KR102155216B1 - 탱크, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

탱크, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102155216B1
KR102155216B1 KR1020130168126A KR20130168126A KR102155216B1 KR 102155216 B1 KR102155216 B1 KR 102155216B1 KR 1020130168126 A KR1020130168126 A KR 1020130168126A KR 20130168126 A KR20130168126 A KR 20130168126A KR 102155216 B1 KR102155216 B1 KR 102155216B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
fluid
tank
substrate
water supply
supply tank
Prior art date
Application number
KR1020130168126A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150078607A (ko
Inventor
김붕
정인일
이영일
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020130168126A priority Critical patent/KR102155216B1/ko
Publication of KR20150078607A publication Critical patent/KR20150078607A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102155216B1 publication Critical patent/KR102155216B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02101—Cleaning only involving supercritical fluids

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 초임계유체로 제공되는 유체로 기판 상의 유기용제를 용해하여 상기 기판을 건조시키는 건조 챔버, 상기 건조 챔버로 상기 유체를 공급하는 공급 유닛, 상기 건조 챔버로부터 배출된 유체를 저장하는 버퍼탱크를 포함하고 상기 유체로부터 상기 유기용제를 분리하여 재생시키고, 재생된 상기 유체를 상기 공급 유닛으로 공급하는 재생 유닛을 포함하되, 상기 공급 유닛은, 응축기, 상기 응축기에서 액화된 상기 유체를 공급받아 저장하는 급수탱크; 그리고 상기 응축기와 상기 급수탱크 사이에 설치되고, 상기 유체를 상기 급수탱크로 공급시키는 펌프를 포함하되, 상기 급수탱크는, 그 내부에 가스가 제공되어 상기 급수탱크 내부의 상기 유체에 의한 상대 압력에 따라 그 부피가 변하도록 제공되는 축압기를 포함할 수 있다.

Description

탱크, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 {TANK AND SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND METHOD}
본 발명은 탱크를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 초임계유체를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체소자는 실리콘웨이퍼 등의 기판 상에 회로패턴을 형성하는 포토리소그래피(photolithography) 공정을 비롯한 다양한 공정을 거쳐 제조된다. 이러한 제조과정 중에는 파티클(particle), 유기오염물, 금속불순물 등의 다양한 이물질이 발생한다. 이러한 이물질들은 기판에 결함(defect)을 유발하게 되므로, 반도체소자의 수율에 직접적인 영향을 미치는 요인으로 작용한다. 따라서, 반도체 제조공정에서는 이러한 이물질을 제거하기 위한 세정공정이 필수적으로 수반된다.
일반적인 세정공정에서는 세정제로 기판 상의 이물질을 제거하고, 순수(DI-water: deionized water)로 기판을 세척한 후, 이소프로필알코올(IPA: isopropyl alcohol)을 이용하여 기판을 건조한다. 그러나, 이러한 건조처리는 반도체소자의 회로패턴이 미세한 경우에는 건조효율이 낮을 뿐 아니라 건조과정 중에 회로패턴이 손상되는 도괴현상(pattern collapse)이 빈번하게 발생하기 때문에, 선폭 30nm 이하의 반도체소자에 대해서는 적합하지 않다.
따라서, 최근에는 이러한 단점을 보완할 수 있는 초임계유체(supercritical fluid)를 이용하여 기판을 건조하는 기술에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 초임계유체를 공급하는 과정에서, 응축기를 지나 액화된 유체는 펌프에 의해 급수탱크에 공급된다. 급수탱크에서 유체는 가열되어 초임계 유체가 된다. 그 후, 급수탱크는 공정 챔버로 초임계유체를 공급한다. 급수탱크는 그 내부의 초임계유체 유량에 따라 압력값의 변동이 생긴다. 또한, 공정 챔버 내로 초임계유체를 공급할 경우, 급수탱크 내부에 압력 강하가 발생하여 공정 시간 증가의 원인이 된다.
본 발명은 초임계유체를 균일하게 공급할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 초임계유체 공정 장비의 압력 헌팅을 최소화할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 그리고 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 초임계유체로 제공되는 유체로 기판 상의 유기용제를 용해하여 상기 기판을 건조시키는 건조 챔버, 상기 건조 챔버로 상기 유체를 공급하는 공급 유닛, 상기 건조 챔버로부터 배출된 유체를 저장하는 버퍼탱크를 포함하고 상기 유체로부터 상기 유기용제를 분리하여 재생시키고, 재생된 상기 유체를 상기 공급 유닛으로 공급하는 재생 유닛을 포함하되, 상기 공급 유닛은, 응축기, 상기 응축기에서 액화된 상기 유체를 공급받아 저장하는 급수탱크; 그리고 상기 응축기와 상기 급수탱크 사이에 설치되고, 상기 유체를 상기 급수탱크로 공급시키는 펌프를 포함하되, 상기 급수탱크는, 그 내부에 가스가 제공되어 상기 급수탱크 내부의 상기 유체에 의한 상대 압력에 따라 그 부피가 변하도록 제공되는 축압기를 포함할 수 있다.
상기 급수탱크는 메인 탱크 및 그 내부가 상기 메인 탱크와 통하도록 연결되는 보조 탱크를 포함하되, 상기 축압기는 상기 보조 탱크 내에 제공될 수 있다.
상기 축압기는 상기 급수 탱크의 내벽에 고정 설치될 수 있다.
상기 가스는 공기일 수 있다.
상기 축압기는 탄성이 있는 재질로 제공될 수 있다.
상기 축압기는 고무로 제공될 수 있다.
상기 급수 탱크 내로 유입되는 상기 유체는 초임계 상태일 수 있다.
상기 유체는 이산화탄소(CO2)일 수 있다.
또한, 본 발명은 탱크를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유체를 공급받고 그 내부에 상기 유체를 저장하는 탱크에 있어서, 상기 탱크는, 그 내부에 가스가 제공되어 상기 탱크 내부의 상기 유체에 의한 상대 압력에 따라 그 부피가 변하도록 제공되는 축압기를 포함할 수 있다.
상기 탱크는 메인 탱크 및 그 내부가 상기 메인 탱크와 통하도록 연결되는 보조 탱크를 포함하되, 상기 축압기는 상기 보조 탱크 내에 제공될 수 있다.
상기 가스는 공기일 수 있다.
상기 축압기는 탄성이 있는 재질로 제공될 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다.
상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서, 상기 급수탱크에 상기 유체가 공급되면 상기 축압기의 상기 부피는 줄어들고, 상기 급수탱크의 상기 유체가 상기 건조 챔버로 공급되면 상기 축압기의 상기 부피가 증가하여, 상기 급수탱크의 압력 변동을 최소화할 수 있다.
상기 급수 탱크 내로 유입되는 상기 유체는 초임계 상태일 수 있다.
상기 유체는 이산화탄소(CO2)일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 초임계유체를 균일하게 공급할 수 있는 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명은 일정 초임계유체 공정 장비의 압력 헌팅을 최소화할 수 있는 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 그리고 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 기판처리장치의 일 실시예의 평면도이다.
도 2는 도 1의 세정챔버의 단면도이다.
도 3은 도 1의 건조챔버의 일 실시예의 단면도이다.
도 4는 초임계유체의 순환계에 관한 도면이다.
도 5는 일 실시예에 따른 급수탱크를 보여주는 도면이다.
도 6은 다른 실시예에 따른 급수탱크를 보여주는 도면이다.
도 7 내지 도 10은 도 5의 급수탱크의 일 실시예에 따른 작동 과정을 보여준다.
본 명세서에 기재된 실시예는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 사상을 명확히 설명하기 위한 것이므로, 본 발명이 본 명세서에 기재된 실시예에 의해 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 범위는 본 발명의 사상을 벗어나지 아니하는 수정예 또는 변형예를 포함하는 것으로 해석되어야 한다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 용어와 첨부된 도면은 본 발명을 용이하게 설명하기 위한 것이므로, 본 발명이 본 명세서에서 사용되는 용어와 첨부된 도면에 의해 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지의 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
본 발명에 따른 기판처리장치(100)는 기판(S)에 대하여 세정공정을 수행하는 장치이다.
여기서, 기판(S)은 실리콘웨이퍼를 비롯한 다양한 웨이퍼, 유리기판, 유기기판 등을 포함하는 것은 물론 상술한 예 이외에도 반도체소자, 디스플레이 그리고 그 외의 박막에 회로가 형성된 물건의 제조에 이용되는 기판을 모두 포함하는 포괄적인 개념으로 해석되어야 한다.
이하에서는 기판처리장치(100)의 일 실시예에 관하여 설명한다.
도 1은 기판처리장치(100)의 일 실시예의 평면도이다.
기판처리장치(100)는 인덱스모듈(1000), 공정모듈(2000)을 포함한다. 인덱스모듈(1000)은 외부로부터 기판(S)을 반송받아 공정모듈(2000)로 기판(S)을 제공한다. 공정모듈(2000)은 기판(S)에 대한 세정공정을 수행한다.
인덱스모듈(1000)은 설비전방단부모듈(EFEM: equipment front end module)로서, 로드포트(1100)와 이송프레임(1200)을 포함한다. 로드포트(1100), 이송프레임(1200) 그리고 공정모듈(2000)은 순차적으로 일렬로 배치될 수 있다. 여기서, 로드포트(1100), 이송프레임(1200) 그리고 공정모듈(2000)이 배열된 방향을 제1방향(X)으로 지칭한다. 또한, 상부에서 바라볼 때 제1방향(X)에 수직인 방향을 제2방향(Y)으로 지칭하고, 제1방향(X)과 제2방향(Y)에 수직인 방향을 제3방향(Z)으로 지칭하기로 한다.
인덱스모듈(1000)에는 하나 또는 복수의 로드포트(1100)가 제공될 수 있다. 로드포트(1100)는 이송프레임(1200)의 일측에 배치된다. 로드포트(1100)가 복수인 경우에는, 로드포트(1100)는 제2방향(Y)에 따라 일렬로 배치될 수 있다. 로드포트(1100)의 수와 배치는 상술한 예로 한정되지 아니하며, 기판처리장치(100)의 풋 프린트, 공정효율, 다른 기판처리장치(100)와의 배치 등의 다양한 요소를 고려하여 적절히 선택될 수 있다.
로드포트(1100)에는 기판(S)이 수용되는 캐리어(C)가 놓인다. 캐리어(C)는 외부로부터 반송되어 로드포트(1100)에 로딩되거나 또는 로드포트(1100)로부터 언로딩되어 외부로 반송된다. 예를 들어, 캐리어(C)는 오버헤드트랜스퍼(OHT: overhead hoist transfer) 등의 반송장치에 의해 기판처리장치들 간에 반송될 수 있다. 선택적으로, 기판(S)의 반송은 오버헤드트랜스퍼 대신 자동안내차량(automatic guided vehicle), 레일안내차량(rail guided vehicle) 등의 다른 반송장치 또는 작업자에 의해 수행될 수 있다. 캐리어(C)로는 전면개방일체형포드(FOUP: front opening unified pod)가 사용될 수 있다.
캐리어(C)의 내부에는 기판(S)의 가장자리를 지지하는 슬롯이 하나 이상 형성된다. 슬롯이 복수인 경우에는, 슬롯은 제3방향(Z)에 따라 서로 이격되어 형성될 수 있다. 예를 들어, 캐리어(C)는 25장의 기판(S)을 수납할 수 있다. 캐리어(C)는 내부는 개폐가능한 도어에 의해 외부와 격리되어 밀폐될 수 있다. 이를 통해 캐리어(C)의 내부에 수용된 기판(S)이 오염되는 것을 방지할 수 있다.
이송프레임(1200)은 로드포트(1100)에 안착된 캐리어(C)와 공정모듈(2000) 간에 기판(S)을 반송한다. 이송프레임(1200)은 인덱스로봇(1210)과 인덱스레일(1220)을 포함한다.
인덱스레일(1220)은 인덱스로봇(1210)의 직선 이동을 안내한다. 인덱스레일(1220)은 그 길이방향이 제2방향(Y)에 나란하게 제공될 수 있다.
인덱스로봇(1210)은 기판(S)을 반송한다. 인덱스로봇(1210)은 베이스(1211), 바디(1212) 그리고 암(1213)을 가질 수 있다.
베이스(1211)는 인덱스레일(1220) 상에 설치된다. 베이스(1211)는 인덱스레일(1220)을 따라 이동할 수 있다. 바디(1212)는 베이스(1211)에 결합되고, 베이스(1211) 상에서 제3방향(Z)을 따라 이동하거나 또는 제3방향(Z)을 축으로 회전할 수 있다. 암(1213)은 바디(1212)에 설치되고, 전진 그리고 후진을 하여 이동할 수 있다. 암(1213)의 일단에는 핸드가 구비되어 기판(S)을 집거나 놓을 수 있다. 인덱스로봇(1210)에는 하나 또는 복수의 암(1213)이 제공된다. 복수의 암(1213)이 제공되는 경우에는, 서로 제3방향(Z)에 따라 바디(1212)에 적층되어 배치될 수 있다. 이 때, 각각의 암(1213)은 개별적으로 구동될 수 있다.
이에 따라 인덱스로봇(1210)은 인덱스레일(1220) 상에서 베이스(1211)가 제2방향(Y)에 따라 이동하며, 바디(1212)와 암(1213)의 동작에 따라 캐리어(C)로부터 기판(S)을 인출하여 이를 공정모듈(2000)로 반입하거나 또는 공정모듈(2000)로부터 기판(S)을 인출하여 캐리어(C)에 수납할 수 있다.
이와 달리, 이송프레임(1200)에는 인덱스레일(1220)이 생략되고, 인덱스로봇(1210)이 이송프레임(1200)에 고정되어 설치될 수도 있다. 이 때에는 인덱스로봇(1210)이 이송프레임(1200)의 중앙부에 배치될 수 있다.
공정모듈(2000)은 기판(S)에 대하여 세정공정을 수행한다. 공정모듈(2000)은 버퍼챔버(2100), 이송챔버(2200), 세정챔버(2300) 그리고 건조챔버(2500)를 포함한다. 버퍼챔버(2100)와 이송챔버(2200)는 제1방향(X)을 따라 배치되고, 이송챔버(2200)는 그 길이방향이 제1방향(X)에 나란하도록 배치된다. 공정챔버들(2300, 2500)은 이송챔버(2200)의 측면에 배치된다. 세정챔버(2300), 이송챔버(2200), 그리고 건조챔버(2500)는 제2방향(Y)를 따라 순차적으로 배치될 수 있다.
세정챔버(2300)는 이송챔버(2200)의 제2방향(Y)의 일측에 배치되고, 건조챔버(2500)는 세정챔버(2300)가 배치된 반대방향의 타측에 배치될 수 있다. 세정챔버(2300)는 하나 또는 복수일 수 있다. 세정챔버(2300)가 복수일 경우, 세정챔버(2300)는 이송챔버(2200)의 일측에 제1방향(X)에 따라 배치되거나, 제3방향(Z)에 따라 적층되거나 또는 이들의 조합에 의해 배치될 수 있다. 마찬가지로 건조챔버(2500)도 하나 또는 복수일 수 있다. 건조챔버(2500)가 복수일 경우, 건조챔버(2500)는 이송챔버(2200)의 타측에 제1방향(X)에 따라 배치되거나, 제3방향(Z)에 따라 적층되거나 또는 이들의 조합에 의해 배치될 수 있다.
다만, 공정모듈(2000)에서 각 챔버들의 배치가 상술한 예로 한정되는 것은 아니며, 공정효율을 고려하여 적절하게 변형될 수 있다. 예를 들어, 필요에 따라 세정챔버(2300)와 건조챔버(2500)가 이송모듈의 같은 측면에 제1방향(X)에 따라 배치되거나 또는 서로 적층되어 배치되는 것도 가능하다.
버퍼챔버(2100)는 이송프레임(1200)과 이송챔버(2200)의 사이에 배치된다. 버퍼챔버(2100)는 인덱스모듈(1000)과 공정모듈(2000) 간에 반송되는 기판(S)이 임시로 머무르는 버퍼공간을 제공한다. 버퍼챔버(2100)의 내부에는 기판(S)이 놓이는 버퍼슬롯이 하나 또는 복수 개 제공된다. 버퍼슬롯이 복수인 경우에는 제3방향(Z)을 따라 서로 이격될 수 있다.
버퍼슬롯에는 인덱스로봇(1210)에 의해 캐리어(C)로부터 인출된 기판(S)이 안착될 수 있다. 또한, 버퍼슬롯에는 이송로봇(2210)에 의해 공정챔버들(2300, 2500)로부터 반출된 기판(S)이 안착될 수 있다. 또한, 인덱스로봇(1210)이나 이송로봇(2210)은 버퍼슬롯으로부터 기판(S)을 반출하여, 캐리어(C)에 수용하거나 공정챔버들(2300, 2500)로 반송할 수 있다.
이송챔버(2200)는 버퍼챔버(2100), 세정챔버(2300), 건조챔버(2500) 간에 기판(S)을 반송한다. 이송챔버(2200)는 이송레일(2220) 그리고 이송로봇(2210)을 포함한다. 이송레일(2220)은 이송로봇(2210)이 이동하는 경로를 제공한다. 이송레일(2220)은 제1방향(X)에 나란하게 제공될 수 있다. 이송로봇(2210)은 기판(S)을 반송한다. 이송로봇(2210)은 베이스(2211), 바디(2212) 그리고 암(2213)을 포함할 수 있다. 이송로봇(2210)의 각 구성요소는 인덱스로봇(1210)의 구성요소와 유사하므로 이에 대한 자세한 설명은 생략한다. 이송로봇(2210)은 베이스(2211)가 이송레일(2220)을 따라 이동하면서 바디(2212) 그리고 암(2213)의 작동에 의해 버퍼챔버(2100), 세정챔버(2300) 그리고 건조챔버(2500) 간에 기판(S)을 반송한다.
세정챔버(2300)와 건조챔버(2500)는 각각 기판(S)에 대하여 상이한 공정을 수행한다. 여기서, 세정챔버(2300)에서 수행되는 제1공정과 건조챔버(2500)에서 수행되는 제2공정은 서로 순차적으로 수행되는 공정일 수 있다. 예를 들어, 세정챔버(2300)에서는, 케미컬공정, 세척공정 그리고 제1건조공정이 수행되고, 건조챔버(2500)에서는 제1공정의 후속공정으로 제2건조공정이 수행될 수 있다. 여기서, 제1건조공정은 유기용제를 이용하여 수행되는 건조공정이고, 제2건조공정은 초임계유체를 이용하여 수행되는 초임계건조공정일 수 있다.
이하에서는 세정챔버(2300)에 관하여 설명한다. 도 2는 도 1의 세정챔버(2300)의 단면도이다.
세정챔버(2300)에서는 제1공정이 수행된다. 세정챔버(2300)는 하우징(2310)과 공정유닛(2400)을 포함한다. 하우징(2310)은 세정챔버(2300)의 외벽을 형성한다. 공정유닛(2400)은 하우징(2310)의 내부에 위치하고, 제1공정을 수행한다.
공정유닛(2400)은 스핀헤드(2410), 유체공급부재(2420), 회수통(2430) 그리고 승강부재(2440)를 포함할 수 있다.
스핀헤드(2410)에는 기판(S)이 안착된다. 스핀헤드(2410)는 공정이 진행되는 중에 기판(S)을 회전시킨다. 스핀헤드(2410)는 지지플레이트(2411), 지지핀(2412), 척킹핀(2413), 회전축(2414) 그리고 모터(2415)를 포함할 수 있다.
지지플레이트(2411)는 그 상부가 대체로 기판(S)과 유사한 형상을 가진다. 예를 들어, 기판이 원형의 웨이퍼인 경우, 지지플레이트(2411)는 원형을 가지도록 제공될 수 있다. 지지플레이트(2411)의 상부에는 복수의 지지핀(2412)과 복수의 척킹핀(2413)이 제공된다. 복수의 지지핀(2412)에는 기판(S)이 놓인다. 복수의 척킹핀(2413)은 기판(S)을 고정한다. 지지플레이트(2411)의 하면에는 회전축(2414)이 고정되어 결합된다. 회전축(2414)은 모터(2415)에 의해 회전된다. 모터(2415)는 회전력을 발생시켜 회전축(2414)을 통해 지지플레이트(2411)를 회전시킨다. 이에 따라 스핀헤드(2410)에 기판(S)이 안착되고, 제1공정 진행 중에 기판(S)을 회전시킬 수 있다.
복수의 지지핀(2412)은 지지플레이트(2411)의 상면에 제3방향(Z)으로 돌출된다. 상부에서 바라볼 때 전체적인 지지핀들(2412)의 배치는 환형의 링 형상을 이룰 수 있다. 지지핀(2412)에는 기판(S)의 후면이 올려지게 된다. 이에 따라 기판(S)은 지지핀(2412)에 의해, 지지플레이트(2411)의 상면으로부터 지지핀(2412)이 돌출된 거리로 이격되어 안착된다.
척킹핀(2413)은 지지플레이트(2411)의 상면에 제3방향(Z)으로 지지핀(2412)보다 더 길게 돌출된다. 척킹핀(2413)은 지지플레이트(2411)의 중심으로부터 지지핀(2412)보다 멀리 떨어진 위치에 배치된다. 척킹핀들(2413)은 지지플레이트(2411)의 반경방향을 따라 지지위치와 대기위치 간에 이동할 수 있다. 지지위치는 지지플레이트(2411)의 중심으로부터 기판(S)의 반경에 대응되는 거리만큼 떨어진 위치이다. 대기위치는 지지위치보다 지지플레이트(2411)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 척킹핀(2413)은 기판(S)이 스핀헤드(2410)에 로딩될 때와 스핀헤드(2410)로부터 언로딩될 때에는 대기위치에 위치한다. 또한, 척킹핀(2413)은 공정 진행시에는 지지위치로 이동한다. 이에 따라 척킹핀(2413)은 스핀헤드(2410)가 회전할 때, 회전력에 의해 기판(S)이 정위치에서 이탈하는 것을 방지할 수 있다.
유체공급부재(2420)는 기판(S)에 유체를 공급한다. 유체공급부재(2420)는 노즐(2421), 지지대(2422), 지지축(2423) 그리고 구동기(2424)를 포함한다. 지지축(2423)은 그 길이 방향이 제3방향(Z)에 따라 제공된다. 지지축(2423)의 하단에는 구동기(2424)가 결합된다. 구동기(2424)는 지지축(2423)을 회전시키거나 제3방향(Z)에 따라 상하로 이동시킨다. 지지축(2423)의 상부에는 지지대(2422)가 수직하게 결합된다. 노즐(2421)은 지지대(2422)의 일단의 저면에 설치된다. 노즐(2421)은 지지축(2423)의 회전 그리고 승강에 의해 지지위치와 대기위치 간에서 이동할 수 있다. 지지위치는 노즐(2421)이 지지플레이트(2411)의 수직 상부에 배치된 위치이다. 대기위치는 노즐(2421)이 지지플레이트(2411)의 수직 상부에서 벗어난 위치이다.
공정유닛(2400)에는 하나 또는 복수의 유체공급부재(2420)가 제공될 수 있다. 유체공급부재(2420)가 복수인 경우에는, 각 유체공급부재(2420)는 서로 상이한 유체를 공급한다. 예를 들어, 복수의 유체공급부재(2420)는 각각 세정제, 린스제 또는 유기용제를 공급할 수 있다. 세정제는 과산화수소(H2O2), 암모니아(NH4OH), 염산(HCl), 황산(H2SO4), 불산(HF) 또는 이들의 혼합 용액 등이 사용된다. 린스제로는 순수가 사용되며, 유기용제로는 이소프로필알코올이 사용된다. 선택적으로 유기용제로는 에틸글리콜(ethyl glycol), 1-프로파놀(propanol), 테트라하이드로프랑(tetra hydraulic franc), 4-하이드록시(hydroxyl), 4-메틸(methyl), 2-펜타논(pentanone), 1-부타놀(butanol), 2-부타놀, 메탄올(methanol), 에탄올(ethanol), n-프로필알코올(n-propyl alcohol), 디메틸에틸(dimethylether) 등이 사용될 수 있다. 예를 들어, 제1유체공급부재(2420a)는 암모니아과산화수소용액을 분사하고, 제2유체공급부재(2420b)는 순수를 분사하고, 제3유체공급부재(2420c)는 이소프로필알코올용액을 분사할 수 있다. 다만, 유기용제는 액체가 아닌 기체상태로 제공될 수도 있으며, 기체상태의 증기로 제공될 때에는 불활성기체와 혼합되어 제공될 수 있다.
상술한 유체공급부재(2420)는 스핀헤드(2410)에 기판(S)이 안착되면 대기위치로부터 지지위치로 이동하여, 기판(S)의 상부로 상술한 유체를 공급할 수 있다. 예를 들어, 유체공급부가 세정제, 린스제, 유기용제를 공급함에 따라 각각 케미컬공정, 세척공정, 제1건조공정이 수행될 수 있다. 이와 같이 공정이 수행되는 동안 스핀헤드(2410)는 회전하여 기판(S)의 상면에 유체가 골고루 제공되도록 할 수 있다.
회수통(2430)은 제1공정이 수행되는 공간을 제공하고, 이 과정에서 사용되는 유체를 회수한다. 회수통(2430)은 상부에서 바라볼 때 스핀헤드(2410)를 둘러싸도록 그 둘레에 배치되며, 상부가 개방된다. 공정유닛(2400)에는 하나 또는 복수의 회수통(2430)이 제공될 수 있다. 이하에서는 제1회수통(2430a), 제2회수통(2430b), 제3회수통(2430c)의 세 개의 회수통(2430)이 제공된 경우를 예를 들어 설명한다. 다만, 회수통(2430)의 수는 사용되는 유체의 수 그리고 제1공정의 조건에 따라 이와 상이하게 선택될 수도 있다.
제1회수통(2430a), 제2회수통(2430b) 그리고 제3회수통(2430c)은 각각 스핀헤드(2410)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 제1회수통(2430a), 제2회수통(2430b), 제3회수통(2430c)은 순차적으로 스핀헤드(2410)의 중심으로부터 멀어지면서 배치된다. 제1회수통(2430a)은 스핀헤드(2410)를 감싸고, 제2회수통(2430b)은 제1회수통(2430a)을 감싸고, 제3회수통(2430c)은 제2회수통(2430b)을 감싸도록 제공된다.
제1회수통(2430a)에는 제1회수통(2430a)의 내측공간에 의해 제1유입관(2431a)가 제공된다. 제2회수통(2430b)에는 제1회수통(2430a)과 제2회수통(2430b) 사이의 공간에 의해 제2유입관(2431b)가 제공된다. 제3회수통(2430c)에는, 제2회수통(2430b)과 제3회수통(2430c) 사이의 공간에 의해 제3유입관(2431c)가 제공된다. 제1유입관(2431a), 제2유입관(2431b), 제3유입관(2431c)는 순차적으로 아래에서 위를 향하는 순서로 제 3방향(Z)을 따라 배열된다. 각각의 회수통(2430a, 2430b, 2430c) 의 저면에는 제3방향(Z)에 따라 아래로 연장되는 회수라인(2432)이 연결된다. 각 회수라인들(2432a, 2432b, 2433c)은 각각의 회수통(2430a, 2430b, 2430c)에 회수된 유체를 배출하여 외부의 유체재생시스템(미도시)에 공급한다. 유체재생시스템(미도시)은 회수된 유체를 재사용할 수 있도록 재생할 수 있다.
승강부재(2440)는, 브라켓(2441), 승강축(2442) 그리고 승강기(2443)를 포함한다. 브라켓(2441)은 회수통(2430)에 고정되어 설치되며, 브라켓(2441)의 일단에는 승강기(2443)에 의해 제3방향(Z)으로 이동되는 승강축(2442)이 고정되어 결합된다. 회수통(2430)이 복수인 경우에는, 브라켓(2441)은 최외곽의 회수통(2430)에 결합될 수 있다.
승강부재(2440)는 회수통(2430)을 제3방향(Z)으로 이동시킨다. 이에 따라 회수통(2430)의 스핀헤드(2410)에 대한 상대 높이가 변경되어, 회수통(2430)인 복수인 경우에는, 어느 하나의 회수통(2430)의 유입관(2431)가 스핀헤드(2410)에 안착된 기판(S)의 수평면 상에 위치하도록 선택적으로 조절할 수 있다.
또한, 승강부재(2440)는 제1공정이 진행되는 동안, 회수통(2430)을 제3방향(Z)으로 이동시켜 회수통(2430)의 유입관(2431)가 기판(S)과 대응되는 높이에 위치하도록 조절한다. 이에 따라, 기판(S)의 회전에 의해 기판(S)으로부터 튕겨나는 유체가 회수될 수 있다. 예를 들어, 제1공정으로 케미컬공정, 린스제에 의한 세척공정, 그 후 유기용제에 의한 제1건조공정이 순차적으로 진행되는 경우, 승강부재(2440)는 제1유입관(2431a), 제2유입관(2431b), 제3유입관(2431c)를 각각 순차적으로 이동시킨다. 이에 따라, 제1회수통(2430a), 제2회수통(2430b), 제3회수통(2430c)이 각각의 유체를 회수할 수 있다.
한편, 승강부재(2440)는 회수통(2430)을 이동시키는 대신 스핀헤드(2410)를 제3방향(Z)으로 이동시킬 수 있다.
건조챔버(2500)에서는 제2공정이 수행된다. 여기서, 제2공정은 초임계유체를 이용하여 기판(S)을 건조시키는 제2건조공정일 수 있다.
이하에서는 이산화탄소(CO2)의 초임계유체를 기준으로 설명한다. 다만, 초임계유체의 종류가 이에 한정되는 것은 아니다.
도 3은 도 1의 건조챔버(2500)의 일 실시예의 단면도이다. 도 3을 참조하면, 건조챔버(2500)는 하우징(2510), 승강부재(2516), 지지부재(2530), 가열부재(2520), 공급포트(2540), 차단부재(2546) 및 배기포트(2550)를 포함할 수 있다.
하우징(2510)은 초임계건조공정이 수행되는 공간을 제공한다. 하우징(2510)은 임계압력 이상의 고압을 견딜 수 있는 재질로 제공된다.
하우징(2510)은 상부하우징(2512)과 하부하우징(2514)을 가진다.
상부하우징(2512)은 고정 설치되며, 하부하우징(2514)은 상부하우징(2512)에 대해 승강할 수 있다. 하부하우징(2514)이 하강하여 상부하우징(2512)으로부터 이격되면 건조챔버(2500)의 내부공간이 개방되고, 기판(S)이 건조챔버(2500)의 내부공간으로 반입되거나 내부공간으로부터 반출될 수 있다. 여기서, 건조챔버(2500)로 반입되는 기판(S)은 세정챔버(3000)에서 유기용제공정을 거쳐 유기용제가 잔류하는 상태일 수 있다. 또 하부하우징(2514)이 상승하여 상부하우징(2512)에 밀착되면 건조챔버(2500)의 내부공간이 밀폐되고, 그 내부에서 초임계건조공정이 수행될 수 있다. 상술한 예와 달리 하우징(2510)에서 하부하우징(2514)이 고정되어 설치되고, 상부하우징(2512)이 하부하우징(2514)에 대해 승강되는 구조로 제공될 수도 있을 것이다.
승강부재(2516)는 하부하우징(2514)을 승강시킨다. 승강부재(2516)는 승강실린더(2517) 및 승강로드(2518)를 포함할 수 있다. 승강실린더(2517)는 하부하우징(2514)에 결합되어 상하방향의 구동력을 발생시킨다.
지지부재(2530)는 상부하우징(2512)과 하부하우징(2514)의 사이에 기판(S)을 지지한다. 지지부재(2530)는 상부하우징(2512)의 하면에 설치되어 수직하방으로 연장되고, 그 하단에서 수평방향으로 수직하게 절곡되는 구조로 제공될 수 있다. 이에 따라 지지부재(2530)는 기판(S)의 가장자리 영역을 지지할 수 있다. 이처럼 지지부재(2530)가 기판(S)의 가장자리 영역에 접촉하여 기판(S)을 지지하므로 기판(S) 상면 전체영역과 하면의 대부분의 영역에 대해서 초임계건조공정이 수행될 수 있다. 여기서, 기판(S)은 그 상면이 패턴면이고, 하면이 비패턴면일 수 있다. 또, 지지부재(2530)는 고정되어 설치되는 상부하우징(2512)이 설치되므로 하부하우징(2514)이 승강하는 동안 비교적 안정적으로 기판(S)을 지지할 수 있다.
상부하우징(2512)에는 수평조정부재(2532)가 설치될 수 있다. 수평조정부재(2532)는 상부하우징(2512)의 수평도(水平度)를 조정한다. 상부하우징(2512)의 수평도가 조정되면, 그에 따라 상부하우징(2512)에 설치된 지지부재(2530)에 안착된 기판(S)의 수평이 조절될 수 있다. 초임계건조공정에서 기판(S)이 기울면, 기판(S)에 잔류하는 유기용제가 경사면을 타고 흘러 기판(S)의 특정부분이 건조되지 않거나 과건조(過乾燥)되어 기판(S)이 손상될 수 있다. 수평조정부재(2532)는 기판(S)의 수평을 맞추어 이러한 문제점을 방지할 수 있다.
가열부재(2520)는 건조챔버(2500)의 내부를 가열한다. 가열부재(2520)는 건조챔버(2500) 내부에 공급된 초임계유체를 임계온도 이상으로 가열하여 초임계유체 상으로 유지하거나 또는 액화된 경우에 다시 초임계유체가 되도록 할 수 있다. 가열부재(2520)는 상부하우징(2512) 및 하부하우징(2514) 중 적어도 하나의 벽 내에 매설되어 설치될 수 있다. 예를 들어, 가열부재(2520)는 외부로부터 전원을 받아 열을 발생시키는 히터로 제공될 수 있다.
공급포트(2540)는 건조챔버(2500)로 초임계유체를 공급한다. 공급포트(2540)는 공급유닛(2560)에 연결될 수 있다. 공급포트(2540)에는 공급유닛(2560)으로부터 공급되는 초임계유체의 유량을 조절하는 밸브가 설치될 수 있다.
공급포트(2540)는 상부공급포트(2542) 및 하부공급포트(2544)를 포함할 수 있다. 상부공급포트(2542)는 상부하우징(2512)에 제공되어, 기판(S)의 상면으로 초임계유체를 공급한다. 하부공급포트(2544)는 하부하우징(2514)에 제공되어 지지부재(2530)에 의해 지지되는 기판(S)의 하면으로 초임계유체를 공급한다.
공급포트들(2540)은 기판(S)의 중앙영역으로 초임계유체를 분사할 수 있다. 상부공급포트(2542)는 지지부재(2530)에 의해 지지되는 기판(S)의 상면 중앙과 마주보는 위치에 제공될 수 있다. 또, 하부공급포트(2544)는 지지부재(2530)에 의해 지지되는 기판(S)의 하면 중앙과 마주보는 위치에 제공될 수 있다.
초임계유체는 하부공급포트(2544)를 통해 먼저 하우징(4510) 내로 공급되고, 이후에 상부공급포트(2542)를 통해 하우징(2510) 내로 공급될 수 있다. 초임계건조공정은 초기에 건조챔버(2500)의 내부가 임계압력에 미달한 상태에서 진행될 수 있기 때문에, 건조챔버(2500)의 내부로 공급되는 초임계유체는 액화된 상태일 수 있다. 따라서, 초임계건조공정의 초기에 상부공급포트(2542)로 초임계유체가 공급되는 경우에는 초임계유체가 액화되어 중력에 의해 기판(S)으로 낙하하여 기판(S)을 손상시킬 수 있다. 상부공급포트(2542)는, 하부공급포트(2544)를 통해 건조챔버(2500)로 초임계유체가 공급되어 건조챔버(2500)의 내부압력이 임계압력에 도달하면 초임계유체의 공급을 시작하여, 공급되는 초임계유체가 액화되어 기판(S)으로 낙하하는 것을 방지할 수 있다.
차단부재(2546)는 차단플레이트(2547)와 지지대(2548)를 포함할 수 있다. 차단플레이트(2547)는 공급포트(2540)와 지지부재(2530)에 의해 지지되는 기판(S)의 사이에 배치된다. 차단플레이트(2547)는 하부공급포트(2544)를 통해 공급되는 초임계유체가 기판(S)의 하면에 직접적으로 분사되는 것을 방지한다. 따라서, 차단플레이트(2547)는 초임계유체가 기판(S)에 직접 분사되는 것을 차단하여 초임계유체의 물리적 힘에 의해 기판(S)에 손상이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 차단플레이트(2547)는 그 반경이 기판(S)과 유사하거나 더 크게 제공될 수 있다. 선택적으로, 차단플레이트(2547)는 그 반경이 기판(S)보다 작게 제공될 수도 있다. 지지대(2548)는 차단플레이트(2547)를 지지한다. 차단플레이트(2547)는 지지대(2548)의 일단에 놓여질 수 있다. 지지대(2548)는 하우징(2510)의 하면으로부터 연직상방으로 연장될 수 있다.
이러한 건조챔버(2500)는, 초임계유체를 이용하여 제2건조공정을 수행한다. 예를 들어, 건조챔버(2500)는 세정챔버(2300)에서 케미컬공정, 세척공정, 유기용제에 의한 제1건조공정이 순서대로 처리된 기판(S)에 대하여 초임계유체를 이용하여 제2건조공정을 수행할 수 있다. 이송로봇(2210)에 의해 기판(S)이 지지부재(2530)에 안착되면, 가열부재(2520)가 하우징(2510) 내부를 가열하고, 초임계유체공급관(2540)을 통해 초임계유체가 공급된다. 이로써, 하우징(2510) 내부에 초임계분위기가 형성된다. 초임계분위기가 형성되면, 기판(S)의 패턴 상면에 잔류하는 유기용제는 초임계유체에 의해 용해된다. 유기용제가 충분히 용해되면, 배출구를 통해 초임계유체가 배출된다. 이후 다시 초임계유체는 공급유닛(2560)으로 공급된다.
도 4는 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다. 기판 처리 장치(100)는 건조챔버(2500), 공급유닛(2560), 재생 유닛(2570), 그리고 순환라인(2600)을 가진다. 건조 챔버(2500)에서는 상술한 건조 공정을 진행 후, 초임계유체를 배기포트(2550)를 통해 재생 유닛(2570)으로 배기한다. 재생 유닛(2570)은 건조챔버(2500)에서 사용된 초임계유체를 재생하여 이를 공급유닛(2560)으로 공급한다. 공급 유닛(2560)은 상술한 건조챔버(2500)로 초임계유체를 다시 공급한다.
공급유닛(2560)은 응축기(2562), 펌프(2564), 그리고 급수탱크(2600)를 포함할 수 있다.
응축기(2562)는 이산화탄소를 액화시킨다. 외부 또는 재생 유닛(2570)으로부터 공급되는 이산화탄소는 기체 상태이며, 응축기(2562)는 이산화탄소를 액체 상태로 만들어 급수탱크(2600)에 공급한다. 응축기(2562)와 급수탱크(2600) 사이에는 펌프(2564)가 설치될 수 있다. 이 때, 펌프(2564)는 응축기(2562)와 급수탱크(2600) 사이의 순환라인(2600) 상에 설치될 수 있다. 펌프(2564)는 액상의 이산화탄소를 급수탱크(2600)로 공급한다.
도 5는 일 실시예에 따른 급수탱크(2600)를 보여주는 도면이다. 도 6은 다른 실시예에 따른 급수탱크(3600)를 보여주는 도면이다. 급수탱크(2600)는 응축기(2562)에서 액화된 이산화탄소를 제공받아 이를 초임계유체로 만든다. 급수탱크(2600)는 공급받은 이산화탄소를 임계온도 이상으로 가열하여 초임계유체로 만들고, 건조챔버(2500)로 공급한다. 급수탱크(2600)는 축압기(2620)를 포함한다. 축압기(2620)는 내부에 가스가 제공되어, 급수탱크(2600) 내부의 유체의 상대 압력에 따라 그 부피가 변하도록 제공된다. 축압기(2620)는 고정부(2622)와 팽창부(2624)를 가진다. 도 5와 같이, 축압기(2620)는 급수탱크(2600)의 일측벽에 고정설치될 수 있다. 고정부(2622)는 고정된 형상을 가진다. 팽창부(2624)는 탄성이 있는 재질로 제공된다. 일 예로, 팽창부(2624)는 고무로 제공될 수 있다. 팽창부(2624)는 그 내부에 가스가 제공된다. 일 예로, 가스는 공기일 수 있다. 이와 달리, 축압기(2620)는 급수탱크(2600)의 외부에 제공될 수 있다. 도 6을 참조하면, 급수탱크(3600)는 메인 탱크(3610)와 보조 탱크(3620)를 가질 수 있다. 메인 탱크(3610)와 보조 탱크(3620)는 그 내부가 연통된다. 이 때, 축압기(3630)는 보조 탱크(3620)에 제공될 수 있다.
이하, 도 7 내지 도 10을 참조하여 도 5의 급수탱크(2600)가 작동하는 과정을 설명한다. 도 7 내지 도 10은 도 5의 급수탱크(2600)의 일 실시예에 따른 작동 과정을 보여준다. 최초에, 축압기(2620) 내 팽창부(2624)에 가스가 충전된다. 이 때, 팽창부(2624)는 초기 부피(V0)를 갖고, 초기 압력(P0)을 갖는다. 이후, 급수탱크(2600) 내 초임계유체가 공급되면, 급수탱크(2600) 내부의 압력이 증가하게 된다. 따라서, 팽창부(2624) 내부의 가스가 압축되고 팽창부(2624)의 부피가 줄어들어, 팽창부(2624)는 제 1 부피(V1)를 갖는다. 이 때, 팽창부(2624) 내부 압력은 제 1 압력(P1)이 된다. 급수탱크(2600) 내 초임계유체 공급이 완료되면, 초임계유체의 상대 압력에 따라 팽창부(2624)의 부피가 최대한 수축된다. 팽창부(2624)는 제 2 압력(P2) 및 이에 따른 제 2 부피(V2)를 갖는다. 이후, 급수탱크(2600)의 초임계유체가 건조챔버(2500)로 공급되면, 급수탱크(2600) 내부의 초임계유체 양이 줄어들게 된다. 이에 따라, 팽창부(2624)는 그 부피가 팽창하게 된다. 따라서, 팽창부(2624)는 제 3 부피(V3)를 갖고, 이에 따라 제 3 압력(P3)을 갖게 된다. 이렇게, 급수탱크(2600) 내의 부피가 가변인 축압기(2620)가 제공됨에 따라, 급수탱크(2600) 내 초임계유체 유량의 변동이 있어도 급수탱크(2600) 내 압력 변동을 최소화할 수 있다.
재생 유닛(2570)은 버퍼 탱크(2572), 분리기(2574), 그리고 재생기(2576)를 가진다. 버퍼 탱크(2572), 분리기(2574), 그리고 재생기(2576)는 이산화탄소의 흐름에 따라 순차적으로 배치될 수 있다. 버퍼 탱크(2572)는 건조 챔버(2500) 또는 급수 탱크(2562)로부터 공급받은 이산화탄소를 저장한다. 버퍼 탱크(2572)는 분리기(2574)에 일정량의 이산화탄소를 공급할 수 있다. 재생 유닛(2570)은 건조챔버(2500)에서 제2건조공정에 사용되어 유기용제를 함유하는 초임계유체를 재생하여 이를 공급유닛(2560)으로 공급한다. 분리기(2574)는 이산화탄소를 1차로 재생한다. 분리기(2574)는 이산화탄소를 냉각시켜 이산화탄소에 함유된 유기용제를 액화시킴으로써 이산화탄소로부터 유기용제를 분리시킨다. 재생기(2590)는 1차 재생된 이산화탄소를 2차로 재생한다. 재생기(2576)는 이산화탄소를 유기용제를 흡수하는 흡착제(A)가 제공되는 공간을 통과시켜 이산화탄소로부터 유기용제를 2차로 분리한다. 일 예로, 재생기(2576)는 흡착제(A)를 제공할 수 있다. 흡착제(A)는 다공을 가지며, 다공 내에 유기용제를 흡착한다. 일례로, 흡착제(A)는 지오라이트(zeolite)일 수 있다. 선택적으로, 재생 유닛(2570)은 분리기(2574)와 재생기(2576) 중 어느 하나만을 포함할 수 있다. 또한, 분리기(2574)와 재생기(2576)는 각각 복수 개로 제공될 수 있다.
순환라인(2600)은 건조 챔버(2500), 재생 유닛(2570), 그리고 공급 유닛(2560)을 순차적으로 연결한다. 순환라인(2600)은 이산화탄소를 순환시킨다. 순환라인(2600)은 건조 챔버(2500)와 재생 유닛(2570)을 연결하는 순환라인(2601), 재생 유닛(2570) 내부를 연결하는 순환라인들(2602a, 2602b), 재생 유닛(2570)과 공급 유닛(2560)을 연결하는 순환라인(2603), 공급 유닛(2560) 내부를 연결하는 순환라인들(2604a, 2604b), 공급 유닛(2560)과 건조 챔버(2500)를 연결하는 순환라인(2605)을 가진다. 각 순환라인(2600) 상에는 펌프가 설치될 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 수정, 치환 그리고 변형이 가능하므로 상술한 실시예 그리고 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니다. 또한, 본 명세서에서 설명된 실시예들은 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.
2500: 건조챔버 2560: 공급유닛
2562: 응축기 2564: 펌프
2600: 급수탱크 2620: 축압기
2622: 고정부 2624: 팽창부
2570: 재생 유닛 2600: 순환라인

Claims (15)

  1. 기판 처리 장치에 있어서,
    초임계유체로 제공되는 유체로 기판 상의 유기용제를 용해하여 상기 기판을 건조시키는 건조 챔버;
    상기 건조 챔버로 상기 유체를 공급하는 공급 유닛;
    상기 건조 챔버로부터 배출된 유체를 저장하는 버퍼탱크를 포함하고 상기 유체로부터 상기 유기용제를 분리하여 재생시키고, 재생된 상기 유체를 상기 공급 유닛으로 공급하는 재생 유닛을 포함하되,
    상기 공급 유닛은,
    응축기;
    상기 응축기에서 액화된 상기 유체를 공급받아 저장하는 급수탱크; 그리고
    상기 응축기와 상기 급수탱크 사이에 설치되고, 상기 유체를 상기 급수탱크로 공급시키는 펌프를 포함하되,
    상기 급수탱크는, 그 내부에 가스가 제공되어 상기 급수탱크 내부의 상기 유체에 의한 상대 압력에 따라 그 부피가 변하도록 제공되는 축압기를 포함하고,
    상기 급수탱크는
    메인 탱크; 및
    그 내부가 상기 메인 탱크와 통하도록 연결되는 보조 탱크를 포함하되,
    상기 축압기는 상기 보조 탱크 내에 제공되는 기판 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 축압기는 상기 급수 탱크의 내벽에 고정설치되는 기판 처리 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스는 공기인 기판 처리 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 축압기는 탄성이 있는 재질로 제공되는 기판 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 축압기는 고무로 제공되는 기판 처리 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 급수탱크 내로 유입되는 상기 유체는 초임계 상태인 기판 처리 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 유체는 이산화탄소(CO2)인 기판 처리 장치.
  9. 유체를 공급받고 그 내부에 상기 유체를 저장하는 탱크에 있어서,
    상기 탱크는, 그 내부에 가스가 제공되어 상기 탱크 내부의 상기 유체에 의한 상대 압력에 따라 그 부피가 변하도록 제공되는 축압기와;
    메인 탱크; 및
    그 내부가 상기 메인 탱크와 통하도록 연결되는 보조 탱크를 포함하되,
    상기 축압기는 상기 보조 탱크 내에 제공되는 탱크.
  10. 삭제
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 가스는 공기인 탱크.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 축압기는 탄성이 있는 재질로 제공되는 탱크.
  13. 제 1 항의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서, 상기 급수탱크에 상기 유체가 공급되면 상기 축압기의 상기 부피는 줄어들고, 상기 급수탱크의 상기 유체가 상기 건조 챔버로 공급되면 상기 축압기의 상기 부피가 증가하여, 상기 급수탱크의 압력 변동을 최소화하는 기판 처리 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 급수 탱크 내로 유입되는 상기 유체는 초임계 상태인 기판 처리 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 유체는 이산화탄소(CO2)인 기판 처리 방법.

KR1020130168126A 2013-12-31 2013-12-31 탱크, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 KR102155216B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130168126A KR102155216B1 (ko) 2013-12-31 2013-12-31 탱크, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130168126A KR102155216B1 (ko) 2013-12-31 2013-12-31 탱크, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150078607A KR20150078607A (ko) 2015-07-08
KR102155216B1 true KR102155216B1 (ko) 2020-09-11

Family

ID=53791106

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130168126A KR102155216B1 (ko) 2013-12-31 2013-12-31 탱크, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102155216B1 (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100708773B1 (ko) * 2006-01-21 2007-04-17 서강대학교산학협력단 세정공정
JP2009204052A (ja) 2008-02-27 2009-09-10 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 密閉タンク装置および一体型油圧アクチュエータ

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09286620A (ja) * 1996-04-19 1997-11-04 Sumitomo Electric Ind Ltd 原料ガスの供給方法及び装置
KR20110068389A (ko) * 2009-12-16 2011-06-22 주식회사 케이씨텍 케미컬 공급장치
KR101236808B1 (ko) * 2011-06-30 2013-02-25 세메스 주식회사 기판처리장치 및 기판처리방법
KR101363265B1 (ko) * 2011-06-30 2014-02-13 세메스 주식회사 기판처리장치 및 초임계유체 배출방법
JP5843277B2 (ja) * 2011-07-19 2016-01-13 株式会社東芝 半導体基板の超臨界乾燥方法及び装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100708773B1 (ko) * 2006-01-21 2007-04-17 서강대학교산학협력단 세정공정
JP2009204052A (ja) 2008-02-27 2009-09-10 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 密閉タンク装置および一体型油圧アクチュエータ

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150078607A (ko) 2015-07-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10046371B2 (en) Recycling unit, substrate treating apparatus and recycling method using the recycling unit
US9275847B2 (en) Recycling unit and substrate treating apparatus
US9679788B2 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR101236808B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
US9691638B2 (en) Apparatus for treating substrate and method for discharging supercritical fluid
US9506695B2 (en) Substrate treating apparatus and method
KR102188348B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101536724B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP5639686B2 (ja) 基板処理方法
KR101536712B1 (ko) 기판 건조 장치 및 기판 건조 방법
JP2013251550A (ja) 基板乾燥装置及び基板乾燥方法
KR101363265B1 (ko) 기판처리장치 및 초임계유체 배출방법
KR20140144806A (ko) 기판 처리 장치
KR101590906B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101910041B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101736845B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101621485B1 (ko) 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 장치를 이용한 재생 방법
KR101530677B1 (ko) 재생 유닛 및 기판 처리 장치
KR20150138975A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101512097B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102155217B1 (ko) 재생 유닛 및 기판 처리 장치
KR102155216B1 (ko) 탱크, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20140118661A (ko) 재생 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 재생 유닛을 이용한 재생 방법

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant