JP7019494B2 - 洗浄液供給システム、基板処理装置および基板処理システム - Google Patents

洗浄液供給システム、基板処理装置および基板処理システム Download PDF

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Description

本発明は、基板洗浄ユニットに洗浄液を供給する洗浄液供給システム、そのような洗浄液供給システムを備える基板処理装置、および、そのような基板処理装置を備える基板処理システムに関する。
洗浄液を供給しながら基板を洗浄することが広く行われている。例えば、特許文献１では、１つの洗浄液供給源から複数の基板洗浄装置に洗浄液を供給している。
このような態様とする場合、基板洗浄装置に適切に洗浄液を供給できなかったり、メンテナンスが困難であったりするという問題がある。
特開２０１４－３９０６４号公報
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の課題は、基板洗浄装置に適切に洗浄液を供給できる、あるいは、メンテナンス性が向上する洗浄液供給システム、そのような洗浄液供給システムを備える基板処理装置、および、そのような基板処理装置を備える基板処理システムを提供することである。
本発明の一態様によれば、一端が洗浄液供給装置の供給口に接続され、他端が前記洗浄液供給装置の回収口に接続され、内部を洗浄液が流れる循環ラインと、前記循環ラインから分岐し、基板洗浄ユニットに接続される分岐管と、前記分岐管に設けられ、前記循環ラインから前記基板洗浄ユニットへの洗浄液供給を制御する弁と、前記循環ラインに流れる洗浄液の流量を調整する流量調整手段と、を備える洗浄液供給システムが提供される。
前記弁が開となった場合でも前記循環ライン内の圧力低下が抑えられるよう、前記流量調整手段は前記循環ラインを流れる洗浄液の流量を減らすのが望ましい。
前記循環ライン内の圧力を計測する圧力計を備え、前記流量調整手段は、前記循環ライン内の圧力に基づいて、前記循環ラインを流れる洗浄液の流量を調整するのが望ましい。
前記流量調整手段は、前記循環ラインに設けられた電動流量調整弁であるのが望ましい。
本発明の別の態様によれば、一端が洗浄液供給装置の供給口に接続され、他端が前記洗浄液供給装置の回収口に接続され、内部を洗浄液が流れる循環ラインと、前記循環ラインから分岐し、基板洗浄ユニットに接続される分岐管と、前記分岐管に窒素ガスを供給する窒素ガス供給源と、前記分岐管に前記洗浄液と反応する液体を供給する液体供給源と、前記分岐管に設けられ、前記循環ラインから前記基板洗浄ユニットへの液体供給を制御する弁と、を備え、前記弁は、前記循環ラインから前記基板洗浄ユニットに前記洗浄液が供給されない状態で、前記窒素ガス供給源から前記基板洗浄ユニットに前記窒素ガスを供給することと、前記液体供給源から前記基板洗浄ユニットに前記液体を供給することと、を可能にする、洗浄液供給システムが提供される。
前記循環ラインから分岐し、窒素ガスが供給される分岐管は、前記基板洗浄ユニットにおいて下向きのノズルに接続されるのが望ましい。
前記循環ラインから前記基板洗浄ユニットに前記洗浄液が供給されない状態とし、その後、前記窒素ガス供給源から前記基板洗浄ユニットに前記窒素ガスを供給し、その後、前記液体供給源から前記基板洗浄ユニットに前記液体を供給するよう、前記弁、前記窒素ガス供給源および前記液体供給源を制御する制御部を備えるのが望ましい。
また、本発明の別の態様によれば、一端が洗浄液供給装置の供給口に接続され、他端が前記洗浄液供給装置の回収口に接続され、内部を洗浄液が流れる循環ラインと、前記循環ラインから分岐し、基板洗浄ユニットに接続される分岐管と、前記分岐管に前記洗浄液と反応する液体を供給する液体供給源と、前記分岐管と連通するドレイン管と、前記分岐管に設けられ、前記循環ラインから前記基板洗浄ユニットへの液体供給を制御する第１弁と、前記ドレイン管に設けられた第２弁と、を備え、前記第１弁および前記第２弁は、前記循環ラインから前記基板洗浄ユニットに前記洗浄液が供給されない状態で、前記ドレイン管から前記分岐管内の前記洗浄液を排出することと、前記液体供給源から前記基板洗浄ユニットに前記液体を供給することと、を可能にする、洗浄液供給システムが提供される。
前記循環ラインから分岐し、前記ドレイン管が接続される分岐管は、前記基板洗浄ユニットにおいて上向きのノズルに接続されるのが望ましい。
前記循環ラインから前記基板洗浄ユニットに前記洗浄液が供給されない状態とし、その後、前記ドレイン管から前記分岐管内の前記洗浄液を排出し、その後、前記液体供給源から前記基板洗浄ユニットに前記液体を供給するよう、前記第１弁、第２弁および前記液体供給源を制御する制御部を備えるのが望ましい。
また、本発明の別の態様によれば、一端が洗浄液供給装置の供給口に接続され、他端が前記洗浄液供給装置の回収口に接続され、内部を洗浄液が流れる循環ラインと、前記循環ラインから分岐し、基板洗浄ユニットに接続される分岐管と、配管を介して前記循環ラインに窒素ガスを供給する窒素ガス供給源と、前記配管を介して前記循環ラインに前記洗浄液と反応する液体を供給する液体供給源と、前記循環ラインに接続されたドレイン管と、前記配管に設けられ、前記窒素ガス供給源から前記循環ラインへの窒素ガス供給および前記液体供給源から前記循環ラインへの液体供給を制御する第１弁と、前記ドレイン管に設けられた第２弁と、を備え、前記第１弁および前記第２弁は、前記洗浄液供給装置から前記循環ラインに前記洗浄液が供給されない状態で、前記ドレイン管から前記循環ライン内の前記洗浄液を排出することと、前記窒素ガス供給源から前記循環ラインに前記窒素ガスを供給することと、前記液体供給源から前記循環ラインに前記液体を供給することと、を可能にする、洗浄液供給システムが提供される。
前記洗浄液供給装置から前記循環ラインに前記洗浄液が供給されない状態とし、その後、前記ドレイン管から前記循環ライン内の前記洗浄液を排出し、その後、前記窒素ガス供給源から前記循環ラインに前記窒素ガスを供給し、その後、前記液体供給源から前記循環ラインに前記液体を供給するよう、前記第１弁、前記第２弁、前記窒素ガス供給源および前記液体供給源を制御する制御部を備えるのが望ましい。
本発明の別の態様によれば、一端が洗浄液供給装置の供給口に接続され、他端が前記洗浄液供給装置の回収口に接続され、内部を洗浄液が流れる循環ラインと、前記循環ラインから分岐し、基板洗浄ユニットに接続される分岐管と、配管を介して前記循環ラインに窒素ガスを供給する窒素ガス供給源と、前記配管を介して前記循環ラインに前記洗浄液と反応する液体を供給する液体供給源と、前記配管に設けられ、前記窒素ガス供給源から前記循環ラインへの窒素ガス供給および前記液体供給源から前記循環ラインへの液体供給を制御する弁と、を備える洗浄液供給システムが提供される。
前記洗浄液は硫酸であり、前記液体は純水であるのが望ましい。
本発明の別の態様によれば、前記基板洗浄ユニットと、上記洗浄液供給システムと、を備える基板処理装置が提供される。
本発明の別の態様によれば、前記洗浄液供給装置と、上記基板処理装置と、を備える基板処理システムが提供される。
基板洗浄装置に適切に洗浄液を供給できる、あるいは、メンテナンス性が向上する。
第１の実施形態に係る基板処理システムの概略構成図。 図１の変形例である基板処理システムの概略構成図。 図１の変形例である基板処理システムの概略構成図。 第２の実施形態に係る基板処理システムの概略構成図。 第２の実施形態に係る基板処理システムにおいて、基板洗浄ユニット５Ａ内の洗浄液を純水で置換する際の手順の一例を示すフローチャート。 第３の実施形態に係る基板処理システムの概略構成図。 第３の実施形態に係る基板処理システムにおいて、基板処理装置１００Ａ内の洗浄液を純水で置換する際の手順の一例を示すフローチャート。 図４の変形例である基板処理システムの概略構成図。 図６の基板処理システムにおいて、基板処理装置１００Ａ内の洗浄液を純水で置換する際の手順の一例を示すフローチャート。
以下、本発明に係る実施形態について、図面を参照しながら具体的に説明する。
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る基板処理システムの概略構成図である。この基板処理システムは、洗浄液供給装置１と、循環ライン２１と、複数の分岐管２２ａ，２２ｂと、循環制御ユニット３と、複数の洗浄液供給ユニット４と、そのそれぞれと対応する複数の基板洗浄ユニット５と、制御部６とを備えている。
なお、循環ライン２１、分岐管２２ａ，２２ｂ、循環制御ユニット３、洗浄液供給ユニット４および制御部６（またはこれらの一部）によって、洗浄液供給システムが構成され得る。そして、洗浄液供給システムおよび基板洗浄ユニット５（またはこれらの一部）によって、基板処理装置１００が構成され得る。
本実施形態では、１つの洗浄液供給装置１に対して複数の基板洗浄ユニット５が設けられる。そして、特定の基板洗浄ユニット５（あるいは制御部６）から洗浄液供給の要求がなされた場合に、洗浄液供給装置１から当該基板洗浄ユニット５（あるいは制御部６が指定する基板洗浄ユニット５）に洗浄液を供給するものである。
洗浄液供給装置１は、硫酸や過酸化水素水といった洗浄液が貯蔵されたタンク、洗浄液の温度を調整するヒータ、ポンプなどから構成される。洗浄液供給装置１は、洗浄液を外部に供給する供給口１１と、洗浄液が回収される回収口１２とを有する。
循環ライン２１は、その一端が洗浄液供給装置１の供給口１１に接続され、他端が洗浄液供給装置１の回収口１２に接続される。また、循環ライン２１は途中の複数の点Ｐａ，Ｐｂ・・・で分岐される。言い換えると、循環ライン２１上の複数の点Ｐａ，Ｐｂから分岐するよう、分岐管２２ａ，２２ｂが循環ライン２１に接続されている。そして、分岐管２２ａ，２２ｂのそれぞれは洗浄液供給ユニット４を介して基板洗浄ユニット５に接続されている。
循環制御ユニット３は循環ライン２１に設けられる。循環制御ユニット３は閉止弁３１と、電動流量調整弁３２と、圧力計Ｐとを有する。閉止弁３１は、循環ライン２１上、望ましくは、最も供給口１１に近い点Ｐａと供給口１１との間に設けられる。電動流量調整弁３２は、循環ライン２１上、望ましくは最も回収口１２に近い分岐点と回収口１２との間に設けられる。圧力計Ｐは循環ライン２１上の任意の位置に設置され、循環ライン２１を流れる洗浄液の圧力を計測する。この圧力を示す情報は制御部６に送信される。
洗浄液供給ユニット４は分岐管２２ａ，２２ｂに設けられる。具体的には、洗浄液供給ユニット４は分岐管２２ａ，２２ｂに設けられた弁４１，４２を有し、より具体的には、１つの分岐管２２ａ，２２ｂのそれぞれに対して流量調整弁４１および閉止弁４２が設けられる。
基板洗浄ユニット５は洗浄液供給装置１からの洗浄液を用いて基板Ｗを処理するものであり、洗浄液を噴射するノズル５１ａ，５１ｂを有する。具体的には、ノズル５１ａは分岐管２２ａと連通しており、基板Ｗの下面に向かって（つまり上向きに）洗浄液を噴射する。また、ノズル５１ｂは分岐管２２ｂと連通しており、基板Ｗの上面に向かって（つまり下向きに）洗浄液を噴射する。
制御部６は基板処理システム内の各部、特に、各弁の開閉制御や開度調整を行う。
なお、図１Ａに示すように、１つの洗浄液供給装置１に対して、循環ライン２１を分岐させて複数の基板処理装置１００が接続されてもよい。また、図１Ｂに示すように、１つの洗浄液供給装置１に対して複数の供給口１１および回収口１２を設け、そのそれぞれに複数の基板処理装置１００が接続されてもよい。
このような基板処理システムは次のように動作する。閉止弁３１が開となり、電動流量調整弁３２の開度が十分大きく設定されることで、洗浄液供給装置１から供給口１１を介して洗浄液が循環ライン２１に供給され、循環ライン２１の内部を流れた洗浄液は回収口１２を介して洗浄液供給装置１に回収される。このように洗浄液を循環させることで、洗浄液の温度や濃度が変動するのを抑制できる。
ある洗浄液供給ユニット４内の弁４１，４２が閉である場合、洗浄液は対応する基板洗浄ユニット５に供給されない。基板洗浄ユニット５が洗浄液を要求すると、制御部６は対応する洗浄液供給ユニット４内の弁４１，４２を開く（分岐管２２ａに設けられた弁４１，４２を開いたとする）。そうすると、循環ライン２１内の洗浄液が分岐管２２ａに流れ込み、基板洗浄ユニット５に供給されてノズル５１ａから噴射される。他の分岐管２２ｂなども同様である。このように、弁４１，４２は循環ライン２１から基板洗浄ユニット５への洗浄液供給（供給量）を制御する。
ここで、分岐管２２ａから基板洗浄ユニット５に洗浄液が供給されると、循環ライン２１内の圧力は低下する。流量調整弁４１の開度が大きいほど圧力低下は大きくなる。また、洗浄液が供給される基板洗浄ユニット５が多いほど圧力低下は大きくなる。そうすると、基板洗浄ユニット５の要求量に対して、洗浄液の供給量が不足することになりかねない。
そこで、本実施形態では、循環制御ユニット３に電動流量調整弁３２が設けられ、循環ライン２１を流れる洗浄液の流量を調整できるようになっている。循環ライン２１内の圧力低下が見込まれる場合、制御部６は電動流量調整弁３２の開度を小さくする。これにより、循環ライン２１内の圧力低下を抑えることができる。
具体例として、制御部６は開とした閉止弁４２の数が大きいほど、あるいは、流量調整弁４１の開度を大きいほど、電動流量調整弁３２の開度を小さくして流量を減らしてもよい。また、制御部６は、圧力計Ｐによる圧力測定結果を見ながら、圧力が一定となるよう電動流量調整弁３２を制御してもよい。なお、手動で電動流量調整弁３２を制御してもよい。
このように、第１の実施形態では、循環ライン２１に電動流量調整弁３２を設ける。そのため、基板洗浄ユニット５が洗浄液を要求する場合でも循環ライン２１内の圧力低下を抑えることができ、基板洗浄ユニット５に適切に洗浄液を供給できる。
なお、循環ライン２１の流量を調整する手段は、電動流量調整弁３２には限られない。例えば、コストや設置スペース上の問題がなければ、複数の閉止弁を並列配置し、閉とする閉止弁を多くすることで流量を減らして圧力低下を抑えるようにしてもよい。
（第２の実施形態）
次に説明する第２の実施形態は、基板洗浄ユニット５のメンテナンス性を向上させるものである。
図１において、洗浄液供給装置１からは硫酸などの洗浄液が供給される。一方、基板洗浄ユニット５をメンテナンスする際、基板洗浄ユニット５内の配管やノズル５１ａ，５１ｂなどに残っている洗浄液を純水で置換する必要がある。図１に示すような基板処理システムの場合、ある１つの基板洗浄ユニット５をメンテナンスするために、洗浄液供給装置１から洗浄液ではなく純水を基板洗浄ユニット５に供給しなければならない。そうすると、循環ライン２１に純水が流れることになるので、メンテナンス対象でない基板洗浄ユニット５にも洗浄液を供給できなくなるため使用を停止せざるを得ない。
そこで、第２の実施形態では、以下に説明するようにして、循環ライン２１には洗浄液を流しつつ、メンテナンス対象の基板洗浄ユニット５のみを純水で置換できるようにするものである。
図２は、第２の実施形態に係る基板処理システムの概略構成図である。図１と共通する構成は省略しており、洗浄液供給ユニット４’および基板洗浄ユニット５Ａ，５Ｂと、基板処理システム（または洗浄液供給ユニット４’）が備える液体供給源７１および窒素ガス源７２のみを描いている。液体供給源７１および窒素ガス源７２はすべての洗浄液供給ユニット４’に対して設けられるのが望ましいが、一部のみに設けられてもよい。
以下、図２において、基板洗浄ユニット５Ａは純水置換（メンテナンス）の対象であり、基板洗浄ユニット５Ｂは純水置換（メンテナンス）の対象ではないとして説明する。
この洗浄液供給ユニット４’は、一端が液体供給源７１に接続され、他端がドレイン管４７と連通する配管４５と、一端が窒素ガス源７２に接続される配管４６とを有する。なお、ドレイン管４７は、配管４６から下向きに取り付けられる、より具体的には、ドレイン管４７の排出口がドレイン管４７の横断面の下側に下を向くように取り付けられるのが望ましい。配管４５は、途中の点Ｐｅで分岐して、点Ｐｆで配管４６と合流している。また、配管４５は点Ｐｇで分岐管２２ａと合流している。一方、配管４６は先端Ｐｈで分岐管２２ｂと合流している。
また、洗浄液供給ユニット４’は、配管４５上の点Ｐｅ，Ｐｇ間に設けられたオリフィス４８および逆止弁４９と、点Ｐｅ，Ｐｆ間に設けられたオリフィス４ａおよび逆止弁４ｂと、配管４６上の窒素ガス源７２と点Ｐｆとの間に設けられた逆止弁４ｃ１と、点Ｐｆ，Ｐｈ間に設けられた逆止弁４ｃ２と、ドレイン管４７に設けられた閉止弁４ｄとを有する。このような構成により、液体供給源７１からの純水は点Ｐｅから点Ｐｇの方向および点Ｐｅから点Ｐｆの方向に流れ、逆流することなく分岐管２２ａ，２２ｂにそれぞれ供給される。また、窒素ガス源７２からの窒素ガスは窒素ガス源７２から点Ｐｆおよび点Ｐｆから点Ｐｈの方向に流れ、逆流することなく分岐管２２ｂに供給される。
なお、液体供給源７１の出力側には開閉弁（不図示）が設けられており、この開閉弁を開くことで純水が供給される。同様に、窒素ガス源７２の出力側にも開閉弁（不図示）が設けられており、この開閉弁を開くことで窒素ガスが供給される。
図３は、第２の実施形態に係る基板処理システムにおいて、基板洗浄ユニット５Ａ内の洗浄液（以下、硫酸とする）を純水で置換する際の手順の一例を示すフローチャートである。硫酸と水は反応するため、まずは基板洗浄ユニット５Ａおよびこれに接続された分岐管２２ａ，２２ｂ内の硫酸を除いた後に、純水を基板洗浄ユニット５Ａに供給する必要がある点に留意する。なお、このような置換を行うのはメンテナンス時であるため、基板洗浄ユニット５Ａ内に基板Ｗは配置されていない。また、各手順は、手動で行ってもよいし、制御部６が行ってもよい。
まず、分岐管２２ａ，２２ｂにおいて循環ライン２１と基板洗浄ユニット５Ａとの間にそれぞれ設けられた閉止弁４２，４４を閉とする（ステップＳ１）。これにより、循環ライン２１と基板洗浄ユニット５Ａとが分断された状態となる。よって、循環ライン２１には硫酸の循環を維持でき、他の基板洗浄ユニット５Ｂには硫酸を供給できる。また、純水置換の対象となる基板洗浄ユニット５Ａには、循環ライン２１から硫酸が供給されなくなる。
次いで、ドレイン管４７に設けられた閉止弁４ｄを開とする（ステップＳ２）。ドレイン管４７が下向きであることにより、分岐管２２ａおよびノズル５１ａ内に残っている硫酸が点Ｐｇおよび配管４５を介して重力によりドレイン管４７から排出される。分岐管２２ａは上向きであるため、分岐管２２内にはほとんど硫酸が残っていない状態となる。硫酸の排出が完了すると、閉止弁４ｄを閉とする（ステップＳ３）。
また、窒素ガス源７２から勢いよく窒素ガスを供給する（ステップＳ４）。窒素ガスは点Ｐｆ，Ｐｈを介して分岐管２２ｂを通り、下向きのノズル５１ｂから排出される。窒素ガスの流れによって、分岐管２２ｂおよびノズル５１ｂ内に残っていた硫酸がノズル５１ｂから下向きに噴き出される。
仮に窒素ガスを上向きのノズル５１ａに接続された分岐管２２ａに供給すると、ノズル５１ａから窒素ガスとともに硫酸が上向きに噴き出され、天井に硫酸が飛び散ったり、基板洗浄ユニット５内に硫酸が飛散したりすることになりかねない。これに対し、本実施形態では、上向きのノズル５１ａに接続された分岐管２２ａに残った硫酸を、安全にドレイン管４７から除くことができる。
なお、ドレイン管４７からの硫酸排出（ステップＳ２，Ｓ３）と、窒素ガスによる硫酸排出（ステップＳ４）の順序は問わず、同時に行ってもよい。以上のようにして分岐管２２ａ，２２ｂおよび基板洗浄ユニット５Ａ内の硫酸が除かれると、窒素ガスの供給を停止し（ステップＳ５）、液体供給源７１から分岐管２２ａ，２２ｂを介して基板洗浄ユニット５Ａ内に純水を供給する（ステップＳ６）。純水の供給が完了すると、純水の供給を停止する（ステップＳ７）。これによって、純水への置換が完了する。
この状態で必要なメンテナンスなどを行い、その後に各配管内を再び空にする。具体的には、まずドレイン管４７に設けられた閉止弁４ｄを開とする（ステップＳ８）。ドレイン管４７が下向きであることにより、分岐管２２ａおよびノズル５１ａ内に残っている純水が点Ｐｇおよび配管４５を介して重力によりドレイン管４７から排出される。分岐管２２ａは上向きであるため、分岐管２２内にはほとんど純水が残っていない状態となる。純水の排出が完了すると、閉止弁４ｄを閉とする（ステップＳ９）。
また、窒素ガス源７２から勢いよく窒素ガスを供給する（ステップＳ１０）。窒素ガスは点Ｐｆ，Ｐｈを介して分岐管２２ｂを通り、下向きのノズル５１ｂから排出される。窒素ガスの流れによって、分岐管２２ｂおよびノズル５１ｂ内に残っていた純水がノズル５１ｂから下向きに噴き出される。以上のようにして分岐管２２ａ，２２ｂおよび基板洗浄ユニット５Ａ内の純水が除かれると、窒素ガスの供給を停止する（ステップＳ１０Ａ）。
このように、第２の実施形態では、洗浄液供給ユニット４’内の閉止弁４２，４４を閉とすることで、循環ライン２１と各基板洗浄ユニット５とを分断できる。そのため、特定の基板洗浄ユニット５Ａのみを純水置換可能となり、この基板洗浄ユニット５Ａがメンテナンス中であっても他の基板洗浄ユニット５Ｂは洗浄液を用いた洗浄処理が可能となる。これによって、基板処理システム全体のダウンタイムを削減できる。
さらに、ドレイン管４７および窒素ガス源７２を設けることで、硫酸を予め除いた状態として、硫酸と反応する純水で置換することができる。なお、洗浄液が硫酸で、置換するのが純水である場合に限らず、洗浄液と反応する液体で置換する場合にこのようなドレイン管４７および窒素ガス源７２を設けるのが有用である。また、基板洗浄ユニット５Ａが上向きのノズルのみを有する場合などには、窒素ガス源７２を省略してドレイン管４７から洗浄液を除くようにしてもよい。あるいは、基板洗浄ユニット５Ａが下向きのノズルのみを有する場合などには、ドレイン管４７を省略して窒素ガス源７２からの窒素ガスで洗浄液を除くようにしてもよい。
（第３の実施形態）
次に説明する第３の実施形態は、洗浄液供給装置１と循環ライン２１との接続を変えることなく、循環ライン２１内を純水で置換できるようにするものである。図１Ａに示すように、１つの洗浄液供給装置１に複数の基板処理装置１００が接続され得る。基板処理装置１００をメンテナンスする際、基板処理装置１００内の配管などに残っている洗浄液を純水で置換する必要がある。図１Ａに示すような基板処理システムの場合、ある１つの基板処理装置１００をメンテナンスするために、洗浄液供給装置１から洗浄液ではなく純水を基板処理装置１００に供給しなければならない。そうすると、循環ライン２１に純水が流れることになるので、メンテナンス対象でない基板処理装置１００にも洗浄液を供給できなくなるため使用を停止せざるを得ない。
そこで、第３の実施形態では、以下に説明するようにして、循環ライン２１には洗浄液を流しつつ、メンテナンス対象の基板処理装置１００のみを純水で置換できるようにするものである。
図４は、第３の実施形態に係る基板処理システムの概略構成図である。図１と共通する構成は省略しており、基板処理装置１００Ａ，１００Ｂと、基板処理システム（または基板処理装置１００Ａ）が備える液体供給源７３および窒素ガス源７４のみを描いている。液体供給源７３および窒素ガス源７４はすべての基板処理装置１００Ａ，１００Ｂに対して設けられるのが望ましいが、一部のみに設けられてもよい。
以下、図４において、基板処理装置１００Ａは純水置換（メンテナンス）の対象であり、基板処理装置１００Ｂは純水置換（メンテナンス）の対象ではないとして説明する。
本実施形態における循環制御ユニット３’は、一端が循環ライン２１に接続される配管３３を有する。循環ライン２１と配管３３とが接続される点Ｐｊは、閉止弁３１と電動流量調整弁３２との間（洗浄液供給装置１とは反対側）であればどこでもよい。配管３３は、途中の点Ｐｉで分岐しており、その一方が液体供給源７３に接続され、他方が窒素ガス源７４に接続される。
また、循環制御ユニット３’は配管３３上に設けられた逆止弁３４および閉止弁３５を有する。さらに、液体供給源７３と点Ｐｉとの間において、配管３３上に逆止弁７５が設けられる。そして、窒素ガス源７４と点Ｐｉとの間に、配管３３上に逆止弁７６が設けられる。このような構成により、液体供給源７３からの純水は点Ｐｉから循環ライン２１の方向に流れ、逆流しない。また、窒素ガス源７４からの窒素ガスは点Ｐｉから循環ライン２１の方向に流れ、逆流しない。
なお、液体供給源７３の出力側には開閉弁（不図示）が設けられており、この開閉弁を開くことで純水が供給される。同様に、窒素ガス源７４の出力側にも開閉弁（不図示）が設けられており、この開閉弁を開くことで窒素ガスが供給される。
さらに、循環制御ユニット３’は循環ライン２１と連通するドレイン管３６と、ドレイン管３６上に設けられた閉止弁３７とを有する。ドレイン管４７と同様、ドレイン管３６も下向きであるのが望ましい。本実施形態においては、循環ライン２１とドレイン管３６とが接続される点Ｐｋは、閉止弁３１と電動流量調整弁３２との間（洗浄液供給装置１とは反対側）であればどこでもよい。
図５は、第３の実施形態に係る基板処理システムにおいて、基板処理装置１００Ａ内の洗浄液（以下、硫酸とする）を純水で置換する際の手順の一例を示すフローチャートである。各手順は、手動で行ってもよいし、制御部６が行ってもよい。
まず、循環ライン２１に設けられた閉止弁３１および電動流量調整弁３２を閉とする（ステップＳ１１）。これにより、洗浄液供給装置１と基板処理装置１００Ａとが分断された状態となる。よって、洗浄液供給装置１からは硫酸の供給を維持でき、他の基板処理装置１００Ｂには硫酸を供給できる。また、純水置換の対象となる基板処理装置１００Ａには洗浄液供給装置１から硫酸が供給されなくなる。
次いで、ドレイン管３６に設けられた閉止弁３７を開とする（ステップＳ１２）。ドレイン管３６が下向きであることにより、循環ライン２１内に残っている硫酸が重力によりドレイン管３６から排出される。
また、閉止弁３５を開とし（ステップＳ１３）、窒素ガス源７４から窒素ガスを供給する（ステップＳ１４）。窒素ガスは循環ライン２１を通り、ドレイン管３６から排出される。窒素ガスの流れによって、循環ライン２１内に残っていた硫酸がドレイン管３６から下向きに噴き出される。循環ライン２１内の硫酸を効率よく除くには、窒素ガスができる限り循環ライン２１の多くの部分を通ってドレイン管３６から排出されるのがよく、その観点から点Ｐｊ，Ｐｋの一方は弁３１のできるだけ近くに、他方は弁３２の近くに配置されるのが望ましい。
以上のようにして循環ライン２１内の硫酸が除かれると、窒素ガスの供給を停止する（ステップＳ１５）。そして、液体供給源７３から純水を循環ライン２１内に供給する（ステップＳ１６）。純水の供給が完了すると、純水の供給を停止する（ステップＳ１７）。これによって、純水への置換が完了する。
この状態で必要なメンテナンスなどを行い、その後に循環ライン２１内を再び空にする。具体的には、まず窒素ガス源７４から窒素ガスを供給する（ステップＳ１８）。窒素ガスは循環ライン２１を通り、ドレイン管３６から排出される。窒素ガスの流れによって、循環ライン２１内に残っていた純水がドレイン管３６から下向きに噴き出される。
以上のようにして循環ライン２１内の純水が除かれると、窒素ガスの供給を停止し（ステップＳ１９）、さらに閉止弁３７を閉とする（ステップＳ２０）。
図６は、図４の変形例である基板処理システムの概略構成図である。図４との相違点として、図１Ｂに示すように、各基板処理装置１００の循環ライン２１が、洗浄液供給装置１における個別の供給口１１および回収口１２に接続される。そして、循環ライン２１とドレイン管３６とが接続される点Ｐｋが、電動流量調整弁３２より下流側に設けられる。図６では、点Ｐｋが洗浄液供給装置１内に設けられる（すなわち、閉止弁３７，３８が洗浄液供給装置１内に設けられる）例を示している。そして、点Ｐｋより外側に閉止弁３８が設けられる。なお、図６では、図１Ｂへの適用例を示しているが、もちろん図１Ａへの適用も可能である。
図７は、図６に示す基板処理システムにおいて、基板処理装置１００Ａ内の洗浄液（以下、硫酸とする）を純水で置換する際の手順の一例を示すフローチャートである。各手順は、手動で行ってもよいし、制御部６が行ってもよい。
まず、循環ライン２１に設けられた閉止弁３１，３８を閉とする（ステップＳ３１）。次いで、ドレイン管３６に設けられた閉止弁３７を開とする（ステップＳ３２）。そして、閉止弁３５を開とし（ステップＳ３３）、窒素ガス源７４から窒素ガスを供給する（ステップＳ３４）。窒素ガスは循環ライン２１を通り、ドレイン管３６から洗浄液供給装置１内に排出される。窒素ガスの流れによって、循環ライン２１内に残っていた硫酸がドレイン管３６から下向きに噴き出される。循環ライン２１内の硫酸を効率よく除くには、窒素ガスができる限り循環ライン２１の多くの部分を通ってドレイン管３６から排出されるのがよく、その観点から点Ｐｊは弁３１のできるだけ近くに、点Ｐｋは弁３２から離れて（言い換えると、閉止弁３８の近くに）配置されるのが望ましい。
以上のようにして循環ライン２１内の硫酸が除かれると、窒素ガスの供給を停止する（ステップＳ３５）。そして、液体供給源７３から純水を循環ライン２１内に供給する（ステップＳ３６）。純水の供給が完了すると、純水の供給を停止する（ステップＳ３７）。これによって、純水への置換が完了する。
この状態で必要なメンテナンスなどを行い、その後に循環ライン２１内を再び空にする。具体的には、まず窒素ガス源７４から窒素ガスを供給する（ステップＳ３８）。窒素ガスは循環ライン２１を通り、ドレイン管３６から洗浄液供給装置１内に排出される。窒素ガスの流れによって、循環ライン２１内に残っていた純水がドレイン管３６から下向きに噴き出される。以上のようにして循環ライン２１内の純水が除かれると、窒素ガスの供給を停止し（ステップＳ３９）、さらに閉止弁３７を閉とする（ステップＳ４０）。
このように、第３の実施形態では、図４における循環制御ユニット３’内の弁３１，３２を閉とすることで、もしくは、図６における循環制御ユニット３’内の弁３１と洗浄液供給装置１内の閉止弁３８とを閉とすることで、洗浄液供給装置１と各基板処理装置１００とを分断できる。そのため、特定の基板処理装置１００Ａのみを純水置換可能となり、この基板処理装置１００Ａがメンテナンス中であっても他の基板処理装置１００Ｂは洗浄液を用いた洗浄処理が可能となる。これによって、基板処理システム全体のダウンタイムを削減できる。
さらに、ドレイン管３６および窒素ガス源７４を設けることで、硫酸を予め除いた上で、硫酸と反応する純水で置換することができる。なお、洗浄液が硫酸で、置換するのが純水である場合に限らず、洗浄液と反応する液体で置換する場合にこのようなドレイン管３６および窒素ガス源７４を設けるのが有用である。
第３の実施形態では、図４の態様と図６の態様の２つを例示した。図２にあるように各基板処理装置内には複数の基板洗浄ユニット５Ａ，５Ｂがあり、半導体製造工場内には複数の基板処理装置が複数ラインある。さらに、各基板洗浄ユニットや各基板処理装置で使用する洗浄液の種類も、処理対象基板の種類によって異なり得る。一方で、各々の基板洗浄ユニット毎に図４のようなシステムを設けてもよいし、半導体製造工場内で同一の洗浄液を供給するラインがある場合は、図４の変形例である図６のように基板処理装置外に置かれた洗浄液供給装置１内に、あたかも循環制御ユニットを設けたようにすればよい。
なお、上述した第１～第３の実施形態における基板洗浄ユニット５の態様に特に制限はない。例えば、基板洗浄ユニット５は、基板Ｗの上面側および下面側に配置された２つのロール型スポンジを用い、基板Ｗの上面および下面に洗浄液を噴射しながら両面を同時に洗浄するものであってもよい。あるいは、基板洗浄ユニット５は、ペンシル型スポンジを用い、基板Ｗの上面に洗浄液を噴射しながら上面のみを洗浄するものであってもよい。また、洗浄液供給装置１から供給される洗浄液としては、高温の純水、ＡＰＭ（Ammonium Hydrogen-peroxide Mixture、アンモニアと過酸化水素水との混合液）、ＳＰＭ（Sulfuric- Acid Hydrogen Peroxide Mixture、硫酸と過酸化水素水との混合液）、炭酸水などを適用できる。また、第１～第３の実施形態で説明した事項を任意に組み合わせることもできる。
さらにまた、一実施例においては、第１～第３の実施形態における基板洗浄ユニット５において、１つの洗浄液供給源からの薬液を用いて複数のノズルを利用して基板を洗浄処理する場合において、それぞれのノズルから薬液を基板上に同時に供給する際に、それぞれのノズルからの薬液が供給される領域同士が互いに重ならないように、複数のノズルの相対高さ又は位置を調整するようにした位置調整機構を設けた構成とすることもできる。さらにまた、別の一実施例においては、第１～第３の実施形態における基板洗浄ユニット５において、１つの洗浄液供給源からの薬液を用いて複数のノズルを利用して基板を洗浄処理する場合において、それぞれのノズルから薬液を基板上に同時に供給する際に、それぞれのノズルからの薬液が供給される領域同士が互いに重ならないように、これら複数のノズルの相対高さ・位置を予め固定機構で固定した構成とすることもできる。
上述した実施形態は、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を実施できることを目的として記載されたものである。上記実施形態の種々の変形例は、当業者であれば当然になしうることであり、本発明の技術的思想は他の実施形態にも適用しうることである。したがって、本発明は、記載された実施形態に限定されることはなく、特許請求の範囲によって定義される技術的思想に従った最も広い範囲とすべきである。
１ 洗浄液供給装置
１１ 供給口
１２ 回収口
２１ 循環ライン
２２ａ，２２ｂ 分岐管
３，３’ 循環制御ユニット
３１ 閉止弁
３２ 電動流量調整弁
３３ 配管
３４ 逆止弁
３５，３７ 閉止弁
３６ ドレイン管
４，４’ 洗浄液供給ユニット
４１，４３ 流量調整弁
４２，４４，４ｄ 閉止弁
４５，４６ 配管
４７ ドレイン管
４８，４ａ オリフィス
４９，４ｂ，４ｃ１，４ｃ２ 逆止弁
５，５Ａ，５Ｂ 基板洗浄ユニット
５１ａ，５１ｂ ノズル
６ 制御部
７１，７３ 液体供給源
７２，７４ 窒素ガス（Ｎ2）源
１００，１００Ａ，１００Ｂ 基板処理装置
Ｗ 基板

Claims (10)

  1. 一端が洗浄液供給装置の供給口に接続され、他端が前記洗浄液供給装置の回収口に接続され、内部を洗浄液が流れる循環ラインと、
    前記循環ラインから分岐し、基板洗浄ユニットに接続される分岐管と、
    前記分岐管に設けられ、前記循環ラインから前記基板洗浄ユニットへの洗浄液供給を制御する第１弁と、
    配管を介して前記循環ラインに窒素ガスを供給する窒素ガス供給源と、
    前記配管を介して前記循環ラインに前記洗浄液と反応する液体を供給する液体供給源と、
    前記配管に設けられ、前記窒素ガス供給源から前記循環ラインへの窒素ガス供給および前記液体供給源から前記循環ラインへの液体供給を制御する第２弁と、
    前記循環ラインに流れる洗浄液の流量を調整する流量調整手段と、を備える洗浄液供給システム。
  2. 前記流量調整手段は、前記循環ラインの前記分岐管よりも下流に設けられ、
    前記第１弁が開となった場合でも前記循環ライン内の圧力低下が抑えられるよう、前記流量調整手段は前記循環ラインを流れる洗浄液の流量を減らす、請求項１に記載の洗浄液供給システム。
  3. 前記循環ライン内の圧力を計測する圧力計を備え、
    前記流量調整手段は、前記循環ライン内の圧力に基づいて、前記循環ラインを流れる洗浄液の流量を調整する、請求項１または２に記載の洗浄液供給システム。
  4. 前記流量調整手段は、前記循環ラインに設けられた電動流量調整弁である、請求項１乃至３のいずれかに記載の洗浄液供給システム。
  5. 一端が洗浄液供給装置の供給口に接続され、他端が前記洗浄液供給装置の回収口に接続され、内部を洗浄液が流れる循環ラインと、
    前記循環ラインから分岐し、基板洗浄ユニットに接続される分岐管と、
    配管を介して前記循環ラインに窒素ガスを供給する窒素ガス供給源と、
    前記配管を介して前記循環ラインに前記洗浄液と反応する液体を供給する液体供給源と、
    前記循環ラインに接続されたドレイン管と、
    前記配管に設けられ、前記窒素ガス供給源から前記循環ラインへの窒素ガス供給および前記液体供給源から前記循環ラインへの液体供給を制御する第１弁と、
    前記ドレイン管に設けられた第２弁と、を備え、
    前記第１弁および前記第２弁は、前記洗浄液供給装置から前記循環ラインに前記洗浄液が供給されない状態で、
    前記ドレイン管から前記循環ライン内の前記洗浄液を排出することと、
    前記窒素ガス供給源から前記循環ラインに前記窒素ガスを供給することと、
    前記液体供給源から前記循環ラインに前記液体を供給することと、を可能にする、洗浄液供給システム。
  6. 前記洗浄液供給装置から前記循環ラインに前記洗浄液が供給されない状態とし、
    その後、前記ドレイン管から前記循環ライン内の前記洗浄液を排出し、
    その後、前記窒素ガス供給源から前記循環ラインに前記窒素ガスを供給し、
    その後、前記液体供給源から前記循環ラインに前記液体を供給するよう、前記第１弁、前記第２弁、前記窒素ガス供給源および前記液体供給源を制御する制御部を備える、請求項５に記載の洗浄液供給システム。
  7. 一端が洗浄液供給装置の供給口に接続され、他端が前記洗浄液供給装置の回収口に接続され、内部を洗浄液が流れる循環ラインと、
    前記循環ラインから分岐し、基板洗浄ユニットに接続される分岐管と、
    配管を介して前記循環ラインに窒素ガスを供給する窒素ガス供給源と、
    前記配管を介して前記循環ラインに前記洗浄液と反応する液体を供給する液体供給源と、
    前記配管に設けられ、前記窒素ガス供給源から前記循環ラインへの窒素ガス供給および前記液体供給源から前記循環ラインへの液体供給を制御する弁と、を備える洗浄液供給システム。
  8. 前記洗浄液は硫酸であり、前記液体は純水である、請求項１乃至７のいずれかに記載の洗浄液供給システム。
  9. 前記基板洗浄ユニットと、
    請求項１乃至８のいずれかに記載の洗浄液供給システムと、を備える基板処理装置。
  10. 前記洗浄液供給装置と、
    請求項９に記載の基板処理装置と、を備える基板処理システム。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210138369A (ko) 2020-05-12 2021-11-19 무진전자 주식회사 유량 조절 시스템
CN113198785B (zh) * 2021-05-13 2023-10-13 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体清洗设备及其清洗液分配机构

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007207941A (ja) 2006-01-31 2007-08-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板洗浄方法、基板洗浄装置、およびそれを用いた電子デバイスの製造方法
US20130260569A1 (en) 2012-03-30 2013-10-03 Lam Research Ag Apparatus and method for liquid treatment of wafer-shaped articles
JP2015220374A (ja) 2014-05-19 2015-12-07 東京エレクトロン株式会社 処理液交換方法および液処理装置
JP2015220318A (ja) 2014-05-16 2015-12-07 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、洗浄方法及び記憶媒体
JP2016063074A (ja) 2014-09-18 2016-04-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP2018049994A (ja) 2016-09-23 2018-03-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003249476A (ja) * 2002-02-22 2003-09-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd ウェハ洗浄方法
CN102247955B (zh) * 2011-04-01 2013-03-27 北京七星华创电子股份有限公司 处理液供给及管路冲洗系统
JP5726784B2 (ja) * 2012-02-24 2015-06-03 東京エレクトロン株式会社 処理液交換方法および基板処理装置
EP3620426B1 (en) * 2012-11-16 2023-03-01 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Apparatus for filling a drink comprising means for cleaning and sterilizing the apparatus
JP6059087B2 (ja) * 2013-05-31 2017-01-11 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
JP5752210B2 (ja) 2013-11-01 2015-07-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007207941A (ja) 2006-01-31 2007-08-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板洗浄方法、基板洗浄装置、およびそれを用いた電子デバイスの製造方法
US20130260569A1 (en) 2012-03-30 2013-10-03 Lam Research Ag Apparatus and method for liquid treatment of wafer-shaped articles
JP2015220318A (ja) 2014-05-16 2015-12-07 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、洗浄方法及び記憶媒体
JP2015220374A (ja) 2014-05-19 2015-12-07 東京エレクトロン株式会社 処理液交換方法および液処理装置
JP2016063074A (ja) 2014-09-18 2016-04-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP2018049994A (ja) 2016-09-23 2018-03-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

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