JP5626249B2 - 基板処理システム、基板処理方法及び記憶媒体 - Google Patents
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Description
前記基板を収容する容器を備え、この容器の内部に高圧流体の雰囲気を形成して、当該基板の表面が高圧流体と接する状態としてから当該容器内を減圧することにより、前記基板の表面から前記液体を除去する高圧流体処理装置と、
表面が前記乾燥防止用の液体で覆われた基板を、前記液処理装置から搬送路に沿って前記高圧流体処理装置へ搬送するために設けられ、前記搬送路側で基板を保持する後方側の位置と、前記液処理装置または高圧流体処理装置の内部へ進入する前方側の位置との間を進退自在に構成された基板保持部と、前記搬送路側の位置にて基板保持部に保持された基板を、隙間を介して上方側から覆うカバー部と、基板を保持した基板保持部を側方から囲むようにして前記カバー部の側周部側に設けられ、当該基板保持部の進退方向の前方側に切り欠きが形成された側板部材とを備えた基板搬送機構と、
前記乾燥防止用の液体への水分の吸収を抑えるために、前記搬送路を搬送される基板の周囲である前記カバー部と基板との隙間内に、前記進退方向の後方側から前記搬送路の外部の大気よりも水分含有量の少ない低湿気体を供給する低湿気体供給部と、を備えたことを特徴とする。
ここで前記乾燥防止用の液体は、45〜65℃の範囲内の温度に加熱されたイソプロピルアルコールであってもよい。
前記基板を収容する容器を備え、この容器の内部に高圧流体の雰囲気を形成して、当該基板の表面が高圧流体と接する状態としてから当該容器内を減圧することにより、前記基板の表面から前記液体を除去する高圧流体処理装置と、
表面が前記乾燥防止用の液体で覆われた基板を、前記液処理装置から搬送路に沿って前記高圧流体処理装置へ搬送する基板搬送機構と、
前記乾燥防止用の液体への水分の吸収を抑えるために、前記搬送路を搬送される基板の周囲に、前記搬送路の外部の大気よりも水分含有量の少ない低湿気体を供給する低湿気体供給部と、を備えたことを特徴とする。
この基板処理システムは以下の特徴を備えていてもよい。
(a)前記低湿気体供給部は、前記基板搬送機構が配置された搬送空間内に低湿気体を供給すること。また、この低湿気体供給部は、前記搬送空間の天井部に設けられ、当該搬送空間内に低湿気体のダウンフローを形成すること。
そして、搬入時とは反対の経路で、受け渡し棚131、搬入出部12のウエハ搬送機構121を介してウエハWを搬送し、処理済みのウエハWをFOUP100内に搬入して当該ウエハWに対する処理を終える。
また、乾燥防止用の液体の種類もIPAに限定されるものではなく、他の種類の非水性の液体、例えばアセトンなどを採用してもよい。
ウエハWの表面にIPAを供給した後、このウエハWの周囲の雰囲気を変化させた。
A.実験条件
300mmのウエハが載置されている雰囲気を変化させ、当該ウエハWの表面に、水分含有量0.1重量%、温度23℃のIPAを100ml供給した後、当該IPAを回収してIPA中の水分濃度を測定した。
(実施例1−1)相対湿度1.0%(温度23℃)(露点−36℃)のドライエア雰囲気下でIPAを供給した直後、IPAを回収して水分濃度を測定した。
(実施例1−2)実施例1−1と同じ条件下で、IPAを供給し、ウエハを1分間放置した後、IPAを回収して水分濃度を測定した。
(実施例1−3)相対湿度1.0%(温度23℃)の窒素ガス雰囲気下でIPAを供給した直後、IPAを回収して水分濃度を測定した。
(実施例1−4)実施例1−3と同じ条件下で、IPAを供給し、ウエハを1分間放置した後、IPAを回収して水分濃度を測定した。
(比較例1−1)相対湿度50%(温度23℃)(露点12℃)の大気雰囲気下でIPAを供給した直後、IPAを回収して水分濃度を測定した。
(比較例1−2)実施例1−3と同じ条件下で、IPAを供給し、ウエハを1分間放置した後、IPAを回収して水分濃度を測定した。
実施例1−1〜1−4、比較例1−1〜1−2の実験結果を図12に示す。図12に示した結果によれば、IPAが供給されたウエハWの周囲の雰囲気をドライエアまたは窒素ガスとした各実施例では、IPA中の水分濃度を0.03〜0.04重量%程度に抑えることができている。
既述の比較例1−2と同様の条件下でウエハWの表面にIPAを供給し、このIPAの温度を変化させた。
A.実験条件
(実施例2−1)IPAの温度を45℃とした。
(実施例2−2)IPAの温度を55℃とした。
(実施例2−3)IPAの温度を65℃とした。
(比較例2−1)IPAの温度を23℃とした。
実施例2−1〜2−3、比較例2−1の実験結果を図13に示す。図13に示した結果によれば、相対湿度が50%の大気雰囲気にウエハWを1分間放置した場合であっても、IPAの温度を上昇させることにより、回収後のIPAに含まれる水分量を低減できることが分かる。
104 ドライエア供給源
2 ウエハ搬送機構
20 ドライエア供給源
21 第1フォーク
22 第2フォーク
23 カバー部
234 ドライエア供給孔
3 洗浄装置
361 薬液供給部
362 リンス液供給部
363 IPA供給部
4 超臨界処理装置
40 超臨界CO2供給部
41 処理容器
5 制御部
Claims (8)
- 表面にパターンが形成された基板に処理液を供給することにより基板の液処理を行い、次いで当該基板の表面に乾燥防止用の液体を供給して、当該表面を当該液体で覆った状態とする液処理装置と、
前記基板を収容する容器を備え、この容器の内部に高圧流体の雰囲気を形成して、当該基板の表面が高圧流体と接する状態としてから当該容器内を減圧することにより、前記基板の表面から前記液体を除去する高圧流体処理装置と、
表面が前記乾燥防止用の液体で覆われた基板を、前記液処理装置から搬送路に沿って前記高圧流体処理装置へ搬送するために設けられ、前記搬送路側で基板を保持する後方側の位置と、前記液処理装置または高圧流体処理装置の内部へ進入する前方側の位置との間を進退自在に構成された基板保持部と、前記搬送路側の位置にて基板保持部に保持された基板を、隙間を介して上方側から覆うカバー部と、基板を保持した基板保持部を側方から囲むようにして前記カバー部の側周部側に設けられ、当該基板保持部の進退方向の前方側に切り欠きが形成された側板部材とを備えた基板搬送機構と、
前記乾燥防止用の液体への水分の吸収を抑えるために、前記搬送路を搬送される基板の周囲である前記カバー部と基板との隙間内に、前記進退方向の後方側から前記搬送路の外部の大気よりも水分含有量の少ない低湿気体を供給する低湿気体供給部と、を備えたことを特徴とする基板処理システム。 - 表面にパターンが形成された基板に処理液を供給することにより基板の液処理を行い、次いで当該基板の表面に乾燥防止用の液体である、45〜65℃の範囲内の温度に加熱されたイソプロピルアルコールを供給して、当該表面を当該液体で覆った状態とする液処理装置と、
前記基板を収容する容器を備え、この容器の内部に高圧流体の雰囲気を形成して、当該基板の表面が高圧流体と接する状態としてから当該容器内を減圧することにより、前記基板の表面から前記液体を除去する高圧流体処理装置と、
表面が前記乾燥防止用の液体で覆われた基板を、前記液処理装置から搬送路に沿って前記高圧流体処理装置へ搬送する基板搬送機構と、
前記乾燥防止用の液体への水分の吸収を抑えるために、前記搬送路を搬送される基板の周囲に、前記搬送路の外部の大気よりも水分含有量の少ない低湿気体を供給する低湿気体供給部と、を備えたことを特徴とする基板処理システム。 - 前記低湿気体供給部は、前記基板搬送機構が配置された搬送空間内に低湿気体を供給することを特徴とする請求項2に記載の基板処理システム。
- 前記低湿気体供給部は、前記搬送空間の天井部に設けられ、当該搬送空間内に低湿気体のダウンフローを形成することを特徴とする請求項3に記載の基板処理システム。
- 前記乾燥防止用の液体は、45〜65℃の範囲内の温度に加熱されたイソプロピルアルコールであることを特徴とする請求項1に記載の基板処理システム。
- 表面にパターンが形成された基板に処理液を供給することにより基板の液処理を行い、次いで当該基板の表面に乾燥防止用の液体を供給して、当該表面を当該液体で覆った状態とする工程と、
前記基板を収容する容器の内部に高圧流体の雰囲気を形成して、当該基板の表面が高圧流体と接する状態としてから当該容器内を減圧することにより、前記基板の表面から前記液体を除去する工程と、
前記基板を搬送する際に、当該基板が保持される後方側の位置と、前記液体の供給が行われる位置または高圧流体処理による処理が行われる前記容器との間で基板の受け渡すための前方側の位置との間を進退自在に構成された基板保持部と、前記後方側の位置にて基板保持部に保持された基板を、隙間を介して上方側から覆うカバー部と、基板を保持した基板保持部を側方から囲むようにして前記カバー部の側周部側に設けられ、当該基板保持部の進退方向の前方側に切り欠きが形成された側板部材とを備えた基板搬送機構を用いて、表面が前記乾燥防止用の液体で覆われた基板を、この液体が供給された位置から、当該液体の除去が行われる前記容器へ搬送路に沿って搬送する工程と、
前記乾燥防止用の液体への水分の吸収を抑えるために、前記搬送路を搬送される基板の周囲である前記カバー部と基板との隙間内に、前記進退方向の後方側から前記搬送路の外部の大気よりも水分含有量の少ない低湿気体を供給する工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 表面にパターンが形成された基板に処理液を供給することにより基板の液処理を行い、次いで当該基板の表面に乾燥防止用の液体である、45〜65℃の範囲内の温度に加熱されたイソプロピルアルコールを供給して、当該表面を当該液体で覆った状態とする工程と、
前記基板を収容する容器の内部に高圧流体の雰囲気を形成して、当該基板の表面が高圧流体と接する状態としてから当該容器内を減圧することにより、前記基板の表面から前記液体を除去する工程と、
表面が前記乾燥防止用の液体で覆われた基板を、この液体が供給された位置から、当該液体の除去が行われる前記容器へ搬送路に沿って搬送する工程と、
前記乾燥防止用の液体への水分の吸収を抑えるために、前記搬送路を搬送される基板の周囲に、前記搬送路の外部の大気よりも水分含有量の少ない低湿気体を供給する工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 表面にパターンが形成された基板に処理液を供給することにより基板の液処理を行う液処理装置と、この液処理装置にて基板の表面に供給された乾燥防止用の液体を高圧流体と置換して除去する高圧流体処理装置と、これら液処理装置と高圧流体処理装置との間で基板を搬送する基板搬送機構と、を備えた基板処理システムに用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記プログラムは請求項6または7に記載された基板処理方法を実行するためにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012071709A JP5626249B2 (ja) | 2012-03-27 | 2012-03-27 | 基板処理システム、基板処理方法及び記憶媒体 |
KR1020130013773A KR101841789B1 (ko) | 2012-03-27 | 2013-02-07 | 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 기억 매체 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012071709A JP5626249B2 (ja) | 2012-03-27 | 2012-03-27 | 基板処理システム、基板処理方法及び記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013206957A JP2013206957A (ja) | 2013-10-07 |
JP5626249B2 true JP5626249B2 (ja) | 2014-11-19 |
Family
ID=49525785
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012071709A Active JP5626249B2 (ja) | 2012-03-27 | 2012-03-27 | 基板処理システム、基板処理方法及び記憶媒体 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5626249B2 (ja) |
KR (1) | KR101841789B1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101919122B1 (ko) * | 2014-08-12 | 2018-11-15 | 주식회사 제우스 | 공정 분리형 기판 처리장치 및 처리방법 |
JP6411172B2 (ja) * | 2014-10-24 | 2018-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 |
KR101979601B1 (ko) * | 2016-06-02 | 2019-05-20 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
JP6826890B2 (ja) * | 2017-01-12 | 2021-02-10 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
US10576493B2 (en) * | 2017-03-14 | 2020-03-03 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
KR101980729B1 (ko) * | 2017-05-17 | 2019-08-29 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP7163199B2 (ja) * | 2019-01-08 | 2022-10-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
KR102584514B1 (ko) * | 2020-07-09 | 2023-10-06 | 세메스 주식회사 | 기판 반송 장치, 기판 처리 장치 및 방법 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4750773B2 (ja) * | 2007-10-01 | 2011-08-17 | 忠弘 大見 | 基板の処理システム |
JP5117365B2 (ja) * | 2008-02-15 | 2013-01-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 |
JP5506461B2 (ja) * | 2010-03-05 | 2014-05-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 超臨界処理装置及び超臨界処理方法 |
KR20120028672A (ko) * | 2010-09-15 | 2012-03-23 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 |
-
2012
- 2012-03-27 JP JP2012071709A patent/JP5626249B2/ja active Active
-
2013
- 2013-02-07 KR KR1020130013773A patent/KR101841789B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101841789B1 (ko) | 2018-03-23 |
JP2013206957A (ja) | 2013-10-07 |
KR20130110005A (ko) | 2013-10-08 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140115 |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140417 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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