JP2022092597A - 基板処理装置及び温度制御方法 - Google Patents
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Abstract
Description
2 タンク
3 内部空間
4 ヒーター
5 第1ガス供給管
6 第2ガス供給管
7 温度センサー
8 圧力センサー
9 超臨界チャンバ
A 第1領域
B 第2領域
500 乾燥チャンバ
510 チャンバ
520 加熱部材
550 排気ライン
560 昇降部材
600 流体供給ユニット
610 タンク
620 第1供給ライン
621 第1バルブ
630 第2供給ライン
631 第2バルブ
633 上部供給ライン
634 上部バルブ
635 下部供給ライン
636 下部バルブ
640 圧力測定部材
650 温度調節部材
651 第1温度調節部材
652 胴体
653 発熱部
654 第1電力供給ライン
656 第2温度調節部材
657 シャフト
658 熱板
659 第2電力供給ライン
660 バイメタル
661 第1バイメタル
662 第2バイメタル
663 第3バイメタル
670 温度測定部材
30 制御機
31 信号ライン
Claims (20)
- チャンバに伝達される処理流体を貯蔵するタンク内の温度制御方法において、
前記タンクが有する内部空間に前記処理流体を供給し、前記内部空間で前記処理流体を加熱し、加熱された前記処理流体を前記チャンバに伝達するが、
前記内部空間の温度は、
前記内部空間の圧力を測定し、測定された前記圧力に根拠して前記内部空間の温度を調節されることを特徴とする方法。 - 前記内部空間の温度は、
前記内部空間の圧力が既設定された圧力に至るように調節されることを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記内部空間の温度は、
前記内部空間の圧力が前記既設定された圧力より低い場合、前記内部空間の圧力が前記既設定された圧力に至るように前記内部空間の温度を上昇させることを特徴とする請求項2に記載の方法。 - 前記内部空間の温度は、
前記タンクの外部で熱を発生させて前記内部空間の温度を調節する第1温度調節部材、そして前記内部空間で熱を発生させて前記内部空間の温度を調節する第2温度調節部材のうちで少なくとも何れか一つによって調節されることを特徴とする請求項1乃至請求項3のうちで何れか一つに記載の方法。 - 前記タンクには、
前記タンクと接触されるように設置されるバイメタル(Bimetal)が前記第1温度調節部材または前記第2温度調節部材に電力を供給する電力供給ラインと連結され、前記タンクの温度が一定温度以上に高くなる場合前記電力の供給を遮断することを特徴とする請求項4に記載の方法。 - 前記内部空間の圧力は、
前記内部空間に設置されるか、または前記内部空間と連通して前記処理流体を前記内部空間に供給する供給ライン上に設置される圧力測定部材によって測定されることを特徴とする請求項1乃至請求項3のうちで何れか一つに記載の方法。 - 前記処理流体は、
気体状態で前記内部空間に供給されるが、少なくとも一部が前記内部空間で超臨界状態で相変化して前記チャンバに伝達されることを特徴とする請求項1乃至請求項3のうちで何れか一つに記載の方法。 - 基板を処理する装置において、
前記基板が処理される処理空間を有するチャンバと、
前記処理空間に処理流体を供給する流体供給ユニットと、及び
制御機を含み、
前記流体供給ユニットは、
内部空間を有するタンクと、
前記内部空間に前記処理流体を供給する第1供給ラインと、
前記内部空間から前記処理流体を前記処理空間に伝達する第2供給ラインと、
前記内部空間の温度を調節する温度調節部材と、及び
前記内部空間の圧力を測定する圧力測定部材を含み、
前記制御機は、
前記圧力測定部材が測定する前記内部空間の圧力に根拠し、前記温度調節部材が前記内部空間の温度を調節するように前記温度調節部材を制御する基板処理装置。 - 前記制御機は、
前記温度調節部材が前記内部空間の温度を調節して前記内部空間の圧力が既設定された圧力に至るように前記温度調節部材を制御することを特徴とする請求項8に記載の基板処理装置。 - 前記制御機は、
前記圧力測定部材が測定する前記内部空間の圧力が前記既設定された圧力より低い場合、前記温度調節部材が前記内部空間の温度を上昇させて前記内部空間の圧力が前記既設定された圧力に至るように前記温度調節部材を制御することを特徴とする請求項9に記載の基板処理装置。 - 前記温度調節部材は、
前記タンクを取り囲むように提供される第1温度調節部材、そして前記内部空間で熱を発生させて前記内部空間の温度を調節する第2温度調節部材のうちで少なくとも何れか一つを含むことを特徴とする請求項8乃至請求項10のうちで何れか一つに記載の基板処理装置。 - 前記第2温度調節部材は、
シャフトと、及び
前記シャフトに設置される少なくとも一つ以上の発熱板を含むことを特徴とする請求項11に記載の基板処理装置。 - 前記流体供給ユニットは、
バイメタル(Bimetal)をさらに含み、
前記バイメタルは、
前記タンクと接触されるように設置されるが、前記温度調節部材に電力を供給する電力供給ラインと連結されることを特徴とする請求項8乃至請求項10のうちで何れか一つに記載の基板処理装置。 - 前記流体供給ユニットは、
バイメタル(Bimetal)をさらに含み、
前記バイメタルは、
前記タンクと接触されるように設置されるが、前記制御機が発生させる信号を伝達する信号ラインと連結されることを特徴とする請求項8乃至請求項10のうちで何れか一つに記載の基板処理装置。 - 前記第1供給ラインは、
気体状態の前記流体を前記内部空間に供給し、
前記温度調節部材は、
前記内部空間を加熱して前記内部空間に供給された気体状態の前記処理流体を超臨界状態で相変化させることを特徴とする請求項8乃至請求項10のうちで何れか一つに記載の基板処理装置。 - 前記圧力測定部材は、
前記内部空間に配置されるか、または前記第1供給ライン上に設置されることを特徴とする請求項8乃至請求項10のうちで何れか一つに記載の基板処理装置。 - 基板を処理する装置において、
超臨界状態の処理流体を利用して基板を処理する処理空間を有するチャンバと、
前記処理空間で前記処理流体を供給する流体供給ユニットと、及び
前記流体供給ユニットを制御する制御機を含み、
前記流体供給ユニットは、
内部空間を有するタンクと、
前記内部空間で前記処理流体を供給する第1供給ラインと、
前記内部空間から前記処理流体を前記処理空間に伝達する第2供給ラインと、
前記内部空間の雰囲気に熱を伝達するヒーターと、及び
前記内部空間の圧力を測定する圧力測定部材を含み、
前記制御機は、
前記圧力測定部材が測定する前記内部空間に圧力が既設定された圧力に至るように前記ヒーターが前記内部空間の雰囲気に熱を伝達する前記ヒーターを制御する基板処理装置。 - 前記制御機は、
前記圧力測定部材が測定する前記内部空間の圧力が前記既設定された圧力より低い場合、前記ヒーターが前記内部空間の温度を上昇させて前記内部空間の圧力が前記既設定された圧力に至るように前記ヒーターを制御することを特徴とする請求項17に記載の基板処理装置。 - 前記流体供給ユニットは、
前記第2供給ライン上に設置される第2バルブをさらに含み、
前記制御機は、
前記第2バルブを少なくとも1回以上オン(On)またはオフ(Off)させることを特徴とする請求項17に記載の基板処理装置。 - 前記流体供給ユニットは、
バイメタル(Bimetal)をさらに含み、
前記バイメタルは、
前記タンクと接触されるように設置されるが、前記ヒーターに電力を供給する電力供給ラインと連結されることを特徴とする請求項17乃至請求項19のうちで何れか一つに記載の基板処理装置。
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---|---|---|---|---|
JPH06108903A (ja) * | 1992-09-28 | 1994-04-19 | Unisia Jecs Corp | 内燃機関の燃焼制御装置 |
JP2004268019A (ja) * | 2002-09-24 | 2004-09-30 | Air Products & Chemicals Inc | 物品の処理方法及び装置 |
WO2010041308A1 (ja) * | 2008-10-07 | 2010-04-15 | トヨタ自動車株式会社 | 内燃機関の燃料噴射制御装置 |
KR20140144806A (ko) * | 2013-06-11 | 2014-12-22 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 |
JP2015534478A (ja) * | 2012-09-18 | 2015-12-03 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 蒸気滅菌器内のncg濃度の測定方法 |
JP2018080648A (ja) * | 2016-11-17 | 2018-05-24 | 株式会社豊田中央研究所 | 燃料のオクタン価推定装置及びオクタン価推定方法 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06108903A (ja) * | 1992-09-28 | 1994-04-19 | Unisia Jecs Corp | 内燃機関の燃焼制御装置 |
JP2004268019A (ja) * | 2002-09-24 | 2004-09-30 | Air Products & Chemicals Inc | 物品の処理方法及び装置 |
WO2010041308A1 (ja) * | 2008-10-07 | 2010-04-15 | トヨタ自動車株式会社 | 内燃機関の燃料噴射制御装置 |
JP2015534478A (ja) * | 2012-09-18 | 2015-12-03 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 蒸気滅菌器内のncg濃度の測定方法 |
KR20140144806A (ko) * | 2013-06-11 | 2014-12-22 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 |
JP2018080648A (ja) * | 2016-11-17 | 2018-05-24 | 株式会社豊田中央研究所 | 燃料のオクタン価推定装置及びオクタン価推定方法 |
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