KR20190003107A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20190003107A
KR20190003107A KR1020170083601A KR20170083601A KR20190003107A KR 20190003107 A KR20190003107 A KR 20190003107A KR 1020170083601 A KR1020170083601 A KR 1020170083601A KR 20170083601 A KR20170083601 A KR 20170083601A KR 20190003107 A KR20190003107 A KR 20190003107A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
pressure
vent line
fluid
substrate processing
Prior art date
Application number
KR1020170083601A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102158232B1 (ko
Inventor
강병주
김동민
Original Assignee
주식회사 케이씨텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 케이씨텍 filed Critical 주식회사 케이씨텍
Priority to KR1020170083601A priority Critical patent/KR102158232B1/ko
Priority to CN201820127011.XU priority patent/CN207993814U/zh
Publication of KR20190003107A publication Critical patent/KR20190003107A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102158232B1 publication Critical patent/KR102158232B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은, 기판 처리 공정이 완료되고 챔버 외부로 배출되는 유체의 압력을 조절하여 안정적인 유체 배출을 진행하고, 챔버 내부의 압력을 유지하여 상변화에 의한 챔버 내부의 오염을 방지할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공함에 그 목적이 있다.
이를 구현하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치는, 기판을 수용하여 처리하는 챔버에 연결되어 상기 챔버 내부의 유체를 배출하는 벤트라인과, 상기 벤트라인에 구비되어 상기 챔버 내부의 압력을 단계적으로 조절하는 압력조정부를 포함하여 구성된다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND THE METHODE THEREOF}
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기판을 수용하여 처리하는 챔버 내부의 압력을 조절하여 안정적인 유체 배출을 진행하기 위한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
물질은 임계점(supercritical point)이라고 불리는 일정한 고온·고압의 한계를 넘으면 기체와 액체의 구별을 할 수 없는 상태인 임계상태가 되는데, 이 상태에 있는 물질을 초임계유체라고 한다.
초임계유체는 분자의 밀도 변화가 큰 특징을 가진다. 분자의 밀도는 액체에 가깝지만, 점성도는 낮아 기체에 가깝기 때문이다. 또 기체처럼 확산이 빨라 열전도성이 물만큼이나 높지만, 액체처럼 용매로 사용되어 용질 주변의 용매 농도가 극히 높아지는 특이한 성질을 가지고 있고, 표면장력의 영향을 받지 않는다. 따라서 초임계 유체는 화학반응에 아주 유용하며 혼합물에서 특정 성분을 추출·분리하는 성질이 강해 여러 분야에서 활용되고 있고, 특히 임계온도가 상온에 비교적 가까우며 비극성 물질인 초임계 이산화탄소의 활용도가 높다.
반도체 소자를 제조하기 위한 다양한 단위공정에서도 초임계 유체가 다방면으로 활용된다. 특히, 최근 반도체 소자의 디자인 룰(design rule)이 지속적으로 감소하여 미세구조 패턴이 주를 이루면서 패턴의 종횡비(Aspect Ratio)가 급격히 증가하고 있어, 식각공정이나 세정공정과 같은 습식 공정이 완료된 후 약액을 건조하는 과정에서 발생하는 패턴 무너짐(Pattern leaning) 현상의 해결 방법으로 초임계 유체가 이용되고 있다.
도 1을 참조하여 상기 패턴 무너짐 현상을 설명한다.
패턴 무너짐 현상은, 패턴(P)이 형성된 기판(W) 상에 약액(C)이 공급되고(1-1), 공급된 약액(C)이 건조되는 과정에서 패턴(P) 사이사이에 불규칙하게 잔존하는 약액의 표면장력으로 인한 라플라스 압력(Laplace Pressure)이 발생하여(1-2), 패턴(P)간에 브리지(B)가 형성되고(1-3), 공급된 약액(C)이 모두 건조되어도 패턴(P) 간의 흡착력(Adhesive Energy)으로 인해 복원되지 않은 채 패턴(P)이 붕괴되는(1-4) 공정 불량 현상이다.
초임계 유체는 세정과 린스 공정을 거친 기판상에 공급되어 패턴 무너짐 현상이 일어나기 전에 기판을 빠르게 건조시키는 역할을 하며 초임계 이산화탄소가 주로 사용된다. 린스액으로는 순수(DI)가 주로 사용되는데, 초임계 이산화탄소는 비극성 물질이므로 극성 물질인 순수와 반응하지 않는다.
상기 초임계 이산화탄소와의 반응을 촉진시키기 위하여, 이소프로필알코올(IPA)을 기판 상에 공급하여 순수를 이소프로필알코올(IPA)로 치환시킨다. 즉, 기판상에 공급되는 초임계 이산화탄소는 이소프로필알코올과 반응하여 초임계 혼합물을 이루고 기판으로부터 분리되어 빠른 속도로 기판을 건조한다.
초임계 유체를 지속적으로 공급하며 기판을 건조하면, 챔버 내부의 초임계 혼합물의 농도가 점점 높아지며 고압 상태가 되므로, 챔버 내부의 압력을 낮추기 위해 부분적인 초임계 혼합물의 배출이 반복적으로 진행되고, 이후 건조공정을 마친 후에는 챔버 내부의 초임계 혼합물을 완전히 배출시키는 단계가 수행된다.
챔버 내부의 초임계 혼합물의 배출은 벤트라인(Vent Line)을 통해 이루어지는데, 고온 고압의 챔버 내부로부터 초임계 혼합물이 배출되면서 압력의 변화가 심해 상변화와 빙결 등의 문제가 발생할 수 있으므로 이를 방지하기 위한 단계적인 감압장치와 감압방법이 필요하다.
상기 단계적인 감압장치와 감압방법이 나타난 종래 기술은 대한민국 등록특허 제10-1074460호에 개시되어 있다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술을 보완하기 위하여 안출된 것으로서, 기판 처리 공정이 완료되고 챔버 외부로 배출되는 유체의 압력을 조절하여 안정적인 유체 배출을 진행하기 위한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공함에 그 목적이 있다.
또한, 기판을 수용하여 처리하는 챔버 내부의 압력을 유지하여 상변화에 의한 챔버 내부의 오염을 방지하고자 함에 그 목적이 있다.
상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명은, 기판을 수용하여 처리하는 챔버에 연결되어 상기 챔버 내부의 유체를 배출하는 벤트라인과, 상기 벤트라인에 구비되어 상기 챔버 내부의 압력을 단계적으로 감압하는 압력조정부를 포함하여 구성된다.
상기 압력조정부는 상기 챔버 내부의 압력을 측정하는 압력감지부와 상기 벤트라인의 개폐를 조절하는 제어부를 포함하여 구성되며, 상기 챔버 내부의 압력을 단계적으로 감압하는 역할을 하도록 한다.
상기 압력조정부에는 레귤레이터가 더 포함되어, 상기 제어부가 상기 레귤레이터를 제어함으로써 상기 벤트라인의 개폐를 조절한다.
또한, 상기 벤트라인은, 기판 처리 공정 중 상기 챔버 내부로부터 배출되는 유체를 제어하는 벤트라인과, 기판 처리 공정이 완료된 후 상기 챔버 내부로부터 배출되는 유체를 제어하는 벤트라인으로 나누어 구성될 수 있다.
전자는 상기 챔버 내부의 압력을 적절하게 유지하는 기능을 하고, 후자는 상기 챔버 내부 압력을 단계적으로 감압시키는 기능을 한다.
또한, 기판 처리 공정이 완료된 후 상기 챔버에 불활성 가스를 공급하여 상기 챔버 내부의 잔존 유체의 상변화를 방지할 수 있고, 상기 불활성 가스는 상기 챔버가 개방된 후에도 공급되어 상기 챔버 내부의 오염을 예방할 수 있다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 의하면, 기판 처리 공정이 완료되고 챔버 외부로 배출되는 유체의 압력을 조절하여 유체를 안정적으로 배출할 수 있다.
또한, 기판을 수용하여 처리하는 챔버 내부의 압력을 유지하여 상변화에 의한 챔버 내부의 오염을 방지할 수 있다.
도 1은 기판 처리 공정에서 발생하는 패턴 무너짐 현상을 설명하기 위한 도면.
도 2는 본 발명에 의한 기판 처리 장치의 개략적인 구성도.
도 3은 본 발명에 의해 유체 배출 압력을 조절하는 네 개의 벤트라인을 구비한 기판 처리 장치의 개략적인 구성도.
도 4는 본 발명에 의해 불활성기체를 이용하는 기판 처리 장치의 개략적인 구성도.
도 5는 본 발명에 의한 기판 처리 방법의 순서도.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 일실시예에 의한 기판 처리 장치는, 도 2에 나타난 바와 같이, 기판(W)을 수용하여 처리하는 챔버(100)에 연결되어 상기 챔버(100) 내부의 유체를 배출하는 벤트라인(V)과, 상기 벤트라인(V)에 구비되어 상기 챔버(100) 내부의 압력을 단계적으로 조절하는 압력조정부(200)를 포함하여 구성된다.
상기 압력조정부(200)는, 상기 챔버(100) 내부의 압력을 측정하는 압력감지부(210)와, 상기 밸브의 개폐를 조절하는 압력제어부(220)를 포함한다.
상기 기판(W)은, 반도체 기판이 되는 실리콘 웨이퍼일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 기판(W)은 LCD(liquid crystal display), PDP(plasma display panel)와 같은 평판 디스플레이 장치용으로 사용하는 유리 등의 투명 기판일 수 있다. 또한, 상기 기판(W)은 형상 및 크기가 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 원형 및 사각형 플레이트 등 실질적으로 다양한 형상과 크기를 가질 수 있다.
상기 기판(W)을 처리하는 기판 처리 공정에서, 상기 챔버(100)에 공급되는 공급유체는 초임계유체일 수 있다. 상기 초임계유체는 상기 기판(W)에 선 공급되는 약액의 종류에 대응하여 구비될 수 있다. 상기 기판(W)에 선 공급되는 약액으로는, 에틸글리콜(ethyl glycol), 1-프로파놀(propanol), 테트라하이드로프랑(tetrahydraulic franc), 4-하이드록시(hydroxyl), 4-메틸(methyl), 2-펜타논(pentanone), 1-부타놀(butanol), 2-부타놀, 메탄올(methanol), 에탄올(ethanol), 디메틸에틸(dimethylether), n-프로필알코올(n-propyl alcohol) 등이 있다. 이에 대응하여 상기 유기약액을 제거하기 위한 초임계유체는 초임계 이산화탄소(SCCO2), 물(H2O), 메탄(CH4), 에탄(C2H6), 프로판(C3H8), 에틸렌(C2H4), 프로필렌(C2H2), 메탄올(C2H3OH), 에탄올(C2H5OH), 육불화황(SF6), 아세톤(C3H8O) 등이 있다.
상기 압력감지부(210)는 상기 챔버(100) 내부의 압력을 측정하고, 압력 측정값을 상기 압력제어부(220)에 전달한다.
상기 압력제어부(220)에는 기판 처리 공정 진행을 유지하기에 적절한 상기 챔버(100) 내부 압력이 설정되어, 상기 챔버(100) 내부에서 기판 처리 공정이 진행중인 경우, 상기 챔버(100) 내부의 압력이 상기 설정된 압력값을 유지하도록 상기 벤트라인(V)의 개폐를 제어한다.
또한, 기판 처리 공정이 완료된 경우, 상기 압력제어부(220)는 상기 챔버(100) 내부의 압력이 상압(atmospheric pressure)이 될 때까지 안정적인 감압이 이루어지도록 하고, 상기 챔버(100) 내부의 압력이 상압이 되면 상기 공정 완료 유체를 완전히 배출하도록 상기 벤트라인(V)의 개폐를 제어한다.
상기 벤트라인(V)에는 밸브(240)가 더 구비되어 상기 벤트라인(V)의 개폐를 보조하는 역할을 하도록 할 수 있다.
또한, 상기 벤트라인(V)에는 레귤레이터(230)가 더 구비될 수 있다.
상기 압력제어부(220)는 상기 레귤레이터(230)에 연결되어, 상기 압력감지부(210)의 압력 측정값에 따라 상기 벤트라인(V)의 개폐 정도를 제어함으로써, 상기 벤트라인(V)을 통해 상기 챔버(100) 내부의 유체가 적절한 유량과 압력으로 배출되도록 한다.
상기 벤트라인(V)은, 도 3에 나타난 바와 같이, 제1벤트라인(V1), 제2벤트라인(V2), 제3벤트라인(V3) 제4벤트라인(V4)으로 이루어질 수 있다.
상기 제1벤트라인(V1)과 상기 제2벤트라인(V2)은, 각각 제1레귤레이터(231)와 제1밸브(241), 제2레귤레이터(232)와 제2밸브(242)를 포함하여 구성될 수 있으며, 상기 기판(W)의 처리 공정이 진행중인 챔버(100) 내부의 유체를 배출하여 상기 챔버(100) 내부의 압력을 유지하는 역할을 한다.
상기 압력제어부(220)에는 상기 제1벤트라인(V1)의 압력 상한선과 압력 하한선이 입력되고, 상기 압력제어부(220)는 상기 제1레귤레이터(231)를 제어한다.
상기 압력감지부(210)에서 측정되는 압력이 상기 압력 상한선까지 상승하면, 상기 제1밸브(241)가 열리고, 상기 챔버(100) 내부의 유체는 상기 제1레귤레이터(231)에 의해 개폐 정도가 조절된 제1벤트라인(V1)을 통해 배출된다.
상기 압력감지부(210)에서 측정되는 압력이 상기 압력 하한선까지 떨어지면, 상기 제1밸브(241)가 닫혀 상기 챔버(100) 내부의 유체 배출이 중단된다. 이후, 상기 압력감지부(210)에서 측정되는 압력이 상기 압력 상한선에 도달할 때마다 상기 유체 배출 과정을 반복하여 상기 챔버(100)의 내부 압력을 유지한다.
상기 챔버(100)에 대한 유체 공급은 상기 챔버(100) 내부의 유체 배출이 이루어지는 동안 중단될 수 있으며, 상기 압력감지부(210)에서 측정되는 압력이 상기 압력 하한선에 도달하면 다시 공급이 시작되도록 할 수 있다.
상기 압력제어부(220)에는 상기 제2벤트라인(V2)의 압력 상한선과 압력 하한선이 입력되어 상기 챔버(100) 내부의 유체 배출 과정이 수행된다.
상기 제1벤트라인(V1)과 상기 제2벤트라인(V2)의 압력 상한선과 압력 하한선은 상이한 압력 범위로 설정되어, 경우에 따라 상기 제1벤트라인(V1) 또는 상기 제2벤트라인(V2) 중 하나를 선택하여 상기 챔버(100) 내부의 유체 배출이 진행되도록 할 수 있다.
또한, 상기 제1레귤레이터(231)와 상기 제2레귤레이터(232)의 배출 압력에 차등을 두어 경우에 따라 상기 제1벤트라인(V1) 또는 상기 제2벤트라인(V2) 중 하나를 선택하여 상기 챔버(100) 내부의 유체 배출이 진행되도록 할 수 있다.
상기 제3벤트라인(V3)과 상기 제4벤트라인(V4)은, 각각 제3레귤레이터(233)와 제3밸브(243), 제4레귤레이터(234)와 제4밸브(244)를 포함하여 구성될 수 있으며, 기판 처리 공정이 완료된 상기 챔버(100) 내부의 유체를 완전히 배출하는 역할을 한다.
상기 챔버(100) 내부에서 상기 기판 처리 공정이 완료되면, 상기 제3밸브(243)가 열려 상기 챔버(100) 내부의 유체가 상기 제3레귤레이터(233)에 의해 조절된 압력으로 상기 제3벤트라인(V3)을 통해 배출된다. 상기 제3벤트라인(V3)은 상기 챔버(100) 내부의 압력이 상압이 될 때까지 상기 챔버(100) 내부의 유체를 소량씩 배출하며 점진적으로 감압시킨다.
상기 챔버(100) 내부의 압력이 상압이 되면, 상기 제4밸브(244)가 열려 상기 챔버(100) 내부에 잔존하는 유체가 상기 제4레귤레이터(234)에 의해 조절된 배출 압력으로 상기 제2벤트라인(V4)을 통해 완전히 배출된다. 이때 상기 챔버(100) 내부와 외부의 압력차가 없으므로, 상기 제4벤트라인(V4)을 통과하는 유량과 배출 압력에 제한이 없을 수 있고, 상기 제4레귤레이터(234)는 상기 제4벤트라인(V4)의 구성에서 제외될 수 있다.
또한, 도 3에 나타난 바와 같이, 상기 챔버(100) 내부에 유체를 공급하는 공급라인(I)에는 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급라인(Ia)이 더 구비될 수 있다.
기판 처리 공정 완료 후, 상기 챔버(100) 내부의 유체가 배출되므로 상기 챔버(100) 내부의 압력이 급격하게 변화되고, 이때 상기 챔버(100) 내부의 잔존 유체가 상변화하여 상기 챔버(100) 내부를 오염시키는 현상이 발생할 수 있다.
이를 방지하기 위한 구성으로, 상기 불활성 가스는 기판 처리 공정 완료 후에 상기 챔버(100) 내부에 공급되며, 상기 챔버(100) 내부의 압력을 높임으로써 상기 잔존 유체의 상변화를 방지하고 상기 챔버(100) 내부의 오염을 최소화시키는 역할을 한다.
또한, 상기 불활성 가스는, 상기 잔존 유체가 모두 배출된 후 상기 챔버(100)를 개방하는 단계에서 상기 챔버(100) 내부에 공급되어 상기 챔버(100) 외부의 공기가 챔버(100) 내부로 유입되는 것을 차단함으로써, 상기 챔버(100) 외부의 공기가 상기 챔버(100) 내부를 오염시키는 것을 방지하는 역할을 한다.
상기 불활성 가스 공급라인(Ia)는 상기 공급라인(I)에 연결되도록 구비될 수 있으며, 상기 불활성 가스의 출입을 제어하는 불활성 가스 밸브(250)를 포함하여 구비될 수 있다.
상기 불활성 가스는 질소기체(N2)일 수 있다.
도 5를 참조하여 본 발명의 기판 처리 장치에 의한 기판 처리 방법에 대해 서술한다.
단계 S10은, 기판을 수용하여 처리하는 챔버(100) 내부에서 기판 처리 공정이 수행되는 단계이다.
초임계 유체를 이용하는 기판 처리 공정은 고압의 환경이 요구되므로, 공정이 진행될수록 상기 챔버(100) 내부의 압력이 높아지게 된다.
단계 S20은, 기판 처리 공정이 진행중인 상기 챔버(100) 내부의 압력을 유지하며 벤트라인(V)을 통해 상기 챔버(100) 내부의 유체를 배출하는 단계이다.
먼저, 압력감지부(210)에서 상기 챔버(100) 내부의 압력을 측정하고, 상기 측정값이 압력제어부(220)에 전달되면, 상기 압력제어부(220)가 상기 벤트라인(V)에 구비되는 레귤레이터(230)를 제어하여 상기 벤트라인(V)의 개폐 정도를 조절한다. 즉, 상기 챔버(100)로부터 배출되는 유체의 양과 압력을 조절한다.
상기 단계 S20은 기판 처리 공정이 진행되는 동안 반복해서 수행되어 상기 챔버(100) 내부의 압력이 적절하게 유지되도록 한다.
단계 S30은, 기판 처리 공정이 완료된 상기 챔버(100) 내부의 압력을 단계적으로 감압하며 상기 벤트라인(V)을 통해 상기 챔버(100) 내부의 유체를 배출하는 단계이다.
기판 처리 공정이 완료되면, 압력제어부(220)가 벤트라인(V)에 구비되는 레귤레이터(230)의 개폐 정도를 조절하여 상기 챔버로부터 배출되는 유체의 양과 압력을 제어하고 상기 챔버(100) 내부의 압력이 상압까지 단계적으로 감압되도록 한다.
상기 압력감지부(210)는 계속해서 상기 챔버(100) 내부의 압력을 측정하고 상기 압력제어부(220)에 전달하여 상기 챔버(100) 내부의 감압이 원활하게 이루어지도록 한다.
상기 챔버(100) 내부의 압력이 상압이 되면, 상기 벤트라인(V)을 완전히 개방하여 상기 챔버(100) 내부의 유체를 완전히 배출한다.
상기 단계 S30에는, 상기 챔버(100)에 불활성 가스를 공급하는 단계가 더 포함된다.
상기 불활성 가스의 공급으로 상기 챔버(100) 내부의 압력이 유지되고, 상기 챔버(100) 내부에 잔존하는 상기 유체의 상변화가 방지되어, 상기 챔버(100) 내부의 오염을 최소화할 수 있다.
단계 S40은, 상기 잔존 유체의 배출이 완료되어 열린 상기 챔버(100)에 불활성 가스를 공급하는 단계이다.
상기 불활성 가스의 공급으로 상기 챔버(100) 외부의 공기가 상기 챔버(100) 내부에 유입되는 것을 차단시켜 상기 챔버(100) 내부의 오염을 방지할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구되는 본 발명의 기술적 사상에 벗어남 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 자명한 변형실시가 가능하며, 이러한 변형실시는 본 발명의 범위에 속한다.
W: 기판 100: 챔버
200: 압력조정부 210: 압력감지부
220: 압력제어부 V: 벤트라인
V1: 제1벤트라인 V2: 제2벤트라인
V3: 제3벤트라인 V4: 제4벤트라인
230: 레귤레이터 231: 제1레귤레이터
232: 제2레귤레이터 233: 제3레귤레이터
234: 제4레귤레이터 240: 밸브
241: 제1밸브 242: 제2밸브
243: 제3밸브 244: 제4밸브
I: 공급라인 Ia: 불활성 가스 공급라인
250: 불활성 가스 밸브

Claims (20)

  1. 기판을 수용하여 처리하는 챔버에 연결되어 상기 챔버 내부의 유체를 배출하는 벤트라인과;
    상기 벤트라인에 구비되어 상기 챔버 내부의 압력을 단계적으로 감압하는 압력조정부;
    를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 압력조정부는 상기 벤트라인을 통해 배출되는 상기 유체의 양과 압력을 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 압력조정부는,
    상기 챔버 내부의 압력을 측정하는 압력감지부와;
    상기 압력감지부에서 측정된 압력을 기준으로 상기 벤트라인의 개폐를 조절하는 제어부;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 압력조정부에는 상기 벤트라인을 통과하는 유체의 양과 압력을 조절하는 레귤레이터가 더 포함되고;
    상기 제어부는 상기 레귤레이터에 연결되어 상기 압력감지부의 측정값을 기준으로 상기 레귤레이터를 제어하는;
    것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 압력조정부에는 상기 벤트라인을 개폐하는 밸브가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서.
    상기 벤트라인은,
    상기 챔버 내부의 기판 처리 공정 중 상기 챔버 내부의 유체를 배출하는 제1벤트라인과 제2벤트라인, 상기 기판 처리 공정 완료 후 상기 챔버 내부의 유체를 배출하는 제3벤트라인과 제4벤트라인으로 이루어지는;
    것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서.
    상기 제3벤트라인에는 제3밸브와 제3레귤레이터가 구비되고;
    상기 챔버 내부에서 상기 기판 처리 공정이 완료되면 상기 제3밸브가 열리고;
    상기 챔버 내부의 압력이 상압이 될 때까지 상기 챔버 내부의 유체가 상기 제3레귤레이터에 의해 조절된 압력으로 상기 제3벤트라인을 통해 배출되는;
    것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서.
    상기 제4벤트라인에는 제4밸브가 구비되고;
    상기 챔버 내부의 압력이 상압이 되면 상기 제4밸브가 열리고;
    상기 챔버 내부의 유체가 상기 제4벤트라인을 통해 완전히 배출되는;
    것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제1항에 있어서.
    상기 챔버에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급라인이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 불활성가스는 N2인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 제9항에 있어서
    상기 불활성 가스 공급라인을 개폐하는 불활성 가스 밸브가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. a) 기판을 수용하여 처리하는 챔버 내부에서 기판 처리 공정이 수행되는 단계;
    b) 기판 처리 공정이 완료된 챔버 내부의 압력을 단계적으로 감압하는 단계;
    를 포함하는 기판 처리 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 b) 단계는, 벤트라인을 통해 배출되는 유체의 양과 압력을 조절을 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 b) 단계는,
    b-1) 기판 처리 공정이 완료되면, 압력감지부에서 측정한 상기 챔버 내부의 압력을 기준으로 압력제어부가 벤트라인에 구비되는 레귤레이터의 개폐 정도를 조절하여 상기 챔버로부터 배출되는 유체의 양과 압력을 제어하고 상기 챔버 내부의 압력이 상압까지 단계적으로 감압되도록 하는 단계;
    b-2) 상기 챔버 내부의 압력이 상압이 되면, 상기 벤트라인을 완전히 개방하여 상기 챔버 내부의 유체를 완전히 배출하는 단계;
    로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 단계 b)는, 상기 챔버에 불활성 가스를 공급하여 상기 챔버 내부의 압력을 유지하고 상기 챔버 내부에 잔존하는 상기 유체의 상변화를 방지하는 단계가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  16. a) 기판을 수용하여 처리하는 챔버 내부에서 기판 처리 공정이 수행되는 단계;
    b) 기판 처리 공정이 진행중인 상기 챔버 내부의 압력을 유지하며 벤트라인을 통해 상기 챔버 내부의 유체를 배출하는 단계;
    c) 기판 처리 공정이 완료된 상기 챔버 내부의 압력을 단계적으로 감압하며 벤트라인을 통해 상기 챔버 내부의 유체를 배출하는 단계;
    를 포함하는 기판 처리 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 단계 b)는,
    b-1) 압력감지부에서 상기 챔버 내부의 압력을 측정하는 단계;
    b-2) 상기 측정값이 압력제어부에 전달되는 단계;
    b-3) 압력제어부가 벤트라인에 구비되는 레귤레이터를 제어함으로써 상기 벤트라인의 개폐 정도를 조절하고, 상기 챔버로부터 배출되는 유체의 양과 압력을 조절함으로써 상기 챔버 내부의 압력을 유지하는 단계;
    로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 단계 c)는,
    c-1) 기판 처리 공정이 완료되면, 압력감지부에서 측정한 상기 챔버 내부의 압력을 기준으로 압력제어부가 벤트라인에 구비되는 레귤레이터의 개폐 정도를 조절하여 상기 챔버로부터 배출되는 유체의 양과 압력을 제어하고 상기 챔버 내부의 압력이 상압까지 단계적으로 감압되도록 하는 단계;
    c-2) 상기 챔버 내부의 압력이 상압이 되면, 상기 벤트라인을 완전히 개방하여 상기 챔버 내부의 유체를 완전히 배출하는 단계;
    로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  19. 제16항에 있어서,
    상기 단계 c)는, 상기 챔버에 불활성 가스를 공급하여 상기 챔버 내부의 압력을 유지하고 상기 챔버 내부에 잔존하는 상기 유체의 상변화를 방지하는 단계가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  20. 제 19항에 있어서,
    d) 상기 잔존 유체의 배출이 완료된 상기 챔버가 열리면 상기 챔버에 불활성 가스를 공급하여, 상기 챔버 외부의 공기가 상기 챔버 내부를 오염시키는 것을 방지하는 단계;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
KR1020170083601A 2017-06-30 2017-06-30 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 KR102158232B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170083601A KR102158232B1 (ko) 2017-06-30 2017-06-30 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN201820127011.XU CN207993814U (zh) 2017-06-30 2018-01-25 基板处理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170083601A KR102158232B1 (ko) 2017-06-30 2017-06-30 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190003107A true KR20190003107A (ko) 2019-01-09
KR102158232B1 KR102158232B1 (ko) 2020-09-21

Family

ID=63821864

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170083601A KR102158232B1 (ko) 2017-06-30 2017-06-30 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR102158232B1 (ko)
CN (1) CN207993814U (ko)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112687578A (zh) * 2019-10-18 2021-04-20 细美事有限公司 流体排出装置及具备其的基板处理系统、流体排出方法
CN113130352A (zh) * 2019-12-31 2021-07-16 细美事有限公司 用于处理基板的装置及用于处理基板的方法
KR20220001785A (ko) * 2020-06-30 2022-01-06 주식회사 케이씨텍 초임계 처리 시스템 및 그 방법
KR20220095322A (ko) * 2020-12-29 2022-07-07 세메스 주식회사 챔버 내 압력을 제어하기 위한 압력 조절 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20230051327A (ko) * 2021-10-08 2023-04-18 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 농도 측정 장치
US11887870B2 (en) 2020-12-28 2024-01-30 Semes Co., Ltd. Apparatus and method for supplying liquid

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008244420A (ja) * 2007-02-28 2008-10-09 Handotai Rikougaku Kenkyu Center:Kk 導電体の形成装置、導電体の形成方法、および半導体装置の製造方法
JP2012094848A (ja) * 2010-09-30 2012-05-17 Kisco Ltd 極微細構造体の乾燥処理装置および乾燥処理方法
KR20130134993A (ko) * 2012-05-31 2013-12-10 세메스 주식회사 기판 건조 장치 및 기판 건조 방법
KR20150062906A (ko) * 2013-11-29 2015-06-08 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008244420A (ja) * 2007-02-28 2008-10-09 Handotai Rikougaku Kenkyu Center:Kk 導電体の形成装置、導電体の形成方法、および半導体装置の製造方法
JP2012094848A (ja) * 2010-09-30 2012-05-17 Kisco Ltd 極微細構造体の乾燥処理装置および乾燥処理方法
KR20130134993A (ko) * 2012-05-31 2013-12-10 세메스 주식회사 기판 건조 장치 및 기판 건조 방법
KR20150062906A (ko) * 2013-11-29 2015-06-08 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112687578A (zh) * 2019-10-18 2021-04-20 细美事有限公司 流体排出装置及具备其的基板处理系统、流体排出方法
CN113130352A (zh) * 2019-12-31 2021-07-16 细美事有限公司 用于处理基板的装置及用于处理基板的方法
KR20220001785A (ko) * 2020-06-30 2022-01-06 주식회사 케이씨텍 초임계 처리 시스템 및 그 방법
US11887870B2 (en) 2020-12-28 2024-01-30 Semes Co., Ltd. Apparatus and method for supplying liquid
KR20220095322A (ko) * 2020-12-29 2022-07-07 세메스 주식회사 챔버 내 압력을 제어하기 위한 압력 조절 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20230051327A (ko) * 2021-10-08 2023-04-18 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 농도 측정 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR102158232B1 (ko) 2020-09-21
CN207993814U (zh) 2018-10-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20190003107A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US10197333B2 (en) Method and apparatus for drying substrate
US8709170B2 (en) Supercritical drying method for semiconductor substrate
TWI527111B (zh) 用於單一基板處理的蝕刻系統及方法
KR20190001754A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TWI623968B (zh) 使用液態二氧化碳以使半導體基板乾燥的方法及設備
JP6005702B2 (ja) 半導体基板の超臨界乾燥方法および基板処理装置
KR20190001350A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20100000682A1 (en) Processing system
US11534805B2 (en) Cleaning method and processing apparatus
US9527118B2 (en) System and method for treating a substrate
KR20190001222A (ko) 기판 처리용 챔버
CN108630571A (zh) 处理液供给装置、基板处理装置以及处理液供给方法
KR20190002060A (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
TWI807704B (zh) 基板處理方法以及基板處理裝置
TW201710634A (zh) 減壓乾燥裝置及減壓乾燥方法
KR102478743B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101048063B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
US20200292131A1 (en) Fluid supply apparatus
KR102442986B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20060129790A (ko) 기판 세정 건조 장치
TWI805281B (zh) 基板處理方法以及基板處理裝置
US20220390172A1 (en) Apparatus for treating substrate
KR102315708B1 (ko) 수증기 공급 방식의 포토레지스터 스트리퍼 및 그에 의한 포토레지스트 제거 방법
JP7441890B2 (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant