KR20080061806A - 기판 표면처리장치 - Google Patents

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KR20080061806A KR1020060136928A KR20060136928A KR20080061806A KR 20080061806 A KR20080061806 A KR 20080061806A KR 1020060136928 A KR1020060136928 A KR 1020060136928A KR 20060136928 A KR20060136928 A KR 20060136928A KR 20080061806 A KR20080061806 A KR 20080061806A
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Abstract

본 발명은 기판 표면처리장치에 관한 것으로서, 특히, 피처리물인 기판이 위치하는 처리공간에 소스가스를 이온 또는 라디칼 형태로 분사하여 미반응된 소스가스의 양을 최소화 하는 기판 표면처리장치에 관한 것이다.
이를 위해, 본 발명은, 피처리물의 처리공간과, 상기 처리공간의 상부에 형성되어 외부로부터 공급된 반응가스를 플라즈마 반응시키는 플라즈마 발생부와, 상기 플라즈마 발생부의 하부에 형성되고, 외부로부터 공급된 소스가스를 플라즈마 반응시키고 하부에 형성된 다수의 분사홀을 통해 상기 반응가스 플라즈마와 상기 소스가스 플라즈마를 상기 처리공간으로 분사하는 샤워헤드를 포함하는 기판 표면처리장치를 제안한다.
반도체, 기판, 웨이퍼, 표면처리, 플라즈마

Description

기판 표면처리장치{SURFACE PROCESSING APPARATUS FOR SUBSTRATE}
도 1 및 도 2는 종래의 기판 표면처리장치를 나타낸 도면,
도 3 및 도 4는 본 발명의 제1실시예를 나타낸 도면,
도 5는 본 발명의 제2실시예를 나타낸 도면,
도 6은 본 발명의 제3실시예를 나타낸 도면,
도 7은 본 발명의 제4실시예를 나타낸 도면이다.
<도면의 주요부호에 대한 설명>
115 : 처리공간 120 : 기판 또는 웨이퍼
130 : 히터 140, 240, 340, 440, 540 : 샤워헤드
141, 241, 341, 541 : 샤워헤드 상판 142, 242, 342, 542 : 샤워헤드 하판
143, 243, 343, 443, 543 : 유도관 144, 244, 344, 544 : 소스가스홀
245, 345 : 소스가스 처리공간 346 : 열선
150 : 플라즈마 생성공간 160 : 제1 RF 전원공급부
170 : 배기구 210 : 제2 RF 전원공급부
201 : 접지 310 : 전원공급부
410 : 소스가스 플라즈마 공급원
본 발명은 기판 표면처리장치에 관한 것으로서, 특히, 처리공간에 소스가스를 플라즈마 형태(이온 또는 라디칼 상태)로 분사하여 미반응되는 소스가스의 양을 최소화하는 기판 표면처리장치에 관한 것이다.
건식 식각이나, 물리적 또는 화학적 기상 증착, 감광제 세정 및 기타 표면 처리 등의 단위 공정에 있어서, 플라즈마를 이용한 방법이 널리 이용되고 있다.
종래의 기판 표면처리장치의 예로 대한민국특허출원 제1997-33864호와 제2001-24902호에 소개된 것들이 있는데, 플라즈마 발생을 위해 ICP 안테나를 전극으로 사용하거나, CCP와 같이 평판을 전극으로 사용할 수 있다.
도 1은 일반적인 플라즈마를 이용한 박막증착장치(100)를 나타낸 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 플라즈마를 이용한 박막증착장치(100)는 저온에서 양질의 박막을 증착하기 위한 방법으로, 플라즈마 분사시 하부에 형성된 다수의 홀을 이용하는 샤워링(showering) 방식을 통해 소스가스와 반응가스와의 반응을 보다 활성화시킨다.
여기서, 박막증착장치(100)는 하부에 배기구(170)가 형성되고 내부 환경을 진공상태로 유지하는 챔버(110; chamber)와, 상기 챔버의 상부에 위치하며 하부에 다수의 분사홀을 형성하여 소스가스 공급부 및 반응가스 공급부로부터 공급된 소스가스 및 반응가스를 분사하는 샤워헤드(140)와, 상기 샤워헤드에 의해 분사되는 반응가스에 의해 활성화된 소스가스 이온이 박막으로 증착되는 웨이퍼 또는 기판(이 하, 기판)(120)을 지지함과 동시에 소정의 열원을 제공하는 히터(130)를 구비한다.
또한, 박막증착장치(100)는 상부에 소스가스 공급부 및 반응가스 공급부로부터 소스가스 및 반응가스가 공급되는 가스 공급구(미도시)를 형성한다.
또한, 박막증착장치(100)는 공급된 반응가스의 플라즈마 발생을 위해 플라즈마 발생부에 RF 전원 공급부(160)가 연결된다.
이와 같이 구성된 박막증착장치(100)에서, 기판(120) 상의 박막 증착 과정은 다음과 같다.
즉, 히터(130)가 열에너지를 공급하여 증착 대상인 기판(120)을 가열하고, 상부에 형성된 플라즈마 발생부에 고주파 전원이 인가되면, 반응가스는 플라즈마 반응된다. 이때, 플라즈마 상태의 반응가스가 소스가스를 활성화시켜 상기 샤워헤드에서 분사된 소스가스가 기판(120)상에 박막으로 증착된다.
도 2는 종래의 기판 표면처리장치에 대해 보다 구체적으로 나타내고 있는데, 상부에 위치하여 반응가스가 플라즈마 반응되는 플라즈마 발생부는 ICP(Inductive Coupled Plasma) 타입으로 이루어지고 있다. 여기서, 플라즈마 발생부는, RF 전원이 인가되는 ICP 타입 안테나와, 상기 ICP 방식에 의해 유입된 반응가스를 플라즈마 이온 상태로 변환시키는 플라즈마 생성공간(150)을 구비한다.
도 2에서 반응가스는 플라즈마 생성공간(150)으로 공급되어 플라즈마 반응되어 샤워헤드(140)에 형성된 다수의 유도관을 통해 기판(120)이 위치한 처리공간(115)으로 분사된다.
샤워헤드(140)는 다수의 유도관을 가지는 상판(141)과 상기 유도관이 관통되 고 상기 유도관이 관통되는 관통홀과는 별도로 다수의 소스가스홀이 형성된 하판(142)을 포함하여 이루어진다.
상기 상판(141)과 상기 하판(142) 사이에 소스가스를 수용하는 버퍼공간이 형성되며, 소스 가스 공급부(155)를 통해 상기 버퍼공간으로 소스가스가 공급된다. 버퍼공간에 공급된 소스가스는 소스가스홀을 통해 하부의 처리공간(115)으로 분사된다.
상기와 같은 상판(141)과 하판(142)은 다수의 홀을 가지는 원판과 같은 형태를 가진다.
종래의 표면처리장치는, 상부에 형성된 샤워헤드(140)에서 소스가스와 반응가스 이온을 함께 분사하는 구조로 된 것이 있는데, 그럴 경우 반응가스와 소스가스가 기판(120) 상부에서 가스 상태로 반응하거나 상기 기판(120) 표면에 약한 박막을 형성하는 문제를 갖는다.
또한, 종래의 표면처리장치는 박막 증착시 플라즈마 상태에서의 극성을 띤 전하에 의해 하부 박막에 플라즈마 데미지를 주는 문제를 가지기도 한다.
이러한 문제점을 해결하기 위해 원자층 증착 방법이 사용되고 있으나, 증착 속도가 떨어지는 단점이 있다.
또한, 위와 같은 종래의 표면처리장치는 반응가스만을 플라즈마 형태로 변환하였을 뿐, 소스가스는 플라즈마가 아닌 형태로 기판이 있는 처리공간에 분사되었다. 이후, 반응가스는 플라즈마 형태로 변환되어 반응성이 강한 라디칼 형태로 처리공간(115) 내로 유입되어, 소스가스를 화학적으로 분해한 후 결합하여 기판에 증 착되면서 절연막을 형성하고 있었다. 그러나, 이와 같은 종래의 구조에서는 처리공간(115) 내에 유입된 소스가스 중 미처 반응되지 못하는 부분이 존재하는 문제가 발생할 수 있었다.
본 발명은 전술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 소스가스를 처리공간으로 주입할 때 소스가스를 이온 또는 라디칼 상태로 변환시켜 주입하여 반응성을 향상시킬 수 있는 기판 표면처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
따라서, 반응성이 좋아지기 때문에 반응되지 못하고 남는 소스가스의 양을 최소화하고 증착, 세정 등의 표면처리효과를 향상시킬 수 있다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 기판 표면처리장치는, 피처리물의 처리공간; 상기 처리공간의 상부에 형성되어 외부로부터 공급된 반응가스를 플라즈마 반응시키는 플라즈마 발생부; 상기 플라즈마 발생부의 하부에 형성되고, 외부로부터 공급된 소스가스를 플라즈마 반응시키고 하부에 형성된 다수의 분사홀을 통해 상기 반응가스 플라즈마와 상기 소스가스 플라즈마를 상기 처리공간으로 분사하는 샤워헤드;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이를 통해 상기 표면처리장치는 반응가스와 소스가스를 각각 별도로 플라즈마 반응시키고 이를 피처리물이 위치하는 처리공간으로 분사하게 되는 것이다.
바람직하게는, 상기 샤워헤드에는 상기 소스가스를 플라즈마 반응시키기 위 한 고주파 전원공급부가 연결될 수 있다. 이에 따라 샤워헤드 내에서 소스가스가 플라즈마 반응된다.
또한, 상기 샤워헤드는, 상기 고주파 전원공급부와 연결되고, 상기 반응가스 플라즈마를 상기 처리공간으로 안내하는 다수의 유도관이 형성된 상판과, 상기 고주파 전원공급부의 접지와 연결되고, 상기 상판과 함께 소스가스의 플라즈마 생성공간을 형성하며, 상기 소스가스 플라즈마를 상기 처리공간으로 안내하는 다수의 소스가스홀이 형성된 하판을 포함하여 구성될 수 있다.
본 발명의 또 다른 형태는, 위와 같이 샤워헤드에 고주파 전원이 연결되는 대신 열선이 구비된다. 즉, 소스가스가 있는 공간에 열선을 통해 열을 공급하여 소스가스를 플라즈마 반응시킨다.
이와 같은 샤워헤드는, 상기 반응가스 플라즈마를 상기 처리공간으로 안내하는 다수의 유도관이 형성된 상판과, 상기 상판과 함께 상기 열선의 하부에 소스가스의 플라즈마 생성공간을 형성하며, 상기 소스가스 플라즈마를 상기 처리공간으로 안내하는 다수의 소스가스홀이 형성된 하판을 포함하여 구성될 수 있다.
또한, 본 발명의 또 다른 형태는, 샤워헤드 내에서 소스가스가 플라즈마 반응되는 것이 아니라, 외부의 소스가스 플라즈마 공급원으로부터 직접 공급된 소스가스 플라즈마가 처리공간으로 분사된다.
즉, 피처리물의 처리공간을 제공하는 처리공간; 상기 처리공간의 상부에 형성되어 외부로부터 공급된 반응가스를 플라즈마 반응시키는 플라즈마 발생부; 상기 플라즈마 발생부의 하부에 형성되고, 하부에 형성된 다수의 분사홀을 통해 상기 반 응가스 플라즈마를 상기 처리공간으로 분사하는 샤워헤드; 플라즈마 반응된 소스가스 플라즈마를 상기 처리공간으로 분사하는 소스가스 플라즈마 공급원을 포함하는 기판 표면처리장치를 제공한다.
또한, 본 발명의 또 다른 형태는, 외부에서 직접 소스가스 플라즈마 공급원을 통해 공급되나, 소스가스 플라즈마가 샤워헤드를 통해 처리공간으로 분사되도록 구성된다.
위와 같은 기판 표면처리장치는, 피처리물의 처리공간; 상기 처리공간의 상부에 형성되어 외부로부터 공급된 반응가스를 플라즈마 반응시키는 플라즈마 발생부; 상기 플라즈마 발생부의 하부에 형성되고, 하부에 형성된 다수의 분사홀을 통해 상기 반응가스 플라즈마를 상기 처리공간으로 분사하는 샤워헤드; 플라즈마 반응된 소스가스 플라즈마를 상기 처리공간으로 분사하는 소스가스 플라즈마 공급원을 포함하고, 상기 소스가스 플라즈마 공급원이 상기 샤워헤드와 연결되고, 상기 샤워헤드의 하부에 형성된 다수의 소스가스홀을 통해 상기 소스가스 플라즈마를 분사하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 샤워헤드는, 상기 다수의 분사홀과 연결되어 반응가스 플라즈마를 상기 처리공간으로 안내하는 다수의 유도관이 형성된 상판과, 상기 상판와 함께 상기 소스가스 플라즈마의 버퍼공간을 형성하며, 상기 소스가스 플라즈마를 상기 처리공간으로 안내하는 상기 다수의 소스가스홀이 형성된 하판을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하에서 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명 하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성요소는 동일한 참조번호를 부여하고, 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 여기서는 본 발명의 특징을 위주로 설명하고, 그 외의 구성은 이미 종래에 잘 알려지고 있는 것이므로 그 구체적인 설명은 생략한다.
먼저, 도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 기판 표면처리장치(200)를 나타낸 도면이고, 도 4는 도 3의 기판 표면처리장치(200) 중 샤워헤드(240)에 대한 구성을 보다 자세하게 나타낸 확대 단면도이다.
도 3 및 도 4에 도시되는 바와 같이, 샤워헤드(240)는 다수의 유도관(243)이 형성된 상판(241)과 다수의 소스가스홀(244)이 형성된 하판(242)을 포함하여 이루어진다. 상기 상판(241)과 하판(242) 사이에 공급된 소스가스가 수용되는 버퍼공간이 형성된다.
상기 상판(241)은 제2 RF 전원 공급부(210)에 연결되어 있고, 상기 하판(242)은 접지(201)와 연결되어 있다. 그리고, 상기 상판(241)과 하판(242)은 서로 절연되어 있다. 즉, 샤워헤드(240)는 상판(241)와 하판(242)으로 이루어지되, 상기 상판(241)과 하판(242) 사이에 소스가스가 공급되어 플라즈마 반응되는 소스가스 처리공간(245)이 형성되게 된다. 그리고, 상기 상판(241)는 제2 RF 전원 공급부(210)와 연결되고, 상기 하판(242)은 접지(201)에 연결된다. 여기서, 상기 상판(241)와 하판(242)은 서로 절연됨은 당연하다.
상기 샤워헤드(240) 상부에는, 제1 RF 전원공급부(160)에 연결되어 RF 전원이 인가되는 ICP 타입 안테나와, 상기 ICP 방식에 의해 유입된 반응가스를 플라즈 마 이온 상태로 변환시키는 플라즈마 생성공간(150) 등으로 이루어지는 플라즈마 발생부가 구비된다. 이와 같은 반응가스 플라즈마 발생부의 구성은 종래에 잘 알려진 CCP(Capacitor Coupling Plasma) 타입 또는 ICP(Inductive Coupled Plasma) 타입이 될 수 있다. 그리고, 그와 같은 구성은 종래에 이미 잘 알려지고 있으므로 상세한 설명은 생략하기로 한다. 참고로, 도 2의 종래 표면처리장치는 ICP 타입을 포함하고 있다.
한편, 외부로부터 공급되는 소스가스는 상판(241)과 하판(242) 사이에 형성된 버퍼공간으로 공급되어 플라즈마 반응된다, 즉 상기의 버퍼공간은 소스가스가 플라즈마 반응되는 소스가스 처리공간(245)이 되는 것이다. 이후, 소스가스 플라즈마는 하판(242)에 형성된 다수의 소스가스홀(244)을 통해 아래에 있는 처리공간(115)으로 분사된다.
이와 같은 표면처리장치(200)에서는, 반응가스는 샤워헤드(240) 상부의 플라즈마 생성공간(150)으로 공급되어 플라즈마 반응된 후 샤워헤드(240)의 상판(241)에 형성된 다수의 유도관(243)을 통해 처리공간(115)으로 분사된다.
소스가스는 소스가스 공급부(155)를 통해 상기 소스가스 처리공간(245)으로 공급되어 플라즈마 반응된 후 샤워헤드(240)의 하판(242)에 형성된 다수의 소스가스홀을 통해 처리공간(115)으로 분사된다.
도 5는 본발명의 제2실시예에 따른 기판 표면처리장치를 나타낸 것으로, 상기 제2실시예의 표면처리장치와 샤워헤드(340)의 구성을 제외하고는 도 3의 기판 표면처리장치와 모두 동일하다.
도 5에 도시된 바와 같이, 샤워헤드(340)는 다수의 유도관이 형성된 상판(341)과 소스가스홀이 형성된 하판(342)을 포함한다. 상기 상판(341)과 하판(342) 사이에는 마찬가지로 소스가스가 공급되어 이온 또는 라디칼(이하 '라디칼'이라 함) 상태로 반응되는 소스가스 처리공간(345)이 형성되는데, 상기 소스가스 처리공간(345)에는 상기 소스가스를 라디칼 상태로 전환시키기 위한 열선(346)이 구비되어 있다. 상기 열선(346)은 외부의 전원공급부(310)에 연결되어 있다.
도 5와 같은 표면처리장치(300)에서는 열선(346)에 의해 발생되는 열에 의해 상기 샤워헤드의 상판(341)이 가열되어 소스가스가 라디칼 상태로 되는 것이다. 이와 같이, 소스가스는 열선(346)에 의해 열분해되어 라디칼 상태로 되는데, 상기의 열분해 온도는 50~350℃(1~3 torr의 기압하에서) 범위로 하는 것이 바람직하다.
도 5와는 달리 열선(346)이 소스가스 처리공간(345)의 상부에 위치하지 않을 수도 있으며, 히터에 의해 샤워헤드(340)의 상판(341)을 가열하는 형태도 가능할 것이다.
도 6은 본 발명의 제3실시예에 따른 기판 표면처리장치(400)를 나타낸 도면이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 상기 기판 표면처리장치(400)에서는 샤워헤드(440)가 단지 다수의 유도관(443)만을 가지며 형성된다.
위의 실시예와는 달리 샤워헤드(440)의 상하판 사이의 공간에서 소스가스가 플라즈마 반응되는 것이 아니라, 외부의 소스가스 플라즈마 공급원(410)으로부터 직접 플라즈마 반응된 소스가스가 처리공간(115)으로 분사된다.
즉, 본 실시예에서는 소스가스가 소스가스 플라즈마 공급원(220)에서 플라즈마 반응된 후 처리공간(115)으로 공급되는 형태이다.
한편, 도 7은 본 발명의 제4실시예에 따른 기판 표면처리장치(500)를 나타낸도면이다.
도 7의 상기 표면처리장치(500) 또한 외부의 소스가스 플라즈마 공급원(410)으로부터 이미 플라즈마 상태로 되어 있는 소스가스를 공급받아 처리공간(115)으로 공급하게 된다. 다만, 도 7의 표면처리장치에서는 반응된 소스가스 플라즈마가 샤워헤드(540)를 통해 분사되는 형태이다.
상기 샤워헤드(540)는 마찬가지로 다수의 유도관을 가지는 상판(541)과 다수의 소스가스홀을 가지는 하판(542)으로 이루어지고, 상기 상판(541)과 하판(542) 사이에는 버퍼공간(545)이 마련된다.
소스가스 플라즈마 공급원(410)으로부터 상기 버퍼공간(545)으로 소스가스 플라즈마가 공급되어 하판(542)의 소스가스홀(544)을 통해 처리공간(115)으로 분사되게 된다.
여기서, 반응가스 플라즈마에 대해서도 샤워헤드 외부에서 공급원을 통해 샤워헤드 위의 공간으로 공급되어 샤워헤드의 유도관을 통해 처리공간으로 분사되거나 또는 샤워헤드를 통하지 않고 직접 처리공간으로 분사되는 형태를 생각할 수도 있을 것이다.
본 발명에 따른 기판 표면처리장치는 박막증착장치에 한정되는 것은 아니며, 플라즈마를 이용하는 건식 식각이나, 물리적 또는 화학적 기상 증착, 감광제 세정 및 기타 표면 처리 등의 단위 공정에 사용되는 다양한 형태의 반도체, FPD 표면처리장치에 적용할 수 있다 할 것이다.
따라서, 본 발명은 상기의 실시예에 국한되는 것은 아니며 당해 기술분야에 있어서 통상의 지식을 가진자가 본 발명의 기술적 사상의 범위를 벗어나지 않는 범위내에서 설계 변경이나 회피설계를 한다 하여도 본 발명의 범위 안에 있다 할 것이다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 표면처리장치는 소스가스를 처리공간으로 주입할 때 소스가스를 플라즈마 형태(이온 또는 라디칼 상태)로 변환시켜 주입하므로, 증착 등 기판의 표면처리 능력이 훨씬 향상된다.
또한, 반응성이 좋아지기 때문에 기판에 증착되는 막은 훨씬 단단해지게 된다.
즉, 소스가스는 플라즈마 반응에 의해 Si 이온과 그 외의 이온으로 분해되고, 반응가스 플라즈마의 산소 라디컬 등과 결합하기 때문에 상호 간의 반응성이 보다 향상되어 반응되지 못하고 남는 소스가스의 양을 최소화할 수 있다. 가령, SiH4는 Si이온과 H이온으로 분리되고 유도관을 통해 분사된 산소라디컬 이온 등과 결합하여 기판상에 SiO2를 생성할 수 있다.

Claims (8)

  1. 피처리물의 처리공간;
    상기 처리공간의 상부에 형성되어 외부로부터 공급된 반응가스를 플라즈마 반응시키는 플라즈마 발생부;
    상기 플라즈마 발생부의 하부에 형성되고, 외부로부터 공급된 소스가스를 플라즈마 반응시키고 하부에 형성된 다수의 분사홀을 통해 상기 반응가스 플라즈마와 상기 소스가스 플라즈마를 상기 처리공간으로 분사하는 샤워헤드;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 표면처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 샤워헤드에는 상기 소스가스를 플라즈마 반응시키기 위한 고주파 전원공급부가 연결되는 것을 특징으로 하는 기판 표면처리장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 샤워헤드는,
    상기 고주파 전원공급부와 연결되고, 상기 반응가스 플라즈마를 상기 처리공간으로 안내하는 다수의 유도관이 형성된 상판과,
    상기 고주파 전원공급부의 접지와 연결되고, 상기 상판과 함께 소스가스의 플라즈마 생성공간을 형성하며, 상기 소스가스 플라즈마를 상기 처리공간으로 안내 하는 다수의 소스가스홀이 형성된 하판,
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 표면처리장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 샤워헤드에는 상기 소스가스를 라디칼 상태로 변환시키기 위한 열선이 구비되는 것을 특징으로 하는 기판 표면처리장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 샤워헤드는,
    상기 반응가스 플라즈마를 상기 처리공간으로 안내하는 다수의 유도관이 형성된 상판과,
    상기 상판과 함께 상기 열선의 하부에 소스가스의 플라즈마 생성공간을 형성하며, 상기 소스가스 플라즈마를 상기 처리공간으로 안내하는 다수의 소스가스홀이 형성된 하판,
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 표면처리장치.
  6. 피처리물의 처리공간;
    상기 처리공간의 상부에 형성되어 외부로부터 공급된 반응가스를 플라즈마 반응시키는 플라즈마 발생부;
    상기 플라즈마 발생부의 하부에 형성되고, 하부에 형성된 다수의 분사홀을 통해 상기 반응가스 플라즈마를 상기 처리공간으로 분사하는 샤워헤드;
    플라즈마 반응된 소스가스 플라즈마를 상기 처리공간으로 분사하는 소스가스 플라즈마 공급원을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 표면처리장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 소스가스 플라즈마 공급원이 상기 샤워헤드와 연결되고, 상기 샤워헤드의 하부에 형성된 다수의 소스가스홀을 통해 상기 소스가스 플라즈마를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 표면처리장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 샤워헤드는,
    상기 다수의 분사홀과 연결되어 반응가스 플라즈마를 상기 처리공간으로 안내하는 다수의 유도관이 형성된 상판과,
    상기 상판과 함께 상기 소스가스 플라즈마의 버퍼공간을 형성하며, 상기 소스가스 플라즈마를 상기 처리공간으로 안내하는 상기 다수의 소스가스홀이 형성된 하판,
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 표면처리장치.
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