KR100853626B1 - 플라즈마 증착장치 및 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
또한, 압력이 10mTorr 이하에서 상기 ICP 방식으로 막을 증착한 후, CCP 방식으로 막을 증착하여 갭 필러를 형성하는 것을 특징으로 한다.
Claims (6)
- 피증착물의 처리공간;상기 처리공간의 상부에 형성되어 외부로부터 공급된 반응가스가 플라즈마 반응되는 제1 플라즈마 생성공간;상기 제1 플라즈마 생성공간의 하부에 형성되며, 복수의 분사홀을 통해 상기 반응가스 플라즈마와 외부로부터 공급된 소스가스를 상기 처리공간으로 분사하는 샤워헤드;ICP 방식으로 상기 제1 플라즈마 생성공간을 형성하는 제1 RF 전원 공급부;상기 샤워헤드에 RF 전원을 인가하여 CCP 방식에 따라 상기 처리공간을 제2 플라즈마 생성공간으로 형성하는 제2 RF 전원 공급부;복수의 증착막의 층간 접촉부분을 형성하거나 새로운 증착막을 형성하는 초기 및 마무리 단계에서는 상기 제1 RF 전원 공급부는 온 시키고 상기 제2 RF 전원 공급부는 오프시켜 ICP 방식으로 증착시키고,그외 새로운 증착막을 형성하는 중간 단계에서는 상기 제2 RF 전원 공급부는 온 시키고 상기 제1 RF 전원 공급부는 오프시켜 CCP 방식으로 증착시키는 RF 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 증착장치.
- 제1항에 있어서,상기 RF 제어부는 상기 복수의 증착막을 형성하는 경우에는 상기 ICP 방식 및 CCP 방식의 순차적인 조합에 의해 이루어지도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 증착장치.
- 제2항에 있어서,상기 RF 제어부는 상기 제1 RF 전원 공급부 및 상기 제2 RF 전원 공급부의 가동 주기를 조절하여 상기 증착막의 두께를 조절하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 증착장치.
- 제1항의 플라즈마 증착장치에서 박막을 증착하는 방법에 있어서,복수의 증착막의 층간 접촉부분을 형성하거나 새로운 증착막을 형성하는 초기 및 마무리 단계에서는 ICP 방식으로 증착시키는 제1단계와,상기 제1 단계를 제외한 중간 단계에서 새로운 증착막을 CCP 방식으로 증착하는 제2단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 증착방법.
- 제4항에 있어서,상기 제1 및 제2 단계는 교대로 번갈아가며 진행하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 증착방법.
- 제5항에 있어서,압력이 10mTorr 이하에서 상기 ICP 방식으로 막을 증착한 후, CCP 방식으로 막을 증착하여 갭 필러를 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 증착방법.
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