KR100609013B1 - 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 장치 및 방법 - Google Patents

반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 장치 및 방법 Download PDF

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Abstract

반도체 소자 제조용 화학 액체로 고점도의 화학 액체를 이용하는 경우에 고점도 화학 액체를 효과적으로 공급하는 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 장치 및 방법이 제공된다. 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 장치는 화학 액체 탱크부, 화학 액체 배출부, 충전 유로, 공급 유로 및 유로 조절부를 포함하며, 충전 유로가 화학 액체 배출부와 연결되는 소정의 부분 및 공급 유로가 화학 액체 배출부와 연결되는 소정의 부분은 일체화되어 형성되어 있고, 유로 조절부를 조절하여 일체화되어 형성되어 있는 부분을 충전 유로로 이용하거나 공급 유로로 이용한다.
반도체 제조, 고점도, 충전

Description

반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 장치 및 방법{Apparatus and method for providing chemical liquid in fabricating semiconductor device}
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 장치를 개략적으로 나타낸 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 방법을 나타낸 플로차트이다.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
10: 화학 액체 탱크부
20: 유로 조절부
30: 화학 액체 배출부
31: 실린더
32: 펌프
41 내지 43, 60: 액체 유로
50: 반도체 기판
70: 양방향 밸브
본 발명은 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 장치 및 화학 액체 공급 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 소자 제조용 화학 액체로 고점도의 화학 액체를 이용하는 경우에 고점도 화학 액체를 효과적으로 공급하는 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 장치 및 이를 이용한 화학 액체 공급 방법에 관한 것이다.
최근에 정보 통신 분야의 급속한 발달과 컴퓨터와 같은 정보 매체가 널리 보급됨에 따라 반도체 소자는 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력을 보유하도록 요구되어 반도체 소자의 집적도, 신뢰도 및 응답 속도 등을 향상시키는 방향으로 반도체 소자의 제조 기술이 발전되고 있다.
일반적으로 반도체 소자는 반도체 기판 상에 사진(photolithography), 식각(etching), 확산(diffusion), 화학 기상 증착(chemical vapor deposition; CVD), 이온 주입(ion implant) 및 금속 증착(metallization) 등의 공정을 반복적이고도 선택적으로 수행함으로써 요구되는 반도체 집적 회로 패턴을 형성하여 이루어진다.
상술한 공정 수행에 있어서, 반도체 집적 회로 패턴의 형성에 대한 소스로서 각종의 화학 액체가 공급되고 있으며, 이러한 각종의 화학 액체의 공급은 그 공급량, 공급 압력, 공급 온도, 공급 농도 등의 공정 조건의 제약을 받게 된다.
특히 상술한 공정 중에서 빈번히 사용되는 사진 공정에서는 식각 공정에서 반도체 기판의 선택적 식각을 위한 식각 마스크 또는 선택적 이온 주입시의 이온 주입 마스크를 형성하기 위한 것으로서, 포토레지스트(photoresist; PR)와 같은 화 학 액체가 사용된다.
종래의 포토레지스트 공급 장치에는 포토레지스트에 함유되어 있는 기포 등을 제거하기 위한 필터가 설치되어, 이 필터를 통과한 포토레지스트가 공급되었다.
그런데 식각 마스크 또는 이온 주입 마스크로서 고점도의 포토레지스트를 사용하는 경우에는 상술한 필터로 고점도 포토레지스트를 통과시켜도 고점도 포토레지스트에 함유되어 있는 기포는 제거되지 않는다.
더욱 심각한 문제는 상술한 필터에 고점도 포토레지스트를 통과시키는데 소요되는 시간이 포토레지스트의 고점도성으로 인하여 증가된다는 것이다. 결국 고점도 포토레지스트를 공급하는데 소요되는 시간이 증가되어 반도체 소자 제조 공정에 소요되는 시간이 증가됨으로써 반도체 소자 제조의 비용이 상승되는 문제를 야기하게 된다.
일본 공개 특허 공보 특개2003-195510(2003년 7월 9일 공개)에는 반도체 제조 공정시에 사용되는 화학 액체 공급 장치가 개시되어 있고, 상기 특허 공보에 개시된 화학 액체 공급 장치에도 필터가 설치되어 있다. 그러므로 상기 화학 액체 공급 장치를 통하여 고점도 포토레지스트를 공급하는 경우에는 상술한 반도체 소자 제조 공정에 소요되는 시간이 증가되는 문제점이 발생된다. 또한 화학 액체가 수용되어 있는 탱크로부터 화학 액체가 공급되기 때문에 탱크에 수용되어 있는 화학 액체의 양에 따라서 공급되는 화학 액체의 양이 달라질 수 있는 문제점이 발생된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 고점도 화학 액체를 효과적으로 공 급하는 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 장치를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 장치를 이용하여 고점도 화학 액체를 효과적으로 공급하는 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 방법을 제공하고자 하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 장치는 반도체 소자 제조용 화학 액체가 수용되는 화학 액체 탱크부, 상기 반도체 소자 제조용 화학 액체가 일시적으로 저장되는 화학 액체 배출부, 상기 화학 액체 탱크부와 상기 화학 액체 배출부 사이에 연결되어 있으며, 상기 화학 액체 탱크부에서 상기 화학 액체 배출부로 상기 반도체 소자 제조용 화학 액체를 전달하는 충전 유로 및 상기 화학 액체 배출부에 연결되어 있으며, 상기 화학 액체 배출부에서 반도체 기판으로 상기 반도체 소자 제조용 화학 액체를 전달하는 공급 유로를 포함한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 장치는 반도체 소자 제조용 화학 액체가 수용되는 화학 액체 탱크부, 상기 반도체 소자 제조용 화학 액체가 일시적으로 저장되는 화학 액체 배출부, 상기 화학 액체 탱크부와 상기 화학 액체 배출부 사이에 연결되어 있으며, 상기 화학 액체 탱크부에서 상기 화학 액체 배출부로 상기 반도체 소자 제조용 화학 액체를 전달하는 충전 유로, 상기 화학 액체 배출부에 연결되어 있으며, 상기 화학 액체 배출부에서 반도체 기판으로 상기 반도체 소자 제조용 화학 액체를 전달 하며, 상기 화학 액체 배출부와 연결되는 소정의 부분이 상기 충전 유로와 일체화되어 형성되어 있는 공급 유로 및 상기 일체화되어 형성되어 있는 부분이 끝나는 지점에 연결되어 있어 상기 일체화되어 형성되어 있는 부분이 상기 충전 유로로 이용되거나 상기 공급 유로로 이용되도록 조절하는 유로 조절부를 포함한다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일실시예를 따른 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 방법은 반도체 소자 제조용 화학 액체가 화학 액체 배출부에 저장되는 준비 단계, 상기 화학 액체 배출부에 저장되어 있는 반도체 소자 제조용 화학 액체가 공급 유로를 통하여 반도체 기판으로 전달되는 배출 단계 및 상기 반도체 소자 제조용 화학 액체가 수용되어 있는 화학 액체 탱크로부터 상기 반도체 소자 제조용 화학 액체가 충전 유로를 통하여 상기 화학 액체 배출부로 전달되는 충전 단계를 포함하며, 상기 충전 유로가 상기 화학 액체 배출부와 연결되는 소정의 부분 및 상기 공급 유로가 상기 화학 액체 배출부와 연결되는 소정의 부분은 일체화되어 형성되어 있고, 상기 일체화되어 형성되어 있는 부분이 끝나는 지점에 연결되어 있는 유로 조절부를 조절하여 상기 일체화되어 형성되어 있는 부분을 상기 충전 유로로 이용하거나 상기 공급 유로로 이용한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태 로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 장치는 고점도 화학 액체를 효과적으로 제공하기 위하여 반도체 제조용 화학 액체가 수용되는 화학 액체 탱크부와는 별도로 반도체 제조용 화학 액체가 일시적으로 저장되는 화학 액체 배출부를 더 구비함으로써 화학 액체 탱크부에 수용되어 있는 반도체 소자 제조용 화학 액체의 양에 관계없이 정량의 반도체 소자 제조용 화학 액체를 공급할 수 있다. 또한 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 장치는 고점도 화학 액체에서 효과적으로 기포를 제거하지 못하는 필터를 포함시키지 않음으로써 고점도 화학 액체를 공급하는데 소요되는 시간을 감소시킬 수 있다.
도 1을 참조하여, 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 장치에 대해서 상세히 설명한다. 도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 장치를 개략적으로 나타낸 구성도이다.
본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 장치는 화학 액체 탱크부(10), 화학 액체 배출부(30), 충전 유로(41, 43) 및 공급 유로(41, 42)를 포함한다.
화학 액체 탱크부(10)에는 반도체 소자 제조용 화학 액체가 밀폐된 분위기로 수용되고, 화학 액체 배출부(30)에는 반도체 제조용 화학 액체가 일시적으로 저장 된다. 충전 유로(41, 43)는 화학 액체 탱크부(10)와 화학 액체 배출부(30) 사이에 연결되어 있으며, 화학 액체 탱크부(10)에서 화학 액체 배출부(30)로 반도체 소자 제조용 화학 액체를 전달하고, 공급 유로(41, 42)는 화학 액체 배출부(30)에 연결되어 있으며, 화학 액체 배출부(30)에서 반도체 기판(50)으로 반도체 소자 제조용 화학 액체를 전달한다.
화학 액체 배출부(30)는 실린더(31)와 펌프(32)를 구비하며, 펌프(32)는 화학 액체 탱크부(10)에 수용되어 있는 반도체 소자 제조용 화학 액체를 충전 유로(41, 43)를 통하여 실린더(31)로 소정의 양만큼 흡입한다. 그리고 나서 펌프(32)는 실린더(31)에 저장된 반도체 소자 제조용 화학 액체를 공급 유로(43, 42)를 통하여 밀어냄으로써 반도체 기판(50)에 반도체 소자 제조용 화학 액체를 공급한다.
본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 장치는 반도체 제조용 화학 액체가 수용되는 화학 액체 탱크부(10)와는 별도로 반도체 제조용 화학 액체가 일시적으로 저장되는 화학 액체 배출부(30)를 더 구비함으로써 화학 액체 탱크부(10)에 수용되어 있는 반도체 소자 제조용 화학 액체의 양에 관계없이 반도체 기판(50)으로 정량의 반도체 소자 제조용 화학 액체를 공급할 수 있다. 화학 액체 배출부(30)가 저장할 수 있는 반도체 소자 제조용 화학 액체의 양은 상기 화학 액체 탱크부(10)가 저장할 수 있는 반도체 소자 제조용 화학 액체의 양보다 작은 경우에 보다 효과적으로 정량의 반도체 소자 제조용 화학 액체를 공급할 수 있다.
충전 유로(41, 43)가 화학 액체 배출부(30)와 연결되는 소정의 부분 및 공급 유로(41, 42)가 화학 액체 배출부(30)와 연결되는 소정의 부분은 일체화되어 형성된다. 그럼으로써 일체화되어 형성되는 부분(43)만큼 충전 유로(41, 43)와 공급 유로(41, 42)는 하나의 액체 유로(43)를 공유하여 이용하게 되므로, 충전 유로(41, 43)와 공급 유로(43, 42)를 최소한의 액체 유로로 설치할 수 있다. 또한 화학 액체 탱크부(10)에서 화학 액체 배출부(30)로 반도체 소자 제조용 화학 액체를 전달하는 전달 경로(충전; recharge)와 화학 액체 배출부(30)에서 반도체 기판(50)으로 반도체 소자 제조용 화학 액체를 전달하는 전달 경로(배출; dispense)가 매우 짧아져 반도체 소자 제조 공정에서 반도체 소자 제조용 화학 액체를 공급하는데 소요되는 시간이 감소될 뿐만 아니라 반도체 소자 제조용 화학 액체를 액체 유로(41, 42, 43)를 통하여 전달하면서 반도체 소자 제조용 화학 액체에 기포가 발생할 위험이 감소된다.
일체화되어 형성되는 부분(43)이 끝나는 지점에는 유로 조절부(20)가 연결된다. 유로 조절부(20)는 일체화되어 형성되는 부분(43)이 충전 유로(41, 43)로 이용되거나 공급 유로(43, 42)로 이용되도록 조절한다. 따라서 화학 액체 탱크부(10)에서 화학 액체 배출부(30)로 반도체 소자 제조용 화학 액체가 전달되는 경우에는 액체 유로(43)를 충전 유로로 이용하고, 화학 액체 배출부(30)에서 반도체 기판(50)으로 반도체 소자 제조용 화학 액체가 전달되는 경우에는 액체 유로(43)를 공급 유로로 이용한다.
유로 조절부(20)는 3 방향 밸브인 것이 바람직하다. 3 방향 밸브는 질소 등 의 가스를 60 ∼ 70 psi(lb/in2; 0.07031 kg/㎠) 정도의 압력으로 공급함으로써 용이하게 3 개의 액체 유로(41, 42, 43)를 개방하거나 폐쇄할 수 있다. 따라서 화학 액체 탱크부(10)에서 화학 액체 배출부(30)로 반도체 소자 제조용 화학 액체가 전달되는 경우에는 3 방향 밸브를 조절하여 액체 유로(42)를 폐쇄하고 액체 유로(41)와 액체 유로(43)를 개방한 상태에서 액체 유로(41)와 액체 유로(43)를 통하여 반도체 소자 제조용 화학 액체를 전달한다. 그리고 화학 액체 배출부(30)에서 반도체 기판(50)으로 반도체 소자 제조용 화학 액체가 전달되는 경우에는 3 방향 밸브를 조절하여 액체 유로(41)를 폐쇄하고 액체 유로(43)와 액체 유로(42)를 개방한 상태에서 액체 유로(43)와 액체 유로(42)를 통하여 반도체 소자 제조용 화학 액체를 전달한다.
반도체 소자 제조용 화학 액체는 500 cP(centi Poise; centi g/cm sec) 이상의 고점도 화학 액체이다. 공급되는 반도체 제조용 화학 액체가 고점도 화학 액체인 경우에는 상술한 것처럼, 고점도 화학 액체를 필터로 통과시켜도 고점도 포토레지스트에 함유되어 있는 기포는 제거되지 않으므로, 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 장치는 필터를 포함하지 않는 것이 바람직하다.
그럼으로써 반도체 소자 제조 공정에서 반도체 소자 제조용 화학 액체를 공급하는데 소요되는 시간이 감소된다.
고점도 화학 액체는 식각 공정에서 반도체 기판(50)의 선택적 식각을 위한 식각 마스크 또는 선택적 이온 주입시의 이온 주입 마스크를 형성하기 위해 사용되 는 포토레지스트일 수 있다. 특히 고점도 포토레지스트는 두꺼운(high thickness) 막층을 용이하게 형성하기 때문에 단차가 깊은 패턴을 식각하거나 고(高) 에너지 이온 주입시 다른 패턴이 손상되지 않도록 두꺼운(high thickness) 마스크를 형성하는데 사용된다.
고점도 화학 액체는 감광성 폴리이미드(polyimide)일 수 있다. 감광성 폴리이미드는 포토레지스트처럼 식각 공정에서 반도체 기판(50)의 선택적 식각을 위한 식각 마스크 또는 선택적 이온 주입시의 이온 주입 마스크를 형성하는데 사용된다.
그러나 포토레지스트는 식각 공정이나 선택적 이온 주입 공정이 완료되면 제거되지만, 감광성 폴리이미드는 식각 공정이나 선택적 이온 주입 공정이 완료되더라도 제거되지 않고 최종 보호막으로 존재하게 된다. 특히 고점도 감광성 폴리이미드는 상술한 것처럼 두꺼운 마스크를 형성하는데 사용된다.
고점도 화학 액체는 비감광성 폴리이미드일 수 있다. 고점도 비감광성 폴리이미드는 고점도 포토레지스트나 고점도 감광성 폴리이미드만으로 마스크를 형성하기 어려운 경우에 하부 마스크로 비감광성 폴리이미드를 형성하고 상부 마스크로 고점도 포토레지스트나 고점도 감광성 폴리이미드를 형성하는데 사용된다.
본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 장치는 화학 액체 배출부(30)에 연결되어 있는 방출 유로(60)와 방출 유로(60)의 개폐를 조절하는 양방향 밸브(70)를 더 포함한다. 방출 유로(60)와 양방향 밸브(70)를 더 포함함으로써 반도체 소자 제조용 화학 액체에 기포가 발생하는 경우에 화학 액체 배출부(30)의 실린더(31)에 반도체 소자 제조용 화학 액체를 저장한 후에 양방향 밸브(70)를 조절하여 방출 유로(60)를 개방하여 기포를 함유하는 반도체 소자 제조용 화학 액체를 방출 유로(60)를 통하여 효과적으로 방출할 수 있다.
도 2를 참조하여, 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 방법에 대해서 상세히 설명한다. 도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 방법을 나타낸 플로차트이다.
본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 방법은 준비(ready) 단계(S10), 배출(dispense) 단계(S20) 및 충전(recharge) 단계(S30)를 포함한다.
준비 단계(S10)에는 반도체 소자 제조용 화학 액체가 화학 액체 배출부(30)에 저장되어 반도체 소자 제조용 화학 액체가 배출가능한 상태로 대기한다. 배출 단계(S20)에는 3 방향 밸브를 조절하여 액체 유로(41)를 폐쇄하고 액체 유로(43)와 액체 유로(42)를 개방한 상태에서 액체 유로(43)와 액체 유로(42)를 통하여 화학 액체 배출부(30)에 저장되어 있는 반도체 소자 제조용 화학 액체를 반도체 기판(50)으로 전달한다. 충전 단계(S30)에는 3 방향 밸브를 조절하여 액체 유로(42)를 폐쇄하고 액체 유로(41)와 액체 유로(43)를 개방한 상태에서 액체 유로(41)와 액체 유로(43)를 통하여 화학 액체 탱크부(10)로부터 화학 액체 배출부(30)로 반도체 소자 제조용 화학 액체를 전달한다.
본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 방법은 반도체 소자 제조 공정에서 다수의 반도체 기판에 반도체 소자 제조용 화학 액체의 공급이 필요한 경우에는 준비 단계(S10), 배출 단계(S20) 및 충전 단계(S30)를 순차 적으로 반복하여 수행한다.
배출 단계(S20)에서 반도체 기판(50)으로 전달되는 반도체 소자 제조용 화학 액체의 양만큼 충전 단계(S30)에서 반도체 소자 제조용 화학 액체가 화학 액체 배출부(30)로 전달되는 것이 바람직하다. 그럼으로써 반도체 기판(50)으로 정량의 반도체 소자 제조용 화학 액체를 공급할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명에 따르면, 고점도 화학 액체를 효과적으로 공급하는 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 장치 및 이를 이용한 화학 액체 공급 방법을 제공할 수 있다.

Claims (20)

  1. 반도체 소자 제조용 화학 액체가 수용되는 화학 액체 탱크부;
    상기 반도체 소자 제조용 화학 액체가 일시적으로 저장되는 화학 액체 배출부;
    상기 화학 액체 탱크부와 상기 화학 액체 배출부 사이에 연결되어 있으며, 상기 화학 액체 탱크부에서 상기 화학 액체 배출부로 상기 반도체 소자 제조용 화학 액체를 전달하는 충전 유로;
    상기 화학 액체 배출부에 연결되어 있으며, 상기 화학 액체 배출부에서 반도체 기판으로 상기 반도체 소자 제조용 화학 액체를 전달하는 공급 유로; 및
    상기 충전 유로가 상기 화학 액체 배출부와 연결되는 소정의 부분 및 상기 공급 유로가 상기 화학 액체 배출부와 연결되는 소정의 부분은 일체화되어 형성되어 있고, 상기 일체화되어 형성되어 있는 부분이 끝나는 지점에 연결되어 있는 3 방향 밸브를 더 포함하며,
    상기 3 방향 밸브를 조절하여 상기 일체화되어 형성되어 있는 부분이 상기 충전 유로로 이용되거나 상기 공급 유로로 이용되는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 반도체 소자 제조용 화학 액체는 500 cP 이상의 고점도 화학 액체인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 반도체 소자 제조용 화학 액체는 포토레지스트(photoresist)인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 반도체 소자 제조용 화학 액체는 비감광성 폴리이미드 또는 감광성 폴리이미드인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 화학 액체 배출부가 저장할 수 있는 반도체 소자 제조용 화학 액체의 양은 상기 화학 액체 탱크부가 저장할 수 있는 반도체 소자 제조용 화학 액체의 양보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 화학 액체 배출부에 연결되어 있는 방출 유로와 상기 방출 유로의 개폐를 조절하는 양방향 밸브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 장치.
  8. 반도체 소자 제조용 화학 액체가 수용되는 화학 액체 탱크부;
    상기 반도체 소자 제조용 화학 액체가 일시적으로 저장되는 화학 액체 배출부;
    상기 화학 액체 탱크부와 상기 화학 액체 배출부 사이에 연결되어 있으며, 상기 화학 액체 탱크부에서 상기 화학 액체 배출부로 상기 반도체 소자 제조용 화학 액체를 전달하는 충전 유로;
    상기 화학 액체 배출부에 연결되어 있으며, 상기 화학 액체 배출부에서 반도체 기판으로 상기 반도체 소자 제조용 화학 액체를 전달하며, 상기 화학 액체 배출부와 연결되는 소정의 부분이 상기 충전 유로와 일체화되어 형성되어 있는 공급 유로; 및
    상기 일체화되어 형성되어 있는 부분이 끝나는 지점에 연결되어 있어 상기 일체화되어 형성되어 있는 부분이 상기 충전 유로로 이용되거나 상기 공급 유로로 이용되도록 조절하는 유로 조절부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 유로 조절부는 3 방향 밸브인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 반도체 소자 제조용 화학 액체는 500 cP 이상의 고점도 화학 액체인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 반도체 소자 제조용 화학 액체는 포토레지스트(photoresist)인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 장치.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 반도체 소자 제조용 화학 액체는 비감광성 폴리이미드 또는 감광성 폴리이미드인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 장치.
  13. 제8항에 있어서,
    상기 화학 액체 배출부가 저장할 수 있는 반도체 소자 제조용 화학 액체의 양은 상기 화학 액체 탱크부가 저장할 수 있는 반도체 소자 제조용 화학 액체의 양보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 장치.
  14. 제8항에 있어서,
    상기 화학 액체 배출부에 연결되어 있는 방출 유로와 상기 방출 유로의 개폐를 조절하는 양방향 밸브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 장치.
  15. 반도체 소자 제조용 화학 액체가 화학 액체 배출부에 저장되는 준비 단계;
    상기 화학 액체 배출부에 저장되어 있는 반도체 소자 제조용 화학 액체가 공급 유로를 통하여 반도체 기판으로 전달되는 배출 단계; 및
    상기 반도체 소자 제조용 화학 액체가 수용되어 있는 화학 액체 탱크로부터 상기 반도체 소자 제조용 화학 액체가 충전 유로를 통하여 상기 화학 액체 배출부로 전달되는 충전 단계를 포함하며,
    상기 충전 유로가 상기 화학 액체 배출부와 연결되는 소정의 부분 및 상기 공급 유로가 상기 화학 액체 배출부와 연결되는 소정의 부분은 일체화되어 형성되어 있고, 상기 일체화되어 형성되어 있는 부분이 끝나는 지점에 연결되어 있는 유로 조절부를 조절하여 상기 일체화되어 형성되어 있는 부분을 상기 충전 유로로 이용하거나 상기 공급 유로로 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 준비 단계, 상기 배출 단계 및 상기 충전 단계는 순차적으로 반복되어 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 방법.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 반도체 소자 제조용 화학 액체는 500 cP 이상의 고점도 화학 액체인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 반도체 소자 제조용 화학 액체는 포토레지스트(photoresist)인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 방법.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 반도체 소자 제조용 화학 액체는 비감광성 폴리이미드 또는 감광성 폴리이미드인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 방법.
  20. 제15항에 있어서,
    상기 배출 단계에서 상기 반도체 기판으로 전달되는 반도체 소자 제조용 화학 액체의 양만큼 상기 충전 단계에서 상기 반도체 소자 제조용 화학 액체가 상기 화학 액체 배출부로 전달되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 화학 액체 공급 방법.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG11201804657QA (en) 2015-12-09 2018-06-28 Acm Res Shanghai Inc Method and apparatus for cleaning substrates using high temperature chemicals and ultrasonic device
KR200487289Y1 (ko) 2017-08-04 2018-08-31 오션브릿지 주식회사 반도체 제조 공정용 고점도 유체 공급 장치

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4228831A (en) * 1978-12-11 1980-10-21 Abbott Laboratories Probe and syringe drive apparatus
NL8303908A (nl) * 1983-11-15 1985-06-03 Unilever Nv Werkwijze en inrichting voor het volumetrisch doseren van viskeuze produkten.
JPH07123107B2 (ja) 1991-07-22 1995-12-25 株式会社イワキ 流体滴下供給装置
US5944045A (en) * 1994-07-12 1999-08-31 Ransburg Corporation Solvent circuit
US5524797A (en) * 1994-11-29 1996-06-11 Sealant Equipment And Engineering, Inc. Double acting metering cylinder
JPH10172881A (ja) 1996-12-06 1998-06-26 Sony Corp フォトレジスト塗布装置
US5927560A (en) * 1997-03-31 1999-07-27 Nordson Corporation Dispensing pump for epoxy encapsulation of integrated circuits
JP3679004B2 (ja) * 1998-12-30 2005-08-03 ザ・ビー・オー・シー・グループ・インコーポレイテッド 液体化学物質配送システムおよび配送方法
US6238109B1 (en) * 1999-07-02 2001-05-29 Tokyo Electron Limited Processing solution supply apparatus
US6982006B1 (en) * 1999-10-19 2006-01-03 Boyers David G Method and apparatus for treating a substrate with an ozone-solvent solution
KR100394194B1 (ko) 2001-02-26 2003-08-09 황길남 화학용액 자동 공급장치 및 그 제어방법
KR20030016457A (ko) 2001-08-16 2003-03-03 삼성전자주식회사 잔류 케미컬 용액의 폐액화를 방지하는 유전막 도포장비의케미컬 용액 공급구조
US6936474B2 (en) * 2001-11-05 2005-08-30 Industrial Technology Research Institute Method and apparatus for manufacturing biochip
JP3890229B2 (ja) 2001-12-27 2007-03-07 株式会社コガネイ 薬液供給装置および薬液供給装置の脱気方法
US6848625B2 (en) * 2002-03-19 2005-02-01 Tokyo Electron Limited Process liquid supply mechanism and process liquid supply method

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