KR102442986B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 챔버에 유입된 공정유체를 가열하여 공정유체가 일정한 온도로 기판상에 공급되도록 하는 기판 처리 장치를 제공함에 그 목적이 있다.
이를 구현하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치는, 기판을 수용하여 처리하는 챔버와, 상기 챔버 내부에 구비되는 다공질 히터를 포함한다.

Description

기판 처리 장치{Apparatus for Treating Substrate}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 챔버에 공급되는 공정유체를 다공의 유로를 통해 가열하여 기판상에 공급함으로써 공정유체가 열 손실 없이 기판의 표면에 균일한 온도로 공급되도록 하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
최근 정보 통신 분야의 급속한 발달과, 컴퓨터와 같은 정보 매체의 대중화에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 또한, 그 기능적인 면에 있어서 반도체 장치의 소자 고집적화 경향에 따라 기판에 형성되는 개별 소자의 크기를 줄이면서 한편으로 소자 성능을 극대화시키기 위해 여러 가지 방법이 연구 개발되고 있다.
일반적으로 반도체 소자는 리소그래피(Lithography), 증착(Deposition) 및 식각(Etching), 감광제(Photoresist)의 도포(Coating), 현상(Develop), 세정 및 건조공정 등의 복수의 기판 처리를 반복적으로 진행하여 제조된다.
각 공정은 각각의 목적에 적합한 공정유체를 이용하여 이루어지며, 각 공정마다 적합한 공정 환경이 요구된다.
각 공정은 해당하는 공정 환경이 조성되는 챔버 또는 배스에 기판을 수용하여 이루어지는 것이 일반적이며, 외부 파티클의 유입을 방지하기 위해 밀폐된 챔버 내부에 기판을 수용하여 이루어질 수 있다.
각 공정을 수행하는 기판상에는 금속 불순물, 유기물 등의 파티클이 잔존하게 되는데, 이와 같은 오염물질은 기판의 공정 불량을 일으키고 제품의 수율 및 신뢰성에 악영향을 미치게 된다.
따라서 파티클을 제거하기 위해 각 공정의 완료시마다 반복적으로 수행되는 세정 및 건조공정이 매우 중요하게 다뤄지고 있다.
세정은 습식세정과 건식세정으로 분류될 수 있으며, 그 중에서도 습식세정이 반도체 제조분야에서 널리 이용되고 있다.
습식세정은 각각의 단계마다 오염물질에 맞는 화학물질을 사용하여 연속적으로 오염물질을 제거하는 방식으로, 산과 알칼리 용액 등의 공정유체를 다량 사용하여 기판에 잔류하는 오염물질을 제거하게 된다.
일반적으로 습식세정이 이루어지는 기판 처리 장치에는 오염물질의 효과적인 제거를 위해 고온의 환경이 조성되며, 기판 처리 장치와 공정유체를 가열하는 히터가 구비된다.
도 1을 참조하여 종래 기술에 의한 기판 처리 장치에 대해 설명한다.
종래 기술에 의한 기판 처리 장치는, 기판(W)을 수용하여 처리하는 챔버(10)와, 상기 챔버(10) 내부에 공정유체를 공급하는 유체공급부(20)와, 상기 유체공급부(20)를 가열하여 상기 공정유체를 가열하는 히터(31,32)를 포함한다.
상기 유체공급부(20)에는, 상기 공정유체를 보관하는 유체공급탱크(21)와, 상기 챔버(10)의 포트(11)와 상기 유체공급탱크(21)를 연결하는 유체공급로(22)가 포함된다.
상기 히터(31,32)는 상기 유체공급탱크(21)에 구비되는 공급탱크히터(31)와 상기 유체공급로(22)에 구비되는 공급로히터(32)로 이루어진다.
상기 공정유체는 상기 유체공급탱크(21)에서 상기 공급탱크히터(31)에 의해 일차로 가열되고, 상기 유체공급로(22)를 따라 유동하며 상기 공급로히터(32)에 의해 이차로 가열된다.
상기 공정유체는 상기 포트(11)를 통해 상기 챔버(10) 내부에 유입되어 상기 기판(W)상에 분사된다.
상기 챔버(10) 내부는 챔버히터(33)에 의해 가열되어 적절한 기판 처리 환경이 형성되므로, 상기 공정유체는 일정 온도 이상의 고온을 유지하며 상기 기판(W)의 처리 공정을 수행할 수 있다.
그러나, 일반적으로 상기 포트(11)는 단일 포트로 구비되므로, 상기 포트(11)를 통해 분사되는 상기 공정유체가 균일한 유속과 유압으로 상기 기판(W)상에 도달하지 못해 상기 기판(W)을 균일하게 처리하는 데 어려움이 있었다.
또한, 상기 공정유체가 상기 챔버(10)에 유입되어 상기 기판(W)상에 공급될 때까지 다시 열손실이 발생할 수 있어, 상기 공정유체가 상기 기판(W)상에 일정한 온도로 도달하지 못해 상기 기판(W)을 균일하게 처리하는 데 어려움이 있었다.
상기한 바와 같은 기판 처리 장치에 대한 선행기술의 일례로 대한민국 공개특허 제10-2015-0064494호가 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 챔버에 유입된 공정유체를 가열하여 공정유체가 일정한 온도로 기판상에 공급되도록 하는 기판 처리 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 챔버 내부로 공급되는 공정유체가 균일한 유속과 유압으로 기판상에 도달하도록 하는 기판 처리 장치를 제공함에 그 목적이 있다.
상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치는, 기판을 수용하여 처리하는 챔버와, 상기 챔버 내부에 구비되는 다공질 히터를 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 유체공급부는 상기 공정유체를 보관하는 유체공급탱크와 상기 유체공급탱크와 상기 챔버를 연결하는 유체공급로로 이루어지고, 상기 유체공급탱크 내부의 상기 공정유체를 가열하는 공급탱크히터와, 상기 유체공급로 내부의 상기 공정유체를 가열하는 공급로히터가 더 구비될 수 있다.
상기 챔버에는 상기 챔버 내부 공간을 가열하는 챔버히터가 더 구비될 수 있다.
상기 다공질 히터는 상기 챔버에 유체공급부가 연결되는 포트와 상기 기판 사이에 위치하도록 구비될 수 있다.
상기 다공질 히터는 복수 개의 균일한 홀이 형성된 샤워헤드 형태로 이루어질 수 있으며, 전열선이 구비된 열판으로 이루어져, 제어부에서 상기 열판의 온도를 제어하도록 구성할 수 있다.
상기 다공질 히터는 복수 개 구비되며, 서로 이웃하는 상기 복수 개의 다공질 히터에 각각 형성되는 상기 홀은 서로 어긋나는 위치에 형성되어, 상기 복수 개의 다공질 히터를 통과하는 상기 공정유체의 유로가 지그재그 형태로 형성되도록 구성할 수 있다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 챔버 내부에 다공질 히터를 구비함으로써 기판상에 일정한 고온의 공정유체가 공급되어 균일한 기판 처리 공정이 이루어지도록 할 수 있다.
또한, 챔버 내부에 다공질 히터를 구비함으로써 기판상에 일정한 속도와 압력의 공정유체가 공급되어 균일한 기판 처리 공정이 이루어지도록 할 수 있다.
또한, 챔버 내부에 구비되는 다공질 히터의 온도를 조절할 수 있도록 하여 다공질 히터를 통과하는 공정유체가 설정된 특정 온도로 가열되도록 함으로써 기판 처리 공정의 효율을 높일 수 있다.
또한, 챔버 내부에 복수의 다공질 히터를 구비함으로써 가열 시간을 연장하여 기판상에 보다 일정한 속도와 압력의 공정유체가 공급되어 보다 균일한 기판 처리 공정이 이루어지도록 할 수 있다.
또한, 챔버 내부에 복수의 다공질 히터를 구비함으로써 가열 시간을 연장하여 기판상에 보다 일정한 고온의 공정유체가 공급되어 보다 균일한 기판 처리 공정이 이루어지도록 할 수 있다.
도 1은 종래 기술에 의한 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 보여주는 도면.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 챔버 내부에 다공질 히터가 구비된 기판 처리 장치를 보여주는 도면.
도 3은 도 2에 도시된 다공질 히터의 개략적인 구성을 보여주는 평면도.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유체공급부와 챔버 하단에 히터가 더 구비된 기판 처리 장치를 보여주는 도면.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 챔버 내부에 복수 겹의 다공질 히터가 구비된 기판 처리 장치를 보여주는 도면.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 의한 기판 처리 장치의 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2와 도 3을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치는, 기판(W)을 수용하여 처리하는 챔버(100)와, 상기 챔버(100) 내부에 구비되는 다공질 히터(400)를 포함하여 구성된다.
상기 기판(W)은 반도체 기판이 되는 실리콘 웨이퍼일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 기판(W)은 LCD(liquid crystal display), PDP(plasma display panel)와 같은 평판 디스플레이 장치용으로 사용하는 유리 등의 투명 기판일 수 있다. 상기 기판(W)의 형상 및 크기는 본 발명의 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 원형 및 사각형 플레이트 등 실질적으로 다양한 형상과 크기를 가질 수 있다.
상기 기판(W)에는, 상기 기판(W) 상의 오염물질을 제거하기 위한 액체 또는 기체 상태의 세정제가 공급된다. 세정제는 처리 대상이 되는 종류에 따라 복수의 세정제가 사용될 수 있다. 예를 들면, 레지스트를 제거하기 위해서는 유기용제, 질소(N2) 가스가 사용될 수 있다. 또한, 산화 실리콘(SiO)를 제거하기 위해서는 물, 불화수소(HF), 이소프로필 알코올(IPA) 및 질소(N2) 가스 등이 사용될 수 있다. 또한, 금속을 제거하기 위해서는 염산(HCl), 오존(O3), 질소(N2) 가스가 사용될 수 있다. 또한, 레지스트 이외의 유기물을 제거하기 위해서는 오존(O3), 질소(N2) 가스 가스를 사용할 수 있다. 이외에도, 그 밖의 파티클을 제거하기 위해서는 암모니아 가수(加水)(APM), 질소(N2) 가스, 또는 질소(N2) 가스 혹은 아르곤(Ar)을 사용할 수 있다. 또한, 불소(F), 염소(Cl), 암모니아(NH4)의 이온을 제거하기 위해서는 물, 이소프로필 알코올(IPA) 및 질소(N2) 가스를 사용할 수 있다.
상기 세정제가 공급된 상기 기판(W)에는 건조를 위한 건조제가 공급될 수 있다. 건조제는 상기 기판(W)상에 공급된 세정제의 종류에 대응하여 구비되며, 이산화탄소(CO2), 물(H2O), 메탄(CH4), 에탄(C2H6), 프로판(C3H8), 에틸렌(C2H4), 프로필렌(C2H2), 메탄올(C2H3OH), 에탄올(C2H5OH), 육불화황(SF6), 아세톤(C3H8O) 등의 초임계유체가 이용될 수 있다. 이하, 이러한 세정제 및 건조제를 통틀어 공정유체라 칭하기로 한다.
상기 챔버(100)는 상기 기판(W)의 처리에 요구되는 환경이 조성되는 밀폐된 공간을 제공하며, 상기 기판 처리 환경은 상기 기판(W)상에 공급되는 상기 공정유체의 종류에 따라 달라진다.
일례로, 초임계유체를 이용하는 기판 처리의 경우, 유체가 초임계 상태를 유지할 수 있도록 임계온도 이상의 고온과 임계압력 이상의 고압을 만족하는 기판 처리 환경이 요구된다.
상기 챔버(100)는 상기 기판 처리 환경을 견딜 수 있도록 소정의 두께를 갖는 높은 강성을 가진 재질로 구성되며, 온도와 압력의 변화를 견디기 위한 높은 내열성 및 내압성과, 유체에 반응하여 변질되거나 부식이 일어나 기판 처리 공정에 영향을 끼치지 않도록 내화학성 및 내식성을 가지는 재질로 구성된다.
상기 조건들을 만족하는 재질로는 스테인리스강(SUS)이 있다. 스테인리스강은 강성이 높고 내열성, 내식성, 내화학성이 우수하며 접근성이 좋고 경제적인 장점이 있어 상기 챔버(100)를 구성하는 데 가장 많이 이용되고 있는
상기 공정유체는 유체공급부(200)를 통해 상기 챔버(100) 내부에 공급된다.
상기 챔버(100)에는 상기 유체공급부(200)가 연결되는 포트(110)가 구비되어, 상기 공정유체가 상기 유체공급부(200)로부터 공급되어 상기 포트(110)를 통해 상기 챔버(100) 내부에 공급된다.
상기 포트(110)는 상기 챔버(100)의 상부에 구비되어, 상기 공정유체가 상기 챔버(100)의 상부로부터 하강하여 상기 기판(W)상에 공급되도록 할 수 있다.
상기 다공질 히터(400)에는 상기 챔버(100) 내로 공급되는 상기 공정유체를 상기 기판(W)으로 공급하는 유로(P1)가 구비된다.
도 3은 상기 다공질 히터(400)의 개략적인 구성을 나타낸 도면으로, 상기 다공질 히터(400)는 복수 개의 균일한 홀(h)이 형성된 샤워헤드 형태로 이루어질 수 있다.
상기 다공질 히터(400)는 전열을 열원으로 하는 히터일 수 있으며, 전열선이 구비된 일정 두께의 열판으로 이루어질 수 있다.
상기 홀(h)은 상기 열판에서 상기 전열선이 구비되지 않은 영역에 형성된다.
상기 다공질 히터(400)는 상기 포트(110)와 상기 기판(W) 사이에 위치하여, 상기 포트(110)를 통해 상기 챔버(100) 내부에 공급되는 상기 공정유체가 상기 복수 개의 홀(h)을 통과한 후 상기 기판(W) 상에 도달하게 된다.
상기 다공질 히터(400)에는 상기 열판의 온도를 조절하는 제어부가 연결되어, 상기 홀(h)을 통과하여 유동하는 상기 공정유체의 온도를 조절하여 일정 온도로 가열하도록 제어할 수 있다.
상기 챔버(100)에는 그 내부의 온도를 측정하는 온도측정부(미도시)가 구비될 수 있으며, 제어부는 상기 온도측정부의 측정값에 따라 상기 열판의 온도를 조절하도록 구비될 수 있다.
또한, 도 4에 나타난 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치에는 상기 유체공급부(200)와 상기 챔버(100)를 가열하는 히터(310,320,330)가 더 구비될 수 있다.
상기 유체공급부(200)는, 상기 공정유체를 보관하는 유체공급탱크(210)와, 상기 챔버(100)의 상기 포트(110)와 상기 유체공급탱크(210)를 연결하는 유체공급로(220)를 포함하여 구성된다.
상기 유체공급탱크(210)에는 내부에 보관되는 상기 공정유체를 가열하기 위한 공급탱크히터(310)가 구비되며, 상기 유체공급로(220)에는 내부를 유동하는 상기 공정유체를 가열하기 위한 공급로히터(320)가 구비된다.
또한, 상기 챔버(100)에는 내부에 유입된 공정유체를 가열하기 위한 챔버히터(330)가 구비된다.
상기 공정유체는 상기 유체공급탱크(210)에서 상기 공급탱크히터(310)에 의해 일차로 가열되고, 상기 유체공급로(220)를 따라 유동하며 상기 공급로히터(320)에 의해 이차로 가열되어 손실된 열기를 보충한 후, 상기 포트(110)를 통해 상기 챔버(100) 내로 유입된다.
상기 챔버(100)의 내부 공간으로 유입된 공정유체는 상기 챔버히터(330)에 의해 가열되어 챔버(100) 내부에 고온의 기판 처리 환경이 형성되며, 상기 챔버(100) 내로 유입된 상기 공정유체는 상기 다공질 히터(400)를 통과하며 삼차로 가열되어 일정한 고온 상태로 상기 기판(W)상에 공급될 수 있다.
상기 공정유체는 상기 복수 개의 홀(h)로 분산되어 상기 다공질 히터(400)를 통과하여 상기 기판(W)상에 공급되므로, 일정한 속도와 압력을 갖는 공정유체에 의해 기판(W)을 균일하게 처리하여 공정 불량을 방지할 수 있다.
또한, 상기 공정유체는 상기 다공질 히터(400)를 통과하며 일정 온도로 재가열된 직후에 상기 기판(W)상에 공급되므로, 상기 기판(W)을 일정한 온도로 균일하게 처리하여 공정 불량을 방지할 수 있다.
또한, 도 5를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치에는 복수 개의 다공질 히터(410,420)가 구비될 수 있다.
상기 복수 개의 다공질히터(410,420)는, 서로 이웃하는 상기 다공질 히터(410,420) 사이에 일정한 간격(d)을 두고 적층되는 형태로 구비될 수 있다.
상기 공정유체는 상기 복수 개의 다공질 히터(410,420) 사이 간격(d) 및 상기 복수 개의 다공질 히터(410,420)에 형성되는 복수 개의 홀(h1,h2)을 통과하여 유동하며 가열된다.
상기 복수 개의 다공질 히터(410,420)를 통과하는 상기 공정유체의 유로(P2)는, 전술한 도 2에 도시된 단일의 다공질 히터(400)를 통과하는 공정유체의 유로(P1)보다 길게 연장되므로, 가열 시간이 연장되어 상기 기판(W)상에 공급되는 상기 공정유체의 온도가 보다 균일하게 형성될 수 있다.
또한, 상기 공정유체는 상기 복수 개의 다공질 히터(410,420)를 통과하며 복수 회 분산된 후 상기 기판(W)상에 공급되므로, 상기 기판(W)상에 공급되는 상기 공정유체의 속도와 압력이 보다 균일하게 형성될 수 있다.
상기 복수 개의 다공질 히터(410,420)는 서로 이웃하는 제1 다공질 히터(410)와 제2 다공질 히터(420)를 포함하여 이루어진다.
상기 제1 다공질 히터(410)에는 복수 개의 제1홀(h1)이 형성되며, 상기 제2 다공질 히터(420)에는 복수 개의 제2홀(h2)이 형성되어, 상기 공정유체가 상기 제1 다공질 히터(410)의 상기 복수 개의 제1홀(h1)과 상기 제2 다공질 히터(420)의 상기 복수 개의 제2홀(h2)을 순차로 통과한 후 상기 기판(W)상에 도달한다.
이때, 상기 복수 개의 제1홀(h1)과 상기 복수 개의 제2홀(h2)은 서로 어긋나는 위치에 형성될 수 있으며, 이에 따라 상기 제1 다공질 히터(410)의 복수 개의 제1홀(h1)과 상기 제2 다공질 히터(420)의 복수 개의 제2홀(h2)을 통과하는 상기 공정유체의 유로(P2)가 지그재그 방향으로 형성된다.
이와 같은 유로(P2) 구성에 의하면, 상기 공정유체의 유로(P2)를 더욱 연장하여 가열 시간을 연장하고 상기 기판(W)상에 공급되는 상기 공정유체의 온도가 보다 균일하게 형성되도록 할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 기판 처리 장치에 의하면, 챔버(100) 내부에 다공질 히터(400)를 구비함으로써 기판(W)상에 일정한 속도와 압력의 공정유체가 공급되어 균일한 기판 처리 공정이 이루어질 수 있다.
또한, 상기 챔버(100) 내부에 상기 다공질 히터(400)를 구비함으로써 상기 기판(W)상에 일정한 고온의 공정유체가 공급되어 균일한 처리공정이 이루어지도록 할 수 있다.
또한, 상기 챔버(100) 내부에 구비되는 상기 다공질 히터(400)의 온도를 조절할 수 있도록 하여 상기 다공질 히터(400)를 통과하는 상기 공정유체가 설정된 특정 온도로 가열되도록 함으로써 기판 처리 공정의 효율을 높일 수 있다.
또한, 상기 챔버(100) 내부에 복수 층의 다공질 히터(410,420)를 구비함으로써 가열 시간을 연장하여 상기 기판(W)상에 보다 일정한 속도와 압력의 공정유체가 공급되어 보다 균일한 기판 처리 공정이 이루어지도록 할 수 있다.
또한, 상기 챔버(100) 내부에 상기 복수의 다공질 히터(410,420)를 구비함으로써 가열 시간을 연장하여 상기 기판(W)상에 보다 일정한 고온의 공정유체가 공급되어 보다 균일한 기판 처리 공정이 이루어지도록 할 수 있다.
본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구되는 본 발명의 기술적 사상에 벗어남 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 자명한 변형실시가 가능하고, 이러한 변형실시는 본 발명의 범위에 속한다.
W : 기판 100 : 챔버
110 : 포트 200 : 유체공급부
210 : 유체공급탱크 220 : 유체공급로
310 : 공급탱크히터 320 : 공급로히터
330 : 챔버히터 400 : 다공질 히터
410 : 제1 다공질 히터 420 : 제2 다공질 히터
P1 : 단일 다공질 히터를 통과하는 공정유체의 유로
P2 : 복수 개의 다공질 히터를 통과하는 공정유체의 유로

Claims (11)

  1. 기판을 수용하고 초임계유체인 공정유체를 이용하여 상기 기판을 처리하는 챔버; 및
    상기 챔버 내부에 구비되는 복수의 다공질 히터를 포함하고,
    상기 복수의 다공질 히터는,
    서로 이웃하는 상기 다공질 히터 사이에 일정한 간격을 두고 적층되고,
    서로 이웃하는 다공질 히터에 각각 형성되는 복수의 홀은 서로 어긋나는 위치에 형성되고,
    상기 공정유체는, 상기 복수의 다공질 히터의 복수의 홀을 통과하며 가열 시간이 연장되는, 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 다공질 히터는 상기 챔버내로 공급되는 공정유체를 상기 기판으로 공급하는 유로를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 복수의 다공질 히터는 상기 공정유체가 공급되는 포트와 상기 기판 사이에 위치하도록 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 포트는 상기 챔버의 상부에 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 다공질 히터는 샤워헤드 형태로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 복수의 다공질 히터는 전열선이 구비된 열판으로 이루어지고;
    상기 복수의 홀은 상기 열판에서 상기 전열선이 구비되지 않은 영역에 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 열판의 온도를 조절하는 제어부가 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 챔버 내부의 온도를 측정하는 온도측정부가 구비되고;
    상기 제어부는 상기 온도측정부의 측정값에 따라 상기 열판의 온도를 조절하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 삭제
  10. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 다공질 히터는, 서로 이웃하는 제1다공질 히터와 제2다공질 히터로 이루어지고;
    상기 제1다공질 히터와 상기 제2다공질 히터에 각각 형성되는 복수의 홀은 서로 어긋나는 위치에 형성되어, 상기 제1다공질 히터와 상기 제2다공질 히터를 순차로 통과하여 상기 기판상에 공급되는 상기 공정유체의 유로가 지그재그 방향으로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 챔버에는 상기 챔버 내부 공간을 가열하는 챔버히터가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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