JP2022016347A - 基板搬送装置、基板処理装置、及び基板処理方法 - Google Patents

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Jinwoo Jung
ヒ イ，ヨン
Yong Hee Lee
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Abstract

Figure 2022016347000001
【課題】基板を洗浄するための搬送過程で基板汚染を防止することができる基板搬送装置、基板処理装置、及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明は基板を処理する装置を提供する。一実施形態によれば、基板処理装置は、基板に対して液処理を遂行する第１工程チャンバーと、前記第１工程チャンバーで液処理された基板に対して乾燥処理を遂行する第２工程チャンバーと、前記液処理前の基板を前記第１工程チャンバーに搬入する第１ハンドと、前記液処理後の基板を前記第１工程チャンバーで搬出し、前記第２工程チャンバーに搬入する第２ハンドと、前記乾燥処理後の基板を前記第２工程チャンバーで搬出する第３ハンドと、を含むことができる。
【選択図】図４

Description

本発明は基板搬送装置、基板処理装置、及び基板処理方法に係る。
一般的に半導体装置のような集積回路素子は基板として使用される半導体基板に対して一連の単位工程を反復的に遂行することによって製造されることができる。例えば、前記基板上には蒸着、フォトリソグラフィー、蝕刻、洗浄、乾燥等の単位工程を遂行することによって前記集積回路素子を構成する電気的な回路パターンが形成されることができる。
前記単位工程の中で前記蝕刻又は洗浄は一枚ずつ基板を処理する枚葉式装置と多数の基板を同時に処理するバッチ式装置によって遂行されることができる。特に、前記枚葉式装置は前記基板を回転させながら、前記基板上に蝕刻液、洗浄液、リンス液、乾燥ガス等を供給することによって前記基板を処理することができる。
しかし、最近前記回路パターンの線幅が減少されることによって前記基板を高速に回転させるスピン乾燥方法を適用するのがだんだん難しくなる。これは前記基板を高速に回転させることによって発生される遠心力によって微細回路パターンが損傷される恐れがあるためである。
前記のような問題点を解決するために最近には基板を高速回転させなく、超臨界流体を利用する乾燥方法が採択されている。具体的に、基板を密閉された圧力容器内に位置させて、前記圧力容器の内部に高圧の超臨界流体を注入して前記超臨界流体と前記基板の上の液体を置換する方法を利用して前記基板を乾燥させることができる。
前記のような乾燥方法を適用する場合、前記基板処理装置は蝕刻又は洗浄工程を遂行するための第１モジュールと前記基板を乾燥させるための第２モジュールを含むことができ、基板が第１モジュールで第２モジュールに移動される時、自然乾燥現象を防止するために基板の表面に濡れ溶液を塗布した状態に搬送するようになる。
しかし、基板の搬送を遂行する基板搬送ロボットは処理前基板を搬送するハンドと処理後基板を搬送するハンドの中でいずれか１つを利用して第１モジュールから第２モジュールに基板を搬送するしかなく、この過程で基板表面の濡れ溶液によってハンドが汚染される問題点が発生するようになる。
国際特許公開ＷＯ２０１０／１０３８７６号公報
本発明の目的は基板を洗浄するための搬送過程で基板汚染を防止することができる基板搬送装置、基板処理装置、及び基板処理方法を提供することにある。
本発明の目的はここに制限されなく、言及されないその他の目的は下の記載から当業者に明確に理解されるべきである。
本発明の一側面によれば、基板に対して液処理を遂行する第１工程チャンバーと、前記第１工程チャンバーで液処理された基板に対して乾燥処理を遂行する第２工程チャンバーと、前記液処理前の基板を前記第１工程チャンバーに搬入する第１ハンドと、前記液処理後の基板を前記第１工程チャンバーで搬出し、前記第２工程チャンバーに搬入する第２ハンドと、前記乾燥処理後の基板を前記第２工程チャンバーで搬出する第３ハンドを含む基板処理装置が提供されることができる。
また、前記第１ハンド、前記第２ハンド、そして前記第３ハンドは１つの基板搬送装置の本体に提供されることができる。
また、前記第２工程チャンバーは前記第１工程チャンバーで液処理された基板に対して超臨界を利用した乾燥処理工程を遂行する高圧チャンバーであり得る。
また、前記第２ハンドは前記第１工程チャンバーで表面がウェッティング液で塗布された基板を前記第２工程チャンバーに搬送することができる。
また、前記ウェッティング液は揮発性有機溶媒、純水、又は界面活性剤と純水の混合液を含むことができる。
また、前記基板搬送装置を制御する制御部をさらに含み、前記制御部は前記第２ハンドによる基板搬送の時の速度が前記第１ハンド又は前記第３ハンドによる基板搬送の時の速度より相対的に遅くなるように制御することができる。
また、前記第３ハンド、前記第１ハンド、そして前記第２ハンドは上下方向に互いに異なる高さに前記本体上に配置されることができる。
また、前記第１ハンドは前記第２ハンドより高い位置に配置されることができる。
また、前記第３ハンドは前記第１ハンドより高い位置に配置されることができる。
また、前記第１ハンドと前記第３ハンドは第１基板搬送装置に提供され、前記第２ハンドは第２基板搬送装置に提供されることができる。
本発明の他の側面によれば、本体と、前記本体上に配置される第１ハンドと、前記本体上に配置される第２ハンドと、前記本体上に配置される第３ハンドと、前記第１ハンド乃至前記第３ハンドの駆動を制御する制御器と、を含み、前記制御器は、前記第１ハンドが液処理前基板を搬送するように制御し、前記第３ハンドが乾燥処理された基板を搬送するように制御し、前記第２ハンドが表面がウェッティング液で塗布された基板を搬送するように制御する基板搬送装置が提供されることができる。
また、前記制御器は、前記第２ハンドによる基板搬送時の速度が前記第１ハンド又は前記第３ハンドによる基板搬送時の速度より相対的に遅くなるように制御することができる。
また、前記第１ハンド、前記第２ハンド、そして前記第３ハンドは上下方向に互いに異なる高さに前記本体上に配置されることができる。
また、前記第１ハンドは前記第２ハンドより高い位置に配置し、前記第１ハンドは前記第３ハンドより低い高さに配置されることができる。
本発明の他の側面によれば、基板を処理する工程処理部と、基板が収容される基板移送容器が置かれるロードポートと前記基板移送容器と前記工程処理部との間に基板を搬送するインデックスロボットを具備するインデックス部と、を含み、前記工程処理部は基板を搬送する基板搬送装置を有する、そして前記インデックス部と隣接するように配置されるトランスファーチャンバーと、前記トランスファーチャンバーの側部に配置し、基板に対して液処理工程を遂行する第１工程チャンバー及び液処理工程を終えた基板に対して超臨界を利用した乾燥工程を遂行する第２工程チャンバーと、を含み、前記基板搬送装置は前記第１工程チャンバーに液処理前基板を搬送する第１ハンド、前記第１工程チャンバーでウェッティング液が塗布された基板を前記第２工程チャンバーに搬送する第２ハンド、そして前記第２工程チャンバーで乾燥処理された基板を搬送する第３ハンドを含む基板処理装置が提供されることができる。
また、前記第１ハンドは前記第２ハンドより高い位置に配置し、前記第１ハンドは前記第３ハンドより低い高さに配置されることができる。
また、前記基板搬送装置を制御する制御部をさらに含み、前記制御部は前記第２ハンドによる基板搬送の時の速度が前記第１ハンド又は前記第３ハンドによる基板搬送の時の速度より相対的に遅くなるように制御することができる。
本発明のその他の側面によれば、第１ハンドを利用して基板を第１工程チャンバーに搬入する段階と、前記第１工程チャンバーで基板にウェッティング液を塗布する段階と、第２ハンドを利用して前記ウェッティング液が塗布された基板を乾燥させるための第２工程チャンバーに搬送する段階と、前記第２工程チャンバーで前記ウェッティング液が塗布された基板を乾燥処理する段階と、第３ハンドを利用して前記第２工程チャンバーで乾燥処理された基板を搬出する段階と、を含む基板処理方法が提供されることができる。
また、前記乾燥処理する段階は超臨界を利用して基板を乾燥処理することができる。
また、前記ウェッティング液は揮発性有機溶媒（イソプロピルアルコール、イソプロピルアルコール水溶液）、純水、又は界面活性剤と純水の混合液を含むことができる。
また、前記第２ハンドによる基板搬送は前記第１ハンド又は前記第３ハンドによる基板搬送より相対的に遅い速度を有することができる。
また、前記第１ハンド、前記第２ハンド、そして前記第３ハンドは１つの基板搬送装置の本体に提供されることができる。
本発明の一実施形態によれば、ウェッティングされた基板を搬送するハンドを別に構成することによって基板搬送過程で基板汚染を防止することができる。
本発明の効果が上述した効果によって限定されることではなく、言及されない効果は本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解されるべきである。
本発明の一実施形態による基板処理装置を概略的に示す平面構成図である。 図１の第１工程チャンバーの一実施形態を概略的に示す図面である。 図１の第２工程チャンバーの一実施形態を概略的に示す図面である。 図１に図示された基板搬送装置を示す図面である。 本発明の実施形態による基板処理方法を示した順序図である。 図５の基板処理方法によって搬送ユニットの搬送経路を示す図面である。 図１に図示された工程処理部の側面図である。 その他の実施形態に係る基板処理装置の基板処理部を示す図面である。
以下、本発明の実施形態を添付された図面を参照してさらに詳細に説明する。本発明の実施形態は様々な形態に変形することができ、本発明の範囲が以下の実施形態に限定されることして解釈されてはならない。本実施形態は当業界で平均的な知識を有する者に本発明をさらに完全に説明するために提供されることである。したがって、図面での要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張されたことである。
以下では、本発明に係る基板処理装置を説明する。
基板処理装置は洗浄液を利用して基板を洗浄する工程と、超臨界流体（又はイソプロピルアルコール（ＩＰＡ））を工程流体で利用して基板を乾燥処理する乾燥工程を遂行することができる。
ここで、基板は半導体素子や平板ディスプレイ（ＦＰＤ：ｆｌａｔ ｐａｎｅｌ ｄｉｓｐｌａｙ）及びその他に薄膜に回路パターンが形成された製品の製造に利用される基板を全て含む包括的な概念である。このような基板Ｗの例としては、シリコンウエハ、ガラス基板、有機基板等がある。
図１は本発明の一実施形態による基板処理装置を概略的に示す平面構成図である。
図１を参照すれば、基板処理装置１０００はインデックス部１０と工程処理部２０を含むことができる。
一実施形態によれば、インデックス部１０と工程処理部２０は一方向に沿って配置されることができる。以下、インデックス部１０そして工程処理部２０が配置された方向を第１の方向９２とし、第１の方向９２と垂直になる方向を第２方向９４とし、第１の方向９２及び第２方向９４に全て垂直になる方向を第３方向９６とする。
インデックス部１０は基板Ｗが収納された容器８０から基板Ｗを工程処理部２０に搬送し、工程処理部２０で処理が完了された基板Ｗを容器８０に収納する。インデックス部１０の長さ方向は第２方向９４に提供される。インデックス部１０はロードポート１２（ｌｏａｄ ｐｏｒｔ）とインデックスフレーム１４を含むことができる。インデックスフレーム１４を基準にロードポート１２は工程処理部２０の反対側に位置される。基板Ｗが収納された容器８０はロードポート１２に置かれる。ロードポート１２は複数が提供されることができ、複数のロードポート１２は第２方向９４に沿って配置されることができる。
容器８０としては前面開放一体型ポッド（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ：ＦＯＵＰ）のような密閉用容器が使用されることができる。容器８０はオーバーヘッドトランスファー（Ｏｖｅｒｈｅａｄ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）、オーバーヘッドコンベア（Ｏｖｅｒｈｅａｄ Ｃｏｎｖｅｙｏｒ）、又は自動案内車両（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｇｕｉｄｅｄ Ｖｅｈｉｃｌｅ）のような移送手段（図示せず）や作業者によってロードポート１２に置かれることができる。
インデックスフレーム１４にはインデックスロボット１２０が提供されることができる。インデックスフレーム１４内には長さ方向が第２方向９４に提供されたガイドレール１４０が提供され、インデックスロボット１２０はガイドレール１４０上で移動可能に提供されることができる。インデックスロボット１２０は基板Ｗが置かれるハンド１２２を含み、ハンド１２２は前進及び後進移動、第３方向９６を軸とした回転、そして第３方向９６に沿って移動可能に提供されることができる。ハンド１２２は複数が上下方向に離隔されるように提供され、ハンド１２２は互いに独立的に前進及び後進移動することができる。
工程処理部２０はバッファチャンバー２００、搬送チャンバー３００、第１工程チャンバー４００、そして第２工程チャンバー５００を含むことができる。
バッファチャンバー２００はインデックス部１０と工程処理部２０との間に搬送される基板Ｗが臨時的に留まる空間を提供する。バッファチャンバー２００にはバッファスロットが提供されることができる。バッファスロットには基板Ｗが置かれることができる。例えば、インデックスロボット１２０は基板Ｗを容器８０から引き出してバッファスロットに置かれることができる。搬送チャンバー３００の基板搬送ロボット３２０はバッファスロットに置かれる基板Ｗを引き出してこれを第１工程チャンバー４００や第２工程チャンバー５００に搬送することができる。バッファチャンバー２００には複数のバッファスロットが提供されて複数の基板Ｗが置かれることができる。
搬送チャンバー３００はその周囲に配置されたバッファチャンバー２００、第１工程チャンバー４００、そして第２工程チャンバー５００の間に基板Ｗを搬送する。搬送チャンバー３００は基板搬送ロボット３２０と移送レール３１０を含むことができる。基板搬送ロボット３２０は移送レール３１０上で移動し、基板Ｗを搬送することができる。
第１工程チャンバー４００と第２工程チャンバー５００は工程流体を利用して洗浄工程を遂行することができる。洗浄工程は第１工程チャンバー４００と第２工程チャンバー５００で順次的に遂行されることができる。例えば、第１工程チャンバー３００では洗浄工程が遂行され、第２工程チャンバー５００では超臨界又はイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を利用した乾燥工程が遂行されることができる。
第１工程チャンバー４００と第２工程チャンバー５００は搬送チャンバー３００の側面に配置されることができる。例えば、第１工程チャンバー４００と第２工程チャンバー５００は搬送チャンバー３００の他の側面に互いに対向するように配置されることができる。また、第１工程チャンバー４００と第２工程チャンバー５００は複数に提供されることができる。複数の工程チャンバー４００、５００は搬送チャンバー３００の側面に一列に配置されることができる。
第１工程チャンバー４００と第２工程チャンバー５００の配置は上述した例として限定されなく、基板処理装置１０のフットプリントや工程効率等を考慮して変更されることができる。基板処理装置１０００は制御部によって制御されることができる。
搬送チャンバー３００はその長さ方向が第１の方向９２に提供されることができる。搬送チャンバー３００は基板搬送ロボット３２０を有する。搬送チャンバー３００内には長さ方向が第１の方向９２に提供されたガイドレール３１０が提供され、基板搬送ロボット３２０はガイドレール３４０上で移動可能に提供されることができる。
基板搬送ロボット３２０は基板Ｗが置かれるハンド３２２を含み、ハンド３２２は前進及び後進移動、第３方向９６を軸とした回転、そして第３方向９６に沿って移動可能に提供されることができる。ハンド３２２は上下方向に離隔されるように提供され、ハンド３２２は互いに独立的に前進及び後進移動することができる。
図２は図１の第１工程チャンバーの一実施形態を概略的に示す図面である。
図２を参照すれば、第１工程チャンバー４００はハウジング４１０、カップ４２０、支持ユニット４４０、液供給ユニット４６０、そして昇降ユニット４８０を含むことができる。
ハウジング４１０は大体に直方体形状に提供される。カップ４２０、支持ユニット４４０、そして液供給ユニット４６０はハウジング４１０内に配置されることができる。
カップ４２０は上部が開放された処理空間を有し、基板Ｗは処理空間内で液処理される。支持ユニット４４０は処理空間内で基板Ｗを支持する。液供給ユニット４６０は支持ユニット４４０に支持された基板Ｗ上に液を供給する。液は複数の種類に提供され、基板Ｗ上に順次的に供給されることができる。昇降ユニット４８０はカップ４２０と支持ユニット４４０との間の相対高さを調節する。
一例によれば、カップ４２０は複数の回収筒４２２、４２４、４２６を含むことができる。回収筒４２２、４２４、４２６は各々基板処理に使用された液を回収する回収空間を有する。各々の回収筒４２２、４２４、４２６は支持ユニット４４０を囲むリング形状に提供される。液処理工程が進行する時、基板Ｗの回転によって飛散される前処理液は各回収筒４２２、４２４、４２６の流入口４２２ａ、４２４ａ、４２６ａを通じて回収空間に流入される。一例によれば、カップ４２０は第１回収筒４２２、第２回収筒４２４、そして第３回収筒４２６を有する。第１回収筒４２２は支持ユニット４４０を囲むように配置され、第２回収筒４２４は第１回収筒４２２を囲むように配置され、第３回収筒４２６は第２回収筒４２４を囲むように配置される。第２回収筒４２４に液が流入する第２流入口４２４ａは第１回収筒４２２に液が流入する第１流入口４２２ａより上部に位置され、第３回収筒４２６に液が流入する第３流入口４２６ａは第２流入口４２４ａより上部に位置されることができる。
支持ユニット４４０は支持板４４２と駆動軸４４４を有する。支持板４４２の上面は大体に円形に提供され、基板Ｗより大きい直径を有することができる。支持板４４２の中央部には基板Ｗの背面を支持する支持ピン４４２ａが提供され、支持ピン４４２ａは基板Ｗが支持板４４２から一定距離離隔されるようにその上端が支持板４４２から突出されるように提供される。支持板４４２の縁部にはチャックピン４４２ｂが提供される。チョクピン４４２ｂは支持板４４２から上部に突出されるように提供され、基板Ｗが回転される時、基板Ｗが支持ユニット４４０から離脱されないように基板Ｗの側部を支持する。駆動軸４４４は駆動器４４６によって駆動され、基板Ｗの底面中央と連結され、支持板４４２をその中心軸を基準に回転させる。
一例によれば、液供給ユニット４６０は第１ノズル４６２、第２ノズル４６４、そして第３ノズル４６６を含むことができる。第１ノズル４６２は第１液を基板Ｗ上に供給することができる。第１液は基板Ｗ上に残存する膜や異物を除去する液である。第２ノズル４６４は第２液を基板Ｗ上に供給することができる。第２液は第３液によく溶解される液である。例えば、第２液は第１液に比べて第３液にさらによく溶解される液である。第２液は基板Ｗ上に供給された第１液を中和させる液である。また、第２液は第１液を中和させ、同時に第１液に比べて第３液によく溶解される液である。一例によれば、第２液は純水（ＤＩＷ）であり得る。第３ノズル４６６は第３液を基板Ｗ上に供給することができる。第３液は第２工程チャンバー５００で使用される超臨界流体によく溶解される液であり得る。一例によれば、第３液（ウェッティング液）は揮発性有機溶媒、純水ね又は界面活性剤と純水の混合液であり得る。有機溶剤はイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）である。一例によれば、超臨界流体は二酸化炭素である。基板は第３液によって塗布された状態（ウェッティングされた状態）に第１工程チャンバーから搬出されて第２工程チャンバーに搬入される。
第１ノズル４６２、第２ノズル４６４、そして第３ノズル４６６は互いに異なるアーム４６１に支持され、これらのアーム４６１は独立的に移動されることができる。選択的に、第１ノズル４６２、第２ノズル４６４、そして第３ノズル４６６は同一なアームに装着されて同時に移動されることができる。
昇降ユニット４８０はカップ４２０を上下方向に移動させる。カップ４２０の上下移動によってカップ４２０と基板Ｗとの間の相対高さが変更される。これによって、基板Ｗに供給される液の種類に応じて前処理液を回収する回収筒４２２、４２４、４２６が変更されるので、液を分離回収することができる。上述したことと異なりに、カップ４２０は固定設置され、昇降ユニット４８０は支持ユニット４４０を上下方向に移動させることができる。
図３は図１の第２工程チャンバーの一実施形態を概略的に示す図面である。
一実施形態によれば、第２工程チャンバー５００は超臨界流体を利用して基板Ｗ上の液を除去する。洗浄装置５００はボディー５２０、基板支持体５３０、流体供給ユニット６００を含むことができる。
ボディー５２０は洗浄工程が遂行される処理空間５０２を提供することができる。ボディー５２０は上体５２２（ｕｐｐｅｒ ｂｏｄｙ）と下体５２４（ｌｏｗｅｒ ｂｏｄｙ）を有し、上体５２２と下体５２４は互いに組み合わせて上述した処理空間５０２を提供することができる。上体５２２は下体５２４の上部に提供される。上体５２２はその位置が固定され、下体５２４はシリンダーのような駆動部材５９０によって昇下降されることができる。下体５２４が上体５２２から離隔されれば、処理空間５０２が開放され、この時、基板Ｗが搬入又は搬出される。乾燥工程進行する時には下体５２４が上体５２２に密着されて処理空間５０２が外部から密閉される。
第２工程チャンバー５００はヒーター５７０を含むことができる。一例によれば、ヒーター５７０はボディー５２０の壁内部に位置されることができる。ヒーター５７０はボディー５２０の内部空間内に供給された流体が超臨界状態を維持するようにボディー５２０の処理空間５０２を加熱することができる。処理空間５０２の内部は超臨界流体による雰囲気が形成される。
基板支持体５３０はボディー５２０の処理空間５０２内で基板Ｗを支持する。
流体供給ユニット６００はボディー５２０の処理空間５０２に洗浄流体を供給する。一例によれば、洗浄流体は超臨界状態に処理空間５０２に供給されることができる。これと異なりに、洗浄流体はガス状態に処理空間５０２に供給され、処理空間５０２内で超臨界状態に相変化されることができる。
一例によれば、流体供給ユニット６００は流体供給ポート６９０、供給ライン６２０、そしてバルブ６６０を含む。流体供給ポート６９０は基板Ｗの上面に直接超臨界流体を供給する。流体供給ポート６９０は上体５２２に連結されて提供される。流体供給ユニット６００は下体５２４に連結される下部流体供給ポート（図示せず）をさらに含むことができる。流体供給ポート６９０から噴射される超臨界流体は基板Ｗの中央領域に到達して縁領域に拡散されながら、基板Ｗの全領域に均一に提供される。供給ライン６２０は流体供給ポート６９０に連結される。供給ライン６２０は外部に別の超臨界流体貯蔵部６１０から超臨界流体が供給されて流体供給ポート６９０に超臨界流体を供給する。一例として、超臨界流体貯蔵部６１０は二酸化炭素等であり得る超臨界流体を格納し、供給ライン６２０に供給することができる。
バルブ６６０は供給ライン６２０に設置される。バルブ６６０は流体供給ポート６９０に供給される超臨界流体の流量を調節する。バルブ６６０は制御器（図示せず）によって処理空間５０２の内部に供給される流量調節が可能である。
排気部材５５０は第２工程チャンバー５００から超臨界流体を排気する。排気部材５５０は超臨界流体を排気する排気ライン５５２に連結されることができる。この時、排気部材５５０には排気ライン５５２に排気する超臨界流体の流量を調節するバルブ（図示せず）が設置されることができる。排気ライン５５２を通じて排気される超臨界流体は大気中に放出されるか、或いは超臨界流体再生システム（図示せず）に供給されることができる。排気部材５５０は下体５２４に結合されることができる。
図４は図１に図示された基板搬送装置を示す図面である。
図４を参照すれば、基板搬送装置３２０は本体３３０、第１アーム３４２乃至第３アーム３４６を含む。まず、図面で、第１の方向ｘは第１アーム３４２乃至前記第３アーム３４６の移動方向（即ち、前後（水平）移動方向）を意味し、第２方向ｚは第１アーム３４２乃至第３アーム３４６の積層方向（又は、垂直移動方向）を意味し、第３方向ｙは第１の方向ｘ及び第２方向ｚの垂直方向（即ち、左右（水平）移動方向）を意味する。
第１アーム３４２乃至第３アーム３４６は本体に順次的に積層されて（即ち、第２方向ｚに）配置し、個別的に駆動されることができる。ここで、第１アーム３４２乃至第３アーム３４６は各々１つのハンド３４１、３４３、３４５を含む。各々のハンド３４１、３４３、３４５はアームベース３４２ａ、３４４ａ、３４６ａを通じて、アーム駆動部（図示せず）と機械的に連結される。
ハンド３４１、３４３、３４５は工程処理後基板を移送する搬出用ハンド３４５（以下、‘第３ハンド’と称する）、工程処理前基板を移送する搬入用ハンド３４１（以下、‘第１ハンド’と称する）、そしてウェッティングされた基板を移送する移送用ハンド３４３（以下、‘第２ハンド’と称する）に区分して運用されることができる。本発明の一例として、第３ハンド３４５は第１ハンド３４１及び第２ハンド３４３の上部に位置し、第２ハンド３４３は第１ハンド３４１の下部に位置する。即ち、第２ハンド３４３がウェッティングされた基板を搬送する時、設備内のファンフィルターユニットＦＦＵ（図示せず）及び重力等によってウェッティング液が下に落ちることができ、これによって他のハンドが汚染される可能性を排除するために第２ハンド３４３を最も下に配置した。そして、工程処理前基板を移送する第１ハンド３４１は前工程で汚染された基板が投入される可能性があるので、中間に位置させ、最もきれいな状態の第３ハンド３４５は最上端に位置させる。
したがって、基板搬送ロボット３２０は工程処理後基板又は工程処理前基板を移送する過程でウェッティングされた基板のウェッティング液による基板汚染を防止することができる。
一方、第１ハンド３４１乃至第３ハンド３４５は基板を真空方式に維持して搬送することができ、このために各々のハンド３４１、３４３、３４５は吸着パッドＶＰを含むことができる。吸着パッドＶＰは基板の間を密閉させるため表面摩擦係数が高く、弾性を有する樹脂材質で提供されることができる。
基板搬送装置３２０は第１ハンド３４１乃至第３ハンド３４５の駆動を各々制御する制御器３６０を含む。制御器３６０は、第１ハンド３４１が液処理前基板を搬送するように制御し、第３ハンド３４５が乾燥処理された基板を搬送するように制御し、第２ハンド３４３が表面がウェッティング液で塗布された基板を搬送するように制御する。
また、制御器３６０は、第２ハンド３４３による基板搬送時の速度が第１ハンド３４１又は第３ハンド３４５による基板搬送時の速度より相対的に遅くなるように制御する。したがって、第２ハンド３４３はウェッティングされた状態の基板を搬送する過程で基板表面に塗布されたウェッティング液が基板から流れ落ちることを最小化して基板搬送装置の汚染を防止することができる。
本発明の一実施形態では第１ハンド３４１乃至第３ハンド３４５が１つの基板搬送ロボットに提供されることと図示し説明したが、これに限定されることではなく、必要によって２つの基板搬送装置に３つのハンドに分けて提供することができる。例えば、第１ハンドと第３ハンドは第１基板搬送装置に配置し、第２ハンドは第２基板搬送装置に配置することができる。
以下、上述した基板搬送装置３２０が提供された基板処理装置１０００を利用して本発明の一実施形態による基板処理方法を説明する。
図５は本発明の実施形態による基板処理方法を示した順序図であり、図６は図５の基板処理方法によって搬送ユニットの搬送経路を示す図面である。
本発明の基板処理方法は工程処理部で基板を洗浄及び乾燥処理する方法である。
基板処理方法は基板搬入段階（Ｓ１１０）、基板洗浄段階（Ｓ１２０）、基板搬送段階（Ｓ１３０）、基板乾燥段階（Ｓ１４０）、そして基板搬出段階（Ｓ１５０）を含むことができ、各段階に応じたハンドが基板を搬送するようになる。
即ち、基板搬入段階（Ｓ１１０）で基板は第１ハンド３４１によってピックアップされて第１工程チャンバー４００に搬入される。基板洗浄段階（Ｓ１２０）で液処理された基板は第２ハンド３４３によって第１工程チャンバー４００から搬出されて第２工程チャンバー５００に搬入される。ここで、基板表面がチャンバー間の移動中に自然乾燥される現象を防止するために基板表面にはウェッティング液（ｗｅｔｔｉｎｇ ｓｏｌｕｔｉｏｎ）が塗布され、ウェッティング液は基板の搬送前に塗布されることができる。したがって、基板表面状態は第１工程チャンバー４００で第２工程チャンバー５００ヘの搬送途中そして搬送された後にも濡れ状態に一定に維持されることができる。例えば、ウェッティング液は揮発性有機溶媒（例えば、イソプロピルアルコール、イソプロピルアルコール水溶液）、純水、又は界面活性剤と純水の混合液を含むことができる。そして、超臨界流体を工程流体で利用した基板乾燥段階を終えた基板は第３ハンド３４５によって第２工程チャンバー５００から搬出されてバッファチャンバーに搬送される。
図７は図１に図示された工程処理部の側面図である。
図７のように、第１工程チャンバー４００と第２工程チャンバー５００は搬送チャンバー３００の側面に積層されて配置されることができる。そして、基板搬送ロボット３２０は本体３３０、第１アーム３４２乃至第３アーム３４６を含む。第１アーム３４２乃至第３アーム３４６は本体３３０上で前進及び後進移動が可能し、本体３３０は第３方向９６を軸とした回転、そして第３方向９６に沿って垂直方向に移動可能に提供されることができる。
図８はその他の実施形態に係る基板処理装置の基板処理部を示す図面である。
図８を参照すれば、基板処理部２０ａは搬送チャンバー３００に配置される基板搬送装置３２０－１の他に第１工程チャンバー４００と第２工程チャンバー５００との間に配置されるサイド基板搬送装置３２０－２をさらに含むことができる。ここで、基板搬送装置３２０－１は第１ハンド３４１と第３ハンド３４５を含み、サイド基板搬送装置３２０－２は第２ハンド３４３の１つを含むことができる。例えば、第１工程チャンバー４００と第２工程チャンバー５００との間にはサイド基板搬送装置３２０－２のための別の搬送空間が提供されることができる。
基板搬送装置３２０－１の第１ハンド３４１は液処理前基板を第１工程チャンバー４０に搬送し、第３ハンド３４５は第２工程チャンバー５００で乾燥処理された基板を搬送する。そして、サイド基板搬送装置３２０－２の第２ハンド３４３は第１工程チャンバー４００で表面がウェッティング液で塗布された基板を第２搬送チャンバー５００に搬送する。
以上の詳細な説明は本発明を例示するものである。また、前述した内容は本発明の好ましい実施形態を例として説明することであり、本発明は多様な他の組合、変更、及び環境で使用することができる。即ち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、前述した開示内容と均等な範囲、及び／又は当業界の技術又は知識の範囲内で変更又は修正が可能である。前述した実施形態は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明することであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される様々な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態に本発明を制限しようとする意図ではない。添付された請求の範囲は他の実施状態も含むことと解析されなければならない。
３２０ 基板搬送装置
３４１ 第１ハンド
３４２ 第１アーム
３４３ 第２ハンド
３４４ 第２アーム
３４５ 第３ハンド
３４６ 第３アーム
４００ 第１工程チャンバー
５００ 第２工程チャンバー

Claims (22)

  1. 基板に対して液処理を遂行する第１工程チャンバーと、
    前記第１工程チャンバーで液処理された基板に対して乾燥処理を遂行する第２工程チャンバーと、
    前記液処理前の基板を前記第１工程チャンバーに搬入する第１ハンドと、
    前記液処理後の基板を前記第１工程チャンバーから搬出して前記第２工程チャンバーに搬入する第２ハンドと、
    前記乾燥処理後の基板を前記第２工程チャンバーから搬出する第３ハンドと、
    前記第１ハンド、前記第２ハンド、そして前記第３ハンドを制御する制御部と、を含み、
    前記制御部は、
    前記第２ハンドによる基板搬送速度が前記第１ハンド又は前記第３ハンドによる基板搬送速度より相対的に遅くなるように制御する基板処理装置。
  2. 前記第１ハンド、前記第２ハンド、そして前記第３ハンドは、１つの基板搬送装置の本体に提供される請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記第２工程チャンバーは、
    前記第１工程チャンバーで液処理された基板に対して超臨界又はイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を利用した乾燥処理工程を遂行する高圧チャンバーである請求項１に記載の基板処理装置。
  4. 前記第２ハンドは、
    前記第１工程チャンバーで表面がウェッティング液で塗布された基板を前記第２工程チャンバーに搬送する請求項１に記載の基板処理装置。
  5. 前記ウェッティング液は、揮発性有機溶媒、純水、界面活性剤、揮発性有機溶媒と純水の混合液、又は界面活性剤と純水の混合液を含む請求項４に記載の基板処理装置。
  6. 前記第３ハンド、前記第１ハンド、そして前記第２ハンドは、垂直方向に互いに異なる高さに前記本体上に配置される請求項２乃至請求項５のいずれかの一項に記載の基板処理装置。
  7. 前記第１ハンドは、前記第２ハンドより高い位置に配置される請求項６に記載の基板処理装置。
  8. 前記第３ハンドは、前記第１ハンドより高い位置に配置される請求項７に記載の基板処理装置。
  9. 前記第１ハンドと前記第３ハンドは、第１基板搬送装置に提供され、
    前記第２ハンドは、第２基板搬送装置に提供される請求項１に記載の基板処理装置。
  10. 本体と、
    前記本体上に配置される第１ハンドと、
    前記本体上に配置される第２ハンドと、
    前記本体上に配置される第３ハンドと、
    前記第１ハンド乃至前記第３ハンドの駆動を制御する制御器と、を含み、
    前記制御器は、
    前記第１ハンドが液処理前基板を搬送するように制御し、
    前記第３ハンドが乾燥処理された基板を搬送するように制御し、
    前記第２ハンドが、表面がウェッティング液で塗布された基板を搬送するように制御する基板搬送装置。
  11. 前記制御器は、
    前記第２ハンドによる基板搬送速度が前記第１ハンド又は前記第３ハンドによる基板搬送速度より相対的に遅くなるように制御する請求項１１に記載の基板搬送装置。
  12. 前記第１ハンド、前記第２ハンド、そして前記第３ハンドは垂直方向に互いに異なる高さに前記本体上に配置される請求項１０又は請求項１１に記載の基板搬送装置。
  13. 前記第１ハンドは、前記第２ハンドより高い位置に配置し、前記第１ハンドは、前記第３ハンドより低い高さに配置される請求項１１又は請求項１２に記載の基板搬送装置。
  14. 基板を処理する工程処理部と、
    基板が収容される容器が置かれるロードポートと前記容器と前記工程処理部との間に基板を搬送するインデックスロボットを具備するインデックス部と、を含み、
    前記工程処理部は、
    基板を搬送する基板搬送装置を有する、そして前記インデックス部と隣接するように配置されるトランスファーチャンバーと、
    前記トランスファーチャンバーの側部の中でいずれか１つに配置し、基板に対して液処理工程を遂行する第１工程チャンバーと、
    前記トランスファーチャンバーの側部の中でいずれか１つに配置し、液処理工程を終えた基板に対して超臨界又はイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を利用した乾燥工程を遂行する第２工程チャンバーと、
    前記基板搬送装置を制御する制御部と、を含み、
    前記基板搬送装置は、
    前記第１工程チャンバーに液処理前基板を搬送する第１ハンド、前記第１工程チャンバーでウェッティング液が塗布された基板を前記第２工程チャンバーに搬送する第２ハンド、そして前記第２工程チャンバーで乾燥処理された基板を搬送する第３ハンドを含み、
    前記制御部は、
    前記第２ハンドによる基板搬送時の速度が前記第１ハンド又は前記第３ハンドによる基板搬送時の速度より相対的に遅くなるように制御する基板処理装置。
  15. 前記第１ハンドは、前記第２ハンドより高い位置に配置し、前記第１ハンドは前記第３ハンドより低い高さに配置される請求項１４に記載の基板処理装置。
  16. 前記第１工程チャンバーと前記第２工程チャンバーは、少なくとも２つ以上が積層されるように配置され、
    前記基板搬送装置は、
    本体がＸ、Ｙ、Ｚ軸方向に移動可能である請求項１５に記載の基板処理装置。
  17. 前記第１工程チャンバーと前記第２工程チャンバーは、前記トランスファーチャンバーの互いに対応される側部又は前記トランスファーチャンバーの同一な側部に配置される請求項１５に記載の基板処理装置。
  18. 第１ハンドを利用して基板を第１工程チャンバーに搬入する段階と、
    前記第１工程チャンバーで基板にウェッティング液を塗布する段階と、
    第２ハンドを利用して前記ウェッティング液が塗布された基板を乾燥させるための第２工程チャンバーに搬送する段階と、
    前記第２工程チャンバーで前記ウェッティング液が塗布された基板を乾燥処理する段階と、
    第３ハンドを利用して前記第２工程チャンバーで乾燥処理された基板を搬出する段階と、を含む基板処理方法。
  19. 前記乾燥処理する段階は、
    超臨界又はイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を利用して基板を乾燥処理する請求項１８に記載の基板処理方法。
  20. 前記ウェッティング液は、
    揮発性有機溶媒、純水、界面活性剤、揮発性有機溶媒と純水の混合液又は界面活性剤と純水の混合液を含む請求項１８に記載の基板処理方法。
  21. 前記第２ハンドによる基板搬送は、前記第１ハンド又は前記第３ハンドによる基板搬送より相対的に遅い速度に提供される請求項１８に記載の基板処理方法。
  22. 前記第１ハンドと、前記第２ハンド、そして前記第３ハンドは１つの基板搬送装置の本体に提供される請求項１８に記載の基板処理方法。

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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11330190A (ja) * 1998-03-13 1999-11-30 Tokyo Electron Ltd 基板の搬送方法及び処理システム
JP2007005659A (ja) * 2005-06-24 2007-01-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2013206957A (ja) * 2012-03-27 2013-10-07 Tokyo Electron Ltd 基板処理システム、基板処理方法及び記憶媒体
JP2015159215A (ja) * 2014-02-25 2015-09-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP2017183579A (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2019067855A (ja) * 2017-09-29 2019-04-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2019068058A (ja) * 2017-09-29 2019-04-25 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001007065A (ja) * 1999-06-23 2001-01-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP3871613B2 (ja) * 2002-06-06 2007-01-24 株式会社荏原製作所 無電解めっき装置及び方法
KR101958643B1 (ko) * 2017-05-22 2019-03-15 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP2020017645A (ja) * 2018-07-26 2020-01-30 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置
KR102636979B1 (ko) * 2019-04-26 2024-02-14 삼성전자주식회사 멀티 챔버 장치

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11330190A (ja) * 1998-03-13 1999-11-30 Tokyo Electron Ltd 基板の搬送方法及び処理システム
JP2007005659A (ja) * 2005-06-24 2007-01-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2013206957A (ja) * 2012-03-27 2013-10-07 Tokyo Electron Ltd 基板処理システム、基板処理方法及び記憶媒体
JP2015159215A (ja) * 2014-02-25 2015-09-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP2017183579A (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2019067855A (ja) * 2017-09-29 2019-04-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2019068058A (ja) * 2017-09-29 2019-04-25 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

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