JP2003249476A - ウェハ洗浄方法 - Google Patents

ウェハ洗浄方法

Info

Publication number
JP2003249476A
JP2003249476A JP2002045758A JP2002045758A JP2003249476A JP 2003249476 A JP2003249476 A JP 2003249476A JP 2002045758 A JP2002045758 A JP 2002045758A JP 2002045758 A JP2002045758 A JP 2002045758A JP 2003249476 A JP2003249476 A JP 2003249476A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cleaning
temperature
wafer
chemical
semiconductor wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002045758A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshihiko Nagai
俊彦 永井
Hiroshi Tanaka
博司 田中
Naoki Yokoi
直樹 横井
Yasuhiro Asaoka
保宏 浅岡
Masahiko Azuma
雅彦 東
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP2002045758A priority Critical patent/JP2003249476A/ja
Priority to US10/211,276 priority patent/US20030159716A1/en
Publication of JP2003249476A publication Critical patent/JP2003249476A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
    • B08B5/02—Cleaning by the force of jets, e.g. blowing-out cavities
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高温薬液を用いたウェハ洗浄において、洗浄
時間の増大及び洗浄能力の劣化を防止できるようにす
る。 【解決手段】 半導体ウェハ洗浄装置による高温薬液１
１６を用いた半導体ウェハ１１１の洗浄工程において、
洗浄開始直後に発生する洗浄チャンバー１０１及びその
内部（半導体ウェハ１１１及びローター１１２等）への
熱吸収に起因する薬液温度降下を防止する。具体的に
は、加温装置１５０を用いて加熱された窒素気流等の加
温流体によって半導体ウェハ１１１等を昇温させるか、
又は、電熱ヒーター等の熱源１６０によって洗浄チャン
バー１０１を昇温させることによって、洗浄開始から洗
浄終了までの間、安定した薬液温度を保持する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハ洗浄
装置による高温薬液を用いた半導体ウェハの洗浄工程に
おいて、洗浄開始直後に発生する半導体ウェハ又は洗浄
チャンバー等への熱吸収による薬液温度降下を防止する
方法に関し、特に、加温した窒素気流等で半導体ウェハ
を昇温させることにより、又は熱源で洗浄チャンバーを
昇温させることにより、洗浄工程の開始から終了までの
間、安定した薬液温度を維持することを可能にする方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置製造プロセスの洗浄工程にお
いて、室温よりも高温（例えば３５〜４０℃以上）の洗
浄液（以下、高温薬液と称する）を用いる場合がある。
例として、多層配線構造を有する半導体装置における導
電膜又は絶縁膜のパターン形成においては、３５〜１０
０℃程度に加熱した有機薬液を用いた洗浄工程が行なわ
れることが多い。このようにすると、配線パターン形成
時等に発生する反応残渣物の除去をより有効に行なうこ
とができる。また、有機薬液を３５〜１００℃程度の設
定温度で用いた場合、該設定温度よりも低い温度での使
用と比べて有機薬液の粘度が低くなる。逆に、この設定
温度以下の温度で有機薬液を用いると、有機薬液の粘度
が著しく上昇してしまう場合がある。
【０００３】図５は、一般的なバッチ式のスピン型半導
体ウェハ洗浄装置の配管構成を示すブロック図である。
【０００４】図５に示すように、ウェハ洗浄装置１００
は、半導体ウェハ（図示省略）が配置される洗浄チャン
バー１０１と、洗浄液（薬液）１０２が貯留される薬液
タンク１０３と、薬液１０２の温度を測定するために薬
液タンク１０３に設けられた温度計１０４と、薬液１０
２を昇温させるために薬液タンク１０３に設けられた熱
源１０５と、薬液タンク１０３から洗浄チャンバー１０
１に薬液１０２を加圧して送液するポンプ１０６と、薬
液１０２中のパーティクル等の不純物を除去するフィル
ター１０７と、薬液１０２の流量管理を行なう流量計１
０８と、薬液１０２の循環経路の切り替えを行なうバル
ブ１０９とを備えている。薬液タンク１０３に貯留され
た薬液１０２は、温度計１０４の温度管理によるフィー
ドバック制御を用いて熱源１０５により昇温され所定の
使用温度まで昇温される。
【０００５】半導体ウェハの洗浄時には、薬液１０２は
ポンプ１０６によって薬液タンク１０３からフィルター
１０７、流量計１０８及びバルブ１０９を経て洗浄チャ
ンバー１０１に加圧して送液される。その後、薬液１０
２は、洗浄チャンバー１０１の上部に取付けられたノズ
ル（図示省略）から吐出されて半導体ウェハに塗布され
た後、洗浄チャンバー１０１の下部に設けられたドレイ
ン（図示省略）から洗浄チャンバー１０１の外部へ排出
され、その後、薬液タンク１０３に戻る。このように、
薬液１０２を循環させることによってウェハ洗浄が行な
われる。
【０００６】尚、バッチ式のスピン型半導体ウェハ洗浄
装置の場合、洗浄チャンバー１０１としては、例えばス
テンレス製の筒状筐体等が用いられる。
【０００７】また、バルブ１０９は、半導体ウェハの洗
浄時には、実線で示す洗浄チャンバー１０１への流路を
開く一方、ウェハ洗浄装置１００の待機時には、点線で
示す薬液タンク１０３への流路を開くことにより、薬液
１０２を洗浄チャンバー１０１を通さずに循環させる。
そのために、装置待機時においては、洗浄チャンバー１
０１及びその周辺部を除く全ての薬液流路は、薬液１０
２の温度（つまり前述の所定の使用温度）と同じ温度に
保たれる。
【０００８】図６は、一般的なバッチ式のスピン型半導
体ウェハ洗浄装置における洗浄チャンバー内の様子を示
す斜視図である。
【０００９】図６に示すように、洗浄チャンバー１０１
の内部において、複数枚（例えば２５枚程度）の半導体
ウェハ１１１がローター１１２によって保持されてい
る。また、洗浄チャンバー１０１の側部には、ローター
１１２を回転させるモーター１１３が取付けられ、洗浄
チャンバー１０１の上部には、薬液等を吐出するノズル
１１４が取付けられ、洗浄チャンバー１０１の下部に
は、薬液を薬液タンクに戻すドレイン１１５が取付けら
れている。ウェハ洗浄時には、ノズル１１４から吐出さ
れた薬液は、モーター１１３によってローター１１２を
回転させることにより、各半導体ウェハ１１１に対して
均等に塗布される。また、各半導体ウェハ１１１の洗浄
に用いられた後の薬液はドレイン１１５を経て再び薬液
タンクに戻る。
【００１０】図７は、バッチ式のスピン型半導体ウェハ
洗浄装置を用いて従来のウェハ洗浄方法により半導体ウ
ェハを洗浄しているときの洗浄チャンバー内を前面側
（図６に示す洗浄チャンバー１０１の左側面）から透視
的に見た様子を示す図である。尚、図７においては、洗
浄チャンバー内のノズルから吐出される薬液等の流路の
一部分も合わせて示している。
【００１１】図７に示すように、ローター１１２によっ
て保持された各半導体ウェハ１１１に対して、ノズル１
１４から薬液１１６が吐出される。このとき、洗浄チャ
ンバー１０１の背面（図６に示す洗浄チャンバー１０１
の右側面）に取り付けられたモーター（図６のモーター
１１３）によってローター１１２を回転させることによ
り、薬液１１６が各半導体ウェハ１１１に対して均等に
塗布される。各半導体ウェハ１１１を洗浄して各半導体
ウェハ１１１を通過した薬液１１６はドレイン１１５に
集められて再び薬液タンクに戻される。尚、図７におい
ては、ノズル１１４から薬液１１６を吐出して半導体ウ
ェハ１１１を洗浄する場合を示しているが、ノズル１１
４からは、薬液１１６以外に、水洗のための純水、又は
乾燥若しくはパージのための窒素等を吐出可能である。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上に
述べたような従来のウェハ洗浄方法を高温薬液を用いて
実施した場合、ウェハ洗浄に要する洗浄時間が予想以上
に長くなったり、又は、洗浄開始直後に洗浄された半導
体ウェハが十分に清浄化されない等の問題が生じる。
【００１３】前記に鑑み、本発明は、高温薬液を用いた
ウェハ洗浄において、洗浄時間の増大及び洗浄能力の劣
化を防止できるようにすることを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、本願発明者らは、高温薬液を用いた従来のウェハ
洗浄方法における、洗浄開始からの経過時間と薬液温度
との関係を調べてみた。その結果を図８に示す。図８に
示すように、高温薬液を用いたウェハ洗浄の開始前及び
終了後における薬液温度（つまり洗浄チャンバーを経由
せずに循環しているときの薬液温度）が一定に保たれて
いる一方、ウェハ洗浄中、特にウェハ洗浄の開始直後に
おいて薬液温度の降下が確認された。以下、この温度降
下の原因を本願発明者らが検討した結果について説明す
る。
【００１５】前述のように、スピン型半導体ウェハ洗浄
装置により高温薬液を用いてウェハ洗浄を行なう場合、
装置待機時（ウェハ洗浄を実施していない間）において
も、洗浄チャンバーを除く薬液流路は所定の薬液使用温
度に保たれている。一方、このとき、洗浄チャンバー自
体は室温下に置かれている。従って、ウェハ洗浄の開始
直後、室温下にある洗浄チャンバー（及びその内部の半
導体ウェハ等）によって、高温薬液から熱が奪われる結
果、薬液温度の降下が生じる。具体的には、洗浄開始前
（装置待機時）の薬液温度、つまり所定の薬液使用温度
が７０℃程度である場合、洗浄開始直後に６〜８℃程度
の温度降下（ΔＴ）が生じることが確認された。
【００１６】また、この薬液温度降下の影響によって薬
液粘度が上昇するため、ウェハ洗浄装置の薬液供給系に
対する負荷が上昇し、それにより薬液流量が低下するこ
とが判明した。具体的には、所定の薬液使用温度が７０
℃程度の場合に６〜８℃程度の薬液温度降下が生じる
と、１０〜１５％程度の薬液流量の低下が生じることが
確認された。そして、この薬液流量の低下によって、ウ
ェハ洗浄に要する洗浄時間が長くなっていることが判明
すると共に、薬液温度の降下に起因する薬液粘度の上昇
によって、半導体ウェハ表面における薬液の流動性が低
下し、それにより洗浄能力が劣化していることも判明し
た。言い換えると、高温薬液を用いたウェハ洗浄工程に
おいては、ウェハ洗浄つまり薬液処理の開始から終了ま
での間の薬液温度を所定の使用温度に保つこと、つまり
薬液温度の安定化が不可欠であることが判明した。
【００１７】そこで、本願発明者らは、半導体ウェハ洗
浄装置による高温薬液を用いた半導体ウェハの洗浄工程
において、洗浄開始前に加温した流体（例えば窒素気
流）により洗浄チャンバー及びその内部の半導体ウェハ
等を昇温させることにより、又は熱源により洗浄チャン
バーを昇温させることにより、洗浄開始直後に発生する
半導体ウェハ又は洗浄チャンバー等への熱吸収に起因す
る薬液温度降下を防止する方法を想到した。この方法を
実施することによって、洗浄工程の開始から終了までの
間、安定した薬液温度を維持することが可能になる。
【００１８】具体的には、本発明に係る第１のウェハ洗
浄方法は、室温よりも高温の流体を洗浄チャンバーに導
入することにより洗浄チャンバーの内部を昇温させる工
程と、内部を昇温された洗浄チャンバーに洗浄液を室温
よりも高い所定の使用温度で導入することによって、洗
浄チャンバーに配置された半導体ウェハを洗浄する工程
とを備えている。
【００１９】第１のウェハ洗浄方法によると、室温より
も高い温度で使用される洗浄液、つまり高温薬液を洗浄
チャンバーに導入する前に、室温よりも高温の流体（以
下、加温流体と称する）を洗浄チャンバーに導入するこ
とにより洗浄チャンバーの内部、例えば半導体ウェハ等
を昇温させる。このとき、加温流体によって洗浄チャン
バーを昇温させることもできる。このため、高温薬液を
用いた洗浄工程の開始直後においても、高温薬液から半
導体ウェハ等への熱吸収、及び高温薬液から洗浄チャン
バーへの熱吸収を抑制できるので、薬液温度降下を防止
できる。その結果、薬液温度降下に起因する薬液粘度の
上昇を防止できるので、半導体ウェハ表面における薬液
流動性の低下を抑制でき、それにより洗浄能力の劣化を
防止できる。また、薬液粘度の上昇を防止できるので、
薬液流量の低下を抑制でき、それにより半導体ウェハの
洗浄時間の増大を防止できる。
【００２０】本発明に係る第２のウェハ洗浄方法は、熱
源を用いて洗浄チャンバーを昇温させる工程と、昇温さ
れた洗浄チャンバーに洗浄液を室温よりも高い所定の使
用温度で導入することによって、洗浄チャンバーに配置
された半導体ウェハを洗浄する工程とを備えている。
【００２１】第２のウェハ洗浄方法によると、室温より
も高い温度で使用される洗浄液、つまり高温薬液を洗浄
チャンバーに導入する前に、熱源を用いて洗浄チャンバ
ーを昇温させる。このとき、熱源により昇温された洗浄
チャンバーの壁面からの放射熱を利用して洗浄チャンバ
ーの内部、例えば半導体ウェハ等を昇温させることもで
きる。このため、高温薬液を用いた洗浄工程の開始直後
においても、高温薬液から熱容量の大きい洗浄チャンバ
ーへの熱吸収、及び高温薬液から半導体ウェハ等への熱
吸収を抑制できるので、薬液温度降下を効果的に防止で
きる。その結果、薬液温度降下に起因する薬液粘度の上
昇を防止できるので、半導体ウェハ表面における薬液流
動性の低下を抑制して洗浄能力の劣化を防止できる。ま
た、薬液粘度の上昇を防止できるので、薬液流量の低下
を抑制して半導体ウェハの洗浄時間の増大を防止でき
る。
【００２２】本発明に係る第３のウェハ洗浄方法は、室
温よりも高温の流体を洗浄チャンバーに導入することに
より洗浄チャンバーの内部を昇温させると共に、熱源を
用いて洗浄チャンバーを昇温させる工程と、昇温された
洗浄チャンバーに洗浄液を室温よりも高い所定の使用温
度で導入することによって、洗浄チャンバーに配置され
た半導体ウェハを洗浄する工程とを備えている。
【００２３】第３のウェハ洗浄方法によると、室温より
も高い温度で使用される洗浄液、つまり高温薬液を洗浄
チャンバーに導入する前に、加温流体を洗浄チャンバー
に導入することにより洗浄チャンバーの内部、例えば半
導体ウェハ等を昇温させると共に、熱源を用いて洗浄チ
ャンバーを昇温させる。このため、高温薬液を用いた洗
浄工程の開始直後においても、高温薬液から熱容量の大
きい洗浄チャンバーへの熱吸収、及び高温薬液から半導
体ウェハ等への熱吸収を抑制できるので、薬液温度降下
を効果的に防止できる。その結果、薬液温度降下に起因
する薬液粘度の上昇を防止し、それにより半導体ウェハ
表面における薬液流動性の低下を抑制できるので、洗浄
能力の劣化を防止できる。また、薬液粘度の上昇を防止
できる結果、薬液流量の低下を抑制でき、それにより半
導体ウェハの洗浄時間の増大を防止できる。
【００２４】尚、第１〜第３のウェハ洗浄方法におい
て、半導体ウェハを洗浄チャンバーに配置するタイミン
グは、加温流体又は熱源を用いて洗浄チャンバー又はそ
の内部を昇温させる工程よりも前であってもよいし後で
あってもよい。
【００２５】第１又は第３のウェハ洗浄方法において、
流体は気体、具体的には窒素、アルゴン若しくは水蒸気
等の不活性気体、又は水素等の還元性気体であってもよ
い。或いは、流体は水等の液体であってもよい。但し、
コスト、薬液希釈又は乾燥工程の必要性等を考慮した場
合、窒素の利用が最も好ましい。
【００２６】第１又は第３のウェハ洗浄方法において、
流体の温度は１００℃以上で且つ２００℃以下であるこ
とが好ましい。
【００２７】このようにすると、洗浄チャンバーの内部
を所定の使用温度（３５〜１００℃程度）まで確実に昇
温させることができる。
【００２８】第２又は第３のウェハ洗浄方法において、
熱源は電熱ヒーターであってもよいし、又は、洗浄チャ
ンバーの外壁に設けられており且つ室温よりも高温の液
体が導入される蛇腹配管等であってもよい。後者の場
合、蛇腹配管に導入される液体は水、エチレングリコー
ル水溶液又はオイル等であってもよい。
【００２９】第１、第２又は第３のウェハ洗浄方法にお
いて、洗浄チャンバーは、バッチ式又は枚葉式のスピン
型洗浄装置の洗浄チャンバーであることが好ましい。
【００３０】このようにすると、従来のウェハ洗浄方法
と比べて、前述の本発明の各ウェハ洗浄方法による効果
が顕著に生じる。
【００３１】第１、第２又は第３のウェハ洗浄方法にお
いて、洗浄液は有機薬液であることが好ましい。
【００３２】このようにすると、従来のウェハ洗浄方法
と比べて、前述の本発明の各ウェハ洗浄方法による効果
が顕著に生じる。
【００３３】
【発明の実施の形態】（第１の実施形態）以下、本発明
の第１の実施形態に係るウェハ洗浄方法について、ウェ
ハ洗浄装置として、図５及び図６に示すバッチ式のスピ
ン型半導体ウェハ洗浄装置において高温薬液を用いる場
合を例として、図面を参照しながら説明する。
【００３４】図１は、バッチ式のスピン型半導体ウェハ
洗浄装置を用いて第１の実施形態に係るウェハ洗浄方法
により半導体ウェハを洗浄しているときの洗浄チャンバ
ー内を前面側（図６に示す洗浄チャンバー１０１の左側
面）から透視的に見た様子を示す図である。尚、図１に
おいては、洗浄チャンバー内のノズルから吐出される薬
液等の流路の一部分も合わせて示している。
【００３５】図１に示すように、洗浄チャンバー１０１
の内部において、複数枚（例えば２５枚程度）の半導体
ウェハ１１１がローター１１２によって保持されてい
る。ウェハ洗浄時には、各半導体ウェハ１１１に対し
て、洗浄チャンバー１０１の上部に取り付けられたノズ
ル１１４から薬液１１６が吐出される。このとき、洗浄
チャンバー１０１の背面（図６に示す洗浄チャンバー１
０１の右側面）に取り付けられたモーター（図６のモー
ター１１３）によってローター１１２を回転させること
により、薬液１１６が各半導体ウェハ１１１に対して均
等に塗布される。各半導体ウェハ１１１を洗浄して各半
導体ウェハ１１１を通過した薬液１１６はドレイン１１
５に集められて再び薬液タンクに戻される。尚、図１に
おいては、ノズル１１４から薬液１１６を吐出して半導
体ウェハ１１１を洗浄する場合を示しているが、ノズル
１１４からは、洗浄のための薬液１１６以外に、水洗の
ための純水、又は乾燥若しくはパージのための窒素等の
流体を吐出可能である。
【００３６】第１の実施形態に係るウェハ洗浄方法に用
いられる洗浄装置が、図７に示す従来例と異なっている
点は、図１に示すように、ノズル１１４から吐出される
流体の流路上に加温装置１５０が取付けられており、そ
れによって流体が１００〜２００℃程度の温度になるよ
うに加温できることである。
【００３７】ここで、第１の実施形態に係るウェハ洗浄
方法の特徴は、高温薬液を用いた洗浄工程の開始前に、
言い換えると、高温薬液を洗浄チャンバー１０１に導入
する前に、加温装置１５０により１００〜２００℃程度
に加熱された流体（以下、加温流体と称する）をノズル
１１４から吐出することである。これにより、半導体ウ
ェハ１１１及びローター１１２等を含む洗浄チャンバー
１０１を室温から所望の温度、例えば所定の薬液使用温
度まで昇温させることができる。このとき、各半導体ウ
ェハ１１１の加温をウェハ面内で均等に行なうために、
１０〜１０００ｒｐｍ程度の範囲でローター１１２を回
転させることが望ましい。
【００３８】第１の実施形態によると、高温薬液を洗浄
チャンバー１０１に導入する前に、加温流体を洗浄チャ
ンバー１０１に導入することにより洗浄チャンバー１０
１及びその内部の半導体ウェハ１１１等を昇温させる。
このため、高温薬液を用いた洗浄工程の開始直後におい
ても、高温薬液から半導体ウェハ１１１等への熱吸収、
及び高温薬液から洗浄チャンバー１０１への熱吸収を抑
制できるので、薬液温度降下を防止できる。その結果、
薬液温度降下に起因する薬液粘度の上昇を防止できるの
で、半導体ウェハ１１１の表面における薬液流動性の低
下を抑制でき、それにより洗浄能力の劣化を防止でき
る。また、薬液粘度の上昇を防止できるので、薬液流量
の低下を抑制でき、それにより半導体ウェハ１１１の洗
浄時間の増大を防止できる。
【００３９】図２は、第１の実施形態に係るウェハ洗浄
方法によって洗浄チャンバー１０１及び半導体ウェハ１
１１等を所定の薬液使用温度まで昇温させた後に高温薬
液を用いたウェハ洗浄を開始した場合における、洗浄開
始からの経過時間と薬液温度との関係を調べた結果を示
している。
【００４０】図２に示すように、第１の実施形態におい
ては、図８に示す従来のウェハ洗浄方法における薬液温
度の時間変化と比べて、洗浄開始直後の薬液温度降下が
ほとんど見られず、高温薬液を用いた洗浄の開始から終
了までの間における薬液温度の変動が極めて小さいこと
が確認できる。すなわち、ノズル１１４から高温薬液を
吐出する前に、加温装置１５０を用いて加熱された加温
流体によって、洗浄チャンバー１０１、並びにその内部
の半導体ウェハ１１１及びローター１１２等を所定の薬
液使用温度まで昇温させることにより、洗浄開始から洗
浄終了までの間、安定した薬液温度を保持できることが
確認された。このとき、薬液温度降下に伴う薬液流量の
低下も最大で２％程度と極めて小さいことが確認され
た。また、図２に示すように、第１の実施形態において
は、高温薬液を用いたウェハ洗浄の開始前及び終了後に
おける薬液温度は一定（所定の薬液使用温度）に保たれ
る。
【００４１】尚、第１の実施形態で所定の薬液使用温度
が７０℃である場合において加温流体として１００〜２
００℃程度に加熱された窒素を用いた場合、図２に示す
薬液温度の挙動を保つために必要な昇温時間、つまり加
温流体を用いて洗浄チャンバー１０１及びその内部を室
温から７０℃まで昇温させるのに必要な時間は５〜１０
分程度であった。
【００４２】（第２の実施形態）以下、本発明の第２の
実施形態に係るウェハ洗浄方法について、ウェハ洗浄装
置として、図５及び図６に示すバッチ式のスピン型半導
体ウェハ洗浄装置において高温薬液を用いる場合を例と
して、図面を参照しながら説明する。
【００４３】図３は、バッチ式のスピン型半導体ウェハ
洗浄装置を用いて第２の実施形態に係るウェハ洗浄方法
により半導体ウェハを洗浄しているときの洗浄チャンバ
ー内を前面側（図６に示す洗浄チャンバー１０１の左側
面）から透視的に見た様子を示す図である。尚、図３に
おいては、洗浄チャンバー内のノズルから吐出される薬
液等の流路の一部分も合わせて示している。
【００４４】図３に示すように、洗浄チャンバー１０１
の内部において、複数枚（例えば２５枚程度）の半導体
ウェハ１１１がローター１１２によって保持されてい
る。ウェハ洗浄時には、各半導体ウェハ１１１に対し
て、洗浄チャンバー１０１の上部に取り付けられたノズ
ル１１４から薬液１１６が吐出される。このとき、洗浄
チャンバー１０１の背面（図６に示す洗浄チャンバー１
０１の右側面）に取り付けられたモーター（図６のモー
ター１１３）によってローター１１２を回転させること
により、薬液１１６が各半導体ウェハ１１１に対して均
等に塗布される。各半導体ウェハ１１１を洗浄して各半
導体ウェハ１１１を通過した薬液１１６はドレイン１１
５に集められて再び薬液タンクに戻される。尚、図３に
おいては、ノズル１１４から薬液１１６を吐出して半導
体ウェハ１１１を洗浄する場合を示しているが、ノズル
１１４からは、洗浄のための薬液１１６以外に、水洗の
ための純水、又は乾燥若しくはパージのための窒素を吐
出可能である。
【００４５】第２の実施形態に係るウェハ洗浄方法に用
いられる洗浄装置が、図７に示す従来例と異なっている
点は、図３に示すように、洗浄チャンバー１０１の外壁
に電熱ヒーター等の熱源１６０が取付けられており、そ
れによって洗浄チャンバー１０１が所望の温度になるよ
うに加温できることである。
【００４６】ここで、第２の実施形態に係るウェハ洗浄
方法の特徴は、高温薬液を用いた洗浄工程を実施してい
る時も実施していない時も、つまり装置稼動時及び装置
待機時に、熱源１６０により洗浄チャンバー１０１を所
望の温度、例えば所定の薬液使用温度に温めておくこと
である。これにより、高温薬液を洗浄チャンバー１０１
に導入する前に、つまり装置稼動前に、加温した洗浄チ
ャンバー１０１の壁面からの放射熱を利用して洗浄チャ
ンバー１０１の内部、例えば半導体ウェハ１１１及びロ
ーター１１２等を例えば所定の薬液使用温度に温めてお
くこともできる。このとき、各半導体ウェハ１１１の加
温をウェハ面内で均等に行なうために、１０〜１０００
ｒｐｍ程度の範囲でローター１１２を回転させることが
望ましい。
【００４７】第２の実施形態によると、装置稼動時及び
装置待機時に、熱源１６０により洗浄チャンバー１０１
に対して加温を行なうと共に、装置稼動前に、加温した
洗浄チャンバー１０１の壁面からの放射熱を利用して洗
浄チャンバー１０１の内部、例えば半導体ウェハ１１１
等に対して加温を行なう。このため、高温薬液を用いた
洗浄工程の開始直後においても、高温薬液から熱容量の
大きい洗浄チャンバー１０１への熱吸収、及び高温薬液
から半導体ウェハ１１１等への熱吸収を抑制できるの
で、薬液温度降下を効果的に防止できる。その結果、薬
液温度降下に起因する薬液粘度の上昇を防止できるの
で、半導体ウェハ１１１表面における薬液流動性の低下
を抑制して洗浄能力の劣化を防止できる。また、薬液粘
度の上昇を防止できるので、薬液流量の低下を抑制して
半導体ウェハ１１１の洗浄時間の増大を防止できる。
【００４８】第２の実施形態に係るウェハ洗浄方法によ
って洗浄チャンバー１０１及び半導体ウェハ１１１等を
所定の薬液使用温度まで昇温させた後に高温薬液を用い
たウェハ洗浄を開始した場合における、洗浄開始からの
経過時間と薬液温度との関係を調べた結果は、第１の実
施形態と同じく図２に示すとおりである。
【００４９】図２に示すように、第２の実施形態におい
ても、図８に示す従来のウェハ洗浄方法における薬液温
度の時間変化と比べて、洗浄開始直後の薬液温度降下が
ほとんど見られず、高温薬液を用いた洗浄の開始から終
了までの間における薬液温度の変動が極めて小さいこと
が確認できる。すなわち、装置稼動時及び装置待機時
に、熱源１６０により洗浄チャンバー１０１を所定の薬
液使用温度に温めておくと共に、装置稼動前に、加温し
た洗浄チャンバー１０１の壁面からの放射熱を利用して
洗浄チャンバー１０１の内部を所定の薬液使用温度に温
めておくことにより、洗浄開始から洗浄終了までの間、
安定した薬液温度を保持できることが確認された。この
とき、薬液温度降下に伴う薬液流量の低下も最大で２％
程度と極めて小さいことが確認された。また、図２に示
すように、第２の実施形態においては、高温薬液を用い
たウェハ洗浄の開始前及び終了後における薬液温度は一
定（所定の薬液使用温度）に保たれる。
【００５０】尚、第２の実施形態で所定の薬液使用温度
が７０℃である場合、図２に示す薬液温度の挙動を保つ
ために必要な昇温時間、つまり熱源１６０を用いて洗浄
チャンバー１０１及びその内部を室温から７０℃まで昇
温させるのに必要な時間は２〜５分程度であった。ここ
で、第２の実施形態において、第１の実施形態の様に加
温窒素等により半導体ウェハ１１１及びローター１１２
等を直接昇温していないにも関わらず、前述の昇温時
間、つまり薬液温度安定化に要する時間が比較的短い理
由として、半導体ウェハ１１１等と比べて熱容量が大き
い洗浄チャンバー１０１を熱源１６０を用いて昇温させ
ていることが挙げられる。すなわち、一般的に、洗浄チ
ャンバー１０１となる筐体は、ローター１１２等の回転
により発生する振動に対して耐久性を確保するために肉
厚な構造を有しており、それによって洗浄チャンバー１
０１が高温薬液から熱を奪う要因として大きい。従っ
て、洗浄チャンバー１０１を熱源１６０を用いて昇温さ
せておくことは、薬液温度安定化に要する時間の短縮の
ために効果的である。
【００５１】（第３の実施形態）以下、本発明の第３の
実施形態に係るウェハ洗浄方法について、ウェハ洗浄装
置として、図５及び図６に示すバッチ式のスピン型半導
体ウェハ洗浄装置において高温薬液を用いる場合を例と
して、図面を参照しながら説明する。
【００５２】図４は、バッチ式のスピン型半導体ウェハ
洗浄装置を用いて第３の実施形態に係るウェハ洗浄方法
により半導体ウェハを洗浄しているときの洗浄チャンバ
ー内を前面側（図６に示す洗浄チャンバー１０１の左側
面）から透視的に見た様子を示す図である。尚、図４に
おいては、洗浄チャンバー内のノズルから吐出される薬
液等の流路の一部分も合わせて示している。
【００５３】図４に示すように、洗浄チャンバー１０１
の内部において、複数枚（例えば２５枚程度）の半導体
ウェハ１１１がローター１１２によって保持されてい
る。ウェハ洗浄時には、各半導体ウェハ１１１に対し
て、洗浄チャンバー１０１の上部に取り付けられたノズ
ル１１４から薬液１１６が吐出される。このとき、洗浄
チャンバー１０１の背面（図６に示す洗浄チャンバー１
０１の右側面）に取り付けられたモーター（図６のモー
ター１１３）によってローター１１２を回転させること
により、薬液１１６が各半導体ウェハ１１１に対して均
等に塗布される。各半導体ウェハ１１１を洗浄して各半
導体ウェハ１１１を通過した薬液１１６はドレイン１１
５に集められて再び薬液タンクに戻される。尚、図４に
おいては、ノズル１１４から薬液１１６を吐出して半導
体ウェハ１１１を洗浄する場合を示しているが、ノズル
１１４からは、洗浄のための薬液１１６以外に、水洗の
ための純水、又は乾燥若しくはパージのための窒素等の
流体を吐出可能である。
【００５４】第３の実施形態に係るウェハ洗浄方法に用
いられる洗浄装置が、図７に示す従来例と異なっている
点は、図４に示すように、ノズル１１４から吐出される
流体の流路上に加温装置１５０が取付けられており、そ
れによって流体が１００〜２００℃程度の温度になるよ
うに加温できること、及び、洗浄チャンバー１０１の外
壁に電熱ヒーター等の熱源１６０が取付けられており、
それによって洗浄チャンバー１０１が所望の温度になる
ように加温できることである。
【００５５】ここで、第３の実施形態に係るウェハ洗浄
方法の特徴は、高温薬液を用いた洗浄工程を実施してい
る時も実施していない時も、つまり装置稼動時及び装置
待機時に、熱源１６０により洗浄チャンバー１０１を所
望の温度、例えば所定の薬液使用温度に温めておくこと
である。また、第３の実施形態に係るウェハ洗浄方法の
もう１つの特徴は、高温薬液を洗浄チャンバー１０１に
導入する前に、つまり装置稼動前に、加温装置１５０に
より１００〜２００℃程度に加熱された加温流体をノズ
ル１１４から吐出し、それにより洗浄チャンバー１０１
の内部、具体的には半導体ウェハ１１１及びローター１
１２等を室温から所望の温度、例えば所定の薬液使用温
度まで昇温させることである。このとき、各半導体ウェ
ハ１１１の加温をウェハ面内で均等に行なうために、１
０〜１０００ｒｐｍ程度の範囲でローター１１２を回転
させることが望ましい。
【００５６】第３の実施形態によると、装置稼動時及び
装置待機時に、熱源１６０により洗浄チャンバー１０１
に対して加温を行なうと共に、装置稼動前に、加温流体
を洗浄チャンバー１０１に導入することにより洗浄チャ
ンバー１０１の内部の半導体ウェハ１１１等を昇温させ
る。このため、高温薬液を用いた洗浄工程の開始直後に
おいても、高温薬液から熱容量の大きい洗浄チャンバー
１０１への熱吸収、及び高温薬液から半導体ウェハ１１
１等への熱吸収を抑制できるので、薬液温度降下を効果
的に防止できる。その結果、薬液温度降下に起因する薬
液粘度の上昇を防止できるので、半導体ウェハ１１１表
面における薬液流動性の低下を抑制して洗浄能力の劣化
を防止できる。また、薬液粘度の上昇を防止できるの
で、薬液流量の低下を抑制して半導体ウェハ１１１の洗
浄時間の増大を防止できる。
【００５７】第３の実施形態に係るウェハ洗浄方法によ
って洗浄チャンバー１０１及び半導体ウェハ１１１等を
所定の薬液使用温度まで昇温させた後に高温薬液を用い
たウェハ洗浄を開始した場合における、洗浄開始からの
経過時間と薬液温度との関係を調べた結果は、第１の実
施形態と同じく図２に示すとおりである。
【００５８】図２に示すように、第３の実施形態におい
ても、図８に示す従来のウェハ洗浄方法における薬液温
度の時間変化と比べて、洗浄開始直後の薬液温度降下が
ほとんど見られず、高温薬液を用いた洗浄の開始から終
了までの間における薬液温度の変動が極めて小さいこと
が確認できる。すなわち、装置稼動時及び装置待機時
に、熱源１６０により洗浄チャンバー１０１を所定の薬
液使用温度に温めておくと共に、装置稼動前に、加温装
置１５０を用いて加熱された加温流体によって洗浄チャ
ンバー１０１の内部を所定の薬液使用温度まで昇温させ
ておくことにより、洗浄開始から洗浄終了までの間、安
定した薬液温度を保持できることが確認された。このと
き、薬液温度降下に伴う薬液流量の低下も最大で２％程
度と極めて小さいことが確認された。また、図２に示す
ように、第３の実施形態においては、高温薬液を用いた
ウェハ洗浄の開始前及び終了後における薬液温度は一定
（所定の薬液使用温度）に保たれる。
【００５９】尚、第３の実施形態で所定の薬液使用温度
が７０℃である場合において加温流体として１００〜２
００℃程度に加熱された窒素を用いた場合、図２に示す
薬液温度の挙動を保つために必要な昇温時間、つまり加
温流体及び熱源１６０を用いて洗浄チャンバー１０１及
びその内部を室温から７０℃まで昇温させるのに必要な
時間は３０秒〜２分程度であった。
【００６０】表１は、第１〜第３の実施形態に係るウェ
ハ洗浄方法のそれぞれを用いた場合における、薬液温度
の安定性、薬液温度挙動安定化所要時間（図２に示す薬
液温度の挙動を保つために必要な洗浄開始前の昇温時
間）、及び洗浄チャンバー内部の乾燥の早さを評価した
結果を示している。尚、表１においては、比較例とし
て、従来のウェハ洗浄方法を用いた場合における前述の
各項目を評価した結果を示していると共に、第１〜第３
の実施形態に係るウェハ洗浄方法及び従来のウェハ洗浄
方法のそれぞれを総合的に評価した結果を示している。
ここで、第１及び第３の実施形態に係るウェハ洗浄方法
における「乾燥の早さ」は、加温流体として窒素を用い
た場合の評価結果である。
【００６１】
【表１】
【００６２】尚、第１又は第３の実施形態において、加
温流体として窒素を用いたが、これに限られず、半導体
ウェハ１１１又は洗浄チャンバー１０１等に腐食等の悪
影響を及ぼさない他の気体や液体を用いてもよい。具体
的には、加温流体として、窒素以外の不活性気体、例え
ばヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン又は水蒸気
等を用いてもよい。或いは、加温流体として、例えば水
素等の還元性気体を不活性気体と組み合わせて用いても
よいし、例えば水等の液体を用いてもよい。但し、コス
ト、薬液希釈又は乾燥工程の必要性等を考慮した場合、
窒素の利用が最も好ましい。また、加温流体として水素
を用いた場合には、Ｃｕプロセスにおいて酸化銅を還元
できるという副次的効果が得られる。
【００６３】また、第１又は第３の実施形態において、
洗浄チャンバー１０１内で乾燥又はパージを行なうため
の窒素を加温流体としても用いているが、これに代え
て、加温流体として窒素以外の気体や液体を用いると共
に、乾燥又はパージのために窒素を用いてもよい。この
とき、ノズル１１４までの加温流体及び窒素の流路を独
立して設けてもよいし、加温装置１５０の直前に設けた
切り替えバルブにおいて加温流体及び窒素の流路を共通
化してもよい。
【００６４】また、第２又は第３の実施形態において、
洗浄チャンバー１０１に対して加温を行なうための熱源
１６０の種類は特に限定されるものではなく、例えば洗
浄チャンバー１０１の外壁に設けられた電熱ヒーター、
又は、洗浄チャンバー１０１の外壁に設けられており且
つ室温よりも高温の液体が導入される蛇腹配管等を用い
ることができる。このとき、洗浄チャンバー１０１の壁
厚が大きい場合には該壁中に電熱ヒーター又は蛇腹配管
等を設けてもよい。また、蛇腹配管に導入される液体と
しては水、エチレングリコール水溶液又はオイル等を用
いることができる。さらに、熱源１６０は必ずしも洗浄
チャンバー１０１に密着させて設ける必要はなく、洗浄
チャンバー１０１から所定の距離だけ離して設けられ
た、例えば赤外線ヒーター等の熱源１６０により洗浄チ
ャンバー１０１に対して加温を行なってもよい。
【００６５】また、第２又は第３の実施形態において、
装置稼動時及び装置待機時に、熱源１６０により洗浄チ
ャンバー１０１に対して加温を行ない、それにより、装
置稼動前に、加温した洗浄チャンバー１０１の壁面から
の放射熱を利用して洗浄チャンバー１０１の内部に対し
て加温を行なった。しかし、装置稼動時には、熱源１６
０による洗浄チャンバー１０１の加温を行なわなくても
よい。また、装置待機時においても、熱源１６０による
洗浄チャンバー１０１の加温を常に行なう必要はなく、
例えば装置稼動前に、つまり高温薬液を洗浄チャンバー
１０１に導入する前に、熱源１６０によって洗浄チャン
バー１０１を昇温し、それにより洗浄チャンバー１０１
の内部を昇温させておくだけでもよい。但し、熱源１６
０によって昇温された洗浄チャンバー１０１の温度が安
定するのに要する時間を考慮すると、装置待機時に、又
は、装置稼動前の所定の期間、熱源１６０による洗浄チ
ャンバー１０１の加温を行なっておくことが好ましい。
【００６６】また、第１〜第３の実施形態において、加
温流体又は熱源１６０を用いて洗浄チャンバー１０１及
びその内部を昇温させる工程よりも前に、洗浄チャンバ
ー１０１に半導体ウェハ１１１を配置しておくことが好
ましいが、該昇温工程よりも後に、洗浄チャンバー１０
１に半導体ウェハ１１１を配置してもよい。
【００６７】また、第１〜第３の実施形態において、高
温薬液を洗浄チャンバー１０１に導入する前に、加温流
体又は熱源１６０を用いて洗浄チャンバー１０１及びそ
の内部を室温から所定の薬液使用温度まで昇温させるこ
とが最も好ましいが、所定の薬液使用温度まで昇温させ
なくても洗浄チャンバー１０１及びその内部を室温より
も高い温度まで昇温させることによって、従来のウェハ
洗浄方法と比べて洗浄時間の増大及び洗浄能力の劣化を
防止するという効果を昇温の程度に応じて得ることがで
きる。
【００６８】また、第１〜第３の実施形態において、図
５及び図６に示すバッチ式のスピン型半導体ウェハ洗浄
装置の使用を前提としているが、これに代えて、他の種
類のバッチ式のスピン型半導体ウェハ洗浄装置を使用し
てもよいし、又は、枚葉式のスピン型洗浄装置を使用し
てもよい。第１〜第３の実施形態において、バッチ式又
は枚葉式のスピン型半導体ウェハ洗浄装置を使用した場
合、各実施形態の効果、すなわち、高温薬液を用いたウ
ェハ洗浄において従来のウェハ洗浄方法と比べて洗浄時
間の増大及び洗浄能力の劣化を防止するという効果が顕
著に生じる。
【００６９】ところで、バス式半導体ウェハ洗浄装置
（バッチ式）においては、装置待機時にも薬液が洗浄槽
を経て循環しているので、高温薬液を用いた洗浄開始直
後に高温薬液から洗浄槽への熱吸収は生じない。一方、
装置待機時において、半導体ウェハを保持したウェハカ
セットは洗浄槽から取り外されており、該ウェハカセッ
トが室温下に置かれている場合がある。この場合、高温
薬液を用いた洗浄開始前に予め半導体ウェハを含むカウ
ェハカセットを昇温させておくことにより、又は、装置
待機時に循環している薬液温度を所定の薬液使用温度よ
りも高めに設定しておくことにより、洗浄時間の増大及
び洗浄能力の劣化を防止するという効果が得られる。
【００７０】また、第１〜第３の実施形態において、使
用する高温薬液の種類は特に限定されないが、高温薬液
として有機薬液を用いた場合、従来のウェハ洗浄方法と
比べて洗浄時間の増大及び洗浄能力の劣化を防止すると
いう各実施形態の効果が顕著に生じる。
【００７１】
【発明の効果】本発明によると、高温薬液を用いた洗浄
工程の開始直後においても、高温薬液から洗浄チャンバ
ー又はその内部の半導体ウェハ等への熱吸収を抑制でき
るため、薬液温度降下を防止でき、それにより薬液粘度
の上昇を防止できる。従って、半導体ウェハ表面におけ
る薬液流動性の低下を抑制して洗浄能力の劣化を防止で
きると共に、薬液流量の低下を抑制して半導体ウェハの
洗浄時間の増大を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】バッチ式のスピン型半導体ウェハ洗浄装置を用
いて本発明の第１の実施形態に係るウェハ洗浄方法によ
り半導体ウェハを洗浄しているときの洗浄チャンバー内
を前面側から透視的に見た様子を示す図である。
【図２】本発明の第１〜第３の実施形態に係るウェハ洗
浄方法によって洗浄チャンバー及びその内部を所定の薬
液使用温度まで昇温させた後に高温薬液を用いたウェハ
洗浄を開始した場合における、洗浄開始からの経過時間
と薬液温度との関係を調べた結果を示す図である。
【図３】バッチ式のスピン型半導体ウェハ洗浄装置を用
いて本発明の第２の実施形態に係るウェハ洗浄方法によ
り半導体ウェハを洗浄しているときの洗浄チャンバー内
を前面側から透視的に見た様子を示す図である。
【図４】バッチ式のスピン型半導体ウェハ洗浄装置を用
いて本発明の第３の実施形態に係るウェハ洗浄方法によ
り半導体ウェハを洗浄しているときの洗浄チャンバー内
を前面側から透視的に見た様子を示す図である。
【図５】本発明の第１〜第３の実施形態に係るウェハ洗
浄方法に用いられる、バッチ式のスピン型半導体ウェハ
洗浄装置の配管構成の一例を示すブロック図である。
【図６】本発明の第１〜第３の実施形態に係るウェハ洗
浄方法に用いられる、バッチ式のスピン型半導体ウェハ
洗浄装置における洗浄チャンバー内の様子の一例を示す
斜視図である。
【図７】バッチ式のスピン型半導体ウェハ洗浄装置を用
いて従来のウェハ洗浄方法により半導体ウェハを洗浄し
ているときの洗浄チャンバー内を前面側から透視的に見
た様子を示す図である。
【図８】高温薬液を用いた従来のウェハ洗浄方法におけ
る、洗浄開始からの経過時間と薬液温度との関係を調べ
た結果を示す図である。
【符号の説明】 １００ ウェハ洗浄装置 １０１ 洗浄チャンバー １０２ 洗浄液（薬液） １０３ 薬液タンク １０４ 温度計 １０５ 熱源 １０６ ポンプ １０７ フィルター １０８ 流量計 １０９ バルブ １１１ 半導体ウェハ １１２ ローター １１３ モーター １１４ ノズル １１５ ドレイン １１６ 薬液 １５０ 加温装置 １６０ 熱源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 博司 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 横井 直樹 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 浅岡 保宏 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 東 雅彦 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 室温よりも高温の流体を洗浄チャンバー
    に導入することにより前記洗浄チャンバーの内部を昇温
    させる工程と、 内部を昇温された前記洗浄チャンバーに洗浄液を室温よ
    りも高い所定の使用温度で導入することによって、前記
    洗浄チャンバーに配置された半導体ウェハを洗浄する工
    程とを備えていることを特徴とするウェハ洗浄方法。
  2. 【請求項２】 熱源を用いて洗浄チャンバーを昇温させ
    る工程と、 昇温された前記洗浄チャンバーに洗浄液を室温よりも高
    い所定の使用温度で導入することによって、前記洗浄チ
    ャンバーに配置された半導体ウェハを洗浄する工程とを
    備えていることを特徴とするウェハ洗浄方法。
  3. 【請求項３】 室温よりも高温の流体を洗浄チャンバー
    に導入することにより前記洗浄チャンバーの内部を昇温
    させると共に、熱源を用いて前記洗浄チャンバーを昇温
    させる工程と、 昇温された前記洗浄チャンバーに洗浄液を室温よりも高
    い所定の使用温度で導入することによって、前記洗浄チ
    ャンバーに配置された半導体ウェハを洗浄する工程とを
    備えていることを特徴とするウェハ洗浄方法。
  4. 【請求項４】 前記流体は気体であることを特徴とする
    請求項１又は３に記載のウェハ洗浄方法。
  5. 【請求項５】 前記気体は不活性気体であることを特徴
    とする請求項４に記載のウェハ洗浄方法。
  6. 【請求項６】 前記不活性気体は窒素又はアルゴンであ
    ることを特徴とする請求項５に記載のウェハ洗浄方法。
  7. 【請求項７】 前記不活性気体は水蒸気であることを特
    徴とする請求項５に記載のウェハ洗浄方法。
  8. 【請求項８】 前記気体は還元性気体であることを特徴
    とする請求項４に記載のウェハ洗浄方法。
  9. 【請求項９】 前記流体は液体であることを特徴とする
    請求項１又は３に記載のウェハ洗浄方法。
  10. 【請求項１０】 前記液体は水であることを特徴とする
    請求項９に記載のウェハ洗浄方法。
  11. 【請求項１１】 前記流体の温度は１００℃以上で且つ
    ２００℃以下であることを特徴とする請求項１又は３に
    記載のウェハ洗浄方法。
  12. 【請求項１２】 前記熱源は電熱ヒーターであることを
    特徴とする請求項２又は３に記載のウェハ洗浄方法。
  13. 【請求項１３】 前記熱源は、前記洗浄チャンバーの外
    壁に設けられており且つ室温よりも高温の液体が導入さ
    れる蛇腹配管であることを特徴とする請求項２又は３に
    記載のウェハ洗浄方法。
  14. 【請求項１４】 前記蛇腹配管に導入される前記液体は
    水、エチレングリコール水溶液又はオイルであることを
    特徴とする請求項１３に記載のウェハ洗浄方法。
  15. 【請求項１５】 前記洗浄チャンバーは、バッチ式又は
    枚葉式のスピン型洗浄装置の洗浄チャンバーであること
    を特徴とする請求項１、２又は３に記載のウェハ洗浄方
    法。
  16. 【請求項１６】 前記洗浄液は有機薬液であることを特
    徴とする請求項１、２又は３に記載のウェハ洗浄方法。
JP2002045758A 2002-02-22 2002-02-22 ウェハ洗浄方法 Pending JP2003249476A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002045758A JP2003249476A (ja) 2002-02-22 2002-02-22 ウェハ洗浄方法
US10/211,276 US20030159716A1 (en) 2002-02-22 2002-08-05 Wafer cleaning method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002045758A JP2003249476A (ja) 2002-02-22 2002-02-22 ウェハ洗浄方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003249476A true JP2003249476A (ja) 2003-09-05

Family

ID=27750597

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002045758A Pending JP2003249476A (ja) 2002-02-22 2002-02-22 ウェハ洗浄方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20030159716A1 (ja)
JP (1) JP2003249476A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100830633B1 (ko) * 2007-02-07 2008-05-20 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 그 구동 방법
JP2009510722A (ja) * 2005-09-26 2009-03-12 セメス・カンパニー・リミテッド 基板処理装置及び基板処理方法
JP2009119408A (ja) * 2007-11-16 2009-06-04 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd 薬液処理槽及びそれを用いた薬液処理装置
JP2009135218A (ja) * 2007-11-29 2009-06-18 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd 薬液処理槽及びそれを用いた薬液処理装置
JP2011066322A (ja) * 2009-09-18 2011-03-31 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
KR101110542B1 (ko) 2004-11-02 2012-01-31 주식회사 포스코 열효율이 높은 와류형 회전 혼합 장치를 갖는 청정 탈지장치
JP2013131550A (ja) * 2011-12-20 2013-07-04 Hikari Kobayashi ウェハの洗浄装置および洗浄方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6878216B2 (en) * 2001-09-03 2005-04-12 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and substrate processing system
US20040115957A1 (en) * 2002-12-17 2004-06-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus and method for enhancing wet stripping of photoresist
TW200817105A (en) * 2006-08-18 2008-04-16 Akrion Technologies Inc System and method for processing a substrate utilizing a gas stream for particle removal
US20080060676A1 (en) * 2006-09-11 2008-03-13 Dana Scranton Workpiece processing with preheat
JP2009081366A (ja) * 2007-09-27 2009-04-16 Elpida Memory Inc バッチ処理装置
JP2011060954A (ja) * 2009-09-09 2011-03-24 Toshiba Corp 半導体ウェーハの洗浄方法
CN106024585A (zh) * 2016-05-27 2016-10-12 嘉兴晶装电子设备有限公司 一种旋转式冲洗烘干装置
JP7019494B2 (ja) * 2018-04-05 2022-02-15 株式会社荏原製作所 洗浄液供給システム、基板処理装置および基板処理システム

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5143103A (en) * 1991-01-04 1992-09-01 International Business Machines Corporation Apparatus for cleaning and drying workpieces
KR100238234B1 (ko) * 1997-03-20 2000-01-15 윤종용 반도체소자용 인-시튜 세정장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 세정방법
US6701941B1 (en) * 1997-05-09 2004-03-09 Semitool, Inc. Method for treating the surface of a workpiece

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101110542B1 (ko) 2004-11-02 2012-01-31 주식회사 포스코 열효율이 높은 와류형 회전 혼합 장치를 갖는 청정 탈지장치
JP2009510722A (ja) * 2005-09-26 2009-03-12 セメス・カンパニー・リミテッド 基板処理装置及び基板処理方法
JP4843043B2 (ja) * 2005-09-26 2011-12-21 セメス・カンパニー・リミテッド 基板処理装置及び基板処理方法
US8286580B2 (en) 2005-09-26 2012-10-16 Semes Co., Ltd. Apparatus and method for treating substrate
KR100830633B1 (ko) * 2007-02-07 2008-05-20 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 그 구동 방법
JP2009119408A (ja) * 2007-11-16 2009-06-04 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd 薬液処理槽及びそれを用いた薬液処理装置
JP2009135218A (ja) * 2007-11-29 2009-06-18 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd 薬液処理槽及びそれを用いた薬液処理装置
JP2011066322A (ja) * 2009-09-18 2011-03-31 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2013131550A (ja) * 2011-12-20 2013-07-04 Hikari Kobayashi ウェハの洗浄装置および洗浄方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20030159716A1 (en) 2003-08-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003249476A (ja) ウェハ洗浄方法
TW503458B (en) Cleaning method and cleaning apparatus for substrate
JPH0969509A (ja) 半導体ウェーハの洗浄・エッチング・乾燥装置及びその使用方法
JP2003297795A (ja) 半導体ウェーハの洗浄・乾燥装置、及び洗浄・乾燥方法
JP5911690B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2001015474A (ja) 半導体ウエハの超音波洗浄用脱イオン水の脱ガス処理方法及びそのための装置
KR20120033250A (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
JPH07273080A (ja) 半導体基板洗浄処理装置
JP5955766B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TW200834695A (en) Substrate processing apparatus
JP2010129809A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2005217226A (ja) 半導体基板の洗浄方法及び洗浄装置
JP4073418B2 (ja) 基板処理装置
JP2020047857A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
CN105009258B (zh) 半导体基板清洗系统及半导体基板的清洗方法
JP5977058B2 (ja) 処理液供給装置および処理液供給方法
JP4302376B2 (ja) 液処理方法及び液処理装置
JP3739075B2 (ja) 液処理装置及び液処理方法
JP6441176B2 (ja) 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体
TW202133221A (zh) 基板處理裝置
JPWO2019239970A1 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP5996424B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2017117938A (ja) 基板液処理装置および基板液処理方法
JP2001237211A (ja) 基板処理装置
JP4995237B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20031225