JP5359286B2 - 超臨界処理装置、基板処理システム及び超臨界処理方法 - Google Patents
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Description
前記処理容器内に前記処理流体を供給する処理流体供給部と、
前記載置台の載置面よりも下方側に設けられ、処理容器内に供給された処理流体を超臨界状態とするために処理流体を加熱する加熱部と、
前記基板に処理流体が供給されるまでに基板からの前記液体の蒸発を抑えるために、前記加熱部から当該基板への伝熱を抑制する伝熱抑制機構と、
前記載置面と加熱部との間の伝熱面の伝熱状態を、基板の処理時には加熱部により処理流体を加熱するための第1の状態に切り替え、基板の処理終了後、次の基板が載置台に載置されるまでに、基板からの前記液体の蒸発を抑えるために第1の状態よりも熱が伝わりにくい第2の状態に切り替える伝熱状態切り替え機構と、を備え、
前記伝熱状態切り替え機構は、前記伝熱抑制機構を兼用すると共に、当該伝熱状態切り替え機構は、載置台に設けられた流体流路と、第2の状態を得るために当該流体流路に冷媒を供給する冷媒供給部と、第1の状態を得るために前記流体流路に冷媒よりも比熱の小さいパージ流体を供給するパージ流体供給部と、を備えたことを特徴とする。
また他の発明は、上記超臨界処理装置において、前記加熱部が前記載置台の載置面よりも下方側に設けられていない場合を含む。
(a)前記伝熱抑制機構は、前記加熱部から前記基板へと熱が伝わる領域を強制冷却する冷却機構であること。
(b)前記パージ流体供給部は、前記流体流路にパージ流体を満たした後、パージ流体の通流を停止すること。
(c)第2の状態を得るために、前記冷媒供給部に代えて、当該流体流路を真空排気する真空排気部を備えること。
(d)超臨界処理装置は、第2の状態から第1の状態への切り替えを、前記処理流体供給部から処理容器内に供給された処理流体が前記載置台上に載置された基板の上面より高い位置まで溜まった後に行うこと。
(e)前記基板は、前記載置台を介した基板への伝熱を遅らせるためのトレーに載せられ、液体が付着した状態で前記載置台に載置されること。
この液処理装置から前記処理容器内に搬入された基板を前記超臨界状態の処理流体により処理する上述の各超臨界処理装置と、
前記液処理装置と超臨界処理装置との間で基板を搬送する基板搬送部と、を備えたことを特徴とする。
液体が付着した基板を前記処理容器内に搬入して、強制冷却されている載置面に載置する工程と、
次いで前記処理容器を密閉する工程と、
その後、超臨界状態の処理流体を前記基板の表面に供給すると共に、前記強制冷却を解除しかつ載置面よりも下方側に設けられた加熱部により前記載置面を加熱することにより前記処理流体を加熱して超臨界状態として液体を除去する処理を行う工程と、を含み、
前記加熱部により前記処理流体を加熱する工程は、前記載置面と加熱部との間の伝熱状態を第1の状態に設定する工程であり、
前記載置台の載置面を強制冷却する工程は、前記伝熱状態を、第1の状態よりも熱が伝わりにくく、前記基板からの液体の蒸発を抑える状態である第2の状態に切り替える工程であって、
前記第1の状態から第2の状態への伝熱状態の切り替えは、前記流体流路に供給されている前記冷媒よりも比熱の小さいパージ流体を、前記冷媒に切り替えることにより行われる。
1 液処理システム
2 液処理装置
3 超臨界処理装置
30 処理空間
31 処理容器
311 HFE供給路
312 HFE排出路
313 排気路
32 底板
321 載置台
322 冷媒流路
323 ヒーター
34 ガイド部材
4 HFE供給部
41 ポンプ
42 HFE供給ライン
421 閉止弁
43 HFE排出ライン
431 閉止弁
44 排気ライン
441 閉止弁
5 冷媒供給部
51 ポンプ
52 パージガス供給部
53 三方弁
54 冷媒供給ライン
55 冷媒排出ライン
6 電源部
7 制御部
81 真空ポンプ
82 三方弁
83 閉止弁
84 吸気ライン
85 載置台
86 トレー
87 リフター
88 ピン
Claims (9)
- 密閉可能な処理容器内の載置台に液体の付着した基板が載置され、前記液体が付着した基板に対して、超臨界状態の処理流体によって液体を除去する処理を行う超臨界処理装置において、
前記処理容器内に前記処理流体を供給する処理流体供給部と、
前記載置台の載置面よりも下方側に設けられ、処理容器内に供給された処理流体を超臨界状態とするために処理流体を加熱する加熱部と、
前記基板に処理流体が供給されるまでに基板からの前記液体の蒸発を抑えるために、前記加熱部から当該基板への伝熱を抑制する伝熱抑制機構と、
前記載置面と加熱部との間の伝熱面の伝熱状態を、基板の処理時には加熱部により処理流体を加熱するための第1の状態に切り替え、基板の処理終了後、次の基板が載置台に載置されるまでに、基板からの前記液体の蒸発を抑えるために第1の状態よりも熱が伝わりにくい第2の状態に切り替える伝熱状態切り替え機構と、を備え、
前記伝熱状態切り替え機構は、前記伝熱抑制機構を兼用すると共に、当該伝熱状態切り替え機構は、載置台に設けられた流体流路と、第2の状態を得るために当該流体流路に冷媒を供給する冷媒供給部と、第1の状態を得るために前記流体流路に冷媒よりも比熱の小さいパージ流体を供給するパージ流体供給部と、を備えたことを特徴とする超臨界処理装置。 - 密閉可能な処理容器内の載置台に液体の付着した基板が載置され、前記液体が付着した基板に対して、超臨界状態の処理流体によって液体を除去する処理を行う超臨界処理装置において、
前記処理容器内に前記処理流体を供給する処理流体供給部と、
処理容器内に供給された処理流体を超臨界状態とするために処理流体を加熱する加熱部と、
前記基板に処理流体が供給されるまでに基板からの前記液体の蒸発を抑えるために、前記加熱部から当該基板への伝熱を抑制する伝熱抑制機構と、
前記載置面と加熱部との間の伝熱面の伝熱状態を、基板の処理時には加熱部により処理流体を加熱するための第1の状態に切り替え、基板の処理終了後、次の基板が載置台に載置されるまでに、基板からの前記液体の蒸発を抑えるために第1の状態よりも熱が伝わりにくい第2の状態に切り替える伝熱状態切り替え機構と、を備え、
前記伝熱状態切り替え機構は、前記伝熱抑制機構を兼用すると共に、当該伝熱状態切り替え機構は、載置台に設けられた流体流路と、第2の状態を得るために当該流体流路に冷媒を供給する冷媒供給部と、第1の状態を得るために前記流体流路に冷媒よりも比熱の小さいパージ流体を供給するパージ流体供給部と、を備えたことを特徴とする超臨界処理装置。 - 前記伝熱抑制機構は、前記加熱部から前記基板へと熱が伝わる領域を強制冷却する冷却機構であることを特徴とする請求項1または2に記載の超臨界処理装置。
- 前記パージ流体供給部は、前記流体流路にパージ流体を満たした後、パージ流体の通流を停止することを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載の超臨界処理装置。
- 第2の状態を得るために、前記冷媒供給部に代えて、当該流体流路を真空排気する真空排気部を設けたことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の超臨界処理装置。
- 第2の状態から第1の状態への切り替えは、前記処理流体供給部から処理容器内に供給された処理流体が前記載置台上に載置された基板の上面より高い位置まで溜まった後に行われることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一つに記載の超臨界処理装置。
- 前記基板は、前記載置台を介した基板への伝熱を遅らせるためのトレーに載せられ、液体が付着した状態で前記載置台に載置されることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一つに記載の超臨界処理装置。
- 基板の表面に薬液を供給して当該表面を洗浄する液処理装置と、
この液処理装置から前記処理容器内に搬入された基板を前記超臨界状態の処理流体により処理する請求項1ないし7のいずれか一つに記載の超臨界処理装置と、
前記液処理装置と超臨界処理装置との間で基板を搬送する基板搬送部と、を備えたことを特徴とする基板処理システム。 - 処理容器内の載置台に設けられた流体流路に冷媒を供給して載置面を強制冷却する工程と、
液体が付着した基板を前記処理容器内に搬入して、強制冷却されている載置面に載置する工程と、
次いで前記処理容器を密閉する工程と、
その後、超臨界状態の処理流体を前記基板の表面に供給すると共に、前記強制冷却を解除しかつ載置面よりも下方側に設けられた加熱部により前記載置面を加熱することにより前記処理流体を加熱して超臨界状態として液体を除去する処理を行う工程と、を含み、
前記加熱部により前記処理流体を加熱する工程は、前記載置面と加熱部との間の伝熱状態を第1の状態に設定する工程であり、
前記載置台の載置面を強制冷却する工程は、前記伝熱状態を、第1の状態よりも熱が伝わりにくく、前記基板からの液体の蒸発を抑える状態である第2の状態に切り替える工程であって、
前記第1の状態から第2の状態への伝熱状態の切り替えは、前記流体流路に供給されている前記冷媒よりも比熱の小さいパージ流体を、前記冷媒に切り替えることにより行われることを特徴とする超臨界処理方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009001786A JP5359286B2 (ja) | 2009-01-07 | 2009-01-07 | 超臨界処理装置、基板処理システム及び超臨界処理方法 |
KR1020090130685A KR101384320B1 (ko) | 2009-01-07 | 2009-12-24 | 초임계 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 초임계 처리 방법 |
US12/652,794 US9076643B2 (en) | 2009-01-07 | 2010-01-06 | Supercritical processing apparatus, substrate processing system and supercritical processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009001786A JP5359286B2 (ja) | 2009-01-07 | 2009-01-07 | 超臨界処理装置、基板処理システム及び超臨界処理方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010161165A JP2010161165A (ja) | 2010-07-22 |
JP2010161165A5 JP2010161165A5 (ja) | 2011-04-21 |
JP5359286B2 true JP5359286B2 (ja) | 2013-12-04 |
Family
ID=42578148
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009001786A Active JP5359286B2 (ja) | 2009-01-07 | 2009-01-07 | 超臨界処理装置、基板処理システム及び超臨界処理方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9076643B2 (ja) |
JP (1) | JP5359286B2 (ja) |
KR (1) | KR101384320B1 (ja) |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5506461B2 (ja) * | 2010-03-05 | 2014-05-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 超臨界処理装置及び超臨界処理方法 |
KR20120028672A (ko) * | 2010-09-15 | 2012-03-23 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 |
JP5620234B2 (ja) * | 2010-11-15 | 2014-11-05 | 株式会社東芝 | 半導体基板の超臨界乾燥方法および基板処理装置 |
JP5450494B2 (ja) | 2011-03-25 | 2014-03-26 | 株式会社東芝 | 半導体基板の超臨界乾燥方法 |
JP5985156B2 (ja) * | 2011-04-04 | 2016-09-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体基板の超臨界乾燥方法及び装置 |
JP6085423B2 (ja) * | 2011-05-30 | 2017-02-22 | 株式会社東芝 | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 |
WO2012165377A1 (ja) * | 2011-05-30 | 2012-12-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 |
KR101572746B1 (ko) | 2011-05-30 | 2015-11-27 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체 |
JP6085424B2 (ja) * | 2011-05-30 | 2017-02-22 | 株式会社東芝 | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 |
JP5843277B2 (ja) | 2011-07-19 | 2016-01-13 | 株式会社東芝 | 半導体基板の超臨界乾燥方法及び装置 |
KR101874901B1 (ko) | 2011-12-07 | 2018-07-06 | 삼성전자주식회사 | 기판 건조 장치 및 방법 |
JP6068029B2 (ja) * | 2012-07-18 | 2017-01-25 | 株式会社東芝 | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 |
JP6400919B2 (ja) * | 2013-03-07 | 2018-10-03 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
KR102037844B1 (ko) * | 2013-03-12 | 2019-11-27 | 삼성전자주식회사 | 초임계 유체를 이용하는 기판 처리 장치, 이를 포함하는 기판 처리 시스템, 및 기판 처리 방법 |
JP6005702B2 (ja) * | 2014-09-18 | 2016-10-12 | 株式会社東芝 | 半導体基板の超臨界乾燥方法および基板処理装置 |
JP5897690B1 (ja) * | 2014-11-10 | 2016-03-30 | 株式会社オティックス | 軸受装置 |
JP6441176B2 (ja) * | 2015-07-10 | 2018-12-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 |
US10566182B2 (en) | 2016-03-02 | 2020-02-18 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium |
JP6532834B2 (ja) * | 2016-03-02 | 2019-06-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法並びに記録媒体 |
US20180323063A1 (en) * | 2017-05-03 | 2018-11-08 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for using supercritical fluids in semiconductor applications |
KR102358561B1 (ko) | 2017-06-08 | 2022-02-04 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 및 집적회로 소자 제조 장치 |
KR102434561B1 (ko) * | 2017-06-29 | 2022-08-23 | 주식회사 케이씨텍 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
JP6925219B2 (ja) * | 2017-09-29 | 2021-08-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
KR102143139B1 (ko) | 2018-04-30 | 2020-08-12 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
KR102163293B1 (ko) * | 2018-10-10 | 2020-10-08 | (주)엘케이시스템즈 | 반도체 기판 플럭스 세정 시스템 |
JP7224246B2 (ja) | 2019-06-28 | 2023-02-17 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP2021086857A (ja) * | 2019-11-25 | 2021-06-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2021163916A (ja) | 2020-04-02 | 2021-10-11 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
KR102622983B1 (ko) * | 2020-07-10 | 2024-01-11 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102609394B1 (ko) * | 2021-05-31 | 2023-12-06 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
KR102643365B1 (ko) * | 2021-09-03 | 2024-03-07 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1939836A (en) * | 1930-01-02 | 1933-12-19 | Edward R Tolfree | Apparatus for flushing water cooling systems |
JPH09232271A (ja) | 1996-02-20 | 1997-09-05 | Sharp Corp | 半導体ウェハの洗浄装置 |
JP3979764B2 (ja) | 2000-04-28 | 2007-09-19 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板熱処理装置 |
JP3553904B2 (ja) * | 2001-04-11 | 2004-08-11 | 日本電信電話株式会社 | 超臨界乾燥方法 |
TW538472B (en) * | 2001-04-27 | 2003-06-21 | Kobe Steel Ltd | Method and system for processing substrate |
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JP4230830B2 (ja) | 2003-06-13 | 2009-02-25 | 日本電信電話株式会社 | 超臨界処理装置 |
JP4307973B2 (ja) * | 2003-12-11 | 2009-08-05 | 株式会社日立ハイテクサイエンスシステムズ | 超臨界流体処理装置及びその方法 |
JP2007049065A (ja) * | 2005-08-12 | 2007-02-22 | Ntt Advanced Technology Corp | 超臨界処理装置 |
-
2009
- 2009-01-07 JP JP2009001786A patent/JP5359286B2/ja active Active
- 2009-12-24 KR KR1020090130685A patent/KR101384320B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-01-06 US US12/652,794 patent/US9076643B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101384320B1 (ko) | 2014-04-14 |
US9076643B2 (en) | 2015-07-07 |
JP2010161165A (ja) | 2010-07-22 |
US20110000507A1 (en) | 2011-01-06 |
KR20100081925A (ko) | 2010-07-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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