JP2013206957A - 基板処理システム、基板処理方法及び記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板処理システム1において、液処理装置3は、表面にパターンが形成された基板Wに処理液を供給することにより液処理を行い、次いで当該基板Wの表面に乾燥防止用の液体を供給する。高圧流体処理装置4は、基板Wを収容する容器41内にて、当該基板Wの表面の液体を高圧流体と置換して除去する。基板搬送機構2は、表面が乾燥防止用の液体で覆われた基板Wを、液処理装置3から高圧流体処理装置4へ搬送路に沿って搬送し、低湿気体供給部23は、乾燥防止用の液体への水分の吸収を抑えるために、搬送路を搬送される基板Wの周囲に低湿気体を供給する。
【選択図】図1
Description
前記基板を収容する容器を備え、この容器の内部に高圧流体の雰囲気を形成して、当該基板の表面が高圧流体と接する状態としてから当該容器内を減圧することにより、前記基板の表面から前記液体を除去する高圧流体処理装置と、
表面が前記乾燥防止用の液体で覆われた基板を、前記液処理装置から搬送路に沿って前記高圧流体処理装置へ搬送する基板搬送機構と、
前記乾燥防止用の液体への水分の吸収を抑えるために、前記搬送路を搬送される基板の周囲に、前記搬送路の外部の大気よりも水分含有量の少ない低湿気体を供給する低湿気体供給部と、を備えたことを特徴とする。
(a)前記基板搬送機構は、基板を保持する基板保持部と、この基板保持部に保持された基板を、隙間を介して上方側から覆うカバー部と、を備え、前記低湿気体供給部は、前記隙間内に低湿気体を供給すること。
(b)前記低湿気体供給部は、前記基板搬送機構が配置された搬送空間内に低湿気体を供給すること。また、この低湿気体供給部は、前記搬送空間の天井部に設けられ、当該搬送空間内に低湿気体のダウンフローを形成すること。
(c)前記乾燥防止用の液体は、45〜65℃の範囲内の温度に加熱されたイソプロピルアルコールであること。
そして、搬入時とは反対の経路で、受け渡し棚131、搬入出部12のウエハ搬送機構121を介してウエハWを搬送し、処理済みのウエハWをFOUP100内に搬入して当該ウエハWに対する処理を終える。
また、乾燥防止用の液体の種類もIPAに限定されるものではなく、他の種類の非水性の液体、例えばアセトンなどを採用してもよい。
ウエハWの表面にIPAを供給した後、このウエハWの周囲の雰囲気を変化させた。
A.実験条件
300mmのウエハが載置されている雰囲気を変化させ、当該ウエハWの表面に、水分含有量0.1重量%、温度23℃のIPAを100ml供給した後、当該IPAを回収してIPA中の水分濃度を測定した。
(実施例1−1)相対湿度1.0%(温度23℃)(露点−36℃)のドライエア雰囲気下でIPAを供給した直後、IPAを回収して水分濃度を測定した。
(実施例1−2)実施例1−1と同じ条件下で、IPAを供給し、ウエハを1分間放置した後、IPAを回収して水分濃度を測定した。
(実施例1−3)相対湿度1.0%(温度23℃)の窒素ガス雰囲気下でIPAを供給した直後、IPAを回収して水分濃度を測定した。
(実施例1−4)実施例1−3と同じ条件下で、IPAを供給し、ウエハを1分間放置した後、IPAを回収して水分濃度を測定した。
(比較例1−1)相対湿度50%(温度23℃)(露点12℃)の大気雰囲気下でIPAを供給した直後、IPAを回収して水分濃度を測定した。
(比較例1−2)実施例1−3と同じ条件下で、IPAを供給し、ウエハを1分間放置した後、IPAを回収して水分濃度を測定した。
実施例1−1〜1−4、比較例1−1〜1−2の実験結果を図12に示す。図12に示した結果によれば、IPAが供給されたウエハWの周囲の雰囲気をドライエアまたは窒素ガスとした各実施例では、IPA中の水分濃度を0.03〜0.04重量%程度に抑えることができている。
既述の比較例1−2と同様の条件下でウエハWの表面にIPAを供給し、このIPAの温度を変化させた。
A.実験条件
(実施例2−1)IPAの温度を45℃とした。
(実施例2−2)IPAの温度を55℃とした。
(実施例2−3)IPAの温度を65℃とした。
(比較例2−1)IPAの温度を23℃とした。
実施例2−1〜2−3、比較例2−1の実験結果を図13に示す。図13に示した結果によれば、相対湿度が50%の大気雰囲気にウエハWを1分間放置した場合であっても、IPAの温度を上昇させることにより、回収後のIPAに含まれる水分量を低減できることが分かる。
104 ドライエア供給源
2 ウエハ搬送機構
20 ドライエア供給源
21 第1フォーク
22 第2フォーク
23 カバー部
234 ドライエア供給孔
3 洗浄装置
361 薬液供給部
362 リンス液供給部
363 IPA供給部
4 超臨界処理装置
40 超臨界CO2供給部
41 処理容器
5 制御部
Claims (7)
- 表面にパターンが形成された基板に処理液を供給することにより基板の液処理を行い、次いで当該基板の表面に乾燥防止用の液体を供給して、当該表面を当該液体で覆った状態とする液処理装置と、
前記基板を収容する容器を備え、この容器の内部に高圧流体の雰囲気を形成して、当該基板の表面が高圧流体と接する状態としてから当該容器内を減圧することにより、前記基板の表面から前記液体を除去する高圧流体処理装置と、
表面が前記乾燥防止用の液体で覆われた基板を、前記液処理装置から搬送路に沿って前記高圧流体処理装置へ搬送する基板搬送機構と、
前記乾燥防止用の液体への水分の吸収を抑えるために、前記搬送路を搬送される基板の周囲に、前記搬送路の外部の大気よりも水分含有量の少ない低湿気体を供給する低湿気体供給部と、を備えたことを特徴とする基板処理システム。 - 前記基板搬送機構は、基板を保持する基板保持部と、この基板保持部に保持された基板を、隙間を介して上方側から覆うカバー部と、を備え、
前記低湿気体供給部は、前記隙間内に低湿気体を供給することを特徴とする請求項1に記載の基板処理システム。 - 前記低湿気体供給部は、前記基板搬送機構が配置された搬送空間内に低湿気体を供給することを特徴とする請求項1に記載の基板処理システム。
- 前記低湿気体供給部は、前記搬送空間の天井部に設けられ、当該搬送空間内に低湿気体のダウンフローを形成することを特徴とする請求項3に記載の基板処理システム。
- 前記乾燥防止用の液体は、45〜65℃の範囲内の温度に加熱されたイソプロピルアルコールであることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の基板処理システム。
- 表面にパターンが形成された基板に処理液を供給することにより基板の液処理を行い、次いで当該基板の表面に乾燥防止用の液体を供給して、当該表面を当該液体で覆った状態とする工程と、
前記基板を収容する容器の内部に高圧流体の雰囲気を形成して、当該基板の表面が高圧流体と接する状態としてから当該容器内を減圧することにより、前記基板の表面から前記液体を除去する工程と、
表面が前記乾燥防止用の液体で覆われた基板を、この液体が供給された位置から、当該液体の除去が行われる前記容器へ搬送路に沿って搬送する工程と、
前記乾燥防止用の液体への水分の吸収を抑えるために、前記搬送路を搬送される基板の周囲に、前記搬送路の外部の大気よりも水分含有量の少ない低湿気体を供給する工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 表面にパターンが形成された基板に処理液を供給することにより基板の液処理を行う液処理装置と、この液処理装置にて基板の表面に供給された乾燥防止用の液体を高圧流体と置換して除去する高圧流体処理装置と、これら液処理装置と高圧流体処理装置との間で基板を搬送する基板搬送機構と、を備えた基板処理システムに用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記プログラムは請求項6に記載された基板処理方法を実行するためにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。
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