KR20140144806A - 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 초임계 상태의 공정유체를 이용하여 기판에 대한 건조 공정이 수행될 수 있는 챔버; 상기 챔버로 상기 공정유체를 공급하는 공정유체공급유닛을 포함하되, 상기 공정유체공급유닛은, 상기 공정유체를 저장하는 저장탱크; 연결관으로 상기 저장탱크와 연결되고 공급관으로 상기 챔버와 연결되되, 상기 공정유체가 저장되는 내부공간을 가로지르는 히터를 갖는 변환탱크를 포함한다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE TREATING APPARATUS}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체소자는 실리콘웨이퍼 등의 기판 상에 회로패턴을 형성하는 포토리소그래피(photolithography) 공정을 비롯한 다양한 공정을 거쳐 제조된다. 반도체소자의 제조과정 중에는 파티클(particle), 유기오염물, 금속불순물 등의 다양한 이물질이 발생하게 된다. 이러한 이물질들은 기판에 결함(defect)을 일으켜 반도체소자의 성능 및 수율에 직접적인 영향을 미치는 요인으로 작용한다. 따라서, 반도체소자의 제조공정에는 이러한 이물질을 제거하기 위한 세정공정이 수반된다.
세정공정은 케미컬로 기판 상의 이물질을 제거하는 케미컬공정, 케미컬을 순수로 세척하는 세척공정, 기판을 건조시키는 건조공정을 거쳐 수행된다. 일반적인 건조공정은 기판 상의 순수를 비교적 표면장력이 작은 이소프로필알코올(IPA: isopropyl alcohol) 등의 유기용제로 치환한 뒤 이를 증발시키는 방식으로 이루어져왔다. 그러나, 이러한 건조방식은 유기용제를 이용하더라도 선폭 30nm 이하의 미세한 회로패턴을 가지는 반도체소자에 대해서는 여전히 도괴현상(pattern collapse)을 유발하기 때문에, 최근 이러한 문제점을 극복할 수 있는 초임계건조공정(supercritical drying process)이 기존의 건조공정을 대체해 나가고 있는 추세이다.
본 발명은 초임계 상태의 공정 유체를 이용하여 기판을 건조하는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 초임계 상태의 공정유체를 이용하여 기판에 대한 건조 공정이 수행될 수 있는 챔버; 상기 챔버로 상기 공정유체를 공급하는 공정유체공급유닛을 포함하되, 상기 공정유체공급유닛은, 상기 공정유체를 저장하는 저장탱크; 연결관으로 상기 저장탱크와 연결되고 공급관으로 상기 챔버와 연결되되, 상기 공정유체가 저장되는 내부공간을 가로지르는 히터를 갖는 변환탱크를 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판이 초임계 상태의 공정 유체에 의해 건조될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판처리장치의 평면도이다.
도 2는 도 1의 제1공정챔버의 단면도이다.
도 3은 이산화탄소의 상변화에 관한 도면이다.
도 4는 도 1의 제2공정챔버의 배관을 나타내는 도면이다.
도 5는 도 4의 공정유체공급유닛을 나타내는 도면이다.
도 6은 도 5의 변환탱크의 사시도이다.
도 7은 도 6의 변환탱크의 횡단면도이다.
도 8은 다른 실시 예에 따른 히터를 나타내는 사시도이다.
도 9 및 도 10은 또 다른 실시 예에 따른 히터를 나타내는 사시도이다.
도 11은 다른 실시 예에 따른 공정유체공급유닛을 나타내는 도면이다.
도 12는 도 11의 공정유체공급유닛이 제어되는 상태를 나타내는 블록도이다.
도 13은 또 다른 실시 예에 따른 공정유체공급유닛을 나타내는 도면이다.
도 14는 도 13의 공정유체공급유닛이 제어되는 상태를 나타내는 블록도이다.
도 15는 또 다른 실시 예에 따른 공정유체공급유닛을 나타내는 도면이다.
도 16은 도 15의 공정유체공급유닛이 제어되는 상태를 나타내는 블록도이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판처리장치의 평면도이다.
도 1을 참조하면, 기판처리장치(100)는 인덱스모듈(1000) 및 공정모듈(2000)을 포함한다.
인덱스모듈(1000)은 설비전방단부모듈(EFEM: equipment front end module)로서, 로드포트(1100)와 이송프레임(1200)을 포함한다. 인덱스모듈(1000)은 외부로부터 기판(S)을 반송받아 공정모듈(2000)로 기판(S)을 제공한다.
로드포트(1100), 이송프레임(1200) 및 공정모듈(2000)은 순차적으로 일렬로 배치될 수 있다. 이하, 로드포트(1100), 이송프레임(1200) 및 공정모듈(2000)이 배열된 방향을 제1방향(X)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1방향(X)에 수직인 방향을 제2방향(Y)이라 하고, 제1방향(X)과 제2방향(Y)에 수직인 방향을 제3방향(Z)이라 한다.
인덱스모듈(1000)에는 하나이상의 로드포트(1100)가 제공될 수 있다. 로드포트(1100)는 이송프레임(1200)의 일측에 배치된다. 로드포트(1100)가 복수인 경우에는, 로드포트(1100)는 제2방향(Y)에 따라 일렬로 배치될 수 있다. 로드포트(1100)의 수와 배치는 상술한 예로 한정되지 아니하며, 기판처리장치(100) 의 풋 프린트, 공정효율, 다른 기판처리장치(100)와의 배치 등에 따라 변경될 수 있다. 로드포트(1100)에는 기판(S)이 수용되는 캐리어(C)가 놓인다. 캐리어(C)는 외부로부터 반송되어 로드포트(1100)에 로딩되거나 또는 로드포트(1100)로부터 언로딩되어 외부로 반송된다. 예를 들어, 캐리어(C)는 오버헤드트랜스퍼(OHT:overhead hoist transfer) 등의 반송장치에 의해 기판처리장치(100)들 간에 반송될 수 있다. 또한, 기판(S)의 반송은 자동안내차량(automatic guided vehicle), 레일안내차량(rail guided vehicle) 또는 작업자에 의해 수행될 수 있다.
캐리어(C)에는 기판(S)이 수용된다. 캐리어(C)로는 전면개방일체형포드(FOUP: front opening unified pod)가 사용될 수 있다. 캐리어(C)의 내부에는 기판(S)의 가장자리를 지지하는 슬롯이 하나 이상 형성된다. 슬롯이 복수인 경우에는, 제3방향(Z)에 따라 서로 이격되어 형성될 수 있다. 이에 따라 캐리어(C)의 내부에 기판(S)이 놓일 수 있다. 예를 들어, 캐리어(C)는 25장의 기판(S)을 수납할 수 있다. 캐리어(C)는 내부는 개폐가능한 도어에 의해 외부와 격리되어 밀폐될 수 있다. 이에 따라 캐리어(C)의 내부에 수용된 기판(S)이 오염되는 것이 방지된다.
이송프레임(1200)은 인덱스로봇(1210)과 인덱스레일(1220)을 포함한다. 이송프레임(1200)은 로드포트(1100)에 위치된 캐리어(C)와 공정모듈(2000)간에 기판(S)을 반송한다.
인덱스레일(1220)은 인덱스로봇(1210)이 이동하는 경로를 제공한다. 인덱스레일(1220)은 그 길이방향이 제2방향(Y)에 나란하게 제공될 수 있다. 인덱스로봇(1210)은 기판(S)을 반송한다.
인덱스로봇(1210)은 베이스(1211), 보디(1212) 및 암(1213)을 가질 수 있다. 베이스(1211)는 인덱스레일(1220) 상에 설치되며, 인덱스레일(1220)을 따라 이동할 수 있다. 보디(1212)는 베이스(1211)에 결합되며, 베이스(1211) 상에서 제3 방향(Z)을 따라 이동하거나 또는 제3방향(Z)을 축으로 회전할 수 있다. 암(1213)은 보디(1212)에 설치되며, 전진 및 후진을 하여 이동할 수 있다. 암(1213)의 일단에는 핸드가 구비되어 기판(S)을 집거나 놓을 수 있다. 인덱스로봇(1210)에는 하나 이상의 암(1213)이 제공되는데, 복수의 암(1213)이 제공되는 경우에는 서로 제3방향(Z)에 따라 보디(1212)에 적층되어 배치되며, 각각의 암(1213)은 개별적으로 구동될 수 있다. 이에 따라 인덱스로봇(1210)은 인덱스레일(1220) 상에서 베이스(1211)가 제2 방향(Y)에 따라 이동하며, 보디(1212)와 암(1213)의 동작에 따라 캐리어(C)로부터 기판(S)을 인출하여 이를 공정모듈(2000)로 반입하거나 또는 공정모듈(2000)로부터 기판(S)을 인출하여 캐리어(C)에 수납할 수 있다.
또한, 이송프레임(1200)에는 인덱스레일(1220)이 생략되고, 인덱스로봇(1210)이 이송프레임(1200)에 고정되어 설치될 수도 있다. 이 경우에 인덱스로봇(1210)이 이송프레임(1200)의 중앙부에 배치될 수 있다.
공정모듈(2000)은 버퍼챔버(2100), 이송챔버(2200), 제1공정챔버(2300) 및 제2공정챔버(2500)를 포함한다. 공정모듈(2000)은 인덱스모듈(1000)로부터 기판(S)을 반송받아 기판(S)에 대하여 세정공정을 수행한다. 버퍼챔버(2100)와 이송챔버(2200)는 제1방향(X)에 따라 배치되며, 이송챔버(2200)는 그 길이방향이 제1방향(X)에 나란하도록 배치된다. 공정챔버들(2300, 2500)은 이송챔버(2200)의 제2방향(Y)의 측면에 배치될 수 있다. 여기서, 제1공정챔버(2300)는 이송챔버(2200)의 제2방향(Y)의 일측에 배치되고, 제2공정챔버(2500)는 제1공정챔버(2300)가 배치된 반대방향의 타측에 배치될수 있다. 제1공정챔버(2300)는 하나 또는 복수일 수 있으며, 복수인 제1 공정챔버(2300)는 이송챔버(2200)의 일측에 제1방향(X)에 따라 배치되거나 제3 방향(Z)에 따라 적층되거나 또는 이들의 조합에 의해 배치될 수 있다. 제2공정챔버(2500)도 하나 또는 복수일 수 있으며, 복수의 제2공정챔버(2500)는 이송챔버(2200)의 타측에 제1방향(X)에 따라 배치되거나, 제3방향(Z)에 따라 적층되거나 또는 이들의 조합에 의해 배치될 수 있다.
다만, 공정모듈(2000)에서 각 챔버들(2100, 2200, 2300, 2500)의 배치가 상술한 예로 한정되는 것은 아니며, 공정효율을 고려하여 적절하게 변형될 수 있다. 예를 들어, 제1공정챔버(2300)와 제2공정챔버(2500)가 이송모듈의 같은 측면에 제1방향(X)에따라 배치되거나 또는 서로 적층되어 배치될 수 있다.
버퍼챔버(2100)는 이송프레임(1200)과 이송챔버(2200)의 사이에 배치된다. 버퍼챔버(2100)는 인덱스모듈(1000)과 공정모듈(2000) 간에 반송되는 기판(S)이 임시로 머무르는 버퍼공간을 제공한다. 버퍼챔버(2100)의 내부에는 기판(S)이 놓이는 버퍼슬롯이 하나 또는 복수 개 제공된다. 버퍼슬롯이 복수인 경우에는 제3방향(Z)을 따라 서로 이격될 수 있다. 버퍼슬롯에는 인덱스로봇(1210)에 의해 캐리어(C)로부터 인출된 기판(S)이 위치되거나 또는 이송챔버(2200)의 이송로봇(2210)에 의해 공정챔버들(2300, 2500)로부터 반출된 기판(S)이 위치될 수 있다. 또한, 인덱스로봇(1210)이나 이송로봇(2210)은 버퍼슬롯으로부터 기판(S)을 반출하여 캐리어(C)에 수용하거나 공정챔버들(2300, 2500)로 반송할 수 있다.
이송챔버(2200)는 그 둘레에 배치되는 챔버들(2100, 2300, 2500) 간에 기판(S)을 반송한다. 이송챔버(2200)의 제1방향(X)의 일측에는 버퍼챔버(2100)가 배치되며, 이송챔버(2200)의 제2방향(Y)의 일측 또는 양측에는 공정챔버들(2300, 2500)이 배치될 수 있다. 이송챔버(2200)는 버퍼챔버(2100), 제1공정챔버(2300) 및 제2공정챔버(2500) 간의 기판(S)의 반송을 수행할 수 있다. 이송챔버(2200)는 이송레일(2220) 및 이송로봇(2210)을 포함한다.
이송레일(2220)은 이송로봇(2210)이 이동하는 경로를 제공한다. 이송레일(2220)은 제1방향(X)에 나란하게 제공될 수 있다. 이송로봇(2210)은 기판(S)을 반송한다. 이송로봇(2210)은 베이스(2211), 보디(2212) 및 암(2213)을 포함한다. 이송로봇(2210)의 각 구성요소는 인덱스로봇(1210)의 구성요소와 유사하므로 이에 대한 자세한 설명은 생략한다. 이송로봇(2210)은 베이스(2211)가 이송레일(2220)을 따라 이동하면서 보디(2212) 및 암(2213)의 작동에 의해 버퍼챔버(2100), 제1공정챔버(2300) 및 제2공정챔버(2500) 간에 기판(S)을 반송한다.
제1공정챔버(2300)와 제2공정챔버(2500)는 각각 기판(S)에 대하여 상이한 공정을 수행한다. 여기서, 제1공정챔버(2300)에서 수행되는 제1공정과 제2공정챔버(2500)에서 수행되는 제2공정은 서로 순차적으로 수행되는 공정일 수 있다. 예를 들어, 제1공정챔버(2300)에서는, 케미컬공정, 세척공정 및 제1건조공정이 수행되고, 제2공정챔버(2500)에서는 제1공정의 후속공정으로 제2건조공정이 수행될 수 있다. 여기서, 제1건조공정은 유기용제를 이용하여 수행되는 습식건조공정이고, 제2건조공정은 초임계 상태의 공정유체를 이용하여 수행되는 초임계건조공정일 수 있다. 제1건조공정과 제2건조공정은 경우에 따라 선택적으로 어느 하나의 건조공정만이 수행될 수도 있다.
도 2는 도 1의 제1공정챔버의 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 제1공정챔버(2300)는 하우징(2310) 및 공정유닛(2400)을 포함한다. 제1공정챔버(2300)에서는 제1공정이 수행된다. 여기서, 제1공정은 케미컬공정, 세척공정 및 제1건조공정 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상술한 바와 같이, 이 중 제1건조공정은 생략될 수도 있다.
하우징(2310)은 제1공정챔버(2300)의 외벽을 형성하고, 공정유닛(2400)은 하우징(2310)의 내부에 위치하여 제1공정을 수행한다. 공정유닛(2400)은 스핀헤드(2410), 유체공급부재(2420), 회수통(2430) 및 승강부재(2440)를 포함할 수 있다.
스핀헤드(2410)에는 기판(S)이 안착되며, 공정이 진행되는 중에 기판(S)을 회전시킨다. 스핀헤드(2410)는 지지플레이트(2411), 지지핀(2412), 척킹핀(2413), 회전축(2414) 및 모터(2415)를 포함할 수 있다.
지지플레이트(2411)는 상부가 대체로 기판(S)과 유사한 형상, 즉 원형을 가지도록 제공된다. 지지플레이트(2411)의 상부에는 기판(S)이 놓이는 복수의 지지핀(2412) 및 기판(S)을 고정하는 복수의 척킹핀(2413)이 형성된다. 지지플레이트(2411)의 하면에는 모터(2415)에 의해 회전되는 회전축(2414)이 고정되어 결합된다. 모터(2415)는 외부전원을 이용하여 회전력을 발생시켜 회전축(2414)을 통해 지지플레이트(2411)를 회전시킨다. 이에 따라 스핀헤드(2410)에 기판(S)이 안착되고, 제1공정이 진행되는 중에 지지플레이트(2411)가 회전하여 기판(S)을 회전시킬 수 있다.
지지핀(2412)은 지지플레이트(2411)의 상면에 제3방향(Z)으로 돌출되며, 복수의 지지핀(2412)은 서로 미리 정해진 간격으로 이격되어 배치된다. 상부에서 바라볼 때 전체적인 지지핀들(2412)의 배치는 환형의 링 형상을 이룰 수 있다. 지지핀(2412)에는 기판(S)의 후면이 올려지게 된다. 이에 따라 기판(S)은 지지핀(2412)에 의해 지지플레이트(2411)의 상면으로부터 지지핀(2412)이 돌출된 거리로 이격되어 안착된다.
척킹핀(2413)은 지지플레이트(2411)의 상면에 제3방향(Z)으로 지지핀(2412)보다 더 길게 돌출되며, 지지플레이트(2411)의 중심으로부터 지지핀(2412)보다 멀리 떨어진 위치에 배치된다. 척킹핀들(2413)은 지지플레이트(2411)의 반경방향을 따라 고정위치와 픽업위치 간에 이동할 수 있다. 여기서, 고정위치는 지지플레이트(2411)의 중심으로부터 기판(S)의 반경에 대응되는 거리만큼 떨어진 위치이며, 픽업위치는 고정위치보다 지지플레이트(2411)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 척킹핀(2413)은 이송로봇(2210)에 의해 스핀헤드(2410)에 기판(S)이 로딩될 때는 픽업위치에 위치하며, 기판(S)이 로딩되어 공정이 진행되면 고정위치로 이동하여 기판(S)의 측면에 접촉하여 기판(S)을 정위치에 고정시키고, 공정이 종료되어 이송로봇(2210)이 기판(S)을 픽업하여 기판(S)이 언로딩될 때에는 다시 픽업위치로 이동할 수 있다. 이에 따라 척킹핀(2413)은 스핀헤드(2410)가 회전할 때 회전력에 의해 기판(S)이 정위치에서 이탈하는 것을 방지할 수 있다.
유체공급부재(2420)는 노즐(2421), 지지대(2422), 지지축(2423) 및 구동기(2424)를 포함할 수 있다. 유체공급부재(2420)는 기판(S)에 유체를 공급한다.
지지축(2423)은 그 길이 방향이 제3방향(Z)에 따라 제공되며, 지지축(2423)의 하단에는 구동기(2424)가 결합된다. 구동기(2424)는 지지축(2423)을 회전시키거나 제3방향(Z)에 따라 상하로 이동시킨다. 지지축(2423)의 상부에는 지지대(2422)가 수직하게 결합된다. 노즐(2421)은 지지대(2422)의 일단의 저면에 설치된다. 노즐(2421)은 구동기(2424)에 의한 지지축(2423)의 회전 및 승강에 의해 공정위치와 대기위치간에서 이동할 수 있다. 여기서, 공정위치는 노즐(2421)이 지지플레이트(2411)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기위치는 노즐(2421)이 지지플레이트(2411)의 수직 상부에서 벗어난 위치이다.
공정유닛(2400)에는 하나 또는 복수의 유체공급부재(2420)가 제공될 수 있다. 유체공급부재(2420)가 복수인 경우에는, 각 유체공급부재(2420)는 서로 상이한 유체를 공급한다. 예를 들어, 복수의 유체공급부재(2420)는 각각 세정제, 린스제 또는 유기용제를 공급할 수 있다. 여기서, 세정제는 과산화수소(H2O2) 용액이나 과산화수소용액에 암모니아(NH4OH), 염산(HCl) 또는 황산(H2SO4)를 혼합한 용액 또는 불산(HF) 용액 등이 사용되고, 린스제로는 주로 순수가 사용되며, 유기용제로는 이소프로필알코올이 사용될 수 있다. 또한, 유기용제는 에틸글리콜(ethyl glycol), 1-프로파놀(propanol), 테트라하이드로프랑(tetra hydraulic franc), 4-하이드록시(hydroxyl), 4-메틸(methyl), 2-펜타논(pentanone), 1-부타놀(butanol), 2-부타놀, 메탄올(methanol), 에탄올(ethanol), n-프로필알코올(n-propyl alcohol), 디메틸에 틸(dimethylether) 등이 사용될 수 있다. 예를 들어, 제1유체공급부재(2420a)는 암모니아과산화수소용액을 분사하고, 제2유체공급부재(2420b)는 순수를 분사하고, 제3유체공급부재(2420c)는 이소프로필알코올용액을 분사할 수 있다.
유체공급부재(2420)는 스핀헤드(2410)에 기판(S)이 안착되면 대기위치로부터 공정위치로 이동하여 기판(S)의 상부로 상술한 유체를 공급할 수 있다. 예를 들어, 유체공급부가 세정제, 린스제, 유기용제를 공급함에 따라 각각 케미컬공정, 세척공정, 제1건조공정이 수행될 수 있다. 이와 같이 공정이 수행되는 동안 스핀헤드(2410)는 모터(2415)에 의해 회전하여 기판(S)의 상면에 유체가 골고루 제공되도록 할 수 있다.
회수통(2430)은 제1공정이 수행되는 공간을 제공하며, 이 과정에서 사용되는 유체를 회수한다. 회수통(2430)은 상부에서 바라볼 때 스핀헤드(2410)를 둘러싸도록 배치되며, 상부가 개방된다. 공정유닛(2400)에는 하나 또는 복수의 회수통(2430)이 제공될 수 있다. 이하에서는 제1회수통(2430a), 제2회수통(2430b), 제3회수통(2430c)의 세 개의 회수통(2430)을 가지는 공정유닛(2400)을 예로 들어 설명한다. 다만, 회수통(2430)의 수는 사용되는 유체의 수 및 제1공정의 조건에 따라 이와 상이하게 선택될 수도 있다.
제1회수통(2430a), 제2회수통(2430b) 및 제3회수통(2430c)은 각각 스핀헤드(2410)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 제1회수통(2430a), 제2회 수통(2430b), 제3회수통(2430c)의 순으로 스핀헤드(2410)의 중심으로부터 멀어지면서 배치된다. 제1회수통(2430a)은 스핀헤드(2410)를 감싸고, 제2회수통(2430b)은 제1회수통(2430a)을 감싸고, 제3회수통(2430c)은 제2회수통(2430b)을 감싸도록 제공된다. 제1회수통(2430a)에는 제1회수통(2430a)의 내측공간에 의해 제1유입구(2431a)가 제공된다. 제2회수통(2430b)에는 제1회수통(2430a)과 제2회수통(2430b) 사이의 공간에 의해 제2유입구(2431b)가 제공된다. 제3회수통(2430c)에는, 제2회수통(2430b)과 제3회수통(2430c) 사이의 공간에 의해 제3유입구(2431c)가 제공된다. 각각의 회수통(2430a, 2430b, 2430c) 의 저면에는 제3방향(Z)에 따라 아래로 연장되는 회수라인(2432)이 연결된다. 각 회수라인들(2432a, 2432b, 2433c)은 각각의 회수통(2430a, 2430b, 2430c)에 회수된 유체를 배출하여 외부의 유체재생시스템(미도시)에 공급한다. 유체재생시스템(미도시)은 회수된 유체를 재사용할 수 있도록 재생할 수 있다.
승강부재(2440)는 브라켓(2441), 승강축(2442) 및 승강기(2443)를포함한다. 승강부재(2440)는 회수통(2430)을 제3방향(Z)으로 이동시킨다. 어느 하나의 회수통(2430)의 유입구(2431)가 스핀헤드(2410)에 안착된 기판(S)의 수평면 상에 위치하도록 회수통(2430)의 스핀헤드(2410)에 대한 상대 높이가 변경된다. 브라켓(2441)은 회수통(2430)에 고정되어 설치되며, 브라켓(2441)의 일단에는 승강기(2443)에 의해 제3방향(Z)으로 이동되는 승강축(2442)이 고정되어 결 합된다. 회수통(2430)이 복수인 경우에는, 브라켓(2441)은 최외곽의 회수통(2430)에 결합될 수 있다. 승강부재(2440)는 기판(S)이 스핀헤드(2410)에 로딩되거나 스핀헤드(2410)로부터 언로딩될 때 회수통(2430)이 기판(S)을 반송하는 이송로봇(2210)의 경로를 간섭하지 않도록 회수통(2430)을 아래로 이동시킬 수 있다.
또한, 승강부재(2440)는 유체공급부에 의해 유체가 공급되고 스핀헤드(2410)가 회전하여 제1공정이 진행되는 동안, 기판(S)의 회전에 따라 원심력에 의해 기판(S)으로부터 튕겨나는 유체가 회수되도록 회수통(2430)을 제3방향(Z)으로 이동시켜 회수통(2430)의 유입구(2431)가 기판(S)과 동일한 수평면 상에 위치하도록 조절할 수 있다. 예를 들어, 제1공정이 세정제에 의한 케미컬공정이 수행되고, 린스제에 의한 세척공정이 수행된 후, 유기용제에 의한 제1건조공정의 순서로 진행되는 경우, 세정제 공급 시에는 제1유입구(2431a)를, 린스제 공급 시에는 제2유입구(2431b)를, 유기용제 공급 시에는 제3유입구(2431c)를 기판(S)의 수평면으로 이동시켜, 제1회수통(2430a), 제2회수통(2430b), 제3회수통(2430c)이 각각의 유체를 회수하도록 할 수 있다. 이처럼, 사용한 유체를 회수하면, 환경오염이 예방되고, 또한 고가의 유체들을 재활용할 수 있게 되므로 반도체제조비용이 절감되는 장점이 있다.
한편, 승강부재(2440)는 회수통(2430)을 이동시키는 대신 스핀헤드(2410)를 제3방향(Z)으로 이동시키는 구성을 가질 수도 있다.
도 3은 이산화탄소의 상변화에 관한 도면이다.
도 3을 참조하여, 초임계 상태에 대해 설명한다.
초임계 상태란, 물질이 임계온도와 임계압력을 초과한 상태인 임계상태에 도달하여 액체와 기체를 구분할 수 없는 상태이다. 초임계 상태에서 물질은 분자밀도는 액체에 가깝지만, 점성도는 기체에 가까운 성질을 가진다. 이러한 초임계 상태의 물질은 확산력, 침투성, 용해력이 매우 높아 화학반응에 유리하다. 또한, 초임계 상태의 물질은 표면장력이 매우 낮아 미세구조에 계면장력을 가하지 않으므로, 반도체소자의 건조공정 시 건조효율이 우수하고 도괴현상을 회피할 수 있어 유용하게 사용될 수 있다.
이하에서는 공정유체로 기판(S)의 건조에 주로 사용되는 이산화탄소(CO2)의 초임계 상태를 기준으로 설명한다. 다만, 공정유체의 성분 및 종류가 이에 한정되는 것은 아니다.
이산화탄소는 온도가 31.1℃이상, 압력이 7.38Mpa 이상이 되면 초임계상태가 된다. 이산화탄소는 독성이 없고, 불연성이며, 비활성인 특징을 지니며, 초임계 상태의 이산화탄소는 다른 유체에 비해 임계온도와 임계압력이 낮아 온도와 압력을 조절하여 그 용해력을 제어하기 용이하고, 물이나 기타 유기용제와 비교하여 10~100배 정도로 확산계수가 낮고 표면 장력이 극히 작은 등 건조공정에 이용하기 유리한 물성을 가진다. 또한, 이산화탄소는 다양한 화학반응의 부산물로 생성된 것을 재활용하여 사용할 수 있을 뿐 아니라 건조공정에 사용된 초임계 상태의 이산화탄소를 순환하여 재이용할 수 있어 환경에 부담을 주지 않고 사용할 수 있다.
도 4는 도 1의 제2공정챔버의 배관을 나타내는 도면이다.
도 4를 참조하면, 제2공정챔버(2500)는 하우징(2510), 가열부재(2520), 지지부재(2530)를 포함한다. 제2공정챔버(2500)에서는 제2공정이 수행된다. 여기서, 제2공정은 초임계 상태의 공정유체를 이용하여 기판(S)을 건조시키는 제2건조공정일 수 있다.
하우징(2510)의 내부는 외부로부터 밀폐되며 기판(S)을 건조하는 공간을 제공한다. 하우징(2510)은 고압에 충분히 견딜 수 있는 재질로 제공된다. 하우징(2510)의 내벽과 외벽 사이에는 하우징(2510)의 내부를 가열하는 가열부재(2520)가 설치될 수 있다. 또한, 가열부재(2520)의 위치는 이에 한정되지 않으며 이와 상이한 위치에 설치될 수 있다. 지지부재(2530)는 기판(S)을 지지한다. 지지부재(2530)는 하우징(2510) 내부에 고정되어 설치될 수 있다. 또는 지지부재(2530)는 고정되는 대신 회전이 가능한 구조로 제공되어 지지부재(2530)에 위치된 기판(S)을 회전시킬 수 있다.
공정유체공급유닛(3000)은 공정유체를 초임계 상태로 변환할 수 있다. 예를 들어, 공정유체공급유닛(3000)은 이산화탄소에 임계온도 이상의 온도 및 임계압력 이상의 압력을 가하여, 이산화탄소를 초임계 상태로 만든다. 공정유체공급유닛(3000)에서 초임계 상태가 된 공정유체는 공급관(3001)을 통해 하우징(2510)으로 공급된다.
공급관(3001)은 메인배관(3002), 상부공급관(3003) 및 하부공급관(3004)을 포한한다. 메인배관(3002)의 일단은 공정유체공급유닛(3000)에 연결된다. 메인배관(3002)의 타단에는 상부공급관(3003) 및 하부공급관(3004)이 분기되는 분기부(3005)가 형성된다. 상부공급관(3003)의 일단은 분기부(3005)에 연결되고 상부공급관(3003)의 타단은 하우징(2510)의 상부에 연결된다. 하부공급관(3004)의 일단은 분기부(3005)에 연결되고, 상부공급관(3003)의 타단은 하우징(2510)의 하부에 연결된다. 공급관(3001)에는 공급밸브(3011, 3012, 3013)가 제공된다. 메인밸브(3011)는 메인배관(3002)에 위치된다. 메인밸브(3011)는 메인배관(3002)의 개폐 및 메인배관(3002)을 유동하는 공정유체의 유량을 조절할 수 있다. 상부밸브(3012) 및 하부밸브(3013)는 각각 상부공급관(3003) 및 하부공급관(3004)에 위치된다. 상부밸브(3012) 및 하부밸브(3013)는 각각 상부공급관(3003) 및 하부공급관(3004)의 개폐 및 공정유체의 유량을 조절할 수 있다. 분기부(3005)와 메인밸브(4826)사이에는 필터(3014)가 제공될 수 있다. 필터(3014)는 공급관(3001)을 유동하는 공정유체에 있는 이물을 걸러낸다.
또 다른 실시 예로, 상부공급관(3003) 또는 하부공급관(3004)은 생략되고 실시될 수 있다. 또한, 공급관(3001)의 일단은 공정유체공급유닛(3000)에 연결되고 공급관(3001)의 타단은 하우징(2510)의 측면에 연결될 수 있다.
배출관(3020)은 하우징(2510)의 내부에 있는 공정유체 및 가스를 외부로 배출한다. 배출관(3020)에는 배출밸브(3021)가 제공된다. 배출밸브(3021)는 배출관(3020)의 개폐한다. 또한, 배출밸브(3021)는 배출관(3020)을 유동하는 공정유체의 유량을 조절할 수 있다.
기체공급원(3030)은 기체공급관(3031)으로 하우징(2510)에 연결된다. 기체공급관(3031)에는 밸브(3032)가 제공된다. 밸브(3032)는 기체공급관(3031)을 개폐한다. 또한, 밸브(3032)는 하우징(2510)으로 공급되는 불활성기체의 양을 조절할 수 있다. 기체공급관(3031)은 하우징(2510)으로 불활성기체를 공급한다. 기체공급원(3030)은 불활성기체를 저장하는 탱크일 수 있다. 불활성기체는 질소(N2), 헬륨(He), 네온(Ne) 또는 아르곤(Ar)일 수 있다. 불활성기체는 하우징(2510)으로 공정유체의 공급에 앞서 공급될 수 있다. 하우징(2510)의 내부에 공급된 불활성기체는 하우징(2510)의 내부 압력을 상승시킨다. 예를 들어, 불활성기체는 하우징(2510) 내부의 압력이 임계압력 이상이 되도록 공급될 수 있다.
하우징(2510)에는 배기관(3040)이 연결될 수 있다. 불활성기체는 배기관(3040)을 통해 배기될 수 있다. 배기관(3040)에는 배기밸브(3041)가 제공된다. 배기밸브(3041)는 배기관(3040)을 개폐한다. 또한, 배기밸브(3041)는 배기관(3040)으로 배출되는 불활성기체의 양을 조절할 수 있다. 불활성기체로 하우징(2510)의 내부 압력이 상승된 상태에서 하우징(2510) 내부로 공정유체가 공급된다. 동시에 하우징(2510) 내부의 불활성기체는 배기관(3040)으로 배기된다. 배기관(3040)으로 배기되는 불활성기체의 양은 공급관(3001)으로 공급되는 공정유체의 양에 대응될 수 있다. 따라서, 하우징(2510)의 내부 압력은 임계압력 이상으로 유지될 수 있다. 일정시간 공정유체의 공급 및 불활성기체의 배기를 계속하면, 하우징(2510)의 내부는 초임계 상태의 공정유체로 채워질 수 있다.
도 5는 도 4의 공정유체공급유닛을 나타내는 도면이다.
도 5를 참조하면, 공정유체공급유닛(3000)은 저장탱크(3100) 및 변환탱크(3200)를 포함할 수 있다.
저장탱크(3100)는 공정유체를 저장한다. 공정유체는 외부에서 저장탱크(3100)로 공급될 수 있다. 예를 들어, 저장탱크(3100)는 별도의 배관을 통해 공정유체를 공급받을 수 있다. 저장탱크(3100)는 공정유체를 액체 또는 기체 상태로 저장할 수 있다. 또한, 저장탱크(3100)의 내부는 일정 압력 이상으로 유지되어 액체상태로 저장된 공정유체의 양을 증가시켜, 내부에 저장된 총 공정유체의 양을 증가 시킬 수 있다.
변환탱크(3200)는 공정유체를 설정 온도 및 설정 압력으로 저장할 수 있다. 설정 온도는 임계온도와 인접하고, 설정 압력은 임계 압력과 인접할 수 있다. 따라서, 공정유체는 초임계 상태와 인접한 상태로 변환탱크(3200)에 저장될 수 있다. 변환탱크(3200)는 연결관(3101)을 통해 저장탱크(3100)에 연결될 수 있다. 저장탱크(3100)에 저장된 공정유체는 연결관(3101)을 통해 변환탱크(3200)에 공급된다. 연결관(3101)은 선택적으로 개폐될 수 있다. 또한, 연결관(3101)은 저장탱크(3100)에서 변환탱크(3200)로 공급되는 공정유체의 양이 조절 가능하게 제공될 수 있다. 예를 들어, 연결관(3101)에는 밸브 또는 플로미터 등이 제공될 수 있다. 변환탱크(3200)에 초임계 상태로 변환 된 공정유체는 공급관(3001)을 통해 제2공정챔버(2500)에 공급될 수 있다.
도 6은 도 5의 변환탱크의 사시도이고, 도 7은 도 6의 변환탱크의 횡단면도이다.
도 5 내지 도 7을 참조하면, 변환탱크(3200)는 하우징(3210) 및 히터(3220)를 포함한다.
하우징(3210)은 공정유체가 저장되는 내부공간을 제공한다. 하우징(3210)은 내부공간의 압력변화에 내구성을 갖는 형상으로 제공될 수 있다. 예를 들어, 하우징(3210)은 원기둥 형상 또는 구 형상으로 제공될 수 있다. 하우징(3210)에는 연결관(3101) 및 공급관(3001)이 각각 연결된다. 연결관(3101) 및 공급관(3001)은 내부공간에서의 공정유체의 유동을 고려하여 하우징(3210)에 연결될 수 있다. 예를 들어, 연결관(3101) 및 공급관(3001)은 각각 하우징(3210)에서 서로 마주보는 부분에 연결될 수 있다. 하우징(3210)은 연결관(3101)과 공급관(3001)이 마주 보는 ?향으로 길게 제공될 수 있다. 연결관(3101)은 하우징(3210)의 상부에 연결될 수 있다. 따라서, 밀도가 낮은 초임계 상태의 공정유체는 용이하게 내부공간에서 연결관(3101)으로 유동될 수 있다. 하우징(3210)에는 가열부재(3211)가 제공될 수 있다. 가열부재(3211)는 하우징(3210)에 매립되게 제공될 수 있다. 또한, 가열부재(3211)는 하우징(3210)의 내벽 또는 외벽에 부착되게 제공될 수 있다. 가열부재(3211)는 내부공간에 수용된 공정유체를 가열한다.
또 다른 실시 예에 따르면, 가열부재(3211)는 생략될 수 있다.
하나 이상의 히터(3220)는 하우징(3210)의 내벽에 고정되게 제공된다. 히터(3220)는 하우징(3210)에 수용된 공정유체가 임계온도에 도달되게 가열할 수 있다. 예를 들어, 히터(3220)는 하우징(3210)의 내벽의 상면 또는 하면에 고정될 수 있다. 히터(3220)는 내부공간을 가로지르게 제공될 수 있다. 따라서, 히터(3220)와 공정유체가 접하는 면적이 증가되어 열교환효율이 높게 된다. 히터(3220)의 길이 방향은 공급관(3001) 및 연결관(3101)이 마주보는 방향으로 제공될 수 있다. 따라서, 공정유체가 공급관(3001)에서 연결관(3101) 방향으로 유동하는 경우, 히터(3220)는 공정유체의 유동을 방해하지 않는다. 또한, 유동하는 공정유체가 히터(3220)와 접하는 시간 및 면적이 최대화 될 수 있다. 공정유체는 히터(3220)로 가열되는 과정에서 팽창되어 압력이 증가될 수 있다. 연결관(3101)에는 펌프(3102)가 제공할 수 있다. 펌프(3102)는 변환탱크(3200)의 내부공간의 압력을 상승시킬 수 있다. 공정유체는 가열에 따른 팽창으로 내부공간의 압력이 임계압력에 도달되지 않을 수 있다. 따라서, 펌프(3102)는 내부공간의 압력을 상승시켜 내부공간의 압력을 임계압력까지 상승시킬 수 있다.
벤트관(3201)은 내부공간의 공정유체를 배출한다. 벤트관(3201)은 선택적으로 개폐 가능하게 제공된다. 또한, 벤트관(3201)은 개방 정도가 조절 가능하게 제공되어, 벤트관(3201)을 통해 배출되는 공정유체의 양이 조절될 수 있다.
변환탱크(3200)는 동작 중 내부공간의 압력이 설정 값 이상으로 증가될 수 있다. 설정 값은 초과하는 압력은 하우징(3210)에 스트레스를 발생시켜 안정성을 저해할 수 있다. 이 때, 벤트관(3201)은 내부공간의 공정유체를 배출시켜 내부공간의 압력을 감소시킨다. 또한, 벤트관(3201)은 변환탱크(3200)의 유지 또는 보수를 위해 내부공간의 공정유체를 배출하는데 이용될 수 있다.
제2공정챔버(2500)로 공급되는 공정유체의 온도의 일정범위로 유지되지 않을 경우, 제2공정챔버(2500) 내의 파티클 발생이 증가될 수 있다. 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 제2공정챔버(2500)로 공급되는 공정유체의 양이 증가되는 경우에도, 공정유체는 짧은 시간에 목표 온도로 가열될 수 있다. 따라서, 공정유체의 온도 편차에 따른 파티클의 발생이 방지될 수 있다.
다른 실시 예에 따르면, 벤트관(3201)은 생략될 수 있다.
도 8은 다른 실시 예에 따른 히터를 나타내는 사시도이다.
도 8을 참조하면, 히터(3230)는 바디(3231) 및 열교환부재(3232)를 포함한다.
하우징(3210)의 내벽에 고정되는 히터(3230)의 배치는 도 7의 히터(3220)와 동일하므로 반복된 설명은 생략한다.
바디(3231)는 로드 형상으로 제공될 수 있다. 예를 들어 바디(3231)는 원기둥 또는 각기둥 형상으로 제공될 수 있다. 바디(3231)는 하우징(3210)의 내벽에 고정된다.
하나 이상의 열교환부재(3232)는 바디(3231)의 외면에 고정된다. 열교환부재(3232)는 플레이트형상으로 제공될 수 있다. 열교환부재(3232)는 바디(3231)의 길이 방향에 수직되게 제공될 수 있다. 열교환부재(3232)가 복수로 제공되는 경우, 각각의 열교환부재(3232)는 바디(3231)의 을 따라 이격 되게 배치될 수 있다. 열교환부재(3232)의 외곽의 형상은 내부공간의 형상에 대응되게 제공될 수 있다. 또한, 열교환부재(3232)의 면적은 바디(3231)의 길이방향에 수직한 내부공간의 면적보다 작게 제공될 수 있다. 따라서, 히터(3230)가 내부공간에 위치되면, 열교환부재(3232)는 하우징(3210)의 내벽에서 일정거리 이격되게 위치된다. 따라서, 히터(3230)는 열교환부재(3232)를 통해 공정유체와 접촉되는 면적이 증가되어, 열교환 효율이 증가된다. 열교환부재(3232)에는 하나 이상의 홀(3233)이 형성될 수 있다. 홀(3233)은 공정유체가 유동되는 경로를 제공하여, 공정유체의 유동성을 향상시킬 수 있다. 열교환부재(3232)는 열전도성이 큰 금속으로 제공될 수 있다. 또한, 열교환부재(3232)는 초임계 상태의 공정유체에 대한 내부식성이 큰 금속으로 제공될 수 있다.
또 다른 실시 예에 따르면, 홀(3233)은 생략될 수 있다.
도 9 및 도 10은 또 다른 실시 예에 따른 히터를 나타내는 사시도이다.
바디(3241, 3251)는 도 8의 히터(3230)와 동일하므로 반복된 설명은 생략한다.
도 9를 참조하면, 열교환부재(3242)는 플레이트 형상으로 제공될 수 있다. 하나 이상의 열교환부재(3242)는 그 길이 방향이 바디(3241)의 길이 방향과 나란하게 되도록 바디(3241)의 외면에 제공될 수 있다. 플레이트의 길이 방향은 공정유체의 유동방향과 나란하게 제공될 수 있다. 따라서, 히터(3240)와 공정유체의 열교환 면적이 증가되고, 공정유체의 유동성이 향상될 수 있다.
도 10을 참조하면, 열교환부재(3235)는 바디(3251)의 외면에 나선 형상으로 제공될 수 있다. 공정유체는 열교환부재(3235)를 따라 나선형으로 유동될 수 있다. 따라서, 히터(3250)와 공정유체의 열교환 면적이 증가되고, 공정유체의 유동성이 향상될 수 있다.
도 11은 다른 실시 예에 따른 공정유체공급유닛을 나타내는 도면이다.
도 11을 참조하면, 공정유체공급유닛(4000)은 저장탱크(4100), 펌프(4102) 및 변환탱크(4200)를 포함한다.
저장탱크(4100) 및 연결관(4101)에 제공되는 펌프(4104)는 도 5의 공정유체공급유닛(3000)의 저장탱크(3100) 및 펌프(3102)와 동일하므로 반복된 설명은 생략한다.
변환탱크(4200)는 제1변환탱크(4210) 및 제2변환탱크(4220)를 포함한다.
제1변환탱크(4210) 및 제2변환탱크(4220)는 연결관(4101)에 병렬로 연결된다. 연결관(4101)의 단부는 제1분지관(4102) 및 제2분지관(4103)으로 분지되어 제1변환탱크(4210) 및 제2변환탱크(4220)에 각각 연결된다. 제1분지관(4102) 및 제2분지관(4103)은 각각 개별적으로 개폐될 수 있다. 또한, 제1분지관(4102) 및 제2분지관(4103)은 각각 개별적으로 개방 정도가 조절되어, 유동되는 공정유체의 유량을 조절할 수 있다. 제1변환탱크(4210)는 공급관(4001)으로 제2공정챔버(2500)에 연결된다. 제2변환탱크(4220)는 보충관(4104)을 통해 제1변환탱크(4210)에 연결된다. 제1변환탱크(4210) 및 제2변환탱크(4220)는 각각 제1벤트관(4211) 및 제2벤트관(4221)이 제공될 수 있다. 또한, 제1변환탱크(4210) 및 제2변환탱크(4220)은 생략될 수 있다. 제1벤트관(4211) 및 제2벤트관(4221)의 기능은 도 5 내지 도 7의 변환탱크(3200)에 제공되는 벤트관(3201)과 동일하므로 반복된 설명은 생략한다.
도 12는 도 11의 공정유체공급유닛이 제어되는 상태를 나타내는 블록도이다.
도 11 및 도 12를 참조하면, 제1변환탱크(4210)에는 제1온도센서(4212) 및 제1압력센서(4213)가 제공되고, 제2변환탱크(4220)에는 제2온도센서(4222) 및 제2압력센서(4223)가 제공된다. 제1온도센서(4212) 및 제1압력센서(4213)는 제1변환탱크(4210) 내부공간의 온도 및 압력을 감지한다. 제2온도센서(4222) 및 제2압력센서(4223)는 제2변환탱크(4220) 내부공간의 온도 및 압력을 감지한다.
온도센서(4212, 4222) 및 압력센서(4213, 4223)에서 감지된 데이터는 제어부(4300)로 송신된다. 제어부(4300)는 제1분지관(4102), 공급관(4001), 제2분지관(4103) 및 보충관(4104)의 개폐 및 개방의 정도를 제어한다.
이하, 공정유체공급유닛(4000)이 동작되는 과정을 설명한다.
제1변환탱크(4210) 및 제2변환탱크(4220)는 내부공간의 압력 및 온도를 공정유체의 임계 압력 및 임계 온도와 근접한 상태에서 공정유체를 저장한다. 제2공정챔버(2500)에서 기판이 순차적으로 처리될 때 마다, 제어부(4300)는 공급관(4001)을 개방하여 제1변환탱크(4210)에서 제2공정챔버(2500)로 공정유체를 공급한다. 또한, 제어부(4300)는 제1분지관(4102)을 개방하여 제1변환탱크(4210)에서 배출된 양에 대응되는 양의 공정유체를 제1변환탱크(4210)로 공급한다. 제어부(4300)는 제2공정챔버(2500)로의 공정유체의 공급이 종료되어 공급관(4001)이 닫힌 상태에서 제1분지관(4102)을 개방할 수 있다. 또한, 제어부(4300)는 공급관(4001)과 제1분지관(4102)을 함께 개방할 수 있다. 제1변환탱크(4210)로 새로 공급된 공정유체가 가열되는 데는 일정 시간이 소요된다. 또한, 제2공정챔버(2500)로 공정유체를 공급함에 따라, 제1변환탱크(4210)에 수용된 공정유체의 양이 감소될 수 있다. 따라서, 제1변환탱크(4210)에서 제2공정챔버(2500)로 공정유체를 공급하는 과정에서 제1변환탱크(4210) 내부공간의 온도 또는 압력이 설정 온도 또는 설정 압력 이하로 내려갈 수 있다. 내부공간의 온도 또는 압력이 설정 온도 또는 설정 압력 이하인 상태에서 제2공정챔버(2500)로 공정유체를 공급하면, 공정의 균일성이 저하됨에 따라 제2공정챔버(2500) 내부에서 발생되는 파티클 발생이 증가된다.
제어부(4300)는 제1온도센서(4212) 또는 제1압력센서(4213)에서 송신된 데이터가 설정 온도 또는 설정 압력 이하인 경우, 보충관(4104)을 개방하여, 제2변환탱크(4220)에 저장된 공정유체를 제1변환탱크(4210)로 공급한다. 이때, 제어부(4300)는 제1분지관(4102)을 닫거나, 제1분지관(4102)으로 공급되는 공정유체의 양이 감소되도록 개방 정도를 조절할 수 있다. 제2변환탱크(4220)에서 보충관(4104)을 통해 공정유체가 공급됨에 따라, 제1변환탱크(4210) 내부 공간의 온도 또는 압력은 설정 온도 또는 설정 압력 이상으로 회복될 수 있다.
제어부(4300)는 제2분지관(4103)을 개방하여, 제2변환탱크(4220)에 공정유체를 보충한다. 제2변환탱크(4220)로 보충되는 공정유체의 양은 보충관(4104)을 통해 제1변환탱크(4210)로 공급된 양에 대응될 수 있다. 제2분지관(4103)의 개방은 제2변환탱크(4220)에서 제1변환탱크(4210)로의 공정유체 공급이 이루어지는 동안에 이루어 질 수 있다. 또한, 제2분지관(4103)은 제2변환탱크(4220)에서 제1변환탱크(4210)로의 공정유체 공급이 종료된 후 개방될 수 있다.
제1변환탱크(4210)에는 제2변환탱크(4220)에서 가열 및 가압된 이산화탄소가 공급된다. 따라서, 펌프(4104)가 제1변환탱크(4210)의 압력을 높이기 위해 가동되는 시간이 길어지거나 출력이 급격히 증가되는 것이 방지된다. 따라서, 펌프(4104)의 수명이 증가될 수 있다.
또한, 펌프(4102)는 제1변환탱크(4210) 내부공간의 압력이 안정된 상태일 때 제2변환탱크(4220) 내부공간을 가압할 수 있다. 따라서, 펌프(4102)가 제1변환탱크(4210)와 제2변환탱크(4220)를 동시에 가압함에 따라 펌프(4102)의 출력이 증가되는 것이 방지된다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 제1변환탱크(4210) 내부공간의 온도 또는 압력이 설정 온도 또는 설정 압력 이하로 내려가는 경우, 신속하게 설정 온도 및 설정 압력 이상이 되게 회복될 수 있다.
도 13은 또 다른 실시 예에 따른 공정유체공급유닛을 나타내는 도면이고, 도 14는 도 13의 공정유체공급유닛이 제어되는 상태를 나타내는 블록도이다.
도 13 및 도 14를 참조하면, 공정유체공급유닛(5000)은 저장탱크(5100), 펌프(5104) 및 변환탱크(5200)을 포함한다.
저장탱크(5100), 연결관(5101)에 제공되는 펌프(5104)는 도 5의 공정유체공급유닛(3000)의 저장탱크(3100) 및 펌프(3102)와 동일하므로 반복된 설명은 생략한다.
변환탱크(5200)는 제1변환탱크(5210) 및 제2변환탱크(5220)를 포함한다. 제1변환탱크(5210) 및 제2변환탱크(5220)는 병렬로 연결된다. 구체적으로, 연결관(5101)의 단부는 제1분지관(5102) 및 제2분지관(5103)으로 분지되어 제1변환탱크(5210) 및 제2변환탱크(5220)에 각각 연결된다. 제1변환탱크(5210)는 제1공급관(5001)으로 제2공정챔버(2500)에 연결되고, 제2변환탱크(5220)는 제2공급관(5002)으로 제2공정챔버(2500)에 연결된다.
제1변환탱크(5210)에는 제1온도센서(5212) 및 제1압력센서(5213)가 제공되고, 제2변환탱크(5220)에는 제2온도센서(5222) 및 제2압력센서(5223)가 제공된다. 제1온도센서(5212) 및 제1압력센서(5213)는 제1변환탱크(5210) 내부공간의 온도 및 압력을 감지한다. 제2온도센서(5222) 및 제2압력센서(5223)는 제2변환탱크(5220) 내부공간의 온도 및 압력을 감지한다.
제어부(5300)는 온도센서(5212, 5222)에서 송신된 데이터 또는 압력센서(5213, 5223)에서 송신된 데이터를 참고하여, 제1분지관(5102), 제1공급관(5001), 제2분지관(5103) 및 제2공급관(5002)의 개폐 또는 개방정도를 제어할 수 있다.
이하, 공정유체공급유닛(5000)에 동작되는 과정을 설명한다.
제1변환탱크(5210)에 저장된 공정유체 또는 제2변환탱크(5220)에 저장된 공정유체는 선택적으로 제2공정챔버(2500)에 공급될 수 있다. 구체적으로, 상술한 바와 같이 공정유체를 공급하는 중에 변환탱크(5200) 내부공간의 압력 또는 온도는 설정 압력 또는 설정 온도보다 낮아질 수 있다. 따라서, 제어부(5300)는 압력센서에서 송신된 데이터와 온도센서에서 송신된 데이터를 참조하여, 내부공간의 온도 및 압력이 설정 압력 범위 및 설정 온도 범위로 유지되는 변환탱크(5200)에서 제2공정챔버(2500)로 공급되도록 한다.
또한, 제1변환탱크(5210) 및 제2변환탱크(5220)의 내부공간이 모두 설정 범위로 유지되는 경우, 공정유체가 변환탱크(5200)들 중 하나에서 선택적으로 제2공정챔버(2500)로 공급할 수 있다. 예를 들어, 제어부(5300)는 제1변환탱크(5210)에서 공정유체가 공급되게 제1공급관(5001)을 개방하고, 제2공급관(5002)을 닫을 수 있다. 공정이 수회 반복됨에 되어 제1변환탱크(5210)에 저장된 공정유체의 양이 감소되면, 제어부(5300)는 공정유체가 제2변환탱크(5220)에서 제2공정챔버(2500)로 공급되게 한다. 그리고, 제어부(5300)는 제2변환탱크(5220)에서 제2공정챔버(2500)로 공정유체가 공급되는 동안, 제1분지관(5102)을 개방하여 제1변환탱크(5210) 내부공간에 공정유체를 충전할 수 있다.
또한, 제1변환탱크(5210) 및 제2변환탱크(5220)의 내부공간이 모두 설정 범위로 유지되는 경우, 공정유체는 제1변환탱크(5210) 및 제2변환탱크(5220)에서 동시에 제2공정챔버(2500)로 공급될 수 있다. 이때, 제어부(5300)는 제1변환탱크(5210)에서 공급되는 공정유체의 양 및 제2변환탱크(5220)에서 공급되는 공정유체의 양을 각각 개별적으로 조절할 수 있다.
도 15는 또 다른 실시 예에 따른 공정유체공급유닛을 나타내는 도면이고, 도 16은 도 15의 공정유체공급유닛이 제어되는 상태를 나타내는 블록도이다.
도 15 및 도 16을 참조하면, 공정유체공급유닛(6000)은 저장탱크(6100), 펌프(6104), 변환탱크(6200)를 포함한다.
저장탱크(6100), 펌프(6104)는 도 13의 공정유체공급유닛(5000)과 동일하므로 반복된 설명은 생략한다.
변환탱크(6200)는 제1변환탱크(6210) 및 제2변환탱크(6220)를 포함한다. 제1변환탱크(6210) 및 제2변환탱크(6220)는 병렬로 연결된다. 구체적으로, 연결관(6101)의 단부는 제1분지관(6102) 및 제2분지관(6103)으로 분지되어 제1변환탱크(6210) 및 제2변환탱크(6220)에 각각 연결된다. 제1변환탱크(6210)는 제1공급관(6001)으로 제2공정챔버(2500)에 연결되고, 제2변환탱크(6220)는 제2공급관(6002)으로 제2공정챔버(2500)에 연결된다. 또한, 제1변환탱크(6210) 및 제2변환탱크(6220)는 보충관(6104)으로 상호 연결된다. 보충관(6104)은 공정유체가 제1변환탱크(6210)에서 제2변환탱크(6220)방향으로 유동되거나, 제2변환탱크(6220)에서 제1변환탱크(6210)로 유동되게 제공된다.
제1변환탱크(6210)에는 제1온도센서(6212) 및 제1압력센서(6213)가 제공된다. 제2변환탱크(6220)에는 제2온도센서(6222) 및 제2압력센서(6223)가 제공된다.
제어부(6300)는 온도센서(6212, 6222)에서 송신된 데이터 또는 압력센서(6213, 6223)에서 송신된 데이터를 참고하여, 제1분지관(6102), 제1공급관(6001), 제2분지관(6103), 제2공급관(6002) 및 보충관(6104)의 개폐 또는 개방정도를 제어할 수 있다.
이하, 공정유체공급유닛(6000)에 동작되는 과정을 설명한다.
공정유체공급유닛(6000)은 두가지 모드로 동작될 수 있다.
제 1 모드는 도 11의 공정유체공급유닛(4000)과 유사하게 동작한다. 구체적으로, 제1변환탱크(6210) 및 제2변환탱크(6220) 중 하나는 메인변환탱크로 기능하고, 나머지 하나는 서브변환탱크로 기능한다. 메인변환탱크는 도 11의 제1변환탱크(4210)의 기능에 대응되게 동작하고, 서브변환탱크는 도11의 제2변환탱크(4220)에 대응되게 동작한다. 메인변환탱크 내부공간의 압력 또는 온도가 설정 온도 또는 설정 압력보다 내려가면 보충관(6104)을 통해 서브변환탱크에서 메인변환탱크로 공정유체가 공급될 수 있다. 제 1 모드에서 제어부(6300)가 제1공급관(6001) 또는 제2공급관(6002) 중 하나와 제1분지관(6102), 보충관(6104) 및 제2분지관(6103)을 제어하는 방법은 도 12의 제어부(4300)와 동일하므로 반복된 설명은 생략한다.
제 2 모드는 도 13의 공정유체공급유닛(5000)과 유사하게 동작한다. 제 2 모드에서는 보충관(6104)은 닫혀있게 제어된다. 구체적으로, 공정유체를 공급하는 중에 변환탱크(6200) 내부공간의 압력 또는 온도는 설정 압력 또는 설정 온도보다 낮아질 수 있다. 따라서, 제어부(6300)는 압력센서에서 송신된 데이터와 온도센서에서 송신된 데이터를 참조하여, 내부공간의 온도 및 압력이 설정 압력 범위 및 설정 온도 범위로 유지되는 변환탱크(65200)에서 제2공정챔버(2500)로 공급되도록 한다. 제 2 모드에서 제어부(6300)가 제 1 분지관(6102), 제1공급관(6001), 제2분지관(6103) 및 제2공급관(6002)을 제어하는 방법은 도 14의 제어부(5300)와 동일하므로 반복된 설명은 생략한다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
1000: 인덱스모듈 1100: 로드포트
1200: 이송프레임 2000: 공정모듈
2100: 버퍼챔버 2200: 이송챔버
2300: 제1공정챔버 2400: 공정유닛
2410: 스핀헤드 2420: 유체공급부재
2440: 승강부재 2500: 제2공정챔버
3000: 공정유체공급유닛 3100: 저장탱크
3200: 변환탱크

Claims (10)

  1. 초임계 상태의 공정유체를 이용하여 기판에 대한 건조 공정이 수행될 수 있는 챔버;
    상기 챔버로 상기 공정유체를 공급하는 공정유체공급유닛을 포함하되,
    상기 공정유체공급유닛은,
    상기 공정유체를 저장하는 저장탱크;
    연결관으로 상기 저장탱크와 연결되고 공급관으로 상기 챔버와 연결되되, 상기 공정유체가 저장되는 내부공간을 가로지르는 히터를 갖는 변환탱크를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 히터는,
    상기 하우징의 내벽에 고정되는 바디; 및
    상기 바디의 외면에 고정되는 열교환부재를 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 열교환부재는 플레이트 형상으로 상기 바디의 길이 방향에 수직되게 제공되는 기판 처리 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 열교환부재는 플레이트 형상으로 제공되고, 상기 바디의 길이 방향과 나란하게 상기 바디에 제공되는 기판 처리 장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 열교환부재는 나선 형상으로 상기 바디의 외면에 제공되는 기판 처리 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 변환탱크는,
    제 1 변환탱크; 및
    상기 제 1 변환탱크와 병렬로 상기 연결관에 연결되는 제 2 변환탱크를 포함하는 기판 처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 공급관은 상기 제1변환탱크에 연결되고,
    상기 제2변환탱크는 보충관으로 상기 제1변환탱크에 연결되어, 상기 제1변환탱크로 상기 공정유체를 공급할 수 있는 기판 처리 장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 제1변환탱크는 제1공급관으로 상기 챔버에 연결되고,
    상기 제2변환탱크는 제2공급관으로 상기 챔버에 연결되는 기판 처리 장치.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 제1변환탱크는 제1공급관으로 상기 챔버에 연결되고,
    상기 제2변환탱크는 제2공급관으로 상기 챔버에 연결되며,
    상기 제1변환탱크 및 상기 제2변환탱크는 보충관으로 연결되는 기판 처리 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제1변환탱크 또는 상기 제2변환탱크 중 하나는 상기 챔버로 상기 공정유체를 공급하는 메인변환탱크로 기능하고, 나머지 하는 상기 보충관을 통해 상기 메인변환탱크로 상기 공정유체를 공급하는 서브변환탱크로 기능하는 기판 처리 장치.
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US (1) US20140360041A1 (ko)
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170006570A (ko) * 2015-07-08 2017-01-18 삼성전자주식회사 초임계 유체를 이용한 기판 처리장치와 이를 포함하는 기판 처리 시스템 및 이를 이용한 기판처리 방법
KR20180064985A (ko) * 2016-12-06 2018-06-15 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 초임계 유체 제조 장치 및 기판 처리 장치
KR20180079548A (ko) * 2016-12-30 2018-07-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US10197333B2 (en) 2015-05-15 2019-02-05 Semes Co., Ltd. Method and apparatus for drying substrate
JP2022092597A (ja) * 2020-12-10 2022-06-22 セメス カンパニー，リミテッド 基板処理装置及び温度制御方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101874901B1 (ko) * 2011-12-07 2018-07-06 삼성전자주식회사 기판 건조 장치 및 방법
US20140290698A1 (en) * 2013-03-29 2014-10-02 Semes Co., Ltd. Chemical supplying unit, substrate treatment apparatus, and method of treating substrate using the substrate treatment appparatus
JP6407832B2 (ja) * 2015-10-13 2018-10-17 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4394883T1 (de) * 1992-10-02 1995-09-21 Auckland Uniservices Ltd Neue Verfahrensweise zur Flüssigkeitsentfernung aus Partikularfestkörpern
US5621983A (en) * 1996-03-29 1997-04-22 Minnesota Mining And Manufacturing Company Apparatus and method for deckeling excess air when drying a coating on a substrate
US6843855B2 (en) * 2002-03-12 2005-01-18 Applied Materials, Inc. Methods for drying wafer
US20080000505A1 (en) * 2002-09-24 2008-01-03 Air Products And Chemicals, Inc. Processing of semiconductor components with dense processing fluids
US6834664B1 (en) * 2004-04-13 2004-12-28 Kogaku Technology Inc. Device making use of heated fluid to reduce dust products in waste gas pipeline
GB2436453A (en) * 2006-03-24 2007-09-26 Mecwash Systems Ltd An aqueous washing system and method
US20070240740A1 (en) * 2006-04-13 2007-10-18 Mcdermott Wayne T Cleaning of contaminated articles by aqueous supercritical oxidation
US8961701B2 (en) * 2008-09-24 2015-02-24 Lam Research Corporation Method and system of drying a microelectronic topography
US9631876B2 (en) * 2013-03-19 2017-04-25 Mahle International Gmbh Heat exchanger

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10197333B2 (en) 2015-05-15 2019-02-05 Semes Co., Ltd. Method and apparatus for drying substrate
KR20170006570A (ko) * 2015-07-08 2017-01-18 삼성전자주식회사 초임계 유체를 이용한 기판 처리장치와 이를 포함하는 기판 처리 시스템 및 이를 이용한 기판처리 방법
US10083829B2 (en) 2015-07-08 2018-09-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus for treating substrates using supercritical fluids, substrate treatment system including the same and method of treating substrates using the same
US10679843B2 (en) 2015-07-08 2020-06-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of treating substrates using supercritical fluids
US11227761B2 (en) 2015-07-08 2022-01-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of removing chemicals from a substrate
KR20180064985A (ko) * 2016-12-06 2018-06-15 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 초임계 유체 제조 장치 및 기판 처리 장치
KR20180079548A (ko) * 2016-12-30 2018-07-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2022092597A (ja) * 2020-12-10 2022-06-22 セメス カンパニー，リミテッド 基板処理装置及び温度制御方法

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Publication number Publication date
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