JP2013251547A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置及び基板処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013251547A JP2013251547A JP2013115646A JP2013115646A JP2013251547A JP 2013251547 A JP2013251547 A JP 2013251547A JP 2013115646 A JP2013115646 A JP 2013115646A JP 2013115646 A JP2013115646 A JP 2013115646A JP 2013251547 A JP2013251547 A JP 2013251547A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- supercritical fluid
- valve
- pipe
- substrate
- housing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02101—Cleaning only involving supercritical fluids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0021—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by liquid gases or supercritical fluids
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F26—DRYING
- F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
- F26B21/00—Arrangements or duct systems, e.g. in combination with pallet boxes, for supplying and controlling air or gases for drying solid materials or objects
- F26B21/14—Arrangements or duct systems, e.g. in combination with pallet boxes, for supplying and controlling air or gases for drying solid materials or objects using gases or vapours other than air or steam, e.g. inert gases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F26—DRYING
- F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
- F26B21/00—Arrangements or duct systems, e.g. in combination with pallet boxes, for supplying and controlling air or gases for drying solid materials or objects
- F26B21/06—Controlling, e.g. regulating, parameters of gas supply
- F26B21/12—Velocity of flow; Quantity of flow, e.g. by varying fan speed, by modifying cross flow area
Abstract
【解決手段】本発明の一実施形態による基板処理装置は、ハウジング2510と、上記ハウジング内に提供され、基板Sを支持する支持部材2530と、超臨界状態の流体が貯蔵される超臨界流体供給ユニット3000と、上記超臨界流体供給ユニットと上記ハウジングを連結し、上記超臨界流体供給ユニットから上記ハウジングへ供給される超臨界流体の量を調節する供給バルブが提供される供給管3003,3004と、上供給管から分岐され、上記供給管に残留する上記超臨界流体を排出させるベント管5001と、を含み、上記ベント管には上記ベント管を開閉する開閉バルブ5011を含む。
【選択図】図4
Description
チャッキングピン2413は、支持プレート2411の上面に第3方向(Z)へ支持ピン2412より長く突出され、支持プレート2411の中心から支持ピン2412より遠く離れた位置に配置される。チャッキングピン2413は、支持プレート2411の半径方向に沿って固定位置とピックアップ位置との間に移動することができる。ここで、固定位置は支持プレート2411の中心から基板Sの半径に対応される距離くらい離れた位置であり、ピックアップ位置は固定位置より支持プレート2411の中心から遠く離れた位置である。チャッキングピン2413は、移送ロボット2210によってスピンヘッド2410へ基板Sがローディングされる時にはピックアップ位置に位置し、基板Sがローディングされて工程が進行されれば、固定位置へ移動して基板Sの側面に接触して基板Sを正位置に固定させ、工程が終了されて移送ロボット2210が基板Sをピックアップして基板Sがアンローディングされる時には再びピックアップ位置へ移動することができる。これによって、チャッキングピン2413はスピンヘッド2410が回転する時の回転力によって基板Sが正位置から離脱することを防止することができる。
2000 工程モジュール、
2100 バッファチャンバー、
2200 移送チャンバー、
2300 第1工程チャンバー、
2500 第2工程チャンバー、
2510 ハウジング、
2520 加熱部材、
2530 支持部材、
3000 超臨界流体供給ユニット、
3001 供給管、
3002 メーン配管、
4001 排出管、
5001 ベント管。
Claims (15)
- 超臨界流体を利用して基板を処理する装置において、
ハウジングと、
前記ハウジング内に提供され、基板を支持する支持部材と、
超臨界状態の流体が貯蔵される超臨界流体供給ユニットと、
前記超臨界流体供給ユニットと前記ハウジングを連結し、前記超臨界流体供給ユニットから前記ハウジングへ供給される超臨界流体の量を調節する供給バルブが提供される供給管と、
前記供給管から分岐され、前記供給管に残留する前記超臨界流体を排出させるベント管と、を含み、
前記ベント管には前記ベント管を開閉する開閉バルブが提供される、基板処理装置。 - 前記ベント管には、前記ベント管を流動する前記超臨界流体の流量を調節する流量調節部材が提供される、請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記流量調節部材は、メートルリングバルブ又はオリフィスを含む、請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記流量調節部材は、前記開閉バルブを基準に前記ベント管が前記供給管と連結される所の他側に提供される、請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記供給管は、
一端が前記超臨界流体供給ユニットに連結されるメーン配管と、
前記メーン配管の他端に位置される分岐部で分岐され、前記ハウジングの上部に連結される上部供給管と、
前記分岐部で分岐され、前記ハウジングの下部に連結される下部供給管を含む、請求項1〜4のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 前記ベント管は、前記メーン配管、前記上部供給管又は前記下部供給管の中で一地点で分岐される、請求項5に記載の基板処理装置。
- 前記供給バルブは、前記メーン配管、前記上部供給管、及び前記下部供給管に各々位置されるメーンバルブ、上部バルブ、及び下部バルブを含む、請求項6に記載の基板処理装置。
- 前記ベント管は、前記メーンバルブ、前記上部バルブ、又は前記下部バルブと前記分岐部との間で分岐される、請求項7に記載の基板処理装置。
- 前記メーン配管には、前記メーンバルブと前記分岐部との間にフィルターが提供される、請求項7に記載の基板処理装置。
- 前記供給バルブは、前記超臨界流体供給ユニットに隣接する前方バルブ及び前記ハウジングに隣接する後方バルブを含み、
前記ベント管は、前記前方バルブ及び前記後方バルブの間で分岐される、請求項1〜9のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 前記供給バルブと前記開閉バルブを制御する制御器をさらに含み、
前記制御器は、前記供給バルブを遮断した状態で前記開閉バルブを開放して前記供給管に残留する超臨界流体を前記ベント管を通じて排出させる、請求項7又は請求項11に記載の基板処理装置。 - 請求項1〜11のいずれか1項に記載の基板処理装置を利用して基板を処理する方法において、
前記供給バルブを閉じた状態で前記開閉バルブを開放して前記供給管に残留する前記超臨界流体を前記ベント管へ排出した後、前記開閉バルブを閉め、前記供給バルブを開放して前記ハウジングへ前記超臨界流体を供給する、基板処理方法。 - 前記超臨界流体を前記ベント管へ排出する間に、前記ハウジングから前記基板の搬出又は前記ハウジングへ前記基板の搬入が行われる、請求項12に記載の基板処理方法。
- 請求項1〜11のいずれか1項に記載の基板処理装置を利用して基板を処理する方法において、
前記基板の乾燥が完了されれば、前記超臨界流体供給ユニットで前記供給管へ前記超臨界流体が流れ込むことを遮断した状態で、前記ハウジングの内部にある前記超臨界流体を排出しながら、前記供給管に残留する前記超臨界流体を排出する、基板処理方法。 - 前記ハウジングへ前記基板が搬入されれば、前記供給管に残留する前記超臨界流体を前記ベント管へ排出した後、前記供給管を通じて前記超臨界流体供給ユニットで前記ハウジングへ前記超臨界流体の供給を開始する、請求項14に記載の基板処理方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20120058228 | 2012-05-31 | ||
KR10-2012-0058228 | 2012-05-31 | ||
KR1020120093798A KR101536724B1 (ko) | 2012-05-31 | 2012-08-27 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR10-2012-0093798 | 2012-08-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013251547A true JP2013251547A (ja) | 2013-12-12 |
JP5639686B2 JP5639686B2 (ja) | 2014-12-10 |
Family
ID=49668511
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013115646A Active JP5639686B2 (ja) | 2012-05-31 | 2013-05-31 | 基板処理方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9275852B2 (ja) |
JP (1) | JP5639686B2 (ja) |
CN (1) | CN103456665B (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200035357A (ko) | 2018-09-26 | 2020-04-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 시스템 및 처리 유체 공급 방법 |
JP2021111786A (ja) * | 2019-12-31 | 2021-08-02 | セメス カンパニー,リミテッド | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP2021166309A (ja) * | 2017-09-29 | 2021-10-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP2022016342A (ja) * | 2020-07-08 | 2022-01-21 | セメス カンパニー,リミテッド | 基板処理装置及び方法 |
JP7406601B2 (ja) | 2021-08-12 | 2023-12-27 | セメス カンパニー,リミテッド | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101147192B1 (ko) * | 2011-11-11 | 2012-05-25 | 주식회사 엘에스테크 | 웨이퍼 표면상의 증착 이물 제거 장치 |
US9982664B2 (en) | 2015-07-31 | 2018-05-29 | Tel Fsi, Inc. | Systems and methods for metering a dose volume of fluid used to treat microelectronic substrates |
KR102063322B1 (ko) | 2016-05-27 | 2020-01-08 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
KR101987959B1 (ko) | 2017-07-25 | 2019-06-11 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
KR102233466B1 (ko) * | 2018-10-02 | 2021-03-31 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 이에 적용되는 안전 밸브 |
CN111336792B (zh) * | 2018-12-19 | 2022-03-11 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种干燥微水珠的腔体 |
CN110864536B (zh) * | 2019-11-11 | 2020-11-10 | 兰泽(荆门)智能科技有限公司 | 一种转动拉升式晶圆干燥机 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005252234A (ja) * | 2003-12-16 | 2005-09-15 | Air Products & Chemicals Inc | 物品を処理するための方法及び装置 |
JP2006130386A (ja) * | 2004-11-04 | 2006-05-25 | Showa Tansan Co Ltd | 高圧処理装置および高圧処理容器 |
JP2007175559A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 高圧処理装置および高圧処理方法 |
JP2008078322A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-04-03 | Sony Corp | 半導体ウェーハの処理方法及び処理装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6508259B1 (en) | 1999-08-05 | 2003-01-21 | S.C. Fluids, Inc. | Inverted pressure vessel with horizontal through loading |
JP4440505B2 (ja) | 2001-03-08 | 2010-03-24 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | 洗浄機能を有する原料液供給装置 |
JP4298384B2 (ja) * | 2003-06-04 | 2009-07-15 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 液供給装置および基板処理装置 |
JP2007234862A (ja) | 2006-03-01 | 2007-09-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 高圧処理装置および高圧処理方法 |
JP2009194092A (ja) | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Japan Organo Co Ltd | 高圧二酸化炭素による被処理体の処理方法及び処理装置 |
KR20120008134A (ko) | 2010-07-16 | 2012-01-30 | 세메스 주식회사 | 기판처리방법 |
-
2013
- 2013-05-30 US US13/905,754 patent/US9275852B2/en active Active
- 2013-05-31 CN CN201310215172.6A patent/CN103456665B/zh active Active
- 2013-05-31 JP JP2013115646A patent/JP5639686B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005252234A (ja) * | 2003-12-16 | 2005-09-15 | Air Products & Chemicals Inc | 物品を処理するための方法及び装置 |
JP2006130386A (ja) * | 2004-11-04 | 2006-05-25 | Showa Tansan Co Ltd | 高圧処理装置および高圧処理容器 |
JP2007175559A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 高圧処理装置および高圧処理方法 |
JP2008078322A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-04-03 | Sony Corp | 半導体ウェーハの処理方法及び処理装置 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021166309A (ja) * | 2017-09-29 | 2021-10-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP7113949B2 (ja) | 2017-09-29 | 2022-08-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
KR20200035357A (ko) | 2018-09-26 | 2020-04-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 시스템 및 처리 유체 공급 방법 |
KR20220134508A (ko) | 2018-09-26 | 2022-10-05 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 처리 유체 공급 방법 |
US11482427B2 (en) | 2018-09-26 | 2022-10-25 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing system and method for supplying processing fluid |
US11735439B2 (en) | 2018-09-26 | 2023-08-22 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing system and method for supplying processing fluid |
JP2021111786A (ja) * | 2019-12-31 | 2021-08-02 | セメス カンパニー,リミテッド | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP7236428B2 (ja) | 2019-12-31 | 2023-03-09 | セメス カンパニー,リミテッド | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP2022016342A (ja) * | 2020-07-08 | 2022-01-21 | セメス カンパニー,リミテッド | 基板処理装置及び方法 |
JP7330234B2 (ja) | 2020-07-08 | 2023-08-21 | セメス カンパニー,リミテッド | 基板処理装置及び方法 |
JP7406601B2 (ja) | 2021-08-12 | 2023-12-27 | セメス カンパニー,リミテッド | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5639686B2 (ja) | 2014-12-10 |
US20130318815A1 (en) | 2013-12-05 |
US9275852B2 (en) | 2016-03-01 |
CN103456665A (zh) | 2013-12-18 |
CN103456665B (zh) | 2017-07-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5639686B2 (ja) | 基板処理方法 | |
JP5544666B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR101536724B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
US9691638B2 (en) | Apparatus for treating substrate and method for discharging supercritical fluid | |
TWI529796B (zh) | 用以處理基板之設備及方法 | |
US9984902B2 (en) | Apparatus and method for treating substrate | |
US10046371B2 (en) | Recycling unit, substrate treating apparatus and recycling method using the recycling unit | |
US20130318812A1 (en) | Apparatus and method for drying substrate | |
TWI503911B (zh) | 用以處理基板之設備及用以排出超臨界流體之方法 | |
US20140360041A1 (en) | Substrate treating apparatus | |
US10825698B2 (en) | Substrate drying apparatus, facility of manufacturing semiconductor device, and method of drying substrate | |
KR102188348B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
KR101736845B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
KR101590906B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP5641374B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR20150138975A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
KR101512097B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
KR101885100B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP2009188113A (ja) | 液体供給装置およびこれを備えた基板処理装置 | |
KR102155217B1 (ko) | 재생 유닛 및 기판 처리 장치 | |
KR101938350B1 (ko) | 기판처리장치 및 이를 이용한 배기방법 | |
KR102155216B1 (ko) | 탱크, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP2023095783A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP2022184751A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140522 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140527 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140827 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141007 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141024 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5639686 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |