CN113130352A - 用于处理基板的装置及用于处理基板的方法 - Google Patents

用于处理基板的装置及用于处理基板的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113130352A
CN113130352A CN202011630293.3A CN202011630293A CN113130352A CN 113130352 A CN113130352 A CN 113130352A CN 202011630293 A CN202011630293 A CN 202011630293A CN 113130352 A CN113130352 A CN 113130352A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
valve
pressure chamber
high pressure
processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202011630293.3A
Other languages
English (en)
Inventor
崔永燮
李暎熏
郑镇优
朴美昭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semes Co Ltd
Original Assignee
Semes Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semes Co Ltd filed Critical Semes Co Ltd
Publication of CN113130352A publication Critical patent/CN113130352A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B13/00—Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0021—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by liquid gases or supercritical fluids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02101—Cleaning only involving supercritical fluids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本发明构思的实施方式提供一种用于处理基板的装置。根据例示性实施方式，用于处理基板的装置包括：第一阀及第二阀，其沿从流体供应源向高压腔室的方向依次安装在供应管线中；分支管线，其在第一与第二阀之间分支并与排出管线连接；第三阀，其安装在分支管线上；排出单元，其将高压腔室内的工艺流体排出；及控制器，其中控制器被配置成在搬送机器人将基板搬入高压腔室以处理基板之前进行打开第一阀及关闭第二阀及第三阀的第一操作以及关闭第一阀和第二阀及打开第三阀的第二操作。

Description

用于处理基板的装置及用于处理基板的方法
相关申请的交叉引用
本申请在35U.S.C.§119下要求于2019年12月31日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请10-2019-0179294的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本文中所述的发明思想的实施方式涉及用于处理基板的方法及用于处理基板的装置。
背景技术
半导体制造工艺包括在基板上清洗薄膜、异物、颗粒等。随着半导体设备的设计尺寸(design rule)的减小，诸如蚀刻工艺或清洗工艺的湿式工艺后，在干燥化学溶液的过程中，频繁发生图案因化学溶液的表面张力而崩溃(collapse)或邻接图案的图案的桥接(bridge)。另外，图案间深窄空间处存在的细颗粒引起基板的不良。
最近，在清洗基板的工艺中使用超临界流体。例如，分别提供液体处理腔室和高压腔室，该液体处理腔室向基板供应处理液而对基板进行液体处理，该高压腔室在液体处理后利用超临界状态的流体从基板去除处理液，在液体处理腔室中完成处理的基板借助于搬送机器人而搬入高压腔室。
在上述超临界干燥时，在既定时间期间未使用的高压腔室的空闲(IDLE)状态下进行对处理的第一张基板的工艺时，工艺不良发生率高。本案发明人判断认为发生上述工艺不良的原因是因为高压腔室或供应管线的温度降低，从而提出了旨在解决这种问题的方案。
发明内容
本发明人发现温度(例如，高压腔室或供应管线中的温度降低)是上述超临界流体工艺中工艺不良的原因之一，并提出了解决方案。
本发明的实施方式提供一种能够在利用超临界液体处理基板时提高处理效率的用于处理基板的装置及用于处理基板的方法。
另外，本发明的实施方式提供一种能够在利用超临界液体处理基板时减少工艺不良的用于处理基板的装置及用于处理基板的方法。
本发明的目的不限于上述内容，未提及的其他目的是本领域技术人员可明确理解的。
本发明的实施方式提供用于处理基板的装置。根据例示性实施方式，用于处理基板的装置包括：液体处理腔室，所述液体处理腔室通过向所述基板供应液体而对基板进行处理；高压腔室，所述高压腔室提供利用工艺流体来进行处理该基板的工艺的处理空间；流体供应源，所述流体供应源向所述高压腔室提供所述工艺流体；供应管线，所述供应管线连接所述高压腔室与所述流体供应源；第一阀及第二阀，所述第一阀及所述第二阀沿着从所述流体供应源到所述高压腔室的方向依次安装在所述供应管线上；分支管线，所述分支管线在所述第一阀与所述第二阀之间从所述供应管线分支并与排出管线连接；第三阀，所述第三阀安装在所述分支管线上；排出单元，所述排出单元将所述高压腔室内的所述工艺流体排出；搬送机器人，所述搬送机器人在所述液体处理腔室和所述高压腔室之间搬送基板；和控制器；其中所述控制器被配置成在所述搬送机器人将所述基板搬入所述高压腔室以对所述基板处理之前进行第一操作状态和第二操作状态，所述第一操作状态是打开所述第一阀并关闭所述第二阀及所述第三阀，所述第二操作状态是关闭所述第一阀及所述第二阀并打开所述第三阀以排出所述供应管线内的残存工艺流体。
根据例示性实施方式，所述控制器被配置成多次进行所述第一操作状态和所述第二操作状态。
根据例示性实施方式，所述控制器被配置成在所述基板在所述液体处理腔室中进行处理期间进行所述第一操作状态和所述第二操作状态。
根据例示性实施方式，根据所述第三阀的打开，所述供应管线的内压可减压至大气压。
根据例示性实施方式，在所述高压腔室中通过使用超临界相中的所述工艺流体来处理所述基板。
根据例示性实施方式，所述工艺流体可为二氧化碳。
根据例示性实施方式，所述流体供应源可向所述高压腔室以超临界相供应所述工艺流体。
本发明的实施方式提供用于处理基板的装置。根据例示性实施方式，用于处理基板的装置包括：液体处理腔室，所述液体处理腔室通过向所述基板供应液体而对基板进行处理；高压腔室，所述高压腔室提供利用工艺流体来进行处理该基板的工艺的处理空间；流体供应源，所述流体供应源向所述高压腔室提供所述工艺流体；供应管线，所述供应管线连接所述高压腔室与所述流体供应源；第一阀及第二阀，所述第一阀及所述第二阀沿着从所述流体供应源到所述高压腔室的方向依次安装在所述供应管线上；分支管线，所述分支管线在所述第一阀与所述第二阀之间从所述供应管线分支并与排出管线连接；第三阀，所述第三阀安装在所述分支管线上；排出单元，所述排出单元将所述高压腔室内的所述工艺流体排出；搬送机器人，所述搬送机器人在所述液体处理腔室和所述高压腔室之间搬送基板；和控制器；其中所述控制器被配置成在所述搬送机器人将所述基板搬入所述高压腔室以对所述基板处理之前进行第一操作状态和第二操作状态，所述第一操作状态是打开所述第一阀和所述第二阀并关闭所述第三阀，所述第二操作状态是关闭所述第一阀及所述第二阀并打开所述第三阀以排出所述供应管线内的残存工艺流体。
根据例示性实施方式，所述控制器被配置成多次进行所述第一操作状态和所述第二操作状态。
根据例示性实施方式，所述控制器被配置成在所述基板在所述液体处理腔室中进行处理期间进行所述第一操作状态和所述第二操作状态。
另外，本发明的实施方式提供一种利用用于处理基板的装置来处理基板的方法。根据例示性实施方式，所述用于处理基板的装置包括：液体处理腔室，所述液体处理腔室通过向所述基板供应液体而对基板进行处理；高压腔室，所述高压腔室提供利用工艺流体来进行处理该基板的工艺的处理空间；流体供应源，所述流体供应源向所述高压腔室提供所述工艺流体；供应管线，所述供应管线连接所述高压腔室与所述流体供应源；第一阀及第二阀，所述第一阀及所述第二阀沿着从所述流体供应源到所述高压腔室的方向依次安装在所述供应管线上；分支管线，所述分支管线在所述第一阀与所述第二阀之间从所述供应管线分支并与排出管线连接；第三阀，所述第三阀安装在所述分支管线上；排出单元，所述排出单元将所述高压腔室内的所述工艺流体排出；搬送机器人，所述搬送机器人相对于所述液体处理腔室和所述高压腔室搬送基板。根据本发明的实施方式，用于处理基板的方法包括在所述搬送机器人将所述基板搬入所述高压腔室以对所述基板处理之前进行第一操作状态和第二操作状态，所述第一操作状态是打开所述第一阀并关闭所述第二阀及所述第三阀，所述第二操作状态是关闭所述第一阀及所述第二阀并打开所述第三阀以排出所述供应管线内的残存工艺流体。
根据例示性实施方式，多次进行所述第一操作状态和所述第二操作状态。
根据例示性实施方式，在所述基板在所述液体处理腔室中进行处理期间，进行所述第一操作状态和所述第二操作状态。
根据例示性实施方式，所述工艺流体可为二氧化碳。
根据例示性实施方式，可通过利用超临界流体处理基板来提高处理效率。
另外，根据例示性实施方式，可通过利用超临界流体处理基板来减少工艺不良。
通过参考以下对实施方式的详细描述和附图，可以更容易地理解本发明构思和实现本发明构思的方法。然而，本发明构思可以以许多不同的形式来体现，并且不应被解释为限于在此阐述的实施方式。而是，提供这些实施方式以使得本发明构思将是彻底和完整的，并且将本发明的构思充分传达给本领域技术人员，并且本发明构思仅由所附权利要求书限定。
附图说明
通过以下参考附图的描述，上述及其他目的和特征将变得显而易见，其中，除非另外指明，否则贯穿各个附图，相同的附图标记指代相同的部分，并且其中：
图1是示意地表示本发明的实施方式的用于处理基板的装置的俯视图。
图2示意地表示图1的高压腔室的实施例。
图3是表示根据本发明的实施方式的用于处理基板的装置的示意图。
图4表示根据本发明的实施方式的用于处理基板的装置的第一操作状态。
图5表示根据本发明的实施方式的用于处理基板的装置的第二操作状态。
图6表示根据本发明的第一实施方式的基板引入用于处理基板的装置的状态。
图7表示根据本发明的第二实施方式的用于处理基板的装置的第一操作状态。
图8表示根据本发明的第二实施方式的用于处理基板的装置的第二操作状态。
图9表示根据本发明的第二实施方式的基板引入用于处理基板的装置的状态。
具体实施方式
在下文中，将参照附图更详细地描述本发明构思的实施方式。可以以各种形式修改本发明构思的实施方式，并且本发明构思的范围不应解释为由以下描述的本发明构思的实施方式限制。提供本发明构思的实施方式以为本领域技术人员更完整地描述本发明构思。因此，附图中的部件的形状被放大以强调更清晰的描述。
图1为示意地表示根据本发明构思的实施方式的用于处理基板的装置的俯视图。
参照图1，用于处理基板的装置包括转位模块10、处理模块20以及控制器(未图示出)。根据示例性实施方式，转位模块10和处理模块20沿某方向配置。下面，将转位模块10和处理模块20配置的方向称为第一方向92，将从上部观察时与第一方向92垂直的方向称为第二方向94，将垂直于第一方向92及第二方向94的方向称为第三方向96。
转位模块10从收纳有基板‘W’的容器80将基板‘W’搬送到处理模块20，将在处理模块20中完成处理的基板‘W’搬运回容器80。转位模块10的长度方向沿第二方向94提供。转位模块10具有加载端口12和转位框架14。以转位框架14为基准，加载端口12位于处理模块20的相反侧。收纳有基板‘W’的容器80放置于加载端口12。加载端口12可提供多个，多个加载端口12可沿第二方向94配置。
容器80可以是诸如前面开放整合盒(Front Open Unified Pod；FOUP)的密闭用容器。容器80可借助高架移送机(Overhead Transfer)、高架输送器(Overhead Conveyor)或自动导引车(Automatic Guided Vehicle)等移送单元(未图示出)或操作者而放置于加载端口12。
在转位框架14内提供转位机器人120。在转位框架14内可提供长度方向沿第二方向94提供的导轨140，转位机器人120可在导轨140上能移动。转位机器人120包括供基板W放置的机器手122，机器手122可向前和向后移动，围绕第三方向96进行旋转，并沿第三方向96移动。机器手122沿上下方向隔开提供多个，多个机器手122彼此独立地向前和向后移动。
处理模块20包括缓冲器单元200、搬送腔室300、液体处理腔室400以及高压腔室500。缓冲器单元200提供搬入到处理模块20的基板‘W’和从处理模块20搬出的基板W暂时停留的空间。液体处理腔室400通过向基板‘W’供应液体而进行液体处理工艺。高压腔室500执行去除基板‘W’上残留的液体的干燥工艺。搬送腔室300在缓冲器单元200、液体处理腔室400以及高压腔室500间搬送基板‘W’。
控制器(未图示出)控制用于处理基板的装置的整体运转。控制器(未图示出)可包括中央处理单元(Central Processing Unit：CPU)。例如，控制器根据在储存区域例如ROM、RAM等中储存的配方进行所需的处理例如后述的液体处理、干燥处理等。配方包括作为装置对工艺条件的控制信息的工艺时间、工艺压力、工艺温度和气体流量等。同时，配方能够储存于硬盘或半导体存储器。另外，配方能够容纳于只读光盘驱动器(CD-ROM)、数字视频光盘(DVD)等可移动的计算机可读储存媒体的状态，安装于储存区域的既定位置。
搬送腔室300的长度方向与第一方向92平行。缓冲器单元200配置于转位模块10与搬送腔室300之间。液体处理腔室400和高压腔室500配置于搬送腔室300的侧部。液体处理腔室400和搬送腔室300沿第二方向94配置。高压腔室500和搬送腔室300沿第二方向94配置。缓冲器单元200位于搬送腔室300的一端。
根据示例性实施方式，液体处理腔室400配置于搬送腔室300的两侧，高压腔室500配置于搬送腔室300的两侧，液体处理腔室400配置于相比高压腔室500更靠近缓冲器单元200的位置。在搬送腔室300的一侧，液体处理腔室400沿第一方向92及第三方向96分别按AXB(A和B分别为1或大于1的自然数)排列。另外，在搬送腔室300的一侧，高压腔室500分别沿第一方向92及第三方向96以C×D(C和D分别为1或大于1的自然数)配置。不同于上述内容，在搬送腔室300的一侧提供液体处理腔室400，而在其另一侧提供高压腔室500。
搬送腔室300具有搬送机器人320。在搬送腔室300内可提供长度方向沿第一方向92提供的导轨340，搬送机器人320可在导轨340上能够移动。搬送机器人320可包括放置有基板‘W’的机器手322，机器手322可向前和向后移动，围绕第三方向96为轴旋转，并沿第三方向96移动。机器手322沿上下方向隔开提供多个，机器手322彼此独立地向前和向后移动。
缓冲器单元200具备多个放置有基板‘W’的缓冲器220。多个缓冲器220可配置得沿第三方向96彼此间隔开。缓冲器单元200的前面(front face)和后面(rear face)开放。前面是与转位模块10相向的面，后面是与搬送腔室300相向的面。转位机器人120借助前面接近缓冲器单元200，搬送机器人320借助后面接近缓冲器单元200。
图2示意地表示图1的高压腔室500的实例。根据示例性实施方式，高压腔室500利用超临界流体去除基板‘W’上的液体。高压腔室500具有主体520、基板支撑单元(未图标出)、流体供应单元560以及阻断板(未图示出)。
主体520提供执行干燥工艺的内部空间502。主体520具有上部主体(upper body)522和下部主体(lower body)524，上部主体522和下部主体524相互组合以提供上述的内部空间502。上部主体522在下部主体524的上部提供。上部主体522的位置固定，下部主体524借助诸如气缸的驱动构件590而升降。当下部主体524从上部主体522隔开时，则内部空间502开放，此时，将基板‘W’搬入或搬出。在进行工艺时，下部主体524贴紧上部主体522，内部空间502与外部密闭。高压腔室500具有加热器570。根据示例性实施方式，加热器570位于主体520的壁内部。加热器570加热主体520的内部空间502，以将供应到主体520的内部空间内的流体保持在超临界相。
另一方面，虽然图中未图示，在处理空间502内部，可具有支撑基板‘W’的基板支撑单元(未图标出)。支撑单元(未图标出)在主体520的内部空间502内支撑基板‘W’。支撑单元(未图标出)可安装于下部主体524中以支撑基板‘W’。这种情况下，支撑单元(未图标出)可配置为抬起基板‘W’并支撑。或者，支撑单元(未图标出)可安装于上部主体522中以支撑基板‘W’。这种情况下，支撑单元(未图标出)可配置为悬挂基板‘W’并支撑。
流体供应单元560向主体520的内部空间502供应处理流体。根据示例性实施方式，处理流体可以超临界相供应到内部空间502。或者，处理流体以气相供应到内部空间502，并且能够相变成超临界相。处理流体可为干燥流体。
根据示例性实施方式，流体供应单元560具有供应管线。供应管线从放置于基板支撑单元(未图标出)的基板W的上方供应处理流体。根据示例性实施方式，供应管线联接于上部主体522。进而，供应管线可联接于上部主体522的中央。
或者，供应管线可分支为联接于上部主体522的第三供应管线563和下部供应管线(未图示出)。下部供应管线(未图示出)可联接于下部主体524。在第三供应管线563和下部供应管线(未图示出)中可分别安装有流通阀。
下部主体524联接于排出管线550。主体520的内部空间502内的超临界流体通过排出管线550排出到主体520的外部。
在下部供应管线(未图示出)与下部主体524联接的情况下，在主体520的内部空间502内可配置有阻断板(未图示出)。阻断板(未图示出)可以圆板形状提供。阻断板(未图示出)以从主体520的底面隔开的方式被支架(未图示出)支撑。支架(未图示出)以杆形状提供，以彼此之间隔开的方式配置多个支架。下部供应管线(未图示出)的排出口与排出管线550的流入口配备于彼此不干扰的位置。阻断板(未图示出)防止通过下部供应管线(未图示出)供应的处理流体被直接排出而损伤基板‘W’。
图3为表示用于处理基板的装置的示意图，并且表示空闲(IDLE)状态。参照图3，对流体供应单元560进行说明。
流体供应单元560包括流体供应源610、第一供应管线561、第二供应管线562与第三供应管线563。
流体供应源610储存向高压腔室500供应的工艺流体。例如，流体供应源610为储存罐或储存桶。例如，工艺流体为二氧化碳。从流体供应源610供应的工艺流体以超临界流体相供应至高压腔室500。
第一供应管线561、第二供应管线562和第三供应管线563连接高压腔室500与流体供应源610。第一供应管线561、第二供应管线562和第三供应管线563依次串联连接，将流体供应源610中储存的工艺流体供应给高压腔室500。在第一供应管线561与第二供应管线562之间安装有第一阀581。在第二供应管线562与第三供应管线563之间安装有第二阀582。第三供应管线563连接于高压腔室500的上部。
在第二供应管线562上分支出分支管线564。在分支管线564上提供第三阀583。在第三阀583的下游提供排出管线565。在高压腔室500的排出管线550上提供第四阀551。当第四阀551打开时，高压腔室500内部的工艺流体排出到高压腔室500的外部。高压腔室500内部的基板‘W’可借助于搬送机器人320而搬入高压腔室500内部或搬出到高压腔室500的外部。
在空闲状态下，第一阀581、第二阀582和第四阀551以关闭状态提供，第三阀583以开放状态提供。
图4表示根据本发明构思的第一实施方式的用于处理基板的装置的第一操作状态。图5表示根据本发明构思的第一实施方式的用于处理基板的装置的第二操作状态。图6表示根据本发明构思的第一实施方式的基板搬入用于处理基板的装置的状态。
参照图4至图6，说明根据本发明构思的第一实施方式的运转状态。
参照图4，在高压腔室500内部无基板‘W’的状态下，关闭高压腔室500，在预定时间期间打开第一阀581和第二阀582而关闭第三阀583和第四阀584。然后，通过预热使高压腔室500的内部温度升高。另外，加热第一供应管线561、第二供应管线562和第三供应管线563。
参照图5，当高压腔室500的内部加热到预定温度，例如摄氏20度至50度之间的温度范围时，关闭第一阀581和第二阀582，将第三阀583和第四阀551打开，然后对第二供应管线562、第三供应管线563和高压腔室500的内部进行排出。由此，第二供应管线562、第三供应管线563及高压腔室500的内部被加热。
参照图6，将第一阀581、第二阀582和第四阀551关闭，将第三阀583打开，其为空闲状态，然后将高压腔室500打开，使基板‘W’搬入高压腔室500内。
图7表示根据本发明构思的第二实施方式的用于处理基板的装置的第一操作状态。图8表示根据本发明构思的第二实施方式的用于处理基板的装置的第二操作状态。图9表示根据本发明的第二实施方式的基板搬入用于处理基板的装置的状态。
参照图7至图9，说明根据本发明构思的第二实施方式的运转状态。
参照图7，在高压腔室500内部无基板‘W’的状态下，关闭高压腔室500，在预定时间期间，使第一阀581打开，使第二阀582、第三阀583和第四阀584关闭。由此，加热第二供应管线562。
参照图8，当第二供应管线562的内部加热到预定温度，例如摄氏20度至50度之间的温度范围时，关闭第一阀581、第二阀582和第四阀551，使第三阀583打开，然后对第二供应管线562内部进行排出。由此，将第二供应管线562、第三供应管线563及高压腔室500的内部被加热。
反复进行如图7及图8中所示的第一操作状态和第二操作状态，直至第二供应管线562的温度达到预定温度。优选地，反复进行第一操作状态和第二操作状态直至工艺的温度与第二供应管线562的温度相似。优选地，反复第一操作状态与第二操作状态3次至4次。
参照图9，将第一阀581、第二阀582和第四阀551关闭，将第三阀583打开，其为空闲状态，然后打开高压腔室500，将基板‘W’搬入高压腔室500内。
根据本发明构思的示例性实施方式，能够避免在空闲(IDLE)状态下供应管线的温度降低以引起工艺不良。
另一方面，与本发明构思的第一实施方式相比，本发明构思的第二实施方式为了维持供应管线的配管温度而消耗的超临界流体的消耗量少。例如，与本发明构思的第一实施方式相比，本发明构思的第二实施方式的超临界流体的消耗量少6倍。
向用于处理基板的装置供应基板‘W’并开始工艺后，进行液体处理工艺，然后开始超临界干燥工艺。并且在液体处理工艺与超临界干燥工艺之间有2分钟至3分钟。此时，如果向供应管线以预定速率供应超临界流体，则供应管线的温度上升至超临界工艺的温度。因此，能够使因温度影响而发生的工艺不良最小化。由此能够解决超临界干燥处理中的最大基板问题。
上面的描述是出于说明性目的。此外，上述内容描述了本发明构思的示例性实施方式，并且本发明构思可以在各种其他组合，改变和环境中使用。即，在不脱离说明书中公开的发明构思的范围，与书面公开等效的范围和/或本领域技术人员的技术或知识范围的情况下，可以对本发明构思进行修改和修正。书面实施例描述了用于实现发明构思的技术精神的最佳状态，并且可以在发明构思的详细应用领域和目的中进行各种改变。因此，本发明构思的详细描述并不旨在将本发明构思限制于所公开的实施例。此外，应解释为所附权利要求包括其他实施方式。

Claims (13)

1.一种用于处理基板的装置，该装置包括：
液体处理腔室，所述液体处理腔室通过向基板供应液体而对所述基板进行处理；
高压腔室，所述高压腔室提供利用工艺流体来进行处理所述基板的工艺的处理空间；
流体供应源，所述流体供应源向所述高压腔室提供所述工艺流体；
供应管线，所述供应管线连接所述高压腔室与所述流体供应源；
第一阀及第二阀，所述第一阀及所述第二阀沿着从所述流体供应源到所述高压腔室的方向依次安装在所述供应管线上；
分支管线，所述分支管线在所述第一阀与所述第二阀之间从所述供应管线分支并与排出管线连接；
第三阀，所述第三阀安装在所述分支管线上；
排出单元，所述排出单元将所述高压腔室内的所述工艺流体排出；
搬送机器人，所述搬送机器人在所述液体处理腔室和所述高压腔室之间搬送基板；和
控制器；
其中所述控制器被配置成在所述搬送机器人将所述基板搬入所述高压腔室以对所述基板处理之前进行第一操作和第二操作，所述第一操作是打开所述第一阀并关闭所述第二阀及所述第三阀，所述第二操作是关闭所述第一阀及所述第二阀并打开所述第三阀以排出所述供应管线内的残存工艺流体。
2.一种用于处理基板的装置，该装置包括：
液体处理腔室，所述液体处理腔室通过向所述基板供应液体而对基板进行处理；
高压腔室，所述高压腔室提供利用工艺流体来进行处理所述基板的工艺的处理空间；
流体供应源，所述流体供应源向所述高压腔室提供所述工艺流体；
供应管线，所述供应管线连接所述高压腔室与所述流体供应源；
第一阀及第二阀，所述第一阀及所述第二阀沿着从所述流体供应源到所述高压腔室的方向依次安装在所述供应管线上；
分支管线，所述分支管线在所述第一阀与所述第二阀之间从所述供应管线分支并与排出管线连接；
第三阀，所述第三阀安装在所述分支管线上；
排出单元，所述排出单元将所述高压腔室内的所述工艺流体排出；
搬送机器人，所述搬送机器人在所述液体处理腔室和所述高压腔室之间搬送基板；和
控制器；
其中所述控制器被配置成在所述搬送机器人将所述基板搬入所述高压腔室以对所述基板处理之前进行第一操作和第二操作，所述第一操作是打开所述第一阀和第二阀并关闭所述第三阀，所述第二操作是关闭所述第一阀及所述第二阀并打开所述第三阀以排出所述供应管线内的残存工艺流体。
3.根据权利要求1或2所述的用于处理基板的装置，其中，所述控制器被配置成多次进行所述第一操作和所述第二操作。
4.根据权利要求1或2所述的用于处理基板的装置，其中，所述控制器被配置成在所述基板在所述液体处理腔室中进行处理期间进行所述第一操作和所述第二操作。
5.根据权利要求1或2所述的用于处理基板的装置，其中，根据所述第三阀的打开，所述供应管线的内压减压至大气压。
6.根据权利要求1或2所述的用于处理基板的装置，其中，在所述高压腔室中通过使用超临界相中的所述工艺流体来处理所述基板。
7.根据权利要求1或2所述的用于处理基板的装置，其中，所述工艺流体为二氧化碳。
8.根据权利要求1或2所述的用于处理基板的装置，其中，所述流体供应源向所述高压腔室以超临界相供应所述工艺流体。
9.一种利用用于处理基板的装置来处理基板的方法，所述用于处理基板的装置包括：
液体处理腔室，所述液体处理腔室通过向所述基板供应液体而对基板进行处理；
高压腔室，所述高压腔室提供利用工艺流体来进行处理所述基板的工艺的处理空间；
流体供应源，所述流体供应源向所述高压腔室提供所述工艺流体；
供应管线，所述供应管线连接所述高压腔室与所述流体供应源；
第一阀及第二阀，所述第一阀及所述第二阀沿着从所述流体供应源到所述高压腔室的方向依次安装在所述供应管线中；
分支管线，所述分支管线在所述第一阀与所述第二阀之间从所述供应管线分支并与排出管线连接；
第三阀，所述第三阀安装在所述分支管线中；
排出单元，所述排出单元将所述高压腔室内的所述工艺流体排出；
搬送机器人，所述搬送机器人在所述液体处理腔室和所述高压腔室之间搬送基板，并且
其中所述方法在所述搬送机器人将所述基板搬入所述高压腔室以对所述基板处理之前进行第一操作和第二操作，所述第一操作是打开所述第一阀并关闭所述第二阀及所述第三阀，所述第二操作是关闭所述第一阀及所述第二阀并打开所述第三阀以排出所述供应管线内的残存工艺流体。
10.一种利用用于处理基板的装置来处理基板的方法，所述用于处理基板的装置包括：
液体处理腔室，所述液体处理腔室通过向所述基板供应液体而对基板进行处理；
高压腔室，所述高压腔室提供利用工艺流体来进行处理所述基板的工艺的处理空间；
流体供应源，所述流体供应源向所述高压腔室提供所述工艺流体；
供应管线，所述供应管线连接所述高压腔室与所述流体供应源；
第一阀及第二阀，所述第一阀及所述第二阀沿着从所述流体供应源到所述高压腔室的方向依次安装在所述供应管线上；
分支管线，所述分支管线在所述第一阀与所述第二阀之间从所述供应管线分支并与排出管线连接；
第三阀，所述第三阀安装在所述分支管线上；
排出单元，所述排出单元将所述高压腔室内的所述工艺流体排出；
搬送机器人，所述搬送机器人在所述液体处理腔室和所述高压腔室之间搬送基板，并且
其中所述方法在所述搬送机器人将所述基板搬入所述高压腔室以对所述基板处理之前进行第一操作和第二操作，所述第一操作是打开所述第一阀和第二阀并关闭所述第三阀，所述第二操作是关闭所述第一阀及所述第二阀并打开所述第三阀以排出所述供应管线内的残存工艺流体。
11.根据权利要求9或10所述的方法，其中，多次进行所述第一操作和所述第二操作。
12.根据权利要求9或10所述的方法，其中，在所述液体处理腔室中对所述基板进行处理的期间进行所述第一操作和所述第二操作。
13.根据权利要求9或10所述的方法，其中，所述工艺流体为二氧化碳。
CN202011630293.3A 2019-12-31 2020-12-31 用于处理基板的装置及用于处理基板的方法 Pending CN113130352A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190179294A KR102341173B1 (ko) 2019-12-31 2019-12-31 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR10-2019-0179294 2019-12-31

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113130352A true CN113130352A (zh) 2021-07-16

Family

ID=76545615

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011630293.3A Pending CN113130352A (zh) 2019-12-31 2020-12-31 用于处理基板的装置及用于处理基板的方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20210202271A1 (zh)
JP (1) JP7236428B2 (zh)
KR (1) KR102341173B1 (zh)
CN (1) CN113130352A (zh)
TW (1) TWI769623B (zh)

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100929364B1 (ko) 2003-05-26 2009-12-02 주식회사 케이씨텍 초임계 세정장치 및 방법
JP2007175559A (ja) * 2005-12-27 2007-07-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 高圧処理装置および高圧処理方法
JP2007234862A (ja) * 2006-03-01 2007-09-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 高圧処理装置および高圧処理方法
JP5146522B2 (ja) * 2010-11-26 2013-02-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP5522124B2 (ja) * 2011-06-28 2014-06-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
KR101536724B1 (ko) * 2012-05-31 2015-07-16 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US9275852B2 (en) * 2012-05-31 2016-03-01 Semes Co., Ltd. Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR20170133694A (ko) * 2016-05-26 2017-12-06 세메스 주식회사 유체 공급 유닛, 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법
KR101964655B1 (ko) 2016-06-02 2019-04-04 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법

Also Published As

Publication number Publication date
TW202126397A (zh) 2021-07-16
KR20210086872A (ko) 2021-07-09
JP2021111786A (ja) 2021-08-02
JP7236428B2 (ja) 2023-03-09
KR102341173B1 (ko) 2021-12-21
US20210202271A1 (en) 2021-07-01
TWI769623B (zh) 2022-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10109506B2 (en) Unit for supplying fluid, apparatus and method for treating substrate with the unit
KR101536724B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102030056B1 (ko) 챔버 세정 방법, 기판 처리 방법, 그리고 기판 처리 장치
KR102656997B1 (ko) 기판 처리 장치의 파티클 제거 방법 및 기판 처리 장치
KR102586053B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101736845B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11842903B2 (en) Apparatus for treating substrate and method for treating substrate
CN115176335A (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
CN113130352A (zh) 用于处理基板的装置及用于处理基板的方法
KR20200044240A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR102278629B1 (ko) 기판 처리 장치
KR100801660B1 (ko) 반도체 제조 설비의 압력 밸런스를 조절하기 위한 압력 제어 시스템 및 그 방법
JP4891730B2 (ja) 液処理装置及び液処理方法並びに液処理プログラム
KR20210064925A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 처리 방법
CN110767574B (zh) 用于处理基板的设备和方法
KR102609394B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102640149B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP7406601B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
US20220367213A1 (en) Apparatus for treating substrate
KR102606621B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102211779B1 (ko) 기판 처리 방법
KR102278084B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20240034713A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN116387136A (zh) 用于处理基板的设备及用于处理基板的方法
KR20230022354A (ko) 파티클 안정화 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination