JP7236428B2 - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents

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Description

本発明は基板処理方法及び基板処理装置に係る。
半導体工程は基板上に薄膜、異物質、パーティクル等を洗浄する工程を含む。半導体素子のデザインルール（ｄｅｓｉｇｎ ｒｕｌｅ）が減少することによって蝕刻工程や洗浄工程のような湿式工程が完了された後、薬液を乾燥する過程で薬液の表面張力によってパターンが崩壊（ｃｏｌｌａｐｓｅ）されるか、或いは隣接するパターン同士くっつくブリッジ（ｂｒｉｄｇｅ）不良が頻繁に発生する。また、パターン間に深く存在する微細パーティクルは基板の不良を引き起こす。
最近には、基板を洗浄する工程に超臨界流体が使用される。一例によれば、基板に処理液を供給して基板を液処理する液処理チャンバーと液処理の後に超臨界状態の流体を利用して基板から処理液を除去する高圧チャンバーが各々提供され、液処理チャンバーで処理が完了された基板は搬送ロボットによって高圧チャンバーに搬入される。
上述した超臨界乾燥の時に一定時間の間に未使用した高圧チャンバーのアイドル（ＩＤＬＥ）状態で処理される基板の第１枚に対する工程を進行する場合、工程不良発生率が高い。本発明者は上述した工程不良発生の原因が高圧チャンバー又は供給ラインの温度が低下されたためであると判断し、このような問題を解決するための方案を提案する。
国際特許公開第２０１０－１０４２０６号公報
本発明の目的は超臨界流体を利用して基板を処理する時、処理効率を向上させることができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
また、本発明の目的は超臨界流体を利用して基板を処理する時、工程不良が減少されることができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
本発明の目的はここに制限されなく、言及されないその他の目的は下の記載から当業者に明確に理解されるべきである。
本発明は基板を処理する装置を提供する。一実施形態において、基板処理装置は、基板上に液を供給して基板を液処理する液処理チャンバーと、工程流体を利用して基板を処理する工程が遂行される処理空間が提供される高圧チャンバーと、前記高圧チャンバーに前記工程流体を提供する流体供給源と、前記高圧チャンバーと前記流体供給源をつなぐ供給ラインと、前記供給ラインに前記流体供給源で前記高圧チャンバー方向に順に設置される第１開閉バルブ及び第２開閉バルブと、前記第１開閉バルブと前記第２開閉バルブとの間に提供され、排気ラインと連結される分岐ラインと、前記分岐ラインに設置された第３開閉バルブと、前記高圧チャンバー内の前記工程流体を排気する排気ユニットと、前記液処理チャンバーと前記高圧チャンバーに対して基板を搬送する搬送ロボットと、制御器と、を含み、前記制御器は、前記搬送ロボットが前記高圧チャンバーに基板が搬入して前記基板に対する処理が行われる前、前記第１開閉バルブを開放し、前記第２開閉バルブ及び前記第３開閉バルブを閉鎖した状態の第１作動状態と、前記第１開閉バルブ及び前記第２開閉バルブを閉鎖し、前記第３開閉バルブを開放して前記供給ラインの内部に残存する工程流体を排出する第２作動状態を行うように制御する。
一実施形態において、前記制御器は、前記第１作動状態と前記第２作動状態が複数回繰り返されて行われるように制御することができる。
一実施形態において、前記制御器は、前記液処理チャンバーで前記基板が液処理される間に、前記第１作動状態と前記第２作動状態を行うように制御することができる。
一実施形態において、前記第３開閉バルブの開放に応じて前記供給ライン内の圧力は大気圧まで減圧されることができる。
一実施形態において、前記高圧チャンバーは前記工程流体を超臨界相にして基板を処理することができる。
一実施形態において、前記工程流体は二酸化炭素である。
一実施形態において、前記流体供給源は前記高圧チャンバーに前記工程流体を超臨界相に供給することができる。
本発明は基板を処理するその他の装置を提供する。一実施形態において、基板を処理する装置は、基板上に液を供給して基板を液処理する液処理チャンバーと、工程流体を利用して基板を処理する工程が遂行される処理空間が提供される高圧チャンバーと、前記高圧チャンバーに前記工程流体を提供する流体供給源と、前記高圧チャンバーと前記流体供給源をつなぐ供給ラインと、前記供給ラインに前記流体供給源で前記高圧チャンバー方向に順に設置される第１開閉バルブ及び第２開閉バルブと、前記第１開閉バルブと前記第２開閉バルブとの間に提供され、排気ラインと連結される分岐ラインと、前記分岐ラインに設置された第３開閉バルブと、前記高圧チャンバー内の前記工程流体を排気する排気ユニットと、前記液処理チャンバーと前記高圧チャンバーに対して基板を搬送する搬送ロボットと、制御器と、を含み、前記制御器は、前記搬送ロボットが前記高圧チャンバーに基板が搬入して前記基板に対する処理が行われる前、前記第１開閉バルブ及び前記第２開閉バルブを開放し、前記第３開閉バルブを閉鎖した状態の第１作動状態と、前記第１開閉バルブ及び前記第２開閉バルブを閉鎖し、前記第３開閉バルブを開放して前記供給ラインの内部に残存する工程流体を排出する第２作動状態を行うように制御する。
一実施形態において、前記制御器は、前記第１作動状態と前記第２作動状態が複数回繰り返されて行われるように制御することができる。
一実施形態において、前記制御器は、前記液処理チャンバーで前記基板が液処理される間に、前記第１作動状態と前記第２作動状態を行うように制御することができる。
また、本発明は基板処理装置を利用して基板を処理する方法を提供する。基板上に液を供給して基板を液処理する液処理チャンバーと、工程流体を利用して基板を処理する工程が遂行される処理空間が提供される高圧チャンバーと、前記高圧チャンバーに前記工程流体を提供する流体供給源と、前記高圧チャンバーと前記流体供給源をつなぐ供給ラインと、前記供給ラインに前記流体供給源で前記高圧チャンバー方向に順に設置される第１開閉バルブ及び第２開閉バルブと、前記第１開閉バルブと前記第２開閉バルブとの間に提供され、排気ラインと連結される分岐ラインと、前記分岐ラインに設置された第３開閉バルブと、前記高圧チャンバー内の前記工程流体を排気する排気ユニットと、前記液処理チャンバーと前記高圧チャンバーに対して基板を搬送する搬送ロボットを含む一実施形態による、基板処理装置を利用する基板処理方法は、基板に対する処理を行うために前記搬送ロボットが前記高圧チャンバーに基板を搬入する前、前記第１開閉バルブを開放し、前記第２開閉バルブ及び前記第３開閉バルブを閉鎖した状態の第１作動状態と、前記第１開閉バルブ及び前記第２開閉バルブを閉鎖し、前記第３開閉バルブを開放して前記供給ラインの内部に残存する工程流体を排出する第２作動状態を行う。
一実施形態において、前記第１作動状態と前記第２作動状態を複数回繰り返して行うことができる。
一実施形態において、前記液処理チャンバーで前記基板が液処理される間に、前記第１作動状態と前記第２作動状態を行うことができる。
一実施形態において、前記工程流体は二酸化炭素である。
本発明の一実施形態によれば、超臨界流体を利用して基板を処理する時、処理効率を向上させることができる。
また、本発明の一実施形態によれば、超臨界流体を利用して基板を処理する時、工程不良が減少されることができる。
本発明の効果が上述した効果によって限定されることはなく、言及されなかった効果は本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解されることができる。
本発明の一実施形態による基板処理システムを概略的に示す平面図である。 図１の高圧チャンバーの一実施形態を概略的に示す図面である。 本発明の一実施形態による基板処理装置の概略図である。 本発明の第１実施形態による基板処理装置の第１作動状態を示す図面である。 本発明の第１実施形態による基板処理装置の第２作動状態を示す図面である。 本発明の第１実施形態による基板処理装置に基板が搬入される状態を示す図面である。 本発明の第２実施形態による基板処理装置の第１作動状態を示す図面である。 本発明の第２実施形態による基板処理装置の第２作動状態を示す図面である。 本発明の第２実施形態による基板処理装置に基板が搬入される状態を示す図面である。
以下、本発明の実施形態を添付された図面を参照してさらに詳細に説明する。本発明の実施形態は様々な形態に変形することができ、本発明の範囲が以下の実施形態に限定されることして解釈されてはならない。本実施形態は当業界で平均的な知識を有する者に本発明をさらに完全に説明するために提供されることである。したがって、図面での要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張されたことである。
図１は本発明の一実施形態による基板処理システムを概略的に示す平面図である。
図１を参照すれば、基板処理装置はインデックスモジュール１０、処理モジュール２０、そして制御器３０を含む。一実施形態によれば、インデックスモジュール１０と処理モジュール２０は一方向に沿って配置される。以下、インデックスモジュール１０と処理モジュール２０が配置された方向を第１の方向９２とし、上部から見る時、第１の方向９２と垂直になる方向を第２方向９４とし、第１の方向９２及び第２方向９４と全て垂直になる方向を第３方向９６とする。
インデックスモジュール１０は収納された容器８０から基板Ｗを処理モジュール２０に搬送し、処理モジュール２０で処理が完了された基板Ｗを容器８０に収納する。インデックスモジュール１０の長さ方向は第２方向９４に提供される。インデックスモジュール１０はロードポート１２（ｌｏａｄｐｏｒｔ）とインデックスフレーム１４を有する。インデックスフレーム１４を基準にロードポート１２は処理モジュール２０の反対側に位置される。基板Ｗが収納された容器８０はロードポート１２に置かれる。ロードポート１２は複数が提供されることができ、複数のロードポート１２は第２方向９４に沿って配置されることができる。
容器８０としては前面開放一体型ポッド（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ：ＦＯＵＰ）のような密閉用容器が使用されることができる。容器８０はオーバーヘッドトランスファー（Ｏｖｅｒｈｅａｄ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）、オーバーヘッドコンベア（Ｏｖｅｒｈｅａｄ Ｃｏｎｖｅｙｏｒ）、又は自動案内車両（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｇｕｉｄｅｄ Ｖｅｈｉｃｌｅ）のような移送手段（図示せず）や作業者によってロードポート１２に置かれることができる。
インデックスフレーム１４にはインデックスロボット１２０が提供される。インデックスフレーム１４内には長さ方向が第２方向９４に提供されたガイドレール１４０が提供され、インデックスロボット１２０はガイドレール１４０上で移動可能に提供されることができる。インデックスロボット１２０は基板Ｗが置かれるハンド１２２を含み、ハンド１２２は前進及び後進移動、第３方向９６を軸とした回転、そして第３方向９６に沿って移動可能に提供されることができる。ハンド１２２は複数が上下方向に離隔されるように提供され、ハンド１２２は互いに独立的に前進及び後進移動することができる。
処理モジュール２０はバッファユニット２００、搬送チャンバー３００、液処理チャンバー４００、そして高圧チャンバー５００を含む。バッファユニット２００は処理モジュール２０に搬入される基板Ｗと処理モジュール２０から搬出される基板Ｗが一時的に留まる空間を提供する。液処理チャンバー４００は基板Ｗ上に液を供給して基板Ｗを液処理する液処理工程を遂行する。高圧チャンバー５００は基板Ｗ上に残留する液を除去する乾燥工程を遂行する。搬送チャンバー３００はバッファユニット２００、液処理チャンバー４００、そして高圧チャンバー５００の間に基板Ｗを搬送する。
制御器（図示せず）は基板処理装置の全体動作を制御することができる。制御器（図示せず）はＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、及びＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）を含むことができる。ＣＰＵはこれらの記憶領域に格納された各種レシピにしたがって、後述する液処理、乾燥処理等の望む処理を実行する。レシピにはプロセス条件に対する装置の制御情報であるプロセス時間、プロセス圧力、プロセス温度、各種ガス流量等が入力されている。一方、これらのプログラムや処理条件を示すレシピは、ハードディスクや半導体メモリに記憶されてもよい。また、レシピはＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ等の可搬性のコンピュータによって読出し可能な記憶媒体に収容された状態に記憶領域の所定の位置にセットするようにしてもよい。
搬送チャンバー３００はその長さ方向が第１の方向９２に提供されることができる。バッファユニット２００はインデックスモジュール１０と搬送チャンバー３００との間に配置されることができる。液処理チャンバー４００と高圧チャンバー５００は搬送チャンバー３００の側部に配置されることができる。液処理チャンバー４００と搬送チャンバー３００は第２方向９４に沿って配置されることができる。高圧チャンバー５００と搬送チャンバー３００は第２方向９４に沿って配置されることができる。バッファユニット２００は搬送チャンバー３００の一端に位置されることができる。
一例によれば、液処理チャンバー４００は搬送チャンバー３００の両側に配置し、高圧チャンバー５００は搬送チャンバー３００の両側に配置され、液処理チャンバー４００は高圧チャンバー５００よりバッファユニット２００にさらに近い位置に配置されることができる。搬送チャンバー３００の一側で液処理チャンバー４００は第１の方向９２及び第３方向９６に沿って各々ＡＸＢ（Ａ、Ｂは各々１又は１より大きい自然数）配列に提供されることができる。また、搬送チャンバー３００の一側で高圧チャンバー５００は第１の方向９２及び第３方向９６に沿って各々ＣＸＤ（Ｃ、Ｄは各々１又は１より大きい自然数）が提供されることができる。上述したことと異なりに、搬送チャンバー３００の一側には液処理チャンバー４００のみが提供され、その他側には高圧チャンバー５００のみが提供されることができる。
搬送チャンバー３００は搬送ロボット３２０を有する。搬送チャンバー３００内には長さ方向が第１の方向９２に提供されたガイドレール３４０が提供され、搬送ロボット３２０はガイドレール３４０上で移動可能に提供されることができる。搬送ロボット３２０は基板Ｗが置かれるハンド３２２を含み、ハンド３２２は前進及び後進移動、第３方向９６を軸とした回転、そして第３方向９６に沿って移動可能に提供されることができる。ハンド３２２は複数が上下方向に離隔されるように提供され、ハンド３２２は互いに独立的に前進及び後進移動することができる。
バッファユニット２００は基板Ｗが置かれる複数のバッファ２２０を具備する。バッファ２２０は第３方向９６に沿って相互間に離隔されるように配置されることができる。バッファユニット２００は前面（ｆｒｏｎｔ ｆａｃｅ）と背面（ｒｅａｒ ｆａｃｅ）が開放される。前面はインデックスモジュール１０と対向する面であり、後面は搬送チャンバー３００と対向する面である。インデックスロボット１２０は前面を通じてバッファユニット２００に接近し、搬送ロボット３２０は背面を通じてバッファユニット２００に接近することができる。
図２は図１の高圧チャンバー５００の一実施形態を概略的に示す図面である。一実施形態によれば、高圧チャンバー５００は超臨界流体を利用して基板Ｗ上の液を除去する。高圧チャンバー５００はボディー５２０、基板支持ユニット（図示せず）、流体供給ユニット５６０、そして遮断プレート（図示せず）を有する。
ボディー５２０は乾燥工程が遂行される内部空間５０２を提供する。ボディー５２０は上体５２２（ｕｐｐｅｒ ｂｏｄｙ）と下体５２４（ｌｏｗｅｒ ｂｏｄｙ）を有し、上体５２２と下体５２４は互いに組み合わせて上述した内部空間５０２を提供する。上体５２２は下体５２４の上部に提供される。上体５２２はその位置が固定され、下体５２４はシリンダーのような駆動部材５９０によって昇下降されることができる。下体５２４が上体５２２から離隔されれば、内部空間５０２が開放され、この時、基板Ｗが搬入又は搬出される。工程を進行する時には下体５２４が上体５２２に密着されて内部空間５０２が外部から密閉される。高圧チャンバー５００はヒーター５７０を有する。一例によれば、ヒーター５７０はボディー５２０の壁内部に位置される。ヒーター５７０はボディー５２０の内部空間内に供給された流体が超臨界状態を維持するようにボディー５２０の内部空間５０２を加熱する。
一方、図面に図示されなかったが、内部空間５０２の内部には基板Ｗを支持する基板支持ユニット（図示せず）が具備されることができる。基板支持ユニット（図示せず）はボディー５２０の内部空間５０２内で基板Ｗを支持する。基板支持ユニット（図示せず）は下体５２４に設置されて基板Ｗを支持することができる。この場合、基板支持ユニット（図示せず）は基板Ｗを持ち上げて支持する形態である。又は基板支持ユニット（図示せず）は上体５２２に設置されて基板Ｗを支持することができる。この場合、基板支持ユニット（図示せず）は基板Ｗを吊り下げ支持する形態である。
流体供給ユニット５６０はボディー５２０の内部空間５０２に処理流体を供給する。一例によれば、処理流体は超臨界状態に内部空間５０２に供給されることができる。これと異なりに、処理流体はガス状態に内部空間５０２に供給され、内部空間５０２内で超臨界状態に相変化されることができる。処理流体は乾燥用流体である。
一例によれば、流体供給ユニット５６０は供給ラインを有する。供給ラインは基板支持ユニット（図示せず）に置かれる基板Ｗの上部で処理流体を供給する。一例によれば、供給ラインは上体５２２に結合される。さらに、供給ラインは上体５２２の中央に結合されることができる。
又は、供給ラインは上体５２２に連結される第３供給ライン５６３と下部供給ライン（図示せず）に分岐されることができる。下部供給ライン（図示せず）は下体５２４に結合されることができる。第３供給ライン５６３と下部供給ライン（図示せず）には各々流通バルブが設置されることができる。
下体５２４には排気ライン５５０が結合される。ボディー５２０の内部空間５０２内の超臨界流体は排気ライン５５０を通じてボディー５２０の外部に排気される。
下部供給ライン（図示せず）が下体５２４と結合される場合、ボディー５２０の内部空間５０２内には遮断プレート（図示せず）（ｂｌｏｃｋｉｎｇ ｐｌａｔｅ）が配置されることができる。遮断プレート（図示せず）は円板形状に提供されることができる。遮断プレート（図示せず）はボディー５２０の底面から上部に離隔されるように支持台（図示せず）によって支持される。支持台（図示せず）はロード形状に提供され、相互間に一定距離離隔されるように複数が配置される。下部供給ライン（図示せず）の吐出口と排気ライン５５１の流入口は互いに干渉されない位置に具備されることができる。遮断プレート（図示せず）は下部供給ライン（図示せず）を通じて供給された処理流体が基板Ｗに向かって直接吐出されて基板Ｗが破損されることを防止することができる。
図３は本発明の一実施形態による基板処理装置の概略図であって、アイドル（ＩＤＬＥ）状態を示す。図３を参照して、流体供給ユニット５６０に対して詳細に説明する。
流体供給ユニット５６０は流体供給源６１０と供給ラインとして第１供給ライン５６１、第２供給ライン５６２、及び第３供給ライン５６３を含む。
流体供給源６１０は高圧チャンバー５００に提供される工程流体を貯蔵する。例えば、流体供給源６１０は貯蔵タンク、又はレジャーバータンクである。例えば、工程流体は二酸化炭素である。流体供給源６１０で供給された処理流体は高圧チャンバー５００に超臨界相に提供される。
第１供給ライン５６１と第２供給ライン５６２と第３供給ライン５６３は高圧チャンバー５００と流体供給源６１０をつなぐ。第１供給ライン５６１と第２供給ライン５６２と第３供給ライン５６３は順次的に直列に連結されて流体供給源６１０に格納された処理流体を高圧チャンバー５００に供給する。第１供給ライン５６１と第２供給ライン５６２との間には第１開閉バルブ５８１が設置される。第２供給ライン５６２と第３供給ライン５６３との間には第２開閉バルブ５８２が設置される。第３供給ライン５６３は高圧チャンバー５００の上部に連結される。
第２供給ライン５６２には分岐ライン５６４が分岐される。分岐ライン５６４には第３開閉バルブ５８３が提供される。第３開閉バルブ５８３の下流には排気ライン５６５が提供される。高圧チャンバー５００の排気ライン５５０には第４開閉バルブ５５１が提供される。第４開閉バルブ５５１が開放されれば、高圧チャンバー５００の内部の処理流体が高圧チャンバー５００の外部に排出される。高圧チャンバー５００の内部の基板は搬送ロボット３２０によって高圧チャンバー５００の内部に搬入されるか、或いは高圧チャンバー５００の外部に搬出されることができる。
アイドル状態で第１開閉バルブ５８１と第２開閉バルブ５８２と第４開閉バルブ５５１は閉鎖状態に提供され、第３開閉バルブ５８３は開放された状態に提供される。
図４は本発明の第１実施形態による基板処理装置の第１作動状態を示す図面である。図５は本発明の第１実施形態による基板処理装置の第２作動状態を示す図面である。図６は本発明の第１実施形態による基板処理装置に基板が搬入される状態を示す図面である。
図４乃至図６を参照して、第１実施形態による本発明の作動状態を説明する。
図４を参照すれば、高圧チャンバー５００の内部に基板がない状態で高圧チャンバー５００を閉め、設定時間の間に第１開閉バルブ５８１と第２開閉バルブ５８２を開放し、第３開閉バルブ５８３と第４開閉バルブ５５１を閉鎖した状態にする。これによって、高圧チャンバー５００の内部の温度を予熱する。また、第１供給ライン５６１、第２供給ライン５６２と第３供給ライン５６３を加熱する。
図５を参照すれば、高圧チャンバー５００の内部が設定温度、例えば２０℃乃至５０℃以上程度に加熱されれば、第１開閉バルブ５８１と第２開閉バルブ５８２を閉め、第３開閉バルブ５８３と第４開閉バルブ５５１を開放状態に維持して第２供給ライン５６２と第３供給ライン５６３と高圧チャンバー５００の内部を排気する。したがって、第２供給ライン５６２、第３供給ライン５６３、及び高圧チャンバー５００の内部が加熱されて提供される。
図６を参照すれば、第１開閉バルブ５８１と第２開閉バルブ５８２と第４開閉バルブ５５１が閉鎖状態になり、第３開閉バルブ５８３が開放状態になるアイドル状態で高圧チャンバー５００が開放され、基板を高圧チャンバー５００の内部に搬入させる。
図７は本発明の第２実施形態による基板処理装置の第１作動状態を示す図面である。図８は本発明の第２実施形態による基板処理装置の第２作動状態を示す図面である。図９は本発明の第２実施形態による基板処理装置に基板が搬入される状態を示す図面である。
図７乃至図９を参照して、第２実施形態による本発明の作動状態を説明する。
図７を参照すれば、高圧チャンバー５００の内部に基板がない状態で高圧チャンバー５００を閉め、設定時間の間に第１開閉バルブ５８１を開放状態にし、第２開閉バルブ５８２と、第３開閉バルブ５８３と第４開閉バルブ５５１を閉鎖状態にする。これによって、第２供給ライン５６２を加熱する。
図８を参照すれば、第２供給ライン５６２の内部が設定温度、例えば２０℃乃至５０℃以上程度に加熱されれば、第１開閉バルブ５８１と第２開閉バルブ５８２と第４開閉バルブ５５１を閉め、第３開閉バルブ５８３を開放状態に維持して第２供給ライン５６２の内部を排気する。したがって、第２供給ライン５６２、第３供給ライン５６３、及び高圧チャンバー５００の内部が加熱されて提供される。
第２供給ライン５６２の温度が設定温度に到達する時まで図７及び図８に図示された第１作動状態と第２作動状態を繰り返す。好ましくは、工程が進行される時、第２供給ライン５６２の温度とに似になるまで第１作動状態と第２作動状態を繰り返す。好ましくは、第１作動状態と第２作動状態を３回乃至４回程度を繰り返す。
図９を参照すれば、第１開閉バルブ５８１と第２開閉バルブ５８２と第４開閉バルブ５５１が閉鎖状態になり、第３開閉バルブ５８３が開放状態になるアイドル状態で高圧チャンバー５００が開放され、基板を高圧チャンバー５００の内部に搬入させる。
本発明の実施形態によれば、アイドル（ＩＤＬＥ）状態で工程を進行しなく、設備待機の時に供給ラインの配管温度が下がれて工程不良を引き起こす問題を解決した。
一方、第１実施形態と比較して第２実施形態は供給ラインの配管温度を維持するために消費する超臨界流体の消耗量が著しく少ない。例えば、第２実施形態は第１実施形態と比較して、超臨界流体の消耗量が６倍以上少ない。
基板処理設備に基板が供給されて工程が開始されれば、液処理工程が進行された後、超臨界乾燥工程が開始され、液処理工程の間に超臨界乾燥工程開始前まで２乃至３分の時間がある。その間に供給ラインに超臨界流体を設定回数供給すれば、供給ラインの温度が超臨界工程が進行中である状態ぐらい上昇されて温度の影響による工程不良発生を最小化させることができる。これによって、超臨界乾燥処理において第１枚のイシューを解決可能である。
以上の詳細な説明は本発明を例示するものである。また、前述した内容は本発明の好ましい実施形態を例として説明することであり、本発明は多様な他の組合、変更、及び環境で使用することができる。即ち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、前述した開示内容と均等な範囲及び／又は当業界の技術又は知識の範囲内で変更又は修正が可能である。前述した実施形態は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明することであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態に本発明を制限しようとする意図ではない。添付された請求の範囲は他の実施状態も含むこととして解析されなければならない。
５００ 高圧チャンバー
５６０ 流体供給ユニット
５６１、５６２、５６３ 供給ライン
５８１ 第１開閉バルブ
５８２ 第２開閉バルブ
５８３ 第３開閉バルブ
６１０ 流体供給源

Claims (13)

  1. 基板を処理する装置において、
    工程流体を利用して基板を処理する工程が遂行される処理空間が提供される高圧チャンバーと、
    前記高圧チャンバーに前記工程流体を提供する流体供給源と、
    前記高圧チャンバーと前記流体供給源をつなぐ供給ラインと、
    前記供給ラインに前記流体供給源から前記高圧チャンバー方向に順に設置される第１開閉バルブ及び第２開閉バルブと、
    前記第１開閉バルブと前記第２開閉バルブとの間に提供され、排気ラインと連結される分岐ラインと、
    前記分岐ラインに設置された第３開閉バルブと、
    制御器と、を含み、
    前記制御器は、
    基板に対する処理を行うために前記高圧チャンバーに基板を搬入する前、
    前記第１開閉バルブを開放し、前記第２開閉バルブ及び前記第３開閉バルブを閉鎖した状態の第１作動状態と、
    前記第１開閉バルブ及び前記第２開閉バルブを閉鎖し、前記第３開閉バルブを開放して前記供給ラインの内部に残存する工程流体を排出する第２作動状態を行うように制御する基板処理装置。
  2. 基板を処理する装置において、
    工程流体を利用して基板を処理する工程が遂行される処理空間が提供される高圧チャンバーと、
    前記高圧チャンバーに前記工程流体を提供する流体供給源と、
    前記高圧チャンバーと前記流体供給源をつなぐ供給ラインと、
    前記供給ラインに前記流体供給源から前記高圧チャンバー方向に順に設置される第１開閉バルブ及び第２開閉バルブと、
    前記第１開閉バルブと前記第２開閉バルブとの間に提供され、排気ラインと連結される分岐ラインと、
    前記分岐ラインに設置された第３開閉バルブと、
    制御器と、を含み、
    前記制御器は、
    基板に対する処理を行うために前記高圧チャンバーに基板を搬入する前、
    前記第１開閉バルブ及び前記第２開閉バルブを開放し、前記第３開閉バルブを閉鎖した状態の第１作動状態と、
    前記第１開閉バルブ及び前記第２開閉バルブを閉鎖し、前記第３開閉バルブを開放して前記供給ラインの内部に残存する工程流体を排出する第２作動状態を行うように制御する基板処理装置。
  3. 前記制御器は、
    前記第１作動状態と前記第２作動状態が複数回繰り返されて行われるように制御する請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記基板処理装置は、
    前記基板に処理液を供給して前記基板を液処理する液処理チャンバーをさらに含み、
    前記制御器は、
    前記液処理チャンバーで前記基板が液処理される間に、前記第１作動状態と前記第２作動状態を行うように制御する請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
  5. 前記第３開閉バルブの開放に応じて前記供給ライン内の圧力は、大気圧まで減圧される請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
  6. 前記高圧チャンバーは、前記工程流体を超臨界相にして基板を処理する請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
  7. 前記工程流体は、二酸化炭素であり、
    前記基板処理装置は、
    前記高圧チャンバー内の前記工程流体を排気する排気ユニットと、
    前記液処理チャンバーと前記高圧チャンバーに対して基板を搬送する搬送ロボットと、をさらに含む
    請求項４に記載の基板処理装置。
  8. 前記流体供給源は、前記高圧チャンバーに前記工程流体を超臨界相に供給する請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
  9. 基板処理装置を利用して基板を処理する方法において、
    前記基板処理装置は、
    工程流体を利用して基板を処理する工程が遂行される処理空間が提供される高圧チャンバーと、
    前記高圧チャンバーに前記工程流体を提供する流体供給源と、
    前記高圧チャンバーと前記流体供給源をつなぐ供給ラインと、
    前記供給ラインに前記流体供給源から前記高圧チャンバー方向に順に設置される第１開閉バルブ及び第２開閉バルブと、
    前記第１開閉バルブと前記第２開閉バルブとの間に提供され、排気ラインと連結される分岐ラインと、
    前記分岐ラインに設置された第３開閉バルブと、を含み、
    基板に対する処理を行うために前記高圧チャンバーに基板を搬入する前、
    前記第１開閉バルブを開放し、前記第２開閉バルブ及び前記第３開閉バルブを閉鎖した状態の第１作動状態と、
    前記第１開閉バルブ及び前記第２開閉バルブを閉鎖し、前記第３開閉バルブを開放して前記供給ラインの内部に残存する工程流体を排出する第２作動状態と、を行う基板処理方法。
  10. 基板処理装置を利用して基板を処理する方法において、
    前記基板処理装置は、
    工程流体を利用して基板を処理する工程が遂行される処理空間が提供される高圧チャンバーと、
    前記高圧チャンバーに前記工程流体を提供する流体供給源と、
    前記高圧チャンバーと前記流体供給源をつなぐ供給ラインと、
    前記供給ラインに前記流体供給源から前記高圧チャンバー方向に順に設置される第１開閉バルブ及び第２開閉バルブと、
    前記第１開閉バルブと前記第２開閉バルブとの間に提供され、排気ラインと連結される分岐ラインと、
    前記分岐ラインに設置された第３開閉バルブと、を含み、
    基板に対する処理を行うために前記高圧チャンバーに基板を搬入する前、
    前記第１開閉バルブ及び前記第２開閉バルブを開放し、前記第３開閉バルブを閉鎖した状態の第１作動状態と、
    前記第１開閉バルブ及び前記第２開閉バルブを閉鎖し、前記第３開閉バルブを開放して前記供給ラインの内部に残存する工程流体を排出する第２作動状態と、を行う基板処理方法。
  11. 前記第１作動状態と前記第２作動状態を複数回繰り返して行う請求項９又は請求項１０に記載の基板処理方法。
  12. 前記基板処理装置は、
    前記基板に処理液を供給して前記基板を液処理する液処理チャンバーをさらに含み、
    前記液処理チャンバーで前記基板が液処理される間に、前記第１作動状態と前記第２作動状態を行う請求項９又は請求項１０に記載の基板処理方法。
  13. 前記工程流体は、二酸化炭素であり、
    前記基板処理装置は、
    前記高圧チャンバー内の前記工程流体を排気する排気ユニットと、
    前記液処理チャンバーと前記高圧チャンバーに対して基板を搬送する搬送ロボットと、をさらに含む
    請求項１２に記載の基板処理方法。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007175559A (ja) 2005-12-27 2007-07-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 高圧処理装置および高圧処理方法
JP2007234862A (ja) 2006-03-01 2007-09-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 高圧処理装置および高圧処理方法
JP2012114361A (ja) 2010-11-26 2012-06-14 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP2013012538A (ja) 2011-06-28 2013-01-17 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP2013251547A (ja) 2012-05-31 2013-12-12 Semes Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
US10109506B2 (en) 2016-05-26 2018-10-23 Semes Co., Ltd. Unit for supplying fluid, apparatus and method for treating substrate with the unit

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100929364B1 (ko) * 2003-05-26 2009-12-02 주식회사 케이씨텍 초임계 세정장치 및 방법
KR20110062520A (ko) * 2009-12-03 2011-06-10 세메스 주식회사 기판 처리장치 및 이의 세정 방법
KR101536724B1 (ko) * 2012-05-31 2015-07-16 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101964655B1 (ko) * 2016-06-02 2019-04-04 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR102158232B1 (ko) * 2017-06-30 2020-09-21 주식회사 케이씨텍 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007175559A (ja) 2005-12-27 2007-07-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 高圧処理装置および高圧処理方法
JP2007234862A (ja) 2006-03-01 2007-09-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 高圧処理装置および高圧処理方法
JP2012114361A (ja) 2010-11-26 2012-06-14 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP2013012538A (ja) 2011-06-28 2013-01-17 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP2013251547A (ja) 2012-05-31 2013-12-12 Semes Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
US10109506B2 (en) 2016-05-26 2018-10-23 Semes Co., Ltd. Unit for supplying fluid, apparatus and method for treating substrate with the unit

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