに、内槽と外槽とを連通接続した循環路に冷却配管を設けて処理溶液を冷却することにより、効率的に処理溶液を冷却することができる。
【0048】
請求項3に記載の発明によれば、冷却水が使えないほどの温度にまで昇温する処理溶液であっても、冷媒として硫酸を使用いて冷却することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 第1実施例に係る基板処理装置を示す概略構成図である。
【図2】 通常動作時における処理液の流れを示す模式図である。
【図3】 冷却動作時における処理液の流れを示す模式図である。
【図4】 第2実施例に係る基板処理装置を示す概略構成図である。
【図5】 参考例に係る基板処理装置の要部を示す図である。
【符号の説明】
W … 基板
C … カセット
1 … 処理槽
3 … 内槽
5 … 外槽
7 … 循環路
11 … 加熱器
25,27 … 配管(供給手段)
31 … 第2秤量槽(供給手段)
37,39 … 分岐管(冷却配管)
47 … 熱交換チューブ(冷却配管)
49,51… 供給管
53,55… 開閉弁
Claims (3)
- 少なくとも二種類の処理液を混合した処理溶液によって基板に表面処理を施す基板処理装置において、
処理溶液を貯留して基板を浸漬する内槽と、内槽から溢れた処理溶液を回収する外槽と、前記外槽で回収した処理溶液を前記内槽に戻す循環路とを備えた処理槽と、
前記内槽に処理液を供給する供給手段と、
前記外槽に配設され、前記供給手段から分岐して前記外槽の処理溶液を冷却し、再び前記供給手段に戻る冷却配管とを備え、
前記内槽内の処理溶液の温度が目標温度を超えた場合には、前記冷却配管に処理液を供給させることを特徴とする基板処理装置。 - 少なくとも二種類の処理液を混合した処理溶液によって基板に表面処理を施す基板処理装置において、
処理溶液を貯留して基板を浸漬する内槽と、内槽から溢れた処理溶液を回収する外槽と、前記外槽で回収した処理溶液を前記内槽に戻す循環路とを備えた処理槽と、
前記内槽に処理液を供給する供給手段と、
前記循環路に配設され、前記供給手段から分岐して前記循環路内の処理溶液を冷却し、再び前記供給手段に戻る冷却配管とを備え、
前記内槽内の処理溶液の温度が目標温度を超えた場合には、前記冷却配管に処理液を供給させることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1または2に記載の基板処理装置において、
前記処理液は、硫酸と過酸化水素水とを含むものであり、硫酸を前記冷却配管に流通させることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001168392A JP3948912B2 (ja) | 2001-06-04 | 2001-06-04 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001168392A JP3948912B2 (ja) | 2001-06-04 | 2001-06-04 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002367944A JP2002367944A (ja) | 2002-12-20 |
JP3948912B2 true JP3948912B2 (ja) | 2007-07-25 |
Family
ID=19010626
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001168392A Expired - Fee Related JP3948912B2 (ja) | 2001-06-04 | 2001-06-04 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3948912B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007103429A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Kurita Water Ind Ltd | 洗浄装置および洗浄方法 |
JP4878986B2 (ja) * | 2006-11-07 | 2012-02-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記録媒体 |
JP4926887B2 (ja) * | 2007-08-28 | 2012-05-09 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP2009189905A (ja) * | 2008-02-12 | 2009-08-27 | Kurita Water Ind Ltd | 熱回収型洗浄装置 |
-
2001
- 2001-06-04 JP JP2001168392A patent/JP3948912B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002367944A (ja) | 2002-12-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100693238B1 (ko) | 반도체 제조 장치 및 시약 교환 방법 | |
EP0782889B1 (en) | Method and apparatus for washing or for washing-drying substrates | |
KR100878570B1 (ko) | 기판처리방법 및 기판처리장치 | |
US20150020968A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
TWI690979B (zh) | 基板處理裝置、基板處理裝置的洗淨方法 | |
JP4737809B2 (ja) | 半導体製造装置及び半導体製造方法 | |
JP2002184747A (ja) | 基板処理装置 | |
JP3948912B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR100895861B1 (ko) | 공정 용액 처리 방법 및 이를 이용한 기판 처리 장치 | |
KR20170017806A (ko) | 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기억 매체 | |
JP4302376B2 (ja) | 液処理方法及び液処理装置 | |
JP2002210422A (ja) | 被処理基板の洗浄処理装置と洗浄方法 | |
JP3739075B2 (ja) | 液処理装置及び液処理方法 | |
KR20200033754A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
US8178821B2 (en) | Substrate treating apparatus | |
JP4601029B2 (ja) | 半導体処理装置 | |
JPH11154657A (ja) | 洗浄装置及び洗浄方法 | |
JP4025146B2 (ja) | 処理液用タンク及び処理装置 | |
JP2003077878A (ja) | 液処理方法及び液処理装置 | |
JP2002075946A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4034285B2 (ja) | 温度調節システム及び温度調節方法 | |
JP3277625B2 (ja) | ウエハ洗浄装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP4412540B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP3701811B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP4511900B2 (ja) | 洗浄液加熱装置及びそれを用いた洗浄液加熱方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20060829 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20061023 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070417 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Effective date: 20070417 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 3 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100427 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 3 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100427 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110427 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110427 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |