KR20120028672A - 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20120028672A
KR20120028672A KR1020100090665A KR20100090665A KR20120028672A KR 20120028672 A KR20120028672 A KR 20120028672A KR 1020100090665 A KR1020100090665 A KR 1020100090665A KR 20100090665 A KR20100090665 A KR 20100090665A KR 20120028672 A KR20120028672 A KR 20120028672A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
wet
processing apparatus
liquid
conveying
Prior art date
Application number
KR1020100090665A
Other languages
English (en)
Inventor
오정민
이근택
이효산
김영후
이정원
배상원
조용진
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020100090665A priority Critical patent/KR20120028672A/ko
Priority to US13/225,696 priority patent/US20120064727A1/en
Publication of KR20120028672A publication Critical patent/KR20120028672A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02101—Cleaning only involving supercritical fluids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다. 본 발명은 기판에 처리액을 공급하여 습식 처리를 실시하는 습식 처리 장치와, 습식 처리 장치와는 별도로 설치되고 기판에 대하여 초임계 유체를 이용한 건조 처리를 실시하는 건조 처리 장치와, 습식 처리 장치에서 습식 처리된 기판을 취출하고 젖은(wetting) 상태로 건조 처리 장치로 반송하는 반송 수단을 포함하여 이루어질 수 있다. 본 발명의 사상은 습식 처리 장치에서 건조 처리 장치로 젖은 상태로 기판을 반송하기 때문에, 습식 처리 장치에서 건조 처리 장치의 반송 중에 기판이 건조되는 것을 막을 수 있다. 이렇게 될 경우, 기판 상에 형성되어 있는 패턴의 리닝현상이나 물반점 발생과 같은 문제점을 해결할 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법{Substrate treatment apparatus and method using the same}
본 발명은 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것으로, 특히 초임계 유체(supercritical fluid)를 이용하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 소자의 디자인 룰(design rule)이 감소함에 따라, 기판, 예컨대 웨이퍼 상에 종횡비(aspect ratio)가 큰 패턴들의 형성 공정이 요구된다. 또한, 반도체 소자를 제조하기 위해 종횡비가 큰 패턴들이 형성된 기판, 즉 웨이퍼에 대하여 소정의 처리 공정, 예를 들면 식각이나 세정과 같은 습식 처리 공정과 습식 처리된 기판을 건조하는 건조 처리 공정 등을 수행하여야 한다.
따라서, 반도체 소자를 제조하기 위해서는, 종횡비가 큰 패턴들을 갖는 기판에 대하여 습식 처리 공정과 건조 처리 공정을 수행하기 위한 기판 처리 장치가 필요하다.
본 발명이 이루고자 하는 과제는 상술한 습식 처리 장치와 습식 처리된 기판을 초임계 유체를 이용하여 건조하는 건조 처리 장치와, 습식 처리 장치에서 건조 처리 장치로 기판을 반송하는 반송 수단을 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명이 이루고자 하는 다른 과제는 상술한 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 제공하는 데 있다.
상술한 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 기판에 처리액을 공급하여 습식 처리를 실시하는 습식 처리 장치와, 습식 처리 장치와는 별도로 설치되고 기판에 대하여 초임계 유체를 이용한 건조 처리를 실시하는 건조 처리 장치와, 습식 처리 장치에서 습식 처리된 기판을 취출하고 젖은(wetting) 상태로 건조 처리 장치로 반송하는 반송 수단을 포함하여 이루어질 수 있다.
반송 수단은 기판을 지지하는 기판 반송 부재와, 기판 반송 부재에 기판 반송 부재를 냉각시키기 위한 냉각 수단이 설치되어 있을 수 있다. 냉각 수단은 기판 반송 부재 내에 설치된 냉각수 공급 라인일 수 있다. 냉각 수단은 기판 반송 부재에 설치된 열전 소자일 수 있다.
반송 수단은 기판을 지지하는 기판 반송 부재와, 기판 반송 부재의 상부 또는 측부에서 기판에 건조방지용 액체를 공급하는 습식 반송부를 포함하여 이루어질 수 있다. 습식 반송부는 기판 반송 부재와 연결된 기판 반송 연결 부재에 설치되는 지지대와, 지지대에 설치되고 건조방지용 액체를 분사할 수 있는 분사구를 갖는 분사 장치를 포함할 수 있다. 분사구는 하나 또는 복수개 설치되어 있을 수 있다.
반송 수단은 기판을 지지하는 기판 반송 부재와, 기판 반송 부재의 둘레에 설치되어 있는 가이드부를 포함하여 이루어질 수 있다. 가이드부 상에는 기판 반송 부재를 덮도록 캡부가 더 설치되어 있을 수 있다.
처리액은 계면 활성제를 더 포함하고, 반송 수단은 기판 상에 계면 활성제를 포함하는 처리액이 있는 상태로 기판을 건조 처리 장치로 반송할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 기판에 처리액을 공급하여 습식 처리를 실시하는 습식 처리 장치와, 습식 처리 장치와는 별도로 설치되고 기판에 대하여 초임계 유체를 이용한 건조 처리를 실시하는 건조 처리 장치와, 습식 처리 장치에서 습식 처리된 기판을 취출하고 기판에 건조방지용 액체를 공급하는 습식 반송부를 포함하여 기판을 젖은(wetting) 상태로 건조 처리 장치로 반송하는 반송 수단을 포함하여 이루어질 수 있다.
습식 반송부는 상기 건조방지용 액체를 분사할 수 있는 분사구를 하나 또는 복수개 갖는 분사 장치를 포함하여 이루어질 수 있다.
상술한 다른 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은 습식 처리 장치에서 기판에 처리액을 공급하여 습식 처리를 실시하는 것을 포함한다. 반송 수단을 이용하여 습식 처리된 기판을 취출하고 젖은(wetting) 상태로 습식 처리 장치와 별도로 설치된 건조 처리 장치로 반송한다. 건조 처리 장치에서 기판에 대하여 초임계 유체를 이용한 건조 처리를 실시한다.
습식 처리된 기판을 건조 처리 장치로 반송하는 동안에 기판에 건조방지용 액체를 공급할 수 있다. 처리액은 기판을 린스하는 린스(rinse)액일 수 있고, 건조 방지용 액체는 린스액과 동일한 액체일 수 있다.
기판을 세정하는 린스액에 계면 활성제를 더 첨가할 수 있다. 계면 활성제는 TMN 계열의 계면활성제, 브랜치를 갖는 불소계 계면활성제 및 불소계 블록 공중합체를 포함하는 계면활성제 중 적어도 한가지를 포함할 수 있다.
습식 처리된 기판을 젖은(wetting) 상태로 건조 처리 장치로 반송하는 것은, 냉각수 공급 라인 또는 열전 소자로 이루어진 냉각 수단이 설치된 기판 반송 부재를 이용하여 수행할 수 있다.
습식 처리된 기판을 젖은(wetting) 상태로 상기 건조 처리 장치로 반송하는 것은, 기판을 지지하는 기판 반송 부재의 둘레에 설치되어 있는 가이드부를 이용하여 수행할 수 있다. 가이드부 상에는 기판 반송 부재를 덮는 캡부가 더 설치되어 있어 습식 처리된 기판을 젖은(wetting) 상태로 건조 처리 장치로 잘 반송할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 기판을 습식 처리하는 습식 처리 장치에서 습식 처리된 기판을 취출하고 젖은 상태로 건조 처리 장치로 반송하는 반송 수단을 포함하고, 건조 처리 장치에서 초임계 유체를 이용하여 건조 처리한다. 습식 처리 장치에서 건조 처리 장치로 젖은 상태로 기판을 반송하기 때문에, 습식 처리 장치에서 건조 처리 장치의 반송 중에 기판이 자연 건조되는 것을 억제할 수 있다.
이와 같이 습식 처리 장치에서 건조 처리 장치로 기판을 반송할 때 자연 건조를 억제할 경우, 초임계 유체를 이용하여 건조 처리 장치에서 기판을 건조할 때 기판 상에 형성되어 있는 패턴의 종횡비가 크더라도 기체와 액체간의 표면 장력에 의해 패턴들이 기울어져 쓰러지는 리닝(leaning) 현상 발생을 억제할 수 있다. 또한, 종횡비가 큰 패턴들이 형성된 기판을 습식 처리한 후, 자연 건조를 억제한 상태로 초임계 유체를 이용하여 건조할 경우, 기판 상에 물반점(water spot)이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
반송 수단은 다양한 방법으로 수행할 수 있다. 반송 수단은 냉각수 공급 라인 또는 열전 소자로 이루어진 냉각 수단이 설치된 기판 반송 부재를 이용할 수 있다. 반송 수단은 기판을 지지하는 기판 반송 부재의 둘레에 설치되어 있는 가이드부를 포함할 수 있다. 가이드부 상에는 상기 기판 반송 부재를 덮는 캡부가 더 설치되어 있을 수 있다.
반송 수단은 기판에 건조방지용 액체를 공급하는 습식 반송부를 포함할 수 있다. 습식 반송부는 건조방지용 액체를 분사할 수 있는 분사구를 갖는 분사 장치를 포함할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 건조 처리 장치에 이용되는 초임계 유체인 이산화탄소의 상(phase) 다이아그램이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 장치를 도시한 평면도이다.
도 3은 도 2를 이용한 기판 처리 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 4는 도 2의 기판 처리 장치를 구성하는 습식 처리 장치의 일 실시예를 도시한 도면이다.
도 5는 도 2의 기판 처리 장치를 구성하는 습식 처리 장치의 일 실시예를 도시한 도면이다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 반송 수단의 기판 반송 부재를 도시한 도면이다.
도 8은 도 2의 기판 처리 장치를 구성하는 습식 처리 장치에 이용되는 린스액의 온도에 따른 증기압 관계를 도시한 도면이다.
도 9 및 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 반송 수단의 기판 반송 부재를 도시한 도면이다.
도 11은 도 9 및 도 10의 분사구의 평면도이다.
도 12 및 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 반송 수단의 기판 반송 부재를 도시한 도면이다.
도 14는 도 12 및 도 13의 블레이드에 따른 일단면도이다.
도 15 및 도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 반송 수단의 기판 반송 부재를 도시한 도면이다.
도 17은 도 2의 기판 처리 장치의 기판 건조 장치의 일 실시예를 보여주는 도면이다.
도 18은 도 17의 기판 건조 장치의 공정 챔버를 설명하기 위한 도면이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용한다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하거나 축소하여 도시한 것이다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 습식 처리 장치, 초임계 유체를 이용하는 건조 처리 장치 및 습식 처리 장치에서 건조 처리 장치로 기판을 반송하는 반송 수단을 포함하여 이루어진다. 건조 처리 장치는 초임계 유체를 이용하여 기판을 건조한다. 초임계 유체의 예로는 이산화탄소를 이용할 수 있다. 초임계 유체로 이용되는 이산화탄소에 대하여 도 1을 참조하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 건조 처리 장치에 이용되는 초임계 유체인 이산화탄소의 상(phase) 다이아그램이다.
구체적으로, 물질은 온도와 압력에 따라 고체, 액체 및 기체 중의 한가지 상태일 수 있다. 예를 들면, 일정한 온도에서 압력이 증가할 경우 기체는 일반적으로 액화될 수 있다. 하지만, 도 1에 도시한 것처럼, 물질은 소정의 임계 온도(critical temperature) 이상에서는 압력의 변화에 상관없이 액화되지 않는 초임계 상태(supercritical state)가 된다. 상 다이어그램에서, 이러한 초임계 상태가 시작되는 최소의 온도와 압력을 임계점(critical point)이라고 한다. 임계점이라고 하는 일정한 고온과 고압의 한계를 넘어선 상태에 도달하여 액체와 기체를 구분할 수 없는 시점의 유체를 초임계 유체(super critical fluid)라고 부른다.
초임계 유체는 압력의 변화에 따라, 그 밀도(density), 점도(viscosity), 확산 계수(diffusion coefficient) 및 극성(polarity) 등과 같은 물성(physical property)이 기체와 같은 상태(gas-like state)에서부터 액체와 같은 상태(liquid-like state)까지 연속적으로 변화될 수 있다. 예를 들면, 액체 이산화탄소를 밀폐된 용기에 넣고 가열할 경우, 온도 및 압력이 임계점을 넘어서면서, 기체-액체 사이의 경계면이 사라지는 현상을 발견할 수 있다.
초임계 유체는 높은 용해력, 높은 확산 계수, 낮은 점도 및 낮은 표면 장력을 갖는다. 초임계 유체는 확산력에 있어서는 기체와 비슷하여 표면 장력이 없으므로 미세한 홈에 침투할 수 있다. 또한 초임계 유체는 용해력에 있어서는 압력에 비례하여 증가하고 액체 용매와 비슷하다. 따라서, 초임계 유체를 이용할 경우 기체-액체 사이의 경계면을 통과하지 않고 기판 상의 세정액이나 린스액을 건조시킬 수 있어 기판 상에 발생하는 리닝 현상이나 물반점 발생을 억제시킬 수 있다.
초임계 유체의 예로는 도 1에 도시한 바와 같은 초임계 상태의 이산화탄소를 들 수 있다. 이산화탄소는 임계 온도 및 임계 압력이 대략 31℃ 및 73 atm로 낮고 무독성, 불연성 및 저가여서 건조 처리 장치에 용이하게 이용할 수 있다.
이하에서 설명되는 실시예들은 별도로 설명하지만, 실시예들을 조합하여 기판 처리 장치를 구현할 수도 있고, 실시예별로 각각 기판 처리 장치를 구현할 수 도 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 장치를 도시한 평면도이고, 도 3은 도 2를 이용한 기판 처리 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
구체적으로, 도 2는 기판(W)으로서 웨이퍼(이하, 웨이퍼라 함)를 처리하는 기판 처리 장치(STA, substrate treatment apparatus)를 도시한 것이다. 그러나, 기판(W)은 웨이퍼, 예컨대 실리콘 웨이퍼일 수 도 있고, 유리 기판일 수도 있다. 기판(W)에는 종횡비가 큰 패턴이 형성되어 있을 수 있다. 기판 처리 장치(STA)는 기판(W)에 처리액을 공급하여 소정의 습식 처리를 실시하는 습식 처리 장치(SWTA, substrate wet treatment apparatus)와, 습식 처리 후의 기판(W)을 건조시키는 건조 처리 장치(SDT, substrate dry treatment apparatus)와, 카세트 스테이션(18)과 기판(W)을 반송하는 반송 수단(STM: substrate transfer means)을 베이스(8) 상에 구비되어 있다. 반송 수단(STA)은 웨이퍼 반송 장치일 수 있다.
베이스(8) 상에 있어서 각 처리 장치(SWTA, SDTA) 및 반송 수단(STM)은 하나의 하우징(6) 속에 수납되어 있다. 하우징(6)의 격벽(16)에 의해 각 처리 장치(SWTA, SDTA)와 카세트 스테이션(18)이 구획되어 있다. 기판 처리 장치(STA)는 클린룸 내에 설치되지만, 필요에 따라서 하우징 내의 청정도 등이 제어될 수 있다.
습식 처리 장치(SWTA)는, 예를 들어 기판(W)에 처리액, 예컨대 세정액이나 린스액을 공급하여 기판(W)을 습식 처리하는 장치이다. 도시한 예에서는, 습식 처리 장치(SWTA)는 1개로 도시하였지만 필요에 따라서 2개 이상의 습식 처리 장치(SWTA)가 나란히 설치될 수 있다. 습식 처리 장치(SWTA)는 다양하게 구성할 수 있으며, 후에 자세히 설명한다.
건조 처리 장치(SDTA)는 초임계 유체를 이용하여 기판(W)에 초임계 유체를 공급하여 건조 처리를 실시하는 장치이다. 건조 처리 장치(SDTA)는 초임계 유체의 낮은 점성 및 표면 장력을 이용하여 기판(W)을 건조한다. 건조 처리 장치(SDTA)는 습식 처리 장치(SWTA)와는 별도로 설치된다. 습식 처리 장치와 별도로 설치된 건조 처리 장치에서 초임계 유체로 건조 처리를 행하므로, 습식 처리에 사용하는 처리액의 종류(성상)에 제약되지 않는다. 건조 처리 장치(SDTA)는 다양하게 구성할 수 있으며, 후에 자세히 설명한다.
카세트 스테이션(18)은, 기판(W), 즉 웨이퍼를 상하 복수단에 수납한 카세트를 적재하고, 반송 수단(STM)에 의해 기판(W)이 출입하는 곳이다. 도 1에서는 3개의 카세트(10, 12, 14)가 적재되어 있다. 카세트 스테이션(18)에 대한 카세트의 반입 및 반출은 도면 밖의 핸들링 장치에 의해 행해지도록 되어 있다. 카세트 스테이션(18) 내의 카세트(10, 12, 14)들은 도면에서 위아래 방향으로 이동될 수 있다. 즉, 중앙부에 카세트(12) 내의 기판(W) 처리가 끝나면 위쪽이나 아래쪽의 카세트(10, 14)가 이동하여 내부에 있는 기판(W)에 대하여 처리를 할 수 있다.
반송 수단(STM)은 각 처리부(SWTA, SDTA) 및 카세트 스테이션(18)의 각 카세트(10, 12, 14) 상호간에 기판(W)을 반송(이송)하는 것이다. 반송 수단(STM)은 수평 다관절형의 아암(AR1, AR2)의 선단부에 기판(W)을 지지하는 한 쌍의 핸드(TR1, TR2)를 가진 로봇으로 구성되어 있다. 핸드(TR1, TR2)는 기판을 지지하는 기판 반송 부재이다. 아암(AR1, AR2)은 기판 반송 부재와 연결되는 기판 반송 연결 부재이다.
기판 반송 부재(TR1, TR2)는 제1 기판 반송 부재(TR1) 및 제2 기판 반송 부재(TR2)로 이루어진다. 기판 반송 부재(TR1, TR2)는 습식 처리 장치(SWTA)와 건조 처리 장치(SDTA)의 사이에 정확하게 배치되어 있다. 제1 기판 반송 부재(TR1)는 젖은 상태(습윤 상태)의 기판(W)의 반송, 즉 습식 처리 장치(SWTA)로부터 기판(W)을 취출하여 건조 처리 장치(SDTA)로의 기판(W)의 반송에 사용된다.
제2 기판 반송 부재(TR2)는 건조된 기판(W)의 반송, 즉 카세트 스테이션(18)의 각 카세트로부터 습식 처리 장치(SWTA)로의 기판(1)의 반송 및 건조 처리 장치(SDTA)로부터 카세트로의 기판(W)의 반송에 사용된다. 이와 같이 기판 반송 부재(TR1, TR2)를 구별하여 사용함으로써 습식 처리 전의 기판(1), 혹은 초임계 유체를 이용한 건조 처리후의 기판(W)의 반송시에, 기판 반송 부재에 부착된 수분 등에 의해 기판(W)이 오염되는 것을 방지하도록 되어 있다.
이상과 같은 기판 처리 장치(STA)를 이용한 기판 처리 방법을 도 3을 이용하여 설명한다. 우선, 반송 수단(STM)의 제2 기판 반송 부재(TR2)에 의해 카세트(10, 12, 14)로부터 기판(W)이 취출되어 습식 처리 장치(SWTA)로 반송되어 기판(W)에 처리액을 공급하여 습식 처리가 실시된다(S10 단계). 예를 들어, 습식 처리 장치(SWTA)에서의 세정액을 기판(W)에 적하되어 세정 처리가 실시된다.
세정 처리후에는 린스액, 예컨대 탈이온수나 이소프로필 알콜에 의해 린스 처리가 실시된다. 린스액을 이소프로필 알콜을 사용할 경우 후의 건조 처리시 이용되는 초임계 유체인 이산화탄소와의 용해도가 높아 용이하게 제거할 수 있다. 또, 다음의 초임계 유체를 이용한 건조 처리를 촉진시키기 위해, 린스 처리 후, 탈이온수보다 이산화탄소와의 친화성이 좋은 유기 용제를 이용하여 다시 린스 처리를 실시할 수도 있다.
처리액을 구성하는 린스액에는 계면 활성제가 더 첨가될 수 있다. 계면 활성제가 린스액에 첨가되면 액상과 기상과의 상호반응이 약해지기 때문에 증기압이 낮아진다. 따라서, 계면 활성제를 포함하는 처리액이 있는 상태로 습식 처리 장치에서 건조 처리 장치로 기판을 반송할 때 기판의 자연 건조를 억제할 수 있다. 계면 활성제는 린스액뿐만 아니라 초임계유체, 즉 이산화탄소에도 잘 녹을 수 있는 물질을 이용할 수 있다.
계면 활성제는 TMN 계열의 계면활성제, 브랜치를 갖는 불소계 계면활성제 및 불소계 블록 공중합체를 포함하는 계면활성제 중의 적어도 한가지를 포함할 수 있다. TMN(trimethylnonanol) 계열의 계면활성제는 아래 화학구조식 1에 의해 표현되는 TMN-10일 수 있다. TMN은 유니온 카바이드사에서 제조되는 계면 활성제이다.
화학 구조식 1
Figure pat00001
브랜치를 갖는 불소계 계면활성제(fluorosurfactant)는 RfCH2CH2SCH2CH2CO2Li, (RfCH2CH2O)P(O)(ONH4)2, (RfCH2CH2O)2P(O)(ONH4), (RfCH2CH2O)P(O)(OH)2, 　(R2CH2CH2O)2P(O)(OH), RfCH2CH2O(CH2CH2O)xH, RfCH2CH2O(CHCH2O)yH, RfCH2CH2O(CH2CH2O)yH 및 RfCH2CH2SO3X(X=H　또는 NH4) 중의 한가지 화학 구조를 갖는 물질들일 수 있다. 여기서, Rf는 F(CF2CF2)3-8이다.
앞서 제시된 불소계 계면활성제는 ZONYL(조닐) 상표를 사용하여 판매되는 미국 듀폰사의 계면 활성제들일 수 있다. 예컨대, ZONYL-FSA, ZONYL-FSP, ZONYL-FSE, ZONYL-UR, ZONYL-FSJ, ZONYL-TBS, ZONYL-FSN, ZONYL-FSO, ZONYL-FSD일 수 있다.
불소계 블록 공중합체를 포함하는 계면활성제는 친수성 화합물들 및 소수성의 불소계 고분자 화합물들 중의 적어도 한가지가 화학적으로 연결된 블록 공중합체(예를 들면, 화학구조식 2에 의해 표현되는 PEO-블록(block)-PFOMA(Poly ethylene oxide-block- poly fluorooctyl methacrylate))를 포함할 수 있다.
화학 구조식 2
Figure pat00002
여기서, Rf는 (CH2-CF2)5-CF3이고, nd은 10-455, m은 2-100이다.
PEO-block-PFOMA은 비이온성으로 산성 화합물에 대한 우수한 안정성을 가질 뿐만 아니라, 하나의 계면 활성제 분자에 결합하는 물분자 수가 대략 120 정도로 사용된 수용액의 제거 능력이 우수하다.
습식 처리 장치(SWTA)에 있어서 린스 처리가 완료되면, 표면이 젖은 상태의 기판(W)이 그대로 반송 수단(STM)에 의해 습식 처리 장치(1)로부터 취출되어 건조 처리 장치(SDTA)로 반송된다(S20 단계). 습식 처리 장치(SWTA)에서는 건조 처리를 일체 실시하지 않고, 기판(W)을 습식 처리 장치(SWTA)로부터 젖은 상태로 취출하여 건조 처리 장치(SDTA)로 반송한다.
습식 처리 장치(SWTA)로부터 건조 처리 장치(SDTA)로의 기판(W)의 반송은 반송 수단(STM)의 제1 기판 반송 부재(TR1)에 의해 행해진다. 제1 기판 반송 부재(TR1)는 젖은 상태로 기판(W)을 건조 처리 장치로 반송한다. 제1 기판 반송 부재(TR1)에는 젖은 상태로 기판(W)을 건조 처리 장치(SDTA)로 반송하기 위한 다양한 구성요소가 설치될 수 있다.
예컨대, 제1 기판 반송 부재(TR1)에 제1 기판 반송 부재(TR1)를 냉각시키기 위한 냉각 수단(미도시)이 설치될 수도 있다. 반송 수단(STM)의 제1 기판 반송 부재(TR1)의 상부 또는 측부에 기판(W)에 건조 방지용 액체를 공급하는 습식 반송부(미도시)를 구비할 수도 있다. 또한, 제1 기판 반송 부재(TR1)의 둘레에 세정액이나 린스액이 넘치지 않아 기판(W)이 자연 건조되지 않게 가이드부를 구비할 수도 있고, 가이드부 상에는 기판(W)을 덮는 캡부가 설치될 수 도 있다. 이와 같은 구성 요소에 대하여는 후에 자세하게 설명한다.
다음에, 건조 처리 장치에서 기판에 대하여 초임계 유체를 이용하여 건조 처리한다(S30 단계). 건조 처리는 기판이 로딩된 공정 챔버의 온도를 초임계 유체의 임계점 이하로 낮추어 수행한다. 이 경우, 초임계 유체는 기체상태로 공정 챔버의 외부로 방출될 수 있다. 초임계 유체를 이용한 기판 건조 처리는 후에 보다 자세하게 설명한다. 건조 처리 후에 반송 수단(STA)의 제2 기판 반송 부재(TR2)에 의해 기판(W)이 건조 처리 장치(SDT)로부터 취출된다. 그리고, 카세트 스테이션(18)으로 반송된후, 소정의 카세트(10, 12, 14)에 수납되고, 이에 의해 기판(W)에 대한 일련의 처리가 종료한다.
이상과 같이 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 장치(STA)는 습식 처리 장치(SWTA)에서 기판(W)에 소정의 습식 처리, 예컨대 세정액으로 세정처리를 실시하고, 린스액, 예컨대 탈이온수에 의한 린스 처리 후의 기판(W)을 젖은 상태로 반송 수단(STM)에 의해 습식 처리 장치(SWTA)와는 별도로 설치한 건조처리 장치(SDA)로 반송하여 초임계 유체를 이용하여 건조 처리한다.
이와 같이 습식 처리와 초임계 유체를 이용한 건조 처리를 각각 별개의 장치로 행하는 경우에는 습식 처리 종료 후, 기판(W)을 반송할 때에 기판(W)이 자연 건조되는 것이 염려된다. 즉, 반송 중에 기판(W)의 표면이 자연 건조 되면, 종횡비가 높은 패턴과 같은 미세 구조물이 무너지는 리닝현상이나 건조 후에 물반점이 발생하여 초임계 유체를 이용한 건조 처리를 실시하는 의미가 없어질 수 있다.
이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 장치는 앞서 설명한 바와 같이 습식 처리 장치에서 건조 처리 장치로 기판을 반송하는 반송 수단에 다양한 구성 요소가 부가될 수 있다. 이러한 구성 요소 부가로 인하여 습식 처리 후 건조 처리까지의 사이에 기판(W)이 자연 건조되는 것을 유효하게 방지할 수 있다.
다시 말해, 본 실시예에 의한 기판 처리 장치는 기판(W)이 자연 건조되지 않고 젖은 상태로 기판(W)을 습식처리 장치(SWTA)로부터 건조 처리 장치(SDTA)로 반송한다. 이렇게 되면, 건조 처리 장치(SDTA)에서 기판(W)의 건조 후에 기판(W) 상에 형성되어 있는 패턴의 리닝 현상이나 기판(W) 상에 물반점 발생을 억제할 수 있다.
도 4는 도 2의 기판 처리 장치를 구성하는 습식 처리 장치의 일 실시예를 도시한 도면이다.
구체적으로, 일 실시예에 따른 습식 처리 장치(SWTA)는 세정 장치를 예로 들어 설명한다. 습식 처리 장치(SWTA)는 용기(100), 지지부재(120), 그리고 처리액 공급부재(140)를 가진다. 용기(100)는 상부가 개방된 공간(114)이 형성된 보울(bowl) 형상을 가지며, 용기(100)의 저면에는 공정에 사용된 처리액이 배출되는 배출라인(110)이 결합된다. 용기(100)는 기판(W)의 로딩 및 언로딩을 위해 상하 이동 가능하도록 설치될 수 있다.
지지부재(120)는 공정 진행 중 기판(W), 즉 웨이퍼를 지지한다. 지지부재(120)는 대체로 원판 형상으로 형성된 지지판(122)을 가진다. 지지판(122)의 저면에는 모터(126)에 의해 회전 가능한 회전축(124)이 결합된다. 지지판(122)은 용기(100) 내에 위치되며, 회전축(124)은 용기(100)의 저면을 관통하도록 제공된다. 지지판(122)의 가장자리 영역에는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하는 지지핀들(156)이 설치된다. 지지핀들(256)은 복수개가 서로 균등한 간격으로 배치된다.
각각의 지지핀(156)은 원통 형상을 가지며 기판(W)의 가장자리 일부가 접촉되는 지지부(152)와 이로부터 상부로 연장된 돌출부(154)를 가진다. 돌출부(154)는 공정 진행 중 기판(W)이 원심력에 의해 지지부재(120)로부터 벗어나는 것을 방지한다. 선택적으로 기판(W)이 진공 흡착에 의해 지지부재(100)에 지지되도록, 지지핀들(156) 대신 진공라인(도시되지 않음)이 지지판(122) 내에 제공될 수 있다.
처리액 공급부재(140)는 기판(W)의 습식 처리에 사용되는 세정액을 공급한다. 처리액 공급부재(140)는 분사 노즐(150)과 이를 이동시키는 노즐 이동부재(160)를 가진다. 노즐 이동부재(160)는 용기(100)의 외측에 수직 방향으로 설치된 수직 지지대(164)와 이의 상부 끝단에 수평 방향으로 설치된 수평 지지대(162)를 가진다. 분사 노즐(150)은 아래를 향하는 방향으로 처리액을 분사할 수 있도록 수평 지지대(162)의 끝단에 결합된다. 수직 지지대(164)는 원통형의 긴 로드 형상을 가지며, 수직 지지대(164)는 자신의 중심축을 기준으로 구동기(166)에 의해 회전되거나 상하로 수직 이동된다. 상술한 구조로 인해 분사 노즐(150)은 공정 진행 전에는 용기(100)의 외측에 위치되고, 공정 진행시에는 용기(100) 내로 이동된다.
처리액 공급부재(140)에 의해 공급되는 유체는 기판(W) 상에 오염물질을 제거하는 세정액, 기판(W) 상에 잔류하는 세정액을 제거하는 린스액일 수 있다. 세정액으로는 불산 등과 같은 화학용액이 사용되고, 린스액으로는 탈이온수 등이 사용될 수 있다.
처리액 공급부재(140)는 각각의 노즐 이동부재(160)에 의해 구동되는 복수개의 분사노즐(150)들을 가질 수 있다. 선택적으로 처리액 공급부재(140)는 하나의 분사노즐(150)을 가지고, 분사노즐(150) 내에 처리액이 공급되는 복수의 통로들이 제공될 수 있다. 공정 진행시 분사노즐(150)은 기판(W)의 중앙 상부에 고정될 수 있다. 선택적으로 공정 진행시 노즐(150)은 기판(W)의 중앙 상부와 기판(W)의 가장자리 상부 사이를 이동할 수 있다.
일 예에 의하면, 처리액을 공급하는 분사노즐은 기판(W)의 중앙 상부에서 가장자리 상부까지 이동되고, 린스 공정이 진행되는 동안 린스액을 공급하는 분사노즐은 웨이퍼(W)의 중앙 상부에 위치될 수 있다. 선택적으로 린스 공정시에도 린스액을 공급하는 노즐은 웨이퍼(W)의 중앙 상부에서 가장자리 상부까지 이동될 수 있다.
도 5는 도 2의 기판 처리 장치를 구성하는 습식 처리 장치의 일 실시예를 도시한 도면이다.
구체적으로, 일 실시예에 따른 습식 처리 장치(SWTA)는 지지부재(170), 회전부재(184), 분사 노즐(180) 및 용기(186) 등을 포함할 수 있다. 지지부재(170)는 회전부(184)의 회전력을 전달하기 위한 제1 회전축(178)과 연결되어 있는 허브(174), 기판(W)을 지지하기 위한 원형 링(172), 및 원형 링(172)과 허브(174)를 연결하기 위한 다수개의 스포크(176)를 포함하여 구성될 수 있다. 지지부재(170)의 구조는 전술한 것에 한정되지 않고 다양하게 변형이 가능하다.
회전부재(184)는 모터 등으로 구성되어 지지부재(170)와 연결되어 지지부재(170)를 회전시키는 회전 동력을 발생시킨다. 용기(186)는 기판(W)의 표면으로 공급되어 기판(W)의 회전에 의해 기판(W)으로부터 비산되는 세정액이나 린스액을 차단할 수 있다. 용기(186)는 보울(bowl) 형상으로 기판(W)의 로딩 및 언로딩을 위해 상하 이동 가능하도록 설치될 수 있다.
용기(186)의 하부에는 세정액을 배출시키는 배출관(182)이 형성될 수 있고, 용기(186)의 하부 중앙 부위를 관통하여 제1 회전축(178)이 설치될 수 있다. 배출관(182)을 통해 용기(186)에 의해 차단된 세정액이 배출시킨 후 이를 다시 수거하여 세정액으로 재사용할 수도 있다. 회전부재(184)와 연결된 제1 회전축(178)은 지지부재(170)에 지지된 기판(W)을 회전시키기 위한 회전력을 전달할 수 있다.
분사 노즐(180)은 기판(W)의 상면에 세정액이나 린스액을 공급한다. 기판(W)의 하면에 세정액을 공급하기 위한 제2 분사 노즐(188)을 더 포함할 수가 있다. 도시된 바와 같이 기판(W)의 하부를 세정하기 위한 제2 분사 노즐(188)은 용기(186)의 측벽을 관통하여 설치될 수 있다.
세정액으로는 탈이온수, 불산(HF)과 탈이온수의 혼합액, 수산화암모늄(NH4OH)과 과산화수소(H2O2) 및 탈이온수의 혼합액, 불화암모늄(NH4F)과 불산(HF) 및 탈이온수의 혼합액, 및 인산(H3PO4) 및 탈이온수를 포함하는 혼합액 등이 사용될 수 있다. 린스액은 탈이온수나 이소프로필 알콜을 이용할 수 있다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 반송 수단의 기판 반송 부재를 도시한 도면이다.
구체적으로, 도 6 및 도 7은 반송 수단(STM)을 구성하는 기판 반송 부재(TR)가 냉각 수단(CM)을 구비하는 것이다. 기판 반송 부재(TR)의 온도는 냉각 수단(CM)으로 인해 25℃ 이하로 조절할 수 있다. 도 6 및 도 7의 기판 반송 부재(TR)는 기판(W)을 지지하는 블레이드(blade, 202, 204)일 수 있다. 블레이드(202. 204)에는 블레이드 연결부(206)가 연결된다. 블레이드(202, 204)는 제1 블레이드(202) 및 제2 블레이드(204)로 구성될 수 있다. 블레이드 연결부(206)는 기판 반송 연결 부재(AR)일 수 있다.
블레이드(202, 204)는 전진 및 후진될 수 있다. 블레이드(202, 204)는 직선 왕복 운동할 수 있다. 블레이드(202, 204) 상에는 기판(W)을 지지하는 지지핀(도시되지 않음)이 설치될 수 있다. 또한, 블레이드(202, 204) 내에는 기판(W)을 진공 흡착할 수 있는 진공 라인(도시되지 않음)이 설치될 수 있다.
도 6 및 도 7에서는 블레이드(202, 204) 형태로 기판(W)을 지지하는 것으로 도시하였으나, 블레이드(202, 204)의 모양이나 형태는 다양하게 구성할 수 있다. 그리고, 도 6 및 도 7에서는 두 개의 블레이드(202, 204)와 두 블레이드(202, 204) 사이에는 빈 공간이 있는 형태로 기판(W)을 지지하나, 빈 공간 없이 하나의 블레이드 몸체로 기판(W)을 지지할 수도 있다. 이렇게 될 경우, 블레이드 몸체는 척이라는 이름으로도 명명될 수 있다.
도 6에 도시한 반송 수단(STM)을 구성하는 기판 반송 부재(TR) 내에는 냉각 라인(208)이 설치될 수 있다. 즉. 블레이드(202, 204) 내부에 냉각 라인(208)이 설치될 수 있다. 냉각 라인(208)은 기판 반송 부재(TR)의 온도가 증가되는 것을 억제할 수 있는 냉각 수단(CM)이다. 냉각 라인(208)은 기판 연결 부재(AR)에도 설치될 수 있다. 냉각 라인(208)에는 냉각수 공급부(200)가 연결될 수 있다.
도 7에 도시한 반송 수단(STM)을 구성하는 기판 반송 부재(TR)에는 열전 소자(210, 212)가 설치될 수 있다. 즉, 블레이드(202, 204)의 하면 또는 내부에 열전 소자(210, 212)가 설치될 수 있다. 열전 소자(210, 212)는 기판 반송 부재(TR)의 온도가 증가되는 것을 억제할 수 있는 냉각 수단(CM)이다. 열전 소자(210, 212)는 블레이드(202, 204)의 온도 증가를 억제할 수 있는 펠티에르 소자를 이용할 수 있다. 열전 소자(210, 212)에는 열전 소자에 전원을 공급하기 위한 전원 공급부(214, 216)가 연결될 수 있다.
도 6 및 도 7에 도시한 기판 반송 부재(TR)는 냉각 수단(CM)을 구비하여 습식 처리 장치에서 건조 처리 장치로 반송되는 기판(W)의 온도 향상을 방지하여 기판(W)의 자연 건조를 억제할 수 있다.
도 8은 도 2의 기판 처리 장치를 구성하는 습식 처리 장치에 이용되는 린스액의 온도에 따른 증기압 관계를 도시한 도면이다.
구체적으로, 도 2의 기판 처리 장치를 구성하는 습식 처리 장치에는 기판(w)을 린스하는 린스액이 이용된다. 린스액은 탈이온수나 이소프로필알콜(IPA)일 수 있다. 린스액은 도 8에 도시한 바와 같이 온도가 감소함에 따라 증기압이 감소한다.
앞서 도 6 및 도 7에 도시한 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 반송 부재(TR)는 냉각 수단(CM)을 구비한다. 따라서, 습식 처리 장치에서 건조 처리 장치로 반송될 때, 냉각 수단(CM)을 구비하는 기판 반송 부재(TR) 상에 위치하는 기판(W)의 온도를 낮출 수 있다. 따라서, 기판(W) 상에 위치하는 린스액의 증발을 감소시켜 기판(W)의 자연 건조를 줄일 수 있다.
도 9 및 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 반송 수단의 기판 반송 부재를 도시한 도면이고, 도 11은 도 9 및 도 10의 분사구의 평면도이다.
구체적으로, 도 9 및 도 10에서는 반송 수단(STM)을 구성하는 기판 반송 부재(TR)가 도 6 및 도 7과 비교하여 냉각 수단(CM)을 구비하지 않고 습식 반송부(WTU, wet transfer unit))를 구비하는 것을 제외하고는 동일하다. 블레이드(202, 204) 상에는 기판(W)을 지지하는 지지핀(203)이 설치될 수 있다. 물론, 블레이드(202, 204) 내에는 기판(W)을 진공 흡착할 수 있는 진공 라인(도시되지 않음)이 설치될 수 있다. 나머지 기판 반송 부재(TR)에 대하여는 도 6 및 도 7에 설명하였으므로 생략한다.
도 9에서는 반송 수단(STM)을 구성하는 기판 반송 부재(TR)가 기판 반송 연결 부재(AR)와 연결되고, 기판 반송 연결 부재(AR)에 습식 반송부(WTU)가 설치될 수 있다. 습식 반송부(WTU)는 기판 반송 부재(TR)와 연결된 기판 반송 연결 부재(AR)에 설치되는 지지대(222)와, 지지대(222)에 설치되고 건조방지용 액체를 분사할 수 있는 분사구(226)를 갖는 분사 장치(224)를 포함하여 이루어질 수 있다. 분사 장치(224)는 기판 반송 부재(TR)의 상부에서 기판에 건조방지용 액체를 공급한다. 분사구(226)는 도 11의 좌측도에 도시한 바와 같이 하나 또는 복수개로 설치될 수 있다.
지지대(222)는 기판 반송 연결 부재(AR)에 수직 방향으로 설치되는 수직 지지대(218)와 기판 반송 연결 부재(AR)에 수평 방향으로 설치되는 수평 지지대(220)를 포함할 수 있다. 수평 지지대(220)의 일단부에 분사 장치(224)가 설치될 수 있다. 지지대(222)에는 건조 방지용 액체를 공급할 수 있는 액체 공급부(228)가 연결될 수 있다. 건조 방지용 액체는 린스액과 동일한 액체를 이용할 수 있다. 이에 따라, 액체 공급부(228)는 탈이온수나 이소프로필알콜을 공급할 수 있다.
분사 장치(224)는 건조 방지용 액체를 고르게 기판(W) 상에 분사될 수 있게 샤워 헤드(227)가 설치될 수 있다. 샤워 헤드(227)는 기판(W) 상에 건조 방지용 액체를 고르게 분사할 수 있도록 기판(W)에 대하여 수평 방향으로 회전하도록 구성할 수 있다. 또한, 분사 장치(224)를 구성하는 샤워 헤드(227)에 설치되는 분사구(226)도 회전하도록 구성할 수 있다.
도 10에서도 기판 반송 연결 부재(AR)에 습식 반송부(WTU)가 설치될 수 있다. 습식 반송부(WTU)는 기판 반송 연결 부재(AR)에 설치되는 수직 지지대(232)와, 수직 지지대와 연결되는 수평 지지대(234)와, 수평 지지대(234)에 설치되고 건조방지용 액체를 분사할 수 있는 분사구(도 11의 226a)를 갖는 분사 장치(224a)를 포함하여 이루어질 수 있다. 수평 지지대(234)는 기판(W)에 대하여 수평 방향으로 설치된 지지대이다. 분사 장치(224a)는 기판 반송 부재(TR)의 일측부에서 기판(W)에 건조방지용 액체를 공급한다. 도 11의 우측도에 도시한 바와 같이 분사구(226a)는 하나 또는 복수개로 설치될 수 있다.
도 9 내지 도 11에 도시한 반송 수단(STM)은 기판(W)을 지지하는 기판 반송 부재(TR)와, 기판 반송 부재(TR)의 상부 또는 측부에서 기판(W)에 건조방지용 액체를 공급하는 습식 반송부(WTU)를 포함한다. 습식 반송부(WTU)는 도 9 내지 도 11뿐만 아니라 다양한 방식으로 건조 방지용 액체를 기판(W) 상에 공급할 수 있다.
이와 같이 본 발명의 일 실시예에 의한 반송 수단(STM)은 습식 처리 장치에서 건조 처리 장치로 기판(W)이 반송될 때 기판(W)에 건조 방지용 액체를 공급할 수 있다. 이에 따라, 기판(W) 상에 위치하는 린스액의 자연 건조를 방지할 수 있다.
도 12 및 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 반송 수단의 기판 반송 부재를 도시한 도면이고, 도 14는 도 12 및 도 3의 블레이드(202, 204)에 따른 일단면도이다.
구체적으로, 도 12 및 도 13에서는 반송 수단(STM)을 구성하는 기판 반송 부재(TR)가 도 6 및 도 7, 도 9 내지 도 11과 비교하여 냉각 수단(CM)이나 습식 반송부(WTU)를 구비하지 않고 기판 반송 부재(TR)의 둘레에 가이드부(240, guide unit)를 구비하는 것을 제외하고는 동일하다.
도 12 및 도 13에서는 블레이드(202, 204) 상에는 기판(W)을 지지하는 지지핀(203)이 설치될 수 있다. 도 11에서는 지지핀(203)이 세 개 설치되어 있어 기판을 지지하며, 필요에 따라 지지핀(203)이 네 개 또는 그 이상으로 설치할 수도 있다. 물론, 블레이드(202, 204) 내에는 기판(W)을 진공 흡착할 수 있는 진공 라인(도시되지 않음)이 설치될 수 있다. 나머지 기판 반송 부재(TR)에 대하여는 앞서 설명하였으므로 생략한다.
도 12 및 도 13에서는 반송 수단(STM)을 구성하는 기판 반송 부재(TR)의 둘레에 가이드부(240)가 설치될 수 있다. 가이드부(240)는 링 형태로 설치될 수 있다. 도 12에서는 반송 수단(STM)을 구성하는 두 블레이드(202, 204) 사이에는 빈 공간이 있는 형태로 기판(W)을 지지하나, 도 13에서는 하나의 블레이드 몸체로 기판(W)을 지지할 수도 있다. 가이드부(240)는 기판 반송 부재(TR)에 놓여진 기판(W) 가장자리 측면을 지지한다. 가이드부(240)의 크기는 기판 반송 부재(TR)의 크기에 따라 가변적으로 설치될 수 있다.
도 14에 도시한 바와 같이 기판 반송 부재(TR)를 구성하는 블레이드(202, 204) 상에 기판(W)이 위치하고, 기판 반송 부재(TR)를 구성하는 블레이드(202, 204)의 양측에 가이드부(240)가 설치될 수 있다.
이렇게 될 경우, 본 발명의 일 실시예에 의한 반송 수단(STM)은 습식 처리 장치에서 건조 처리 장치로 기판(W)이 반송될 때 기판(W) 상에 위치하는 린스액(242)이 외부로 넘쳐 손실되지 않는다. 도 12의 경우에는 기판(W)과 가이드부(240) 사이에 밀폐 부재(미도시)가 설치되어 린스액의 손실을 줄일 수도 있다. 도 13과 같이 두 블레이드(202, 204) 사이에는 빈 공간 없이 하나의 블레이드 몸체로 기판(W)을 지지할 경우, 린스액이 외부로 넘치거나 아래로 손실되는 것을 더욱더 방지할 수 있다. 이에 따라, 습식 처리 장치에서 건조 처리 장치로 기판(W)이 반송될 때 기판(W) 상에 위치하는 린스액의 자연 건조를 방지할 수 있다.
도 15 및 도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 반송 수단의 기판 반송 부재를 도시한 도면이다.
구체적으로, 도 15 및 도 16에서는 반송 수단(STM)을 구성하는 기판 반송 부재(TR)가 도 12 내지 도 14와 비교하여 기판 반송 부재(TR)의 둘레에 설치된 가이드부(240, guide unit) 상에 캡부(250, 252)를 구비하는 것을 제외하고는 동일하다. 기판 반송 부재(TR)에 대하여는 앞서 설명하였으므로 생략한다.
도 15 및 도 16에서는 반송 수단(STM)을 구성하는 기판 반송 부재(TR)의 둘레에 가이드부(240)가 설치되고, 가이드부(240) 상에 캡부(250, 252)가 설치될 수 있다. 캡부(250. 252)는 기판 반송 연결 부재(AR)나 가이드부(240)에 설치될 수 있다.
도 15에 도시한 캡부(250)는 기판 반송 연결 부재(AR) 및 가이드부(240)에 설치된 제1 연결 블록(258)과 연결되어 설치될 수 있다. 필요에 따라서는 제1 연결 블록(258)이 기판 반송 연결 부재(AR)에만 설치될 수 있다. 제1 연결 블록은 가이드부(240)에서 돌출된 제1 돌출부(254)와 돌출부(254)와 가이드부(250)를 연결하는 제1 연결부(256)로 구성될 수 있다. 제1 연결부(256)는 기판 반송 부재(TR)에 대하여 평행하게 위치한다. 이에 따라, 도 15에 도시한 캡부(250)는 기판 반송 부재(TR)에 대하여 수직 방향으로 이동할 수 있다.
도 16에 도시한 캡부(252)는 기판 반송 연결 부재(AR) 및 가이드부(240)에 설치된 제2 연결 블록(264)과 연결되어 설치될 수 있다. 필요에 따라서는 제2 연결 블록(264)이 기판 반송 연결 부재(AR)에만 설치될 수 있다. 제2 연결 블록(264)은 가이드부(240)에서 돌출된 제2 돌출부(260)와 제2 돌출부(260)와 가이드부(250)를 연결하는 제2 연결부(262)로 구성될 수 있다. 제2 연결부(262)는 기판 반송 부재(TR)에 대하여 수직하게 위치한다. 이에 따라, 도 16에 도시한 캡부(252)는 기판 반송 부재(TR)에 대하여 수평 방향으로 이동할 수 있다.
이렇게 될 경우, 본 발명의 일 실시예에 의한 반송 수단(STM)은 습식 처리 장치에서 건조 처리 장치로 기판(W)이 반송될 때 기판(W) 상에 위치하는 린스액(242, 도 14 참조)이 외부로 넘쳐 손실되는 되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 이에 따라, 습식 처리 장치에서 건조 처리 장치로 기판(W)이 반송될 때 기판(W) 상에 위치하는 린스액의 자연 건조를 방지할 수 있다.
도 17은 도 2의 기판 처리 장치의 기판 건조 장치의 일 실시예를 보여주는 도면이다.
구체적으로, 건조 처리 장치(SDTA)는 공정 챔버(300), 공급부(320) 및 배출부(340)를 포함한다. 공정 챔버(300)에는 기판이 로딩되고, 공급부(320)는 공정 챔버(300)에 초임계 유체를 공급한다. 배출부(340)는 사용된 초임계 유체를 공정 챔버(300)로부터 외부로 배출시킨다. 초임계 유체는 이산화탄소일 수 있다.
공급부(320)는 용매가 저장된 제1 용기(321) 및 기판 건조를 위한 공용매(cosolvent)가 저장되는 제2 및 제3 용기들(322, 323)을 구비할 수 있다. 용매는 이산화탄소이고, 공용매는 앞서 설명한 바와 같이 린스액에 포함되는 계면 활성제일 수 있다. 예컨대, 계면 활성제는 TMN 계열의 계면활성제, 브랜치를 갖는 불소계 계면활성제 및 불소계 블록 공중합체를 포함하는 계면활성제 중의 적어도 한가지를 포함할 수 있다.
제1 용기(321)와 공정 챔버(300) 사이에는, 용매를 일정한 유량으로 안전하게 공급하기 위한 보조 펌프(booster, 331) 및 용매 가압의 용이함을 위한 냉각 장치(cooler, 332)가 배치된다. 냉각 장치(332)와 공정 챔버(300) 사이에는, 용매의 압력을 임계 압력 이상으로 높이는 제1 가압 펌프(first pressure pump, 333)가 배치되고, 제1 가압 펌프(333)와 공정 챔버(300) 사이에는, 용매와 공용매가 혼합되는 혼합 장치(335)가 배치된다. 혼합장치(335)는 공정 챔버(300)로 유입되는 유체의 유량을 정밀하게 조절한다.
제2 및 제3 용기들(322, 323)은 소정의 제2 배관(312)을 통해 혼합 장치(335)에 연결된다. 제2 배관(312) 상에는 공용매들의 압력을 높이기 위한 제2 가압 펌프(334)가 배치될 수도 있다. 보조 펌프(331), 냉각 장치(332) 및 제1 가압 펌프들(333)은, 제1 용기(321)와 혼합 장치(335)를 연결하는 제1 배관(311) 상에 배치된다.
용매 및 공용매의 공급을 제어하는 밸브들(351 ~ 356)이 공정 챔버(300)와 용기들(321 ~ 323)을 연결하는 배관들(예를 들면, 제1 배관(311) 및 제2 배관(312)) 상에 배치될 수 있다. 이에 더하여, 밸브들(351 ~ 356), 보조 펌프 (331), 냉각 장치(332), 제1 및 제2 가압 펌프들(333, 334) 및 혼합 장치(335)의 동작을 제어하는 제어 장치(도시하지 않음)가 더 배치될 수 있다. 배출부(340)의 동작 역시 제어 장치에 의해 제어될 수 있다.
배출부(340)는, 공정 챔버(300)로부터 배출되는 유해한 화학물질들을 분리시키기 위한 분리기(separator)(341)를 구비할 수 있다. 분리기(341)와 공정 챔버(300) 사이에는, 제어 장치에 의해 제어되는 배출 밸브(343)가 더 배치된다. 가압된 용매가 공정 챔버(300)로부터 갑작스럽게 방출되는 것을 방지하기 위한 럽쳐 디스크(rupture disk, 342)가 공정 챔버(300)에 연결될 수 있다. 한편, 생산성의 향상을 위해, 언급된 장치들 모두 또는 일부는 제어 장치에 의해 전자적으로 제어될 수 있다.
초임계 상태의 유지를 위해서는, 상술한 것처럼, 용매의 압력 및 온도는 임계점 이상으로 유지되어야 한다. 이런 점에서, 상술한 챔버 시스템은 사용되는 유체의 온도 및 압력을 모니터링하고 제어할 수 있는 온도 측정 장치, 압력 측정 장치, 온도 조절 장치 및 압력 조절 장치 등을 더 구비할 수 있다. 예를 들면, 혼합 장치(335)로 유입되는 배관, 혼합 장치(335), 공정 챔버(300)와 혼합 장치(335) 사이의 배관, 공정 챔버(300) 및 배출 밸브(343)의 주위에는, 온도 조절 장치(360)에 의해 제어되는 제1 내지 제 5 온도 조절 자켓들(first to fifth temperature control jackets, 361~365)이 더 배치될 수 있다.
혼합 장치(335)와 공정 챔버(300) 사이에서 초임계 유체를 순환시키는 순환 배관을 더 포함할 수 있다. 순환 배관은 혼합 장치(335)에서 준비된 초임계 유체를 공정 챔버(300)로 공급하는 제1 순환 배관(371) 및 공정 챔버(300)에서 사용된 초임계 유체를 혼합 장치(335)로 보내는 제2 순환 배관(372)을 포함한다. 이러한 초임계 유체의 순환을 위해, 순환 배관 상에 배치되는 순환 펌프(375)를 더 구비한다. 순환 펌프(375)는 제1 순환 배관(371) 및 제2 순환 배관(372) 중의 하나에 배치될 수 있다.
제2 순환 배관(372) 상에는, 사용된 초임계 유체의 일부를 배출시키기 위한 벤트부(376)가 연결될 수 있다. 벤트부(376)에서 사용된 초임계 유체의 일부를 배출시킴으로써, 혼합 장치(335)에는 높은 순도의 초임계 유체가 추가적으로 공급될 수 있다. 이에 따라, 공정 챔버(300) 내부에서의 실질적인 압력 변화 없이, 실질적으로 균일한 순도를 갖는 초임계 유체를 사용하여 소정의 공정을 진행하는 것이 가능하다.
도 18은 도 17의 기판 건조 장치의 공정 챔버를 설명하기 위한 도면이다.
구체적으로, 기판 건조 장치는 건조 처리용의 공정 챔버(300)를 구비한다. 공정 챔버(300)는 고압에 견딜 수 있는 용기이다. 공정 챔버(300)는 기판(W)의 출입을 행하는 개폐 가능한 개구부(도시 생략)를 갖는 동시에, 그 내부에 기판 적재대(302)(기판 지지 수단)를 구비하고 있다. 기판 적재대(302)는 지지축(303a) 및 모터로 구성된 구동원(303b)을 구비한 회전 구동 기구(303)에 연결되어 있고, 구동원(303b)의 작동에 의해 회전 구동되도록 구성될 수 있다. 필요에 따라서는 회전 구동 기구(303)는 설치되지 않아 기판 적재대(302)가 회전 구동되지 않을 수도 있다.
공정 챔버(300)는 도입부(301) 및 배관(311)을 통해 공급부(320)가 각각 접속되어 있다. 초임계 유체는 이산화탄소가 이용될 수 있다. 공급부(320)에서는 초임계 유체가 소정의 온도 및 압력으로 조정되고 나서 공정 챔버(300)로 공급되도록 되어 있다. 건조 처리 장치(SDTA)에는 가압 및 감압 장치등(도시되어 있지 않음)이 설치되지만, 이들의 부대 설비는 클린룸 밖에 배치되어 있다.
공급부(320)에 있어서 온도 압력이 조정된 초임계 유체가 배관(311)을 통하여 공정 챔버(300)로 공급되고, 공정 챔버(300)의 내부가 초임계 상태(예를 들어 35℃, 9 ㎫)가 된다. 초임계 유체가 공급되어 공정 챔버(300) 내부가 소정의 초임계 상태가 되면, 미리 정해진 일정한 시간만큼 상술한 상태가 지속되고, 이후 공정 챔버의 압력을 초임계 유체의 임계점 이하로 낮추어 기판(W)에 초임계 건조 처리가 실시된다. 이 경우, 초임계 유체는 기체상태로 공정 챔버의 외부로 방출될 수 있다. 필요에 따라서 기판 적재대(302)의 구동에 의해 기판(W)이 회전하게 됨으로써 건조 처리가 촉진되게 된다.
기판(W)에 부착된 모든 탈이온수를 초임계 유체속에 용해 배출시켜 제거하는 경우에는 어느 정도 시간이 필요하게 되지만, 기판(W)을 회전시켜 기판(W) 표면에 부착된 대부분의 탈이온수를 그 원심력에 의해 제거하면서, 세부에 남는 매우 미량의 탈이온수를 초임계 유체속에 용해시켜 제거함으로써 단시간에 효과적으로 기판(W)을 건조시킬 수 있다.
STA: 기판 처리 장치, SWTA: 습식 처리 장치, SDT: 건조 처리 장치, STM: 반송 수단, W: 기판, 8: 베이스, 6: 하우징, 16: 격벽, 18: 카세트 스테이션, 10, 12, 14: 카세트, 반송 수단. AR1, AR2: 아암, 기판 반송 연결 부재, TR1, TR2: 핸드, 기판 반송 부재, 100: 용기, 120, 170: 지지부재, 140: 처리액 공급부재, 114: 개방된 공간, 110: 배출라인, 122: 지지판, 126: 모터, 124: 회전축, 156: 지지핀, 152: 지지부, 154: 돌출부, 150, 180, 188: 분사 노즐, 160: 노즐 이동부재, 164: 수직 지지대, 162: 수평 지지대, 166: 구동기, 184: 회전부재, 186: 용기, 202, 204: 블레이드, 기판 반송 부재, 206: 블레이드 연결부, 기판 반송 연결 부재, 208: 냉각 라인, CM: 냉각 수단, 200: 냉각수 공급부(200), 210: 212: 열전 소자, 214. 216: 전원 공급부, WTU: 습식 반송부, 203: 지지핀, 224: 분사 장치, 227: 샤워 헤드, 226, 226a: 분사구, 240: 가이드부, 250, 252: 캡부, 300: 공정 챔버, 320: 공급부, 340: 배출부

Claims (10)

  1. 기판에 처리액을 공급하여 습식 처리를 실시하는 습식 처리 장치;
    상기 습식 처리 장치와는 별도로 설치되고 상기 기판에 대하여 초임계 유체를 이용한 건조 처리를 실시하는 건조 처리 장치; 및
    상기 습식 처리 장치에서 습식 처리된 기판을 취출하고 젖은(wetting) 상태로 건조 처리 장치로 반송하는 반송 수단을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반송 수단은 상기 기판을 지지하는 기판 반송 부재와, 상기 기판 반송 부재에 상기 기판 반송 부재를 냉각시키기 위한 냉각 수단이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 반송 수단은 상기 기판을 지지하는 기판 반송 부재와, 상기 기판 반송 부재의 상부 또는 측부에서 상기 기판에 건조방지용 액체를 공급하는 습식 반송부를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 반송 수단은 상기 기판을 지지하는 기판 반송 부재와, 상기 기판 반송 부재의 둘레에 설치되어 있는 가이드부를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 가이드부 상에는 상기 기판 반송 부재를 덮도록 캡부가 더 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 기판에 처리액을 공급하여 습식 처리를 실시하는 습식 처리 장치;
    상기 습식 처리 장치와는 별도로 설치되고 상기 기판에 대하여 초임계 유체를 이용한 건조 처리를 실시하는 건조 처리 장치; 및
    상기 습식 처리 장치에서 습식 처리된 기판을 취출하고 상기 기판에 건조방지용 액체를 공급하는 습식 반송부를 포함하여 상기 기판을 젖은(wetting) 상태로 건조 처리 장치로 반송하는 반송 수단을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 습식 처리 장치에서 기판에 처리액을 공급하여 습식 처리를 실시하고;
    반송 수단을 이용하여 상기 습식 처리된 기판을 취출하고 젖은(wetting) 상태로 상기 습식 처리 장치와 별도로 설치된 건조 처리 장치로 반송하고; 및
    상기 건조 처리 장치에서 상기 기판에 대하여 초임계 유체를 이용한 건조 처리를 실시하는 것을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 습식 처리된 기판을 상기 건조 처리 장치로 반송하는 동안에 상기 기판에 건조방지용 액체를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 처리액은 상기 기판을 세정하는 린스(rinse)액이고, 상기 건조 방지용 액체는 상기 린스액과 동일한 액체인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 기판을 린스하는 린스액에 계면 활성제를 더 첨가하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
KR1020100090665A 2010-09-15 2010-09-15 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 KR20120028672A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100090665A KR20120028672A (ko) 2010-09-15 2010-09-15 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법
US13/225,696 US20120064727A1 (en) 2010-09-15 2011-09-06 Substrate treatment equipment and method of treating substrate using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100090665A KR20120028672A (ko) 2010-09-15 2010-09-15 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20120028672A true KR20120028672A (ko) 2012-03-23

Family

ID=45807137

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100090665A KR20120028672A (ko) 2010-09-15 2010-09-15 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20120064727A1 (ko)
KR (1) KR20120028672A (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190108611A (ko) * 2017-03-23 2019-09-24 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20210126693A (ko) * 2019-03-26 2021-10-20 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 그 반송 제어 방법
KR20220007267A (ko) * 2020-07-10 2022-01-18 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8910644B2 (en) * 2010-06-18 2014-12-16 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for inducing turbulent flow of a processing chamber cleaning gas
KR101874901B1 (ko) * 2011-12-07 2018-07-06 삼성전자주식회사 기판 건조 장치 및 방법
JP5626249B2 (ja) * 2012-03-27 2014-11-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、基板処理方法及び記憶媒体
KR102037844B1 (ko) 2013-03-12 2019-11-27 삼성전자주식회사 초임계 유체를 이용하는 기판 처리 장치, 이를 포함하는 기판 처리 시스템, 및 기판 처리 방법
JP6342343B2 (ja) * 2014-03-13 2018-06-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US10692765B2 (en) * 2014-11-07 2020-06-23 Applied Materials, Inc. Transfer arm for film frame substrate handling during plasma singulation of wafers
JP6462462B2 (ja) * 2015-04-01 2019-01-30 東芝メモリ株式会社 基板処理装置および基板処理方法
KR102440321B1 (ko) 2015-09-04 2022-09-06 삼성전자주식회사 기판 처리 방법
JP6498573B2 (ja) * 2015-09-15 2019-04-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体
JP7152338B2 (ja) * 2019-03-25 2022-10-12 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR102636979B1 (ko) 2019-04-26 2024-02-14 삼성전자주식회사 멀티 챔버 장치
KR102376830B1 (ko) * 2019-09-30 2022-03-21 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 기판 처리 장치

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3967677B2 (ja) * 2002-12-25 2007-08-29 大日本スクリーン製造株式会社 乾燥処理装置および基板処理装置
JP5359286B2 (ja) * 2009-01-07 2013-12-04 東京エレクトロン株式会社 超臨界処理装置、基板処理システム及び超臨界処理方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190108611A (ko) * 2017-03-23 2019-09-24 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20210126693A (ko) * 2019-03-26 2021-10-20 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 그 반송 제어 방법
KR20220007267A (ko) * 2020-07-10 2022-01-18 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20120064727A1 (en) 2012-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20120028672A (ko) 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법
CN103456664B (zh) 用于干燥基板的装置和方法
US6589359B2 (en) Cleaning method and cleaning apparatus for substrate
KR101350052B1 (ko) 기판처리방법 및 기판처리장치
US20090056764A1 (en) Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium
JP2005191511A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR101074460B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
US10773281B2 (en) Anhydrous substrate cleaning composition, substrate treating method, and substrate treating apparatus
KR102652176B1 (ko) 액 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체
US6895979B2 (en) Processing apparatus and processing method
JP2013251547A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR20130134996A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102064552B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20160048652A (ko) 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체
KR20220006385A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
US20210104417A1 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR20140014043A (ko) 기판 처리 장치, 기판처리설비
KR102152911B1 (ko) 기판 세정 조성물, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20110131707A (ko) 기판 세정 장치 및 그 장치에서의 기판 세정 방법
KR20090029408A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20110080857A (ko) 기판 이송 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20120041014A (ko) 기판처리방법
US11004675B2 (en) Substrate cleaning composition, substrate treating method, and substrate treating apparatus
KR20120056620A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101486331B1 (ko) 기판 건조장치

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid