KR100878570B1 - 기판처리방법 및 기판처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 기판처리방법 및 기판처리장치에 관한 것으로, 처리액의 온도를 허용온도범위 내로 제어하고, 처리효율의 향상과 스루풋의 향상을 도모하도록 함과 동시에, 처리액의 열화방지 및 수명연장을 꾀하도록 한다.
탱크(10) 내에 저류되는 약액(L)을 히터(1) 및 냉각수단(2)에 의해 가열 및 냉각온도를 조정가능하게 하고, 대기순환을 시켜두어, 이 대기순환 중의 약액(L)을 처리실(6) 내에 수용된 웨이퍼(W)에 공급하여 처리를 실시하는 액처리방법에서, 처리를 종료한 후에, 냉각수단(2)의 냉각매체를 탱크(10) 내 약액(L)과 열교환시켜서 냉각하고 다음 대기순환에 대비하도록 하는 기술을 제시한다.

Description

기판처리방법 및 기판처리장치{SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM}
도 1 은 이 발명에 관한 액처리장치의 제 1 실시예를 도시하는 개략 구성도이다.
도 2 는 제 1 실시예의 액처리장치 처리 전, 처리시 및 대기순환 상태에서의 온도와 시간 관계를 도시하는 그래프이다.
도 3 은 이 발명에 관한 액처리장치의 제 2 실시예를 도시하는 개략 구성도이다.
도 4 는 제 2 실시예의 액처리장치 처리 전, 처리시 및 대기순환 상태에서의 온도와 시간 관계를 도시하는 그래프이다.
도 5 는 이 발명에 관한 액처리장치의 제 3 실시예를 도시하는 개략 구성도이다.
도 6 은 이 발명에 관한 액처리장치를 장착한 세정 ·건조처리시스템을 도시하는 사시도이다.
도 7 은 상기 세정 ·건조처리시스템의 개략 평면도이다.
도 8 은 이 발명에 관한 액처리장치를 적용한 2중 챔버식 액처리장치를 도시하는 개략 단면도이다.
도 9 는 상기 2중 챔버식 액처리장치의 개략 구성도이다.
도 10 은 상기 2중 챔버식 액처리장치에 있어서의 처리액 배관계통을 도시하는 개략 배관도이다.
도 11 은 상기 2중 챔버식 액처리장치의 약액공급부를 도시하는 개략 구성도이다.
도 12 는 상기 2중 챔버식 액처리장치의 탱크를 도시하는 단면도이다.
도 13 은 종래의 액처리장치를 도시하는 개략 구성도이다.
도 14 는 종래의 액처리장치의 처리 전, 처리시 및 대기순환 상태에서의 온도와 시간의 관계를 도시하는 그래프이다.
이 발명은 액처리방법 및 액처리장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 예를 들어 반도체웨이퍼와 LCD용 유리기판 등의 피처리체에 처리액인 약액 등을 공급하여 세정 등의 처리를 하는 액처리방법 및 액처리장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체디바이스의 제조공정과 LCD제조공정에서는, 반도체 웨이퍼와 LCD용 유리 등의 피처리체에 부착된 레지스트와 드라이처리 후의 잔사(폴리머 등)를 제거하기 위해, 처리액 등을 이용한 액처리방법(장치)이 널리 채용되어 있다.
종래의 이런 액처리방법(장치)에 있어서, 고가의 약액 등의 처리액을 유효하 게 이용하기 위해, 처리에 공급하는 처리액을 리사이클액으로 재이용하는 세정처리방법이 알려져 있다.
이 리사이클액을 이용하는 액처리장치는 도 13에 도시하는 것과 같이 탱크(10) 내에 저류된 처리액(L)을 소정온도로 가열하는 가열수단인 히터(1)와, 탱크(10) 내의 처리액(L)이 설정온도를 넘었을 때에 처리액(L)을 냉각하는 냉각매체인 냉각수를 유통하는 냉각수단(2)과, 탱크(10)내 처리액을 탱크외부로 대기순환시키는 대기순환로(4)를 갖는 대기순환라인(5)과, 처리실(6) 내에 수용된 피처리체인 웨이퍼(W)에 처리액을 공급하는 처리액공급수단인 노즐(7)과, 노즐(7)로 처리액을 공급하는 공급로(8a)와, 처리에 공급되는 처리액을 처리실(6)에서 배출하는 배출로(8b)를 갖는 웨이퍼처리부(9)와, 대기순환라인(5)의 대기순환로(4)와 처리부(9)의 공급로(8a) 및 배출로(8b)를 연통 ·차단하는 전환수단으로서의 제 1 전환밸브(V1) 및 제 2 전환밸브(V2)와, 냉각수단(2)의 냉각수 유통로(2a)의 냉각수공급원(2A)쪽으로 개설되는 유량계(FM, Flow Meter)로 주로 구성되어 있다.
이 경우, 탱크(10) 내의 처리액(L) 온도를 검출하는 액온도센서(S)와, 히터(1) 온도를 검출하는 온도센서(T)로부터의 검출신호가 제어수단인 중앙연산처리장치(30)(이하 CPU(30)이라 함)로 전달되고, CPU(30)로부터의 제어신호에 기초한 PID온도기(R)에 의해 히터(1)가 소정 온도로 제어{PID제어 : 비례동작, 적분동작, 미분동작제어}되고, 처리액(L)이 처리 허용온도인 70 ±1℃의 온도감시폭이 되도록 설정되어 있다. 또한, 대기순환로(4)에는 펌프(P)가 개설됨과 동시에 이 펌프(P)의 토출쪽(2차쪽)으로 필터(F)가 개설되어 있다.
상기와 같이 구성되는 액처리장치는 처리액(L)의 대기순환라인과, 웨이퍼처리순환라인의 두개의 배관루트를 구비하고 있고, 준비중과 처리중에 제 1 및 제 2 전환밸브(V1, V2)를 전환제어하고, 배관루트를 전환하여 처리를 하고 있다.
그러나, 종래의 이런 종류의 액처리장치(방법)에서는 처리액 대기순환라인과 웨이퍼처리순환라인의 방열량(온도교환률)이 다르므로, 순환라인의 전환 시에 PID제어(히터가열 또는 계로부터의 방열)가 추종되지 못한 채, 처리액의 온도가 희망하는 온도에서 벗어나는 상태가 발생한다. 즉, 도 14에 도시하는 것과 같이 제 1 전환밸브(V1)와 제 2 전환밸브(V2)를 전환하여 대기순환로(4)와 공급로(8a) 및 배출로(8b)를 연통했을 때에는, 처리액의 온도가 허용온도(감시온도폭)보다 약 2℃ 낮게 된다. 이것은 거의 대기온도(25℃ 부근)에 가까운 처리실(6) 및 웨이퍼(W)로, 고온의 처리액을 투입했을 때에, 처리액의 열이 상당히 손실되어 탱크로 돌아오고, 이 때, 열을 손실한 처리액이 탱크(10) 내의 처리액(L) 온도를 내리기 때문이다. 이 온도저하가 허용온도에 도달할 때까지 약 2분 30초정도 소요되고, 이 동안 처리가 불충분해져서 폴리머의 제거능력이 저하되는 문제가 발생하고, 처리효율과 스루풋의 저하를 초래하고 있었다. 또, 처리완료 후에, 제 1 전환밸브(V1)와 제 2 전환밸브(V2)를 전환하고, 공급로(8a) 및 배출로(8b)와 대기순환로(4)를 연통했을 때에는 처리액의 온도가 허용온도(감시온도폭)보다 약 2℃ 높아지는 현상이 발생한다. 이것은 처리액이 처리상태의 대량 방열상태에서 대기상태의 소량방열 상태로 급격하게 변화하기 때문이다. 이 온도상승이 허용온도에 도달할 때까지 약 12분이나 소 요되고, 그 동안, 다음 처리를 할 수 없고, 스루풋이 저하되는 문제가 있었다. 또, 처리액(L)의 온도가 허용온도범위보다 높아지면, 처리액(L)의 열화를 초래함과 동시에, 처리액(L)의 수명단축을 초래하는 문제점도 있다.
이 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 처리 전 또는 처리 후의 대기순환중 처리액 온도 및 처리중의 처리액 온도를 허용온도범위 내로 제어하고, 처리효율의 향상과 스루풋의 향상을 도모함과 동시에, 처리액의 열화방지 및 수명 연장을 도모하도록 한 액처리방법 및 액처리장치를 제공하는 것을 목적으로 하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 의한 액처리방법은 탱크 내에 저류되는 처리액을 가열수단 및 냉각수단에 의해 가열 및 냉각가능하게 함과 동시에 대기순환시켜두고, 이 대기순환중의 처리액을 처리실 내에 수용된 피처리체에 공급하여 처리를 실시하고, 상기 피처리체에 공급한 처리액을 상기 탱크 내로 되돌리는 액처리방법에 있어서, 대기순환 중에 상기 탱크 내의 처리액에 대해 가열 및 냉각을 동시에 행하도록 한 것이다.
본 발명에 따르면, 탱크 내의 처리액을 동시에 가열 및 냉각가능하게 하므로써, 대기순환 중의 처리액 온도의 온도감시폭을 넘는 급격한 온도상승을 억제할 수 있고, 처리액의 온도를 처리온도의 허용온도범위 내로 하여 다음 처리에 준비할 수 있다. 또, 처리액의 온도상승을 억제할 수 있으므로, 처리액의 열화방지 및 수명연장을 꾀할 수 있다.
본 발명인 액처리방법은 또한, 상기 처리를 종료한 후의 대기순환 중에 상기 탱크 내의 처리액에 대해 가열 및 냉각을 동시에 행하여 처리액을 처리온도로 조정하게 한 것이다.
본 발명에 따르면, 처리를 종료한 후의 대기순환 중에, 상기 탱크내의 처리액에 대해 가열 및 냉각을 동시에 행하므로써, 처리액이 처리상태의 대량 방열상태에서 대기상태의 소량 방열상태로 급격하게 변화하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 대기순환 중의 처리액 온도의 온도감시폭을 넘는 급격한 온도상승을 억제할 수 있고, 처리액의 온도를 처리온도의 허용온도범위 내로 하여, 다음 처리에 대비할 수 있다. 따라서, 처리액의 대기기간 단축 및 처리간격의 단축을 도모할 수 있으며, 스루풋의 향상을 도모할 수 있다. 또, 처리액의 온도상승을 억제할 수 있으므로, 처리액의 열화방지 및 수명연장을 도모할 수 있다.
본 발명의 액처리방법은 또, 상기 처리를 개시하기 전의 대기순환 중에 상기 탱크 내의 처리액에 대해 가열 및 냉각을 동시에 하면서, 처리액을 처리온도로 조정하고, 처리 시에는 냉각수단에 의한 냉각을 정지하고, 가열수단에 의한 가열에 의해 처리액을 처리온도로 조정하도록 한 것이다. 또, 상기 대기순환에서 처리개시로의 전환과 동시에 냉각을 정지하도록 할 수 있다. 더욱이 상기 처리를 종료한 후의 대기순환으로의 전환과 동시에 냉각을 개시할 수 있다.
본 발명에 의하면, 처리를 개시하기 전의 대기순환 중에 상기 탱크 내의 처리액에 대해 가열 및 냉각을 동시에 하면서 처리액을 처리온도로 조정하고, 처리액의 가열량을 냉각하지 않은 경우에 처리온도로 조정하는 가열량보다 높게 하므로, 처리시에 처리부에서 열을 빼앗긴 처리액의 온도저하를 억제할 수 있다. 또, 처리시에는 냉각수단에 의한 냉각을 정지하고 가열수단에 의한 가열에 의해 처리액을 처리온도로 조정하므로써, 처리에 공급되는 처리액의 온도를 처리온도 허용범위로 할 수 있다. 따라서, 처리효율 향상을 도모할 수 있으며 스루풋의 향상을 꾀할 수 있다.
본 발명의 액처리방법은 또한 상기 처리를 개시하기 전의 대기순환 중에 대기순환 중의 냉각에 의해 처리액에서 방출되는 열량과, 처리중에 처리액에서 방출되는 열량이 대략 동일해지도록 냉각을 하게 한 것이다.
또, 본 발명의 처리방법에 따르면, 상기 처리를 종료한 후의 대기순환 중에 대기순환 중의 냉각에 의해 처리액에서 방출되는 열량과, 처리중에 처리액에서 방출되는 열량이 대략 동일해지도록 냉각을 행하도록 한 것이다.
본 발명에 따르면, 처리를 개시하기 전 또는 처리를 종료한 후의 대기순환 중에, 대기순환 중의 냉각에 의해 처리액에서 방출되는 열량과 처리중에 처리액에서 방출되는 열량이 대략 동일해지도록 냉각을 하게 하므로써, 대기순환 중의 처리액 온도의 온도감시폭을 넘는 급격한 온도상승을 억제할 수 있고, 처리액의 온도를 처리온도의 허용온도범위 내로 하여 다음 처리에 대비할 수 있다. 따라서, 처리액의 대기기간 단축 및 처리간격의 단축을 도모할 수 있으며, 스루풋의 향상을 도모할 수 있다. 또, 처리액의 온도상승을 억제할 수 있으므로, 처리액의 열화방지 및 수명연장을 도모할 수 있다.
본 발명에 의한 액처리방법은 상기 처리를 개시하기 전 대기순환 중에 상기 탱크 내의 처리액에 대해 가열 및 냉각을 동시에 하면서 처리액을 처리온도로 조정하고, 처리시에는 냉각수단에 의한 냉각을 정지하고, 가열수단에 의한 가열에 의해 처리액을 처리온도로 조정하며 상기 처리를 종료한 후의 대기순환 중에, 상기 탱크 내의 처리액에 대해 가열 및 냉각을 동시에 행하여 처리액을 처리온도로 조정하게 한 것이다. 또, 상기 대기순환에서 처리개시로의 전환과 동시에 냉각을 정지할 수 있다. 또, 상기 처리를 종료한 후의 대기순환으로의 전환과 동시에 냉각을 개시할 수 있다.
본 발명에 따르면, 처리 전 및 처리 후의 대기순환 중에 탱크 내의 처리액에 대해 가열 및 냉각을 동시에 행하면서 처리액을 처리온도로 조정하고 처리액의 가열량을 냉각하지 않은 경우에 처리온도로 조정하는 가열량보다 높게 하므로 처리시에 처리부에서 열을 빼앗긴 처리액의 온도저하를 억제할 수 있다. 또, 처리시에는 냉각수단에 의한 냉각을 정지하고, 가열수단에 의한 가열에 의해 처리액을 처리온도로 조정하므로써, 처리에 공급되는 처리액의 온도를 처리온도의 허용범위로 할 수 있다. 따라서, 처리효율의 향상을 도모할 수 있고, 스루풋의 향상을 꾀할 수 있다.
본 발명의 액처리방법은 상기 액처리방법에 있어서, 상기 처리를 개시하기 전 대기순환 중에 또는 상기 처리를 종료한 후의 대기순환 중에 대기순환 중의 냉각에 의해 처리액에서 방출되는 열량과 처리중에 처리액에서 방출되는 열량이 대략 동일해지도록 냉각을 하게 한 것이다.
본 발명에 따르면, 처리를 개시하기 전 또는 처리를 종료한 후의 대기순환 중에 대기순환 중의 냉각에 의해 처리액에서 방출되는 열량과 처리 중에 처리액에서 방출되는 열량이 대략 동일해지도록 냉각을 하게 하므로써, 대기순환 중의 처리액 온도의 온도감시폭을 넘는 급격한 온도상승을 억제할 수 있고, 처리액의 온도를 처리온도의 허용온도범위 내로 하여 다음 처리에 대비할 수 있다. 따라서, 처리액의 대기기간 단축 및 처리간격의 단축을 꾀할 수 있고, 스루풋의 향상을 도모할 수 있다. 또, 처리액의 온도상승을 억제할 수 있으므로, 처리액의 열화방지 및 수명연장을 꾀할 수 있다.
본 발명의 액처리방법은 상기 처리를 개시하기 전의 대기순환 중에 상기 탱크 내의 처리액에 대해 가열 및 냉각을 동시에 할 수 있고, 처리를 개시하기 직전에, 가열수단 및 냉각수단에 의한 가열량 및 냉각량을 증가시켜서, 처리액을 처리온도로 조정하게 한 것이다. 또, 처리를 개시하기 직전에 또한 가열수단 및 냉각수단에 의한 가열량 및 냉각량을 증가시킬 때의 냉각에 의해 처리액에서 방출되는 열량과, 처리개시 시에 처리액에서 방출되는 열량이 대략 동일해지도록 냉각을 하게 할 수 있다. 또, 상기 대기순환에서 처리개시로의 전환과 동시에 냉각을 정지할 수 있다. 또, 처리종료 후의 대기순환으로의 전환과 동시에 냉각을 개시할 수 있다.
본 발명에 따르면, 처리를 개시하기 직전에 가열수단 및 냉각수단에 의한 가열량 및 냉각량을 더 증가시키므로써, 처리개시 시에 급격하게 열을 빼앗기므로써 온도저하를 방지 할 수 있고, 처리효율 향상을 도모할 수 있으며, 스루풋의 향상을 꾀할 수 있다.
덧붙여, 처리개시 시에 냉각수단에 의한 냉각을 정지하고 가열수단에 의한 가열에 의해 또는 처리종료 시에 가열수단에 의한 가열을 정지하고 냉각수단에 의한 냉각에 의해 처리액을 처리온도로 조정하고, 처리에 공급되는 처리액의 온도를 처리온도의 허용범위로 할 수 있다. 따라서, 처리효율의 향상을 도모할 수 있으며 스루풋의 향상을 꾀할 수 있다.
본 발명에 의한 액처리장치는 탱크 내에 저류된 처리액을 소정의 온도로 가열하는 가열수단과, 상기 탱크 내의 처리액을 냉각하는 냉각매체를 유통하는 냉각수단과, 상기 탱크 내의 처리액을 탱크 외부로 대기순환시키는 대기순환라인과, 처리실 내에 수용된 피처리체에 처리액을 공급하는 처리액공급수단과, 상기 처리액공급수단으로 처리액을 공급하는 공급로와, 처리에 공급된 처리액을 상기 처리실에서 배출하는 배출로와, 상기 공급로와 공급수단과 배출로를 갖는 처리순환라인과, 상기 대기순환라인과 처리순환라인을 흐르는 처리액의 흐름을 전환하는 전환수단과, 상기 냉각매체의 연통로에 개설되는 개폐수단과, 상기 전환수단에 의해 상기 대기순환라인에 처리액을 대기순환시킬 때에 상기 가열수단에 의해 가열함과 동시에 상기 개폐수단을 개방하여 상기 냉각매체를 상기 탱크 내로 유통시키도록 제어하는 제어수단을 구비하는 것이다.
또, 본 발명의 액처리장치는 상기 제어수단이 상기 전환수단에 의해 처리액의 흐름을 상기 처리순환라인에서 상기 대기순환라인으로 전환함과 동시에 가열수단에 의해 가열하고, 상기 개폐수단을 개방하여 상기 냉각매체를 상기 탱크 내로 유통시키도록 제어가능하게 형성된다.
또한, 본 발명의 액처리장치는 제어수단이 상기 전환수단에 의해 처리액의 흐름을 상기 대기순환라인에서 상기 처리순환라인으로 전환함과 동시에 상기 개폐수단을 닫고 상기 냉각매체의 상기 탱크 내로의 유통을 정지시키도록 제어가능하게 형성된다.
또한, 본 발명의 액처리장치는 상기 개폐수단은 유량이 변화가능한 유량제어밸브이고, 상기 제어수단은 처리액의 흐름을 상기 처리순환라인에서 상기 대기순환라인으로 전환하면서 가열수단에 의해 가열하고, 상기 유량제어밸브를 소량으로 개방하여 상기 냉각매체를 상기 탱크 내로 유통시키도록 제어하고, 처리액의 흐름을 상기 대기순환라인에서 상기 처리순환라인으로 전환하기 전에 상기 유량제어밸브를 대유량으로 개방하여 상기 냉각매체를 상기 탱크 내로 유통시키도록 제어하고, 또한, 처리액의 흐름을 상기 대기순환라인에서 상기 처리순환라인으로 전환함과 동시에 상기 개폐수단을 닫고 상기 냉각매체의 상기 탱크 내로의 유통을 정지시키도록 제어가능하게 형성된다.
또한, 본 발명의 액처리장치는 상기 개폐수단이 냉각매체의 유통로에 병렬하여 개설되는 제 1 및 제 2 개폐밸브로 구성되고,
상기 제어수단은, 처리액의 흐름을 상기 처리순환라인에서 상기 대기순환라인으로 전환함과 동시에 가열수단에 의해 가열하고, 상기 제 1 개폐밸브를 개방하여 상기 냉각매체를 상기 탱크 내로 유통시키도록 제어하고,
상기액의 흐름을 상기 대기순환라인에서 상기 처리순환라인으로 전환하기 전에 상기 제 1 및 제 2 개폐밸브를 개방하여 상기 냉각매체를 상기 탱크 내로 유통시키도록 제어하고,
또한 처리액의 흐름을 상기 대기순환라인에서 상기 처리순환라인으로 전환함과 동시에 상기 개폐수단을 닫고 상기 냉각매체의 상기 탱크 내로 유통을 정지시키도록 제어가능하게 형성된다.
본 발명에 따르면, 대기순환라인과 처리순환라인과 그것을 전환하는 전환수단을 갖는다. 또, 가열수단과 냉각수단을 갖고, 대기순환라인에 처리액을 대기순환시킬 때에 탱크 내의 처리액을 가열 및 냉각할 수 있다. 또한, 제어수단에 의해 개폐수단을 제어하므로써, 처리액의 온도를 제어할 수 있다. 이에 의해 대기순환 중의 처리액 온도의 온도감시폭을 넘는 급격한 온도상승을 억제할 수 있고, 처리액의 온도를 처리온도의 허용온도범위 내로 하여 다음 처리에 대비할 수 있다. 따라서, 처리효율의 향상, 스루풋의 향상을 도모할 수 있다. 또, 처리액의 온도상승을 억제할 수 있으므로, 처리액의 열화방지 및 수명연장을 꾀할 수 있다.
개폐수단이 유량변동 가능한 유량제어밸브인 경우, 및 병렬하여 개설된 개폐밸브인 경우의 본 발명에 따르면, 냉각매체의 유량을 조절하므로써, 처리액이 처리상태의 대량 방열상태에서 대기상태의 소량방열상태로 급격하게 변화하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 처리액의 대기기간 단축, 처리간격 단축, 스루풋의 향상을 꾀할 수 있고, 처리액의 온도상승을 억제하므로써, 처리액의 열화방지 및 수명연장을도모할 수 있다.
이하에, 이 발명의 실시예를 도면에 기초하여 상세하게 설명한다. 이 실시예에서는 이 발명에 관한 액처리장치를 반도체 웨이퍼의 세정 ·건조처리장치에 적용 한 경우에 관해 설명한다. 또, 종래의 액처리장치와 동일한 부분에는 동일 부호를 붙여 설명한다.
A. 제 1 실시예
도 1은 이 발명에 관한 액처리장치의 제 1 실시예를 도시하는 개략 구성도이다. 제 1 실시예는 처리 후의 처리액 온도상승을 억제하고 처리액 온도를 허용온도(감시온도폭)범위 내로 유지하여 대기순환기간의 단축에 의한 스루풋의 향상을 도모할 수 있도록 한 경우이다.
제 1 실시예의 액처리장치는 처리액인 약액(L)을 저류하는 탱크(10)와, 이 탱크(10) 내에 저류된 약액(L)을 소정온도로 가열하는 가열수단인 히터(1)와, 탱크(10) 내의 약액(L)을 냉각하는 냉각매체인 냉각수를 유통하는 냉각수단(2)과, 탱크(10) 내의 처리액을 탱크 외부로 대기순환시키는 대기순환로(4)를 갖는 대기순환라인(5)과, 처리실(6) 내에 수용된 피처리체인 웨이퍼(W)에 처리액을 공급하는 처리액공급수단인 노즐(7)과, 노즐(7)로 처리액을 공급하는 공급로(8a)와, 처리에 공급된 처리액을 처리실(6)에서 배출하는 배출로(8b)를 갖는 웨이퍼처리부(9)와, 대기순환라인(5)의 대기순환로(4)와 처리부(9)의 공급로(8a) 및 배출로(8b)를 연통 ·차단하는 전환수단으로서의 제 1 전환밸브(V1) 및 제 2 전환밸브(V2)와, 냉각수단(2)의 냉각수 유통로(2a)의 냉각수공급원(2A)쪽으로 개설되는 개폐수단인 개폐밸브(Va)와, 제 1 및 제 2 전환밸브(V2)와 개폐밸브(Va)의 전환 ·개폐제어와 히터(1)의 온도제어를 하는 제어수단인 중앙연산처리장치(30A, 이하,CPU30A라 한 다.)로 주로 구성되어 있다. 또, 탱크(10)에서 제 1 전환밸브(V1)까지의 관로(4a) - 공급로(8a) - 웨이퍼처리부(9) - 배출로(8b) - 제 2 전환밸브(V2)에서 탱크(10)까지의 관로(4b)로 처리순환라인이 구성되어 있다.
이 경우, 냉각수단(2)은 한 단부가 냉각온도 조절용 냉각매체인 냉각수의 공급원(2A)에 접속되는 공급쪽 유통로(2a)의 다른 쪽 단부에 연결되어 탱크(10) 내에 예를 들면 코일상으로 배설되는 냉각부(2b)를 구비하고 있다. 또한, 냉각수단(2)의 냉각부(2b)에는 탱크(10)의 외부 배출부(미도시)에 개구하는 배출쪽 유통로(2c)가 접속되어 있다. 또한, 공급쪽 유통로(2a)에서 개폐밸브(Va)의 토출쪽(2차쪽)에는 필터(Fa)가 개설되어 있다. 여기에서는 냉각수단(2)의 냉각부(2b)가 탱크(10) 내에 배설되는 경우에 관해 설명했지만, 냉각부(2b)를 탱크(10)의 외부로 배설해도 좋다.
대기순환라인을 구성하는 대기순환로(4)는 한 단부의 흡입쪽이 탱크(10)의 저부부근에 배설되고, 다른 쪽 단부의 토출쪽이 탱크(10)의 위쪽으로 배설된 PFA 등의 불소수지제 배관으로 형성되어 있다. 그리고, 이 대기순환로(4)에는 흡입쪽에서 순서대로 펌프(P), 필터(F), 제 1 전환밸브(V1) 및 제 2 전환밸브(V2)가 개설되어 있다. 이 경우, 제 1 전환밸브(V1)는 대기순환로(4)와 웨이퍼처리부(9)의 공급로(8a)를 연통 ·차단하는 3포트 2위치 전환밸브로 형성되어 있다. 또, 제 2 전환밸브(V2)는 대기순환로(4)와 웨이퍼처리부(9)의 배출로를 연통 ·차단하는 3포 트 2위치 전환밸브로 형성되어 있다. 또한, 여기에서는 제 1 및 제 2 전환밸브(V1, V2)에 의해 전환수단을 형성하는 경우에 관해 설명했지만, 반드시 전환수단을 제 1 및 제 2 전환밸브(V1, V2)에 의해 형성할 필요는 없고, 예를 들면 대기순환로와 공급로(8a) 및 배출로(8b)를 선택적으로 전환하는 세방향 전환밸브로 전환수단을 형성해도 좋다.
상기 CPU30A는 탱크(10) 내의 약액(L) 온도를 검출하는 액온도센서(S)와, 히터(1)의 온도를 검출하는 온도센서(T)로부터의 검출신호를 받아, 그 검출신호와 미리 기억된 데이터에 기초한 제어신호를 PID온도기(R)에 전달하고, 히터(1)를 소정의 허용온도인 70 ±1℃의 온도감시폭으로 제어(PID제어)하도록 형성되어 있다. 또, CPU30A는 미리 프로그래밍된 데이터에 기초하여 제 1 전환밸브(V1), 제 2 전환밸브(V2) 및 개폐밸브(Va)의 전환동작과 개폐동작 등의 타이밍, 즉 제 1 및 제 2 전환밸브(V1, V2)를 전환하고, 대기순환라인에서 처리순환라인으로의 전환과 동시에 개폐밸브(Va)를 닫고 약액(L)에의 냉각을 정지시키든지 또는 처리순환라인에서 대기순환라인으로의 전환과 동시에 개폐밸브(Va)를 개방하여 약액(L)에의 냉각을 개시시키도록 설정되어 있다.
또한, 탱크(10)는 약액개폐밸브(3a)를 개설하는 약액관로(3b)를 통해 처리액공급원인 약액공급원(3)에 접속되어 있고, 탱크(10) 내의 약액량이 적어졌을 때에 약액공급원(3)에서 보충되게 되어 있다.
다음으로, 상기와 같이 구성되는 액처리장치의 동작양태에 관해 도 2에 도시하는 그래프를 참조하여 설명한다.
우선, 기동 시에 히터(1)를 동작시킴과 동시에 펌프(P)를 동작시키고, 탱크(10) 내의 약액(L) 온도를 처리온도(온도감시폭)까지 상승시키고, 대기순환로(4) 중을 순환시키고, 대기시킨다.(대기순환)
다음으로, 제 1 전환밸브(V1)를 전환하여 대기순환로(4, 관로4a)와 공급로(8a)를 연통시킴과 동시에 제 2 전환밸브(V2)를 전환하여 대기순환로(4, 관로4b)와 배출로(8b)를 연통하여 처리를 개시하며, 약액(L)을 순환시킨다.(처리순환) 이 처리에서 약액(L)은 히터(1)에 의해 소정 처리온도로 온도조절되어 있고, 처리실(6) 내에 수용된 50매의 수직상태로 정렬된 웨이퍼(W)를 향해 노즐(7)에서 약액(L)이 샤워상태로 분사(공급)되며 웨이퍼(W)의 세정처리가 이루어진다.
처리가 종료된 후, 히터에 의한 가열을 행하면서 제 1 전환밸브(V1)를 전환하여 대기순환관로(4, 관로4a)와 공급로(8a)를 차단함과 동시에 제 2 전환밸브(V2)를 전환하여 대기순환로(4, 관로4b)와 배출로(8b)를 차단하고 처리순환라인에서 대기순환라인으로 전환한다. 이와 동시에 개폐밸브(Va)를 개방시키고 냉각수를 냉각수단(2)의 유통로(2a) 및 냉각부(2b)에 유통시킨다. 이에 의해 탱크(10) 내의 약액(L)을 냉각수가 열교환되어 냉각되고, 약액(L)이 처리상태의 대량방열상태에서 대기상태의 소량방열 상태로 급격하게 변화하는 것을 억제할 수 있다. 이 때, 처리순환라인에서 대기순환라인으로의 전환 전후에 처리순환라인에서의 약액(L) 방열량 과, 대기순환라인에서의 냉각에 의한 약액(L)에서 방출되는 열량이 대략 동일하도록 냉각을 한다.
따라서, 도 14에 도시하는 종래와 같은 처리완료 직후의 온도감시폭을 넘는 급격한 온도상승(오버슛)을 억제할 수 있고, 약액(L) 온도를 처리온도의 허용온도범위 내(70 ±1℃)로 하여 다음 대기순환에 대비할 수 있으므로, 약액(L)의 대기기간 단축 및 처리간격의 단축을 도모할 수 있고, 스루풋의 향상을 꾀할 수 있다. 또, 약액(L)의 온도상승을 억제할 수 있으므로, 약액(L)의 열화방지 및 수명연장을 도모할 수 있다.
B. 제 2 실시예
도 3은 이 발명에 관한 액처리장치의 제 2 실시예의 개략 구성도이다. 제 2 실시예는 처리에 공급된 처리액의 온도 및 처리 전 약액(L) 온도를 처리온도의 허용온도(감시온도폭) 범위 내로 억제하고 처리효율 향상과 대기순환기간의 단축에 의한 스루풋의 향상을 도모할 수 있게 한 경우이다.
즉, 제 2 실시예의 액처리장치는 도 3에 도시하는 것과 같이 제 1 실시예에서의 개폐밸브(Va)를 대신하여 냉각수 유통로(2a)에 병렬로 제 1 및 제 2 개폐수단인 제 1 및 제 2 개폐밸브(Vb, Vc)를 개설하고, 이 제 1 및 제 2 개폐밸브(Vb, Vc)의 개폐제어를 CPU30A에 의해 행해질 수 있도록 한 경우이다. 이 경우, 제 1 개폐밸브(Vb)는 통과하는 냉각수의 양을 적게하는 소량용 밸브에서 형성되고, 제 2 개폐밸브(Vc)는 제 1 개폐밸브(Vb)에 비해 약 4 ~ 5배의 유량이 통과가능한 대량용 밸브로 형성되어 있다.
또한, 제 2 실시예에서, 그 외의 부분은 제 1 실시예와 동일하므로, 동일부분에는 동일부호를 붙여 설명을 생략한다.
다음으로, 제 2 실시예의 액처리장치의 동작양태에 관해 도 4에 도시하는 그래프를 참조하여 설명한다.
우선, 기동 시에 히터(1)를 동작시킴과 동시에 제 1 개폐밸브(Vb)를 개방하고, 소량의 냉각수를 냉각수단(2)으로 공급시키고, 또한 펌프(P)를 동작시켜서, 탱크(10) 내의 약액(L) 온도를 처리온도(온도감시폭)까지 상승시키고, 대기순환로(4) 중을 순환시키고 대기시킨다.(온도상승 - 대기순환) 이에 의해 약액(L)이 처리허용온도(온도감시폭)에 도달한 상태에서 제 2 개폐밸브(Vc)를 개방하고, 소량의 냉각수와 함께 대용량의 냉각수를 냉각수단(2)에 공급하고 탱크(10) 내의 약액(L)과 냉각수를 열교환시킨다. 그러면, 탱크(10) 내의 약액(L) 온도는 일시적으로 처리허용온도(온도감시폭)보다 낮아지지만, 액온도센서(S)로부터의 검출신호에 기초하여 CPU30A에서 PID온도조절기(R)로 제어신호가 전달되고, PID온도조절기(R)의 제어에 의해 히터(1)의 가열량이 냉각을 행하지 않는 경우에 처리온도로 조정하는 가열량보다 높아지고, 약액(L) 온도는 처리허용온도(온도감시폭) 범위 내로 상승된다.(히터가열준비동작) 이 히터가열준비동작은 다음 로트의 처리 대기시간인 처리개시 10분 전에 이루어진다.
다음으로, 대기순환 중의 약액(L)을 처리에 공급하지만, 이 때, 제 1 및 제 2 개폐밸브(Vb, Vc)를 닫고, 냉각수의 공급을 정지하는 한편, 제 1 전환밸브(V1)를 전환하여대기순환로(4, 관로4a)와 공급로(8a)를 연통시키고, 제 2 전환밸브(V2)를 전환하여 대기순환로(4, 관로4b)와 배출로(8b)를 연통시켜서, 처리순환라인으로 약액(L)을 유통한다. 이렇게 냉각수의 공급을 정지시키고, 처리실(6)과 탱크(10)를 연통하므로써, 주로 냉각수에 흡수되어 있던, 즉 약액(L)에서 방출된, 열량이 처리순환라인의 주된 방열체인 웨이퍼처리부(9)로 흡수되는 열량으로 전환되므로, 도 14에 도시하는 종래의 처리개시 직후의 온도감시를 밑도는 온도저하(언더슛)를 억제할 수 있다. 이 처리에서, 처리실(6) 내에 수용된 50매의 수직상태로 정렬된 웨이퍼(W)를 향해 노즐(7)에서 약액(L)이 샤워상태로 분사(공급)되고, 웨이퍼(W)의 세정처리가 이루어진다.
처리가 종료된 후, 히터에 의한 가열을 하므로써 제 1 전환밸브(V1)를 전환하여 대기순환관로(4, 관로4a)와 공급로(8a)를 차단하고, 제 2 전환밸브(V2)를 전환하여 대기순환로(4, 관로4b)와 배출로(8b)를 차단하고 처리순환라인에서 대기순환라인으로 전환한다. 이와 동시에 제 1 개폐밸브(Vb)를 개방시키고 소량의 냉각수를 냉각수단(2)의 유통로(2a) 및 냉각부(2b)로 유통시킨다. 이에 의해 탱크(10) 내의 약액(L)과 냉각수가 열교환되어 냉각되고, 약액(L)이 처리상태의 대량방열 상태에서 대기상태의 소량방열 상태로 급격하게 변화하는 것을 억제할 수 있다. 이 때, 대기순환라인에서 처리순환라인으로의 전환 전후에 대기순환라인에서의 냉각에 의해 약액(L)에서 방출되는 열량과, 처리순환라인에서의 약액(L) 방열량이 대략 동일해지도록 냉각을 한다. 또, 처리순환라인에서 대기순환라인으로의 전환 전후에 처 리순환라인에서의 약액(L) 방열량과 대기순환라인에서의 냉각에 의한 약액(L)에서 방출되는 열량이 대략 동일해지도록 냉각을 한다.
따라서, 제 2 실시예의 액처리장치를 이용하므로써, 처리에 공급되는 약액(L) 온도를 처리온도의 허용온도범위(감시온도폭) 내로 할 수 있으므로, 처리효율의 향상을 도모할 수 있다. 또, 약액(L) 온도를 처리온도의 허용온도범위 내(70 ±1℃)로 하여 다음 대기순환에 대비할 수 있으므로, 약액(L)의 대기기간 단축 및 처리간격 단축을 도모할 수 있고, 스루풋의 향상을 꾀할 수 있다. 또, 약액(L)의 온도상승을 억제할 수 있으므로, 약액(L)의 열화방지 및 수명연장을 도모할 수 있다.
또한, 상기 설명에서는 제 1 개폐밸브(Vb)와 제 2 개폐밸브(Vc)의 유량을 바꾸고, 처리개시 전에서는 웨이퍼처리부(9)에서 약액(L)이 대량방열되므로 제 1 개폐밸브(Vb)와 제 2 개폐밸브(Vc)를 개방하여 대량 냉각수를 흘려보내고, 또 처리종료 후는 약액(L)의 방열량이 적으므로, 소량용의 제 1 개폐밸브(Vb)만을 개방시키는 경우에 관해 설명했지만, 반드시 제 1 개폐밸브(Vb)와 제 2 개폐밸브(Vc)의 유량을 바꿀 필요는 없고, 같은 유량의 개폐밸브를 선택적으로 개폐하도록 해도 좋다.
C. 제 3 실시예
도 5는 이 발명에 관한 액처리장치의 제 3 실시예를 도시하는 개략구성도이다. 제 3 실시예는 제 2 실시예와 동일하게 처리에 공급된 처리액의 온도 및 처리 전의 약액(L)온도를 처리온도의 허용온도(감시온도폭) 범위 내로 억제하고, 처리효 율의 향상과 대기순환기간의 단축에 따른 스루풋의 향상을 도모할 수 있도록 한 경우이다.
즉, 제 3 실시예의 액처리장치는 도 5에 도시하는 것과 같이 제 2 실시예에 있어서의 제 1 및 제 2 개폐수단인 제 1 및 제 2 개폐밸브(Vb, Vc)를 대신하여 냉각수유통로(2a)에, 유량제어수단인 유량조정이 가능한 유량제어밸브(CV)를 개설하고, 이 유량제어밸브(CV)의 유량제어를 CPU30A에 의해 이루어지도록 한 경우이다.
또, 제 3 실시예에 있어서, 그 외의 부분은 제 1 및 제 2 실시예와 동일하므로, 동일부분에는 동일부호를 붙여서 설명은 생략한다.
다음으로 제 3 실시예의 액처리장치의 동작양태에 관해 설명한다.
우선, 기동시에 히터(1)를 동작시킴과 동시에 유량제어밸브(CV)의 통로를 좁혀서, 소량의 냉각수를 냉각수단(2)에 공급시키고, 또한 펌프(P)를 동작시켜 탱크(10) 내의 약액(L) 온도를 처리온도(온도감시폭)까지 상승시키고, 대기순환로(4) 중을 순환시켜 대기시킨다.(온도상승 - 대기순환) 이에 의해 약액(L)이 처리허용온도(온도감시폭)에 도달한 상태로, 유량제어밸브(CV)의 통로를 전부 열어 대용량의 냉각수를 냉각수단(2)에 공급하고 탱크(10) 내의 약액(L)과 냉각수를 열교환시킨다. 그러면, 탱크(10) 내의 약액(L)온도는 일시적으로 처리허용온도(온도감시폭)보다 낮아지지만, 온도센서(S)로부터의 검출신호에 기초하여 CPU30A에서 PID온도조절기(R)로 제어신호가 전달되고, PID온도조절기(R)의 제어에 의해 히터(1)의 가열량이 처리온도보다 높아지고, 약액(L) 온도는 처리허용온도(온도감시폭) 범위 내로 상승된다.(히터가열준비동작) 이 히터가열준비동작은 다음 로 트의 처리 대기시간인 처리개시 10분 전에 이루어진다.
다음으로 대기순환 중의 약액(L)을 처리에 공급하는데, 이 때 유량제어밸브(CV)를 닫고, 냉각수의 공급을 정지하는 한편, 제 1 전환밸브(V1)를 전환하여 대기순환로(4, 관로4a)와 공급로(8a)를 연통시킴과 동시에 제 2 전환밸브(V2)를 전환하여 대기순환로(4, 관로4b)와 배출로(8b)를 연통시키고, 처리순환라인에 약액(L)을 유통한다. 이 처리에 있어서 처리실(6) 내에 수용된 50매의 수직상태로 정렬된 웨이퍼(W)를 향해 노즐(7)에서 약액(L)이 샤워상태로 분사(공급)되고, 웨이퍼(W)의 세정처리가 이루어진다.
처리가 종료된 후, 히터에 의한 가열을 하면서 제 1 전환밸브(V1)를 전환하고 대기순환관로(4, 관로4a)와 공급로(8a)를 차단하고, 제 2 전환밸브(V2)를 전환하여 대기순환로(4, 관로4b)와 배출로(8b)를 차단하고, 처리순환라인에서 대기순환라인으로 전환한다. 이와 동시에 유량제어밸브(CV)의 통로를 좁혀 소량의 냉각수를 냉각수단(2)의 유통로(2a) 및 냉각부(2b)에 유통시킨다. 이에 의해 탱크(10) 내의 약액(L)과 냉각수가 열교환되어 냉각되고, 약액(L)이 처리상태의 대량 방열 상태에서 대기상태의 소량방열상태로 급격하게 변화하는 것을 억제할 수 있다.
따라서, 제 3 실시예의 액처리장치를 이용하므로써, 제 2 실시예의 액처리장치를 이용한 경우와 동일하게, 처리에 공급되는 약액(L)의 온도를 처리온도 허용온도범위(감시온도폭) 내로 할 수 있으므로, 처리효율 향상을 도모할 수 있다. 또, 약액(L) 온도를 처리온도 허용온도범위 내(70 ±1℃)로 하여 다음 대기순환에 대비 할 수 있으므로, 약액(L)의 대기기간 단축 및 처리간격 단축을 도모할 수 있고, 스루풋의 향상을 꾀할 수 있다. 또, 약액(L) 온도상승을 억제할 수 있으므로, 약액(L)의 열화방지 및 수명연장을 도모할 수 있다.
상기 제 1 내지 제 3 실시예의 액처리장치는 단독 장치로 이용되는 것 이외에, 아래에 설명하는 세정 ·건조처리시스템에 설치되어 사용된다.
다음으로, 세정 ·건조처리시스템의 일례에 관해 도 6 내지 도 11을 참조하여 설명한다.
상기 세정 ·건조처리시스템은 도 6 및 도 7에 도시하는 것과 같이 웨이퍼(W)를 수용가능한 용기, 즉 캐리어(100)의 반입 및 반출이 이루어져 용기반입 반출부(110)와, 웨이퍼(W)에 대해 세정처리 및 건조처리 등을 실시하는 이 발명에 관한 액처리장치를 설치한 세정처리유닛(120)과, 용기반입 반출부(110)와 세정처리유닛(120)과의 사이에 배설되고, 세정처리유닛(120)에 대해 캐리어(100)의 반입출을 하기 위한 스테이지부(130)와, 캐리어(100)를 세정하는 캐리어세정유닛(140)과, 복수의 캐리어(100)를 저장하는 캐리어스톡(150)과, 전원유닛(160) 및 케미컬 탱크박스(170)를 구비하고 있다.
용기반입 ·반출부(110)는 4개의 캐리어(100)를 재치가능한 재치대(180)와 캐리어(100)의 배열방향을 따라 형성된 반송로(190)를 이동가능하게 설치된 캐리어반송기구(200)를 구비하고 있고, 캐리어반송기구(200)에 의해 재치대(180)의 캐리어(100)를 스테이지부(130)로 반송하고, 스테이지부(130)의 캐리어(100)를 재치대(180)를 반송할 수 있도록 구성되어 있다. 이 경우, 캐리어(100) 내에는 25 매의 웨이퍼(W)는 수납가능해지고, 캐리어(100)는 웨이퍼(W)의 면이 연직으로 배열되도록 배치되어 있다.
스테이지부(130)는 캐리어(100)를 재치하는 스테이지(131)를 구비하고 있고, 용기반입 ·반출부(110)에서 이 스테이지에 재치된 캐리어(100)가 실린더를 이용한 캐리어반송기구(200)에 의해 세정처리유닛(120) 내로 반입되고, 세정처리유닛(120) 내의 캐리어(100)가 이 캐리어반송기구(200)에 의해 스테이지로 반출되도록 구성되어 있다.
스테이지부(130)와 세정처리유닛(120) 사이에는 구분벽(210)이 설치되어 있고, 구분벽(210)에는 반입출용 개구부(220)가 형성되어 있다. 이 개구부(220)는 셔터(230)에 의해 개폐가능해지고, 처리중에는 셔터(230)가 닫혀있으며, 캐리어(100)의 반입출 시에는 셔터(230)가 열리게 되어 있다.
캐리어세정유닛(140)은 캐리어세정조(240)를 갖고 있고, 세정처리유닛(120)에 있어서 웨이퍼(W)가 반출되어 비어있는 캐리어(100)가 세정되게 되어 있다.
캐리어스톡(150)은 세정 전의 웨이퍼(W)가 반출된 빈 캐리어(100)를 일시적으로 대기시키기 위함과 세정 후의 웨이퍼(W)를 수납하기 위한 빈 캐리어(100)를 미리 대기시키기 위한 것이고, 상하방향으로 복수의 캐리어(100)가 저장가능하고, 그 중의 소정 캐리어(100)를 재치대(180)에 재치하거나, 그 중의 소정 위치에 캐리어(100)를 저장하거나 하기 위한 캐리어이동기구를 구비하고 있다.
한 편, 상기 세정처리유닛(120)은 도 8에 도시하는 것과 같이 상기 웨이퍼처리부에 상당하는 세정처리부(20)와 세정처리부(20)의 바로 아래에 캐리어(100)를 대기시키기 위한 캐리어대기부(250)와, 캐리어대기부(250)에 대기된 캐리어(100) 내의 복수의 웨이퍼(W)를 밀어올려 세정처리부(20)로 이동시키고, 세정처리부(20)의 복수의 웨이퍼(W)를 유지하고 캐리어대기부(250)의 캐리어(100)에 수납시키기 위한 웨이퍼이동기구(260)가 설치되어 있다. 이 경우, 웨이퍼이동기구(260)는 도 8에 도시하는 것과 같이 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼유지부재(261)와 연직으로 배치된 웨이퍼유지부재(261)를 지지하는 지지부재(262)와, 지지부재(262)를 통해 웨이퍼유지부재(261)를 승강하는 승강구동부(263)로 구성되어 있다.
세정처리부(20)는 웨이퍼(W)의 에칭처리 후에 레지스트마스크, 에칭잔사인 폴리머층 등을 제거하는 것이고, 2중 챔버식 액처리장치로 구성되어 있다. 아래에 2중 챔버식 액처리장치에 관해 설명한다.
상기 2중 챔버식 액처리장치(20)는 도 9에 도시하는 것과 같이 피처리체인 웨이퍼(W)를 유지하는 회전가능한 유지수단인 로터(21)와, 이 로터(21)의 수평축을 중심으로 회전구동하는 구동수단인 모터(22)와, 로터(21)에서 유지된 웨이퍼(W)를 포위하는 2개의 처리부{구체적으로는 제 1 처리실, 제 2 처리실} 내부 챔버(23), 외부 챔버(24) 내에 수용된 웨이퍼(W)에 대해 처리액인 레지스트박리액, 폴리머제거액 등의 약액 공급수단(50), 이 약액의 용제인 이소프로필알콜(IPA)의 공급수단(60), 린스액인 순수 등의 공급수단(린스액공급수단)(70) 또는 질소(N2) 등의 불활성가스와 청정공기 등의 건조기체(건조유체) 공급수단(80){도 9에서는 약액공급수단(50)과 건조유체공급수단(80)을 도시한다.}과, 내부 챔버(23)를 구성하는 내통체(25)와 외부 챔버(24)를 구성하는 외통체(26)를 각각 웨이퍼(W)의 포위위치와 웨이퍼(W)의 포위위치에서 떨어진 대기위치로 전환하여 이동하는 이동수단, 예를 들면 제 1, 제 2 실린더(27, 28) 및 웨이퍼(W)를 미도시의 웨이퍼반송척에서 수취하여 로터(12)에 인수인계하고, 로터(21)에서 수취하여 웨이퍼반송척으로 인수인계하는 피처리체 인수인계수단인 웨이퍼인수인계 핸드(29)로 주요부가 구성되어 있다.
상기와 같이 구성되는 액처리장치(20)에서 모터(22), 처리유체의 각 공급수단(50, 60, 70, 80){도 9에서는 약액공급수단(50)과 건조유체공급수단(80)을 도시한다.}의 공급부, 웨이퍼이동기구(250) 등은 제어수단인 중앙연산처리장치(30B)(이하, CPU30B라 한다.)에 의해 제어되고 있다.
또, 상기 로터(21)는 수평으로 배설되는 모터(22)의 구동축(22a)에 한쪽만 가진 형상으로 연결되고, 웨이퍼(W)의 처리면이 연직이 되도록 유지하고, 수평축을 중심으로 회전가능하게 형성되어 있다. 이 경우, 로터(21)는 모터(22)의 구동축(22a)에 커플링(미도시)을 통해 연결되는 회전축(미도시)을 갖는 제 1 회전판(21a)과, 이 제 1 회전판(21a)과 대치하는 제 2 회전판(21b)과, 제 1 및 제 2 회전판(21a, 21b)간에 가설되는 4개의 고정유지봉(31)과, 이 고정유지봉(31)에 나열 설치된 유지홈(미도시)에 의해 유지된 웨이퍼(W) 상부를 누르는 미도시의 로크수단 및 로크해제수단에 의해 누름 위치와 비누름 위치로 전환이동하는 1쌍의 누름 봉(32)으로 구성되어 있다. 이 경우, 모터(22)는 미리 CPU30B에 기억된 프로그램에 기초하여 소정의 고속회전과 저속회전을 선택적으로 반복하여 행할 수 있게 제어되 고 있다. 또한, 모터(22)는 냉각수단(37)에 의해 과열이 억제되도록 되어 있다. 이 경우, 냉각수단(37)은 냉각파이프(37a)와, 냉각수공급파이프(37b)와, 열교환기(37c)를 구비하여 이루어진다.(도 9 참조)
한 편, 처리부인 내부 챔버(23, 제 1 처리실)는 제 1 고정벽(34)과, 이 제 1 고정벽(34)과 대치하는 제 2 고정벽(38)과, 이 제 1 고정벽(34) 및 제 2 고정벽(38) 사이에 각각 제 1 및 제 2 실부재(40a, 40b)를 통해 계합하는 내통체(25)로 형성되어 있다. 즉, 내통체(25)는 이동수단인 제 1 실린더(27)의 신축동작에 의해 로터(21)와 함께 웨이퍼(W)를 포위하는 위치까지 이동되고, 제 1 고정벽(34) 사이에 제 1 실부재(40a)를 통해 실되고, 제 2 고정벽(38) 사이에 제 2 실부재(40b)를 통해 실된 상태에서 내부 챔버(23, 제 1 처리실)를 형성한다. 또, 제 1 실린더(27)의 수축동작에 의해 고정통체(36)의 외주쪽 위치(대기위치)로 이동되도록 구성되어 있다. 이 경우, 내통체(25)의 선단개구부는 제 1 고정벽(34) 사이에 제 1 실부재(40a)를 통해 실되고, 내통체(25)의 기단부는 고정통체(36)의 중간부에 주설된 제 3 실부재(40c)를 통해 실되고, 내부 챔버(23) 내에 잔존하는 약액의 분위기가 외부로 누설하는 것을 방지하고 있다.
또, 외부 챔버(24, 제 2 처리실)는 대기위치로 이동된 내통체(25) 사이에 실부재(40b)를 개재하는 제 1 고정벽(34)과, 제 2 고정벽(38)과, 제 2 고정벽(38)과 내통체(25) 사이에 각각 제 4 및 제 5 실부재(40d, 40e)를 통해 계합하는 외통체(26)로 형성되어 있다. 즉, 외통체(26)는 이동수단인 제 2 실린더(28)의 신축동작에 의해 로터(21)와 함께 웨이퍼(W)를 포위하는 위치까지 이동되고, 제 2 고 정벽(38) 사이에 제 4 실부재(40d)를 통해 실되고, 내통체(25)의 선단부 바깥쪽에 위치하는 제 5 실부재(40e)를 통해 실된 상태에서 외부 챔버(24, 제 2 처리실)를 형성한다. 또, 제 2 실린더(28)의 수축동작에 의해 고정통체(36)의 외주쪽 위치(대기위치)로 이동되게 구성되어 있다. 이 경우, 외통체(26)와 내통체(25)의 기단부 사이에는 제 5 실부재(40e)가 개재되고, 실되어 있다. 따라서, 내부 챔버(23)의 내측 분위기와, 외부 챔버(24)의 내측 분취기는 서로 밀폐된 상태로 격리되므로, 양 챔버(23, 24) 내의 분위기가 섞이는 일없이 다른 처리유체가 반응하여 생기는 크로스컨태미네이션을 방지할 수 있다.
상기와 같이 구성되는 내통체(25)와 외통체(26)는 모두 선단부를 향해 넓게 열리는 테이퍼상으로 형성되어 있다. 이렇게 내통체(25) 및 외통체(26)를 한단부를 향해 넓게 열리는 테이퍼상으로 형성하므로써, 처리 시에 내통체(25) 또는 외통체(26) 내에서 로터(21)가 회전되었을 때에 발생하는 기류가 넓게 열리는 쪽으로 소용돌이 형상으로 흐르고, 내부 약액 등이 넓게 열리는 쪽으로 배출하기 쉽게 할 수 있다. 또, 내통체(25)와 외통체(26)를 동일 축선상에 축적하는 구조로 하므로써, 내통체925)와 외통체(26) 및 내부 챔버(23) 및 외부 챔버(24)의 설치스페이스를 적게 할 수 있고, 장치의 소형화를 도모할 수 있다.
한 편, 상기 처리액공급수단 중, 약액인 폴리머제거액의 공급수단(50)은 도 10에 도시하는 것과 같이 처리부 즉 내통체(25) 내에 설치된 약액공급노즐(51)(처리액공급수단)과, 약액공급부(52)와, 이 약액공급노즐(51)과 약액공급부(52)를 접속하는 약액공급관로(53)를 구비하여 이루어진다.
상기 약액공급부(52)는 도 11에 도시하는 것과 같이 약액공급원(3A)과, 이 약액공급원(3A)에서 공급되는 신규 약액을 저류함과 동시에 처리에 공급된 약액을 저류하는 탱크(10)로 주요부가 구성되어 있다.
상기 탱크(10)는 약액개폐밸브(3a)를 개설하는 약액관로(3b)를 통해 약액공급원(3A)에 접속하는 새로운 액을 저류하는 내측 탱크(10a)와, 이 내측 탱크(10a)를 안쪽에 수용하는 내측 탱크(10b)로 이루어지는 이중조 구조로 구성되어 있다. 이 경우, 내측 탱크(10a) 및 외측 탱크(10b)는 각각 밑이 있는 원통형 스텐레스제 용기로 형성되어 있다. 또, 외측 탱크(10b)의 외주면에는 외측 탱크(10b)를 둘러싸도록 가열수단인 히터(1A)가 배설되어 있다.
이 경우, 내측 탱크(10a)의 상단부에는 이 내측 탱크(10a)에서 오버플로하는 약액을 외측 탱크(10b) 내로 공급하는 오버플로관(10c)이 배설되어 있다.(도 12 참조) 따라서, 약액공급원(3A)에서 내측 탱크(10a) 내로 공급되는 신규 약액이 내측 탱크(10a) 내에 충만된 후, 오버플로관(10c)을 통해 외측 탱크(10b) 내로 공급된다. 또한, 외측 탱크(10b)의 개구부에서 내측 탱크(10a)와의 간극을 좁게 형성하는 쪽이 바람직하다. 그 이유는 내측탱크(10a)와 외측 탱크(10b)의 간극이 좁은 만큼, 외측 탱크(10b) 내에 저류되는 약액의 액면 외기와 접촉하는 면적을 적게 할 수 있으므로, 약액의 공기 접촉에 의한 화학반응과 열화를 억제할 수 있고, 약액의 품질과 성능 유지를 도모할 수 있기 때문이다.
또한, 내측 탱크(10a) 및 외측 탱크(10b)의 개구부에는 퍼지가스공급관로(10d)와 가스를 뺀 관로(10e)가 접속되어 있고, 양 탱크(10a, 10b) 내에 저류되는 약액이 외기에 쐬여 분위기가 변화하는 것을 방지하기 위해, 미도시의 불활성가스인 N2가스 등의 퍼지가스공급원에 접속하는 퍼지가스공급관로(10d)에서 퍼지가스인 N2가스 등이 공급되게 되어 있다. 또한 외측 탱크(10d)의 바깥쪽 근접부에는 각각 정전용량형의 상한센서(Sa), 평량센서(Sb), 히터오프하한센서(Sc) 및 하한센서(Sd)가 배설되어 있고, 이 센서(Sa ~ Sd)는 제어부(30B, CPU)에 접속되어 있다. 이 경우, 센서(Sa ~ Sd)는 반드시 정전용량형일 필요는 없고, 액면을 검출할 수 있으면 그 외 형식의 센서라도 괜찮다. 이 센서(Sa ~ Sd) 중, 상한센서(Sa)와 하한센서(Sd)는 외측 탱크(10b) 내에 저류되는 약액의 상한액면과 하한액면을 검출하고, 평량센서(Sb)는 외측 탱크(10b) 내에 실제로 저류되어 있는 약액량을 검출하고, 또 히터오프 하한센서(Sc)는 히터(4)에 의한 가열가능한 약액량을 검출할 수 있게 되어 있다. 또한, 내측 탱크(10a)의 상단부에는 약액충만센서(미도시)가 배설되어 있고, 이 약액충만센서에 의해 내측 탱크(10a) 내에서 외측 탱크(10b) 내로 흐르는 약액 상태를 가시할 수 있게 되어있다. 즉, 약액충만센서와 상기 평량센서(Sb)로부터의 검출신호에 기초하여 제어부(30B, CPU)로부터의 제어신호를 약액개폐밸브(3a)에 전달하므로써 내측 탱크(10a) 및 외측 탱크(10b) 내의 약액량을 관리할 수 있다.
또, 내측 탱크(10a) 내에 저류되는 약액과, 외측 탱크(10b) 내에 저류되는 약액은 외측 탱크(10b)의 바깥쪽 근접부에 배설되는 하나의 히터(1A)에 의해 가열 ·보온되게 되어 있다. 이 경우, 내측 탱크(10a) 내의 약액온도는 내측 탱크약액온 도센서(Ta)에 의해 검출되고, 또, 히터(1)의 온도는 콘트롤온도센서(Tc)와 오버히트온도센서(Td)에 의해 검출되게 되어 있다. 이 온도센서(Ta ~ Td) 중, 외측 탱크온도센서(Tb), 콘트롤온도센서(Tc) 및 오버히트온도센서(Td)의 검출신호를 CPU30B에 전달하고, CPU30B로부터의 제어신호에 기초하여 PID온도조절기(미도시)에서 제어하고, 외측 탱크(10b) 내의 약액온도, 히터(1)의 가열온도를 소정온도(예를 들면 80℃이상, 150℃이하)로 설정할 수 있게 되어 있다.
또, 외측 탱크(10b) 내에는 상기 냉각수단(2)의 냉각부(2b)가 배설되어 있고, 냉각수공급원(미도시)으로부터 공급되는 냉각수가 냉각부(2b)를 유통하여 외측 탱크(10b) 내의 약액을 열교환하므로써, 약액이 냉각되게 되어 있다.
한편, 처리부 즉 내통체(25) 내에 설치되는 약액공급노즐(51)과, 약액공급로(52)를 접속하는 약액공급관로(53)는, 도 9 및 도 11에 도시하는 것과 같이 내측 탱크(10a) 내의 약액을 처리부쪽으로 공급하는 제 1 공급관로(14a)와 외측 탱크(10b) 내의 약액을 처리부쪽으로 공급하는 제 2 공급관로(14b)와 이 제 1 및 제 2 공급관로(14a, 14b)를 연결하여 공통화하는 주공급관로(14c)로 주로 구성되어 있다. 이 경우, 제 1 공급관로(14a)에는 제 1 전환개폐밸브(15a)가 개설되고, 제 2 공급관로(14b)에는 제 2 전환개폐밸브(15b)가 개설되어 있다. 또, 주공급관로(14c)에는 다이어그램식의 공급펌프(16)가 개설되고, 이 공급펌프(16)의 토출쪽으로 순차적으로 제 3 전환개폐밸브(15c), 필터(17), 제 4 전환개폐밸브(15d)가 개설되어 있다.
또, 주공급관로(14c)에 있어서 공급펌프(16)의 토출쪽과 외측 탱크(10b)는 제 5 전환개폐밸브(14c)를 개설한 상기 대기순환로(4)에 상당하는 순환관로(18)가 접속되어 있고, 외측 탱크(10b) 내에서 공급되는 약액을 순환할 수 있도록 구성되어 있다.
또, 주공급관로(14c)에서 공급펌프(16)의 토출쪽{구체적으로는 공급펌프(16)와 제 3 전환개폐밸브(15c) 사이}과 제 3 전환개폐밸브(15c)의 토출쪽과 순환관로(18)의 접속부 사이에는 주공급관로(14c)에서 분기되어 다시 주공급관로(14c)에 연결하는 바이패스관로(19)가 접속되어 있다. 이 바이패스관로(19)에는 제 6 전환개폐밸브(15f), 필터(19a) 및 제 7 전환개폐밸브(15g)가 순차적으로 개설되어 있다. 또, 외측 탱크(10b)의 개구부(2b)와 처리부에는 상기 배출로(8b)에 상당하는 약액의 회수관로(56)가 접속되어 있고, 처리부에서 처리에 공급된 약액이 외측 탱크(10b) 내에 저류되어 리사이클에 공급되게 되어 있다.
상기와 같이 하여 약액공급관로(53)를 형성하므로써, 외측 탱크(10b) 내에 저류된 약액을 제 2 공급관로(14b), 주공급관로(14c), 바이패스관로(19) 및 주공급관로(14c), 바이패스관로(19)를 통해 처리부쪽으로 공급할 수 있다. 또, 내측 탱크(10a) 내에 저류된 약액(새로운 액)을 제 1 공급관로(14a)와 주공급관로(14c) 를 통해 처리부쪽으로 공급할 수 있다. 또, 웨이퍼(W) 처리의 대기시에는 외측 탱크(10b) 내에 저류된 약액을 순환관로(18)를 통해 순환할 수 있다. 이 때, 상기 제 2 또는 제 3 실시예에서 설명한 것과 같이 상기 냉각수단(2)의 제 1 및 제 2 개폐밸브(Vb, Vc)를 개방하는 지 또는 유량제어밸브(CV)를 전부 개방하여 냉각수를 탱 크(10A) 내의 약액에 접촉시키므로써, 히터(1A)의 가열량을 처리온도보다 높게 하고 약액의 온도를 처리허용온도(온도감시폭) 범위 내로 억제할 수 있다. 또한, 이 경우, 약액의 순환은 상기 제 1 내지 제 3 실시예와 다르고, 웨이퍼처리부 즉 내통체(25)에서 대기순환라인에 연통시키지 않고 직접 외측 탱크(10b) 내로 되돌리고 있다.
또한, 외측 탱크(10b)의 저부에는 배액개폐밸브(57)를 개설한 배액관로(58)가 접속되어 있다. (도 11 및 도 12 참조)
한 편, 약액의 용제인 IPA의 공급수단(60)은 도 10에 도시하는 것과 같이 내통체(25) 내에 설치되는 상기 약액공급노즐을 겸용하는 공급노즐(51, 이하, 약액공급노즐(51)로 대표한다.)과 용제공급부(61)와, 이 공급노즐(51)과 약액공급부(52)를 접속하는 IPA공급관로(62)에 개설되는 펌프(54), 필터(55), IPA공급밸브(63)를 구비하여 이루어진다. 이 경우, 용제공급부(61)는 용제인 IPA의 공급원(64)과, 이 IPA공급원(64)에서 공급되는 신규 IPA를 저류하는 IPA공급탱크(61a)와, 처리에 공급된 IPA를 저류하는 순환공급탱크(61b)로 구성되어 있고, 양 IPA공급탱크(61a, 61b)에는 상기 내부 챔버(23)의 넓게 열린 쪽 부위의 하부에 설치된 제 1 배액포트(41)에 접속하는 제 1 배액관(42)에 미도시의 전환밸브(전환수단)를 통해 순환관로(90)가 접속되어 있다. 도면에서는 IPA공급탱크(61a, 61b)를 개별로 배치하는 경우에 관해 설명했지만, 상기 내측 탱크(10a)와 외측 탱크(10b)와 동일하게 IPA공급탱크(61a, 61b)를 2중조 구조로 하는 쪽이 바람직하다.
한 편, 린스액인 순수의 공급수단(70)은 도 10에 도시하는 것과 같이 제 2 고정벽(38)에 설치되는 순수공급노즐(71)과, 순수공급원(72)과, 순수공급노즐(71)과 순수공급원(72)을 접속하는 순수공급관로(73)에 개설되는 공급펌프(74), 순수공급밸브(75)를 구비하여 이루어진다. 이 경우, 순수공급노즐(71)은 내부 챔버(23)의 바깥쪽에 위치하면서 외부 챔버(24)의 안쪽에 위치할 수 있도록 배설되어 있고, 내통체(25)가 대기위치로 후퇴하고, 외통체(26)가 로터(21)와 웨이퍼(W)를 포위하는 위치로 이동하여 외부 챔버(24)를 형성했을 때에 외부 챔버(24) 내에 위치하고 웨이퍼(W)에 대해 순수를 공급할 수 있도록 구성되어 있다.
또한, 순수공급노즐(71)은 외부 챔버(24)에 설치되어 있는 것이어도 좋다.
또, 외부 챔버(24)의 넓게 열린 쪽 부위의 하부에는 제 2 배액포트(45)가 설치되어 있고, 이 제 2 배액포트(45)에는 미도시의 개페밸브를 개설한 제 2 배액관(46)이 접속되어 있다. 또한, 제 2 배액관(46)에는 순수의 비저항치를 검출하는 비저항계(47)가 개설되어 있고, 이 비저항계(47)에 의해 린스처리에 공급된 순수의 비저항치를 검출하고, 그 신호를 상기 CPU30B에 전달하도록 구성되어 있다. 따라서, 이 비저항계(47)에서 린스처리 상황을 감시하고, 적정한 린스처리가 이루어진 후, 린스처리를 종료할 수 있다.
또한, 상기 외부 챔버(24)의 넓게 열린 쪽 부위의 상부에는 제 2 배기포트(48)가 설치되어 있고, 이 제 2 배기포트(48)에는 미도시의 개페밸브를 개설한 제 2 배기관(49)이 접속되어 있다.
또, 건조유체공급수단(80)은 도 9 및 도 10에 도시하는 것과 같이 제 2 고정 벽(38)에 설치된 건조유체공급노즐(81)과, 건조유체인 질소(N2)공급원(82)과, 건조유체공급노즐(81)과 N2공급원(82)을 접속하는 건조유체공급관로(83)에 개설되는 개폐밸브(84), 필터(85), N2온도조정기(86)를 구비하여 이루어지고, 또한, 건조유체공급관로(83)에서 N2온도조정기(86)의 2차측에 전환밸브(87)를 통해 상기 IPA공급관로(62)에서 분기되는 분기관로(88)를 접속하여 이루어진다. 이 경우, 건조유체공급노즐(81)은 상기 순수공급노즐(71)과 동일하게 내부 챔버(23)의 바깥쪽에 위치함과 동시에 외부 챔버(24)의 안쪽에 위치할 수 있도록 배설되어 있고, 내통체(25)가 대기위치로 후퇴하고 외통체(26)가 로터(21)와 웨이퍼(W)를 포위하는 위치로 이동하여 외부 챔버(24)를 형성했을 때에 외부 챔버(24) 내에 위치하고, 웨이퍼(W)에 대해 N2가스와 IPA 혼합유체를 안개상태로 공급할 수 있도록 구성되어 있다. 이 경우, N2가스와 IPA 혼합유체로 건조한 후에, 다시 N2가스로만 건조한다. 또한, 여기에서는 건조유체가 N2가스와 IPA 혼합유체인 경우에 관해 설명했지만, 이 혼합유체를 대신하여 N2가스만을 공급하도록 해도 좋다.
또한, 상기 약액공급수단(50), IPA공급수단(60), 순수공급수단(70) 및 건조유체공급수단(80)에서 공급펌프(16, 54), 약액공급부(52)의 제 1 ~ 제 7 전환개폐밸브(15a ~ 15g), 온도조정기(56), N2온도조정기(86), IPA공급밸브(63) 및 전환밸브(87)는 CPU30B에 의해 제어되고 있다.(도 9 참조)
다음으로 상기와 같이 구성되는 세정 ·건조처리장치의 동작상태에 관해 설명한다. 우선, 용기반입 ·반출부(110)쪽에서 캐리어반송기구(200)에 의해 캐리어(100)를 세정처리부(20) 바로 아래의 캐리어대기부(250)로 반송한다. 그러면, 웨이퍼이동기구(260)가 상승하고, 캐리어대기부(250)에 대기된 캐리어(100) 내 복수의 웨이퍼(W)를 밀어올려 세정처리부(20)로 이동시키고 로터(21)에 세트한다.
상기와 같이 하여 로터(21)에 웨이퍼(W0가 세트되면, 내통체(25) 및 외통체(26)가 로터(21) 및 웨이퍼(W)를 포위하는 위치까지 이동하고 내부 챔버(23) 내에 웨이퍼(W)를 수용한다. 이 상태에서, 우선, 웨이퍼(W)에 약액을 공급하여 약액처리를 한다. 이 약액처리는 로터(21) 및 웨이퍼(W)를 저속회전인 1 ~ 500rpm으로 회전시킨 상태에서 소정시간 즉 수십초간 약액을 공급한 후, 약액 공급을 정지하고, 그 후, 로터(21) 및 웨이퍼(W)를 수초간 고속회전인 100 ~ 3000rpm으로 회전시켜서 웨이퍼(W)표면에 부착하는 약액을 털어내어 제거한다. 이 약액공급공정과 약액제거공정을 수 회에서 수천회 반복하여 약액처리를 완료한다.
상기 약액처리공정에 있어서, 내부 탱크(10a) 및 외부 탱크(10b) 내에 약액이 저류된 상태의 통상처리에서는 최초로 공급되는 약액은 외부 탱크(10b) 내에 저류된 약액이 사용된다. 즉, 제 2, 제 6, 제 7 및 제 4 전환개폐밸브(15b, 15f, 15g, 15d)가 열린 상태에서 공급펌프(16)가 작동하므로써, 외부 탱크(10b) 내의 약액은 제 2 공급관로(14b), 주공급관로(14c), 바이패스관로(19) 및 주공급관로(14c)를 흘러 처리부쪽으로 공급된다. 이 때, 공급펌프(16)를 통과한 약액은 필터(19a)에 의해 여과되고, 약액중에 혼입되는 불순물이 제거된다. 어떤 일정시간 내 최초 로 사용된 약액은 제 1 배액관(42)에서 폐기된다. 그 이외의 약액은 일정시간 처리에 공급된 후, 외부 탱크(10b) 내로 되돌아오고, 이후 순환공급된다.
소정시간 약액을 순환공급하여 처리를 한 후, 내부 탱크(10a)내의 신규 약액이 처리부쪽으로 공급되고 약액처리가 종료된다. 내부 탱크(10a)내의 신규 약액을 처리부쪽으로 공급하는 경우에는, 상기 제 2, 제 6 및 제 7 전환개폐밸브(15b, 15f, 15g)가 닫히고, 제 1, 제 3 및 제 4 전환개폐밸브(15a, 15c, 15d)가 열린다. 이 상태에서 공급펌프(16)가 작동하므로써, 내부 탱크(10a) 내 신규약액은 제 1 공급관(14a) 및 주공급관(14c)을 흘러 처리부쪽으로 공급된다. 이 때, 공급펌프(16)를 통과한 신규약액은 필터(17)에 의해 여과되고, 약액 중에 혼입하는 불순물이 제거된다. 또, 전회의 처리시에 공급되고, 주공급관로(14c)에 잔류한 신규약액은 다음 회 신규약액과 함께 필터(17)에 의해 여과된다. 또한, 처리에 공급된 신규약액은 회수관로(56)를 통해 외부 탱크(10b)내에 저류된다. 이 때, 상기 제 1 내지 제 3 실시에에서 설명한 것과 같이 냉각수단(2)의 개폐밸브(Va)를 개방하는지, 제 1 개폐밸브(Vb)를 개방하는지, 혹은 유량제어밸브(CV)를 좁혀 냉각수를 냉각수단(2)의 냉각부(2b)로 유통하여 탱크(10A) 내의 약액과 접촉시켜 냉각하므로써, 약액이 처리상태의 대량 방열상태에서 대기상태로 급격히 변화하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 약액의 온도를 처리온도의 허용범위 내(70 ±1℃)로 하여 다음 대기순환에 대비할 수 있다.
약액처리 및 린스처리가 종료한 후, 내통체(25)가 대기위치로 후퇴하고, 로터(21) 및 웨이퍼(W)가 외통체(26)에 의해 포위, 즉 외부 챔버(24) 내에 웨이퍼(W) 가 수용된다. 따라서, 내부 챔버(23) 내에서 처리된 웨이퍼(W)에서 액이 떨어져도 외부 챔버(24)에서 수용할 수 있다. 이 상태에서, 우선, 린스액공급수단의 순수공급노즐(71)에서 회전하는 웨이퍼(W)에 대해 린스액인 순수가 공급되고 린스처리된다. 이 린스처리에 공급된 순수와 제거된 IPA는 제 2 배액포트(45)를 통해 제 2 배액관(46)에서 배출된다. 또, 외부 챔버(24)내에 발생하는 가스는 제 2 배기포트(48)를 통해 제 2 배기관(49)에서 외부로 배출된다.
이렇게 하여 린스처리를 소정시간 행한 후, 외부 챔버(24) 내에 웨이퍼(W)를 수용한 상태에서 건조유체공급수단(80)의 N2가스공급원(82) 및 IPA 공급원(64)에서 N2가스와 IPA 혼합유체를 회전하는 웨이퍼(W)에 공급하고, 웨이퍼표면에 부착하는 순수를 제거하므로써, 웨이퍼(W)와 외부 챔버(24) 내의 건조를 할 수 있다. 또, N2가스와 IPA 혼합유체에 의해 건조처리한 후, N2가스만을 웨이퍼(W)에 공급하므로써, 웨이퍼(W)의 건조와 외부 챔버(24) 내 건조를 한층 더 효율적으로 행할 수 있다.
상기와 같이 하여, 웨이퍼(W)의 약액처리, 약액제거처리, 린스처리 및 건조처리가 종료된 후, 외통체(26)가 내통체(25)의 외주쪽 대기위치로 후퇴하는 한편, 미도시의 로크해제수단이 동작하여 웨이퍼누름봉(32)을 웨이퍼(W)의 미는 위치에서 후퇴한다. 그러면, 웨이퍼이동기구(260)가 상승하여 로터(21)의 고정유지봉(31)에서 유지된 웨이퍼(W)를 수취하고 처리장치(20)의 아래쪽으로 이동한다. 처리장치의 아래쪽으로 이동된 웨이퍼(W)는 캐리어대기부(250)에 대기된 캐리어(100) 내에 수 용된 후, 캐리어반송기구(200)에 의해 용기반입 ·반출부(110)로 반송된 후, 장치외부로 반송된다.
또한, 상기 실시예에서는 이 발명에 관한 액처리방법 및 액처리장치를 반도체 웨이퍼의 세정 ·건조처리장치에 적용한 경우에 관해 설명했지만, 반도체 웨이퍼 이외의 LCD용 유리 기판 등에도 적용할 수 있는 것은 물론이고, 또, 세정 ·건조처리장치 이외의 약액 등의 처리액을 이용한 액처리장치에도 적용할 수도 있다.
또, 상기 실시예에서는 처리액에서의 적용에 관해 설명했지만, 이 발명은 처리액에서의 적용뿐 아니라, 초임계유쳬에도 적용할 수 있다.

Claims (21)

  1. 탱크 내에 저류된 처리액을 가열수단 및 냉각수단에 의해, 가열 및 냉각가능하게 함과 동시에 대기순환시켜두고, 이 대기순환 중의 처리액을 처리실 내에 수용된 피처리체에 공급하여 처리를 실시하고, 상기 피처리체에 공급한 처리액을 상기 탱크 내로 되돌리는 액처리방법에서,
    상기 대기순환 중에 상기 탱크 내의 처리액에 대해 가열 및 냉각을 동시에 행하고, 처리액을 처리실내에 수용된 피처리체에 공급하는 처리시에는 냉각수단에 의한 냉각을 정지하고, 가열수단에 의한 가열에 의해 처리액을 처리온도로 조정하는 것을 특징으로 하는 액처리방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 처리를 종료한 후의 대기순환 중에 상기 탱크 내의 처리액에 대해 가열 및 냉각을 동시에 행하여 처리액을 처리온도로 조정하는 것을 특징으로 하는 액처리방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 처리를 개시하기 전의 대기순환 중에 상기 탱크 내의 처리액에 대해 가열 및 냉각을 동시에 하면서 처리액을 처리온도로 조정하는 것을 특징으로 하는 액처리방법.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 처리를 개시하기 전의 대기순환 중에 대기순환 중의 냉각에 의해 처리액에서 방출되는 열량과, 처리 중에 처리액에서 방출되는 열량이 동일해지도록 냉각하는 것을 특징으로 하는 액처리방법.
  5. 청구항 3에 있어서,
    상기 대기순환에서 처리개시로의 전환과 동시에 냉각을 정지하는 것을 특징으로 하는 액처리방법.
  6. 청구항 2에 있어서,
    상기 처리를 종료한 후의 대기순환 중에 대기순환 중의 냉각에 의해 처리액에서 방출되는 열량과, 처리중에 처리액에서 방출되는 열량이 동일해지도록 냉각하는 것을 특징으로 하는 액처리방법.
  7. 청구항 2에 있어서,
    상기 처리를 종료한 후의 대기순환으로의 전환과 동시에 냉각을 개시하는 것을 특징으로 하는 액처리방법.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 처리를 개시하기 전의 대기순환 중에, 상기 탱크 내의 처리액에 대해 가열 및 냉각을 동시에 하면서 처리액을 처리온도로 조정하고,
    상기 처리를 종료한 후의 대기순환 중에 상기 탱크 내의 처리액에 대해 가열 및 냉각을 동시에 하여 처리액을 처리온도로 조정하는 것을 특징으로 하는 액처리방법.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 처리를 개시하기 전의 대기순환 중에, 대기순환 중의 냉각에 의해 처리액에서 방출되는 열량과, 처리 중에 처리액에서 방출되는 열량이 동일해지도록 냉각하는 것을 특징으로 하는 액처리방법.
  10. 청구항 8에 있어서,
    상기 대기순환에서 처리개시로의 전환과 동시에 냉각을 정지하는 것을 특징으로 하는 액처리방법.
  11. 청구항 8에 있어서,
    상기 처리를 종료한 후의 대기순환 중에, 대기순환 중의 냉각에 의해 처리액에서 방출되는 열량과, 처리 중에 처리액에서 방출되는 열량이 동일해지도록 냉각하는 것을 특징으로 하는 액처리방법.
  12. 청구항 8에 있어서,
    상기 처리를 종료한 후의 대기순환으로의 전환과 동시에 냉각을 개시하는 것을 특징으로 하는 액처리방법.
  13. 청구항 1에 있어서,
    상기 처리를 개시하기 전의 대기순환 중에, 상기 탱크 내의 처리액에 대해 가열 및 냉각을 동시에 하고, 처리를 개시하기 직전에, 가열수단 및 냉각수단에 의한 가열량 및 냉각량을 더 증가시키는 것을 특징으로 하는 액처리방법.
  14. 청구항 13에 있어서,
    처리를 개시하기 직전에 가열수단 및 냉각수단에 의한 가열량 및 냉각량을 더 증가시킬 때의 냉각에 의한 처리액에서 방출되는 열량과, 처리개시 시에 처리액에서 방출되는 열량이 동일해지도록 냉각하는 것을 특징으로 하는 액처리방법.
  15. 청구항 13에 있어서,
    상기 대기순환에서 처리개시로의 전환과 동시에 냉각을 정지하는 것을 특징으로 하는 액처리방법.
  16. 청구항 13에 있어서,
    상기 처리를 종료한 후의 대기순환으로의 전환과 동시에 냉각을 개시하는 것을 특징으로 하는 액처리방법.
  17. 탱크 내에 저류된 처리액을 소정온도로 가열하는 가열수단과,
    상기 탱크 내의 처리액을 냉각하는 냉각매체를 유통하는 냉각수단과,
    상기 탱크 내의 처리액을 탱크 외부로 대기순환시키는 대기순환라인과,
    처리실 내에 수용된 피처리체에 처리액을 공급하는 처리액공급수단과,
    상기 처리액공급수단으로 처리액을 공급하는 공급로와,
    처리에 공급된 처리액을 상기 처리실에서 배출하는 배출로와,
    상기 공급로와 공급수단과 배출로를 갖는 처리순환라인과,
    상기 대기순환라인과 처리순환라인을 흐르는 처리액의 흐름을 전환하는 전환수단과,
    상기 냉각매체의 연통로에 개설되는 개폐수단과,
    상기 전환수단에 의해 상기 대기순환라인에 처리액을 대기순환시킬 때에, 상기 가열수단에 의해 가열함과 동시에 상기 개폐수단을 개방하여 상기 냉각매체를 상기 탱크 내로 유통시키도록 제어하는 제어수단과, 를 구비하는 것을 특징으로 하는 액처리장치.
  18. 청구항 17에 있어서,
    상기 제어수단은 상기 전환수단에 의해 처리액의 흐름을 상기 처리순환라인에서 상기 대기순환라인으로 전환하는 것과 동시에, 가열수단에 의해 가열하고, 상기 개폐수단을 개방하여 상기 냉각매체를 상기 탱크 내로 유통시키도록 제어가능하게 형성되는 것을 특징으로 하는 액처리장치.
  19. 청구항 17에 있어서,
    상기 제어수단은 상기 전환수단에 의해 처리액의 흐름을 상기 대기순환라인에서 상기 처리순환라인으로 전환하는 것과 동시에, 상기 개폐수단을 닫고 상기 냉각매체의 상기 탱크 내로의 유통을 정지시키도록 제어가능하게 형성되는 것을 특징으로 하는 액처리장치.
  20. 청구항 17에 있어서,
    상기 개폐수단은 유량가변의 유량제어밸브이고,
    상기 제어수단은 처리액의 흐름을 상기 처리순환라인에서 상기 대기순환라인으로 전환함과 동시에 가열수단에 의해 가열하고, 상기 유량제어밸브를 소량으로 개방하여 상기 냉각매체를 상기 탱크 내로 유통시키도록 제어하고,
    처리 후의 흐름을 상기 대기순환라인에서 상기 처리순환라인으로 전환하기 전에 상기 유량제어밸브를 대유량으로 개방하여 상기 냉각매체를 상기 탱크 내로 유통시키도록 제어하고,
    또한 처리액의 흐름을 상기 대기순환라인에서 상기 처리순환라인으로 전환함 과 동시에 상기 개폐수단을 닫고 상기 냉각매체의 상기 탱크 내로의 유통을 정지시키도록 제어가능하게 형성되는 것을 특징으로 하는 액처리장치,
  21. 청구항 17에 있어서,
    상기 개폐수단은 냉각매체의 유통로에 병렬하여 개설되는 제 1 및 제 2 개폐밸브로 구성되고,
    상기 제어수단은 처리액의 흐름을 상기 처리순환라인에서 상기 대기순환라인으로 전환함과 동시에 가열수단에 의해 가열하고, 상기 제 1 개폐밸브를 개방하여 상기 냉각매체를 상기 탱크 내로 유통시키도록 제어하고,
    처리액의 흐름을 상기 대기순환라인에서 상기 처리순환라인으로 전환하기 전에 상기 제 1 및 제 2 개폐밸브를 개방하여 상기 냉각매체를 상기 탱크 내로 유통시키도록 제어하고,
    또한, 처리액의 흐름을 상기 대기순환라인에서 상기 처리순환라인으로 전환함과 동시에 상기 개폐수단을 닫고 상기 냉각매체의 상기 탱크 내로의 유통을 정지시키도록 제어가능하게 형성되는 것을 특징으로 하는 액처리장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101185476B1 (ko) 2011-02-15 2012-10-02 주식회사 엠엠테크 에칭 탱크 쿨링 및 히팅 시스템
KR20180000241U (ko) * 2017-08-04 2018-01-23 오션브릿지 주식회사 반도체 제조 공정용 고점도 유체 공급 장치

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050005845A1 (en) * 2003-05-20 2005-01-13 John Zajac Apparatus and method for in-situ chamber cleaning in a compound semiconductor etching system
US7272998B1 (en) * 2004-06-16 2007-09-25 Gauthier Michael T Torque-limiting mechanism
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
US7651306B2 (en) 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US20060130767A1 (en) 2004-12-22 2006-06-22 Applied Materials, Inc. Purged vacuum chuck with proximity pins
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
KR100678467B1 (ko) * 2005-01-12 2007-02-02 삼성전자주식회사 기판 건조장치 및 이를 이용한 건조방법
WO2007034939A1 (ja) * 2005-09-26 2007-03-29 Hara Tech Corporation 凝縮用熱変換装置及びそれを用いた冷凍システム
JP4891589B2 (ja) * 2005-10-11 2012-03-07 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び処理液供給方法並びに処理液供給プログラム
JP4666494B2 (ja) * 2005-11-21 2011-04-06 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US7678199B2 (en) * 2006-09-06 2010-03-16 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning method
JP2009027143A (ja) * 2007-06-20 2009-02-05 Panasonic Corp 基板製造装置のモニタリングシステムおよびモニタリング方法
US20090241995A1 (en) * 2008-03-31 2009-10-01 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning method and apparatus
JP5359286B2 (ja) * 2009-01-07 2013-12-04 東京エレクトロン株式会社 超臨界処理装置、基板処理システム及び超臨界処理方法
KR20110004081A (ko) * 2009-07-07 2011-01-13 삼성모바일디스플레이주식회사 증착 장치용 캐니스터, 이를 이용한 증착 장치 및 증착 방법
JP5454108B2 (ja) * 2009-11-30 2014-03-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP6473965B2 (ja) * 2015-02-06 2019-02-27 Smc株式会社 安全機構付き冷却液供給装置及び熱負荷の冷却方法
JP6356091B2 (ja) * 2015-04-16 2018-07-11 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、ヒータユニットの制御方法および記憶媒体
TW201713751A (zh) * 2015-10-06 2017-04-16 聯華電子股份有限公司 酸槽補酸系統與方法
CN109219864A (zh) * 2016-06-14 2019-01-15 应用材料公司 从晶片移除光刻胶的液体过滤
SG11201810379TA (en) * 2016-06-16 2018-12-28 Applied Materials Inc Wafer processor door interface
JP6979852B2 (ja) * 2017-10-26 2021-12-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理液供給装置、基板処理装置、および処理液供給方法
US10510564B2 (en) * 2018-01-10 2019-12-17 Lam Research Corporation Dynamic coolant mixing manifold
EP3814540A4 (en) 2018-06-29 2022-03-30 Applied Materials, Inc. LIQUID LITHIUM FEED AND REGULATION
CN109945588A (zh) * 2019-03-18 2019-06-28 常州市乐萌压力容器有限公司 一种应用于镀膜机上的冷却液循环系统及控制方法
JP7382164B2 (ja) * 2019-07-02 2023-11-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP2021048233A (ja) * 2019-09-18 2021-03-25 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 原料貯留システム、基板処理装置、クリーニング方法およびプログラム
TWI799172B (zh) * 2021-03-19 2023-04-11 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置、及基板處理方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06196470A (ja) * 1992-12-25 1994-07-15 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP2001110773A (ja) * 1999-08-05 2001-04-20 Tokyo Electron Ltd 洗浄装置、洗浄システム、処理装置及び洗浄方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06124934A (ja) * 1992-10-13 1994-05-06 Fuji Electric Co Ltd ウエット洗浄装置
JPH10209125A (ja) 1997-01-21 1998-08-07 Komatsu Ltd 流体温度の制御装置及びその方法
JP3010443B2 (ja) * 1998-01-27 2000-02-21 株式会社小松製作所 温度制御装置および温度制御方法
JP4006130B2 (ja) * 1999-03-30 2007-11-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置の処理液循環装置
DE10038219A1 (de) * 1999-08-05 2001-05-03 Tokyo Electron Ltd Reinigungseinrichtung, Reinigungssystem, Behandlungseinrichtung und Behandlungsverfahren
JP4426036B2 (ja) * 1999-12-02 2010-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP3739075B2 (ja) * 2000-02-15 2006-01-25 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
JP2001266215A (ja) 2000-03-15 2001-09-28 Toshiba Corp 紙葉類処理装置及び紙葉類の搬送方向変換装置
JP2003249476A (ja) * 2002-02-22 2003-09-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd ウェハ洗浄方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06196470A (ja) * 1992-12-25 1994-07-15 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP2001110773A (ja) * 1999-08-05 2001-04-20 Tokyo Electron Ltd 洗浄装置、洗浄システム、処理装置及び洗浄方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101185476B1 (ko) 2011-02-15 2012-10-02 주식회사 엠엠테크 에칭 탱크 쿨링 및 히팅 시스템
KR20180000241U (ko) * 2017-08-04 2018-01-23 오션브릿지 주식회사 반도체 제조 공정용 고점도 유체 공급 장치
KR200487289Y1 (ko) * 2017-08-04 2018-08-31 오션브릿지 주식회사 반도체 제조 공정용 고점도 유체 공급 장치

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