CN110340055A - 清洗液供给系统、基板处理装置以及基板处理系统 - Google Patents

清洗液供给系统、基板处理装置以及基板处理系统 Download PDF

Info

Publication number
CN110340055A
CN110340055A CN201910272935.8A CN201910272935A CN110340055A CN 110340055 A CN110340055 A CN 110340055A CN 201910272935 A CN201910272935 A CN 201910272935A CN 110340055 A CN110340055 A CN 110340055A
Authority
CN
China
Prior art keywords
cleaning solution
recycle circuit
valve
base
nitrogen
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910272935.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110340055B (zh
Inventor
宫崎充
今村听
井上拓也
高桥正三
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ebara Corp
Original Assignee
Ebara Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ebara Corp filed Critical Ebara Corp
Publication of CN110340055A publication Critical patent/CN110340055A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110340055B publication Critical patent/CN110340055B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B9/00—Cleaning hollow articles by methods or apparatus specially adapted thereto 
    • B08B9/02—Cleaning pipes or tubes or systems of pipes or tubes
    • B08B9/027—Cleaning the internal surfaces; Removal of blockages
    • B08B9/032—Cleaning the internal surfaces; Removal of blockages by the mechanical action of a moving fluid, e.g. by flushing
    • B08B9/0321—Cleaning the internal surfaces; Removal of blockages by the mechanical action of a moving fluid, e.g. by flushing using pressurised, pulsating or purging fluid
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B9/00—Cleaning hollow articles by methods or apparatus specially adapted thereto 
    • B08B9/02—Cleaning pipes or tubes or systems of pipes or tubes
    • B08B9/027—Cleaning the internal surfaces; Removal of blockages
    • B08B9/032—Cleaning the internal surfaces; Removal of blockages by the mechanical action of a moving fluid, e.g. by flushing
    • B08B9/0321—Cleaning the internal surfaces; Removal of blockages by the mechanical action of a moving fluid, e.g. by flushing using pressurised, pulsating or purging fluid
    • B08B9/0325—Control mechanisms therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B9/00—Cleaning hollow articles by methods or apparatus specially adapted thereto 
    • B08B9/02—Cleaning pipes or tubes or systems of pipes or tubes
    • B08B9/027—Cleaning the internal surfaces; Removal of blockages
    • B08B9/032—Cleaning the internal surfaces; Removal of blockages by the mechanical action of a moving fluid, e.g. by flushing
    • B08B9/0321—Cleaning the internal surfaces; Removal of blockages by the mechanical action of a moving fluid, e.g. by flushing using pressurised, pulsating or purging fluid
    • B08B9/0328—Cleaning the internal surfaces; Removal of blockages by the mechanical action of a moving fluid, e.g. by flushing using pressurised, pulsating or purging fluid by purging the pipe with a gas or a mixture of gas and liquid
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D16/00—Control of fluid pressure
    • G05D16/20—Control of fluid pressure characterised by the use of electric means
    • G05D16/2006—Control of fluid pressure characterised by the use of electric means with direct action of electric energy on controlling means
    • G05D16/2013—Control of fluid pressure characterised by the use of electric means with direct action of electric energy on controlling means using throttling means as controlling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B2203/00—Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B2203/02—Details of machines or methods for cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B2203/0217—Use of a detergent in high pressure cleaners; arrangements for supplying the same
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B2203/00—Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B2203/02—Details of machines or methods for cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B2203/0282—Safety devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

本发明提供一种能够向基板清洗装置恰当地供给清洗液或者维护保养性提高的清洗液供给系统、具备这样的清洗液供给系统的基板处理装置、以及具备这样的基板处理装置的基板处理系统。本发明提供一种清洗液供给系统，该清洗液供给系统具备：循环线路，该循环线路的一端与清洗液供给装置的供给口连接，另一端与所述清洗液供给装置的回收口连接，清洗液在该循环线路的内部流动；分支管，该分支管从所述循环线路分支，并且与基板清洗单元连接；阀，该阀设置于所述分支管，并且对从所述循环线路向所述基板清洗单元的清洗液供给进行控制；以及流量调节构件，该流量调节构件对在所述循环线路中流动的清洗液的流量进行调节。

Description

清洗液供给系统、基板处理装置以及基板处理系统
技术领域
本发明涉及一种向基板清洗单元供给清洗液的清洗液供给系统、具备这样的清洗液供给系统的基板处理装置、以及具备这样的基板处理装置的基板处理系统。
背景技术
广泛已知的是一边供给清洗液一边清洗基板。例如，在专利文献1中，从一个清洗液供给源向多个基板清洗装置供给清洗液。
在这样的方式的情况下，存在无法向基板清洗装置恰当地供给清洗液、或维护保养困难的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2014-39064号公报
发明内容
发明所要解决的课题
本发明是鉴于上述问题而做出的，本发明的课题在于，提供能够向基板清洗装置恰当地供给清洗液、或者维护保养性提高的清洗液供给系统、具备这样的清洗液供给系统的基板处理装置、以及具备这样的基板处理装置的基板处理系统。
解决问题的手段
根据本发明的一方式，提供一种清洗液供给系统，该清洗液供给系统具备：循环线路，该循环线路的一端与清洗液供给装置的供给口连接，另一端与所述清洗液供给装置的回收口连接，清洗液在该循环线路的内部流动；分支管，该分支管从所述循环线路分支，并且与基板清洗单元连接；阀，该阀设置于所述分支管，并且对从所述循环线路向所述基板清洗单元的清洗液供给进行控制；以及流量调节构件，该流量调节构件对在所述循环线路中流动的清洗液的流量进行调节。
优选的是，所述流量调节构件减少在所述循环线路中流动的清洗液的流量，以使得即使在所述阀打开的情况下也能抑制所述循环线路内的压力下降。
优选的是，具备压力计，该压力计对所述循环线路内的压力进行测量，所述流量调节构件基于所述循环线路内的压力，对在所述循环线路中流动的清洗液的流量进行调节。
优选的是，所述流量调节构件是设置于所述循环线路的电动流量调节阀。
根据本发明的另外的方式，提供一种清洗液供给系统，该清洗液供给系统具备：循环线路，该循环线路的一端与清洗液供给装置的供给口连接，另一端与所述清洗液供给装置的回收口连接，清洗液在该循环线路的内部流动；分支管，该分支管从所述循环线路分支并且与基板清洗单元连接；氮气供给源，该氮气供给源向所述分支管供给氮气；液体供给源，该液体供给源向所述分支管供给与所述清洗液反应的液体；以及阀，该阀设置于所述分支管，并且对从所述循环线路向所述基板清洗单元的清洗液供给进行控制，在不从所述循环线路向所述基板清洗单元供给所述清洗液的状态下，所述阀使得：所述氮气能够从所述氮气供给源向所述基板清洗单元供给，并且所述液体能够从所述液体供给源向所述基板清洗单元供给。
优选的是，从所述循环线路分支并且被供给氮气的分支管在所述基板清洗单元中与向下的喷嘴连接。
优选的是，具备控制部，该控制部对所述阀、所述氮气供给源以及所述液体供给源进行控制，以使得：在成为不从所述循环线路向所述基板清洗单元供给所述清洗液的状态之后，从所述氮气供给源向所述基板清洗单元供给所述氮气，之后，从所述液体供给源向所述基板清洗单元供给所述液体。
另外，根据本发明的另外的方式，提供一种清洗液供给系统，该清洗液供给系统具备：循环线路，该循环线路的一端与清洗液供给装置的供给口连接，另一端与所述清洗液供给装置的回收口连接，清洗液在该循环线路的内部流动；分支管，该分支管从所述循环线路分支，并且与基板清洗单元连接；液体供给源，该液体供给源向所述分支管供给与所述清洗液反应的液体；排液管，该排液管与所述分支管连通；第一阀，该第一阀设置于所述分支管，并且对从所述循环线路向所述基板清洗单元的液体供给进行控制；以及第二阀，该第二阀设置于所述排液管，在不从所述循环线路向所述基板清洗单元供给所述清洗液的状态下，所述第一阀以及所述第二阀使得：所述分支管内的所述清洗液能够从所述排液管排出，并且所述液体能够从所述液体供给源向所述基板清洗单元供给。
优选的是，从所述循环线路分支并且连接所述排液管的分支管在所述基板清洗单元中与向上的喷嘴连接。
优选的是，具备控制部，该控制部对所述第一阀、所述第二阀以及所述液体供给源进行控制，以使得：在成为不从所述循环线路向所述基板清洗单元供给所述清洗液的状态之后，从所述排液管排出所述分支管内的所述清洗液，之后，从所述液体供给源向所述基板清洗单元供给所述液体。
另外，根据本发明的另外的方式，提供一种清洗液供给系统，该清洗液供给系统具备：循环线路，该循环线路的一端与清洗液供给装置的供给口连接，另一端与所述清洗液供给装置的回收口连接，清洗液在该循环线路的内部流动；分支管，该分支管从所述循环线路分支，并且与基板清洗单元连接；氮气供给源，该氮气供给源经由配管而向所述循环线路供给氮气；液体供给源，该液体供给源经由所述配管而向所述循环线路供给与所述清洗液反应的液体；排液管，该排液管与所述循环线路连接；第一阀，该第一阀设置于所述配管，并且对从所述氮气供给源向所述循环线路的氮气供给、以及从所述液体供给源向所述循环线路的液体供给进行控制；以及第二阀，该第二阀设置于所述排液管，在不从所述清洗液供给装置向所述循环线路供给所述清洗液的状态下，所述第一阀以及所述第二阀使得：所述循环线路内的所述清洗液能够从所述排液管排出，并且所述氮气能够从所述氮气供给源向所述循环线路供给，并且所述液体能够从所述液体供给源向所述循环线路供给。
优选的是，具备控制部，该控制部对所述第一阀、所述第二阀、所述氮气供给源以及所述液体供给源进行控制，以使得：在成为不从所述清洗液供给装置向所述循环线路供给所述清洗液的状态之后，从所述排液管排出所述循环线路内的所述清洗液，之后，从所述氮气供给源向所述循环线路供给所述氮气，之后，从所述液体供给源向所述循环线路供给所述液体。
另外，根据本发明的另外的方式，提供一种清洗液供给系统，该清洗液供给系统具备：循环线路，该循环线路的一端与清洗液供给装置的供给口连接，另一端与所述清洗液供给装置的回收口连接，清洗液在该循环线路的内部流动；分支管，该分支管从所述循环线路分支，并且与基板清洗单元连接；氮气供给源，该氮气供给源经由配管而向所述循环线路供给氮气；液体供给源，该液体供给源经由所述配管而向所述循环线路供给与所述清洗液反应的液体；以及阀，该阀设置于所述配管，并且对从所述氮气供给源向所述循环线路的氮气供给、以及从所述液体供给源向所述循环线路的液体供给进行控制。
优选的是，所述清洗液是硫酸，所述液体是纯水。
根据本发明的另外的方式，提供一种基板处理装置，该基板处理装置具备所述基板清洗单元和上述清洗液供给系统。
根据本发明的另外的方式，提供一种基板处理系统，该基板处理系统具备所述清洗液供给装置和上述基板处理装置。
发明效果
能够向基板清洗装置恰当地供给清洗液，或者，维护保养性提高。
附图说明
图1是第一实施方式的基板处理系统的概略结构图。
图1A是作为图1的变形例的基板处理系统的概略结构图。
图1B是作为图1的变形例的基板处理系统的概略结构图。
图2是第二实施方式的基板处理系统的概略结构图。
图3是表示在第二实施方式的基板处理系统中，用纯水置换基板清洗单元5A内的清洗液时的步骤的一例的流程图。
图4是第三实施方式的基板处理系统的概略结构图。
图5是表示在第三实施方式的基板处理系统中，用纯水置换基板处理装置100A内的清洗液时的步骤的一例的流程图。
图6是作为图4的变形例的基板处理系统的概略结构图。
图7是表示在图6的基板处理系统中，用纯水置换基板处理装置100A内的清洗液时的步骤的一例的流程图。
符号说明
1 清洗液供给装置
11 供给口
12 回收口
21 循环线路
22a、22b 分支管
3、3’ 循环控制单元
31 截止阀
32 电动流量调节阀
33 配管
34 止回阀
35、37 截止阀
36 排液管
4、4’ 清洗液供给单元
41、43 流量调节阀
42、44、4d 截止阀
45、46 配管
47 排液管
48、4a 节流孔
49、4b、4c1、4c2 止回阀
5、5A、5B 基板清洗单元
51a、51b 喷嘴
6 控制部
71、73 液体供给源
72、74 氮气(N2)源
100、100A、100B 基板处理装置
W 基板
具体实施方式
以下，一边参照附图，一边具体地说明本发明的实施方式。
(第一实施方式)
图1是第一实施方式的基板处理系统的概略结构图。该基板处理系统具备：清洗液供给装置1；循环线路21；多个分支管22a、22b；循环控制单元3；多个清洗液供给单元4；与多个清洗液供给单元4分别对应的多个基板清洗单元5；以及控制部6。
此外，循环线路21、分支管22a、22b、循环控制单元3、清洗液供给单元4以及控制部6(或者它们的一部分)能够构成清洗液供给系统。并且，清洗液供给系统以及基板清洗单元5(或者它们的一部分)能够构成基板处理装置100。
在本实施方式中，相对于一个清洗液供给装置1设置有多个基板清洗单元5。并且，在从特定的基板清洗单元5(或者控制部6)要求进行清洗液供给的情况下，从清洗液供给装置1向该基板清洗单元5(或者控制部6指定的基板清洗单元5)供给清洗液。
清洗液供给装置1由储存硫酸、双氧水这样的清洗液箱、对清洗液的温度进行调节的加热器、泵等构成。清洗液供给装置1具有：将清洗液向外部供给的供给口11；以及回收清洗液的回收口12。
循环线路21的一端与清洗液供给装置1的供给口11连接，另一端与清洗液供给装置1的回收口12连接。另外，循环线路21在中途的多个点Pa、Pb…分支。换言之，分支管22a、22b与循环线路21连接，以使得从循环线路21上的多个点Pa、Pb分支。并且，各个分支管22a、22b经由清洗液供给单元4而与基板清洗单元5连接。
循环控制单元3设置于循环线路21。循环控制单元3具有截止阀31、电动流量调节阀32和压力计P。截止阀31优选在循环线路21上设置在最靠近供给口11的点Pa与供给口11之间。电动流量调节阀32优选在循环线路21上设置在最靠近回收口12的分支点与回收口12之间。压力计P设置在循环线路21上的任意的位置，对在循环线路21中流动的清洗液的压力进行测量。表示该压力的信息被发送到控制部6。
清洗液供给单元4设置于分支管22a、22b。具体而言，清洗液供给单元4具有设置于分支管22a、22b的阀41、42，更具体而言，分别相对于一个分支管22a、22b设置有流量调节阀41和截止阀42。
基板清洗单元5使用来自清洗液供给装置1的清洗液对基板W进行处理，并且具有喷射清洗液的喷嘴51a、51b。具体而言，喷嘴51a与分支管22a连通，并且朝向基板W的下表面(也即向上)喷射清洗液。另外，喷嘴51b与分支管22b连通，并且朝向基板W的上表面(也即向下)喷射清洗液。
控制部6进行基板处理系统内的各部，尤其是各阀的开闭控制、开度调节。
此外，如图1A所示，也可以使循环线路21分支而相对于一个清洗液供给装置1连接有多个基板处理装置100。另外，如图1B所示，也可以相对于一个清洗液供给装置1设置有多个供给口11以及回收口12，并且分别在该多个供给口11以及回收口12连接有多个基板处理装置100。
这样的基板处理系统如下进行动作。截止阀31打开，并且电动流量调节阀32的开度设定为足够大，从而清洗液从清洗液供给装置1经由供给口11而被供给到循环线路21，在循环线路21的内部流动的清洗液经由回收口12而被回收到清洗液供给装置1。通过像这样使清洗液循环，能够抑制清洗液的温度、浓度变动。
在某个清洗液供给单元4内的阀41、42关闭的情况下，清洗液不会被供给到对应的基板清洗单元5。当基板清洗单元5需求清洗液时，控制部6打开对应的清洗液供给单元4内的阀41、42(打开设置于分支管22a的阀41、42)。这样一来，循环线路21内的清洗液流入分支管22a，并且被供给到基板清洗单元5并从喷嘴51a喷射。其他的分支管22b等也是相同的。像这样，阀41、42对从循环线路21向基板清洗单元5的清洗液供给(供给量)进行控制。
在此，当从分支管22a向基板清洗单元5供给清洗液时，循环线路21内的压力下降。流量调节阀41的开度越大，压力下降越大。另外，供给清洗液的基板清洗单元5越多，压力下降越大。这样一来，相对于基板清洗单元5的需求量，清洗液的供给量很有可能会不足。
因此，在本实施方式中，在循环控制单元3设置有电动流量调节阀32，能够对在循环线路21中流动的清洗液的流量进行调节。在预估循环线路21内的压力下降的情况下，控制部6使电动流量调节阀32的开度变小。由此，能够抑制循环线路21内的压力下降。
作为具体的例子，也可以使，控制部6使打开的截止阀42的数量越大，或者使流量调节阀41的开度越大，则越使电动流量调节阀32的开度变小从而减少流量。另外，控制部6也可以一边观察压力计P的压力测定结果，一边对电动流量调节阀32进行控制，以使得压力恒定。此外，也可以通过手动对电动流量调节阀32进行控制。
像这样，在第一实施方式中，在循环线路21设置有电动流量调节阀32。因此，即使在基板清洗单元5需求清洗液的情况下，也能够抑制循环线路21内的压力下降，进而能够恰当地将清洗液向基板清洗单元5供给。
此外，对循环线路21的流量进行调节的构件不限于电动流量调节阀32。例如，若没有成本、设置空间上的问题，则也可以并联配置多个截止阀，并且通过使关闭的截止阀增多来减少流量从而抑制压力下降。
(第二实施方式)
接下来说明的第二实施方式可提高基板清洗单元5的维护保养性。
在图1中，从清洗液供给装置1供给硫酸等清洗液。另一方面，在维护保养基板清洗单元5时，需要用纯水置换残留在基板清洗单元5内的配管、喷嘴51a、51b等的清洗液。在图1所示那样的基板处理系统的情况下，为了维护保养某一个基板清洗单元5，必须将纯水而不是清洗液从清洗液供给装置1向基板清洗单元5供给。这样一来，纯水流到循环线路21，因此，也无法向不是维护保养对象的基板清洗单元5供给清洗液，因而不得不使基板清洗单元5停止使用。
因此，在第二实施方式中，如下所述，使清洗液在循环线路21中流动，并且能够用纯水仅置换作为维护保养对象的基板清洗单元5。
图2是第二实施方式的基板处理系统的概略结构图。省略与图1的共同的结构，仅说明清洗液供给单元4’以及基板清洗单元5A、5B、和基板处理系统(或清洗液供给单元4’)所具备的液体供给源71以及氮气源72。液体供给源71以及氮气源72优选设置于所有的清洗液供给单元4’，但也可以仅设置于一部分。
以下，在图2中，将基板清洗单元5A作为纯水置换(维护保养)的对象，将基板清洗单元5B不作为纯水置换(维护保养)的对象进行说明。
该清洗液供给单元4’具有：一端与液体供给源71连接，另一端与排液管47连通的配管45；以及一端与氮气源72连接的配管46。此外，优选的是，排液管47从配管46向下安装，更具体而言，排液管47的排出口以向下的方式安装于排液管47的横截面的下侧。配管45在中途的点Pe分支，并在点Pf与配管46合流。另外，配管45在点Pg与分支管22a合流。另一方面，配管46在顶端Ph与分支管22b合流。
另外，清洗液供给单元4’具有：设置于配管45上的点Pe、Pg之间的节流孔48和止回阀49；设置于点Pe、Pf之间的节流孔4a和止回阀4b；设置于配管46上的氮气源72与点Pf之间的止回阀4c1；设置于点Pf、Ph之间的止回阀4c2；以及设置于排液管47的截止阀4d。通过这样的结构，来自液体供给源71的纯水从点Pe向点Pg的方向、以及从点Pe向点Pf的方向流动，并且分别被供给到分支管22a、22b，而不会回流。另外，来自氮气源72的氮气从氮气源72向点Pf、以及从点Pf向点Ph的方向流动，并且被供给到分支管22b，而不会回流。
此外，在液体供给源71的输出侧设置有开闭阀(未图示)，通过打开该开闭阀而供给纯水。相同地，在氮气源72的输出侧也设置有开闭阀(未图示)，通过打开该开闭阀而供给氮气。
图3是表示在第二实施方式的基板处理系统中，用纯水置换基板清洗单元5A内的清洗液(以下，为硫酸)时的步骤的一例的流程图。由于硫酸和水反应，因此首先应注意需要在去除基板清洗单元5A以及与其连接的分支管22a、22b内的硫酸之后，将纯水向基板清洗单元5A供给这一点。此外，由于在进行这样的置换是在维护保养时，因此在基板清洗单元5A内未配置有基板W。另外，各步骤可以通过手动进行，也可以由控制部6进行。
首先，使在分支管22a、22b中分别设置于循环线路21与基板清洗单元5A之间的截止阀42、44关闭(步骤S1)。由此，循环线路21和基板清洗单元5A处于被切断的状态。因此，能够在循环线路21维持硫酸的循环，并且能够向其他的基板清洗单元5B供给硫酸。另外，不从循环线路21向作为纯水置换的对象的基板清洗单元5A供给硫酸。
接下来，使设置于排液管47的截止阀4d打开(步骤S2)。排液管47向下，从而残留在分支管22a以及喷嘴51a内的硫酸经由点Pg以及配管45而通过重力从排液管47排出。分支管22a由于向上，因此成为在分支管22内几乎不残留硫酸的状态。当硫酸的排出完成时，使截止阀4d关闭(步骤S3)。
另外，从氮气源72猛烈地供给氮气(步骤S4)。氮气经由点Pf、Ph而通过分支管22b，从向下的喷嘴51b排出。由于氮气的流动，从而残留在分支管22b以及喷嘴51b内的硫酸从喷嘴51b向下喷出。
假如将氮气向与向上的喷嘴51a连接的分支管22a供给时，硫酸与氮气一起从喷嘴51a向上喷出，有可能会导致硫酸飞溅到天花板，或硫酸飞散到基板清洗单元5内。与此相对，在本实施方式中，能够将残留在与向上的喷嘴51a连接的分支管22a的硫酸安全地从排液管47去除。
此外，也可以不管硫酸从排液管47排出(步骤S2、S3)和通过氮气排出硫酸(步骤S4)的顺序，而同时进行。如上那样当去除分支管22a、22b以及基板清洗单元5A内的硫酸时，停止氮气的供给(步骤S5)，从液体供给源71经由分支管22a、22b而向基板清洗单元5A内供给纯水(步骤S6)。当纯水的供给完成时，停止纯水的供给(步骤S7)。由此，向纯水的置换完成。
在该状态下进行必要的维护保养等，之后使各配管内再次变空。具体而言，首先使设置于排液管47的截止阀4d打开(步骤S8)。由于排液管47向下，从而残留在分支管22a以及喷嘴51a内的纯水经由点Pg以及配管45而通过重力从排液管47排出。分支管22a由于向上，因此成为在分支管22内几乎不残留纯水的状态。当纯水的排出完成时，使截止阀4d关闭(步骤S9)。
另外，从氮气源72猛烈地供给氮气(步骤S10)。氮气经由点Pf、Ph而通过分支管22b，从向下的喷嘴51b排出。由于氮气的流动，从而残留在分支管22b以及喷嘴51b内的纯水从喷嘴51b向下喷出。当如上述那样去除分支管22a、22b以及基板清洗单元5A内的纯水时，停止氮气的供给(步骤S10A)。
像这样，在第二实施方式中，通过使清洗液供给单元4’内的截止阀42、44关闭，能够切断循环线路21和各基板清洗单元5。因此，能够用纯水仅置换特定的基板清洗单元5A，即使该基板清洗单元5A在维护保养中，其他的基板清洗单元5B也能够使用清洗液进行清洗处理。由此，能够减少基板处理系统整体的停机时间。
进一步，通过设置排液管47以及氮气源72，能够在预先去除硫酸的状态下，用与硫酸反应的纯水置换。此外，不限定于清洗液是硫酸、置换的是纯水的情况，在用与清洗液反应的液体置换的情况下设置这样的排液管47以及氮气源72也是有用的。另外，在基板清洗单元5A仅具有向上的喷嘴的情况等下，也可以省略氮气72而从排液管47去除清洗液。或者，在基板清洗单元5A仅具有向下的喷嘴的情况等下，也可以省略排液管47而用来自氮气源72的氮气去除清洗液。
(第三实施方式)
接下来说明的第三实施方式能够用纯水置换循环线路21内，而不改变清洗液供给装置1和循环线路21的连接。如图1A所示，在一个清洗液供给装置1能够连接有多个基板处理装置100。在维护保养基板处理装置100时，需要用纯水置换残留在基板处理装置100内的配管等的清洗液。在图1A所示那样的基板处理系统的情况下，为了维护保养某一个基板处理装置100，必须将纯水而不是清洗液从清洗液供给装置1向基板处理装置100供给。这样一来，由于纯水流到循环线路21，因此也无法向不是维护保养对象的基板处理装置100供给清洗液，因而不得不使基板处理装置100停止使用。
因此，在第三实施方式中，如下所述，使清洗液在循环线路21中流动，并且能够用纯水仅置换作为维护保养对象的基板处理装置100。
图4是第三实施方式的基板处理系统的概略结构图。省略与图1的共同的结构，仅说明基板处理装置100A、100B、和基板处理系统(或基板处理装置100A)所具备的液体供给源73以及氮气源74。液体供给源73以及氮气源74优选设置于所有的基板处理装置100A、100B，但也可以仅设置于一部分。
以下，在图4中，将基板处理装置100A作为纯水置换(维护保养)的对象，将基板处理装置100B不作为纯水置换(维护保养)的对象进行说明。
本实施方式中的循环控制单元3’具有一端与循环线路21连接的配管33。连接循环线路21和配管33的点Pj只要是在截止阀31与电动流量调节阀32之间(与清洗液供给装置1相反的一侧)，则可以在它们之间的任意位置。配管33在中途的点Pi分支，其一方与液体供给源73连接，另一方与氮气源74连接。
另外，循环控制单元3’具有设置于配管33上的止回阀34以及截止阀35。进一步，在液体供给源73与点Pi之间，在配管33上设置有止回阀75。并且，在氮气源74与点Pi之间，在配管33上设置有止回阀76。通过这样的结构，来自液体供给源73的纯水从点Pi向循环线路21的方向流动，并且不会回流。另外，来自氮气源74的氮气从点Pi向循环线路21的方向流动，并且不会回流。
此外，在液体供给源73的输出侧设置有开闭阀(未图示)，通过打开该开闭阀而供给纯水。相同地，在氮气源74的输出侧也设置有开闭阀(未图示)，通过打开该开闭阀而供给氮气。
进一步，循环控制单元3’具有：与循环线路21连通的排液管36；以及设置于排液管36上的截止阀37。与排液管47相同地，优选排液管36也向下。在本实施方式中，连接循环线路21和排液管36的点Pk只要是在截止阀31与电动流量调节阀32之间(与清洗液供给装置1相反的一侧)，则可以在它们之间的任意位置。
图5是表示在第三实施方式的基板处理系统中，用纯水置换基板处理装置100A内的清洗液(以下，为硫酸)时的步骤的一例的流程图。各步骤可以通过手动进行，也可以由控制部6进行。
首先，使设置于循环线路21的截止阀31以及电动流量调节阀32关闭。(步骤S11)。由此，清洗液供给装置1和基板处理装置100A处于被切断的状态。因此，能够维持从清洗液供给装置1供给硫酸，并且能够向其他的基板处理装置100B供给硫酸。另外，不从清洗液供给装置1向作为纯水置换的对象的基板处理装置100A供给硫酸。
接下来，使设置于排液管36的截止阀37打开(步骤S12)。排液管36向下，从而残留在循环线路21内的硫酸通过重力从排液管36排出。
另外，使截止阀35打开(步骤S13)，从氮气源74供给氮气(步骤S14)。氮气通过循环线路21，并且从排液管36排出。由于氮气的流动，从而残留在循环线路21内的硫酸从排液管36向下喷出。为了高效地去除循环线路21内的硫酸，优选氮气尽可能地通过循环线路21的较多的部分而从排液管36排出，考虑到这一点，优选的是，点Pj、Pk的一方尽可能地靠近阀31，另一方靠近阀32地配置。
当如上述那样去除循环线路21内的硫酸时，停止氮气的供给(步骤S15)。然后，将纯水从液体供给源73向循环线路21内供给(步骤S16)。当纯水的供给完成时，停止纯水的供给(步骤S17)。由此，向纯水的置换完成。
在该状态下进行必要的维护保养等，之后使循环线路21内再次变空。具体而言，首先从氮气源74供给氮气(步骤S18)。氮气通过循环线路21，并且从排液管36排出。由于氮气的流动，从而残留在循环线路21内的纯水从排液管36向下喷出。
当如上述那样去除循环线路21内的纯水时，停止氮气的供给(步骤S19)，进一步使截止阀37关闭(步骤S20)。
图6是作为图4的变形例的基板处理系统的概略结构图。作为与图4的区别，如图1B所示，各基板处理装置100的循环线路21与清洗液供给装置1中的单独的供给口11以及回收口12连接。并且，连接循环线路21和排液管36的点Pk设置于电动流量调节阀32的下游侧。在图6中，示出了点Pk设置于清洗液供给装置1内(即，截止阀37、38设置于清洗液供给装置1内)的例子。并且，在点Pk的外侧设置有截止阀38。此外，在图6中，示出了图1B的应用例，但当然也能够应用于图1A。
图7是表示在图6所示的基板处理系统中，用纯水置换基板处理装置100A内的清洗液(以下，为硫酸)时的步骤的一例的流程图。各步骤可以通过手动进行，也可以由控制部6进行。
首先，使设置于循环线路21的截止阀31、38关闭(步骤S31)。接下来，使设置于排液管36的截止阀37打开(步骤S32)。然后，使截止阀35打开(步骤S33)、从氮气源74供给氮气(步骤S34)。氮气通过循环线路21，并且从排液管36向清洗液供给装置1内排出。由于氮气的流动，从而残留在循环线路21内的硫酸从排液管36向下喷出。为了高效去除循环线路21内的硫酸，优选氮气尽可能地通过循环线路21的较多的部分而从排液管36排出，考虑到这一点，优选的是，点Pj尽可能地靠近阀31，点Pk远离阀32(换言之，靠近截止阀38)地配置。
当如上述那样去除循环线路21内的硫酸时，停止氮气的供给(步骤S35)。然后，将纯水从液体供给源73向循环线路21内供给(步骤S36)。当纯水的供给完成时，停止纯水的供给(步骤S37)。由此，向纯水的置换完成。
在该状态下进行必要的维护保养等，之后使循环线路21内再次变空。具体而言，首先从氮气源74供给氮气(步骤S38)。氮气通过循环线路21，并且从排液管36向清洗液供给装置1内排出。由于氮气的流动，从而残留在循环线路21内的纯水从排液管36向下喷出。当如上述那样去除循环线路21内的纯水时，停止氮气的供给(步骤S39)，进一步使截止阀37关闭(步骤S40)。
像这样，在第三实施方式中，使图4中的循环控制单元3’内的阀31、32关闭，或者，使图6中的循环控制单元3’内的阀31和清洗液供给装置1内的截止阀38关闭，从而能够切断清洗液供给装置1和各基板处理装置100。因此，能够用纯水仅置换特定的基板处理装置100A，即使该基板处理装置100A在维护保养中，其他的基板处理装置100B也能够使用清洗液进行清洗处理。由此，能够减少基板处理系统整体的停机时间。
进一步，通过设置排液管36以及氮气源74，能够在预先去除硫酸之后，用与硫酸反应的纯水进行置换。此外，不仅仅在清洗液是硫酸，置换的是纯水的情况下，在用与清洗液反应的液体进行置换的情况下，设置这样的排液管36以及氮气源74也是有用的。
在第三实施方式中，例示了图4的方式和图6的方式这两个。如图2所示，在各基板处理装置内存在多个基板清洗单元5A、5B，在半导体制造工厂内存在多条具有多个基板处理装置的线路。进一步，在各基板清洗单元、各基板处理装置中使用的清洗液的种类也能够根据处理对象基板的种类的不同而不同。另一方面，也可以针对各个基板清洗单元设置图4那样的系统，在半导体制造工厂内存在供给相同的清洗液的线路的情况下，如作为图4的变形例的图6那样，在放置在基板处理装置外的清洗液供给装置1内正好设置循环控制单元即可。
此外，上述的第一～第三实施方式中的基板清洗单元5的方式没有特别的限制。例如，基板清洗单元5也可以使用配置在基板W的上表面侧以及下表面侧的两个辊型海绵，一边对基板W的上表面以及下表面喷射清洗液，一边同时清洗两个表面。或者，基板清洗单元5也可以使用笔型海绵，一边对基板W的上表面喷射清洗液一边仅清洗上表面。另外，作为从清洗液供给装置1供给的清洗液，能够应用高温的纯水、APM(Ammonium Hydrogen-peroxideMixture、氨和双氧水的混合液)、SPM(Sulfuric-Acid Hydrogen Peroxide Mixture、硫酸和双氧水的混合液)、苏打水等。另外，能够任意地组合在第一～第三实施方式已说明的事项。
另外，在一实施例中，在第一～第三实施方式中的基板清洗单元5中也能够采用如下结构：设置有位置调节机构，该位置调节机构对多个喷嘴的相对高度或位置进行调节，以使得在使用来自一个清洗液供给源的药液并利用多个喷嘴清洗处理基板的情况下，在将来自各个喷嘴的药液同时向基板上供给时，供给来自各个喷嘴的药液的区域彼此不重叠。另外，在另外的一实施例中，在第一～第三实施方式中的基板清洗单元5中也能够采用如下结构：预先用固定机构固定多个喷嘴的相对高度、位置，以使得在使用来自一个清洗液供给源的药液并利用该多个喷嘴清洗处理基板的情况下，在将来自各个喷嘴的药液同时向基板上供给时，供给来自各个喷嘴的药液的区域彼此不重叠。
上述的实施方式是以具有本发明所属技术领域中的一般的知识的人员能够实施本发明为目的而记载的。本领域技术人员当然能够实施上述实施方式的各种变形例，本发明的技术思想也能够应用于其他实施方式。因此，本发明并不限定于所记载的实施方式，而应当是根据由本发明所要求保护的范围定义的技术思想的最广泛的范围。

Claims (16)

1.一种清洗液供给系统，其特征在于，具备：
循环线路，该循环线路的一端与清洗液供给装置的供给口连接，另一端与所述清洗液供给装置的回收口连接，清洗液在该循环线路的内部流动；
分支管，该分支管从所述循环线路分支，并且与基板清洗单元连接；
阀，该阀设置于所述分支管，并且对从所述循环线路向所述基板清洗单元的清洗液供给进行控制；以及
流量调节构件，该流量调节构件对在所述循环线路中流动的清洗液的流量进行调节。
2.如权利要求1所述的清洗液供给系统，其特征在于，
所述流量调节构件减少在所述循环线路中流动的清洗液的流量，以使得即使在所述阀打开的情况下也能抑制所述循环线路内的压力下降。
3.如权利要求1所述的清洗液供给系统，其特征在于，
具备压力计，该压力计对所述循环线路内的压力进行测量，
所述流量调节构件基于所述循环线路内的压力，对在所述循环线路中流动的清洗液的流量进行调节。
4.如权利要求1所述的清洗液供给系统，其特征在于，
所述流量调节构件是设置于所述循环线路的电动流量调节阀。
5.一种清洗液供给系统，其特征在于，具备：
循环线路，该循环线路的一端与清洗液供给装置的供给口连接，另一端与所述清洗液供给装置的回收口连接，清洗液在该循环线路的内部流动；
分支管，该分支管从所述循环线路分支，并且与基板清洗单元连接；
氮气供给源，该氮气供给源向所述分支管供给氮气；
液体供给源，该液体供给源向所述分支管供给与所述清洗液反应的液体；以及
阀，该阀设置于所述分支管，并且对从所述循环线路向所述基板清洗单元的清洗液供给进行控制，
在不从所述循环线路向所述基板清洗单元供给所述清洗液的状态下，所述阀使得：
所述氮气能够从所述氮气供给源向所述基板清洗单元供给，并且，
所述液体能够从所述液体供给源向所述基板清洗单元供给。
6.如权利要求5所述的清洗液供给系统，其特征在于，
从所述循环线路分支并且被供给氮气的分支管在所述基板清洗单元中与向下的喷嘴连接。
7.如权利要求5所述的清洗液供给系统，其特征在于，
具备控制部，该控制部对所述阀、所述氮气供给源以及所述液体供给源进行控制，以使得：
在成为不从所述循环线路向所述基板清洗单元供给所述清洗液的状态之后，
从所述氮气供给源向所述基板清洗单元供给所述氮气，
之后，从所述液体供给源向所述基板清洗单元供给所述液体。
8.一种清洗液供给系统，其特征在于，具备：
循环线路，该循环线路的一端与清洗液供给装置的供给口连接，另一端与所述清洗液供给装置的回收口连接，清洗液在该循环线路的内部流动；
分支管，该分支管从所述循环线路分支，并且与基板清洗单元连接；
液体供给源，该液体供给源向所述分支管供给与所述清洗液反应的液体；
排液管，该排液管与所述分支管连通；
第一阀，该第一阀设置于所述分支管，并且对从所述循环线路向所述基板清洗单元的液体供给进行控制；以及
第二阀，该第二阀设置于所述排液管，
在不从所述循环线路向所述基板清洗单元供给所述清洗液的状态下，所述第一阀以及所述第二阀使得：
所述分支管内的所述清洗液能够从所述排液管排出，并且，
所述液体能够从所述液体供给源向所述基板清洗单元供给。
9.如权利要求8所述的清洗液供给系统，其特征在于，
从所述循环线路分支并且与所述排液管连接的分支管在所述基板清洗单元中与向上的喷嘴连接。
10.如权利要求8所述的清洗液供给系统，其特征在于，
具备控制部，该控制部对所述第一阀、所述第二阀以及所述液体供给源进行控制，以使得：
在成为不从所述循环线路向所述基板清洗单元供给所述清洗液的状态之后，
从所述排液管排出所述分支管内的所述清洗液，
之后，从所述液体供给源向所述基板清洗单元供给所述液体。
11.一种清洗液供给系统，其特征在于，具备：
循环线路，该循环线路的一端与清洗液供给装置的供给口连接，另一端与所述清洗液供给装置的回收口连接，清洗液在该循环线路的内部流动；
分支管，该分支管从所述循环线路分支，并且与基板清洗单元连接；
氮气供给源，该氮气供给源经由配管而向所述循环线路供给氮气；
液体供给源，该液体供给源经由所述配管而向所述循环线路供给与所述清洗液反应的液体；
排液管，该排液管与所述循环线路连接；
第一阀，该第一阀设置于所述配管，并且对从所述氮气供给源向所述循环线路的氮气供给、以及从所述液体供给源向所述循环线路的液体供给进行控制；以及
第二阀，该第二阀设置于所述排液管，
在不从所述清洗液供给装置向所述循环线路供给所述清洗液的状态下，所述第一阀以及所述第二阀使得：
所述循环线路内的所述清洗液能够从所述排液管排出，并且，
所述氮气能够从所述氮气供给源向所述循环线路供给，并且，
所述液体能够从所述液体供给源向所述循环线路供给。
12.如权利要求11所述的清洗液供给系统，其特征在于，
具备控制部，该控制部对所述第一阀、所述第二阀、所述氮气供给源以及所述液体供给源进行控制，以使得：
在成为不从所述清洗液供给装置向所述循环线路供给所述清洗液的状态之后，
从所述排液管排出所述循环线路内的所述清洗液，
之后，从所述氮气供给源向所述循环线路供给所述氮气，
之后，从所述液体供给源向所述循环线路供给所述液体。
13.一种清洗液供给系统，其特征在于，具备：
循环线路，该循环线路的一端与清洗液供给装置的供给口连接，另一端与所述清洗液供给装置的回收口连接，清洗液在该循环线路的内部流动；
分支管，该分支管从所述循环线路分支，并且与基板清洗单元连接；
氮气供给源，该氮气供给源经由配管而向所述循环线路供给氮气；
液体供给源，该液体供给源经由所述配管而向所述循环线路供给与所述清洗液反应的液体；以及
阀，该阀设置于所述配管，并且对从所述氮气供给源向所述循环线路的氮气供给、以及从所述液体供给源向所述循环线路的液体供给进行控制。
14.如权利要求5、8、11和13中任一项所述的清洗液供给系统，其特征在于，
所述清洗液是硫酸，所述液体是纯水。
15.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
所述基板清洗单元；以及
权利要求1、5、8、11中任一项所述的清洗液供给系统。
16.一种基板处理系统，其特征在于，具备：
所述清洗液供给装置；以及
权利要求15所述的基板处理装置。
CN201910272935.8A 2018-04-05 2019-04-04 清洗液供给系统、基板处理装置以及基板处理系统 Active CN110340055B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-072976 2018-04-05
JP2018072976A JP7019494B2 (ja) 2018-04-05 2018-04-05 洗浄液供給システム、基板処理装置および基板処理システム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110340055A true CN110340055A (zh) 2019-10-18
CN110340055B CN110340055B (zh) 2023-02-28

Family

ID=68096301

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910272935.8A Active CN110340055B (zh) 2018-04-05 2019-04-04 清洗液供给系统、基板处理装置以及基板处理系统

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11090692B2 (zh)
JP (1) JP7019494B2 (zh)
KR (1) KR102646049B1 (zh)
CN (1) CN110340055B (zh)
SG (1) SG10201902956WA (zh)
TW (1) TWI786285B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113198785A (zh) * 2021-05-13 2021-08-03 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体清洗设备及其清洗液分配机构

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210138369A (ko) 2020-05-12 2021-11-19 무진전자 주식회사 유량 조절 시스템
JP2023007053A (ja) * 2021-07-01 2023-01-18 株式会社Sumco 洗浄装置、洗浄方法、ウェーハの洗浄方法、およびシリコンウェーハの製造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007207941A (ja) * 2006-01-31 2007-08-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板洗浄方法、基板洗浄装置、およびそれを用いた電子デバイスの製造方法
CN102247955A (zh) * 2011-04-01 2011-11-23 北京七星华创电子股份有限公司 处理液供给及管路冲洗系统
US20130260569A1 (en) * 2012-03-30 2013-10-03 Lam Research Ag Apparatus and method for liquid treatment of wafer-shaped articles
CN104718151A (zh) * 2012-11-16 2015-06-17 大日本印刷株式会社 饮料填充装置的净化方法
US20150328668A1 (en) * 2014-05-16 2015-11-19 Tokyo Electron Limited Substrate liquid treatment apparatus, method of cleaning substrate liquid treatment apparatus and non-transitory storage medium
US20170256426A1 (en) * 2014-09-18 2017-09-07 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing device
JP2018049994A (ja) * 2016-09-23 2018-03-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003249476A (ja) * 2002-02-22 2003-09-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd ウェハ洗浄方法
JP5726784B2 (ja) * 2012-02-24 2015-06-03 東京エレクトロン株式会社 処理液交換方法および基板処理装置
JP6059087B2 (ja) * 2013-05-31 2017-01-11 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
JP5752210B2 (ja) 2013-11-01 2015-07-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6223906B2 (ja) 2014-05-19 2017-11-01 東京エレクトロン株式会社 処理液交換方法および液処理装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007207941A (ja) * 2006-01-31 2007-08-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板洗浄方法、基板洗浄装置、およびそれを用いた電子デバイスの製造方法
CN102247955A (zh) * 2011-04-01 2011-11-23 北京七星华创电子股份有限公司 处理液供给及管路冲洗系统
US20130260569A1 (en) * 2012-03-30 2013-10-03 Lam Research Ag Apparatus and method for liquid treatment of wafer-shaped articles
CN104718151A (zh) * 2012-11-16 2015-06-17 大日本印刷株式会社 饮料填充装置的净化方法
US20150328668A1 (en) * 2014-05-16 2015-11-19 Tokyo Electron Limited Substrate liquid treatment apparatus, method of cleaning substrate liquid treatment apparatus and non-transitory storage medium
US20170256426A1 (en) * 2014-09-18 2017-09-07 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing device
JP2018049994A (ja) * 2016-09-23 2018-03-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113198785A (zh) * 2021-05-13 2021-08-03 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体清洗设备及其清洗液分配机构
CN113198785B (zh) * 2021-05-13 2023-10-13 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体清洗设备及其清洗液分配机构

Also Published As

Publication number Publication date
CN110340055B (zh) 2023-02-28
TW201944483A (zh) 2019-11-16
US11090692B2 (en) 2021-08-17
SG10201902956WA (en) 2019-11-28
JP7019494B2 (ja) 2022-02-15
KR20190116921A (ko) 2019-10-15
JP2019186320A (ja) 2019-10-24
US20190308223A1 (en) 2019-10-10
TWI786285B (zh) 2022-12-11
KR102646049B1 (ko) 2024-03-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110340055A (zh) 清洗液供给系统、基板处理装置以及基板处理系统
US6918406B2 (en) Chemical supply apparatus
CN103817103B (zh) 基板清洗装置及基板清洗方法
US7343926B2 (en) Liquid raw material supply unit for vaporizer
CN108987309B (zh) 基片液处理装置、处理液供给方法和存储介质
CN103047539A (zh) 化学药液供给系统
WO2018110631A1 (ja) 洗浄薬液供給装置、洗浄ユニット、及びプログラムを格納した記憶媒体
KR100816319B1 (ko) 레지스트 희석 시스템
JP2011131198A (ja) 容器散水処理装置
CN113198785B (zh) 半导体清洗设备及其清洗液分配机构
JP6774327B2 (ja) 洗浄薬液供給装置、洗浄ユニット、及びプログラムを格納した記憶媒体
WO2024174387A1 (zh) 一种光伏清洗设备水膜喷淋方法
US20220187856A1 (en) Apparatus for supplying liquid, cleaning unit, and apparatus for processing substrate
WO2017043495A1 (ja) 基板液処理装置及び流路洗浄方法
KR101041450B1 (ko) 기판 세정 장치 및 방법
KR100700956B1 (ko) 웨이퍼 제조시스템용 유체전달안정화시스템
JP7419219B2 (ja) 洗浄薬液供給装置および洗浄薬液供給方法
WO2021079801A1 (ja) 洗浄装置
JPH09260332A (ja) 基板処理装置の薬液供給装置
JP2605001Y2 (ja) 基板処理装置用薬液混合装置
JP3144733B2 (ja) 基板処理装置
KR102249453B1 (ko) 반도체 기판의 세정방법 및 이를 위한 반도체 세정 시스템
KR100912703B1 (ko) 기판 처리 장치 및 이 장치를 이용한 기판 처리 방법
CN108121174A (zh) 显影设备及其显影液供应系统
JPH1167711A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant