KR102434561B1 - 기판처리장치 및 기판처리방법 - Google Patents

기판처리장치 및 기판처리방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102434561B1
KR102434561B1 KR1020170082559A KR20170082559A KR102434561B1 KR 102434561 B1 KR102434561 B1 KR 102434561B1 KR 1020170082559 A KR1020170082559 A KR 1020170082559A KR 20170082559 A KR20170082559 A KR 20170082559A KR 102434561 B1 KR102434561 B1 KR 102434561B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
process chamber
supercritical fluid
supplied
substrate processing
Prior art date
Application number
KR1020170082559A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190002112A (ko
Inventor
김대민
Original Assignee
주식회사 케이씨텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 케이씨텍 filed Critical 주식회사 케이씨텍
Priority to KR1020170082559A priority Critical patent/KR102434561B1/ko
Publication of KR20190002112A publication Critical patent/KR20190002112A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102434561B1 publication Critical patent/KR102434561B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02101—Cleaning only involving supercritical fluids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 기판에 형성된 패턴의 리닝 현상을 방지함과 아울러 기판 처리 효율을 향상시킬 수 있는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공함에 그 목적이 있다.
이를 구현하기 위한 본 발명의 기판처리장치는, 기판이 안착되는 스테이지와, 상기 스테이지에 구비되어 약액이 도포된 상기 기판을 냉각 및 가열하는 온도조절부를 포함하여 구성된다.
본 발명의 기판처리방법은, 약액이 도포된 기판을 공정챔버 내로 반입하는 단계와, 상기 공정챔버 내로 초임계유체가 공급되기 전까지 상기 공정챔버 내로 반입된 기판을 냉각하는 단계를 포함하여 구성된다.
본 발명에 의하면, 공정챔버 내로 반입된 기판에 잔류하는 약액이 초임계유체가 공급되기 전에 증발되는 것을 방지하여 기판에 형성된 패턴의 리닝 현상을 방지함으로써, 기판 처리의 신뢰도를 향상시킬 수 있다.

Description

기판처리장치 및 기판처리방법{Apparatus and Method for processing substrate}
본 발명은 초임계유체를 이용한 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기판에 형성된 패턴의 리닝 현상을 방지함과 아울러 기판 처리 효율을 향상시킬 수 있는 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다.
일반적으로 세정은 습식세정과 건식세정으로 분류되며, 그 중에서도 습식세정은 반도체 제조분야에서 널리 이용되고 있다. 습식세정은 각각의 단계마다 오염물질에 맞는 화학물질을 사용하여 연속적으로 오염물질을 제거하는 방식으로서, 산과 알칼리 용액을 다량 사용하여 기판에 잔류하는 오염물질을 제거하게 된다.
그러나, 이러한 습식세정에 이용되는 화학물질은 환경에 악영향을 끼치고 있는 것은 물론이고 공정이 복잡하여 제품의 생산 단가를 크게 상승시키는 요인일 뿐만 아니라 고집적 회로와 같이 정밀한 부분의 세정에 이용되는 경우, 계면장력으로 인해 미세구조의 패턴이 협착되어 무너짐에 따라서 오염물 제거가 효과적으로 이루어지지 못한다는 문제점이 있었다.
이러한 문제를 해결하기 위한 방안으로, 최근에는 무독성이고, 불연성 물질이며, 값싸고 환경 친화적인 물질인 이산화탄소를 용매로 사용하는 건식 세정 방법이 개발되고 있다. 이산화탄소는 낮은 임계온도와 임계압력을 가지고 있어 초임계 상태에 쉽게 도달할 수 있으며, 계면장력이 제로(0)에 가깝고, 초임계 상태에서 높은 압축성으로 인하여 압력 변화에 따라 밀도 또는 용매세기를 변화시키기 용이하며, 감압에 의하여 기체 상태로 바뀌기 때문에 용질로부터 용매를 간단히 분리할 수 있는 장점이 있다.
이와 같이 초임계유체를 이용한 기판처리장치 및 기판처리방법과 관련된 선행기술은, 등록특허 제10-0822373호, 등록특허 제10-1384320호, 공개특허 제10-2017-0006570호 등에 개시되어 있다.
상기 선행기술들을 포함하여 종래에는, 피처리대상 기판이 공정챔버에 반입된 후에 초임계유체가 공정챔버 내로 유입되기 전까지 공정챔버를 초임계 상태의 온도로 가열하는 동안, 기판에 도포되어 있던 약액이 공정챔버 내부의 고온 분위기에 의해 증발하여 기판에 형성된 패턴들이 협착 및 붕괴되는 리닝(Leaning) 현상을 방지하기 위한 구성이 개시된 바 없다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 기판에 형성된 패턴의 리닝 현상을 방지함과 아울러 기판 처리 효율을 향상시킬 수 있는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 기판처리장치는, 기판이 안착되는 스테이지와, 상기 스테이지에 구비되어 약액이 도포된 상기 기판을 냉각 및 가열하는 온도조절부를 포함하여 구성된다.
상기 온도조절부는 인가되는 전류의 극성에 따라 냉각 및 가열되는 펠티어 소자를 포함하여 구성될 수 있으며, 기판이 공정챔버 내로 반입된 후 공정챔버 내로 초임계유체가 공급되기 전까지 온도조절부는 기판이 냉각되도록 동작하고, 초임계유체가 공정챔버 내로 공급되는 시점부터 온도조절부는 기판이 가열되도록 동작한다.
본 발명의 기판처리방법은, 약액이 도포된 기판을 공정챔버 내로 반입하는 단계와, 상기 공정챔버 내로 초임계유체가 공급되기 전까지 상기 공정챔버 내로 반입된 기판을 냉각하는 단계를 포함하여 구성된다. 상기 기판을 냉각하는 도중에 상기 공정챔버 내로 초임계유체가 공급되면 상기 기판을 가열하는 단계를 수행한다.
이와 같이 본 발명은 약액이 도포된 기판이 고온의 분위기로 가열된 공정챔버 내로 반입되는 시점부터 초임계유체가 공정챔버 내로 공급되기 전까지 기판을 냉각시킴으로써, 기판에 잔류하는 약액의 증발을 억제하여 기판에 형성된 패턴의 리닝 현상을 효과적으로 방지할 수 있는 구성을 제공한다.
본 발명에 따른 기판처리장치 및 기판처리방법에 의하면, 공정챔버 내로 반입된 기판에 잔류하는 약액이 초임계유체가 공급되기 전에 증발되는 것을 방지하여 기판에 형성된 패턴의 리닝 현상을 방지함으로써, 기판 처리의 신뢰도를 향상시킬 수 있다.
또한 기판이 안착되는 스테이지의 온도를 공정 단계에 적합한 온도로 신속하게 가변시킬 수 있으므로 기판 처리 효율을 향상시킬 수 있다. 즉, 기판이 공정챔버 내로 반입된 후 초임계유체가 공급되기 전에는 기판을 냉각시켜 약액의 증발을 방지하고, 초임계유체가 공급되는 시점부터는 기판을 가열시켜 기판의 온도를 초임계 상태의 온도로 신속하게 변환할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 기판처리장치의 구성도,
도 2는 본 발명에 따른 기판처리장치에서 기판의 냉각시 온도조절부의 동작 상태도,
도 3은 본 발명에 따른 기판처리장치에서 기판의 가열시 온도조절부의 동작 상태도,
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 기판처리방법의 순서도.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 기판처리장치의 구성도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 기판처리장치(1)는, 기판건조용액(미도시됨)이 도포된 기판(W)이 반입되고, 초임계유체를 이용하여 기판 처리 공정이 수행되는 공정챔버(100)를 포함한다. 상기 초임계유체는 초임계 이산화탄소(SCCO2)가 사용될 수 있다. 다만, 초임계유체의 종류는 이에 제한되는 것은 아니며, 공지된 다양한 종류의 초임계유체로 대체될 수 있다.
상기 공정챔버(100)는 기판(W)이 안착되는 스테이지(210)를 포함하는 제1하우징(200)과, 상기 제1하우징(200)과 결합되어 내부에 기판처리공간(100a)을 형성하는 제2하우징(300)으로 구성될 수 있다. 본 실시예에서는, 상기 스테이지(210)가 제1하우징(200)에 일체로 형성된 경우를 예로 들었으나, 상기 스테이지(210)는 제1하우징(200)과 분리된 구조로 구성될 수도 있다.
상기 공정챔버(100)의 상부와 일측에는 기판 처리에 사용되는 초임계유체가 유입되는 제1유입구(101)와 제2유입구(102)가 형성되고, 공정챔버(100)의 타측에는 공정을 마친 초임계유체와 약액의 혼합유체가 배출되는 배출구(103)가 형성된다.
상기 제1하우징(200)과 스테이지(210)는 승강 구동부(400)의 구동에 의해 승강 가능하도록 구비되고, 상기 제2하우징(300)은 그 위치가 고정된 구조로 구비될 수 있다.
기판(W)이 공정챔버(100)의 내부로 반입되거나, 공정챔버(100)의 외부로 반출되는 경우, 상기 제1하우징(200)은 승강 구동부(400)의 하향 구동에 의해 하방향으로 이동되고, 이에 따라 제1하우징(200)과 제2하우징(300) 사이에는 상하로 이격된 공간이 마련되며, 이 공간을 통하여 기판(W)이 반입 또는 반출될 수 있다.
기판(W)이 공정챔버(100)의 내부로 반입된 상태에서, 기판 처리 공정을 수행하기에 앞서, 상기 제1하우징(200)은 승강 구동부(400)의 상향 구동에 의해 상승 이동하여 제2하우징(300)에 밀착되며, 이에 따라 기판 처리 공정이 수행되는 동안 기판처리공간(100a)은 밀폐된 상태로 유지된다.
상기 공정챔버(100)에서는 초임계유체를 이용한 기판(W)의 건조 공정이 수행되며, 기판(W)의 세정 및 건조 공정이 함께 수행될 수도 있다.
피처리대상 기판(W)은 이소프로필알콜(IPA) 등의 약액이 도포된 상태에서 공정챔버(100) 내로 반입된다. 즉, 상기 기판(W)은 공정챔버(100) 내로 반입되기 전(前) 단계에서 세정 및 린스 공정을 거치게 되는데, 상기 린스 공정에 사용되는 순수(DIW)는 초임계유체와의 반응성(용해성)이 낮으므로, 공정챔버(100)에서 수행되는 기판 건조 과정에서 초임계유체와의 반응성을 높이기 위하여 상기 순수(DIW)를 이소프로필알콜(IPA) 등의 약액으로 치환하게 된다.
상기 약액은 기판(W)에 형성된 패턴들의 협착 및 붕괴를 방지하는 기능을 한다.
상기 공정챔버(100) 내로 기판(W)이 반입되는 과정에서, 제1하우징(200)은 제2하우징(300)과 이격된 위치로 하강하여 기판(W)이 반입되는 통로를 마련하게 되므로, 공정챔버(100) 내부의 기판처리공간(100a)은 대기와 소통되어 기판처리공간(100a)의 온도 및 압력은 대기의 온도 및 압력과 동등한 상태가 된다.
상기 공정챔버(100) 내로 기판(W)이 반입된 후에는 제1하우징(200)이 상승하여 제2하우징(300)에 결합되어 기판처리공간(100a)은 밀폐된 상태가 되고, 초임계유체가 공급되기 전단계에서 기판처리공간(100a)의 온도를 초임계 온도 상태가 되도록 히터(110)에 의한 가열이 이루어진다. 상기 히터(110)는 초임계유체를 이용한 기판 처리 공정이 완료될 때까지 가동 상태를 유지한다.
이와 같이 약액이 도포된 기판(W)이 공정챔버(100) 내로 반입된 후에, 히터(110)에 의해 공정챔버(100)가 가열되어 기판처리공간(100a)의 온도가 상승하게 되면, 초임계유체가 공급되기 전에 기판(W)에 도포되어 있는 약액의 온도가 상승하여 증발함으로써 기판(W)에 형성된 패턴(미도시됨)이 협착 및 붕괴되는 리닝 현상이 초래될 수 있다.
이를 방지하기 위한 구성으로, 본 발명의 기판처리장치(1)는 상기 스테이지(210)의 온도를 조절하기 위한 온도조절부(500)를 포함한다.
상기 온도조절부(500)는 공정단계의 시점에 따라서 기판(W)을 냉각하거나 가열하는 기능을 한다. 즉, 기판(W)이 공정챔버(100) 내로 반입된 후에 히터(110)의 가동에 의해 기판처리공간(100a)을 초임계 상태의 온도로 가열하게 되는데, 초임계유체가 공정챔버(100) 내로 공급되기 전까지는 기판(W)의 온도 상승에 따른 약액의 증발을 방지하기 위하여 온도조절부(500)는 기판(W)을 냉각하고, 초임계유체가 공정챔버(100) 내로 공급되는 시점 이후에는 초임계유체에 의한 기판(W)의 건조 공정이 수행되므로 온도조절부(500)는 기판(W)의 온도가 초임계 상태의 온도에 신속하게 도달할 수 있도록 기판(W)을 가열하게 된다.
초임계유체가 공급되기 전에 약액이 증발하게 되면 패턴의 리닝 현상이 발생하게 되지만, 초임계유체가 공급되어 패턴 사이로 초임계유체가 침투하여 약액을 용해시켜 증발하는 경우에는 표면장력이 제로에 가까운 초임계유체의 특성상 패턴의 리닝 현상 없이 기판(W)을 안정적으로 건조 처리할 수 있다.
일실시예로, 상기 온도조절부(500)는, 인가되는 전류의 극성에 따라 냉각 및 가열되는 펠티어 소자(570)를 포함하여 구성될 수 있다.
도 2와 도 3을 함께 참조하면, 상기 온도조절부(500)는, 전원부(510)와, 상기 전원부(510)로부터 인가되는 전류의 극성에 따라 냉각 및 가열되며, 열전 소자(550,560)의 양단에 연결되는 한 쌍의 전극(530,540)으로 이루어진 펠티어 소자(570), 및 상기 전원부(510)로부터 상기 전극(530,540)에 공급되는 전류의 극성을 변환하는 스위치부(520)로 구성될 수 있다.
본 실시예에서, 상기 전원부(510)를 직류 전원(DC)으로 구성하고, 상기 전원부(510)로부터 펠티어 소자(570) 측으로 인가되는 전류의 방향을 변환하기 위한 스위치부(520)를 포함하여 구성된 경우를 예로 들었으나, 다른 실시예로서 상기 전원부(510)를 교류 전원(AC)으로 구성하고 반대 극성으로의 변환을 위한 복수의 정류기(미도시됨)를 포함하여 구성할 수도 있다.
상기 한 쌍의 전극(530)은 양측으로 분할된 제1전극(530;530-1,530-2)과, 상기 제1전극(530)과 이격되며 기판(W)과 근접하는 스테이지(210)의 내측 상부에 위치하는 제2전극(540)으로 구성된다.
상기 열전소자(550,560)는, 일측의 제1전극(530-1)과 제2전극(540) 사이에 전기적으로 연결된 N형 열전소자(550)와, 타측의 제1전극(530-2)과 제2전극(540) 사이에 전기적으로 연결된 P형 열전소자(560)로 구성될 수 있다.
상기 전원부(510)의 양극과 스위치부(520) 사이에는 제1도선(501)이 연결되고, 상기 스위치부(520)와 일측의 제1전극(530) 사이에는 제2도선(502)이 연결되며, 상기 전원부(510)의 음극과 스위치부(520) 사이에는 제3도선(503)이 연결되고, 상기 스위치부(520)와 타측의 제1전극(530-2) 사이에는 제4도선(504)이 연결된다.
그리고, 상기 제2도선(502)과 제4도선(504) 사이에는, 상기 일측의 제1전극(530-1), N형 열전소자(550), 제2전극(540), P형 열전소자(560), 및 타측의 제1전극(530-2)이 연결되어 폐회로를 형성한다.
상기 스위치부(520)는 도 2에 도시된 바와 같이 제1도선(501)과 제2도선(502)이 연결되고, 제3도선(503)과 제4도선(504)이 연결되도록 하거나, 도 3에 도시된 바와 같이 제1도선(501)과 제4도선(504)이 연결되고, 제3도선(503)과 제2도선(502)이 연결되도록 하여 전류의 극성을 변환하는 기능을 한다.
상기 스위치부(520)에서의 전류 극성 변환 동작에 의해, 도 2에 도시된 바와 같이 전류가 시계방향으로 흐르도록 회로를 구성하면, 제2전극(540)에서는 흡열에 의해 기판(W)을 냉각하게 되고, 도 3에 도시된 바와 같이 전류가 반시계방향으로 흐르도록 회로를 구성하면, 제2전극(540)에서는 발열에 의해 기판(W)을 가열하게 된다.
도 2는 기판(W)이 공정챔버(100) 내로 반입된 후 초임계유체가 공급되기 전까지 기판(W)을 냉각하는 동안 온도조절부(500)의 동작 상태이고, 도 3은 공정챔버(100) 내로 초임계유체가 공급되는 시점 이후 온도조절부(500)의 동작 상태를 나타낸다.
이와 같이 온도조절부(500)를 펠티어 소자(570)와 스위치부(520)를 포함하여 구성하게 되면, 회로의 구조 변경 없이도 동일한 제2전극(540) 면에서 기판(W)의 냉각 기능과 가열 기능을 공정 단계에 맞추어 선택적으로 구현할 수 있는 이점이 있다.
이하, 도 4를 참조하여 본 발명의 기판처리방법을 설명한다.
본 발명에 따른 기판처리방법은, 공정챔버(100) 내로 기판(W)을 반입하는 단계(S1), 히터(110)를 가동하는 단계(S2), 온도조절부(500)에 의해 기판(W)을 냉각하는 단계(S3), 공정챔버(100) 내로 초임계유체를 공급하는 단계(S4), 온도조절부(500)에 의해 기판(W)을 가열하는 단계(S5), 초임계유체를 이용하여 기판(W) 건조 공정을 수행하는 단계(S6)로 이루어진다.
세정 및 린스 공정을 마친 기판(W)에 잔류하는 순수(DIW)는 이소프로필알콜(IPA) 등의 약액으로 치환된 상태에서 공정챔버(100) 내로 반입된다(S1).
기판(W)이 공정챔버(100) 내로 반입된 후, 제1하우징(200)과 제2하우징(300)이 결합된 초기 상태에서, 공정챔버(100) 내부의 기판처리공간(100a)은 대기와 동등한 온도와 압력 상태이므로, 초임계유체를 이용한 기판 처리 공정을 수행하기에 앞서 기판처리공간(100a)을 초임계 상태로 조성할 필요가 있다. 이는 초임계유체가 대기와 동등한 온도와 압력 상태인 기판처리공간(100a)으로 유입될 경우에는 초임계 상태가 깨지게 되어 기판 처리 공정의 수행이 불가능하기 때문이다.
따라서, 초임계유체를 공정챔버(100) 내부로 공급하기에 앞서, 히터(110)를 가동시켜 공정챔버(100)를 가열함으로써 기판처리공간(100a)을 초임계 온도 상태가 되도록 승온시킨다(S2).
이와 같이 초임계유체가 공정챔버(100) 내로 공급되기 전에 히터(110)의 가동에 의해 기판처리공간(100a)의 온도가 상승하게 되면, 스테이지(210)에 안착된 기판(W) 또한 가열되어 기판(W)에 도포된 약액방지용액이 증발될 수 있으며, 이 경우 약액방지용액이 증발되면서 기판(W)에 형성된 패턴들이 서로 협착되어 붕괴되는 리닝 현상이 발생하게 되며, 이는 제품의 불량을 초래하게 된다.
따라서, 초임계유체가 공급되기 전(前)단계에서, 히터(110)의 가동에 의해 기판처리공간(100a)의 온도가 상승하더라도 기판(W)의 온도 상승을 방지하기 위한 목적으로, 온도조절부(500)에 의해 기판(W)의 냉각을 수행한다(S3). 기판(W)의 냉각은 도 2에 도시된 바와 같이 전류의 극성을 형성하여 제2전극(540)에서 흡열에 의한 냉각이 이루어지도록 한다. 상기 제2전극(540)이 냉각되면, 제2전극(540)과 근접하게 위치하는 기판(W)의 열이 제2전극(540) 측으로 흡열되어 기판(W)을 냉각시키게 된다.
상기 히터(110)의 가동에 의해 기판처리공간(100a)이 초임계 상태의 온도에 도달하면, 공정챔버(100) 내로 초임계유체를 공급한다(S4).
상기 공정챔버(100) 내로 초임계유체가 공급되는 시점 이후에는, 초임계유체에 의해 기판(W)의 건조가 이루어지게 되어, 패턴의 리닝 현상이 발생하지 않으므로, 초임계유체가 공급되는 시점 이후에는 온도조절부(500)에 의해 기판(W)의 가열을 수행한다(S5). 이와 같이 초임계유체가 공급되는 시점 이후로는 온도조절부(500)에 의해 기판(W)을 가열함으로써 기판(W)의 온도를 초임계 상태의 온도로 신속하게 변환시킬 수 있다. 기판(W)의 가열은 도 3에 도시된 바와 같이 전류의 극성을 형성하여 제2전극(540)에서 발열에 의한 가열이 이루어지도록 한다. 상기 제2전극(540)이 가열되면, 제2전극(540)에서 발생된 열은 제2전극(540)과 근접하게 위치하는 기판(W)에 열전달되어 기판(W)을 가열시키게 된다.
그리고, 히터(110)의 가동과 온도조절부(500)의 가열 상태를 유지하며 초임계유체를 이용한 기판 건조 공정을 수행한다(S6).
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구되는 본 발명의 기술적 사상에 벗어남 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 자명한 변형실시가 가능하며, 이러한 변형실시는 본 발명의 범위에 속한다.
1 : 기판처리장치 100 : 공정챔버
100a : 기판처리공간 101 : 제1유입구
102 : 제2유입구 103 : 배출구
110 : 히터 200 : 제1하우징
210 : 스테이지 300 : 제2하우징
400 : 승강 구동부 500 : 온도조절부
501 : 제1도선 502 : 제2도선
503 : 제3도선 504 : 제4도선
510 : 전원부 520 : 스위치부
530 : 제1전극 540 : 제2전극
550 : N형 열전소자 560 : P형 열전소자
570 : 펠티어 소자 W : 기판

Claims (10)

  1. 기판이 안착되는 스테이지;
    상기 스테이지에 구비되어 약액이 도포된 상기 기판을 냉각 및 가열하는 온도조절부;
    를 포함하고,
    기판이 공정챔버 내로 반입된 후 초임계유체가 상기 공정챔버 내로 공급되기 전까지 상기 온도조절부는 상기 기판이 냉각되도록 동작하고,
    초임계유체가 상기 공정챔버 내로 공급되는 시점부터 상기 온도조절부는 상기 기판이 가열되도록 동작하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 온도조절부는 인가되는 전류의 극성에 따라 냉각 및 가열되는 펠티어 소자를 포함하는 기판처리장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 온도조절부는,
    전원부;
    상기 전원부로부터 인가되는 전류의 극성에 따라 냉각 및 가열되며, 열전소자의 양단에 연결되는 한 쌍의 전극으로 이루어진 펠티어 소자; 및
    상기 전원부로부터 상기 전극에 공급되는 전류의 극성을 변환하는 스위치부;
    를 포함하는 기판처리장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 한 쌍의 전극 중 일측의 전극은 상기 스테이지의 내측 상부에 위치하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 삭제
  6. 약액이 도포된 기판을 공정챔버 내로 반입하는 단계;
    초임계유체가 상기 공정챔버 내로 공급되기 전까지 상기 공정챔버 내로 반입된 기판을 냉각하는 단계;
    를 포함하고,
    상기 기판을 공정챔버 내로 반입한 후 상기 초임계유체가 공급되기 전단계에서 상기 공정챔버는 초임계 온도 상태가 되도록 가열되는 단계를 더 포함하는 기판처리방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 초임계유체가 상기 공정챔버 내로 공급되면 상기 기판을 가열하는 단계를 더 포함하는 기판처리방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 기판을 냉각 및 가열하는 단계는, 펠티어 소자의 흡열 및 발열에 의한 상기 기판으로의 열전달에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 기판을 냉각 및 가열하는 단계는, 상기 펠티어 소자에 인가되는 전류의 극성을 변환시켜 상기 기판과 근접하게 위치한 펠티어 소자의 전극에서 흡열 및 발열되도록 하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  10. 삭제
KR1020170082559A 2017-06-29 2017-06-29 기판처리장치 및 기판처리방법 KR102434561B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170082559A KR102434561B1 (ko) 2017-06-29 2017-06-29 기판처리장치 및 기판처리방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170082559A KR102434561B1 (ko) 2017-06-29 2017-06-29 기판처리장치 및 기판처리방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190002112A KR20190002112A (ko) 2019-01-08
KR102434561B1 true KR102434561B1 (ko) 2022-08-23

Family

ID=65021319

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170082559A KR102434561B1 (ko) 2017-06-29 2017-06-29 기판처리장치 및 기판처리방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102434561B1 (ko)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102327873B1 (ko) * 2019-04-16 2021-11-18 무진전자 주식회사 기판 건조 챔버
KR102136691B1 (ko) * 2019-05-13 2020-07-22 무진전자 주식회사 기판 건조 챔버
KR102383007B1 (ko) * 2020-06-01 2022-04-05 무진전자 주식회사 기판 건조 챔버
KR102309272B1 (ko) * 2020-06-02 2021-10-07 무진전자 주식회사 기판 건조 챔버
KR102622983B1 (ko) * 2020-07-10 2024-01-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102398794B1 (ko) * 2020-08-20 2022-05-18 무진전자 주식회사 기판 건조 챔버
KR102345971B1 (ko) * 2020-09-04 2022-01-03 무진전자 주식회사 기판 건조 챔버
KR102345972B1 (ko) * 2020-09-04 2022-01-03 무진전자 주식회사 기판 건조 챔버
KR102357843B1 (ko) * 2020-10-16 2022-02-07 무진전자 주식회사 기판 건조 장치
KR102357842B1 (ko) * 2020-10-16 2022-02-07 무진전자 주식회사 기판 건조 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007049065A (ja) * 2005-08-12 2007-02-22 Ntt Advanced Technology Corp 超臨界処理装置
JP2011222696A (ja) * 2010-04-08 2011-11-04 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
KR101643828B1 (ko) 2011-09-21 2016-07-29 램 리써치 코포레이션 반도체 처리를 위한 평면형 열적 존을 갖는 열적 플레이트

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080090025A (ko) * 2007-04-03 2008-10-08 세메스 주식회사 기판의 온도를 조절하는 방법 및 기판 지지부재, 그리고이를 포함하는 기판 처리장치
JP5359286B2 (ja) * 2009-01-07 2013-12-04 東京エレクトロン株式会社 超臨界処理装置、基板処理システム及び超臨界処理方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007049065A (ja) * 2005-08-12 2007-02-22 Ntt Advanced Technology Corp 超臨界処理装置
JP2011222696A (ja) * 2010-04-08 2011-11-04 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
KR101643828B1 (ko) 2011-09-21 2016-07-29 램 리써치 코포레이션 반도체 처리를 위한 평면형 열적 존을 갖는 열적 플레이트

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190002112A (ko) 2019-01-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102434561B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
JP5626611B2 (ja) 基板乾燥装置及び基板乾燥方法
KR102413443B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
EP2854163A1 (en) Substrate processing device and substrate processing method
KR20140047643A (ko) 기판 건조 장치 및 기판 건조 방법
TWI538997B (zh) 基板處理方法及其裝置
TWI660796B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
KR20140017315A (ko) 기판 건조 장치
US10818519B2 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR102121705B1 (ko) 희생막 형성 방법, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP5234985B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR102297374B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP2006294966A (ja) 基板乾燥方法および基板乾燥装置および記録媒体
KR101552567B1 (ko) 기판 건조장치
KR102061004B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101546515B1 (ko) 기판 건조장치
KR101927478B1 (ko) 기판 액처리 방법 및 장치
KR101478152B1 (ko) 기판 건조장치
JP3795297B2 (ja) 基板洗浄装置
US11404294B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium
JP6605655B2 (ja) 洗浄溶液を製造するための装置及び方法
US20220013372A1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
US9536757B2 (en) Device manufacturing cleaning process using vaporized solvent
JP6522917B2 (ja) パターン形成装置、処理装置、パターン形成方法、および処理方法
KR20170114294A (ko) 유도가열을 이용한 스팀발생장치，이를 이용한 스팀 세정 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant