JP7419219B2 - 洗浄薬液供給装置および洗浄薬液供給方法 - Google Patents

洗浄薬液供給装置および洗浄薬液供給方法 Download PDF

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本発明は、洗浄薬液供給装置および洗浄薬液供給方法に関する。
ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）装置は、半導体チップが形成された半導体基板の表面を研磨するための研磨モジュールと、研磨モジュールで研磨された半導体基板に対して薬液を供給しながら洗浄するための洗浄モジュールとを有する。この洗浄モジュールは、薬液に対してＤＩＷ（Ｄｅ－Ｉｏｎｉｚｅｄ Ｗａｔｅｒ）などの希釈水を混合することで、濃度が調整された薬液を作成し、この薬液を用いて半導体基板の洗浄を行う。
特開２０１６－１５４６９号公報 特開２０１８－９８４５２号公報
半導体基板の洗浄プロセスでは、洗浄装置において半導体基板の表面のパターンに応じてアルカリ性の薬液を使う場合と、酸性の薬液を使う場合とがある。また、半導体デバイスの微細化に伴い半導体基板のパターン面の配線幅が狭くなってきており、従来の洗浄プロセスでは必ずしも落ちなくてもよかった粒径が２０ｎｍ～３０ｎｍまたはそれ以下の粒径の粒子も無視できなくなってきている。そこで、たとえば半導体基板のパターンが形成されている表面は相対的に濃度の大きい洗浄液で洗浄し、パターンが形成されていない裏面は相対的に濃度の小さい洗浄液で洗浄する、などのように洗浄部位によって異なる濃度の薬液を使用できることが望ましい。本願は、１つの洗浄装置において、種類の異なる洗浄薬液を基板に供給でき、また、必要に応じて薬液の濃度および／または流量を変更することができる洗浄装置を提供することを１つの目的としている。
一実施形態によれば、基板を洗浄するための薬液を洗浄装置に供給するための洗浄薬液供給装置が提供され、第１薬液と希釈水とを混合し、所望の流量及び濃度に調整した第１薬液を、洗浄装置において基板の第１位置に供給するための第１ノズルへ供給するための第１混合器と、第１薬液と希釈水とを混合し、所望の流量及び濃度に調整した第１薬液を、洗浄装置において基板の前記第１位置とは異なる第２位置に供給するための第２ノズルへ供給するための第２混合器と、前記第１混合器および前記第２混合器へ供給される希釈水の流量を制御するための、第１希釈水制御ボックスと、第１薬液とは異なる種類の第２薬液と希釈水とを混合し、所望の流量及び濃度に調整した第２薬液を、洗浄装置において基板の第３位置に供給するための第３ノズルへ供給するための第３混合器と、第２薬液と希釈水とを混合し、所望の流量及び濃度に調整した第２薬液を、洗浄装置において基板の前記第３位置とは異なる第４位置に供給するための第４ノズルへ供給するための第４混合器と、前記第３混合器および前記第４混合器へ供給される希釈水の流量を制御するための、第２希釈水制御ボックスと、を有する。
一実施形態による洗浄薬液供給装置を示す概略正面図である。 一実施形態による洗浄モジュールの流体回路図である。 一実施形態による洗浄装置の薬液洗浄槽を概略的に示す図である。 一実施形態による第１薬液ユーティリティボックスを示す図である。 一実施形態による第２薬液ユーティリティボックスを示す図である。 一実施形態による第１希釈水制御ボックスを示す図である。 一実施形態による第２希釈水制御ボックスを示す図である。 一実施形態による第１薬液希釈ボックスを示す図である。 一実施形態による第２薬液希釈ボックスを示す図である。
以下に、本発明の実施形態を添付図面とともに説明する。添付図面において、同一または類似の要素には同一または類似の参照符号が付され、各実施形態の説明において同一または類似の要素に関する重複する説明は省略することがある。また、各実施形態で示される特徴は、互いに矛盾しない限り他の実施形態にも適用可能である。
図１は、本発明の一実施形態に係る洗浄薬液供給装置を示す概略正面図である。本実施形態の洗浄薬液供給装置１００は、洗浄のための薬液（例えばフッ酸やアンモニアなど）を、基板処理装置が有する洗浄装置２００に供給可能に構成される。基板処理装置は、例えば、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）装置等の研磨装置を含む。
図１に示すように、一実施形態に係る洗浄薬液供給装置１００は、ケース１０１と、第１希釈水制御ボックス１１０と、第２希釈水制御ボックス１１０ａと、第１薬液希釈ボックス１２０と、第２薬液希釈ボックス１３０と、第１薬液ユーティリティボックス５０と、第２薬液ユーティリティボックス６０と、を有する。第１希釈水制御ボックス１１０と、第２希釈水制御ボックス１１０ａと、第１薬液希釈ボックス１２０と、第２薬液希釈ボックス１３０と、第１薬液ユーティリティボックス５０と、第２薬液ユーティリティボックス６０は、ケース１０１内に収納される。
第１薬液希釈ボックス１２０は、第１薬液と希釈水とを混合し、流量及び濃度を調整した薬液（希釈後の薬液）を生成する。第２薬液希釈ボックス１３０は、第２薬液と、希釈水とを混合し、流量及び濃度を調整した薬液（希釈後の薬液）を生成する。希釈水は、ＤＩＷ（Ｄｅ－Ｉｏｎｉｚｅｄ Ｗａｔｅｒ）、その他の希釈媒体である。以下の説明では、希釈水は、ＤＩＷであるとして説明するが、希釈水はＤＩＷ以外の希釈媒体であってもよい。
洗浄薬液供給装置１００において、第１薬液ユーティリティボックス５０は、第１薬液供給源２０からの薬液を洗浄薬液供給装置１００に導入するための構成である。また、第２薬液ユーティリティボックス６０は、第２薬液供給源２１からの薬液を洗浄薬液供給装置１００に導入するための構成である。図１に示される例では、６つの薬液ユーティリティボックス５０、６０が洗浄薬液供給装置１００に設けられているが、これは一例であり、洗浄装置２００の仕様に応じて薬液ユーティリティボックス５０、６０の数は適宜変更される。第１薬液および第２薬液は、異なる種類の薬液とすることができる。たとえば、一方をアルカリ性の薬液とし、他方を酸性の薬液とすることができる。
図２は、一実施形態に係る洗浄モジュールの流体回路図である。洗浄モジュールは、洗浄薬液供給装置１００と、洗浄装置２００とを備えている。洗浄薬液供給装置１００において、第１薬液ユーティリティボックス５０は、第１薬液供給源２０からの薬液を洗浄薬液供給装置１００に導入するための構成である。第１薬液ユーティリティボックス５０は、第１薬液供給源２０からの配管２７、およびＤＩＷ供給源３０からの配管８４に連結されている。また、第１薬液ユーティリティボックス５０は、第１薬液希釈ボックス１２０
へ第１薬液を供給するための配管９１に連結されている。第１薬液ユーティリティボックス５０の詳細は後述する。
洗浄薬液供給装置１００において、第２薬液ユーティリティボックス６０は、第２薬液供給源２１からの薬液を洗浄薬液供給装置１００に導入するための構成である。第２薬液ユーティリティボックス６０は、第２薬液供給源２１からの配管２９、およびＤＩＷ供給源３０からの配管８５、に連結されている。また、第２薬液ユーティリティボックス６０は、第２薬液希釈ボックス１３０へ第２薬液を供給するための配管９２に連結されている。第２薬液ユーティリティボックス６０の詳細は後述する。
洗浄薬液供給装置１００において、第１希釈水制御ボックス１１０は、ＤＩＷ供給源３０からの配管８３に連結されている。また、第１希釈水制御ボックス１１０は、第１薬液希釈ボックス１２０へ希釈水を供給するための配管８６、８７に連結されている。第１希釈水制御ボックス１１０の詳細は後述する。
洗浄薬液供給装置１００において、第２希釈水制御ボックス１１０ａは、希釈水を第２薬液希釈ボックス１３０へ供給するための構成である。第２希釈水制御ボックス１１０ａは、ＤＩＷ供給源３０からの配管８３ａに連結されている。また、第２希釈水制御ボックス１１０ａは、第２薬液希釈ボックス１３０へ希釈水を供給するための配管８８、８９に連結されている。第２希釈水制御ボックス１１０ａの詳細は後述する。
薬液供給装置１００は、一端がＤＩＷ供給源３０に接続され、他端が洗浄装置２００のＤＩＷ洗浄部２１０に接続された、ＤＩＷ供給配管３１を備えている。ＤＩＷ供給配管３１には、ＤＩＷ供給バルブ３６と、ＤＩＷ圧調節レギュレータ３７と、ＤＩＷ圧力計３８と、が設けられている。ＤＩＷ供給バルブ３６は、開閉されることで、ＤＩＷ供給源３０からＤＩＷ供給配管３１へのＤＩＷの供給を制御する。ＤＩＷ圧調節レギュレータ３７は、ＤＩＷ供給配管３１からＤＩＷ洗浄部２１０へのＤＩＷの供給圧力を調節する。ＤＩＷ圧力計３８は、ＤＩＷ供給配管３１の内部を通過するＤＩＷの圧力を計測する。
ＤＩＷ供給配管３１上のＤＩＷ供給バルブ３６とＤＩＷ圧調節レギュレータ３７との間には、第１希釈水制御ボックス１１０への配管８３、第２希釈水制御ボックス１１０ａへの配管８３ａ、第１薬液ユーティリティボックス５０への配管８４、および第２薬液ユーティリティボックス６０への配管８５へ連結されている分岐配管８２が接続されている。分岐配管８２には、ＤＩＷ圧調節レギュレータ７７と、ＤＩＷ圧力計７６と、が設けられている。ＤＩＷ圧調節レギュレータ７７は、分岐配管８２から、第１希釈水制御ボックス１１０、第２希釈水制御ボックス１１０ａ、第１薬液ユーティリティボックス５０、および第２薬液ユーティリティボックス６０の各部へのＤＩＷの供給圧力を調節する。ＤＩＷ圧力計７６は、分岐配管８２の内部を通過するＤＩＷの圧力を計測する。
洗浄薬液供給装置１００において、第１薬液希釈ボックス１２０は、希釈された第１薬液を洗浄装置２００の薬液洗浄槽２２０に供給するための構成である。第１薬液希釈ボックス１２０は、第１薬液ユーティリティボックス５０からの配管９１、第１希釈水制御ボックス１１０からの配管８６、８７に連結されている。また、第１薬液希釈ボックス１２０は、薬液洗浄槽２２０へ希釈された第１薬液を供給するための配管９３、９４、９５に連結されている。第１薬液希釈ボックス１２０は、第１薬液を少なくとも２つの異なる濃度に希釈して、異なる濃度の第１薬液を薬液洗浄槽２２０へ供給できるように構成される。第１薬液希釈ボックス１２０の詳細は後述する。
洗浄薬液供給装置１００において、第２薬液希釈ボックス１３０は、希釈された第２薬液を洗浄装置２００の薬液洗浄槽２２０に供給するための構成である。第２薬液希釈ボッ
クス１３０は、第２薬液ユーティリティボックス６０からの配管９２、第２希釈水制御ボックス１１０ａからの配管８８、８９に連結されている。また、第２薬液希釈ボックス１３０は、薬液洗浄槽２２０へ希釈された第２薬液を供給するための配管９６、９７、９８に連結されている。第２薬液希釈ボックス１３０は、第２薬液を少なくとも２つの異なる濃度に希釈して、異なる濃度の第２薬液を薬液洗浄槽２２０へ供給できるように構成される。第２薬液希釈ボックス１３０の詳細は後述する。
図３は、一実施形態による洗浄装置２００の薬液洗浄槽２２０を概略的に示す図である。洗浄装置２００は、研磨装置等の基板処理装置に設置され、基板Ｗを洗浄する装置である。薬液洗浄槽２２０は、洗浄装置２００において基板Ｗを薬液で洗浄するための槽である。図３に示される実施形態において、基板Ｗは、図示しない基板保持機構により薬液洗浄槽２２０内に保持される。基板保持機構は、たとえば基板Ｗの外周部のみを支持し、基板Ｗの上面および下面のほぼ全体が露出されるように保持されることが望ましい。また、基板保持機構は、基板Ｗを回転可能に支持できることが望ましい。薬液洗浄槽２２０内での基板保持機構は公知のものも含め任意の基板保持機構を採用することができる。
図３に示されるように、薬液洗浄槽２２０は、基板Ｗの上面側に配置される第１上ノズル２２４と第２上ノズル２３４とを備える。第１上ノズル２２４および第２上ノズル２３４は、基板Ｗの上方に配置され、基板Ｗの上面に向けてそれぞれ希釈された第１薬液および第２薬液を噴射する。図示のように、第１上ノズル２２４は、第１薬液希釈ボックス１２０からの配管９３に接続されている。そのため、第１上ノズル２２４は、第１薬液希釈ボックス１２０で所望の流量および濃度に調整された第１薬液を基板Ｗの上面に供給することができる。また、図示のように、第２上ノズル２３４は、第２薬液希釈ボックス１３０からの配管９６に接続されている。そのため、第２上ノズル２３４は、第２薬液希釈ボックス１３０で所望の流量および濃度に調整された第２薬液を基板Ｗの上面に供給することができる。第１上ノズル２２４および第２上ノズル２３４は、流路上の圧損を低減するために、低圧損タイプのノズル（例えば、フラットタイプの噴出口のもの）を使用することが好ましい。基板Ｗを回転させながら、第１上ノズル２２４または第２上ノズル２３４により薬液を基板Ｗの中央付近に供給することで、基板Ｗの上面に供給された薬液が遠心力により基板Ｗ上で広がり、基板Ｗの上面の全体を洗浄することができる。
一実施形態において、第１上ノズル２２４および第２上ノズル２３４は、ノズルの向きを変更可能に構成することができる。ノズルの向きを変更可能とすることで、基板Ｗの上面の任意の位置に薬液を供給することができる。また、一実施形態において、第１上ノズル２２４および第２上ノズル２３４は、移動可能に構成してもよい。ノズルを移動可能とすることで、基板Ｗの上面の任意の位置に薬液を供給することができる。
上述の実施形態においては、薬液洗浄槽２２０において、基板Ｗの上面に異なる種類の薬液を供給して基板Ｗを洗浄することができる。基板処理装置における基板の処理過程で異なる種類の薬液を用いて基板を洗浄する必要がある場合がある。そのような場合においても、同一の洗浄装置２００および薬液洗浄槽２２０を用いて基板Ｗを洗浄することができる。
図３に示されるように、薬液洗浄槽２２０は、基板Ｗの下面側に配置される第１下ノズル２２５と第２下ノズル２３５とを備える。第１下ノズル２２５および第２下ノズル２３５は、基板Ｗの下方に配置され、基板Ｗの下面に向けてそれぞれ希釈された第１薬液および第２薬液を噴射する。図示のように、第１下ノズル２２５は、第１薬液希釈ボックス１２０からの配管９４に接続されている。そのため、第１下ノズル２２５は、第１薬液希釈ボックス１２０で所望の流量および濃度に調整された第１薬液を基板Ｗの下面に供給することができる。また、図示のように、第２下ノズル２３５は、第２薬液希釈ボックス１３
０からの配管９７に接続されている。そのため、第２下ノズル２３５は、第２薬液希釈ボックス１３０で所望の流量および濃度に調整された第２薬液を基板Ｗの下面に供給することができる。第１下ノズル２２５および第２下ノズル２３５は、たとえば細長い円筒形の筐体に複数のノズル穴が設けられた構造である。円筒形の筐体は、概ね基板Ｗの直径と同程度の長手寸法を備える。基板Ｗを回転させながら、第１下ノズル２２５または第２下ノズル２３５から基板Ｗの下面に薬液を供給することで、基板Ｗの下面の全体を洗浄することができる。
一実施形態において、第１下ノズル２２５および第２下ノズル２３５は、ノズルの向きを変更可能に構成することができる。ノズルの向きを変更可能とすることで、基板Ｗの下面の任意の位置に薬液を供給することができる。また、一実施形態において、第１下ノズル２２５および第２下ノズル２３５は、移動可能に構成してもよい。ノズルを移動可能とすることで、基板Ｗの下面の任意の位置に薬液を供給することができる。第１下ノズル２２５および第２下ノズル２３５は、流路上の圧損を低減するために、低圧損タイプのノズルを使用することが好ましい。
一実施形態において、薬液洗浄槽２２０は、図３に示されるように、待機部２２６を備える。待機部２２６には、洗浄装置２００での洗浄を待機している基板を配置することができる。図３に示されるように、待機部２２６は、第１薬液希釈ボックス１２０からの配管９５、および第２薬液希釈ボックス１３０からの配管９８に接続されている。そのため。待機部２２６は、待機している基板に対して、第１薬液希釈ボックス１２０で所望の流量および濃度に調整された第１薬液、および第２薬液希釈ボックス１３０で所望の流量および濃度に調整された第２薬液を供給することができる。また、薬液洗浄槽２２０において、上述した上ノズル２２４、２３４、および下ノズル２２５、２３５で基板Ｗを洗浄していないときに、待機部２２６に薬液を供給することで、第１薬液ユーティリティボックス５０から第１薬液希釈ボックス１２０までの配管９１や、第２薬液ユーティリティボックス６０から第２薬液希釈ボックス１３０までの配管９２をフラッシングすることができる。
図４は、一実施形態による第１薬液ユーティリティボックス５０を示す図である。図４に示されるように、第１薬液ユーティリティボックス５０は、第１薬液供給源２０からの配管２７に接続されている。図４に示されるように、第１薬液ユーティリティボックス５０は、ロックアウト弁５３、薬液用の開閉弁５１、および圧力計５２を備えている。また、第１薬液ユーティリティボックス５０は、ＤＩＷ供給源３０からの配管８４に設けられる、フラッシング用の開閉弁７１を備える。ＤＩＷ供給源３０からの配管８４は、フラッシング用開閉弁７１を介して、開閉弁５１と圧力計５２との間に連結されている。開閉弁５１、７１は、制御装置１５０からの信号によって開閉制御される。なお、開閉弁５１、７１、および本明細書で説明される他の開閉弁は、空気圧式や電磁式に駆動されるものとすることができる。図示の実施形態において、フラッシング用の開閉弁７１を介してＤＩＷを下流に供給することで、管路の洗浄を行うことができる。たとえば、基板の洗浄のために薬液が供給されずに待機状態が継続している場合、管路内に留まっている薬液は劣化することになる。そこで、待機中に定期的に管路内を洗浄することで、基板の洗浄処理を再開するときに新しい薬液を供給することができる。ロックアウト弁５３は、手動で開閉される弁であり、例えば、メンテナンス時に洗浄薬液供給装置１００から第１薬液供給源２０を切り離す際に使用される。圧力計５２は、第１薬液供給源２０から洗浄薬液供給装置１００に導入される薬液の圧力を検出する。第１薬液ユーティリティボックス５０は、第１薬液希釈ボックス１２０へ第１薬液を供給するための配管９１に連結されている。
図５は、一実施形態による第２薬液ユーティリティボックス６０を示す図である。図５に示されるように、第２薬液ユーティリティボックス６０は、第２薬液供給源２１からの
配管２９に接続されている。図５に示されるように、第２薬液ユーティリティボックス６０は、ロックアウト弁６３、薬液用の開閉弁６１、および圧力計６２を備えている。また、第２薬液ユーティリティボックス６０は、ＤＩＷ供給源３０からの配管８５に設けられる、フラッシング用の開閉弁７２を備える。ＤＩＷ供給源３０からの配管８５は、フラッシング用開閉弁７２を介して、開閉弁６１と圧力計６２との間に連結されている。開閉弁６１、７２は、制御装置１５０からの信号によって開閉制御される。図示の実施形態において、フラッシング用の開閉弁７２を介してＤＩＷを下流に供給することで、管路の洗浄を行うことができる。たとえば、基板の洗浄のために薬液が供給されずに待機状態が継続している場合、管路内に留まっている薬液は劣化することになる。そこで、待機中に定期的に管路内を洗浄することで、基板の洗浄処理を再開するときに新しい薬液を供給することができる。ロックアウト弁６３は、手動で開閉される弁であり、例えば、メンテナンス時に洗浄薬液供給装置１００から第２薬液供給源２１を切り離す際に使用される。圧力計６２は、第２薬液供給源２１から洗浄薬液供給装置１００に導入される薬液の圧力を検出する。第２薬液ユーティリティボックス６０は、第２薬液希釈ボックス１３０へ第２薬液を供給するための配管９２に連結されている。
図６は、一実施形態による第１希釈水制御ボックス１１０を示す図である。図２に示されるように、第１希釈水制御ボックス１１０は、ＤＩＷ供給源３０からの配管８３に連結されている。第１希釈水制御ボックス１１０の内部で配管８３は２本に分岐する。
図６に示されるように、配管８３から分岐した一方の配管には、第１希釈水ＣＬＣ（Ｃｌｏｓｅｄ Ｌｏｏｐ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）１１１と、希釈水供給弁１１３とが接続されており、第１薬液希釈ボックス１２０への配管８６に連結される。第１希釈水ＣＬＣ１１１は、希釈水供給弁１１３および第１薬液希釈ボックス１２０へ供給する希釈水の流量を調整する。また、第１希釈水ＣＬＣ１１１は、第１希釈水ＣＬＣ１１１に流れる希釈水の流量を測定する流量計を備える。第１希釈水ＣＬＣ１１１は、この測定結果に基づいて、第１希釈水ＣＬＣ１１１内に流れる希釈水の流量が所望の流量になるように、第１希釈水ＣＬＣ１１１の内部コントロールバルブ１１２の開度を調節（フィードバック制御）する。
図６に示されるように、配管８３から分岐した他方の配管には、第２希釈水ＣＬＣ（Ｃｌｏｓｅｄ Ｌｏｏｐ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）１１１ａと、希釈水供給弁１１３ａとが接続されており、第１薬液希釈ボックス１２０への配管８７に連結される。第２希釈水ＣＬＣ１１１ａは、希釈水供給弁１１３ａおよび第１薬液希釈ボックス１２０へ供給する希釈水の流量を調整する。また、第２希釈水ＣＬＣ１１１ａは、第２希釈水ＣＬＣ１１１ａに流れる希釈水の流量を測定する流量計を備える。第２希釈水ＣＬＣ１１１ａは、この測定結果に基づいて、第２希釈水ＣＬＣ１１１ａ内に流れる希釈水の流量が所望の流量になるように、第２希釈水ＣＬＣ１１１ａの内部コントロールバルブ１１２ａの開度を調節（フィードバック制御）する。
図７は、一実施形態による第２希釈水制御ボックス１１０ａを示す図である。図２に示されるように、第２希釈水制御ボックス１１０ａは、ＤＩＷ供給源３０からの配管８３ａに連結されている。第２希釈水制御ボックス１１０ａの内部で配管８３ａは２本に分岐する。
図７に示されるように、配管８３ａから分岐した一方の配管には、第３希釈水ＣＬＣ１４１と、希釈水供給弁１４３とが接続されており、第２薬液希釈ボックス１３０への配管８８に連結される。第３希釈水ＣＬＣ１４１は、希釈水供給弁１４３および第２薬液希釈ボックス１３０へ供給する希釈水の流量を調整する。また、第３希釈水ＣＬＣ１４１は、第３希釈水ＣＬＣ１４１に流れる希釈水の流量を測定する流量計を備える。第３希釈水Ｃ
ＬＣ１４１は、この測定結果に基づいて、第３希釈水ＣＬＣ１４１内に流れる希釈水の流量が所望の流量になるように、第３希釈水ＣＬＣ１４１の内部コントロールバルブ１４２の開度を調節（フィードバック制御）する。
図７に示されるように、配管８３ａから分岐した他方の配管には、第４希釈水ＣＬＣ１４１ａと、希釈水供給弁１４３ａとが接続されており、第２薬液希釈ボックス１３０への配管８９に連結される。第４希釈水ＣＬＣ１４１ａは、希釈水供給弁１４３ａおよび第２薬液希釈ボックス１３０へ供給する希釈水の流量を調整する。また、第４希釈水ＣＬＣ１４１ａは、第４希釈水ＣＬＣ１４１ａに流れる希釈水の流量を測定する流量計を備える。第４希釈水ＣＬＣ１４１ａは、この測定結果に基づいて、第４希釈水ＣＬＣ１４１ａ内に流れる希釈水の流量が所望の流量になるように、第４希釈水ＣＬＣ１４１ａ内部コントロールバルブ１４２ａの開度を調節（フィードバック制御）する。
図８は、一実施形態による第１薬液希釈ボックス１２０を示す図である。第１薬液希釈ボックス１２０は、薬液の流量を制御し、また、流量が制御された希釈水と薬液を混合し、所望の流量および濃度の薬液を洗浄装置２００への配管９３、９４、９５へと供給する。図２に示されるように、第１薬液希釈ボックス１２０は、第１薬液ユーティリティボックス５０からの配管９１に接続されている。第１薬液希釈ボックス１２０の内部で配管９１は２本に分岐する。
図８に示されるように、配管９１から分岐した一方の配管には、第１薬液ＣＬＣ１２１、第１混合器１７１、圧力計１７３、および薬液弁１２３が接続されており、薬液洗浄槽２２０への配管９３に連結される。第１薬液ＣＬＣ１２１は、第１混合器１７１へ供給する第１薬液の流量を調整する。また、第１薬液ＣＬＣ１２１は、第１薬液ＣＬＣ１２１に流れる薬液の流量を測定する流量計を備える。第１薬液ＣＬＣ１２１は、この測定結果に基づいて、第１薬液ＣＬＣ１２１内に流れる薬液の流量が所望の流量になるように、第１薬液ＣＬＣ１２１の内部コントロールバルブ１２２の開度を調節（フィードバック制御）する。第１薬液希釈ボックス１２０において、第１薬液ＣＬＣ１２１と第１混合器１７１との間には、開閉弁１２８を介して第１希釈水制御ボックス１１０からの配管８６が連結されている。第１混合器１７１には、第１薬液ＣＬＣ１２１により所望の流量および濃度に調整された第１薬液と、第１希釈水制御ボックス１１０の第１希釈水ＣＬＣ１１１により所望の流量および濃度に調整された希釈水とが供給される。そのため、第１混合器１７１は、所望の濃度の薬液を生成することができる。第１混合器１７１により所望の濃度に調整された薬液を、薬液洗浄槽２２０に配置される第１上ノズル２２４から基板Ｗの上面に供給することができる。
図８に示されるように、配管９１から分岐した他方の配管には、第２薬液ＣＬＣ１２４、第２混合器１７２、圧力計１７４、および薬液弁１２６、１２７が接続されており、薬液洗浄槽２２０への配管９４、９５に連結される。第２薬液ＣＬＣ１２４は、第２混合器１７２へ供給する第１薬液の流量を調整する。また、第２薬液ＣＬＣ１２４は、第２薬液ＣＬＣ１２４に流れる薬液の流量を測定する流量計を備える。第２薬液ＣＬＣ１２４は、この測定結果に基づいて、第２薬液ＣＬＣ１２４内に流れる薬液の流量が所望の流量になるように、第２薬液ＣＬＣ１２４の内部コントロールバルブ１２５の開度を調節（フィードバック制御）する。第１薬液希釈ボックス１２０において、第２薬液ＣＬＣ１２４と第２混合器１７２との間には、開閉弁１２９を介して第１希釈水制御ボックス１１０からの配管８７が連結されている。第２混合器１７２には、第２薬液ＣＬＣ１２４により所望の流量および濃度に調整された第１薬液と、第１希釈水制御ボックス１１０の第２希釈水ＣＬＣ１１１ａにより所望の流量および濃度に調整された希釈水とが供給される。そのため、第２混合器１７２は、所望の濃度の薬液を生成することができる。第２混合器１７２により所望の濃度に調整された薬液を、薬液洗浄槽２２０に配置される第１下ノズル２２５
から基板Ｗの下面に供給することができる。また、図８に示されるように、第２混合器１７２の下流には分岐路が設けられており、薬液弁１２７を介して薬液を薬液洗浄槽２２０の待機部２２６へ供給することができる。
図９は、一実施形態による第２薬液希釈ボックス１３０を示す図である。第２薬液希釈ボックス１３０は、薬液の流量を制御し、また、流量が制御された希釈水と薬液を混合し、所望の流量および濃度の薬液を洗浄装置２００への配管９６、９７、９８へと出力する。図２に示されるように、第２薬液希釈ボックス１３０は、第２薬液ユーティリティボックス６０からの配管９２に接続されている。第２薬液希釈ボックス１３０の内部で配管９１は２本に分岐する。
図９に示されるように、配管９２から分岐した一方の配管には、第３薬液ＣＬＣ１３１、第３混合器１８１、圧力計１８３、および薬液弁１３３が接続されており、薬液洗浄槽２２０への配管９６に連結される。第３薬液ＣＬＣ１３１は、第３混合器１８１へ供給する第２薬液の流量を調整する。また、第３薬液ＣＬＣ１３１は、第３薬液ＣＬＣ１３１に流れる薬液の流量を測定する流量計を備える。第３薬液ＣＬＣ１３１は、この測定結果に基づいて、第３薬液ＣＬＣ１３１内に流れる薬液の流量が所望の流量になるように、第３薬液ＣＬＣ１３１の内部コントロールバルブ１３２の開度を調節（フィードバック制御）する。第２薬液希釈ボックス１３０において、第３薬液ＣＬＣ１３１と第３混合器１８１との間には、開閉弁１３８を介して第２希釈水制御ボックス１１０ａからの配管８８が連結されている。第３混合器１８１には、第３薬液ＣＬＣ１３１により所望の流量および濃度に調整された第２薬液と、第２希釈水制御ボックス１１０ａの第３希釈水ＣＬＣ１４１により所望の流量および濃度に調整された希釈水とが供給される。そのため、第３混合器１８１は、所望の濃度の薬液を生成することができる。第３混合器１８１により所望の濃度に調整された薬液を、薬液洗浄槽２２０に配置される第２上ノズル２３４から基板Ｗの上面に供給することができる。
図９に示されるように、配管９２から分岐した他方の配管には、第４薬液ＣＬＣ１３４、第４混合器１８２、圧力計１８４、および薬液弁１３６、１３７が接続されており、薬液洗浄槽２２０への配管９７、９８に連結される。第４薬液ＣＬＣ１３４は、第４混合器１８２へ供給する第２薬液の流量を調整する。また、第４薬液ＣＬＣ１３４は、第４薬液ＣＬＣ１３４に流れる薬液の流量を測定する流量計を備える。第４薬液ＣＬＣ１３４は、この測定結果に基づいて、第４薬液ＣＬＣ１３４内に流れる薬液の流量が所望の流量になるように、第４薬液ＣＬＣ１２４の内部コントロールバルブ１３５の開度を調節（フィードバック制御）する。第２薬液希釈ボックス１３０において、第４薬液ＣＬＣ１３４と第４混合器１８２との間には、開閉弁１３９を介して第２希釈水制御ボックス１１０ａからの配管８９が連結されている。第４混合器１８２には、第４薬液ＣＬＣ１３４により所望の流量および濃度に調整された第２薬液と、第２希釈水制御ボックス１１０ａの第４希釈水ＣＬＣ１４１ａにより所望の流量および濃度に調整された希釈水とが供給される。そのため、第４混合器１８２は、所望の濃度の薬液を生成することができる。第４混合器１８２により所望の濃度に調整された薬液を、薬液洗浄槽２２０に配置される第２下ノズル２３５から基板Ｗの下面に供給することができる。また、図９に示されるように、第４混合器１８２の下流には分岐路が設けられており、薬液弁１３７を介して薬液を薬液洗浄槽２２０の待機部２２６へ供給することができる。
制御装置１５０（図２参照）は、例えば、洗浄薬液供給装置１００に対して設けられる制御装置であってもよいし、洗浄モジュールに対して設けられる制御装置であってもよいし、洗浄モジュールが設けられる研磨装置等の基板処理装置に対して設けられる制御装置であってもよい。制御装置１５０は、マイクロコンピュータ、シーケンサー等のコンピュータまたは制御回路と、制御回路で実行されるプログラムを格納した記録媒体（揮発性、
不揮発性メモリ等）と、を備えている。プログラムには、洗浄薬液供給装置１００及び洗浄装置２００による薬液（希釈後の薬液）の供給、洗浄を実施するプログラムが含まれている。このプログラムに従って、洗浄薬液供給装置１００及び洗浄装置２００の各部が制御される。なお、上記プログラムは、制御装置１５０に着脱可能な記録媒体（ＣＤ、フラッシュメモリ等）に格納されてもよい。また、制御装置１５０が有線又は無線を介して読み込み可能な記録媒体に格納されてもよい。
上述の実施形態においては、薬液洗浄槽２２０において、第１薬液および第２薬液の異なる種類の薬液を基板に供給して基板を洗浄することができる。基板の表面のパターンや、直前に基板に施された処理に適した薬液の種類を選択して基板を洗浄することができる。たとえば、第１薬液および第２薬液の一方をアルカリ性の薬液とし、他方を酸性の薬液とすることができる。
また、上述の実施形態においては、基板の上面と下面とで異なる濃度の薬液を供給することができる。たとえは、基板の表面には濃度の大きな薬液を供給し、基板の裏面には濃度の小さな薬液を供給して基板の全体を洗浄することができる。また、上述の実施形態においては、基板への薬液の供給流量を任意に制御することができる。たとえば、基板の表面には大きな流量で薬液を供給し、基板の裏面には小さな流量で薬液を供給してもよい。また、基板の洗浄の途中で、薬液の濃度および／または流量を変更することもできる。たとえば、洗浄の初期においては薬液の濃度および／または流量を大きくし、洗浄が進むにつれて薬液の濃度および／または流量を小さくしていくように制御してもよい。
なお、図示の実施形態においては、洗浄薬液供給装置１００は、１つの洗浄装置２００に洗浄薬液を供給するように構成されているが、他の実施形態として、洗浄薬液供給装置１００を２つまたはそれ以上の洗浄装置２００へ薬液を供給するように構成してもよい。複数の洗浄装置２００に薬液を供給する場合、洗浄装置２００の数に対応して上述の第１薬液ユーティリティボックス５０、第２薬液ユーティリティボックス６０、第１薬液希釈ボックス１２０、および第２薬液希釈ボックス１３０に相当する構成をそれぞれ設け、第１希釈水制御ボックス１１０および第２希釈水制御ボックス１１０ａから分岐路を設けて、それぞれの第１薬液希釈ボックス１２０、および第２薬液希釈ボックス１３０に相当する構成に希釈水を供給するように構成することができる。
以上、いくつかの例に基づいて本発明の実施形態について説明してきたが、上記した発明の実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明には、その均等物が含まれることはもちろんである。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。
上述の実施形態から少なくとも以下の技術的思想が把握される。
［形態１］形態１によれば、基板を洗浄するための薬液を洗浄装置に供給するための洗浄薬液供給装置が提供され、かかる洗浄薬液供給装置は、第１薬液と希釈水とを混合し、所望の流量及び濃度に調整した第１薬液を、洗浄装置において基板の第１位置に供給するための第１ノズルへ供給するための第１混合器と、第１薬液と希釈水とを混合し、所望の流量及び濃度に調整した第１薬液を、洗浄装置において基板の前記第１位置とは異なる第２位置に供給するための第２ノズルへ供給するための第２混合器と、前記第１混合器および前記第２混合器へ供給される希釈水の流量を制御するための、第１希釈水制御ボックスと、第１薬液とは異なる種類の第２薬液と希釈水とを混合し、所望の流量及び濃度に調整した第２薬液を、洗浄装置において基板の第３位置に供給するための第３ノズルへ供給する
ための第３混合器と、第２薬液と希釈水とを混合し、所望の流量及び濃度に調整した第２薬液を、洗浄装置において基板の前記第３位置とは異なる第４位置に供給するための第４ノズルへ供給するための第４混合器と、前記第３混合器および前記第４混合器へ供給される希釈水の流量を制御するための、第２希釈水制御ボックスと、を有する。
［形態２］形態２によれば、形態１による洗浄薬液供給装置において、前記第１ノズルは、基板の上面に前記第１薬液を供給するように配置されており、前記第２ノズルは、基板の下面に前記第１薬液を供給するように配置されており、前記第３ノズルは、基板の上面に前記第２薬液を供給するように配置されており、前記第４ノズルは、基板の下面に前記第２薬液を供給するように配置されている。
［形態３］形態３によれば、形態１または形態２による洗浄薬液供給装置において、前記第１混合器に供給される第１薬液の流量の流量を制御するための第１薬液ＣＬＣと、前記第１混合器に供給される希釈水の流量の流量を制御するための第１希釈水ＣＬＣと、前記第２混合器に供給される第１薬液の流量の流量を制御するための第２薬液ＣＬＣと、前記第２混合器に供給される希釈水の流量の流量を制御するための第２希釈水ＣＬＣと、前記第３混合器に供給される第２薬液の流量の流量を制御するための第３薬液ＣＬＣと、前記第３混合器に供給される希釈水の流量の流量を制御するための第３希釈水ＣＬＣと、前記第４混合器に供給される第２薬液の流量の流量を制御するための第４薬液ＣＬＣと、前記第４混合器に供給される希釈水の流量の流量を制御するための第４希釈水ＣＬＣと、を有する。
［形態４］形態４によれば、形態１から形態３のいずれか１つの形態による洗浄薬液供給装置において、前記第１薬液および前記第２薬液の一方はアルカリ性の薬液であり、他方は酸性の薬液である。
［形態５］形態５によれば、基板を洗浄するための薬液を洗浄装置に供給するための洗浄薬液供給方法が提供され、かかる方法は、第１薬液および希釈水の流量を制御しながら第１混合器に供給する工程と、第１混合器から基板の第１位置に第１薬液を供給する工程と、第１薬液および希釈水の流量を制御しながら第２混合器に供給する工程と、第２混合器から基板の前記第１位置とは異なる第２位置に第１薬液を供給する工程と、第２薬液および希釈水の流量を制御しながら第３混合器に供給する工程と、第３混合器から基板の第３位置に第２薬液を供給する工程と、第２薬液および希釈水の流量を制御しながら第４混合器に供給する工程と、第４混合器から基板の前記第３位置とは異なる第４位置に第２薬液を供給する工程と、を有する。
［形態６］形態６によれば、形態５による洗浄薬液供給方法において、前記基板の第１位置は、基板の上面であり、前記基板の第２位置は、基板の下面であり、前記基板の第３位置は、基板の上面であり、前記基板の第４位置は、基板の下面である。
［形態７］形態７によれば、形態５または形態６による洗浄薬液供給方法において、前記第１混合器への第１薬液および希釈水の流量の制御は、前記第１混合器へ供給される第１薬液および希釈水のそれぞれの流量に基づいてフィードバック制御を行い、前記第２混合器への第１薬液および希釈水の流量の制御は、前記第２混合器へ供給される第１薬液および希釈水のそれぞれの流量に基づいてフィードバック制御を行い、前記第３混合器への第２薬液および希釈水の流量の制御は、前記第３混合器へ供給される第２薬液および希釈水のそれぞれの流量に基づいてフィードバック制御を行い、前記第４混合器への第２薬液および希釈水の流量の制御は、前記第４混合器へ供給される第２薬液および希釈水のそれぞれの流量に基づいてフィードバック制御を行う。
［形態８］形態８によれば、形態５から形態７のいずれか１つの形態の洗浄薬液供給方法において、以下の（１）～（４）の工程：（１）第１薬液および希釈水の流量を制御しながら第１混合器に供給する工程は、基板の洗浄の初期においては、第１混合器から基板の第１位置に供給される第１薬液の濃度および／または流量が相対的に大きくなるように制御され、（２）第１薬液および希釈水の流量を制御しながら第２混合器に供給する工程は、基板の洗浄の初期においては、第２混合器から基板の第２位置に供給される第１薬液の濃度および／または流量が相対的に大きくなるように制御され、（３）第２薬液および希釈水の流量を制御しながら第３混合器に供給する工程は、基板の洗浄の初期においては、第３混合器から基板の第３位置に供給される第２薬液の濃度および／または流量が相対的に大きくなるように制御され、（４）第２薬液および希釈水の流量を制御しながら第４混合器に供給する工程は、基板の洗浄の初期においては、第４混合器から基板の第４位置に供給される第２薬液の濃度および／または流量が相対的に大きくなるように制御され、の少なくとも１つを有する。
［形態９］形態９によれば、形態５から形態８のいずれか１つの形態による洗浄薬液供給方法において、前記第１薬液および前記第２薬液の一方はアルカリ性の薬液であり、他方は酸性の薬液である。
２０…第１薬液供給源
２１…第２薬液供給源
３０…ＤＩＷ供給源
５０…第１薬液ユーティリティボックス
６０…第２薬液ユーティリティボックス
１００…洗浄薬液供給装置
１１０…第１希釈水制御ボックス
１１０ａ…第２希釈水制御ボックス
１２０…第１薬液希釈ボックス
１３０…第２薬液希釈ボックス
１５０…制御装置
１７１…第１混合器
１７２…第２混合器
１８１…第３混合器
１８２…第４混合器
２００…洗浄装置
２１０…ＤＩＷ洗浄部
２２０…薬液洗浄槽
２２４…第１上ノズル
２２５…第１下ノズル
２２６…待機部
２３４…第２上ノズル
２３５…第２下ノズル
Ｗ…基板

Claims (9)

  1. 基板を洗浄するための薬液を洗浄装置に供給するための洗浄薬液供給装置であって、
    第１薬液と希釈水とを混合し、所望の流量及び濃度に調整した第１薬液を、洗浄装置において基板の第１位置に供給するための第１ノズルへ供給するための第１混合器と、
    第１薬液と希釈水とを混合し、所望の流量及び濃度に調整した第１薬液を、洗浄装置において基板の前記第１位置とは異なる第２位置に供給するための第２ノズルへ供給するための第２混合器と、
    前記第１混合器および前記第２混合器へ供給される希釈水の流量を制御するための、第１希釈水制御ボックスと、
    第１薬液とは異なる種類の第２薬液と希釈水とを混合し、所望の流量及び濃度に調整した第２薬液を、洗浄装置において基板の第３位置に供給するための第３ノズルへ供給するための第３混合器と、
    第２薬液と希釈水とを混合し、所望の流量及び濃度に調整した第２薬液を、洗浄装置において基板の前記第３位置とは異なる第４位置に供給するための第４ノズルへ供給するための第４混合器と、
    前記第３混合器および前記第４混合器へ供給される希釈水の流量を制御するための、第２希釈水制御ボックスと、を有する、
    洗浄薬液供給装置。
  2. 請求項１に記載の洗浄薬液供給装置であって、
    前記第１ノズルは、基板の上面に前記第１薬液を供給するように配置されており、
    前記第２ノズルは、基板の下面に前記第１薬液を供給するように配置されており、
    前記第３ノズルは、基板の上面に前記第２薬液を供給するように配置されており、
    前記第４ノズルは、基板の下面に前記第２薬液を供給するように配置されている、
    洗浄薬液供給装置。
  3. 請求項１または２に記載の洗浄薬液供給装置であって、
    前記第１混合器に供給される第１薬液の流量の流量を制御するための第１薬液ＣＬＣと、
    前記第１混合器に供給される希釈水の流量の流量を制御するための第１希釈水ＣＬＣと、
    前記第２混合器に供給される第１薬液の流量の流量を制御するための第２薬液ＣＬＣと、
    前記第２混合器に供給される希釈水の流量の流量を制御するための第２希釈水ＣＬＣと、
    前記第３混合器に供給される第２薬液の流量の流量を制御するための第３薬液ＣＬＣと、
    前記第３混合器に供給される希釈水の流量の流量を制御するための第３希釈水ＣＬＣと、
    前記第４混合器に供給される第２薬液の流量の流量を制御するための第４薬液ＣＬＣと、
    前記第４混合器に供給される希釈水の流量の流量を制御するための第４希釈水ＣＬＣと、を有する、
    洗浄薬液供給装置。
  4. 請求項１から３のいずれか一項に記載の洗浄薬液供給装置であって、
    前記第１薬液および前記第２薬液の一方はアルカリ性の薬液であり、他方は酸性の薬液である、
    洗浄薬液供給装置。
  5. 基板を洗浄するための薬液を洗浄装置に供給するための洗浄薬液供給方法であって、
    第１薬液および希釈水の流量を制御しながら第１混合器に供給する工程と、
    第１混合器から基板の第１位置に第１薬液を供給する工程と、
    第１薬液および希釈水の流量を制御しながら第２混合器に供給する工程と、
    第２混合器から基板の前記第１位置とは異なる第２位置に第１薬液を供給する工程と、
    第２薬液および希釈水の流量を制御しながら第３混合器に供給する工程と、
    第３混合器から基板の第３位置に第２薬液を供給する工程と、
    第２薬液および希釈水の流量を制御しながら第４混合器に供給する工程と、
    第４混合器から基板の前記第３位置とは異なる第４位置に第２薬液を供給する工程と、を有する、
    洗浄薬液供給方法。
  6. 請求項５に記載の洗浄薬液供給方法であって、
    前記基板の第１位置は、基板の上面であり、
    前記基板の第２位置は、基板の下面であり、
    前記基板の第３位置は、基板の上面であり、
    前記基板の第４位置は、基板の下面である、
    洗浄薬液供給方法。
  7. 請求項５または６に記載の洗浄薬液供給方法であって、
    前記第１混合器への第１薬液および希釈水の流量の制御は、前記第１混合器へ供給される第１薬液および希釈水のそれぞれの流量に基づいてフィードバック制御を行い、
    前記第２混合器への第１薬液および希釈水の流量の制御は、前記第２混合器へ供給される第１薬液および希釈水のそれぞれの流量に基づいてフィードバック制御を行い、
    前記第３混合器への第２薬液および希釈水の流量の制御は、前記第３混合器へ供給される第２薬液および希釈水のそれぞれの流量に基づいてフィードバック制御を行い、
    前記第４混合器への第２薬液および希釈水の流量の制御は、前記第４混合器へ供給される第２薬液および希釈水のそれぞれの流量に基づいてフィードバック制御を行う、
    洗浄薬液供給方法。
  8. 請求項５から７のいずれか一項に記載の洗浄薬液供給方法であって、
    以下の（１）～（４）の工程：
    （１）第１薬液および希釈水の流量を制御しながら第１混合器に供給する工程は、基板の洗浄の初期においては、第１混合器から基板の第１位置に供給される第１薬液の濃度および／または流量が相対的に大きくなるように制御され、
    （２）第１薬液および希釈水の流量を制御しながら第２混合器に供給する工程は、基板の洗浄の初期においては、第２混合器から基板の第２位置に供給される第１薬液の濃度および／または流量が相対的に大きくなるように制御され、
    （３）第２薬液および希釈水の流量を制御しながら第３混合器に供給する工程は、基板の洗浄の初期においては、第３混合器から基板の第３位置に供給される第２薬液の濃度および／または流量が相対的に大きくなるように制御され、
    （４）第２薬液および希釈水の流量を制御しながら第４混合器に供給する工程は、基板の洗浄の初期においては、第４混合器から基板の第４位置に供給される第２薬液の濃度および／または流量が相対的に大きくなるように制御され、
    の少なくとも１つを有する、
    洗浄薬液供給方法。
  9. 請求項５から８のいずれか一項に記載の洗浄薬液供給方法であって、
    前記第１薬液および前記第２薬液の一方はアルカリ性の薬液であり、他方は酸性の薬液
    である、
    洗浄薬液供給方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116715339A (zh) * 2023-06-25 2023-09-08 天富（连云港）食品配料有限公司 一种edta系列废水连续中和装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004172573A (ja) 2002-10-29 2004-06-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2015082650A (ja) 2013-10-24 2015-04-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP2016015469A (ja) 2014-06-09 2016-01-28 株式会社荏原製作所 洗浄薬液供給装置、洗浄薬液供給方法、及び洗浄ユニット
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102433049B1 (ko) * 2016-12-16 2022-08-17 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 세정 유닛 및 프로그램을 저장한 기억 매체

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004172573A (ja) 2002-10-29 2004-06-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2015082650A (ja) 2013-10-24 2015-04-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP2016015469A (ja) 2014-06-09 2016-01-28 株式会社荏原製作所 洗浄薬液供給装置、洗浄薬液供給方法、及び洗浄ユニット
JP2018098452A (ja) 2016-12-16 2018-06-21 株式会社荏原製作所 洗浄薬液供給装置、洗浄ユニット、及びプログラムを格納した記憶媒体

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