KR200487289Y1 - 반도체 제조 공정용 고점도 유체 공급 장치 - Google Patents
반도체 제조 공정용 고점도 유체 공급 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR200487289Y1 KR200487289Y1 KR2020170004143U KR20170004143U KR200487289Y1 KR 200487289 Y1 KR200487289 Y1 KR 200487289Y1 KR 2020170004143 U KR2020170004143 U KR 2020170004143U KR 20170004143 U KR20170004143 U KR 20170004143U KR 200487289 Y1 KR200487289 Y1 KR 200487289Y1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- chemical fluid
- storage tank
- chemical
- semiconductor manufacturing
- manufacturing process
- Prior art date
Links
- 239000012530 fluid Substances 0.000 title claims abstract description 211
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 101
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 89
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 195
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 110
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 65
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 8
- 238000005338 heat storage Methods 0.000 abstract description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
- H01L21/205—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy using reduction or decomposition of a gaseous compound yielding a solid condensate, i.e. chemical deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
Abstract
반도체 제조 공정용 고점도 유체 공급 장치가 개시된다.
개시되는 반도체 제조 공정용 고점도 유체 공급 장치는 화학 유체의 유입을 조절하는 공정 밸브가 형성된 반도체 제조 공정용 장치에 적용되는 것으로서, 상기 화학 유체를 저장하는 저장 탱크; 상기 저장 탱크와 분리 설치 되되, 상기 저장 탱크 내에 저장되는 상기 화학 유체를 승온시켜 줄 수 있는 가열 부재; 상기 저장 탱크의 상기 화학 유체를 상기 반도체 제조 공정용 장치에 공급하거나, 상기 저장 탱크와 상기 가열 부재 사이에서 상기 화학 유체를 순환시켜줄 수 있는 순환관; 및 상기 저장 탱크에서 상기 화학 유체가 배출되어 상기 화학 유체를 상기 순환관으로 고압으로 유동시켜 줄 수 있는 순환 펌프;를 포함하고, 상기 저장 탱크의 외측에는 상기 저장 탱크에 저장되어 있는 상기 화학 유체의 점성이 유지되도록 상기 저장 탱크를 보온시켜주는 보온 부재가 형성되어 있고, 상기 보온 부재는 상기 저장 탱크에 열에너지를 공급할 수 있는 복수 개의 열선을 포함하고, 상기 저장 탱크와 상기 가열 부재가 분리 설치됨으로써, 상기 저장 탱크의 외부인 상기 순환관에서 상기 화학 유체를 가열할 수 있고, 상기 공정 밸브가 상기 순환관으로부터 닫혀있으면, 상기 저장 탱크 내의 상기 화학 유체가 상기 순환관을 따라 상기 가열 부재를 경유하면서 승온된 후, 다시 상기 저장 탱크로 재유입되면서 승온 과정을 거치고, 상기 공정 밸브가 상기 순환관으로부터 열려있으면, 상기 가열 부재를 지난 상기 화학 유체가 상기 반도체 제조 공정용 장치에 유입되는 것을 특징으로 한다.
개시되는 반도체 제조 공정용 고점도 유체 공급 장치에 의하면, 반도체 제조 공정용 장치에 화학 유체를 공급할 때, 화학 유체의 상태, 특히 점성을 요구되는 수준에 맞춰지도록 하여 공급할 수 있도록 유지함으로써, 반도체 제조 공정용 장치에서 공급받은 화학 유체의 점성에 따라 화학 반응에 소요되는 시간을 일정하게 유지하고 반도체의 품질을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
개시되는 반도체 제조 공정용 고점도 유체 공급 장치는 화학 유체의 유입을 조절하는 공정 밸브가 형성된 반도체 제조 공정용 장치에 적용되는 것으로서, 상기 화학 유체를 저장하는 저장 탱크; 상기 저장 탱크와 분리 설치 되되, 상기 저장 탱크 내에 저장되는 상기 화학 유체를 승온시켜 줄 수 있는 가열 부재; 상기 저장 탱크의 상기 화학 유체를 상기 반도체 제조 공정용 장치에 공급하거나, 상기 저장 탱크와 상기 가열 부재 사이에서 상기 화학 유체를 순환시켜줄 수 있는 순환관; 및 상기 저장 탱크에서 상기 화학 유체가 배출되어 상기 화학 유체를 상기 순환관으로 고압으로 유동시켜 줄 수 있는 순환 펌프;를 포함하고, 상기 저장 탱크의 외측에는 상기 저장 탱크에 저장되어 있는 상기 화학 유체의 점성이 유지되도록 상기 저장 탱크를 보온시켜주는 보온 부재가 형성되어 있고, 상기 보온 부재는 상기 저장 탱크에 열에너지를 공급할 수 있는 복수 개의 열선을 포함하고, 상기 저장 탱크와 상기 가열 부재가 분리 설치됨으로써, 상기 저장 탱크의 외부인 상기 순환관에서 상기 화학 유체를 가열할 수 있고, 상기 공정 밸브가 상기 순환관으로부터 닫혀있으면, 상기 저장 탱크 내의 상기 화학 유체가 상기 순환관을 따라 상기 가열 부재를 경유하면서 승온된 후, 다시 상기 저장 탱크로 재유입되면서 승온 과정을 거치고, 상기 공정 밸브가 상기 순환관으로부터 열려있으면, 상기 가열 부재를 지난 상기 화학 유체가 상기 반도체 제조 공정용 장치에 유입되는 것을 특징으로 한다.
개시되는 반도체 제조 공정용 고점도 유체 공급 장치에 의하면, 반도체 제조 공정용 장치에 화학 유체를 공급할 때, 화학 유체의 상태, 특히 점성을 요구되는 수준에 맞춰지도록 하여 공급할 수 있도록 유지함으로써, 반도체 제조 공정용 장치에서 공급받은 화학 유체의 점성에 따라 화학 반응에 소요되는 시간을 일정하게 유지하고 반도체의 품질을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
Description
본 고안은 반도체 제조 공정용 고점도 유체 공급 장치에 관한 것이다.
반도체는 웨이퍼 제작, 회로설계, 마스크 제작, 웨이퍼 가공, 패키지 공정이라는 공정 과정을 거쳐 제작된다.
여기서, 공정 과정에서의 웨이퍼 가공 공정 과정에서는 웨이퍼에 특정 불순물을 주입하여 반도체 소자 형성을 위한 특정 영역을 만드는 확산 공정과, 복수 개의 소자를 상호 연결하고 연결된 소자의 표면을 증착하는 박막증착 공정과, 설계한 회로 패턴을 웨이퍼로 옮기는 노광 공정과, 웨이퍼에 그려진 회로 패턴을 정밀하게 완성하는 식각 공정과 웨이퍼를 세정하고 화학적, 기계적으로 연마하는 Clean&CMP공정을 반복하는 과정이 포함되어 있다.
이러한 반도체 공정 과정을 수행함에 있어, 확산 공정 장치와 같이 다양한 화학 반응을 이용하여 반도체를 공정하는 제조 장치가 여러 공정 라인에 형성되어 있다.
이러한 화학적 반응을 이용하는 반도체 제조 공정용 장치들은 일반적으로 공정에 필요한 화학 가스나 액체가 저장된 장치에서 펌프에 의한 공급, 또는 가스 가압에 의한 공급으로 이루어진다.
여기서, 반도체 제조 공정용 장치가 제공받는 화학가스나 액체의 상태, 특성, 공급 압력, 유량 등에 따라 반도체의 품질이 차이가 날 수 있다.
특히, 반도체 제조 공정용 장치에서 공급받은 화학 유체의 점성에 따라 화학 반응에 소요되는 시간이 변하기 때문에 반도체 제조 과정에 걸리는 시간이 더욱 증가될 수 있는 문제가 발생하였다.
또한, 종래의 반도체 제조 공정용 장치에 화학 유체를 공급하는 펌프나 가스 가압 장치들은 화학 유체의 상태, 특히 점성을 요구되는 수준에 맞춰지도록 공급할 수 있도록 유지하는 것이 주변 온도와 같은 여러 변수에 의하여 유지하기가 힘들다는 단점이 있었다.
본 고안은 반도체 제조 공정용 장치에 화학 유체를 공급할 때, 화학 유체의 상태, 특히 점성을 요구되는 점성에 맞춰지도록 하여 공급할 수 있도록 유지함으로써, 반도체 제조 공정용 장치에서 공급받은 화학 유체의 점성에 따라 화학 반응에 소요되는 시간을 일정하게 유지하고 반도체의 품질을 향상시킬 수 있는 반도체 제조 공정용 고점도 유체 공급 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 고안의 다른 목적은 반도체 제조 공정용 장치에 화학 유체를 대량으로 공급할 때, 화학 유체가 요구되는 점성에 맞게 안정적인 대량 공급을 할 수 있도록 함으로써, 반도체 제조 공정용 장치에서 공급받은 화학 유체의 점성에 따라 화학 반응에 소요되는 시간을 일정하게 유지하고 반도체의 품질을 향상시킬 수 있는 반도체 제조 공정용 고점도 유체 공급 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 고안의 일 측면에 따른 반도체 제조 공정용 고점도 유체 공급 장치는 화학 유체 공급 장치에서 공급되는 화학 유체의 유입을 조절하는 공정 밸브가 형성된 반도체 제조 공정용 장치에 적용되는 것으로서, 상기 화학 유체 공급 장치에서 공급받아 상기 화학 유체를 저장하는 저장 탱크; 상기 저장 탱크와 분리 설치 되되, 상기 저장 탱크 내에 저장되는 상기 화학 유체를 승온시켜 줄 수 있는 가열 부재; 상기 저장 탱크의 상기 화학 유체를 상기 반도체 제조 공정용 장치에 공급하거나, 상기 저장 탱크와 상기 가열 부재 사이에서 상기 화학 유체를 순환시켜줄 수 있는 순환관; 및 상기 저장 탱크에서 상기 화학 유체가 배출되어 상기 화학 유체를 상기 순환관으로 고압으로 유동시켜 줄 수 있는 순환 펌프;를 포함하고, 상기 저장 탱크의 외측에는 상기 저장 탱크에 저장되어 있는 상기 화학 유체의 점성이 유지되도록 상기 저장 탱크를 보온시켜주는 보온 부재가 형성되어 있고, 상기 보온 부재는 상기 저장 탱크에 열에너지를 공급할 수 있는 복수 개의 열선을 포함하고, 상기 저장 탱크와 상기 가열 부재가 분리 설치됨으로써, 상기 저장 탱크의 외부인 상기 순환관에서 상기 화학 유체를 가열할 수 있고, 상기 공정 밸브가 상기 순환관으로부터 닫혀있으면, 상기 저장 탱크 내의 상기 화학 유체가 상기 순환관을 따라 상기 가열 부재를 경유하면서 승온된 후, 다시 상기 저장 탱크로 재유입되면서 승온 과정을 거치고, 상기 공정 밸브가 상기 순환관으로부터 열려있으면, 상기 가열 부재를 지난 상기 화학 유체가 상기 반도체 제조 공정용 장치에 유입되는 것을 특징으로 한다.
본 고안의 일 측면에 따른 반도체 제조 공정용 고점도 유체 공급 장치에 의하면, 반도체 제조 공정용 장치에 적용되는 것으로서, 화학 유체 공급 장치에서 공급되는 화학 유체가 상기 반도체 제조 공정용 장치로 유동되는 순환관; 및 상기 순환관을 따라 순환되는 상기 화학 유체를 승온시켜 줄 수 있는 가열 부재;를 포함하는 것으로써, 반도체 제조 공정용 장치에 화학 유체를 공급할 때, 화학 유체의 상태, 특히 점성을 요구되는 수준에 맞추어지도록 하여 공급할 수 있도록 유지함으로써, 반도체 제조 공정용 장치에서 공급받은 화학 유체의 점성에 따라 화학 반응에 소요되는 시간을 일정하게 유지하고 반도체의 품질을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
본 고안의 다른 측면에 따른 반도체 제조 공정용 고점도 유체 공급 장치에 의하면, 화학 유체의 유입을 조절하는 공정 밸브가 형성된 반도체 제조 공정용 장치에 적용되는 것으로서, 상기 화학 유체를 저장하는 저장 탱크; 상기 저장 탱크와 분리 설치 되되, 상기 저장 탱크 내에 저장되는 상기 화학 유체를 승온시켜 줄 수 있는 가열 부재; 상기 저장 탱크의 상기 화학 유체를 상기 반도체 제조 공정용 장치에 공급하거나, 상기 저장 탱크와 상기 가열 부재 사이에서 상기 화학 유체를 순환시켜줄 수 있는 순환관; 및 상기 저장 탱크에서 상기 화학 유체가 배출되어 상기 화학 유체를 상기 순환관으로 고압으로 유동시켜 줄 수 있는 순환 펌프;를 포함하고, 상기 저장 탱크의 외측에는 상기 저장 탱크에 저장되어 있는 상기 화학 유체의 점성이 유지되도록 상기 저장 탱크를 보온시켜주는 보온 부재가 형성되어 있고, 상기 보온 부재는 상기 저장 탱크에 열에너지를 공급할 수 있는 복수 개의 열선을 포함하고, 상기 저장 탱크와 상기 가열 부재가 분리 설치됨으로써, 상기 저장 탱크의 외부인 상기 순환관에서 상기 화학 유체를 가열할 수 있고, 상기 공정 밸브가 상기 순환관으로부터 닫혀있으면, 상기 저장 탱크 내의 상기 화학 유체가 상기 순환관을 따라 상기 가열 부재를 경유하면서 승온된 후, 다시 상기 저장 탱크로 재유입되면서 승온 과정을 거치고, 상기 공정 밸브가 상기 순환관으로부터 열려있으면, 상기 가열 부재를 지난 상기 화학 유체가 상기 반도체 제조 공정용 장치에 유입되는 것임으로, 반도체 제조 공정용 장치에 화학 유체를 대량으로 공급할 때, 화학 유체가 요구되는 점성에 맞게 안정적인 대량 공급을 할 수 있도록 함으로써, 반도체 제조 공정용 장치에서 공급받은 화학 유체의 점성에 따라 화학 반응에 소요되는 시간을 일정하게 유지하고 반도체의 품질을 향상시킬 수 있는 반도체 제조 공정용 고점도 유체 공급 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
도 1은 본 고안의 제 1 실시예에 따른 반도체 제조 공정용 고점도 유체 공급 장치를 보이는 도면.
도 2는 본 고안의 제 2 실시예에 따른 반도체 제조 공정용 고점도 유체 공급 장치를 보이는 도면.
도 3은 본 고안의 제 2 실시예에 따른 가열 유닛에 가열 센서부가 형성되어 있는 모습은 보이는 도면.
도 4는 본 고안의 제 2 실시예에 따른 열선이 포함되어 있는 보온 부재의 일부를 나타낸 단면도.
도 5는 본 고안의 제 2 실시예에 따른 저장 탱크 부재에 저장 탱크 센서부가 형성되어 있는 모습은 보이는 도면.
도 2는 본 고안의 제 2 실시예에 따른 반도체 제조 공정용 고점도 유체 공급 장치를 보이는 도면.
도 3은 본 고안의 제 2 실시예에 따른 가열 유닛에 가열 센서부가 형성되어 있는 모습은 보이는 도면.
도 4는 본 고안의 제 2 실시예에 따른 열선이 포함되어 있는 보온 부재의 일부를 나타낸 단면도.
도 5는 본 고안의 제 2 실시예에 따른 저장 탱크 부재에 저장 탱크 센서부가 형성되어 있는 모습은 보이는 도면.
이하에서는 도면을 참조하여 본 고안의 실시예들에 따른 반도체 제조 공정용 고점도 유체 공급 장치에 대하여 설명한다.
도 1은 본 고안의 제 1 실시예에 따른 반도체 제조 공정용 고점도 유체 공급 장치를 보이는 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 반도체 제조 공정용 고점도 유체 공급 장치(100)는 순환관(230)과, 가열 부재(140)를 포함한다.
도면번호 20은 반도체 소자 형성을 위한 각 단계별 공정 장치로, 다양한 화학 액체의 화학 반응을 일으켜, 상기 반도체 소자를 공정하는 반도체 제조 공정용 장치이다.
도면번호 10은 상기 반도체 제조 공정용 장치(20)에서 쓰이는 화학 유체를 공급할 수 있는 화학 유체 공급 장치이다.
도면 번호 30은 상기 화학 유체 공급 장치(10)에서 상기 화학 유체가 배출되어 상기 순환관(230)으로 고압으로 유동시켜줄 수 있는 고압 펌프이다.
상기 순환관(230)은 상기 화학 유체 공급 장치(10)에서 공급되는 상기 화학 유체가 상기 반도체 제조 공정용 장치(20)로 유동되도록 하는 것으로,
상기 순환관(230)은 상기 화학 유체가 유동될 수 있도록 관 형태로 형성되어 있다.
상기와 같이 형성되면, 상기 고압 펌프(170)가 상기 화학 유체 공급 장치(10)의 상기 화학 유체가 상기 순환관(230) 내부에서 빠르게 유동되어 상기 반도체 제조 공정용 장치(20)를 향하여 유동될 수 있도록 상기 화학 유체를 고압으로 유동시켜준다.
상기 가열 부재(140)는 상기 순환관(230)을 따라 순환되는 상기 화학 유체를 승온시켜 줄 수 있는 것이다.
상기와 같이 형성된 상태에서 상기 화학 유체 공급 장치(10)에서 상기 화학 유체가 배출되면, 상기 화학 유체가 상기 순환관(230)을 통하여 상기 반도체 제조 공정용 장치(20)를 향하여 유동된다.
여기서, 상기 순환관(230) 내부에서 상기 반도체 제조 공정용 장치(20)를 향하여 유동되는 상기 화학 유체가 상기 반도체 제조 공정용 장치(20)에 유입되기 전에 상기 가열 부재(140)로 인해 상기 반도체 제조 공정용 장치(20)에서 요구되는 온도로 승온된다.
상기 화학 유체 공급 장치(10)에서 상기 반도체 제조 공정용 장치(20)로 상기 화학 유체를 공급하였을 때는 상기 화학 유체가 상기 반도체 제조 공정용 장치(20)로 이동하는 과정에서 상기 화학 유체의 온도가 변하면서 점성 및 상태가 달라짐으로, 상기 반도체 제조 공정용 장치(20)가 원하는 상기 화학 유체의 상태를 맞춰주기가 어려웠으나, 상기와 같이 상기 순환관(230) 및 상기 가열 부재(140)로 인하여 상기 반도체 제조 공정용 장치(20)에서 요구하는 상기 화학 유체의 상태에 맞게 상기 화학 유체를 공급할 수 있으므로, 상기 반도체 제조 공정용 장치(20)에서 상기 화학 유체의 화학 반응을 일정하게 유지할 수 있으므로 이로 인해 생산되는 반도체 소자의 품질을 향상시킬 수 있다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 고안의 다른 실시예들에 따른 반도체 제조 공정용 고점도 유체 공급 장치에 대하여 설명한다. 이러한 설명을 수행함에 있어서 상기된 본 고안의 제 1 실시예에서 이미 기재된 내용과 중복되는 설명은 그에 갈음하고 여기서는 생략하기로 한다.
도 2는 본 고안의 제 2 실시예에 따른 반도체 제조 공정용 고점도 유체 공급 장치를 보이는 도면이고, 도 3은 본 고안의 제 2 실시예에 따른 가열 유닛에 가열 센서부가 형성되어 있는 모습은 보이는 도면이고, 도 4는 본 고안의 제 2 실시예에 따른 열선이 포함되어 있는 보온 부재의 일부를 나타낸 단면도이고, 도 5는 본 고안의 제 2 실시예에 따른 저장 탱크 부재에 저장 탱크 센서부가 형성되어 있는 모습은 보이는 도면이다.
도 2 내지 도 5를 함께 참조하면, 반도체 제조 공정용 고점도 유체 공급 장치(200)는 저장 탱크(210)와, 가열 부재(240)와, 순환관(230)을 포함한다.
도면번호 40은 반도체 소자 형성을 위한 각 단계별 공정 장치로, 다양한 화학 액체의 화학 반응을 일으켜, 상기 반도체 소자를 공정하는 반도체 제조 공정용 장치이다.
도면번호 30은 상기 반도체 제조 공정용 장치(40)에서 쓰이는 화학 유체(60)를 공급할 수 있는 화학 유체 공급 장치이다.
도면 번호 270은 상기 화학 유체 공급 장치(30)에서 상기 화학 유체(60)가 배출되어 상기 저장 탱크(210)에 고압으로 유동시켜줄 수 있는 고압 펌프이다.
상기 저장 탱크(210)는 상기 화학 유체(60)를 저장할 수 있는 것으로, 상기 화학 유체 공급 장치(30)에서 상기 화학 유체(60)를 공급받아 상기 화학 유체(60)를 저장하는 것이다.
여기서, 상기 저장 탱크(210)는 상기 화학 유체(60)와 화학적 반응이 일어나지 않으며, 상기 화학 유체(60)의 열이 방출되지 않도록 보온해주는 재질로 형성된다.
상기 저장 탱크(210) 외측에는 상기 저장 탱크(210)에 저장되어 있는 상기 화학 유체(60)의 점성이 유지되도록 상기 저장 탱크(210)를 보온시켜주는 보온 부재(220)가 형성되어 있다.
이러한 상기 보온 부재(220)는 상기 저장 탱크(210)에 열 에너지를 공급할 수 있는 복수 개의 열선(225)이 포함되어 있다.
상기와 같이 형성된 상태에서, 상기 열선(225)에서 상기 저장 탱크(210)에 열에너지를 공급하면, 상기 저장 탱크(210)에 저장되어 있는 상기 화학 유체(60)의 요구되는 점성에 맞춰주고 그 점성을 유지시킬 수 있다.
상기 열선(225)은 보조적으로 가동시킬 수 있는 것으로, 예를 들어, 상기 순환관(320)으로 상기 화학 유체(60)를 유동시켜 상기 가열 부재(240)로 승온시킬 시간이 부족할 때, 상기 열선(225)를 가동시켜 상기 열 에너지를 상기 저장 탱크(210)에 공급하고, 상기 열 에너지가 상기 화학 유체(60)를 요구되는 온도로 승온시킬 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이 상기 보온 부재(220)는 상기 저장 탱크(210)의 외측에 형성된다. 즉, 상기 보온 부재(220)의 내측에는 상기 저장 탱크(210)가 삽입된 형태로 형성된다.
상기와 같이 형성되면, 상기 화학 유체 공급 장치(30)에서 상기 저장 탱크(210)로 유입되는 상기 화학 유체(60)를 상기 반도체 제조 공정용 장치(40)가 요구하는 점성을 맞추기 위해 상기 보온 부재(220)에서 상기 저장 탱크(210) 부재로 상기 화학 유체(60)의 요구되는 점성이 맞춰지도록 열에너지를 공급한다.
상기와 같이 형성되면, 상기 저장 탱크(210) 내에 저장되어 있는 상기 화학 유체(60)의 온도를 상기 반도체 제조 공정용 장치(40)가 요구하는 온도로 유지할 수 있다.
상기 저장 탱크(210)에는 상기 저장 탱크(210)에 저장되어 있는 상기 화학 유체(60)의 점성을 감지할 수 있고 상기 화학 유체(60)의 점성이 일정하게 유지되도록 상기 보온 부재(220)에 제어 신호를 보낼 수 있는 탱크 센서부(215)가 형성되어 있다.
상기 탱크 센서부(215)는 상기 저장 탱크(210)에 저장되어 있는 상기화학 유체(60)의 온도를 파악할 수 있는 탱크 온도 감지 센서(217)와, 상기 탱크 온도 감지 센서(217)를 이용하여 상기 화학 유체(60)의 온도 및 점성과 같이 상기 화학 유체(60)의 상태를 확인할 수 있는 탱크 모니터(216)와, 상기 저장 탱크(210)에 저장되어 있는 화학 유체(60)의 온도를 제어하도록 하는 탱크 온도 제어부(218)로 형성되어 있다.
상기와 같이 형성되면, 상기 탱크 온도 감지 센서(217)를 이용하여 상기 저장 탱크(210)에 저장되어 있는 상기 화학 유체(60)의 온도를 측정하고, 상기 탱크 모니터(216)를 이용하여 상기 화학 유체(60)의 상태를 확인할 수 있다.
또한, 상기 저장 탱크(210) 부재에 저장되어 있는 상기 화학 유체(60)의 열에너지가 손실되었을 때, 상기 탱크 온도 제어부(218)에 제어 신호를 입력하여 상기 보온 부재(220)에 전달하면, 상기 보온 부재(220)의 열선(225)에 전원이 공급되면서 상기 저장 탱크(210)에 열에너지를 전달할 수 있고, 상기 저장 탱크(210)로 전달된 상기 열에너지를 상기 화학 유체(60)로 전달할 수 있다.
상기 가열 부재(240)는 상기 저장 탱크(210)와 분리 설치 되되, 상기 저장 탱크(210) 내에 저장되는 상기 화학 유체(60)를 승온시켜 줄 수 있는 것이다.
즉, 상기 가열 부재(240)는 상기 순환관(230)에 형성되어 상기 순환관(230) 내부에서 유동되는 상기 화학 유체(60)를 상기 반도체 제조 공정용 장치(40)가 요구하는 온도로 승온시켜줄 수 있는 것이다.
이러한 상기 가열 부재(240)에는 상기 상기 순환관(230) 내의 상기 화학 유체(60)의 온도 및 점성을 감지할 수 있고, 상기 순환관(230) 내의 상기 화학 유체(60)의 온도를 제어하도록 상기 가열 부재(240)에 제어 신호를 보낼 수 있는 가열 센서부(245)가 형성되어 있다.
상기 가열 센서부(245)는 상기 순환관(230) 내의 상기 화학 유체(60)의 현재 온도를 파악할 수 있는 가열 온도 감지 센서(247)와, 상기 가열 온도 감지 센서(247)에서 감지되는 온도를 이용하여 상기 화학 유체(60)의 상태를 실시간으로 확인할 수 있는 가열 모니터(246)와, 상기 가열 부재(240)가 상기 화학 유체(60)를 승온시키는 온도를 제어할 수 있는 가열 온도 제어부(248)를 포함한다.
상기 순환관(230)은 상기 저장 탱크(210)의 상기 화학 유체(60)를 상기 반도체 제조 공정용 장치(40)에 공급하거나, 상기 거장 탱크와 상기 가열 부재(240) 사이에서 상기 화학 유체(60)를 순환시켜줄 수 있는 것이다.
도면 번호 260은 상기 저장 탱크(210)에서 상기 화학 유체(60)가 배출되어 상기 순환관(230)에 고압으로 유동시켜줄 수 있는 순환 펌프이다.
상기 순환 펌프(260)가 작동되면 상기 저장 탱크(210)에 저장되어 있는 상기 화학 유체(60)가 상기 순환관(230)에 고압으로 빠르게 유동될 수 있다.
여기서, 상기 탱크 센서부(215)와 상기 가열 센서부(245)에서 감지되는 각각의 상기 화학 유체(60)의 온도차가 요구되는 수준에 맞게 미리 설정된 범위 내에서 벗어나게 되면, 상기 순환 펌프(260)가 상기 순환관(230)으로 상기 화학 유체(60)를 고압으로 유동시킬 수 있도록 열린 상태가 되고, 상기 탱크 센서부(215)와 상기 가열 센서부(245)에서 감지되는 각각의 상기 화학 유체(60)의 온도차가 요구되는 수준에 맞게 미리 설정된 범위 내에 속하면, 상기 저장 탱크(210)에 저장되어있는 상기 화학 유체(60)가 상기 가열 부재(240)로 유동되면서 순환되는 과정을 거치지 않아도 됨으로, 상기 순환 펌프(260)가 상시 순환관(230)으로부터 차단된 상태로 전환된다.
즉, 상기 저장 탱크(210)의 상기 화학 유체(60)가 요구되는 수준에 맞게 미리 설정된 범위 내에 속하면, 상기 순환 펌프(260)를 차단시켜 상기 화학 유체(60)가 상기 순환관(210)을 통하여 상기 저장 탱크(210)로 계속 순환되는 과정을 멈추게 한다.
도면번호 45는 상기 반도체 제조 공정용 장치(40)에 상기 화학 유체(60)를 유입하도록 조절하는 공정 밸브이다.
상기 공정 밸브(45)가 상기 순환관(230)으로부터 열려있으면, 상기 저장 탱크(210)에서 상기 순환관(230)으로 유동되어 상기 순환관(230) 내부에서 유동되어 상기 가열 부재(240)를 지나 상기 저장 탱크(210)로 다시 재유입될 수 있는 상기 화학 유체(60)가 상기 반도체 제조 공정용 장치(40)에 유입되고, 상기 공정 밸브(45)가 상기 순환관(230)으로부터 닫혀있으면, 상기 순환관(230) 내부에서 상기 가열 부재(240)를 거치면서 유동되고 있는 상기 화학 유체(60)가 상기 반도체 제조 공정용 장치(40)에 유입되지 않고, 상기 저장 탱크(210)로 재유입 된다.
상기와 같이 형성되면, 상기 저장 탱크(210) 내의 상기 화학 유체(60)가 상기 순환관(230)을 따라 상기 가열 부재(240)를 경유하면서 승온된 후, 다시 상기 저장 탱크(210)로 재유입되면서 승온 과정을 거치고, 상기 승온 과정을 거친 상기 저장 탱크(210) 내의 상기 화학 유체(60)가 미리 설정된 요구 온도에 도달되면, 상기 저장 탱크(210) 내의 상기 화학 유체(60)가 상기 반도체 제조 공정용 장치(40)에 공급될 수 있다.
도면번호 250은 상기 저장 탱크(210)에서 공급되는 상기 화학 유체(60)의 불순물을 걸러내는 필터 부재이다.
상기 화학 유체 공급 장치(30)에서 상기 저장 탱크(210)로 상기 화학 유체(60)가 유동될 때, 상기 필터 부재(250)를 거침으로써, 상기 화학 유체(60)에 포함되어 있는 상기 불순물이 걸러지고, 순수한 상기 화학 유체(60)가 상기 저장 탱크(210)에 유입될 수 있다.
상기와 같이 형성되면, 상기 저장 탱크(210)에 저장되는 상기 화학 유체(60)는 상기 불순물이 포함되어 있지 않으므로, 상기 반도체 제조 공정용 장치(40)에 순수한 상기 화학 유체(60)를 공급할 수 있다.
종래에는 상기 화학 유체 공급 장치(30)에서 상기 반도체 제조 공정용 장치(40)로 상기 화학 유체(60)를 공급하였으나, 상기와 같이 상기 화학 유체 공급 장치(30)에서 배출된 상기 화학 유체(60)가 상기 반도체 제조 공정용 고점도 유체 공급 장치(200)를 거치면서, 불순물이 걸러질 뿐만 아니라, 상기 화학 유체(60)의 온도 및 점성과 같은 상태를 상기 반도체 제조 공정용 장치(40)가 요구하는 상태로 맞추어 공급할 수 있으므로, 상기 반도체 제조 공정용 장치(40)에서 제조되는 상기 반도체 소자의 품질을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 저장 탱크(210)에 상기 화학 유체(60)를 요구되는 수준에 맞춰지도록 대량으로 저장할 수 있으므로, 상기 반도체 제조 공정용 장치(40)에 상기 화학 유체(60)를 대량으로 공급할 때, 상기 화학 유체(60)가 요구되는 점성에 맞게 안정적인 대량 공급을 할 수 있고, 이에 따라 상기 반도체 제조 공정용 장치(40)에서 상기 화학 유체(60)를 이용하여 생산되는 반도체 소자의 품질을 향상시킬 수 있다.
이하에서는 상기 반도체 제조 공정용 고점도 유체 공급 장치(200)를 이용하여 상기 반도체 제조 공정용 장치(40)에 상기 화학 유체(60)를 공급하는 과정에 대하여 설명한다.
먼저, 상기 화학 유체 공급 장치(30)에서 상기 고압 펌프(270)를 이용하여 고압으로 상기 필터 부재(250)로 상기 화학 유체(60)를 유동시킨다.
상기와 같이, 상기 화학 유체(60)가 상기 필터 부재(250)를 지나면서 불순물이 걸러지고 이러한 상태에서 상기 저장 탱크(210)에 상기 화학 유체(60)가 저장될 수 있다.
*이러한 상태에서 상기 저장 탱크(210)에 저장된 상기 화학 유체(60)의 보온성을 유지하기 위해 상기 보온 부재(220)의 열선(225)이 작동된다.
상기와 같이 형성되고 상기 공정 밸브(45)가 닫혀 있는 상태에서, 상기 저장 탱크(210)의 상기 화학 유체(60)가 상기 순환관(230) 내부에서 유동된다.
여기서, 상기 순환관(230) 내부에서 유동되는 상기 화학 유체(60)는 상기 가열 부재(240)를 지나면서 상기 반도체 제조 공정용 장치(40)가 요구되는 상태에 맞게 승온되고 다시 상기 저장 탱크(210)로 유동된다.
즉, 상기 저장 탱크(210)에 저장되어 있는 상기 화학 유체(60)가 상기 순환관(230)을 통하여 가열 부재(240)를 지나 승온되는 과정을 거치면서 다시 저장 탱크(210)에 유입되는 순환과정을 거치게 된다.
상기와 같이 형성되면, 상기 화학 유체(60)는 상기와 같은 순환과정을 거치면서 상기 반도체 제조 공정용 장치(40)가 요구하는 상태를 계속 유지할 수 있다.
이러한 상태에서 상기 공정 밸브(45)가 열리면 상기 가열 부재(240)를 지나 상기 반도체 제조 공정용 장치(40)가 요구되는 상태의 상기 화학 유체(60)가 상기 반도체 제조 공정용 장치(40)에 유입될 수 있다.
즉, 상기와 같이, 상기 화학 유체 공급 장치(30)에서 배출된 상기 화학 유체(60)가 상기 반도체 제조 공정용 고점도 유체 공급 장치(200)를 거치면서, 불순물이 걸러지고, 점도와 같은 상태를 일정하게 유지하면서 상기 반도체 제조 공정용 장치(40)로 유입될 수 있으므로, 상기 반도체 제조 공정용 장치(40)에서 공급받은 상기 화학 유체(60)의 화학 반응을 일정하게 유지할 수 있을 뿐만 아니라 반도체 소자의 품질도 향상시킬 수 있다.
상기에서 본 고안은 특정한 실시예에 관하여 도시되고 설명되었지만, 당업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 이하의 실용신안등록청구범위에 기재된 본 고안의 사상 및 영역을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 고안을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 알 수 있을 것이다. 그렇지만 이러한 수정 및 변형 구조들은 모두 본 고안의 권리범위 내에 포함되는 것임을 분명하게 밝혀두고자 한다.
본 고안의 일 측면에 따른 반도체 제조 공정용 고점도 유체 공급 장치에 의하면, 반도체 제조 공정용 장치에 화학 유체를 공급할 때, 화학 유체의 상태, 특히 점성을 요구되는 수준에 맞춰지도록 하여 공급할 수 있도록 유지함으로써, 반도체 제조 공정용 장치에서 공급받은 화학 유체의 점성에 따라 화학 반응에 소요되는 시간을 일정하게 유지하고 반도체의 품질을 향상시킬 수 있으므로, 그 산업상 이용 가능성이 높다고 하겠다.
100 : 반도체 제조 공정용 고점도 유체 공급 장치
130 : 순환관
140 : 가열 부재
150 : 필터 부재
130 : 순환관
140 : 가열 부재
150 : 필터 부재
Claims (3)
- 화학 유체 공급 장치에서 공급되는 화학 유체의 유입을 조절하는 공정 밸브가 형성된 반도체 제조 공정용 장치에 적용되는 것으로서,
상기 화학 유체 공급 장치에서 공급받아 상기 화학 유체를 저장하는 저장 탱크;
상기 저장 탱크와 분리 설치 되되, 상기 저장 탱크 내에 저장되는 상기 화학 유체를 승온시켜 줄 수 있는 가열 부재;
상기 저장 탱크의 상기 화학 유체를 상기 반도체 제조 공정용 장치에 공급하거나, 상기 저장 탱크와 상기 가열 부재 사이에서 상기 화학 유체를 순환시켜줄 수 있는 순환관; 및
상기 저장 탱크에서 상기 화학 유체가 배출되어 상기 화학 유체를 상기 순환관으로 고압으로 유동시켜 줄 수 있는 순환 펌프;를 포함하고,
상기 저장 탱크의 외측에는
상기 저장 탱크에 저장되어 있는 상기 화학 유체의 점성이 유지되도록 상기 저장 탱크를 보온시켜주는 보온 부재가 형성되어 있고,
상기 보온 부재는
상기 저장 탱크에 열에너지를 공급할 수 있는 복수 개의 열선을 포함하고,
상기 저장 탱크와 상기 가열 부재가 분리 설치됨으로써, 상기 저장 탱크의 외부인 상기 순환관에서 상기 화학 유체를 가열할 수 있고,
상기 공정 밸브가 상기 순환관으로부터 닫혀있으면, 상기 저장 탱크 내의 상기 화학 유체가 상기 순환관을 따라 상기 가열 부재를 경유하면서 승온된 후, 다시 상기 저장 탱크로 재유입되면서 승온 과정을 거치고, 상기 공정 밸브가 상기 순환관으로부터 열려있으면, 상기 가열 부재를 지난 상기 화학 유체가 상기 반도체 제조 공정용 장치에 유입되고,
상기 저장 탱크에는
상기 저장 탱크에 저장되어있는 상기 화학 유체의 점성을 감지할 수 있고, 상기 화학 유체의 점성을 제어하도록 상기 보온 부재에 신호를 보낼 수 있는 탱크 센서부가 형성되어 있고,
상기 탱크 센서부에는 상기 저장 탱크에 저장되어 있는 상기 화학 유체의 온도를 파악할 수 있는 탱크 온도 감지 센서와, 상기 탱크 온도 감지 센서를 이용하여 상기 화학 유체의 상태를 확인할 수 있는 탱크 모니터와, 상기 저장 탱크에 저장되어 있는 상기 화학 유체의 온도를 제어하도록 하는 탱크 온도 제어부가 형성되어 있고,
상기 가열 부재에는
상기 순환관 내의 상기 화학 유체의 점성을 감지할 수 있고, 상기 순환관 내의 상기 화학 유체의 점성을 제어하도록 상기 가열 부재에 신호를 보낼 수 있는 가열 센서부가 형성되어 있고,
상기 가열 센서부는 상기 순환관 내의 상기 화학 유체의 현재 온도를 파악할 수 있는 가열 온도 감지 센서와, 상기 가열 온도 감지 센서에서 감지되는 온도를 이용하여 상기 화학 유체의 상태를 실시간으로 확인할 수 있는 가열 모니터와, 상기 가열 부재가 상기 화학 유체를 승온시키는 온도를 제어할 수 있는 가열 온도 제어부를 포함하고,
상기 탱크 센서부와 상기 가열 센서부에서 감지되는 각각의 상기 화학 유체의 온도차가 요구되는 수준에 맞게 미리 설정된 범위 내에서 벗어나게 되면, 상기 순환 펌프가 상기 순환관으로 상기 화학 유체를 고압으로 유동시킬 수 있도록 열린 상태가 되고,
상기 탱크 센서부와 상기 가열 센서부에서 상기 화학 유체의 온도차가 요구되는 수준에 맞게 미리 설정된 범위 내에 속하면, 상기 순환관으로부터 상기 순환 펌프를 차단된 상태로 전환되어 상기 화학 유체가 상기 순환관을 통하여 상기 저장 탱크로 순환되는 과정을 멈추게 하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 공정용 고점도 유체 공급 장치. - 삭제
- 삭제
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2020170004143U KR200487289Y1 (ko) | 2017-08-04 | 2017-08-04 | 반도체 제조 공정용 고점도 유체 공급 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2020170004143U KR200487289Y1 (ko) | 2017-08-04 | 2017-08-04 | 반도체 제조 공정용 고점도 유체 공급 장치 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020160088424 Division | 2016-07-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20180000241U KR20180000241U (ko) | 2018-01-23 |
| KR200487289Y1 true KR200487289Y1 (ko) | 2018-08-31 |
Family
ID=61280085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2020170004143U KR200487289Y1 (ko) | 2017-08-04 | 2017-08-04 | 반도체 제조 공정용 고점도 유체 공급 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR200487289Y1 (ko) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100878570B1 (ko) * | 2001-09-03 | 2009-01-15 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판처리방법 및 기판처리장치 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100609013B1 (ko) | 2004-02-16 | 2006-08-03 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 장치 및 방법 |
| KR200430405Y1 (ko) | 2006-01-10 | 2006-11-10 | 주식회사 지파이어 | 고점도 연료를 위한 공냉식 버너장치 |
| KR101135468B1 (ko) * | 2009-11-09 | 2012-04-13 | 박용묵 | 화학공정 반응기용 온도조절장치 및 그의 제어방법 |
| KR20110080343A (ko) * | 2010-01-05 | 2011-07-13 | 세메스 주식회사 | 고온의 약액을 공급하는 장치 |
| KR20110080809A (ko) * | 2010-01-07 | 2011-07-13 | 세메스 주식회사 | 약액 리사이클링 장치 |
-
2017
- 2017-08-04 KR KR2020170004143U patent/KR200487289Y1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100878570B1 (ko) * | 2001-09-03 | 2009-01-15 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판처리방법 및 기판처리장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20180000241U (ko) | 2018-01-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI555078B (zh) | 用以提供加熱的蝕刻溶液之方法 | |
| US10414018B2 (en) | Apparatus and method for regulating surface temperature of polishing pad | |
| TWI525685B (zh) | 液體處理裝置、液體處理方法及記憶媒體 | |
| US7249628B2 (en) | Apparatus for conditioning the temperature of a fluid | |
| US20140290859A1 (en) | Wet etching apparatus | |
| JP6313231B2 (ja) | 基板液処理装置 | |
| US20050229854A1 (en) | Method and apparatus for temperature change and control | |
| TWI416644B (zh) | 半導體製造裝置 | |
| US11185896B2 (en) | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer-readable storage medium having substrate liquid processing program stored thereon | |
| US20070289732A1 (en) | Apparatus for conditioning the temperature of a fluid | |
| KR102553017B1 (ko) | 불활성 기체의 공급장치 | |
| JP6263092B2 (ja) | 研磨パッドの温度調節システムおよびこれを備えた基板処理装置 | |
| KR200487289Y1 (ko) | 반도체 제조 공정용 고점도 유체 공급 장치 | |
| KR102134949B1 (ko) | 처리액 공급 장치, 기판 처리 장치, 및 처리액 공급 방법 | |
| CN105457516A (zh) | 车用尿素溶液搅拌装置及其控温方法 | |
| JP3739075B2 (ja) | 液処理装置及び液処理方法 | |
| KR100741475B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 습식 식각 및 세정 약품 가열용 인라인 히터 | |
| KR101681493B1 (ko) | 서셉터 및 서셉터의 온도 가변 장치 | |
| JP2018123878A (ja) | 液化ガス供給方法 | |
| JP6013540B2 (ja) | ガス供給方法およびガス供給装置 | |
| KR102376797B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| KR100741478B1 (ko) | 반도체 공정액 항온기 | |
| KR101605082B1 (ko) | 유체 온도 조절장치 | |
| JP6122230B1 (ja) | 液化ガス供給方法 | |
| CN211359863U (zh) | 一种用于超声波清洗机的加热供水装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| X70R | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| GRNO | Decision to grant (after opposition) |