KR102583555B1 - 처리액 공급 유닛을 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 상으로 처리액을 공급하는 노즐; 상기 노즐로 처리액을 공급하기 위한 공급 라인을 포함하는 처리액 공급부; 상기 공급 라인 외부에 제공되어 상기 공급 라인을 냉각시키기 위한 냉각부;를 포함하는 처리액 공급 유닛과 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다. 상기 냉각부에 의하여, 상기 처리액의 부피를 감소시켜 상기 처리액을 석백시킬 수 있다.

Description

처리액 공급 유닛을 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD INCLUDING A PROCESSING LIQUID SUPPLY UNIT}
본 발명은 처리액 공급 유닛을 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 설비, 그리고 이를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자의 제조 공정은 웨이퍼 등의 기판을 대상으로 박막 증착 공정, 식각 공정, 세정 공정, 포토 공정 등의 다양한 단위 공정을 반복적으로 수행하도록 이루어진다. 그 중에서도, 습식 세정 공정, 습식 식각 공정, 도포 공정 등 일부 공정들은 기판에 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급 유닛이 구비된다.
처리액 공급 유닛은 각 처리 공정에 알맞은 처리액을 처리액의 농도 및 온도를 조절하여 기판에 제공한다. 이러한 처리액 공급 유닛을 포함하는 기판 처리 장치는, 기판이 안착되는 스핀 헤드 및 스핀 헤드에 안착된 기판에 처리액을 분사하는 노즐을 구비할 수 있다. 노즐은 처리액이 저장된 저장 탱크와 공급 라인을 통해 연결되고, 공급 라인은 저장 탱크로부터 처리액을 공급받아 노즐에 제공한다. 공급 라인에는 노즐에 공급되는 처리액의 양을 조절하는 조절 밸브 및 노즐에 잔존하는 처리액을 석-백(suck-back)하여 노즐에 잔존하는 처리액을 제거하는 석-백 밸브가 설치될 수 있다. 조절 밸브가 오프(off)되어 노즐에 공급되는 처리액을 차단하는 경우, 석-백 밸브는 노즐에 잔존하는 처리액을 석-백하여 노즐에 잔존하는 처리액이 외부로 유출되는 것을 방지한다.
그러나, 최근 처리액 토출량 증가를 위해 노즐 토출구의 구경이 커지게 되면서 처리액 드롭(drop) 현상이 현저하게 증가되고 있고, 계면활성 성분의 처리액이나 점도가 낮은 처리액(예: 액상의 유기 용제(IPA), 오존을 포함하는 용액 등)의 경우, 표면 장력이 현저하게 감소하므로, 석-백을 하더라도 공급 라인 안의 처리액이 중력에 의하여 노즐 측으로 유입되어 외부로 누설되기 쉽다. 특히, 외부 충격이 있을 경우 노즐의 유로(path)상에서 토출구와 가까운 곳에 잔류하는 처리액이 간헐적으로 드롭되는 현상이 발생한다.
따라서, 필요 이상의 처리액이 기판을 오염, 손상시키게 되고, 이러한 과정이 반복되다 보면, 결과적으로 원하는 품질의 기판 생산이 어려워진다. 뿐만 아니라, 복수의 노즐을 사용하여 기판을 세정하는 경우에 있어서, 원하지 않는 이종의 처리액이 드롭되는 경우, 기판이나 스핀 헤드가 오염되어 세정 효율이 저하되는 문제가 발생할 수 있다. 즉, 처리액의 드롭은 궁극적으로 기판의 생산성 악화라는 문제점을 야기한다. 뿐만 아니라, 원활하지 못한 석-백은 Taylor Cone 현상, 노즐 단부 등에 공기층이 형성되는 현상 등을 발생시킬 수 있다.
대한민국 공개특허공보 제10-2010-0066499호(2010.06.17)
따라서 본 발명은, 표면 장력이 낮은 처리액도 원활하게 석-백시킬 수 있는 처리액 공급 유닛을 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하고자 한다.
또한, 처리액의 종류에 상관없이 처리액 드롭 현상을 방지할 수 있는 처리액 공급 유닛을 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하고자 한다.
해결하고자 하는 과제는 이에 제한되지 않고, 언급되지 않은 기타 과제는 통상의 기술자라면 이하의 기재로부터 명확히 이해할 수 있을 것이다.
본 발명의 실시예에 의하면, 기판을 지지하기 위한 기판 지지 유닛; 및 상기 기판을 향해 처리액을 공급하는 처리액 공급 유닛을 포함하고, 상기 처리액 공급 유닛은, 기판 상으로 처리액을 공급하는 노즐; 상기 노즐로 처리액을 공급하기 위한 공급 라인을 포함하는 처리액 공급부; 상기 처리액을 냉각시키기 위한 냉각부를 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.
상기 냉각부는 상기 공급 라인 외부에 냉각 유체를 공급할 수 있다.
상기 냉각부는 상기 공급 라인을 감싸도록 제공되는 관형상 부재를 포함할 수 있다.
상기 관형상 부재는 내부 공간을 포함하고, 상기 냉각부는 상기 내부 공간으로 냉각 유체를 공급할 수 있다.
상기 냉각부에 의하여 상기 처리액의 부피가 감소될 수 있다.
상기 냉각부는, 상기 처리액의 종류에 따라 상기 공간으로 공급되는 냉각 유체는 온도, 공급 유량, 공급 시간, 열교환 면적 중 하나 이상을 제어할 수 있다.
상기 노즐은 질소 등과 같은 불활성 기체 공급부와 연결되고 기판 상으로 불활성 기체를 토출할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 기판이 수납된 캐리어가 안착되는 로드 포트; 상기 로드 포트에 안착된 캐리어로부터 상기 기판을 반송하는 인덱스 로봇이 내부에 제공되는 인덱스 챔버; 및 상기 기판에 대하여 액 처리 공정을 수행하는 액 처리 장치를 포함하는 공정 처리부를 포함하고, 상기 액 처리 장치는, 기판을 지지하기 위한 기판 지지 유닛; 및 상기 기판을 향해 처리액을 공급하는 처리액 공급 유닛을 포함하고, 상기 처리액 공급 유닛은, 기판 상으로 처리액을 공급하는 노즐; 상기 노즐로 처리액을 공급하기 위한 공급 라인을 포함하는 처리액 공급부; 및 상기 처리액을 냉각시키기 위한 냉각부를 포함하고, 상기 냉각부는, 상기 공급 라인을 감싸도록 제공된 관형상 부재를 포함하는 기판 처리 설비가 제공될 수 있다.
상기 냉각부는 상기 공급 라인 외부에 냉각 유체를 공급할 수 있다.
상기 관형상 부재는 내부 공간을 포함하고, 상기 냉각부는 상기 내부 공간으로 냉각 유체를 공급할 수 있다.
상기 냉각부에 의하여 상기 처리액의 부피가 감소될 수 있다.
상기 냉각부는, 상기 처리액의 종류에 따라 상기 공간으로 공급되는 냉각 유체는 온도, 공급 유량, 공급 시간, 열교환 면적 중 하나 이상을 제어할 수 있다.
상기 노즐은, 질소 등과 같은 불활성 기체 공급부와 연결되고, 기판을 향해 불활성 기체를 토출할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 기판 상에 처리액 또는 불활성 기체를 토출하는 노즐과 상기 노즐에 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급 라인을 포함하는 기판 처리 장치를 이용하며, 기판 상에 처리액을 토출하는 처리액 공급 단계; 상기 처리액 공급을 중단하고 상기 노즐 내부에 잔존하는 처리액을 석백(Suck Back)시키는 석백 단계; 상기 기판 상에 불활성 기체를 공급하는 불활성 기체 공급 단계;를 포함하고, 상기 석백 단계와 상기 불활성 기체 공급 단계는 상기 처리액을 냉각하는 냉각 단계를 포함하는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.
상기 냉각 단계에 의하여 상기 처리액의 부피가 감소될 수 있다.
상기 냉각 단계는 상기 공급 라인 외부에 냉각 유체를 공급하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 석백 단계에서 공급되는 냉각 유체의 양과 상기 불활성 기체 공급 단계에 공급되는 냉각 유체의 양은 상이할 수 있다.
상기 불활성 기체 공급 단계가 냉각 단계를 포함함으로써 상기 노즐로부터 상기 처리액이 드롭되지 않을 수 있다.
상기 냉각 단계에서는, 상기 냉각 유체의 온도, 유량, 공급 시간, 열교환 면적 중 하나 이상이 제어될 수 있다.
상기 냉각 유체를 제어함으로써 처리액이 석백되는 부피 또는 시간이 제어될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 처리액 배관 외부에 냉각 유체를 공급하여 처리액의 부피를 감소시킴으로써 처리액을 석-백시킬 수 있다. 따라서, 처리액의 드롭 현상, 테일러 콘(Talyor Cone)현상 및 노즐 단부의 공기층 형성 현상을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 냉각 유체의 공급 유량, 온도 등을 제어하여 처리액의 토출 반대 방향으로 지속적으로 힘을 가함으로써 토출 종료 후나 노즐 구동 대기중에도 처리액의 드롭 현상을 방지할 수 있다. 즉, 냉각 유체의 조건을 제어하여 석-백되는 처리액의 부피 또는 석-백 시간을 조절할 수 있다.
발명의 효과는 이에 한정되지 않고, 언급되지 않은 기타 효과는 통상의 기술자라면 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 명확히 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비의 예를 도시한 것이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 예를 도시한 것이다.
도 3은 도 2에 도시된 처리액 공급 유닛을 설명하기 위한 개략적인 확대도이다.
도 4는 도 2에 도시된 처리액 공급 유닛의 구성을 설명하기 위한 개략적인 확대 단면도이다.
도 5는 도 2에 도시된 노즐의 예를 도시한 개략적인 확대 단면도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법의 일부를 도시한 흐름도이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법의 일부를 도시한 흐름도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 사람이 쉽게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 여러 가지 다른 형태로 구현될 수 있고 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
본 발명의 실시예를 설명하는 데 있어서, 관련된 공지 기능이나 구성에 대한 구체적 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 구체적 설명을 생략하고, 유사 기능 및 작용을 하는 부분은 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용하기로 한다.
명세서에서 사용되는 용어들 중 적어도 일부는 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의한 것이기에 사용자, 운용자 의도, 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로, 그 용어에 대해서는 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 하여 해석되어야 한다.
또한, 명세서에서, 어떤 구성 요소를 포함한다고 하는 때, 이것은 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있음을 의미한다. 그리고, 어떤 부분이 다른 부분과 연결(또는, 결합)된다고 하는 때, 이것은, 직접적으로 연결(또는, 결합)되는 경우뿐만 아니라, 다른 부분을 사이에 두고 간접적으로 연결(또는, 결합)되는 경우도 포함한다.
한편, 도면에서 구성 요소의 크기나 형상, 선의 두께 등은 이해의 편의상 다소 과장되게 표현되어 있을 수 있다.
본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들의 개략적인 도해를 참조하여 설명된다. 이에 따라, 상기 도해의 형상으로부터의 변화들, 예를 들면, 제조 방법 및/또는 허용 오차의 변화는 충분히 예상될 수 있는 것들이다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도해로서 설명된 영역들의 특정 형상들에 한정된 바대로 설명되어지는 것이 아니라 형상에서의 편차를 포함하는 것이며, 도면에 설명된 요소들은 전적으로 개략적인 것이며 이들의 형상은 요소들의 정확한 형상을 설명하기 위한 것이 아니며 또한 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것도 아니다.
본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대하여 액 처리 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 일 예로, 본 실시예의 설비는 기판에 대하여 세정 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 이하의 설명에서는 기판 처리 장치와 액 처리 장치가 동일한 것으로 간주한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비의 예를 도시한다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(10)는 인덱스부(100)와 공정 처리부(200)를 포함한다.
인덱스부(100)는 로드 포트(120)와 인덱스 챔버(140)를 포함할 수 있다. 로드 포트(120), 인덱스 챔버(140), 및 공정 처리부(200)는 순차적으로 일렬로 배열될 수 있다. 이하, 로드 포트(120), 인덱스 챔버(140) 및 공정 처리부(200)가 배열된 방향을 제1 방향(12)이라 한다. 그리고 상부에서 바라볼 때 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 하고, 제1 방향(12)과 제2 방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3 방향(16)이라 한다.
로드 포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(C)가 안착될 수 있다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공될 수 있으며 이들은 제2 방향(14)을 따라 일렬로 배치될 수 있다. 도 1에서는 4개의 로드 포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리부(200)의 공정 효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가되거나 감소될 수 있다. 캐리어(C)로는 전면 개방 일체형 포드(FOUP: Front Opening Unified Pod)가 사용될 수 있다.
인덱스 챔버(140)는 로드 포트(120)와 공정 처리부(200) 사이에 위치될 수 있다. 인덱스 챔버(140)는 전면 패널, 후면 패널 그리고 양측면 패널을 포함하는 직육면체의 형상을 가지며, 그 내부에는 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(C)와 로드락 챔버(220) 간에 기판(W)을 반송하기 위한 인덱스 로봇(144)이 제공될 수 있다. 도시하지는 않았지만, 인덱스 챔버(140)는 내부 공간으로 파티클이 유입되는 것을 방지하기 위하여, 벤트들(vents), 층류 시스템(laminar flow system)과 같은 제어된 공기 유동 시스템을 포함할 수 있다.
공정 처리부(200)는 로드락 챔버(220), 이송 챔버(240), 액 처리 챔버 (260)를 포함할 수 있다. 이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 배치될 수 있다. 제2 방향(14)을 따라 이송 챔버(240)의 일측 및 타측에는 각각 액 처리 챔버(260)들이 배치될 수 있다.
액 처리 챔버(260)들 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치될 수 있다. 또한, 액 처리 챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치될 수 있다.
즉, 이송 챔버(240)의 일측에는 액 처리 챔버(260)들이 A X B(A와 B는 각각 1 이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1 방향(12)을 따라 일렬로 제공된 액 처리 챔버(260)의 수이고, B는 제3 방향(16)을 따라 일렬로 제공된 액 처리 챔버(260)의 수이다.
로드락 챔버(220)는 인덱스 챔버(140)와 이송 챔버(240)사이에 배치된다. 로드락 챔버(220)는 이송 챔버(240)와 인덱스 챔버(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)을 임시 적재하는 공간을 제공한다. 로드락 챔버(220)는 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3 방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 로드락 챔버(220)에서 인덱스 챔버(140)와 마주보는 면과 이송 챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방된 형태로 제공될 수 있다.
이송 챔버(240)는 로드락 챔버(220)와 액 처리 챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송할 수 있다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공될 수 있다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 가이드 레일(242) 상에서 제1 방향(12)을 따라 직선 이동될 수 있도록 구비된다.
이하에서는, 기판(W)을 반송하는 구성들을 이송 유닛으로 정의한다. 일 예로, 이송 유닛에는 이송 챔버(240) 및 인덱스 챔버(140)가 포함될 수 있다. 또한, 이송 유닛에는 이송 챔버(240)에 제공되는 메인 로봇(244) 및 인덱스 로봇(144)이 포함될 수 있다.
액 처리 챔버(260) 내에는 기판(W)에 대해 액 처리 공정, 예를 들어 세정 공정을 수행하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다. 예컨대, 상기 세정 공정은 알콜 성분이 포함된 처리 유체들을 사용하여 기판(W) 세정, 스트립, 유기 잔여물(organic residue)을 제거하는 공정일 수 있다. 각각의 액 처리 챔버(260) 내에 제공된 기판 처리 장치는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 각각의 액 처리 챔버(260) 내의 기판 처리 장치는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 액 처리 챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 액 처리 챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치들은 서로 동일한 구조를 가지고, 상이한 그룹에 속하는 액 처리 챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치들은 서로 상이한 구조를 가질 수 있다. 이하에서는 액 처리 챔버(260)에 제공되는 액 처리 장치의 일 예에 대하여 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 액 처리 장치의 예를 도시한다. 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판을 처리하기 위한 액 처리 챔버(260)에 제공되는 액 처리 장치를 보여주는 도면이다. 도 2를 참조하면, 액 처리 챔버에 제공되는 액 처리 장치(2600)는 처리 용기(2620), 기판 지지 유닛(2640), 승강 유닛(2660), 그리고 처리액 공급 유닛(2602)을 포함한다. 액 처리 챔버(260)에 제공되는 액 처리 장치(2600)는 기판(W)으로 처리액을 공급할 수 있다. 예컨대, 처리액은 현상액, 식각액, 세정액, 린스액, 그리고 유기 용제일 수 있다. 식각액이나 세정액은 산 또는 염기 성질을 가지는 액일 수 있으며, 황산(H2SO4), 인산(P2O5), 불산(HF) 그리고 수산화 암모늄(NH4OH)을 포함할 수 있다. 린스액은 순수(DIW)일 수 있다. 유기 용제는 저표면장력 유체인 이소프로필알코올(IPA)일 수 있다. 또는, 처리액은 DSP(Diluted Sulfuric acid Peroxide) 혼합액일 수 있다.
처리 용기(2620)는 내부에 기판이 처리되는 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(2620)는 상부가 개방된 통 형상을 가진다. 처리 용기(2620)는 외측 회수 용기(2626)(또는 제1 회수 용기) 및 내측 회수 용기(2622)(또는 제2 회수 용기)를 가질 수 있다. 각각의 회수 용기(2622, 2626)는 공정에 사용된 처리액들 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내측 회수 용기(2622)는 기판 지지 유닛(2640)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외측 회수 용기(2626)는 내측 회수 용기(2622)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내측 회수 용기(2622)의 내측 공간(2622a)은 내측 회수 용기(2622)로 처리액이 유입되는 내측 유입구(2622a)로서 기능한다. 내측 회수 용기(2622)와 외측 회수 용기(2626)의 사이 공간(2626a)은 외측 회수 용기(2626)로 처리액이 유입되는 외측 유입구(2626a)로서 기능한다. 각각의 유입구(2622a, 2626a)는 서로 상이한 높이에 위치될 수 있다. 각각의 회수 용기(2622, 2626)의 저면 아래에는 회수 라인(2622b, 2626b)이 연결된다. 각각의 회수 용기(2622, 2626)에 유입된 처리액들은 회수 라인(2622b, 2626b)을 통해 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)으로 제공되어 재사용될 수 있다.
기판 지지 유닛(2640)은 처리 공간에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(2640)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지 및 회전시킬 수 있다. 기판 지지 유닛(2640)은 지지판(2642), 지지핀(2644), 척핀(2646), 그리고 회전 구동 부재를 가진다. 지지판(2642)은 대체로 원형의 판 형상으로 제공된다.
지지핀(2644)은 지지판(2642)에서 상부로 돌출되어 기판(W)의 후면을 지지하도록 복수 개 제공된다.
척핀(2646)은 지지판(2642)으로부터 상부로 돌출되어 기판(W)의 측부를 지지하도록 복수 개 제공된다. 척핀(2646)은 지지판(2642)이 회전될 때 기판(W)이 정위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(2646)은 지지판(2642)의 반경 방향을 따라 외측 위치와 내측 위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 기판(W)이 지지판(2642)에 로딩 또는 언로딩 시 척핀(2646)은 외측 위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척 핀(2646)은 내측 위치에 위치된다. 내측 위치는 척핀(2646)과 기판(W)의 측부가 서로 접촉되는 위치이고, 외측 위치는 척핀(2646)과 기판(W)이 서로 이격되는 위치이다.
회전 구동 부재(2648, 2649)는 지지판(2642)을 회전시킨다. 지지판(2642)은 회전 구동 부재(2648, 2649)에 의해 중심축을 중심으로 회전 가능하다. 회전 구동 부재(2648, 2649)는 지지축(2648) 및 구동부(2649)를 포함한다. 지지축(2648)은 제3 방향(16)을 향하는 통 형상을 가질 수 있다. 지지축(2648)의 상단은 지지판(2642)의 저면에 고정 결합될 수 있다. 구동부(2649)는 지지축(2648)이 회전되도록 구동력을 제공한다. 지지축(2648)은 구동부(2649)에 의해 회전되고, 지지판(2642)은 지지축(2648)과 함께 회전될 수 있다.
승강 유닛(2660)은 처리 용기(2620)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(2620)가 상하로 이동됨에 따라 지지판(2642)에 대한 처리 용기(2620)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(2660)은 기판(W)이 지지판(2642)에 로딩되거나, 언로딩될 때 지지판(2642)이 처리 용기(2620)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(2620)는 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기 설정된 회수 용기(2622, 2626)으로 유입될 수 있도록 처리 용기(2620)의 높이가 조절된다. 승강 유닛(2660)은 브라켓(2662), 이동축(2664)(샤프트) 및 구동 유닛(2666)을 포함한다. 브라켓(2662)은 처리 용기(2620)의 외벽에 고정 설치되고, 브라켓(2662)에는 구동 유닛(2666)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(2664)이 고정 결합될 수 있다. 선택적으로, 승강 유닛(2660)은 지지판(2642)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
처리액 공급 유닛(2602)은 기판(W)으로 처리액을 공급한다. 처리액 공급 유닛(2602)는 복수 개로 제공될 수 있으며, 각각은 서로 상이한 종류의 처리액들을 공급할 수 있다.
처리액 공급 유닛(2602)은 이동 부재(2671) 및 노즐(2670)을 포함할 수 있다.
이동 부재(2671)는 노즐(2670)을 공정 위치 및 대기 위치로 이동시킨다. 여기서 공정 위치는 노즐(2670)이 기판 지지 유닛(2640)에 지지된 기판(W)의 상면과 대향되는 위치이고, 대기 위치는 노즐(2670)이 공정 위치를 벗어난 위치일 수 있다.
이동 부재(2671)는 지지축(2672), 아암(2674) 및 구동기(2676)를 포함할 수 있다. 지지축(2672)은 처리 용기(2620)의 일측에 위치된다. 지지축(2672)은 제3 방향(16)으로 연장된 로드 형상일 수 있다. 지지축(2672)은 구동기(2676)에 의해 회전 가능하도록 제공된다. 지지축(2672)은 승강 이동이 가능하도록 제공될 수 있다. 아암(2674)은 지지축(2672)의 상단에 결합되어, 지지축(2672)으로부터 수직하게 연장될 수 있다. 아암(2674)의 끝단에는 노즐(2670)이 고정 결합된다. 지지축(2672)이 회전됨에 따라 노즐(2670)은 아암(2674)과 함께 스윙 이동 가능하다. 노즐(2670)은 스윙 이동되어 공정 위치 및 대기 위치로 이동될 수 있다. 선택적으로 아암(2674)은 그 길이 방향을 향해 전진 및 후진 이동이 가능하도록 제공될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 노즐(2670)이 이동되는 경로는 공정 위치에서 기판(W)의 중심축과 일치될 수 있다.
도 3 내지 도 5는 본 발명의 실시예에 의한 처리액 공급 유닛의 예를 도시한다. 도 3은 도 2에 도시된 처리액 공급 유닛을 설명하기 위한 개략적인 도면이고, 도 4는 도 2에 도시된 처리액 공급 유닛을 설명하기 위한 확대 단면도이며, 도 3 및 도 4에 도시된 처리액 공급 유닛에 의한 노즐의 예를 도시한 측 단면도이다.
본 발명의 실시예에 의한 처리액 공급 유닛(2602)는 노즐(2670), 처리액 공급부(2680) 및 냉각부(2690)를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 기판(W) 상에 처리액을 토출하는 노즐(2670)은 하나의 노즐로 제공될 수 있다. 노즐(2670)은 처리액이 토출되는 토출구(2678)를 포함하고, 처리 공간 내부의 상부에 제공되어 기판(W)에 처리액을 공급할 수 있다. 구체적으로, 노즐(2670)은 기판(W)의 상면을 향하여 처리액을 토출할 수 있다. 일 예로, 노즐(2670)은 분사 방식으로 처리액을 토출할 수 있다. 노즐(2670)은 이동 부재(2671)에 의하여 이동될 수 있다. 노즐(2670)은 처리액 공급부(2680)와 연결되어 처리액 공급부(2680)로부터 처리액을 공급받을 수 있다.
또한, 노즐(2670)은 기판(W)의 상면을 향하여 N₂등과 같은 불활성 기체를 공급할 수 있다. 일 예로, 노즐(2670)은, 기판을 향한 처리액 공급을 완료하면 기판을 향하여 불활성 기체를 공급할 수 있다. 따라서, 노즐(2670)은 불활성 기체 공급을 위하여 별도로 구비된 기체 공급부와 연결될 수 있다. 즉, 노즐(2670)은 개별 공급 배관을 통해 처리액 공급부(2680)와 기체 공급부 각각에 연결될 수 있다.
도 3 및 도 4를 참고하면, 처리액 공급부(2680)는 노즐(2670)로 처리액을 공급하기 위한 구성으로 공급 라인(2682)과 처리액 공급 탱크(2684)를 포함할 수 있다.
처리액 공급 탱크(2684)에는 처리액이 저장되며, 저장된 처리액을 노즐(2670)로 제공할 수 있다. 처리액 공급 탱크(2684)는 공급 라인(2682)에 의하여 노즐(2670)과 연결되며, 처리액 공급 탱크(2684)로부터 공급된 처리액은 공급 라인(2682)을 따라 노즐(2670)로 제공될 수 있다. 공급 라인(2682)의 일 단부는 노즐(2670)과 연결되고, 타단부는 처리액 공급 탱크(2684)와 연결될 수 있다. 공급 라인(2682)은 이동 부재(2671) 내부에 내장될 수 있다. 공급 라인(2682) 상에는 처리액의 공급 유량을 조절하기 위한 밸브(2686)가 제공될 수 있다. 밸브(2686)에 의하여 처리액의 공급이 개시 또는 중단될 수 있다.
기판의 상부에 제공된 처리액 공급 유닛에 의하면, 처리액의 공급이 중단되더라도, 중력에 의하여 노즐(2670)에 잔존하는 처리액이 기판(W)으로 누설되는 드롭(drop) 현상이 발생할 수 있다. 특히나, 노즐 토출구의 구경이 크거나 기판 처리에 사용되는 처리액이 이소프로필 알코올(IPA)과 같이 저표면장력 유체일 경우, 드롭 현상이 현저하게 증가될 수 있다. 드롭 현상에 의하면 기판이 오염 또는 손상될 수 있다. 따라서 본 발명은, 드롭 현상에 의한 기판 손상을 방지하기 위하여 처리액을 냉각함으로써 처리액의 부피를 감소시켜 처리액을 석백(Suck Back)시키는 방법을 사용하고자 한다.
냉각부(2690)는 처리액을 냉각시키기 위한 구성으로 처리액의 이동 경로를 제공하는 공급 라인(2682)을 냉각시키도록 배치될 수 있다. 공급 라인(2682)이 냉각됨에 따라 공급 라인(2682) 내부에 존재하는 처리액이 냉각될 수 있다.
냉각부(2690)는 공급 라인(2682) 외부에 냉각 유체를 공급하여 공급 라인(2682)을 냉각시킬 수 있다. 냉각부(2690)는 공급 라인(2682)의 전체에 제공될 수 있다. 또는 공급 라인(2682)의 일부에 제공될 수 있다.
냉각부(2690)는 공급 라인(2682)의 외부에 제공될 수 있다. 일 예로, 냉각부(2690)는 공급 라인(2682)을 감싸도록 제공되는 관형상 부재(2692)를 포함할 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 공급 라인(2682)을 감싸는 관형상 부재(2692)는 내부 공간을 포함할 수 있고, 냉각부(2690)는 관형상 부재(2692)의 내부 공간에 냉각 유체를 공급하여 유동시킴으로써 공급 라인(2682)을 냉각시킬 수 있다. 공급 라인(2682)을 냉각시킴에 따라 처리액의 온도가 낮아지고, 처리액의 온도가 낮아짐에 따라 처리액의 부피는 감소할 수 있다. 처리액의 부피 감소에 따라 처리액이 석백(Suck back)될 수 있다.
일 예로, 도 5(a)에 도시된 바와 같이, 처리액 공급이 중단된 노즐(2670) 내부에는 처리액이 잔존할 수 있다. 이때, 잔존 처리액의 위치는 중력에 의하여 토출구 위치와 같을 수 있다. 그러나, 상술한 바와 같이, 냉각 유체를 이용하여 처리액 공급 라인(2682)을 냉각시키면, 처리액의 온도가 낮아져 처리액의 부피가 감소됨으로써 처리액이 노즐 토출구(2678)로부터 석백될 수 있다. 즉, 도 5(b)에 도시된 바와 같이, 노즐(2670) 내 잔존하는 처리액의 위치가 상승될 수 있다.
이와 같이, 냉각부(2690)는 관형상 부재(2692)에 냉각 유체를 공급하여 노즐(2670)로부터 처리액의 드롭 현상을 방지할 수 있다.
도시하지는 않았지만, 관형상 부재(2692)는 냉각 유체를 공급하기 위한 냉각 유체 공급부와 연결될 수 있다. 이때, 사용된 냉각 유체는 냉각 유체 공급부로 복귀되어 재사용될 수 있다.
한편, 냉각부(2690)는 냉각 유체의 온도, 공급 유량, 공급 시간, 열교환 면적 등을 제어할 수 있도록 제공될 수 있다. 처리액의 종류에 따라 냉각 유체의 조건을 제어함으로써 처리액이 석백되는 부피 또는 시간을 조절할 수 있다.
또한, 상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 처리액 공급 유닛은, 하나의 노즐(2670)이 처리액과 불활성 기체를 토출하므로, 노즐(2670)은 처리액 공급 중단된 후에도 불활성 기체 공급을 위하여 구동될 수 있다. 따라서, 냉각부(2690)는 기판 처리 공정이 완료될 때까지 관형상 부재(2692)에 지속적으로 냉각 유체를 공급하여 노즐(2670)로부터 처리액의 드롭 현상을 방지할 수 있다.
냉각부(2690)는 액 처리 공정의 전체 공정 시간동안 관형상 부재(2692)에 냉각 유체를 공급할 수 있다. 관형상 부재(2692)에 공급되는 냉각 유체의 유량은 구간마다 상이할 수 있다. 일 예로, 처리액에 의한 기판 처리 공정이 완료되어 노즐(2670)이 구동하지 않을 때, 냉각부(2690)는 상대적으로 대유량의 냉각 유체를 관형상 부재(2692)에 공급할 수 있다. 이 때의 냉각은 노즐(2670)에 잔존하는 처리액을 석백시키기 위함이다. 반면, 노즐(2670)이 불활성 기체에 의한 기판 처리를 수행하는 때, 노즐(2670)의 불활성 기체 토출에 영향을 끼치지 않기 위하여 냉각부(2690)는 상대적으로 저유량의 냉각 유체를 관형상 부재(2692)에 공급할 수 있다. 이 때의 노즐(2670) 내부에 잔존하는 처리액이 기판으로 드롭되지 않도록 홀드(hold)하기 위함이다. 이에 따라, 노즐(2670)이 대기 상태일 때는 물론, 노즐(2670)이 불활성 기체 공급을 위하여 구동되는 때에도 처리액의 드롭 현상을 방지할 수 있다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 실시예에 의한 기판 처리 방법을 도시한 흐름도이다. 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 공정의 전(前)공정을 개략적으로 도시한 흐름도이고, 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 공정의 후(後)공정을 개략적으로 도시한 흐름도이다.
이하, 설명의 편의를 위하여, 도 3 내지 도 5에 도시된 기판 처리 장치를 이용하여 본 발명의 실시예에 의한 기판 처리 방법을 설명한다.
본 발명의 실시예에 의한 기판 처리 방법은, 처리액 공급 단계(S10), 석백 단계, 불활성 기체 공급 단계, 냉각 단계를 포함할 수 있다.
기판 처리 공정의 전(前)공정은 처리액 공급 단계(S10)를 포함할 수 있고, 기판 처리 공정의 후(後)공정은 석백 단계, 불활성 기체 공급 단계, 냉각 단계를 포함할 수 있다.
처리액 공급 단계(S10)는 기판 상에 처리액을 토출하는 단계이다. 처리액 공급 단계(S10)에서는 기판의 상부에 배치된 노즐에 의하여 기판으로 처리액이 공급될 수 있다. 도 6에 도시된 바와 같이, 처리액 공급 단계(S10)는 예비 배출(pre-dispense) 단계(S11), 노즐 이동 단계(S12), 밸브 on 단계(S13), 처리액 토출 단계(S14)를 포함할 수 있다.
예비 배출 단계(S11)는 액 처리 공정이 수행되기 전, 노즐(2670)이 대기 위치에 위치하는 때 비정상(非正常, non-steady) 처리액을 미리 배출하여 제거하기 위한 단계이다. 예비 배출 단계(S11)는 비정상 처리액이 모두 배출될 때까지 수행되며, 배출된 비정상 처리액은 대기 위치에 별도로 구비된 회수부에 의하여 회수될 수 있다. 예비 배출된 처리액은 폐기되거나 리사이클 될 수 있다.
예비 배출 단계(S11)가 완료되면 이동 부재(2671)에 의하여 노즐(2670)이 대기 위치에서 공정 위치로 이동되는 노즐 이동 단계(S12)가 수행될 수 있다.
노즐(2670)이 공정 위치로 이동되면 공정을 수행하기 위하여 밸브(2686)를 on시켜 처리액 공급을 개시하는 밸브 on 단계(S13)가 수행될 수 있다.
밸브(2686)가 on되면, 처리액 공급 탱크(2684)로부터 노즐(2670)로 처리액이 전달되어 기판 상면으로 처리액이 토출될 수 있다(S14).
처리액 토출 단계(S14)에서 미리 정해진 양만큼의 처리액이 토출되고 나면, 처리액의 공급이 중단되어야 한다.
석백 단계, 불활성 기체 공급 단계, 냉각 단계는 기판 처리 공정의 후(後)공정에 포함될 수 있다. 특히, 냉각 단계는 기판 처리 공정의 후(後)공정의 전반적인 과정에서 지속적으로 수행될 수 있다.
도 7을 참고하면, 처리액 토출 중단 과정은 밸브 off 단계(S21)로부터 시작될 수 있다. 처리액 토출이 완료되면, 밸브(2686)를 off시켜 처리액 공급을 중단할 수 있다. 밸브 off 단계(S21)에 의하면, 처리액 공급 탱크(2684)로부터의 처리액 공급은 중단되지만, 노즐(2670)의 내부에는 처리액이 잔존할 수 있다. 따라서, 밸브 off 단계(S21)가 완료되면, 노즐(2670) 내부에 잔존하는 처리액이 중력에 의하여 기판으로 떨어지지 않게 하기 위한 석백(Suck Back)단계(S22)가 수행될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 석백 단계(S22)는, 냉각 단계를 포함하고, 냉각 단계는 냉각부(2690)에 의하여 공급 라인(2682) 외부에 냉각 유체를 공급하는 단계를 포함할 수 있다. 따라서, 석백 단계(S22)에서 냉각 유체의 공급이 시작(on)될 수 있다.
냉각 단계에서, 냉각부(2690)는 공급 라인(2682)의 외부에 냉각 유체를 공급하여 공급 라인(2682) 및 처리액을 냉각시켜 처리액의 부피를 감소시킬 수 있다. 석백 단계(S22)에 포함되는 냉각 단계는 석백을 위한 냉각이므로(노즐 내부에 잔존하는 처리액의 위치가 상승되어야 하므로) 냉각부(2690)에는 상대적으로 대유량의 냉각 유체가 공급될 수 있다.
노즐(2670)로부터 처리액의 공급이 중단되고 나면, 기판 건조 공정이 시작될 수 있고, 처리액이 토출되던 노즐(2670)로부터 질소 등과 같은 불활성 기체가 토출될 수 있다. 질소 등과 같은 불활성 기체는 노즐(2670)에 의하여 기판의 상면으로 토출될 수 있다(S23). 일 예로, 불활성 기체 토출 단계(S23)는 기판의 건조를 촉진하기 위하여 수행될 수 있다.
냉각 단계는 불활성 기체 토출 단계(S23)에서도 지속적으로 수행될 수 있다. 불활성 기체 토출 단계(S23)에서의 냉각 단계는, 노즐(2670)로부터 불활성 기체가 토출되는 때, 노즐(2670) 내부에 잔존하는 처리액이 기판으로 떨어져 건조 공정의 효율을 낮추는 것을 방지하기 위하여, 처리액을 홀드하기 위한 냉각이고(노즐 내부에 위치한 처리액의 위치 변화가 필수적이지 않으므로) 불활성 기체의 토출에 영향을 끼치지 않아야 하므로 냉각부(2680)에는 석백 단계(S22)에 비하여 상대적으로 저유량의 냉각 유체가 공급되는 것이 바람직하다. 즉, 석백 단계에서 공급되는 냉각 유체의 양과 상기 불활성 기체 공급 단계에 공급되는 냉각 유체의 양은 상이한 것이 바람직하다. 따라서, 불활성 기체의 토출 단계(S23)가 시작된 후, 냉각 유체의 유량을 변경하는 단계(S24)가 수행될 수 있다.
상술한 바와 같이, 냉각 단계는 기판 처리 공정의 후반부 전반에 걸쳐 지속적으로 수행될 수 있다. 냉각 단계에 의하여 처리액의 부피가 감소되어 노즐(2670)로부터 처리액이 드롭되지 않을 수 있다. 냉각 단계에서 냉각 유체의 온도, 유량, 공급 시간, 열교환 면적 등 냉각 유체의 조건은 제어될 수 있으며, 이에 따라 처리액이 석백되는 부피 또는 석백 시간을 제어할 수 있다.
기판의 건조 공정이 종료되면 불활성 기체의 토출도 종료될 수 있다(S25).
이에 따라, 기판 처리 공정이 완료되며 노즐(2670)이 이동 부재(2671)에 의하여 대기 위치로 복귀될 수 있다(S26). 대기 위치로 복귀된 노즐(2670)은 더 이상 기판의 상부에 존재하지 않아 석백이 수행될 필요가 없으므로, 냉각 유체의 공급이 중단되며 냉각 단계 역시 종료될 수 있다(S27).
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 의한 처리액 공급 유닛과 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법은 냉각 유체를 이용하여 처리액을 냉각시켜 처리액의 부피를 감소시킴으로써 처리액을 석백시킬 수 있다. 또한, 냉각 유체의 조건을 제어하여 석백 공정을 제어할 수 있으므로 처리액의 드롭(Drop) 현상, 테일러 콘(Taylor Cone) 현상, 노즐 단부의 공기층 형성 현상 등을 방지할 수 있다.
한편, 이상에서는 세정 공정을 예로 들어 액처리 공정을 설명하였지만, 본 발명의 실시예에 따른 액처리 공정은 도포 공정, 현상 공정, 에칭(etching) 공정, 에싱(eshing) 공정 등과 같이 처리액을 사용하여 기판을 처리하는 공정에 적용될 수 있다. 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있으므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다.
본 발명의 범위는 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
2600: 기판 처리 장치(액 처리 장치)
2602: 처리액 공급 유닛
2670: 노즐
2671: 이동 부재
2678: 토출구
2672: 아암
2674: 지지 축
2676: 구동기
2680: 처리액 공급부
2682: 공급 라인
2684: 처리액 공급 탱크
2686: 밸브
2690: 냉각부
2692: 관형 부재

Claims (20)

  1. 기판을 지지하기 위한 기판 지지 유닛; 및
    상기 기판을 향해 처리액을 공급하는 처리액 공급 유닛을 포함하고,
    상기 처리액 공급 유닛은,
    기판 상으로 처리액을 공급하는 노즐;
    상기 노즐로 처리액을 공급하기 위한 공급 라인을 포함하는 처리액 공급부; 및
    상기 처리액을 냉각시켜 상기 처리액을 상기 노즐로부터 석-백시키기 위한 냉각부를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 냉각부는 상기 공급 라인 외부에 냉각 유체를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 냉각부는 상기 공급 라인을 감싸도록 제공되는 관형상 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 관형상 부재는 내부 공간을 포함하고,
    상기 냉각부는 상기 내부 공간으로 냉각 유체를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 냉각부에 의하여 상기 처리액의 부피가 감소되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제4항 또는 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 냉각부는,
    상기 처리액의 종류에 따라 관형상 부재의 내부 공간으로 공급되는 냉각 유체의 온도, 공급 유량, 공급 시간, 열교환 면적 중 하나 이상을 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 노즐은,
    불활성 기체 공급부와 연결되고,
    기판 상으로 불활성 기체를 토출할 수 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 기판이 수납된 캐리어가 안착되는 로드 포트;
    상기 로드 포트에 안착된 캐리어로부터 상기 기판을 반송하는 인덱스 로봇이내부에 제공되는 인덱스 챔버; 및
    상기 기판에 대하여 액 처리 공정을 수행하는 액 처리 장치를 포함하는 공정 처리부를 포함하고,
    상기 액 처리 장치는,
    기판을 지지하기 위한 기판 지지 유닛; 및
    상기 기판을 향해 처리액을 공급하는 처리액 공급 유닛을 포함하고,
    상기 처리액 공급 유닛은,
    기판 상으로 처리액을 공급하는 노즐;
    상기 노즐로 처리액을 공급하기 위한 공급 라인을 포함하는 처리액 공급부; 및
    상기 처리액을 냉각시켜 상기 처리액을 석-백시키기 위한 냉각부를 포함하고,
    상기 냉각부는,
    상기 공급 라인을 감싸도록 제공된 관형상 부재를 포함하는 기판 처리 설비.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 냉각부는 상기 공급 라인 외부에 냉각 유체를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 설비.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 관형상 부재는 내부 공간을 포함하고,
    상기 냉각부는 상기 내부 공간으로 냉각 유체를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 설비.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 냉각부에 의하여 상기 처리액의 부피가 감소되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 설비.
  12. 제10항 또는 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 냉각부는,
    상기 처리액의 종류에 따라 상기 관형상 부재의 내부 공간으로 공급되는 냉각 유체의 온도, 공급 유량, 공급 시간, 열교환 면적 중 하나 이상을 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 설비.
  13. 제8항에 있어서,
    상기 노즐은,
    불활성 기체 공급부와 연결되고, 기판을 향해 불활성 기체를 토출할 수 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 설비.
  14. 기판 상에 처리액 또는 불활성 기체를 토출하는 노즐과 상기 노즐에 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급 라인을 포함하는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법에 있어서,
    기판 상에 처리액을 토출하는 처리액 공급 단계;
    상기 처리액 공급을 중단하고 상기 노즐 내부에 잔존하는 처리액을 석백(Suck Back)시키는 석백 단계;
    상기 기판 상에 불활성 기체를 공급하는 불활성 기체 공급 단계;
    를 포함하고,
    상기 석백 단계와 상기 불활성 기체 공급 단계는 상기 처리액을 냉각하는 냉각 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 냉각 단계에 의하여 상기 처리액의 부피가 감소되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 냉각 단계는 상기 공급 라인 외부에 냉각 유체를 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 석백 단계에서 공급되는 냉각 유체의 양과 상기 불활성 기체 공급 단계에 공급되는 냉각 유체의 양은 상이한 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 불활성 기체 공급 단계가 냉각 단계를 포함함으로써 상기 노즐로부터 상기 처리액이 드롭되지 않는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  19. 제16항에 있어서,
    상기 냉각 단계에서는,
    상기 냉각 유체의 온도, 유량, 공급 시간, 열교환 면적 중 하나 이상이 제어되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 냉각 유체를 제어함으로써 처리액이 석백되는 부피 또는 시간이 제어되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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