KR20060087920A - 증착 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (17)
- 플라즈마 발생 영역 및 가열체를 구비한 챔버 내부로 기판을 로딩하는 단계;상기 챔버에 제1가스 및 제2가스를 공급하는 단계;상기 제1가스는 상기 플라즈마 발생 영역 및 가열체를 통과하여 제1라디컬을 형성하고, 상기 제2가스는 상기 가열체를 통과하여 제2라디컬을 형성하는 단계; 및상기 제1라디컬 및 제2라디컬이 반응하여 상기 기판상에 증착막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 플라즈마 발생 영역은 샤워 헤드 내부에 형성된 공동인 것을 특징으로 하는 증착 방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 샤워헤드는 제1가스 주입구와 제2가스 주입구 및 제1노즐와 제2노즐을 더 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 증착 방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 제1노즐은 상기 척과 대응하는 샤워 헤드의 표면에 균일하게 분포하는 것을 특징으로 하는 증착 방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 제2노즐은 상기 척과 대응하는 샤워 헤드의 표면에 균일하게 분포하는 것을 특징으로 하는 증착 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판을 로딩하는 단계 및 상기 제1가스 및 제2가스를 공급하는 단계 사이에,상기 플라즈마 발생 영역에 비활성 가스를 주입하고 전력을 인가하여 플라즈마를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판을 로딩하는 단계 및 상기 제1가스 및 제2가스를 공급하는 단계 사 이에,상기 가열체에 전력을 공급하여 가열하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제1가스는 제2가스보다 분해에 필요한 에너지가 높은 가스임을 특징으로 하는 증착 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 제1가스는 암모니아 가스 또는 질소 가스임을 특징으로 하는 증착 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 제2가스는 실란 가스임을 특징으로 하는 증착 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 가열체는 필라멘트임을 특징으로 하는 증착 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 가열체는 텅스텐으로 이루어져 있음을 특징을 하는 증착 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 증착막은 절연막 또는 도전성막임을 특징으로 하는 증착 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 절연막은 실리콘 질화막인 것을 특징으로 하는 증착 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판이 챔버 내부로 로딩되고, 상기 제1가스 및 제2가스가 각각 제1라디컬 및 제2라디컬을 형성하는 단계이전에,상기 플라즈마 발생 영역 또는 가열체 영역에 상기 제1가스 및 제2가스를 통과시켜 상기 기판상에 다른 증착막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제1라디컬 및 제2라디컬이 반응하여 상기 기판상에 증착막을 형성하는 단계 이후에,상기 플라즈마 발생 영역 또는 가열체 영역에 상기 제1가스 및 제2가스를 통과시켜 상기 기판상에 다른 증착막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 방법.
- 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서,상기 다른 증착막은 수소를 포함하고 있는 증착막임을 특징으로 하는 증착 방법.
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Cited By (5)
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---|---|---|---|---|
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KR20140080210A (ko) * | 2012-12-20 | 2014-06-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기상 증착 장치, 이를 이용한 증착 방법 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
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